KR101116705B1 - Cigs 박막의 용액상 제조방법 및 이에 의해 제조된 cigs 박막 - Google Patents
Cigs 박막의 용액상 제조방법 및 이에 의해 제조된 cigs 박막 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101116705B1 KR101116705B1 KR1020100097439A KR20100097439A KR101116705B1 KR 101116705 B1 KR101116705 B1 KR 101116705B1 KR 1020100097439 A KR1020100097439 A KR 1020100097439A KR 20100097439 A KR20100097439 A KR 20100097439A KR 101116705 B1 KR101116705 B1 KR 101116705B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- solution
- thin film
- precursor
- cigs thin
- substrate
- Prior art date
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 94
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 67
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 63
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims abstract description 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 36
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 239000012691 Cu precursor Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 115
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical group OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 57
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 53
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 53
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 45
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 24
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 21
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 15
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 claims description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 14
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 12
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 10
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 7
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 claims description 5
- -1 alkali metal salt Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 abstract 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 22
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 17
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 238000000224 chemical solution deposition Methods 0.000 description 2
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical group [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 238000000550 scanning electron microscopy energy dispersive X-ray spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021617 Indium monochloride Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M chlorogallium Chemical compound [Ga]Cl XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N copper(II) nitrate Chemical compound [Cu+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M indium(1+);chloride Chemical compound [In]Cl APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
Description
도 2는 용매로서 에틸렌글리콜을 사용하고, 200℃, 220℃, 230℃, 250℃에서 건조하면서 건조한 박막을 질소 분위기 하 400℃에서 어닐링 전/후의 결과를 나타낸 XRD 패턴이다.
도 3은 용매로서 프로필렌글리콜을 사용하고, 220℃에서 건조하면서 형성한 박막을 질소 분위기 하 400℃에서 어닐링 후의 결과를 나타낸 XRD 패턴이다.
도 4는 용매로서 에틸렌글리콜을 사용하고, 200℃에서 건조하면서 형성한 박막을 질소 분위기 하 400℃, 500℃, 600℃에서 어닐링 후의 결과를 나타낸 XRD 패턴이다.
도 5는 용매, 건조온도 및 질소 분위기 하 400℃에서 어닐링에 따른 인듐과 갈륨의 조성을 나타낸 그래프이다.
단계 |
실험 조건 | ||||
용액 종류 | 회전수 | 용액 농도 | 온도 | 시간 | |
S1 | 용액 A 코팅 | 2000 rpm | 0.09 M Cu(NO3)2 0.07 M In(NO3)3 0.03 M Ga(NO3)3 |
- | - |
S2 | 반응 | - | 200℃ | 1분 | |
S3 | 용액 B 코팅 | 2000 rpm | 0.2 M Na2Se | - | - |
S4 | 반응 | - | 200℃ | 1분 | |
S5 | 세척 및 건조 | - | 용매 사용 | 200℃ |
시료 | 원소 함량 (at%) | |||
Cu | In | Ga | Se | |
비교예 1에 의해 형성된 박막 | 47.54 | 0.27 | 0.0 | 22.93 |
단계 |
실험 조건 | ||||
용액 종류 | 회전수 | 용액 농도 | 온도 | 시간 | |
S1 | 용액 A 코팅 | 2000 rpm | 0.09 M Cu(NO3)2 | - | - |
S2 | 반응 | - | 200℃ | 5분 | |
S3 | 용액 B 코팅 | 2000 rpm | 0.07 M In(NO3)2 0.03 M Ga(NO3)2 0.2 M Na2Se |
- | - |
S4 | 반응 | - | 200℃ | 5분 | |
