DE3002166A1 - Verfahren zur herstellung von gedruckten schaltungsplatten - Google Patents

Verfahren zur herstellung von gedruckten schaltungsplatten

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Description

RICHARDSON CHEMICAL COMP. Case: 79"!208
BESCHREIBUNG
Die Erfindung betrifft ganz allgemein die Behandlung von Metallsubstraten mit dem Zweck, sie für die anschließende stromlose Abscheidung von Metallen katalytisch zu machen und die besonders gut geeignet ist für die stromlose Abscheidung von Nickel, Kobalt oder Nickel und/oder Kobalt enthaltenden Polylegierungen auf Kupfer, das in Form eines elektronischen Schaltungsmusters zuvor auf ein nichtleitendes Substrat aufgebracht worden ist. Einer besonders bevorzugten Ausführungsform zufolge betrifft die Erfindung die Herstellung von gedruckten Schaltungsplatten oder Schaltkreisplatten, die weniger zur Ausbildung von Kurzschlüssen neigen als die Schaltungsplatten, die ohne die Verwendung solcher katalytischer Lösungen hergestellt worden sind.
Kupferplattierte Schaltungen neigen dazu, zu oxidieren, so daß es äußerst erwünscht ist, das Kupfer mit einem dauerhafteren Metall überzuplattieren oder zu bedecken, um in dieser Weise die Korrosionsbeständigkeit, die . Verschleißfestigkeit ober Abriebfestigkeit und die Lötbarkeit oder Verbindbarkeit mit Aluminiumdraht oder Golddraht unter Ultraschalleinwirkung oder dergleichen zu verbessern und gleichzeitig eine angemessene Leitfähigkeit aufrechtzuerhalten, oder diese zu verbessern. Vorbekannte·Verfahrensmaßnahmen zur Ausbildung von überplattierungen schließen galvanische Methoden ein, bei denen es erforderlich ist, jeden einzelnen Schaltkreis der Schaltungsplatte elektrisch mit einer Stromquelle zu verbinden. Während die stromlose überplattierung diese wenig effizienten Handhabungen nicht notwendig macht und andere Nachteile der galvanischen Abscheidung
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vermeidet, wie die Ungleichmäßigkeit der überzüge,in Bereichen der Platte, die von der Stromquelle relativ weit entfernt sind, und freiliegendes Kupfer an den Verbindungsstellen der Elektrode, hat es sich gezeigt, daß diese stromlos aufgebrachten überplattierungen nicht gut an Kupfer oder Kupferlegierungen anhaften.
Wenn die Kupferschaltung einer gedruckten Verdrahtungsplatte oder einer gedruckten Schaltungsplatte mit einer Nickel-Phosphor- oder einer Nickel-Bor-Abscheidung überplattiert oder beschichtet wird, hat es sich im allgemeinen als günstig erwiesen, die kupferbeschichteten Platten in ein Aktivatorbad einzutauchen, ohne sie später zu spülen, um die kupferbeschichtete Platte mit einem schwach alkalischen Überzug zu versehen, bevor das überplattieren mit Nickel in einem schwach sauren Bad für die stromlose Vernickelung durchgeführt wird. Die für diesen Zweck bekannten Aktivatoren schließen ein Bad ein, das Dimethylamin-Boran als Aktivator für die Reduktion von Nickel auf dem Kupfer enthält. Ein wesentlicher Nachteil dieser Verfahrensweise ist darin zu sehen, daß die gesamte Plattenoberfläche, einschließlich der isolierenden Bereiche, aktiviert wird, so daß die Reduktion des Nickels auch bezüglich jener Bereiche der Platte aktiviert wird, die nicht das Schaltungsmuster für die Stromleitung aufweisen, was zur Folge hat, daß sich Kurzschlüsse oder Brücken ergeben, insbesondere, wenn die isolierenden Bereiche Metallflecken aufweisen, die als Ausgangsstellen für die Plattierung wirken und Brücken zwischen den Flecken und zwischen den Flecken und den Bereichen der Schaltung bilden.
Es wird angenommen, daß ein wesentlicher Grund für die unerwünschte Plattierung der Nichtschaltungs-Bereiche in der Tatsache zu sehen ist, daß es nicht möglich ist,
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die Platte nach der Behandlung mit solchen Aktivatoren zu spülen, was überwiegend darauf beruht, daß eine solche Spülmaßnahme im wesentlichen die Gesamtmenge des Aktivators wieder entfernen würde, bevor dieser seine Wirkung zur Förderung der anschließenden galvanischen Abscheidung ausüben könnte. Häufig sind in die Oberfläche der Platte Kupferflecken eingebettet, die nicht mit dem menschlichen Auge festgestellt werden können. Solche Flecken, die zum Zeitpunkt der Uberplattierung mit Nickel oder ähnlichen Metallen in der Platte noch vorhanden sind, wirken als Ausgangspunkte für die stromlose Metallabscheidung in Bereichen, die nicht in dem Schaltungsmuster liegen und die gegebenenfalls zu Kurzschlüssen in der Schaltung führen können.
Ein weiterer Versuch, zur Verbesserung der stromlosen Uberplattierung von kupferbeschichteten Schaltungsplatten mit Nickel oder dergleichen schließt die Anwendung von Bädern ein, die Materialien enthalten, die im allgemeinen als Katalysatoren bekannt sind und die dazu dienen, die Kupferoberfläche für die stromlose Abscheidung von Metallen besser aufnahmefähig zu machen. Ein bekannter Katalysator ist ein Palladiumchlorid-Tauchbad, das trotz einer wirksamen Katalyse des Kupfers den Nachteil zeigt, daß die Haftung zwischen dem Kupfer und dem anschließend stromlos abgeschiedenen Metall schlecht ist, was zur Folge hat, daß dann, wenn die in dieser Weise hergestellten Schaltungen scharfen mechanischen Handhabungen oder Wärmeschocks unterworfen werden, wie dem während des Tauchlötens, die leitende Schicht dazu neigt, sich von der nichtleitenden Unterlage abzulösen, Risse zu bilden in dieser Weise die Schaltung zu unterbrechen. Nähere Einzelheiten bezüglich der verwendeten Katalysatoren finden sich in den US-Patentschriften 3 226 256 und 3 431 120.
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Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht nun darin, ein Verfahren und ein Bad zur Verbesserung der stromlosen Abscheidung von Metallen auf Kupfer, Kupferlegierungen oder dergleichen zu schaffen, mit dem es gelingt, eine verbesserte Haftung der stromlos abgeschiedenen Metalle zu erreichen, die Neigung zur Bildung von Überbrückungen oder Kurzschlüssen zu verringern und die Verfahrensweise zu vereinfachen.
Es wurde nunmehr gefunden, daß bestimmte Materialien wirksame Katalysatoren zur Förderung der Haftung von Nickel, Kobalt oder Polylegierungen aus Nickel und/oder Kobalt an Kupferoberflächen, insbesondere jenen Kupferoberflächen, die auf gedruckten Verdrahtungsplatten vorliegen, die für die Herstellung von gedruckten Schaltungen verwendet werden, darstellen und es gleichzeitig ermöglichen, durch einen SpülVorgang die überplattierung oder Abscheidung einer Deckschicht lediglich auf die Metall tragenden Bereiche der Schaltungsplatte zu beschränken und auf den Bereichen, in denen Metall in der Platte eingebettet ist, zu verhindern.
Gegenstand der Erfindung ist daher das Verfahren und das Bad gemäß den Patentansprüchen.
Die erfindungsgemäße Lehre besteht im wesentlichen darin, daß man katalysierende Mittel oder Zubereitungen verwendet, die Nickel oder Kobalt und eine Quelle für ein zweites, inhibierendes Metall, wie Zinn, Molybdän, Kupfer oder Wolfram, und ein Reduktionsmittel enthalten. Diese katalysierenden Zubereitungen können auf eine Kupferoberfläche aufgetragen und gespült werden, wodurch sich eine katalytische Schicht oder ein katalytischer Film bildet, der die stromlose überplattierung unter Verwendung eines Bades,
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aus dem Nickel oder Kobalt entweder allein oder in Kombination mit anderen Metallen abgeschieden werden, auf dem Schaltungsmuster fördert, jedoch das überplattieren auf jenen Bereichen der Platte, die nicht innerhalb des Schaltungsmusters liegen, erschwert oder verhindert.
Die Erfindung sei im folgenden näher unter Bezugnahme auf die Zeichnung und die nachfolgenden Beispiele erläutert:
In der Zeichnung zeigt die einzige Figur eine schematische Ansicht des Ablaufs des erfindungsgemäßen Verfahrens und verdeutlicht die Produkte bei verschiedenen Herstellungsstufen.
Die erfindungsgemäß verwendeten Katalysatoren sind im allgemeinen polymetallische Formulierungen oder Zubereitungen von die Abscheidung förderndem Nickel- und/ oder Kobaltmetall und von zweiten, sekundären oder inhibierenden Metallen, wie Zinn, Molybdän, Kupfer und Wolfram. Als solche sind diese Katalysatoren mit den Formulierungen für die stromlose Abscheidung von PoIylegierungen verwandt, die in der US-PS 4 019 910 beschrieben sind, auf die hiermit ausdrücklich Bezug genommen sei. Typischerweise werden diese Formulierungen in einem wäßrigen Bad verwendet, das zusätzlich ein Reduktionsmittel für stromlose Abscheidungsbäder enthält.
