JP6853382B2 - ペロブスカイト構造を有する光吸収材料を生成するための方法、及びそれを実施するための可変組成の液体ポリハロゲン化物 - Google Patents
ペロブスカイト構造を有する光吸収材料を生成するための方法、及びそれを実施するための可変組成の液体ポリハロゲン化物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6853382B2 JP6853382B2 JP2019556786A JP2019556786A JP6853382B2 JP 6853382 B2 JP6853382 B2 JP 6853382B2 JP 2019556786 A JP2019556786 A JP 2019556786A JP 2019556786 A JP2019556786 A JP 2019556786A JP 6853382 B2 JP6853382 B2 JP 6853382B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mixture
- composition
- reagent
- component
- perovskite
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 76
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 43
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 title claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title description 10
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 claims description 26
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 18
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 150000001450 anions Chemical group 0.000 claims description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001417 caesium ion Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 3
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 claims description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims description 2
- 239000012705 liquid precursor Substances 0.000 claims 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims 1
- LLWRXQXPJMPHLR-UHFFFAOYSA-N methylazanium;iodide Chemical compound [I-].[NH3+]C LLWRXQXPJMPHLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 7
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 6
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 5
- QHJPGANWSLEMTI-UHFFFAOYSA-N aminomethylideneazanium;iodide Chemical compound I.NC=N QHJPGANWSLEMTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 3
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNKUSGQVOMIXLU-UHFFFAOYSA-N Formamidine Chemical compound NC=N PNKUSGQVOMIXLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-O Methylammonium ion Chemical compound [NH3+]C BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 2
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-O guanidinium Chemical compound NC(N)=[NH2+] ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 2
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000043 hydrogen iodide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XPOLVIIHTDKJRY-UHFFFAOYSA-N acetic acid;methanimidamide Chemical compound NC=N.CC(O)=O XPOLVIIHTDKJRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- ISWNAMNOYHCTSB-UHFFFAOYSA-N methanamine;hydrobromide Chemical compound [Br-].[NH3+]C ISWNAMNOYHCTSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/50—Organic perovskites; Hybrid organic-inorganic perovskites [HOIP], e.g. CH3NH3PbI3
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/24—Lead compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
- C09D5/32—Radiation-absorbing paints
