JP5027771B2 - モリブデン酸化物薄膜の製造方法及び化学センサ - Google Patents
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アルゴンガス雰囲気下、酸化モリブデン(MoO3)1gを蒸留水に縣濁し、還元性を有する金属化合物として、亜ジチオン酸ナトリウム(Na2S2O4)0.4g及びモリブデン酸ナトリウム(Na2MoO4・2H2O)12gを添加して撹拌した。そして得られた反応物を分離し、洗浄、乾燥することによって、酸化モリブデンの層間にNaイオンが挿入された[Na(H2O)5]xMoO3を0.4g得た。
実施例1と同様にしてモリブデン酸化物薄膜を作製した。そしてこのモリブデン酸化物薄膜を形成した基板を、400℃、600℃の温度でそれぞれ1時間加熱した。
実施例1において、酸化モリブデンが分散して透明となった分散液に、アクリル粒子(綜研化学株式会社製「MP4009」;分解温度80℃、粒径0.6μmφ)を水に対して1.6質量%となるように添加し、30分間超音波振動処理して液中に分散させた。
実施例3と同様にして、酸化モリブデンが分散して透明となった分散液に、アクリル粒子(綜研化学株式会社製「MP4009」)を分散させた。
熱酸化膜付Si基板の表面に、LaAlO3ゾル溶液をスピンコートして1100℃で1時間焼成することでLaAlO3バッファー層を形成した後、電極間隔20μmの白金櫛形電極を形成した。これをセンサ素子の基板として用いた。
Claims (6)
- 基板の表面にモリブデン酸化物の薄膜を形成する製造方法であって、酸化モリブデンを還元性を有する金属化合物で処理する工程と、この処理をした酸化モリブデンを有機基を有するカチオンで処理して酸化モリブデンを分散する工程と、分散した酸化モリブデンを含有する液に基板を浸漬するとともに電界を印加して基板の表面にモリブデン酸化物を吸着させる工程と、を有することを特徴とするモリブデン酸化物薄膜の製造方法。
- モリブデン酸化物を吸着させた基板を300〜550℃で加熱する工程を有することを特徴とする請求項1に記載のモリブデン酸化物薄膜の製造方法。
- 分散した酸化モリブデンを有する液に分解温度が500℃以下の粒子を含有させ、モリブデン酸化物を吸着させた基板をこの粒子の分解温度以上で加熱する工程を有することを特徴とする請求項1に記載のモリブデン酸化物薄膜の製造方法。
- 分散した酸化モリブデンを有する液に粒子を含有させ、モリブデン酸化物を吸着させた基板をこの粒子が可溶の溶剤で処理する工程を有することを特徴とする請求項1に記載のモリブデン酸化物薄膜の製造方法。
- 上記の有機基を有するカチオンが、テトラブチルアンモニウムイオンであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のモリブデン酸化物薄膜の製造方法。
- 請求項1乃至5のいずれか1項に記載の方法で得られたモリブデン酸化物薄膜を用いて形成したことを特徴とする化学センサ。
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