S5 | 세척 및 건조 | - | 용매 사용 | 200℃ |
Claims (15)
- CIGS 박막의 용액상 제조방법으로서,
(S1) 구리 전구체를 점성의 다가 알코올계 용매에 용해시켜 형성된 용액 A를 기판에 도포하는 단계;
(S2) 상기 용액 A가 코팅된 기판을 200℃~250℃의 온도에서 1분 이상 건조하는 단계;
(S3) 상기 용매에 인듐 전구체, 갈륨 전구체 및 셀레늄 전구체 각각을 용해시켜 형성된 용액의 혼합물인 혼합 용액 B를 상기 용액 A가 코팅된 기판에 도포하는 단계;
(S4) 상기 (S3) 단계에서 얻은 기판을 200℃~250℃의 온도에서 1분 이상 건조하는 단계; 및
(S5) 기판 표면을 세척하고 건조하는 단계
를 포함하고, (S1)~(S5) 단계를 1주기로 하여 1회 이상 반복한 후 생성된 박막을 어닐링 처리하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 용액상 제조방법. - CIGS 박막의 용액상 제조방법으로서,
(S1) 인듐 전구체, 갈륨 전구체 및 셀레늄 전구체 각각을 점성의 다가 알코올계 용매에 용해시켜 형성된 용액의 혼합물인 혼합 용액 B를 기판에 도포하는 단계;
(S2) 상기 용액 B가 코팅된 기판을 200℃~250℃의 온도에서 1분 이상 건조하는 단계;
(S3) 구리 전구체를 상기 용매에 용해시켜 형성된 용액 A를 상기 용액 B가 코팅된 기판에 도포하는 단계;
(S4) 상기 (S3) 단계에서 얻은 기판을 200℃~250℃의 온도에서 1분 이상 건조하는 단계; 및
(S5) 기판 표면을 세척하고 건조하는 단계
를 포함하고, (S1)~(S5) 단계를 1주기로 하여 1회 이상 반복한 후 생성된 박막을 어닐링 처리하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 용액상 제조방법. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 (S2) 단계와 (S3) 단계 사이에,
기판 표면을 세척 및 건조하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 용액상 제조방법. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 점성의 다가 알코올계 용매는 에틸렌글리콜 또는 프로필렌글리콜인 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 용액상 제조방법. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 (S1) 및 (S3) 단계에서 용액을 도포하는 방식은, 스핀 코팅법을 사용하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 용액상 제조방법. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 점성의 다가 알코올계 용매가 프로필렌글리콜이고,
상기 (S2) 및 (S4) 단계는 220℃ 이상 230℃ 미만의 온도에서 1 내지 5분 동안 건조하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 용액상 제조방법. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 점성의 다가 알코올계 용매가 에틸렌글리콜이고,
상기 (S2) 및 (S4) 단계는 200℃~220℃의 온도에서 1 내지 5분 동안 건조하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 용액상 제조방법. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 용액 A는 0.09 M의 구리 전구체 용액이고,
상기 혼합 용액 B는 0.07 M의 인듐 전구체 용액, 0.03 M의 갈륨 전구체 용액 및 0.2M의 셀레늄 전구체 용액의 혼합물인 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 용액상 제조방법. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
생성된 CIGS 박막을 어닐링 처리하는 방식은, 비활성 기체 분위기 하에서 350~450℃에서 2시간 유지하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 용액상 제조방법. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
생성된 CIGS 박막을 어닐링 처리하는 방식은, 질소 분위기 하에서 400℃에서 2시간 유지하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 용액상 제조방법. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
생성된 CIGS 박막을 어닐링 처리하는 방식은, 500-550℃에서 급속 열적 어닐링(RTA)을 사용하여 3분 내지 5분간 처리하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 용액상 제조방법. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 구리 전구체는 Cu(NO3)3이고,
상기 인듐 전구체는 In(NO3)3이고,
상기 갈륨 전구체는 Ga(NO3)3인 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 용액상 제조방법. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 셀레늄 전구체는 셀레늄 원소의 알칼리금속염인 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 용액상 제조방법. - 제13항에 있어서,
상기 셀레늄 전구체는 Na2Se인 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 용액상 제조방법. - 구리 전구체를 점성의 다가 알코올계 용매에 용해시켜 형성된 용액 A를 기판에 도포하고 200℃~250℃의 온도에서 1분 내지 10분 동안 건조하는 과정과,
상기 용매에 인듐 전구체, 갈륨 전구체 및 셀레늄 전구체 각각을 용해시켜 형성된 용액의 혼합물인 혼합 용액 B를 기판에 도포하고 200℃~250℃의 온도에서 1분 내지 10분 동안 건조하는 과정을 교대로 수행한 후 기판 표면을 세척하고 건조하는 과정을 1회 이상 반복한 후 어닐링 처리하여 제조된 CIGS 박막.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100097439A KR101116705B1 (ko) | 2010-10-06 | 2010-10-06 | Cigs 박막의 용액상 제조방법 및 이에 의해 제조된 cigs 박막 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100097439A KR101116705B1 (ko) | 2010-10-06 | 2010-10-06 | Cigs 박막의 용액상 제조방법 및 이에 의해 제조된 cigs 박막 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR101116705B1 true KR101116705B1 (ko) | 2012-03-13 |
Family
ID=46141146