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2059—Light-sensitive devices comprising an organic dye as the active light absorbing material, e.g. adsorbed on an electrode or dissolved in solution
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/50—Photovoltaic [PV] devices
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Description
試薬MAI−2I2は、MAI 159mg及びI2 508mgを混合することによって得られ、次にそれは以下の構成:厚さ250nmの金属鉛層を有するFTO/TiO2/Pb(FTOは、フッ素ドープ酸化スズを表す)の基板上にスピンコートされる。次いで基板は加熱され、115℃の温度で30分間保たれる。結果として、ペロブスカイト層MAPbI3が基板上に形成される。
金属鉛の粉末(20mg)は、MAI 127mg、MABr 22mg、及びI2 508mgを混合することによって得られる試薬AB−nB2(A=MA;B=I、Br;n≧1)に加えられ、この混合物は12時間撹拌される。次いで混合物は、シリンジフィルタ(PTFE、細孔径0.45μm)を使用してろ過され、ガラス基板上の50nm厚の金属鉛上にスピンコートされる。スピンコーティング処理の後、基板は、イソプロパノール浴に浸漬させ、取り出し、乾燥させる。結果として、ペロブスカイト層MAPbIxBr3−xがガラス基板上に形成される。
試薬AB−nB2(A=MA、FA;B=I、Br;n≧1)はFAI(137mg)、MABr(22mg)及びI2(508mg)を混合することによって得られ、次にそれはガラス基板上の250nm厚の金属鉛上にスピンコートされる。試料ホルダーの回転が終わるちょうど15秒前に、イソプロピルアルコール100μlが試料の表面上に滴下される。結果として、ペロブスカイト層MAxFA1−xPbI3yBr3−3y(0≦x≦1;0≦y≦1)がガラス基板上に形成される。
固体粉末の形態の結晶性ヨウ素1016mg(4mmol)は、室温で、固体粉末の形態の結晶性MAI 318mg(2mmol)に加えられる。その後、混合物は、室温で3分間撹拌され、MAI−2I2の組成をもつ暗褐色液体の形成がもたらされる。調製後、組成物は、その特性を室温で少なくとも1カ月保持する。
固体粉末の形態の結晶性ヨウ素1270mg(5mmol)は、室温で、固体粉末の形態の結晶性MAI 318mg(2mmol)に加えられる。その後、混合物は、40℃で3分間撹拌され、室温まで冷却され、MAI−2.5I2の組成をもつ暗褐色液体の形成がもたらされる。調製後、組成物は、その特性を室温で少なくとも1カ月保持する。
固体粉末の形態の結晶性ヨウ素2540mg(10mmol)は、密閉したバイアル中で120℃まで加熱され、それはヨウ素溶解を引き起こす。次いで、固体粉末の形態の結晶性MAI 318mg(2mmol)が、バイアルに加えられる。その後、混合物は、3分間撹拌され、70℃まで冷却され、MAI−5I2の組成をもつ暗褐色液体の形成がもたらされる。調製後、組成物は、その特性を70℃で少なくとも1カ月保持する。
Claims (10)
- ペロブスカイト構造及び化学式ADB3(式中、Aは、カチオンCH3NH3 +、(NH2)2CH+、C(NH2)3 +、Cs+及びその混合物から選択され、Bは、アニオンCl−、Br−、I−またはその混合物から選択され、Dは、元素Sn、Pb、Biまたはその混合物から選択される)を有する光吸収材料を生成するための方法が、組成物AB−nB2と成分Dとを混合させることであって、Dを含有する成分は、元素Sn、Pb、Bi及び/またはそれらの塩、合金から選択され、Bは、Cl2、Br2、I2及びその混合物から選択され、組成物AB−nB2と成分Dとの混合のために、組成物AB−nI2(n≧1)を有する反応体を成分Dと接触させ、この反応体の過剰分が除去される、方法。
- 組成物AB−nB2とDを含有する試薬との混合が、成分A及びBを含有する混合物へのDの溶解と、その結果の熱処理によって行なわれる、請求項1に記載の方法。
- 組成物AB−nB2とDを含有する試薬との混合が、成分A及びBを含有する混合物へのDの溶解と、その結果の減圧によって行なわれる、請求項1または請求項2に記載の方法。
- 組成物AB−nB2と試薬Dとの混合が、成分A、B及びDを含有する混合物へのDの溶解と、その結果の熱処理によって行なわれる、請求項1に記載の方法。
- 組成物AB−nB2と試薬Dとの混合が、成分A、B及びDを含有する混合物へのDの溶解と、その結果の減圧によって行なわれる、請求項1または請求項4に記載の方法。
- 試薬AB−nB2とDを含有する試薬との混合が、Dを含有する試薬上へのAB−nB2の積層によって行なわれる、請求項1に記載の方法。
- AB−nB2とDを含有する試薬との積層が、スピンコーティング、スプレーコーティング、浸漬、ブレードコーティング、ドロップキャスティング、ロールツーロール積層、スクリーン印刷のいずれかの方法またはその組合せによって行なうことができる、請求項4に記載の方法。
- 組成物AB−nB2からの成分Bの過剰分が、溶媒での洗浄、基板の熱処理、減圧下での除去、吸着剤を使用した除去のいずれかの方法またはその組合せによって除去される、請求項1に記載の方法。
- A及びBを含む成分の混合に基づく有機−無機ペロブスカイトを得るための液体前駆体AB−nB 2 ならびにそれらとCs+イオンとの混合物の調製方法であって、Aは、カチオンCH3NH3 +、(NH2)2CH+、C(NH2)3 +またはその混合物の少なくとも1種であり、Bは、アニオンCl−、Br−、I−またはその混合物の少なくとも1種であり、AとBのモル比が、0〜150℃の温度範囲内で1:1〜1:5の範囲内で変化し、n≧1である、方法。
- 有機−無機ペロブスカイトを得るための液体前駆体AB−nB2ならびにそれらとCs+イオンとの混合物であって、n≧1であり、Aは、カチオンCH3NH3 +、(NH2)2CH+、C(NH2)3 +、またはその混合物の少なくとも1種であり、Bは、アニオンCl−、Br−、I−またはその混合物の少なくとも1種であり、ならびに、AとBのモル比が1:1〜1:5の範囲内で変化する、液体前駆体及び混合物。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2016152497 | 2016-12-29 | ||