Diese Metalle können in Form von löslichen Salzen, halblöslichen Salzen, Estern oder in irgendeiner anderen Form, die für stromlose Systeme geeignet ist, zugegeben werden. Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird dem System als drittes Metall Bor in Form eines borhaltigen Reduktionsmittels zugesetzt.
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Die geeigneten Salze von Nickel oder Kobalt schließen die Sulfate, Chloride, Sulfamate oder Salze mit anderen Anionen ein, die mit diesen stromlosen Systemen verträglich sind. Diese gleichen Anionen ergeben im allgemeinen auch eine annehmbare Quelle für Salze der zweiten oder sekundären Metalle, wie beispielsweise Zinn(II)-chlorid, Zinn(II)-fluoroborat, Natriumstannat, Kupfer(I)-chlorid, Kupfer(I)-sulfat und Kupfer(II)-salze, wenngleich es bevorzugt ist, diese zweiten oder sekundären Metalle in Form von Esterkomplexen mehrwertiger Verbindungen einzusetzen, die man in üblicher Weise durch Umsetzen mit einer Sauerstoffsäure und einer mehrwertigen Säure oder einem mehrwertigen Alkohol erhält. Diese Sauerstoffsäuren sind im allgemeinen anorganische Säuren des betreffenden Metallkations, beispielsweise Wolframsäure, Molybdänsäure oder Borsäure. Beispiele für mehrwertige Säuren oder mehrwertige Alkohole, die man hierfür verwenden kann, sind Carbonsäuren oder Alkohole, die pro Molekül mindestens zwei Hydroxylgruppen und etwa 4 bis etwa 15 Kohlenstoffatome aufweisen. Typische mehrwertige Verbindungen dieser Art sind Säuren, wie Weinsäure, Glukonsäure oder Glukoheptonsäure, oder Alkohole, wie Mannit, 2,3-Butandiol oder 1,2,3-Propantriol. Von diesen verschiedenen mehrwertigen Verbindungen sind die Carbonsäuren im allgemeinen bevorzugt, wobei Glukoheptonsäure besonders bevorzugt ist. Die Esterkomplexe können und liegen in gewissen Fällen vorzugsweise in Form eines Polyesters vor, das heißt in Form eines Esterkomplexes, den man durch Umsetzen von zwei oder mehr Molen der Sauerstoffsäure mit einem Mol der mehrwertigen Verbindung erhält.
Esterkomplexe dieser allgemeinen Art bilden sich, und es wird im allgemeinen angenommen, daß sie in wäßriger Lösung in Form einer im Gleichgewicht vorliegenden
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Komplexmischung existieren, in der das Kation der Sauerstoffsäure eine oder mehrere Esterbindungen entweder mit den Hydroxylgruppen der mehrwertigen Verbindung oder mit einer Hydroxylgruppe und einer Carbonsäuregruppe bildet, wenn die mehrwertige Verbindung eine Säure, beispielsweise Glukoheptonsäure, ist. Es hat sich gezeigt, daß solche Esterkomplexe bei der Verwendung in den die katalysierende Zubereitung enthaltenden Bädern ziemlich stabil sind.
Die die Katalysatorzubereitungen enthaltenden erfindungsgemäßen Bäder enthalten im allgemeinen ein Reduktionsmittel für die in dem Bad enthaltenen Kationen. Wenngleich man Reduktionsmittel, wie Hydrazin, verwenden kann, hat es sich als am vorteilhaftesten erwiesen, wenn man als Reduktionsmittel eine Borverbindung verwendet, so daß dem System Borkationen zugeführt werden, die zusammen mit Nickel oder Kobalt und dem zweiten Metall die Ausbildung der katalysierenden Schicht unterstützen. Hierzu kann man verschiedenartige borhaltige Verbindungen verwenden, wobei man vorzugsweise solche einsetzt, die in den Bädern für die stromlose Abscheidung von Nickel oder Kobalt als Reduktionsmittel wirken. Typische Beispiele hierfür sind Borhydride, Amin-Borane oder niedrigalkylsubstituierte Amin-Borane, wie Dimethylamin- oder Diäthylamin-Boran. Im allgemeinen sind von den verschiedenen einzusetzenden Borverbindungen die Alkylamin-Borane, insbesondere Dimethylamin-Boran, bevorzugt.
Im allgemeinen besitzt das Bad, das die verschiedenen Bestandteile in Kombination mit Wasser enthält und ein katalysierendes Bad darstellt, einen alkalischen pH-Wert, wenngleich man auch schwach saure Bäder einsetzen kann. Typischerweise erstreckt sich der pH-Wert
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von 5,5 bis 13 und vorzugsweise von etwa 8 bis etwa Die Anwendungstemperaturen liegen von Raumtemperatur bis zu der Siedetemperatur des Bades, wobei sich ein typischer Temperaturbereich von etwa 20 bis etwa 100 0C erstreckt. Diese Bäder können im allgemeinen als Bäder für die stromlose Abscheidung oder Plattierung von PoIylegierungen verwendet werden, wobei ihre Katalysewirkung teilweise dadurch erreicht wird, daß man relativ niedrige Konzentrationen der wirksamen Bestandteile anwendet und daß man die Zeitdauer begrenzt, während der der mit dem Katalysator zu behandelnde Gegenstand in dem Bad verbleibt. Ganz allgemein können Bäder hergestellt werden, die die aktiven Wirkstoffe in Konzentrationen enthalten, die etwa einem Zehntel der Konzentration von Plattierungsbädern entsprechen. Die Zeitdauer ist so bemessen, daß der Katalysator einen überzug oder eine Schicht in einem solchen Ausmaß ausbildet, daß die Oberfläche mit "Keimen", typischerweise mit einer tertiären Polylegierung, versehen wird, wobei sich eine Schicht oder ein Film bildet, der nicht notwendigerweise mit dem bloßen Auge festgestellt werden kann, jedoch selbst nach dem Spülen des in das Bad eingetauchten Substrats als Katalysator wirkt. Im allgemeinen erfolgt das Eintauchen in das katalysierende Bad während etwa 10 bis 90 Sekunden und im allgemeinen während nicht mehr als 60 Sekunden bei etwa 0,00254 mm/h, 0 wobei die geeignete Zeitdauer und die Abscheidungsgeschwindigkeit von dem speziellen eingesetzten Katalysatorsystem, der Badtemperatur, dem pH-Wert des Bades und der Zusammensetzung des überzuplattierenden Materials abhängt.
Die mit Hilfe der erfindungsgemäßen Formulierungen bereiteten Plattierungsbäder können gewünschtenfalls die
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herkömmlichen Badadditive enthalten, die üblicherweise in Bädern für die stromlose Plattierung oder Abscheidung verwendet werden= Beispiele hierfür sind Badstabilisatoren, wie schwefelhaltige Verbindungen, wie Thioharnstoff, sowie Mittel zur Steuerung des pH-Wertes, wie Säuren oder Basen, Komplexierungsmittel für die in dem Bad gehaltenen Metallionen, wie Ä'thylendiamintetraessigsäure, Kaliumpyrophosphat oder Polyamine oder Mittel, mit denen Sulfidionen unter Kontrolle gehalten werden, wie Blei. Man kann auch Puffer zusetzen, um die pH-Stabilität des Bades zu verbessern.
Bei der Anwendung der erfindungsgemäßen Verfahrensweise wird ein Metallsubstrat, das normalerweise für die stromlose Abscheidung von Nickel oder Kobalt nicht geeignet ist, katalytisch gemacht, wodurch es gelingt, dieses Metallsubstrat stromlos mit Nickel oder Kobalt zu beschichten. Diese Verfahrensweise schließt nicht nur das Katalysieren oder Aktivieren der Oberfläche und die Verbesserung der Haftung des Nickels oder des Kobalts an dem überbeschichteten Metall ein, sondern ermöglicht auch das Spülen des Substrats nach dem Aufbringen des katalytischen Überzugs, um hierdurch die Qualität der gebildeten Produkte zu verbessern.
Im folgenden sei die erfindungsgemäße Verfahrensweise unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert, in der ganz allgemein das Katalysieren und überplattieren einer kupferbeschichteten Platte, die mit der Bezugsziffer 11 bezeichnet ist, beschrieben ist, die unter Anwendung herkömmlicher Plattierungstechniken in den plattierten Bereichen mit Kupfer in einer Menge von etwa 76,3 g/m2 (1/4 ounce per square foot) beschichtet worden ist. Nach diesen herkömmlichen Plattierungstechniken erhält man eine kupferbeschichtete Platte mit
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Hilfe eines Verfahrens, das darin besteht, Kupfer von einer Platte 12 in jenen Bereichen zu entfernen, die nicht innerhalb des Schaltungsmusters 13 liegen, was zur Folge hat, daß im allgemeinen Kupferflecken oder -teilchen 14 auf der Oberfläche der Platte 12, und häufig in diese Oberfläche eingebettet, vorliegen.
