CN113346024A - 一种钙钛矿晶体薄膜以及钙钛矿太阳能电池的制备方法 - Google Patents
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 35
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 claims abstract description 27
- ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N Ammonium bicarbonate Chemical compound [NH4+].OC([O-])=O ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 229910000013 Ammonium bicarbonate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 235000012538 ammonium bicarbonate Nutrition 0.000 claims abstract description 26
- 239000001099 ammonium carbonate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- -1 nitrogen-containing halide Chemical class 0.000 claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 42
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 36
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 14
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000005303 weighing Methods 0.000 claims description 10
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- QHJPGANWSLEMTI-UHFFFAOYSA-N aminomethylideneazanium;iodide Chemical compound I.NC=N QHJPGANWSLEMTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 8
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 claims description 6
- LLWRXQXPJMPHLR-UHFFFAOYSA-N methylazanium;iodide Chemical compound [I-].[NH3+]C LLWRXQXPJMPHLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 4
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 claims description 4
- ZASWJUOMEGBQCQ-UHFFFAOYSA-L dibromolead Chemical compound Br[Pb]Br ZASWJUOMEGBQCQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- JBKVHLHDHHXQEQ-UHFFFAOYSA-N epsilon-caprolactam Chemical compound O=C1CCCCCN1 JBKVHLHDHHXQEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 4
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 4
- NQMRYBIKMRVZLB-UHFFFAOYSA-N methylamine hydrochloride Chemical compound [Cl-].[NH3+]C NQMRYBIKMRVZLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 claims description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 4
- XDXWNHPWWKGTKO-UHFFFAOYSA-N 207739-72-8 Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N(C=1C=C2C3(C4=CC(=CC=C4C2=CC=1)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC(=CC=C1C1=CC=C(C=C13)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC=C(OC)C=C1 XDXWNHPWWKGTKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920001167 Poly(triaryl amine) Polymers 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-M Thiocyanate anion Chemical compound [S-]C#N ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 3