RU2016152496A RU2646671C1 (ru) | 2016-12-29 | 2016-12-29 | Способ получения светопоглощающего материала со структурой перовскита |
RU2016152496 | 2016-12-29 | ||
RU2016152497A RU2648465C1 (ru) | 2016-12-29 | 2016-12-29 | Жидкая композиция полигалогенидов переменного состава |
PCT/RU2017/000946 WO2018124938A1 (en) | 2016-12-29 | 2017-12-18 | Methods for producing light-absorbing materials with perovskite structure and liquid polyhalides of variable composition for their implementation |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020506557A JP2020506557A (ja) | 2020-02-27 |
JP2020506557A5 JP2020506557A5 (ja) | 2021-02-04 |
JP6853382B2 true JP6853382B2 (ja) | 2021-03-31 |
Family
ID=61764072
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019556786A Active JP6853382B2 (ja) | 2016-12-29 | 2017-12-18 | ペロブスカイト構造を有する光吸収材料を生成するための方法、及びそれを実施するための可変組成の液体ポリハロゲン化物 |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11485748B2 (ja) |
EP (1) | EP3563435B1 (ja) |
JP (1) | JP6853382B2 (ja) |
KR (1) | KR102349097B1 (ja) |
CN (1) | CN110178240B (ja) |
AU (1) | AU2017387307B2 (ja) |
ES (1) | ES2919355T3 (ja) |
MY (1) | MY191821A (ja) |
PL (1) | PL3563435T3 (ja) |
SA (1) | SA519402019B1 (ja) |
WO (1) | WO2018124938A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2685296C1 (ru) * | 2017-12-25 | 2019-04-17 | АО "Красноярская ГЭС" | Способ получения пленки светопоглощающего материала с перовскитоподобной структурой |
CN109065723A (zh) * | 2018-07-13 | 2018-12-21 | 华中科技大学 | 一种基于添加剂提升太阳能电池开路电压的方法 |
RU2712151C1 (ru) | 2019-06-19 | 2020-01-24 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) | Способ получения полупроводниковой пленки на основе органо-неорганических комплексных галогенидов с перовскитоподобной структурой |
WO2022139632A1 (en) | 2020-12-23 | 2022-06-30 | Federal'noe Gosudarstvennoe Byudzhetnoe Obrazovatel'noe Uchrezhdenie Vysshego Obrazovaniya «Moskovskij Gosudarstvennyj Universitet Imeni M.V.Lomonosova» (Mgu) | Manufacturing of organic-inorganic complex halide films |
CN113241409B (zh) * | 2021-04-19 | 2023-03-24 | 陕西师范大学 | 钙钛矿太阳电池及制备方法 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7014825B2 (en) * | 1996-04-10 | 2006-03-21 | Catalytic Solutions, Inc. | Perovskite-type metal oxide compounds and methods of making and using thereof |
CN100335415C (zh) * | 2003-02-28 | 2007-09-05 | 新加坡纳米材料科技有限公司 | 一种制备各种晶态钙钛矿类化合物粉体的方法 |
TWI485154B (zh) * | 2013-05-09 | 2015-05-21 | Univ Nat Cheng Kung | 具鈣鈦礦結構吸光材料之有機混成太陽能電池及其製造方法 |
KR101966245B1 (ko) * | 2013-12-23 | 2019-04-08 | 한국화학연구원 | 무/유기 하이브리드 페로브스카이트 화합물 전구물질 |
KR101492022B1 (ko) * | 2014-03-11 | 2015-02-11 | 한국화학연구원 | 무/유기 하이브리드 페로브스카이트 화합물계 태양전지 |
KR101561284B1 (ko) * | 2014-04-17 | 2015-10-16 | 국립대학법인 울산과학기술대학교 산학협력단 | 페로브스카이트 구조 화합물, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 태양전지 |
EP3140873B1 (en) * | 2014-05-05 | 2021-08-25 | Okinawa Institute of Science and Technology School Corporation | System for fabricating perovskite film for solar cell applications |