Die (nicht dargestellten) herkömmlichen Verfahrensweisen können das Versehen der Platte, beispielsweise einer Epoxy-Fiberglas-Platte, mit Kupfer umfassen, worauf Löcher 15 gebohrt werden können, wonach ein Abdecklack aufgetragen und Kupfer auf der Platte abgeschieden werden können. Die Kupferabscheidung kann stromlos erfolgen, wenngleich die Zeitdauer zur Ausbildung einer Abscheidung in ausreichender Dicke verkürzt werden kann, wenn man nach der stromlosen Kupferabscheidung eine galvanische Abscheidung von Kupfer durchführt. Dann entfernt man durch Ätzen, Abheben oder dergleichen das auf die Nichtschaltungsbereiche der Platte 12 abgeschiedene Kupfer, so daß ein isoliertes Schaltungsmuster auf der kupferbeschichteten Platte 11 zurückbleibt.
Die dann durchgeführte übliche Behandlung, die in der Zeichnung nicht dargestellt ist, kann das Reinigen der kupferbeschichteten Platte in einem schwach alkali-0 sehen Reinigungsbad während etwa 5 Minuten bei einer erhöhten Temperatur einschließen, bei der die oberflächenaktiven Mittel in dem Bad nicht geschädigt werden. Nach dem Spülen mit Wasser zur Entfernung restlichen mitgeschleppten Materials werden die Platten häufig entwe-5 der mechanisch gebürstet oder in ein Ätzmittel, wie eine Ammoniumpersulfatlösung mit einer Konzentration von etwa 120 g/l (1 pound per gallon) eingetaucht, um die Oberflächenoxide abzuätzen und das Kupfer für die -
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anschließende Abscheidung zu aktivieren, welche Maßnahmen üblicherweise von einem Spülvorgang mit Leitungswasser oder dergleichen gefolgt wird. Anschließend wird die kupferbeschichtete Platte üblicherweise in eine Säure eingetaucht, um sicherzustellen, daß restliche Materialien von der Oberfläche entfernt und das Kupfer reaktiviert werden. Zu diesem Zweck kann man ein Mineralsäurebad, wie eine 1Oprozentige Schwefelsäurelösung, oder ein trockenes saures Salz, wie Natriumbisulfat, verwenden, worauf man während etwa 1 Minute mit beispielsweise entionisiertem Wasser spült. Selbst wenn die kupferbeschichtete Platte 11 einer dieser Nachbehandlungen unterworfen wird, verbleiben die restlichen Flecken oder Teilchen von Kupfer außerhalb des Schaltungsmusters 13 auf dem Bereich 12 der Platte.
Die kupferbeschichtete Platte 11 wird mit dem erfindungsgemäßen Katalysator mit dem Ziel behandelt, auf ihrer Oberfläche eine katalysierende Schicht zu bilden, um, ganz allgemein, die Kupferoberfläche mit Keimen zu versehen, die in Form einer monomolekularen Schicht vorliegen können. Typischerweise umfaßt diese Behandlungsmaßnahme das Eintauchen der Platte 11 in ein Bad 16, das den erfindungsgemäß verwendeten Katalysator enthält. Diese Behandlungsmaßnahme sollte nicht so lange dauern, 0 daß tatsächlich eine stromlose Plattierung erfolgt, sollte jedoch so lange dauern, daß ein angemessener katalytisch wirksamer überzug 17 auf der Platte gebildet wird. Wenn man die Tauchmethode anwendet, arbeitet man bei typischen Zeitdauern von etwa 10 bis etwa 60 Sekunden, wobei die geeignetste Tauchdauer von den verwendeten Katalysatorsystemen, der Temperatur des Bades, dem pH-Wert des Bades, dem verwendeten Reduktionsmittel und den Eigenschaften der kupferbeschichteten Platte
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abhängt.
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Die Behandlungszeit mit dem Katalysator hängt in gewissem Ausmaß auch von der Temperatur des Bades, in dem der Katalysator verwendet wird, ab, wobei diese Temperatur sich typischerweise von etwa 20 0C bis zum TO Siedepunkt oder etwa 100 0C erstreckt, wobei die bevorzugten Temperaturbereiche innerhalb dieses Bereiches in Abhängigkeit von dem in dem Bad enthaltenen besonderen Reduktionsmittel variieren können.
Nach der Behandlung mit dem Katalysator wird die behandelte Platte gespült, was in der Zeichnung mit Hilfe der Sprühdüse 18 dargestellt ist, wenngleich man auch andere Vorrichtungen und Methoden für das Spülen verwenden kann, wie das Hindurchführen der Platte durch ein Wasserbad während einer sehr kurzen Zeitdauer. Diese Spülbehandlung führt zu keiner wesentlichen Beeinträchtigung der durch den Katalysator auf dem Schaltungsmuster 13 oder den Metallteilchen oder -flecken 14 gebildeten katalytischen Oberfläche, wenngleich bei diesem Spülvorgang die Gesamtmenge der Plattierungslösung insbesondere von der isolierenden Platte 12, die nicht mit Keimen versehen oder katalysiert wird, fortgewaschen werden, wobei nur die Metallbereiche mit Keimen versehen werden. Es ist dann möglich, die ge-0 spülte Platte 17 in weitere Bäder einzuführen, selbst Hypophosphit enthaltende Bäder, was nicht möglich ist, wenn man anstelle der erfindungsgemäßen Katalysatoren Aktivatorlösungen verwendet, die beispielsweise Dimethylamin-Boran enthalten.
Es hat sich gezeigt, daß man bei der Durchführung der erfindungsgemäßen Verfahrensweise die Katalysatoren in Kombination mit diesem sich anschließenden Spülvorgang
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kombinieren kann, so daß eine katalysierende Abscheidung durch Keimbildung auf dem Schaltungsmuster gebildet wird, wodurch dieses mit aktiven Stellen versehen wird, während gleichzeitig in jenen Oberflächenbereichen 12 der Platte, die nicht innerhalb des Schaltungsmusters 13 liegen, eine Förderung der Abscheidung vermieden und typischerweise eine Abscheidung verhindert werden. Als Ergebnis wird nach dem stromlosen Überplattieren der Katalysatorschichten mit Nickel, Kobalt oder eines oder beides dieser Elemente enthaltenden Polylegierungen die stromlose Überplattierung selektiv lediglich auf dem mit den Keimen versehenen Metall abgeschieden und breitet sich nicht auf der isolierenden Platte aus, indem plattierte Brücken zwischen Flecken und/oder dem Schaltungsmuster ausgebildet werden, welches unerwünschte Ausbreiten normalerweise durch die Flecken in den mit Hilfe anderer Systeme katalytisch gemachten Plattenbereichen ausgelöst wird. In dieser Weise kann man gedruckte Schaltungsplatten oder Verdrahtungsplatten mit genau überplattiertem Schaltungsmuster herstellen, die keine wesentlichen übermäßigen Abscheidungen außerhalb des Schaltungsmusters aufweisen, die häufig zu Kurzschlüssen in dem Schaltungsmuster und im allgemeinen zu einer unerwünschten Steigerung der Leitfähigkeit der Platte 12 außerhalb des Schaltungsmusters führen können.
Die bei dem Spülvorgang verwendeten Spüllösungen sind typischerweise wäßrige Lösungen, wobei der Spülvorgang während einer ausreichend langen Zeitdauer durchgeführt werden sollte, um die Wirkung des Katalysators während des Tauchvorgähgs in den Nichtschaltungsbereichen signifikant zu vermindern. Die angestrebte maximale Spül-
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dauer hängt ganz allgemein von der Einfachheit der Verfahrensweise und wirtschaftlichen Gründen ab, wobei lange Spüldauern kostspielig sind. Im allgemeinen führen lang dauernde Spülvorgänge nicht zu einer Verminderung des Ausmaßes der katalytischen Wirkung der Oberflächen, da mehr eine Veränderung der Oberflächen erfolgt als daß eine durch Spülen wieder zu entfernende Schicht oder ein durch Spülen zu entfernender Film abgeschieden wird. Die katalytische Oberfläche wird lediglich durch Abätzen oder durch anderweitiges Entfernen des Kupfers oder des entsprechenden Materials von äer Platte beseitigt. Man kann mehrere Spülvorgänge durchführen und kann diese in einem ruhenden Bad, in einem bewegten Bad oder dergleichen durchführen. Die Spülzeiten hängen in gewissem Ausmaß von den Eigenschaften der Platten, der Materialien und anderen physikalischen Bedingungen ab und davon, ob die Spüllösung bewegt oder unbewegt ist, wobei typische Spülzeiten sich im allgemeinen von etwa 2 Sekunden bis etwa 45 Sekunden pro Spülvorgang erstrecken. Die bevorzugten Spülzeiten hängen von dem verwendeten Katalysator, dem Ausmaß, in dem der Katalysator vor dem Spülen an dem Kupfer anhaftet und dem Lösungsvermögen des verwendeten Spülmittels ab. Im allgemeinen ist ein kaltes Wasser umfassendes Spülmittel, wie Leitungswasser oder entionisiertes Wasser mit Raumtemperatur, bevorzugt, überwiegend wegen der guten Verfügbarkeit und der geringen Kosten des Wassers. Gewünschtenfalls kann man Netzmittel zusetzen, vorausgesetzt, daß sie das sich anschließende stromlose Plattieren nicht beeinträchtigen.