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 125000003184 C60 fullerene group Chemical group 0.000 claims description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 claims description 2
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 2
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N [60]pcbm Chemical compound C123C(C4=C5C6=C7C8=C9C%10=C%11C%12=C%13C%14=C%15C%16=C%17C%18=C(C=%19C=%20C%18=C%18C%16=C%13C%13=C%11C9=C9C7=C(C=%20C9=C%13%18)C(C7=%19)=C96)C6=C%11C%17=C%15C%13=C%15C%14=C%12C%12=C%10C%10=C85)=C9C7=C6C2=C%11C%13=C2C%15=C%12C%10=C4C23C1(CCCC(=O)OC)C1=CC=CC=C1 MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 claims description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 2
- 125000003739 carbamimidoyl group Chemical group C(N)(=N)* 0.000 claims description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 2
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 2
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PDZKZMQQDCHTNF-UHFFFAOYSA-M copper(1+);thiocyanate Chemical compound [Cu+].[S-]C#N PDZKZMQQDCHTNF-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(I) oxide Inorganic materials [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N copper(II) sulfide Chemical compound [S-2].[Cu+2] OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N cuprous oxide Chemical compound [O-2].[Cu+].[Cu+] KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940112669 cuprous oxide Drugs 0.000 claims description 2
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 claims description 2
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 claims description 2
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 claims description 2
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 2
- ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-N hydrogen thiocyanate Natural products SC#N ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 claims description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 2
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- ISWNAMNOYHCTSB-UHFFFAOYSA-N methanamine;hydrobromide Chemical compound [Br-].[NH3+]C ISWNAMNOYHCTSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 2