EP2966703A1 (en) * | 2014-07-11 | 2016-01-13 | Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) | Template enhanced organic inorganic perovskite heterojunction photovoltaic device |
US9349967B2 (en) * | 2014-07-16 | 2016-05-24 | Industrial Technology Research Institute | Solar cell and method for manufacturing the same |
CN104250723B (zh) * | 2014-09-09 | 2017-02-15 | 许昌学院 | 一种基于铅单质薄膜原位大面积控制合成钙钛矿型CH3NH3PbI3薄膜材料的化学方法 |
GB201416042D0 (en) * | 2014-09-10 | 2014-10-22 | Oxford Photovoltaics Ltd | Hybrid Organic-Inorganic Perovskite Compounds |
CN105523580B (zh) * | 2014-09-28 | 2017-07-14 | 上海造孚新材料科技有限公司 | 一种钙钛矿型化合物的制备方法 |
CN104409641A (zh) * | 2014-11-07 | 2015-03-11 | 中国科学院青岛生物能源与过程研究所 | 一种提高有机-无机钙钛矿薄膜均匀性和结晶性的新方法 |
KR101856726B1 (ko) * | 2014-12-08 | 2018-05-10 | 주식회사 엘지화학 | 유무기 하이브리드 페로브스카이트 화합물, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 태양전지 |
CN105369232B (zh) * | 2015-02-16 | 2018-09-28 | 许昌学院 | 基于铅单质薄膜原位大面积控制合成钙钛矿型CH3NH3PbBr3薄膜材料的化学方法 |
US10005800B2 (en) * | 2015-03-12 | 2018-06-26 | Korea Research Institute Of Chemical Technology | Mixed metal halide perovskite compound and semiconductor device including the same |
WO2016187265A1 (en) * | 2015-05-19 | 2016-11-24 | Northwestern University | Dopant-free polymeric hole-transporting for perovskite solar cell |
KR102036207B1 (ko) * | 2015-06-12 | 2019-10-24 | 옥스퍼드 포토발테익스 리미티드 | 광기전 디바이스 |
WO2017087611A1 (en) * | 2015-11-20 | 2017-05-26 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Multi-layered perovskites, devices, and methods of making the same |
GB201520972D0 (en) * | 2015-11-27 | 2016-01-13 | Isis Innovation | Mixed cation perovskite |
IL245536A0 (en) * | 2016-05-08 | 2016-07-31 | Yeda Res & Dev | A process for preparing materials of halide perovskite and materials related to halide perovskite |
WO2018071890A1 (en) * | 2016-10-14 | 2018-04-19 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Oriented perovskite crystals and methods of making the same |
EP3679607A4 (en) * | 2017-09-06 | 2021-06-16 | Alliance for Sustainable Energy, LLC | ORGANIC-INORGANIC PEROVSKITE MATERIALS AND METHOD FOR THEIR PRODUCTION |
US11427757B2 (en) * | 2018-02-08 | 2022-08-30 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Perovskite materials and methods of making the same |
US20200377532A1 (en) * | 2019-05-30 | 2020-12-03 | Energy Materials Corporation | Perovskite solution for making a perovskite layer at high speed |
-
2017
- 2017-12-18 KR KR1020197018908A patent/KR102349097B1/ko active IP Right Grant
- 2017-12-18 US US16/475,017 patent/US11485748B2/en active Active
- 2017-12-18 PL PL17854217.1T patent/PL3563435T3/pl unknown
- 2017-12-18 AU AU2017387307A patent/AU2017387307B2/en not_active Ceased
- 2017-12-18 MY MYPI2019003733A patent/MY191821A/en unknown
- 2017-12-18 CN CN201780081640.1A patent/CN110178240B/zh active Active
- 2017-12-18 EP EP17854217.1A patent/EP3563435B1/en active Active