Nachdem der erfindungsgemäße Spülvorgang durchgeführt worden ist, kann man den selektiven Vorgang der stromlosen Plattierung durchführen. Die erfindungsgemäß ge-
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bildeten katalytischen Schichten oder Filme sind besonders gut aufnahmefähig für stromlos abgeschiedenes Nickel oder Kobalt, wobei man eine Vielzahl von Bädern verwenden, kann, wie Nickel-Phosphor-Bäder, stromlose Bäder für die Abscheidung von Kobalt oder Bäder für die Abscheidung von Polylegierungen, einschließlich der Bäder, die in der US-PS 4 019 910 angegeben sind. Die gespülte Platte 17 wird in herkömmlicher Weise stromlos plattiert, beispielsweise in einem Plattierungsbad 19, was zur Folge hat, daß eine Deckschicht oder Überplattierungsschicht 20 auf dem Kupfer-Schaltungsmuster 13 ausgebildet wird, so daß man eine überdeckte Schaltungsplatte 21 erhält, die in der Zeichnung aus dem Bad 19 austritt, die im wesentlichen keine Uberplattierungsabscheidungen außerhalb des genauen Schaltungsmusters 13 aufweist, mit der Ausnahme von kleinen Flecken 22, die katalysiert und überplattiert worden sind, die sich jedoch nicht zu einer Brücke oder einem Kurzschlußweg ausgedehnt haben, wobei die Flecken 14 und 22 zur besseren Verdeutlichung vergrößert dargestellt sind.
Das Bad 19 für die stromlose Plattierung oder Abscheidung kann eine Quelle für Nickelkationen oder Kobaltkationen, eine Quelle für andere Metallkationen, wenn eine Polylegierung abgeschieden werden soll, ein Mittel zur Einstellung des pH-Wertes, ein Reduktionsmittel, ein Komplexierungsmittel, Wasser, Badstabilisatoren, Sulfidionenabfänger und andere geeignete Badbestandteile enthalten. Einzelheiten bezüglich dieser verschiedenen Bestandteile und der für diese Bäder geeigneten Anwendungsbedingungen finden sich in der US-PS 4 019 910. Ein typisches Bad für die stromlose Nickel-Phosphor-Abscheidung ergibt im allgemeinen einen binären überzug aus etwa 88 bis 95 Gew.-% Nickel und
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etwa 12 bis 5 Gew.-% Phosphor.
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Gewünschtenfalls und insbesondere dann, wenn man gedruckte Schaltungsplatten mit hoher Qualität herstellen will, ist es üblicherweise nach der Durchführung von einem oder mehreren Spülvorgängen möglich, die Deckschicht aus Nickel, Kobalt oder der Polylegierung mit einem anderen Metall, wie Gold, überzuplattieren, um die Lötbarkeit und die Korrosionsbeständigkeit der Schaltung zu verbessern. Wenn die Endplattierung beendet ist, läßt man das erfindungsgemäß hergestellte Substrat, wie die gedruckte Schaltungsplatte oder Verdrahtungsplatte, trocknen, oder trocknet sie mit Hilfe irgendeiner gewünschten Trocknungsmethode.
Wenngleich die Erfindung nicht durch theoretische überlegungen eingeschränkt werden soll, wird angenommen, daß die Anwesenheit von Metallen, die im allgemeinen als Inhibitoren angesprochen werden, insbesondere von Molybdän, Wolfram oder Zinn als zweite Metalle oder Sekundärmetalle, die Abscheidung des Nickels oder des Kobalts in dem Katalysator unterstützt, wodurch die sonst nicht katalytischen Oberflächen, insbesondere die Kupferschaltungsmuster, katalytisch gemacht werden. Es wird angenommen, daß die Kombination von Nickel oder Kobalt mit den inhibierenden zweiten Metallen die erfindungsgemäß erreichten katalytischen Eigenschaften ergibt, indem die sonst nicht katalytische Oberfläche mit Keimen versehen und in dieser Weise selbst katalytisch gemacht wird, als daß lediglich die Oberfläche mit einer Schicht oder einem Film bedeckt wird, die bzw. der während des sich anschließenden Spülvorgangs abgewaschen wird. Es wird angenommen, daß diese besondere erfindungsgemäße Kombination den Abscheidungswirkungsgrad des Systems in einem solchen Ausmaß steigert,
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daß sich auf der zuvor nicht katalytischen Oberfläche tatsächlich eine katalytische Oberfläche bildet. Nachdem eine solche katalytische Oberfläche gebildet worden ist, ist es möglich, diese stromlos mit einer Überzugsschicht zu versehen oder zu plattieren, indem die Überplattierungsreaktion hierdurch gefördert oder unterstützt wird, wobei die katalysierte Oberfläche für die Abscheidung wesentlich empfänglicher ist als die ursprüngliche nicht katalytische Oberfläche, insbesondere, wenn die Deckschicht aus einer Polylegierung besteht. Die Bestandteile des Systems wirken daher in wirksamer Weise zusammen derart, daß das System mit Erfolg eine nichtkatalytische Oberfläche in eine katalytische Oberfläche umwandelt.
Bezüglich des Mechanismus1, gemäß dem der Katalysator das Schaltungsmuster für das überplattieren empfänglicher macht, wird angenommen, daß eine galvanische Initiierungsreaktion bei der Ausbildung der Überplattierungsoberflache eine Rolle spielt. Ganz allgemein wandelt der Katalysator die Kupferoberfläche in dem Ausmaß um, daß diese für den sich anschließenden Überplattierungsvorgang katalytisch gemacht wird. Das dabei erreichte Ergebnis ist darin zu sehen, daß das Kupfer des Schaltungsmusters bevorzugt katalytisch gemacht wird.
Es wird angenommen, daß die erfindungsgemäß erreichbaren Ergebnisse durch die Zugabe von Bor zu dem verwendeten Katalysator noch gesteigert werden können, welche Zugabe am besten4 unter Verwendung eines borhaltigen Reduktionsmittels erfolgen kann.
Es ist weiterhin möglich, daß physikalische Wirkungen
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der verschiedenen bei der erfindungsgemäßen Verfahrensweise verwendeten Materialien zu diesem Effekt beitragen. Beim Eintauchen in das Katalysatorbad wird die gesamte Platte benetzt, wobei jedoch die Oberflächentexturen der Platte innerhalb und außerhalb des Schaltungsmusters sich voneinander unterscheiden, was zur Folge hat, daß die Effekte des sich anschließenden Spülvorgangs auf die Zusammensetzung des auf der Platte zurückgebliebenen Katalysators ebenfalls verschieden sind.
Die die Katalysatoren enthaltenden erfindungsgemäßen Bäder reagieren typischerweise alkalisch. Es wird angenommen, daß das Arbeiten bei einem pH-Wert von niedriger als 5,5 zur Ausbildung von Brücken oder zu einem Plattieren zwischen den Bereichen des Schaltungsmusters führen kann, während ein zu hoher pH-Wert, beispielsweise ein pH-Wert von oberhalb etwa 13, unnötig ist. Der bevorzugte pH-Wert liegt im Bereich von etwa 8 bis etwa 11. Die Konzentration der die Abscheidung fördernden Metalle, wie Nickelverbindungen, in dem erfindungsgemäßen Bad liegt im Bereich von etwa 0,001 bis etwa 0,3 Mol pro Liter und üblicherweise im Bereich von etwa 0,002 bis etwa 0,125 Mol pro Liter. Ein typischer Konzentrationsbereich für die zweiten Metalle oder Sekundärmetalle, wie die Zinnverbindungen innerhalb der erfindungsgemäßen Bäder, erstreckt sich von etwa 0,001 bis etwa 0,5 Mol pro Liter und im allgemeinen von etwa 0,002 bis etwa 0,250 Mol pro Liter. Die Konzentrationen des Reduktionsmittels, wie von Dimethylamin-Boran, können zwischen etwa 0,001 und 0,2 Mol pro Liter und üblicherweise zwischen etwa 0,002 und 0,1 Mol pro Liter liegen. Die Obergrenzen der verschiedenen Bestandteile hängen lediglich von wirtschaftlichen Gründen und der Löslichkeit ab, wobei
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die Untergrenzen durch die minimale Wirksamkeit gegeben sind.
Wenngleich die Zeichnung und die Beschreibung sich überwiegend auf die Herstellung von gedruckten Schaltungsplatten beziehen, läßt sich die Erfindung auch ganz allgemein dazu anwenden, eine Metalloberfläche, insbesondere eine Kupferoberfläche, für die sich anschließende Überplattierung mit Nickel, Kobalt oder diese Metalle enthaltenden Polylegierungen katalytisch zu machen» Die mit Hilfe der erfindungsgemäßen Verfahrensweise hergestellten Produkte können Schaltungsplatten sein, die elektrische Schaltungskomponenten für Spiele, Uhren oder für Magnetspeicher von Computern tragen können. Diese Schaltungsplatten können auf beiden Seiten aufgedruckte Schaltungen aufweisen, die mit Hilfe von durchplattierten Löchern verbunden sein können.