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 claims description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims description 2
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000003462 sulfoxides Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 2
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 2
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000002795 guanidino group Chemical group C(N)(=N)N* 0.000 claims 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 2
- UUIMDJFBHNDZOW-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butylpyridine Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC=N1 UUIMDJFBHNDZOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N N-methyl-guanidine Natural products CNC(N)=N CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- WGQKYBSKWIADBV-UHFFFAOYSA-N aminomethyl benzene Natural products NCC1=CC=CC=C1 WGQKYBSKWIADBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N anhydrous guanidine Natural products NC(N)=N ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000002358 autolytic effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N dimethylaminoamidine Natural products CN(C)C(N)=N SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N mono-methylamine Natural products NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N monoethyl amine Natural products CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N protonated dimethyl amine Natural products CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- NCCSSGKUIKYAJD-UHFFFAOYSA-N rubidium(1+) Chemical compound [Rb+] NCCSSGKUIKYAJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- 229910001432 tin ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001889 triflyl group Chemical group FC(F)(F)S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
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Abstract
本发明涉及一种钙钛矿晶体薄膜的制备方法，包括步骤：配制含碳酸氢铵的金属卤化物溶液；在基底表面涂布或沉积步骤1制备的含碳酸氢铵的金属卤化物溶液，得到金属卤化物薄膜；将含氮卤化物扩散进入金属卤化物薄膜，反应得到钙钛矿晶体薄膜层。本发明还公开一种使用该方法进行钙钛矿太阳能电池的制备方法。本发明通过适量碳酸氢铵添加剂的引入，促进了两步法制备钙钛矿薄膜的过程中，钙钛矿组分的充分扩散、反应，易于大面积制备均匀且厚的钙钛矿晶体薄膜。
Description
技术领域
本发明涉及一种钙钛矿晶体薄膜以及钙钛矿太阳能电池的制备方法。
背景技术
钙钛矿光吸收材料是一类具有ABX3结构的化合物，一般地，A位主要是一价的金属离子，包括Li+、Na+、K+、Rb+、Cs+等，以及一些含氮的有机阳离子，比如甲胺阳离子、二甲胺阳离子、乙胺阳离子、正丁胺阳离子、苯甲胺阳离子、甲脒阳离子、胍阳离子。B位主要二价的铅离子和锡离子。X位主要是卤素阴离子和硫氰酸根阴离子，以及醋酸根阴离子。这些离子组成具有钙钛矿晶体结构的材料具有良好的光电性能，非常适合应用在光伏、发光和光电探测等多个领域。