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020100097439A KR101116705B1 (ko) | 2010-10-06 | 2010-10-06 | Cigs 박막의 용액상 제조방법 및 이에 의해 제조된 cigs 박막 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101116705B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101389017B1 (ko) | 2012-10-12 | 2014-04-28 | 재단법인대구경북과학기술원 | Cigs 광흡수층 제조 방법 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20080109240A (ko) * | 2007-06-12 | 2008-12-17 | 경북대학교 산학협력단 | 태양전지용 황화구리인듐 흡수층 및 그의 제조 방법 |
KR20100016544A (ko) * | 2007-04-18 | 2010-02-12 | 나노코 테크놀로지스 리미티드 | 멀티층을 기본으로 전기적인 활성 박막을 제조 |
JP2010129658A (ja) | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Kyocera Corp | 化合物半導体薄膜の製法および薄膜太陽電池の製法 |
KR20100099753A (ko) * | 2007-12-29 | 2010-09-13 | 상하이 인스티튜트 오브 세라믹스 차이니즈 아카데미 오브 사이언시즈 | 구리-인듐-갈륨-황-셀레늄 박막 태양전지의 광 흡수층의 제조 방법 |
-
2010
- 2010-10-06 KR KR1020100097439A patent/KR101116705B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20100016544A (ko) * | 2007-04-18 | 2010-02-12 | 나노코 테크놀로지스 리미티드 | 멀티층을 기본으로 전기적인 활성 박막을 제조 |
KR20080109240A (ko) * | 2007-06-12 | 2008-12-17 | 경북대학교 산학협력단 | 태양전지용 황화구리인듐 흡수층 및 그의 제조 방법 |
KR20100099753A (ko) * | 2007-12-29 | 2010-09-13 | 상하이 인스티튜트 오브 세라믹스 차이니즈 아카데미 오브 사이언시즈 | 구리-인듐-갈륨-황-셀레늄 박막 태양전지의 광 흡수층의 제조 방법 |
JP2010129658A (ja) | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Kyocera Corp | 化合物半導体薄膜の製法および薄膜太陽電池の製法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101389017B1 (ko) | 2012-10-12 | 2014-04-28 | 재단법인대구경북과학기술원 | Cigs 광흡수층 제조 방법 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Zeng et al. | Controlling the crystallization dynamics of photovoltaic perovskite layers on larger-area coatings | |
KR100789064B1 (ko) | 금속유기물증착법에 의한 CuInS2 박막의 제조방법,그로 제조된 CuInS2 박막 및 그를 이용한 In2S3박막의 제조방법 | |
CN111051560B (zh) | 生产具有钙钛矿状结构的吸光材料的膜的方法 | |
WO2011014245A2 (en) | Method for fabricating copper-containing ternary and quaternary chalcogenide thin films | |
CN108539025B (zh) | 一种由基底调控的高取向性二维杂化钙钛矿薄膜及其制备方法 | |
KR20120004352A (ko) | Cigs박막의 제조방법 | |
CN112331557A (zh) | 一种无机无铅双钙钛矿薄膜、太阳能电池及其制备方法 | |
CN111697142A (zh) | 一种有机无机杂化钙钛矿薄膜的制备方法 | |
CN111403511A (zh) | 铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池及其制备方法 | |
KR101115389B1 (ko) | Ⅱ?ⅵ족 화합물 반도체 박막의 용액상 제조방법 및 이에 의해 제조된 ⅱ?ⅵ족 화합물 반도체 박막 | |
KR101116705B1 (ko) | Cigs 박막의 용액상 제조방법 및 이에 의해 제조된 cigs 박막 | |
CN109065738B (zh) | 原位合成高结晶度铜掺杂钙钛矿薄膜的方法 | |
CN116600615A (zh) | 一种钙钛矿薄膜制备方法及太阳能电池器件应用 | |
Contreras-Ruiz et al. | Band gap tuning of Cu (In, Ga) Se 2 thin films by electrodeposition and their subsequent selenization using a rapid thermal annealing system | |
US10734582B1 (en) | High-speed hybrid perovskite processing | |
Liang et al. | Enhanced crystallinity and performance of CH3NH3PbI3 thin film prepared by controlling hot CH3NH3I solution onto evaporated PbI2 nanocrystal | |
KR101093831B1 (ko) | 스핀 스프레이법을 이용한 태양전지용 CuInS2 박막의 제조방법 | |
Choi et al. | Towards scalability: progress in metal oxide charge transport layers for large-area perovskite solar cells | |
KR101450426B1 (ko) | 칼코겐화물 흡수층용 나트륨 도핑 용액 및 이를 이용한 박막태양전지 제조방법 | |
Hao et al. | Fundamentals and Synthesis Methods of Metal Halide Perovskite Thin Films | |
KR101311384B1 (ko) | 태양광 흡수층의 제조를 위한 무기박막의 제조 방법 | |
KR102132803B1 (ko) | 고속 결정화가 가능한 할로겐화물 페로브스카이트 박막 및 이의 제조방법 | |
CN117580424A (zh) | 一种高效且稳定的甲脒基钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | |
Kumar et al. | Processing methods towards scalable fabrication of perovskite solar cells: A brief review. | |
CN117337117A (zh) | 一种FAPbI3钙钛矿薄膜及其太阳能电池的制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150205 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160203 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170102 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180205 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181211 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191210 Year of fee payment: 9 |