Die folgenden Beispiele dienen der weiteren Erläuterung der Erfindung.
Beispiel 1 Nickel-Molybdän-Bor
Man bereitet ein Katalysator-Tauchbad, das 0,01 Mol pro Liter Molybdänester von Glukonsäure, 0,05 Mol pro Liter Nickelsulfat, 0,1 Mol pro Liter Kaliumpyrophosphat als Puffer und als Komplexierungsmittel und 0,004 Mol pro Liter Dimethylamin-Boran als Reduktionsmittel enthält. Der pH-Wert des Bades beträgt 9,0 und man arbeitet bei einer Betriebstemperatur von 40 0C.
Mit Hilfe dieses Bades erhält man einen anhaftenden katalytischen Film auf Kupferlegierungen, die dann stromlos mit Nickel überplattiert werden. In dieser
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Weise erhält man gedruckte Schaltungsplatten mit einer verbesserten Haftung zwischen dem Kupfer und dem nickelhaltigen Decküberzug. Die Anwendung der in dieser Weise hergestellten gedruckten Schaltungsplatten zeigt, daß sie bei der Verwendung weniger stark zur Bildung von Kurzschlüssen neigen.
Beispiel 2 Nickel-Wolfram-Bor
Unter Anwendung der Verfahrensweise von Beispiel 1 verwendet man ein weiteres Katalysatorbad, das 0,005 Mol pro Liter des Wolframesters der Glukoheptonsäure, 0,02 Mol pro Liter Nickelsulfat, 0,05 Mol pro Eiter Kaliumpyrophosphat, 0,04 Mol pro Liter Dimethylamin-Boran und als Rest im wesentlichen Wasser enthält. Man wendet das Bad bei einem pH-Wert von 9,0 und einer Betriebstemperatur von 40 0C an.
Beispiel 3 Nickel-Wolfram-Bor
Ein weiteres erfindungsgemäßes Bad, das nach der Verfahrensweise von Beispiel 1 hergestellt worden ist
■ und ein geeignetes Katalysatorbad darstellt, enthält 0,2 Mol pro Liter des Wolframesters der Glukoheptonsäure, 0,1 Mol pro Liter Nickelsulfat, 0,06 Mol pro Liter Dimethylamin-Boran und 1 ppm Thioharnstoff. Das Bad besitzt einen pH-Wert von 9,6 und eine Arbeitstemperatur von 90 0C und ergibt einen katalytischen Film, der 77,4 Gew.-% Nickel, 20,0 Gew.-% Wolfram und 2,6 Gew.-% Bor enthält.
Beispiel 4 Nickel-Wolfram-Z inn-Bor
Ein weiteres geeignetes erfindungsgemäßes Katalysatorbad umfaßt entionisiertes, mit Kohlenstoff behandeltes
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und filtriertes Wasser, das 0,2 Mol pro Liter des Wolframesters der Glukoheptonsäure, 0,1 Mol pro Liter Nickelsulfat, 0,025 Mol pro Liter Zinn (II)-Chlorid, 0,06 Mol pro Liter Dimethylamin-Boran und 1 ppm Thioharnstoff enthält. Das Bad wird bei einer Betriebstemperatur von 90 0C und einem pH-Wert von etwa 7,5 betrieben. Dieses Bad ergibt einen katalytischen Film, dessen Analyse einen Gehalt von 77,9 Gew.-% Nickel, 16,0 Gew.-' Wolfram, 4,2 Gew.-% Zinn und 1,9 Gew.-% Bor aufweist.
Beispiel 5
Nickel-Zinn-Bor
Ein geeignetes wäßriges Katalysatorbad enthält 0,1 Mol pro Liter Nickelsulfat, 0,1 Mol pro Liter Zinndichlorid, 0,06 Mol pro Liter Dimethylamin-Boran, 0,2 Mol pro Liter Kaliumpyrophosphat, 1 ppm Thioharnstoff und 0,1 Mol pro Liter des Diboresters von Glukoheptonsäure, den man dadurch erhält, daß man etwa 2 Mol Borsäure und 1 Mol Natriumglukoheptonat in ein etwa 600 ml Wasser als Lösungsmittel enthaltendes Veresterungsgefäß einführt und das Material während 3 0 Minuten bei etwa 25 0C rührt, worauf man es mit zusätzlichem Wasser auf ein Endvolumen von 1 Liter verdünnt. Mit diesem Bad erhält man einen katalytischen Film, dessen Analyse in Form einer dickeren Abscheidung 92,8 Gew.-% Nickel, 6,1 Gew.-% Zinn und 1,1 Gew.-% Bor anzeigt.
Beispiel 6 Nickel-Molybdän-Bor
Man bildet ein wäßriges Katalysatorbad, das 0,001 Mol pro Liter eines Molybdänesters der Glukoheptonsäure, 0,1 Mol pro Liter Nickelsulfat, 0,06 Mol pro Liter Dimethylamin-Boran und 0,3 Mol pro Liter Milchsäure enthält und das bei einem pH-Wert von 10,0 und einer Be-
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triebstemperatur von 90 0C eingesetzt wird. Dieses Bad ergibt einen katalytischen Film, dessen Analyse in Form einer dickeren Abscheidungsschicht 79,8 Gew.-% Nickel, 20 Gew.-% Molybdän und 0,2 Gew.-% Bor ergibt.
Beispiel 7
Nickel-Molybdän-Kupfer-Bor
Man bereitet ein Katalysatorbad durch Zugabe der nachstehend angegebenen Bestandteile zu entionisiertem, mit Kohlenstoff behandeltem und filtriertem Wasser: 0,001 Mol pro Liter des Molybdänesters von Glukoheptonsäure, 0,1 Mol pro Liter Nickelsuflat, 0,0005 Mol pro Liter Kupfersulfat, 0,06 Mol pro Liter Dimethylamin-Boran und 0,3 Mol pro Liter Milchsäure. Man arbeitet bei einer Betriebstemperatur von 90 °C und einem pH-Wert von 10. Die Analyse dieses Bades zeigt, daß es einen Überzug aus 77,87 Gew.-% Nickel, 20 Gew.-% Molybdän, 1,8 Gew.-% Kupfer und 0,33 Gew.-% Bor ergibt.
Beispiel 8 Nickel-Zinn-Bor
Man bereitet ein zinnhaltiges Katalysatorbad durch Zugabe von 0,001 Mol pro Liter Nickelionen, 0,02 Mol pro Liter des Natriumstannat(4wertig)-Komplexes von Glukonsäure und 0,02 Mol pro Liter Dimethylamin-Boran zu Wasser. Man erhält ein sehr ähnliches Bad, wenn man 0 0,002 Mol pro Liter Dimethylamin-Boran zugibt.
Beispiel 9 Nickel-Zinn-Bor
Ein weiteres geeignetes Katalysatorbad enthält 0,001 Mol pro Liter des Stannatesters der Glukoheptonsäure, 0,1 Mol pro Liter Nickelsulfat, 0,06 Mol pro Liter Dimethylamin-Boran und 0,3 Mol pro Liter Milchsäure
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und wird bei einer Betriebstemperatur von 9 0 0C und einem pH-Wert von 10,0 eingesetzt.
Beispiel 10 Kobalt-Wolfram-Bor
Ein wäßriges Katalysatorbad für die anschließende Überplattierung mit Kobalt enthält 0,2 Mol pro Liter des Wolframesters der Glukoheptonsäure, 0,1 Mol pro Liter Kobaltsulfat, 0,06 Mol pro Liter Dimethylamin-Boran und 1 ppm Thioharnstoff. Der Betriebs-pH-Wert dieses Bades beträgt etwa 9,6 bei einer Temperatur von etwa 90 0C, wobei die Analyse der Beschichtung etwa 81 Gew.-% Kobalt, 18 GeWo-% Wolfram und 1 Gew.-% Bor anzeigt. Nach dem·Aufbringen eines katalysierenden Films mit Hilfe dieses Bades kann man das Überplattieren mit Kupfer unter Anwendung eines ähnlichen Bades erreichen.
Beispiel 11 Kobalt-Molybdän-Phosphor
Man kann ein Bad zum Katalysieren von Kupfer herstellen, das 0,1 Mol pro Liter des Molybdänesters der Glukonsäure, 0,1 Mol pro Liter Kobaltsulfat und 0,28 Mol pro Liter Natriumhypophosphit enthält. Bei einem pH-Wert von 10,0 und einer Betriebstemperatur von 90 0C erhält man einen katalysierenden Film, der etwa 92,9 Gew.-% Kobalt, 1,1 Gew.-% Molybdän und 6 Gew.-% Phosphor enthält. Gewünschtenfalls ist die Badformulierung dazu geeignet, diesen katalytischen überzug nach dem Spülen mit kaltem Wasser zu beschichten, was typischerweise eine Steigerung der Plattierungsgeschwindigkeit auf etwa 0,0051 bis 0,0076 mm pro Stunde (0,2 bis 0,3 mil/Stunde) und das Reduzieren des pH-Wertes auf einen sauren Wert umfaßt.
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Beispiel 12
Kobalt-Z inn-Bor
Man bereitet ein wäßriges Katalysatorbad, das 0,1 Mol pro Liter Kobaltsulfat, 0,2 Mol pro Liter eines Natriums tannat-Komplexes der Glukonsäure und 0,4 Mol pro Liter Dimethylamin-Boran enthält. Die Betriebstemperatur beträgt 60 0C bei einem pH-Wert von etwa
Beispiel 13
Nachdem man irgendeines der in den Beispielen 1 bis beschriebenen Katalysatorbäder dazu verwendet hat, einen katalytischen Film auf einem Kupfersubstrat auszubilden, das während etwa 45 Sekunden in dem Bad belassen worden ist, und nach dem zweimaligen Spülen dieses Films mit Wasser während 15 Sekunden kann man stromlos Nickel unter Verwendung eines wäßrigen Bades abscheiden, das 0,1 Mol pro Liter Nickelsulfat, 0,2 Mol pro Liter Citronensäure und 0,17 Mol pro Liter Natriumhypophosphit enthält. Der Arbeits-pH-Wert dieses Bades liegt zwischen etwa 4,5 und 5,0 bei einer Temperatur von 90 0C und man erreicht eine Plattierungsgeschwindigkeit von etwa 10 μΐη/min, die während etwa 10 bis 20 Minuten aufrechterhalten wird. Dann ist die überplattierung im allgemeinen vollständig, wobei keine Brückenbildung oder eine Verbindung der Kupferflecken auf der Platte beobachtet werden kann.
Beispiel 14
Nachdem man kupferkaschierte oder kupferbeschichtete Substrate in eines der in den Beispielen 1 bis 9 beschriebenen Katalysatorbäder während etwa 45 Sekunden eingetaucht hat, um sie mit einem katalytischen Film zu versehen, und sie dann zweimal mit fließendem Wasser
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gespült hat, kann man stromlos eine Nickel-überplattierung bei etwa 40 0C und einem pH-Wert von etwa 5,0 bei Verwendung eines wäßrigen Bades ausbilden, das 0,1 Mol pro Liter Nickelsulfit, 0,25 Mol pro Liter Bernsteinsäure, 0,4 Mol pro Liter Dimethylamin-Boran enthält. Anschließend führt man zwei Spülungen mit fließendem Wasser durch und bewirkt eine überplattierung mit einem stromlosen Vergoldungsbad bei 63 0C und einer Plattierungsgeschwindigkeit von etwa 1 um pro Minute.
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Leerseite

Claims (23)

  1. 30021
    s. Dr. K.
    Patentanwälte Dipl.-Ing. H. Weickmann, Dipl.-Phys. Dr. K. Fincke
    Dipl.-Ing. F. A.Weickmann, Dipl.-Chem. B. Huber Dr.-Ing. H. Liska
    8 MÜNCHEN 86, DEN
    POSTFACH 860 820
    MÖHLSTRASSE 22, RUFNUMMER 98 39 21/22
    HtM/ei Case: 791208
    RICHARDSON CHEMICAL COMPANY
    2400 East Devon Ave., Des Piaines, Illinois 60018
    U. S. A.
    Verfahren zur Herstellung von gedruckten Schaltungsplatten
    PATENTANSPRÜCHE
    (1. Werfahren zur Herstellung von gedruckten Schaltungsplatten, dadurch gekennzeichnet, daß man eine mit einem Schaltungsmuster versehene Verdrahtungsplatte mit einem polymetallischen Katalysator behandelt, der ein die Abscheidung förderndes Material aus der Nickel, Kobalt und Kombinationen davon umfassenden Gruppe und ein zweites Metall aus der Zinn, Molybdän, Kupfer und Wolfram umfassenden Gruppe enthält und der■das anschließende Uber-
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    RICHARDSON CHEMICAL COMP. Case: 791208
    plattieren auf dem Schaltungsmuster fördert/ ohne das anschließende Überplattieren jener Bereiche der Verdrahtungsplatte, die nicht in dem Schaltungsmuster liegen, zu begünstigen;
    und anschließend das Schaltungsmuster mit einem Metall aus der Nickel, Kobalt und Nickel und/oder Kobalt enthaltende Polylegierungen umfassenden Gruppe überplattiert.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man zur Förderung der bevorzugten Ausbildung einer Katalysatorschicht auf dem Schaltungsmuster die mit dem Katalysator behandelte Schaltungsplatte nach der Behandlung mit einem wäßrigen Spülmittel spült.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge kennzeichnet , daß man zur Förderung einer bevorzugten selektiven Katalyse des Schaltungsmusters gegenüber der Katalyse der Verdrahtungsplatte außerhalb des genauen gewünschten Schaltungsmusters im Anschluß an die Behandlung mindestens einen wäßrigen SpülVorgang mit einer Dauer von nicht mehr als etw 60 Sekunden durchführt.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Behandlung darin besteht, die Verdrahtungsplatte in ein Bad einzutauchen, das den Katalysator zusammen mit einem Reduktionsmittel für die Kationen der in dem Katalysator enthaltenen Metalle enthält.
  5. 5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch g e kennzeichnet, daß die Behandlung darin besteht, die Verdrahtungsplatte in ein Bad einzutauchen, das den Katalysator und ein borhaltiges Reduktionsmittel enthält.
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    RICHARDSON CHEMICAL COMP, Case: 791208
  6. 6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch
    gekennzeichnet, daß die Behandlung darin besteht, die Verdrahtungsplatte in ein alkalisches wäßriges Bad einzutauchen.
  7. 7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch
    gekennzeichnet, daß die Behandlung das Eintauchen der Verdrahtungsplatte in ein wäßriges Bad mit einem pH-Wert zwischen etwa 5,5 und etwa 13 umfaßt.
  8. 8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Behandlung das Eintauchen der Verdrahtungsplatte in ein wäßriges Bad mit einer Temperatur zwischen etwa 20 und etwa 100 0C umfaßt.
  9. 9. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Behandlung das Eintauchen der Verdrahtungsplatte in ein wäßriges Bad während einer Zeitdauer umfaßt, die dazu ausreicht, die Oberfläche des Schaltungsmusters mit Keimen zu versehen und die nicht dazu ausreicht, einen zusammenhängenden Abscheidungsfilm darauf zu ergeben. ,
  10. 0 10. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Behandlung das Eintauchen der Verdrahtungsplatte in ein wäßriges Bad während einer Zeitdauer von etwa 10 bis etwa 90 Sekunden umfaßt.
  11. 11. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der polymetalli-
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    sehe Katalysator eine Formulierung umfaßt, die ein Metall aus der Nickel und Kobalt umfassenden Gruppe, ein weiteres Metall aus der Molybdän, Wolfram, Zinn und Kupfer umfassenden Gruppe und ein Element aus der Bor und Phosphor umfassenden Gruppe enthält.
  12. 12. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Verdrahtungsplatte eine im allgemeinen nicht leitende Platte umfaßt, auf der ein Kupfer enthaltendes Schaltungsmuster angeordnet ist.
  13. 13. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Behandlung das Eintauchen der Verdrahtungsplatte in ein wäßriges Bad umfaßt, das etwa 0,001 bis etwa 0,3 Mol pro Liter der die Abscheidung fördernden Metalle, etwa 0,001 bis etwa 0,5 Mol pro Liter der zweiten Metalle und etwa 0,001 bis etwa 0,2 Mol pro Liter eines Reduktionsmittels, jeweils auf das Gesamtvolumen des Bades bezogen, enthält.
  14. 14. Verfahren zur Katalysierung einer nichtkatalytischen Metalloberfläche, dadurch gekennzeichnet, daß man die nichtkatalytische Metalloberfläche mit einem polymetallischen Katalysator behandelt, der ein die Abscheidung förderndes Metall aus der Nickel, Kobalt und Kombinationen davon umfassenden Gruppe und ein zweites Metall aus der Zinn, Molybdän, Kupfer, Wolfram und Kombinationen davon umfassenden Gruppe enthält, wobei die Behandlung im allgemeinen unter alkalischen Bedingungen während einer Zeitdauer durchgeführt wird, die dazu ausreicht, die nichtkatalytische Metalloberfläche mit Keimen zu
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    versehen, die jedoch nicht dazu ausreicht, eine im allgemeinen ununterbrochene Abscheidungsschicht auszubilden.
  15. 15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet , daß man zur Förderung der bevorzugten Bildung einer Katalysatorschicht auf der Metalloberfläche die Metalloberfläche mit einem wäßrigen Spülmittel spült.
  16. 16. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch g e kennzeichnet, daß die Behandlung das
    Eintauchen der nichtkatalytischen Metalloberfläche in ein Bad umfaßt, das den Katalysator zusammen mit einem Reduktionsmittel für die Kationen der in dem Katalysator enthaltenen Metalle enthält. 20
  17. 17. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch g e kennzeichne,t , daß die Behandlung das Eintauchen der nichtkatalytischen Metalloberfläche in ein wäßriges Bad mit einem pH-Wert von etwa 5,5 bis etwa 13 umfaßt, wobei das Bad eine Temperatur von etwa 20 bis etwa 100 0C aufweist und das Eintauchen während einer Zeitdauer durchgeführt wird, die dazu ausreicht, die nichtkatalytische Metalloberfläche mit Keimen zu versehen, die jedoch nicht dazu ausreicht, eineim allgemeinen ununterbrochene Abscheidungsschicht darauf abzuscheiden.
  18. 18. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß man als nichtkata-
    lytische Metalloberfläche eine kupferhaltige Oberfläche behandelt.
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  19. 19. Katalysatorbad für Metalloberflächen, die an-
    schließend mit Nickel, Kobalt oder Nickel und/oder Kobalt enthaltenden Polylegierungen überplattiert werden sollen, dadurch gekennzeichnet, daß das das Überplattieren der Metalloberfläche fördernde Bad einen polymetallisehen Katalysator, der ein die Abscheidung förderndes Metall aus der Nickel, Kobalt und Kombinationen davon umfassenden Gruppe und ein zweites Metall aus der Zinn, Molybdän, Kupfer und Wolfram umfassenden Gruppe enthält, und ein Reduktionsmittel für die Kationen dieser Metalle enthält.
  20. 20. Bad nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß es als Reduktionsmittel eine borhaltige Verbindung aus der Borhydride, Amin-Borane und niedrigalkylsubstituierte Amin-Borane umfassenden-Gruppe enthält.
  21. 21. Bad nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet , daß es einen pH-Wert von etwa 5,5 bis 13 aufweist und bei einer Temperatur von etwa 20 bis 100 0C eingesetzt wird.
  22. 22. Bad nach Anspruch 19, gekennzeichnet durch ein wäßriges Bad, das etwa 0,001 bis etwa 0,3 Mol pro Liter des ersten Metalls, etwa 0,001 bis etwa 0,5 Mol pro Liter des zweiten Metalls und etwa 0,001 bis etwa 0,2 Mol pro Liter des Reduktionsmittels, jeweils auf das Gesamtvolumen des Bades bezogen, enthält.
  23. 23. Bad nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß es zusätzlich einen Stabilisator, ein Mittel zur Einstellung des pH-Werts, ein Komplexierungsmittel, ein Mittel zur Steuerung der Sulfidionen und/oder einen Puffer enthält.
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Publications (2)

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Families Citing this family (193)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4632857A (en) * 1974-05-24 1986-12-30 Richardson Chemical Company Electrolessly plated product having a polymetallic catalytic film underlayer
JPS6013078B2 (ja) * 1978-09-05 1985-04-04 日本特殊陶業株式会社 金メツキされた電子部品及びその製法
US4503131A (en) * 1982-01-18 1985-03-05 Richardson Chemical Company Electrical contact materials
EP0092971B1 (de) * 1982-04-27 1989-08-16 Richardson Chemical Company Verfahren zum selektiven Abscheiden einer Nickel-Bor Schicht über einem metallurgischen Muster auf einem dielektrischen Substrat und auf diese Weise hergestellte Produkte
US4717591A (en) * 1983-06-30 1988-01-05 International Business Machines Corporation Prevention of mechanical and electronic failures in heat-treated structures
US4550036A (en) * 1984-10-18 1985-10-29 Hughes Aircraft Company Electroless silver plating process and system
US4568562A (en) * 1984-11-28 1986-02-04 General Dynamics, Pomona Division Method of electroless plating employing plasma treatment
DE3529313A1 (de) * 1985-08-14 1987-02-26 Schering Ag Automatische transport- und behandlungseinrichtung fuer waren, insbesondere leiterplatten
US4997674A (en) * 1987-06-30 1991-03-05 Akzo America Inc. Conductive metallization of substrates via developing agents
US4892776A (en) * 1987-09-02 1990-01-09 Ohmega Electronics, Inc. Circuit board material and electroplating bath for the production thereof
JPH02144987A (ja) * 1988-11-26 1990-06-04 Sumitomo Metal Mining Co Ltd プリント配線板の製造方法
US4954370A (en) * 1988-12-21 1990-09-04 International Business Machines Corporation Electroless plating of nickel on anodized aluminum
US5167992A (en) * 1991-03-11 1992-12-01 Microelectronics And Computer Technology Corporation Selective electroless plating process for metal conductors
US5474798A (en) * 1994-08-26 1995-12-12 Macdermid, Incorporated Method for the manufacture of printed circuit boards
JP3393190B2 (ja) * 1999-02-22 2003-04-07 有限会社関東学院大学表面工学研究所 銅パターンの選択的活性化方法およびこれに用いる活性化剤
US6645550B1 (en) * 2000-06-22 2003-11-11 Applied Materials, Inc. Method of treating a substrate
AU2001286453A1 (en) * 2000-08-11 2002-02-25 Chem Trace Corporation System and method for cleaning semiconductor fabrication equipment parts
JP4811543B2 (ja) * 2000-09-08 2011-11-09 学校法人早稲田大学 微細パターンの作製方法
JP2003049280A (ja) * 2001-06-01 2003-02-21 Ebara Corp 無電解めっき液及び半導体装置
US7138014B2 (en) 2002-01-28 2006-11-21 Applied Materials, Inc. Electroless deposition apparatus
US6824666B2 (en) * 2002-01-28 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Electroless deposition method over sub-micron apertures
US6905622B2 (en) * 2002-04-03 2005-06-14 Applied Materials, Inc. Electroless deposition method
US6899816B2 (en) * 2002-04-03 2005-05-31 Applied Materials, Inc. Electroless deposition method
US6821909B2 (en) * 2002-10-30 2004-11-23 Applied Materials, Inc. Post rinse to improve selective deposition of electroless cobalt on copper for ULSI application
US7045072B2 (en) * 2003-07-24 2006-05-16 Tan Samantha S H Cleaning process and apparatus for silicate materials
US7091132B2 (en) * 2003-07-24 2006-08-15 Applied Materials, Inc. Ultrasonic assisted etch using corrosive liquids
US7827930B2 (en) 2004-01-26 2010-11-09 Applied Materials, Inc. Apparatus for electroless deposition of metals onto semiconductor substrates
US7654221B2 (en) 2003-10-06 2010-02-02 Applied Materials, Inc. Apparatus for electroless deposition of metals onto semiconductor substrates
US7465358B2 (en) * 2003-10-15 2008-12-16 Applied Materials, Inc. Measurement techniques for controlling aspects of a electroless deposition process
US7064065B2 (en) 2003-10-15 2006-06-20 Applied Materials, Inc. Silver under-layers for electroless cobalt alloys
US20070111519A1 (en) * 2003-10-15 2007-05-17 Applied Materials, Inc. Integrated electroless deposition system
US7754609B1 (en) 2003-10-28 2010-07-13 Applied Materials, Inc. Cleaning processes for silicon carbide materials
US7205233B2 (en) 2003-11-07 2007-04-17 Applied Materials, Inc. Method for forming CoWRe alloys by electroless deposition
US20050230350A1 (en) * 2004-02-26 2005-10-20 Applied Materials, Inc. In-situ dry clean chamber for front end of line fabrication
TW200734482A (en) 2005-03-18 2007-09-16 Applied Materials Inc Electroless deposition process on a contact containing silicon or silicide
US7514353B2 (en) 2005-03-18 2009-04-07 Applied Materials, Inc. Contact metallization scheme using a barrier layer over a silicide layer
US7651934B2 (en) 2005-03-18 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Process for electroless copper deposition
KR101432161B1 (ko) * 2006-11-01 2014-08-20 퀀텀 글로벌 테크놀로지스, 엘엘씨 챔버 부품을 세정하기 위한 방법 및 장치
US7867900B2 (en) 2007-09-28 2011-01-11 Applied Materials, Inc. Aluminum contact integration on cobalt silicide junction
US20100055422A1 (en) * 2008-08-28 2010-03-04 Bob Kong Electroless Deposition of Platinum on Copper
US9324576B2 (en) 2010-05-27 2016-04-26 Applied Materials, Inc. Selective etch for silicon films
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US8771539B2 (en) 2011-02-22 2014-07-08 Applied Materials, Inc. Remotely-excited fluorine and water vapor etch
US8999856B2 (en) 2011-03-14 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Methods for etch of sin films
US9064815B2 (en) 2011-03-14 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
US8771536B2 (en) 2011-08-01 2014-07-08 Applied Materials, Inc. Dry-etch for silicon-and-carbon-containing films
US8679982B2 (en) 2011-08-26 2014-03-25 Applied Materials, Inc. Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and oxygen
US8679983B2 (en) 2011-09-01 2014-03-25 Applied Materials, Inc. Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and nitrogen
US8927390B2 (en) 2011-09-26 2015-01-06 Applied Materials, Inc. Intrench profile
US8808563B2 (en) 2011-10-07 2014-08-19 Applied Materials, Inc. Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination
WO2013070436A1 (en) 2011-11-08 2013-05-16 Applied Materials, Inc. Methods of reducing substrate dislocation during gapfill processing
US9267739B2 (en) 2012-07-18 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
US9034770B2 (en) 2012-09-17 2015-05-19 Applied Materials, Inc. Differential silicon oxide etch
US9023734B2 (en) 2012-09-18 2015-05-05 Applied Materials, Inc. Radical-component oxide etch
US9390937B2 (en) 2012-09-20 2016-07-12 Applied Materials, Inc. Silicon-carbon-nitride selective etch
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US8765574B2 (en) 2012-11-09 2014-07-01 Applied Materials, Inc. Dry etch process
US8969212B2 (en) 2012-11-20 2015-03-03 Applied Materials, Inc. Dry-etch selectivity
US9064816B2 (en) 2012-11-30 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Dry-etch for selective oxidation removal
US8980763B2 (en) 2012-11-30 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Dry-etch for selective tungsten removal
US9111877B2 (en) 2012-12-18 2015-08-18 Applied Materials, Inc. Non-local plasma oxide etch
US8921234B2 (en) 2012-12-21 2014-12-30 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride etching
JP6077318B2 (ja) * 2013-01-29 2017-02-08 Koa株式会社 無電解めっき浴、三酸化モリブデン膜の製造方法、及び化学センサの製造方法
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US9040422B2 (en) 2013-03-05 2015-05-26 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride removal
US8801952B1 (en) 2013-03-07 2014-08-12 Applied Materials, Inc. Conformal oxide dry etch
US10170282B2 (en) 2013-03-08 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Insulated semiconductor faceplate designs
US20140271097A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
US8895449B1 (en) 2013-05-16 2014-11-25 Applied Materials, Inc. Delicate dry clean
US9114438B2 (en) 2013-05-21 2015-08-25 Applied Materials, Inc. Copper residue chamber clean
US9493879B2 (en) 2013-07-12 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Selective sputtering for pattern transfer
US9773648B2 (en) 2013-08-30 2017-09-26 Applied Materials, Inc. Dual discharge modes operation for remote plasma
US8956980B1 (en) 2013-09-16 2015-02-17 Applied Materials, Inc. Selective etch of silicon nitride
US8951429B1 (en) 2013-10-29 2015-02-10 Applied Materials, Inc. Tungsten oxide processing
US9576809B2 (en) 2013-11-04 2017-02-21 Applied Materials, Inc. Etch suppression with germanium
US9236265B2 (en) 2013-11-04 2016-01-12 Applied Materials, Inc. Silicon germanium processing
US9520303B2 (en) 2013-11-12 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Aluminum selective etch
US9245762B2 (en) 2013-12-02 2016-01-26 Applied Materials, Inc. Procedure for etch rate consistency
US9117855B2 (en) 2013-12-04 2015-08-25 Applied Materials, Inc. Polarity control for remote plasma
US9287095B2 (en) 2013-12-17 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor system assemblies and methods of operation
US9263278B2 (en) 2013-12-17 2016-02-16 Applied Materials, Inc. Dopant etch selectivity control
US9190293B2 (en) 2013-12-18 2015-11-17 Applied Materials, Inc. Even tungsten etch for high aspect ratio trenches
US9287134B2 (en) 2014-01-17 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Titanium oxide etch
US9396989B2 (en) 2014-01-27 2016-07-19 Applied Materials, Inc. Air gaps between copper lines
US9293568B2 (en) 2014-01-27 2016-03-22 Applied Materials, Inc. Method of fin patterning
US9385028B2 (en) 2014-02-03 2016-07-05 Applied Materials, Inc. Air gap process
US9499898B2 (en) 2014-03-03 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Layered thin film heater and method of fabrication
US9299575B2 (en) 2014-03-17 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Gas-phase tungsten etch
US9299537B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9299538B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9136273B1 (en) 2014-03-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Flash gate air gap
US9903020B2 (en) 2014-03-31 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components
US9269590B2 (en) 2014-04-07 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Spacer formation
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
US9847289B2 (en) 2014-05-30 2017-12-19 Applied Materials, Inc. Protective via cap for improved interconnect performance
US9378969B2 (en) 2014-06-19 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Low temperature gas-phase carbon removal
US9406523B2 (en) 2014-06-19 2016-08-02 Applied Materials, Inc. Highly selective doped oxide removal method
US9425058B2 (en) 2014-07-24 2016-08-23 Applied Materials, Inc. Simplified litho-etch-litho-etch process
US9378978B2 (en) 2014-07-31 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Integrated oxide recess and floating gate fin trimming
US9496167B2 (en) 2014-07-31 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean
US9159606B1 (en) 2014-07-31 2015-10-13 Applied Materials, Inc. Metal air gap
US9165786B1 (en) 2014-08-05 2015-10-20 Applied Materials, Inc. Integrated oxide and nitride recess for better channel contact in 3D architectures
US9659753B2 (en) 2014-08-07 2017-05-23 Applied Materials, Inc. Grooved insulator to reduce leakage current
US9553102B2 (en) 2014-08-19 2017-01-24 Applied Materials, Inc. Tungsten separation
US9355856B2 (en) 2014-09-12 2016-05-31 Applied Materials, Inc. V trench dry etch
US9355862B2 (en) 2014-09-24 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Fluorine-based hardmask removal
US9368364B2 (en) 2014-09-24 2016-06-14 Applied Materials, Inc. Silicon etch process with tunable selectivity to SiO2 and other materials
US9613822B2 (en) 2014-09-25 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity enhancement
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US9299583B1 (en) 2014-12-05 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Aluminum oxide selective etch
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US9502258B2 (en) 2014-12-23 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Anisotropic gap etch
US9343272B1 (en) 2015-01-08 2016-05-17 Applied Materials, Inc. Self-aligned process
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US9373522B1 (en) 2015-01-22 2016-06-21 Applied Mateials, Inc. Titanium nitride removal
US9449846B2 (en) 2015-01-28 2016-09-20 Applied Materials, Inc. Vertical gate separation
US9728437B2 (en) 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9881805B2 (en) 2015-03-02 2018-01-30 Applied Materials, Inc. Silicon selective removal
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US10062575B2 (en) 2016-09-09 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Poly directional etch by oxidation
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US9721789B1 (en) 2016-10-04 2017-08-01 Applied Materials, Inc. Saving ion-damaged spacers
US10062585B2 (en) 2016-10-04 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Oxygen compatible plasma source
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US9947549B1 (en) 2016-10-10 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Cobalt-containing material removal
US9768034B1 (en) 2016-11-11 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
US10242908B2 (en) 2016-11-14 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Airgap formation with damage-free copper
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10043684B1 (en) 2017-02-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Self-limiting atomic thermal etching systems and methods
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US10049891B1 (en) 2017-05-31 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Selective in situ cobalt residue removal
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
TWI716818B (zh) 2018-02-28 2021-01-21 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
JP6841462B1 (ja) * 2020-07-03 2021-03-10 奥野製薬工業株式会社 無電解めっき用触媒付与液
JP6950051B1 (ja) * 2020-07-22 2021-10-13 上村工業株式会社 無電解Ni−Pめっき用触媒液、および該触媒液を用いた無電解Ni−Pめっき皮膜の形成方法
CN113151811A (zh) * 2021-04-13 2021-07-23 赤壁市聚茂新材料科技有限公司 一种非钯活化镀镍液、镀镍方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT333564B (de) * 1973-08-15 1976-11-25 Du Pont Verfahren zum chemischen aufplattieren von nickel oder kobalt
US4019910A (en) * 1974-05-24 1977-04-26 The Richardson Chemical Company Electroless nickel polyalloy plating baths

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3226256A (en) * 1963-01-02 1965-12-28 Jr Frederick W Schneble Method of making printed circuits
US3431120A (en) * 1966-06-07 1969-03-04 Allied Res Prod Inc Metal plating by chemical reduction with amineboranes
US3532541A (en) * 1967-06-19 1970-10-06 Ibm Boron containing composite metallic films and plating baths for their electroless deposition
US3832168A (en) * 1971-12-13 1974-08-27 Shipley Co Metal finishing alloy of nickel-copperphosphorus
US4002778A (en) * 1973-08-15 1977-01-11 E. I. Du Pont De Nemours And Company Chemical plating process
US3959523A (en) * 1973-12-14 1976-05-25 Macdermid Incorporated Additive printed circuit boards and method of manufacture
DE2409251C3 (de) * 1974-02-22 1979-03-15 Kollmorgen Corp., Hartford, Conn. (V.St.A.) Verfahren zum katalytischen Bekeimen nichtmetallischer Oberflächen für eine nachfolgende, stromlose Metallisierung und Badlösungen zur Durchführung des Verfahrens
US4136216A (en) * 1975-08-26 1979-01-23 Surface Technology, Inc. Non-precious metal colloidal dispersions for electroless metal deposition
US4122215A (en) * 1976-12-27 1978-10-24 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Electroless deposition of nickel on a masked aluminum surface

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT333564B (de) * 1973-08-15 1976-11-25 Du Pont Verfahren zum chemischen aufplattieren von nickel oder kobalt
US4019910A (en) * 1974-05-24 1977-04-26 The Richardson Chemical Company Electroless nickel polyalloy plating baths

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Publication number Publication date
JPS6325518B2 (de) 1988-05-25
GB2043115A (en) 1980-10-01
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GB2043115B (en) 1983-05-11
FR2447130B1 (fr) 1988-02-05
JPS55102297A (en) 1980-08-05
DE3002166C2 (de) 1989-12-07
HK82884A (en) 1984-11-09
US4232060A (en) 1980-11-04

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