采用溶液两步法的方式制备钙钛矿薄膜具有成本低，易于大面积生长的特点。在两步法中，先在基底上沉积一层金属卤化物薄膜，然后将含氮卤化物扩散进入金属卤化物膜层，加热反应制得钙钛矿薄膜。这种方法有一个明显的局限，即金属卤化物薄膜不能太厚，否则，含氮卤化物难以充分扩散进入反应，导致薄膜中出现大量的缺陷，从而器件性能低下。研究表明，在钙钛矿晶体的生长过程中，引入少量的溶剂气体，可以有效的促进含氮卤化物的扩散，调节晶体的生长，获得缺陷少、晶粒大，膜层更厚的钙钛矿晶体。而采用溶剂辅助晶体生长的方法仍然存在不足，溶剂气体由表及里的作用过程中，表面或晶界的钙钛矿材料经受了大量的溶剂侵袭，会导致缺陷增多。而受限于气体缓慢的的扩散过程，特别是对于厚的钙钛矿前驱体膜层，内部的钙钛矿并不能充分的与溶剂作用。因此，如何充分且均匀的制备厚的钙钛矿晶体膜层是亟待改善的问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种钙钛矿晶体薄膜以及钙钛矿太阳能电池的制备方法，解决了常规使用两步法制备钙钛矿薄膜的过程中，因钙钛矿组分的扩散过程受限，难以制得大面积、均匀且厚的钙钛矿晶体薄膜，工艺重复性不佳等问题，易于制得厚的、结晶质量高的钙钛矿薄膜。
本发明是这样实现的，提供一种钙钛矿晶体薄膜的制备方法，包括如下步骤：
步骤1：配制含碳酸氢铵的金属卤化物溶液；
步骤2：在基底表面涂布或沉积步骤1制备的含碳酸氢铵的金属卤化物溶液，得到金属卤化物薄膜；
步骤3：将含氮卤化物扩散进入金属卤化物薄膜，反应得到钙钛矿晶体薄膜层。
本发明将适量的碳酸氢铵加入到钙钛矿的前驱体薄膜中，当退火时，碳酸氢铵逐渐分解出氨气和水，它们与钙钛矿前驱体材料短暂结合，促进钙钛矿组分的相互作用和扩散，使钙钛矿晶体的生长过程充分且均匀。因此，通过碳酸氢铵的加入，可以实现自溶剂退火。相比外源溶剂气体的引入，自溶剂退火具有明显的优势，可以诱导钙钛矿晶体自基底均匀、致密的生长，从而易于制得厚的、结晶质量高的钙钛矿薄膜。
本发明是这样实现的，提供一种钙钛矿太阳能电池的制备方法，在所述钙钛矿太阳能电池中含有钙钛矿薄膜层，所述钙钛矿薄膜层采用如前所述的钙钛矿晶体薄膜的制备方法制备。
与现有技术相比，本发明的一种钙钛矿晶体薄膜以及钙钛矿太阳能电池的制备方法，通过适量碳酸氢铵添加剂的引入，促进了两步法制备钙钛矿薄膜的过程中，钙钛矿组分的充分扩散、反应，易于大面积制备均匀且厚的钙钛矿晶体薄膜。
附图说明
图1为本发明的三种实施例制备的钙钛矿太阳能电池的电流-电压曲线性能示意图。
具体实施方式
为了使本发明所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
请参照图1所示，本发明钙钛矿晶体薄膜的制备方法的较佳实施例，包括如下步骤：
步骤1：配制含碳酸氢铵的金属卤化物溶液。
步骤2：在基底表面涂布或沉积步骤1制备的含碳酸氢铵的金属卤化物溶液，得到金属卤化物薄膜。
步骤3：将含氮卤化物扩散进入金属卤化物薄膜，反应得到钙钛矿晶体薄膜层。
具体地，在所述步骤1中，配制含碳酸氢铵的金属卤化物溶液的方法是将卤化铅粉末溶解在溶剂中配制成溶液，在该溶液中含有适量的添加剂，所述添加剂为碳酸氢铵。所用的溶剂是混合溶剂，所述混合溶剂包括酰胺类溶剂、砜类/亚砜类溶剂、酯类溶剂、烃类、卤代烃类溶剂、醇类溶剂、酮类溶剂、醚类溶剂、芳香烃溶剂中至少一种。在含碳酸氢铵的金属卤化物溶液中，阳离子中二价金属铅的摩尔百分数不低于80％，阴离子包括负一价氯离子、溴离子、碘离子、硫氰酸根、乙酸根中的至少一种，阴离子中碘离子的摩尔百分数不低于80％。
具体地，在金属卤化物溶液中还有掺杂剂，所述掺杂剂包括含胺基、脒基、胍基中至少一种有机化合物，或者含锂、钠、钾、铷、铯、硼、硅、锗、砷、锑、铍、镁、钙、锶、钡、铝、铟、镓、锡、铊、铅、铋、镧、铈、镨、钕、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥、钪、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、钇、锆、铌、钼、钌、铑、钯、银、镉、铪、钽、钨、铼、锇、铱、铂、金中至少一种无机化合物。
具体地，所述溶剂为N,N-二甲基甲酰胺(DMF)、己内酰胺、二甲基亚砜(DMSO)、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、γ-丁内酯(GBL)中至少一种。
具体地，在步骤2中，所述基底包括透明导电层和半导体材料层，其在波长为350nm～800nm范围光透过率不低于80％。所述透明导电层包括相互复合的支撑层与功能层，所述支撑层的材料包括玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)及聚酰亚胺(PI)中任意一种，所述功能层的材料包括氧化铟锡(ITO)、掺氟氧化锡(FTO)、掺铝氧化锌(AZO)中任意一种。所述半导体材料层的材料包括空穴传输材料或电子传输材料，所述空穴传输材料包括氧化镍、氧化钒、氧化钼、硫化铜、硫氰酸亚铜、氧化铜、氧化亚铜、氧化钴、PTAA、PEDOT、Spiro-MeOTAD和它们的掺杂物中的至少一种，该层厚度为5nm～200nm；所述电子传输材料包括二氧化钛、氧化锌、硫化镉、二氧化锡、三氧化二铟、氧化钨、氧化铈、C60、C70、PCBM以及它们的衍生物或掺杂物中的至少一种，该层厚度为5nm～300nm。
具体地，在步骤2中，所述涂布或沉积方法包括狭缝涂(slot die)、刮涂、旋涂、喷涂、丝网印刷、蒸镀中任意一种加工方式。
具体地，在步骤2的金属卤化物薄膜和步骤3的钙钛矿晶体薄膜的制备过程中，处理温度不超过200℃。
下面结合具体实施例说明本发明的钙钛矿太阳能电池的制备方法。
实施例1
本发明的第一种钙钛矿太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：
(11).称取碘化铅粉末溶解在N,N-二甲基甲酰胺中，碘化铅的浓度为0.5mol/L，充分溶解后，再加入碳酸氢铵粉末，溶解后的浓度为2g/L。
(12).将步骤(11)得到的溶液在热风辅助下均匀喷涂在PEN/ITO/PEDOT:PSS基底上，60℃烘烤5分钟，得到厚度为300纳米的碘化铅薄膜。
(13).将甲胺氢碘酸盐蒸镀到步骤(12)制备的碘化铅薄膜上，厚度为50纳米。
(14).将经步骤(13)处理得到的基底置于氮气氛围中，100℃保持30分钟。
(15).待反应完成，冷却至室温，用异丙醇快速冲洗基底上制备的碘化铅薄膜表面，去除其上残余的甲胺氢碘酸盐，100℃保持10分钟，得到结晶良好的钙钛矿晶体薄膜层。
(16).依次在钙钛矿晶体薄膜层上蒸镀20纳米C60，5纳米BCP，100纳米金属银，完成钙钛矿太阳能电池的制备。
实施例2
本发明的第二种钙钛矿太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：
(21).按质量比18:2:1分别称取碘化铅粉末、溴化铅粉末、碘化铯粉末，溶解在N,N-二甲基甲酰胺与二甲基亚砜的混合溶剂里，其中，碘化铅的浓度为1.1mol/L，N,N-二甲基甲酰胺与二甲基亚砜的体积比为4:1；充分溶解后，再加入碳酸氢铵粉末，溶解后浓度的为0.5g/L。
(22).按质量比10:1.5:1分别称取甲脒氢碘酸盐粉末、甲胺氢溴酸盐粉末、甲胺氢氯酸盐粉末，溶解在异丙醇溶液里，其中甲脒氢碘酸盐的浓度为60mg/mL。
(23).将步骤(21)得到的溶液均匀旋涂在ITO玻璃/SnO2基底上，80℃烘烤2分钟，然后将步骤(22)得到的溶液均匀旋涂其上。
(24).将经步骤(23)处理得到的基底置于湿度不超过50％的空气氛围中，100℃保持10分钟，然后150℃保持10分钟，得到结晶良好的钙钛矿晶体薄膜层。
(25).依次在钙钛矿晶体薄膜层上沉积20纳米PTAA，5纳米MoO3，80纳米金，完成钙钛矿太阳能电池的制备。
实施例3
本发明的第三种钙钛矿太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：
(31).按质量之比10:1，称取碘化铅粉末和碘化铯粉末，溶解在N,N-二甲基甲酰胺与二甲基亚砜以及N-甲基吡咯烷酮的混合溶剂里，其中，碘化铅的浓度为1.5mol/L，N,N-二甲基甲酰胺与二甲基亚砜以及N-甲基吡咯烷酮的体积比为16:3:1；充分溶解后，再加入碳酸氢铵粉末，溶解后的浓度为0.1g/L。
(32).按质量比10:1分别称取甲脒氢碘酸盐粉末和甲胺氢氯酸盐粉末，溶解在异丙醇溶液里，其中，甲脒氢碘酸盐的浓度为30mg/mL。
(33).将步骤(31)得到的溶液均匀刮涂在预热的FTO玻璃/TiO2基底上，迅速置于密闭容器，抽真空2分钟～10分钟，适用的真空度范围为1×10-3Pa～1×103Pa，然后将步骤(32)得到的溶液均匀刮涂其上。
(34).将经步骤(33)处理得到的基底置于氮气氛围中，150℃保持30分钟，得到结晶良好的钙钛矿晶体薄膜层。
(35).依次在钙钛矿晶体薄膜层上沉积100纳米Spiro-MeOTAD(掺杂双三氟甲烷磺酰亚胺锂，叔丁基吡啶)，80纳米金，完成钙钛矿太阳能电池的制备。
将上述三个实施例制备的钙钛矿太阳能电池分别进行性能测试，得到附图1所示的电流-电压曲线以及下表所示的性能测试数据。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种钙钛矿晶体薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1：配制含碳酸氢铵的金属卤化物溶液；
步骤2：在基底表面涂布或沉积步骤1制备的含碳酸氢铵的金属卤化物溶液，得到金属卤化物薄膜；
步骤3：将含氮卤化物扩散进入金属卤化物薄膜，反应得到钙钛矿晶体薄膜层。
2.如权利要求1所述的钙钛矿晶体薄膜的制备方法，其特征在于，在所述步骤1中，配制含碳酸氢铵的金属卤化物溶液的方法是将卤化铅粉末溶解在溶剂中配制成溶液，在该溶液中含有添加剂，所述添加剂为碳酸氢铵，所用的溶剂包括酰胺类溶剂、砜类/亚砜类溶剂、酯类溶剂、烃类、卤代烃类溶剂、醇类溶剂、酮类溶剂、醚类溶剂、芳香烃溶剂中至少一种；在含碳酸氢铵的金属卤化物溶液中，阳离子中二价金属铅的摩尔百分数不低于80％，阴离子包括负一价氯离子、溴离子、碘离子、硫氰酸根、乙酸根中的至少一种，阴离子中碘离子的摩尔百分数不低于80％。
3.如权利要求2所述的钙钛矿晶体薄膜的制备方法，其特征在于，在金属卤化物溶液中还有掺杂剂，所述掺杂剂包括含胺基、脒基、胍基中至少一种有机化合物，或者含锂、钠、钾、铷、铯、硼、硅、锗、砷、锑、铍、镁、钙、锶、钡、铝、铟、镓、锡、铊、铅、铋、镧、铈、镨、钕、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥、钪、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、钇、锆、铌、钼、钌、铑、钯、银、镉、铪、钽、钨、铼、锇、铱、铂、金中至少一种无机化合物。
4.如权利要求2所述的钙钛矿晶体薄膜的制备方法，其特征在于，所述溶剂为N,N-二甲基甲酰胺(DMF)、己内酰胺、二甲基亚砜(DMSO)、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、γ-丁内酯(GBL)中至少一种。
5.如权利要求1所述的钙钛矿晶体薄膜的制备方法，其特征在于，在步骤2中，所述基底包括透明导电层和半导体材料层，其在波长为350nm～800nm范围光透过率不低于80％；所述透明导电层包括相互复合的支撑层与功能层，所述支撑层的材料包括玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)及聚酰亚胺(PI)中任意一种，所述功能层的材料包括氧化铟锡(ITO)、掺氟氧化锡(FTO)、掺铝氧化锌(AZO)中任意一种；所述半导体材料层的材料包括空穴传输材料或电子传输材料，所述空穴传输材料包括氧化镍、氧化钒、氧化钼、硫化铜、硫氰酸亚铜、氧化铜、氧化亚铜、氧化钴、PTAA、PEDOT、Spiro-MeOTAD和它们的掺杂物中的至少一种，该层厚度为5nm～200nm；所述电子传输材料包括二氧化钛、氧化锌、硫化镉、二氧化锡、三氧化二铟、氧化钨、氧化铈、C60、C70、PCBM以及它们的衍生物或掺杂物中的至少一种，该层厚度为5nm～300nm。
6.如权利要求1所述的钙钛矿晶体薄膜的制备方法，其特征在于，在步骤2的金属卤化物薄膜和步骤3的钙钛矿晶体薄膜的制备过程中，处理温度不超过200℃。
7.如权利要求1所述的钙钛矿晶体薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(11).称取碘化铅粉末溶解在N,N-二甲基甲酰胺中，碘化铅的浓度为0.5mol/L，再加入碳酸氢铵粉末，溶解后的浓度为2g/L；
(12).将步骤(11)得到的溶液在热风辅助下均匀喷涂在PEN/ITO/PEDOT:PSS基底上，60℃烘烤5分钟，得到厚度为300纳米的碘化铅薄膜；
(13).将甲胺氢碘酸盐蒸镀到步骤(12)制备的碘化铅薄膜上，厚度为50纳米；
(14).将经步骤(13)处理得到的基底置于氮气氛围中，100℃保持30分钟；
(15).待反应完成，冷却至室温，用异丙醇快速冲洗基底上制备的碘化铅薄膜表面，去除其上残余的甲胺氢碘酸盐，100℃保持10分钟，得到结晶良好的钙钛矿晶体薄膜层。
8.如权利要求1所述的钙钛矿晶体薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(21).按质量比18:2:1分别称取碘化铅粉末、溴化铅粉末、碘化铯粉末，溶解在N,N-二甲基甲酰胺与二甲基亚砜的混合溶剂里，其中，碘化铅的浓度为1.1mol/L，N,N-二甲基甲酰胺与二甲基亚砜的体积比为4:1；再加入碳酸氢铵粉末，溶解后的浓度为0.5g/L；
(22).按质量比10:1.5:1分别称取甲脒氢碘酸盐粉末、甲胺氢溴酸盐粉末、甲胺氢氯酸盐粉末，溶解在异丙醇溶液里，其中甲脒氢碘酸盐的浓度为60mg/mL；
(23).将步骤(21)得到的溶液均匀旋涂在ITO玻璃/SnO2基底上，80℃烘烤2分钟，然后将步骤(22)得到的溶液均匀旋涂其上；
(24).将经步骤(23)处理得到的基底置于湿度不超过50％的空气氛围中，100℃保持10分钟，然后150℃保持10分钟，得到结晶良好的钙钛矿晶体薄膜层。
9.如权利要求1所述的钙钛矿晶体薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(31).按质量之比10:1，称取碘化铅粉末和碘化铯粉末，溶解在N,N-二甲基甲酰胺与二甲基亚砜以及N-甲基吡咯烷酮的混合溶剂里，其中，碘化铅的浓度为1.5mol/L，N,N-二甲基甲酰胺与二甲基亚砜以及N-甲基吡咯烷酮的体积比为16:3:1；再加入碳酸氢铵粉末，溶解后的浓度为0.1g/L；
(32).按质量比10:1分别称取甲脒氢碘酸盐粉末和甲胺氢氯酸盐粉末，溶解在异丙醇溶液里，其中，甲脒氢碘酸盐的浓度为30mg/mL；
(33).将步骤(31)得到的溶液均匀刮涂在预热的FTO玻璃/TiO2基底上，迅速置于密闭容器，抽真空2分钟～10分钟，适用的真空度范围为1×10-3Pa～1×103Pa，然后将步骤(32)得到的溶液均匀刮涂其上；
(34).将经步骤(33)处理得到的基底置于氮气氛围中，150℃保持30分钟，得到结晶良好的钙钛矿晶体薄膜层。
10.一种钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，在所述钙钛矿太阳能电池中含有钙钛矿薄膜层，所述钙钛矿薄膜层采用如权利要求1至9中任意一项所述的钙钛矿晶体薄膜的制备方法制备。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN113346024A true CN113346024A (zh) | 2021-09-03 |
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