- 2017-12-18 JP JP2019556786A patent/JP6853382B2/ja active Active
- 2017-12-18 ES ES17854217T patent/ES2919355T3/es active Active
- 2017-12-18 WO PCT/RU2017/000946 patent/WO2018124938A1/en unknown
-
2019
- 2019-06-27 SA SA519402019A patent/SA519402019B1/ar unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110178240A (zh) | 2019-08-27 |
WO2018124938A1 (en) | 2018-07-05 |
KR102349097B1 (ko) | 2022-01-10 |
AU2017387307A1 (en) | 2019-07-11 |
CN110178240B (zh) | 2023-10-31 |
US20190345177A1 (en) | 2019-11-14 |
JP2020506557A (ja) | 2020-02-27 |
EP3563435B1 (en) | 2022-04-20 |
SA519402019B1 (ar) | 2022-04-22 |
ES2919355T3 (es) | 2022-07-26 |
KR20190089960A (ko) | 2019-07-31 |
US11485748B2 (en) | 2022-11-01 |
MY191821A (en) | 2022-07-18 |
EP3563435A1 (en) | 2019-11-06 |
AU2017387307B2 (en) | 2020-05-14 |
PL3563435T3 (pl) | 2022-07-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6853382B2 (ja) | ペロブスカイト構造を有する光吸収材料を生成するための方法、及びそれを実施するための可変組成の液体ポリハロゲン化物 | |
Huang et al. | From scalable solution fabrication of perovskite films towards commercialization of solar cells | |
CA3072159C (en) | Method for synthesis of films made of light-absorbing material with perovskite-like structure | |
JP7417792B2 (ja) | ペロブスカイト様構造を有する光吸収フィルムを製造するための方法 | |
JP2022541992A (ja) | ペロブスカイト様構造を有する有機-無機金属-ハロゲン化物化合物の半導体膜の生産方法 | |
JP2020506557A5 (ja) | ||
Chen et al. | Understanding the effect of antisolvent on processing window and efficiency for large-area flexible perovskite solar cells | |
US20130323878A1 (en) | Liquid precursor inks for deposition of in-se, ga-se and in-ga-se | |
RU2646671C1 (ru) | Способ получения светопоглощающего материала со структурой перовскита | |
US20190330248A1 (en) | Organic or inorganic metal halide perovskites via cation exchange | |
RU2708365C1 (ru) | Способ получения тонкопленочных структур галогенидных полупроводников (варианты) | |
CN114373869A (zh) | 全绿色溶剂制备有机-无机杂化钙钛矿薄膜的方法及应用 | |
Unger et al. | Solution-processed Solar Cells: Perovskite Solar Cells | |
KR101116705B1 (ko) | Cigs 박막의 용액상 제조방법 및 이에 의해 제조된 cigs 박막 | |
JP6322308B2 (ja) | 溶液とその製造方法、混合粉体、及び、金属化合物薄膜とその製造方法 | |
CN115353876A (zh) | 一种增强钙钛矿太阳能电池热稳定性的方法 | |
ORGANO et al. | B. Abdulkareem', A. U Alhaji “, M. Mokoyo", S. Nurudeen “, A. Farhana", O. Samuel | |
CN116528637A (zh) | 一种可大面积制备FAxCs1-xPbX3高质量钙钛矿薄膜的方法 | |
SI24129A (sl) | Postopek priprave tanke plasti Pt katalizatorja pri nizkih temperaturah |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191011 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200820 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200908 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20201208 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20201215 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210216 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210311 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6853382 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |