DE3002166A1 - Verfahren zur herstellung von gedruckten schaltungsplatten - Google Patents
Verfahren zur herstellung von gedruckten schaltungsplattenInfo
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Description
RICHARDSON CHEMICAL COMP. Case: 79"!208
BESCHREIBUNG
Die Erfindung betrifft ganz allgemein die Behandlung von Metallsubstraten mit dem Zweck, sie für die anschließende
stromlose Abscheidung von Metallen katalytisch zu machen und die besonders gut geeignet ist
für die stromlose Abscheidung von Nickel, Kobalt oder Nickel und/oder Kobalt enthaltenden Polylegierungen
auf Kupfer, das in Form eines elektronischen Schaltungsmusters zuvor auf ein nichtleitendes Substrat aufgebracht
worden ist. Einer besonders bevorzugten Ausführungsform zufolge betrifft die Erfindung die Herstellung
von gedruckten Schaltungsplatten oder Schaltkreisplatten, die weniger zur Ausbildung von Kurzschlüssen
neigen als die Schaltungsplatten, die ohne die Verwendung solcher katalytischer Lösungen hergestellt
worden sind.
Kupferplattierte Schaltungen neigen dazu, zu oxidieren,
so daß es äußerst erwünscht ist, das Kupfer mit einem dauerhafteren Metall überzuplattieren oder zu bedecken,
um in dieser Weise die Korrosionsbeständigkeit, die . Verschleißfestigkeit ober Abriebfestigkeit und die Lötbarkeit
oder Verbindbarkeit mit Aluminiumdraht oder Golddraht unter Ultraschalleinwirkung oder dergleichen
zu verbessern und gleichzeitig eine angemessene Leitfähigkeit aufrechtzuerhalten, oder diese zu verbessern.
Vorbekannte·Verfahrensmaßnahmen zur Ausbildung von überplattierungen
schließen galvanische Methoden ein, bei denen es erforderlich ist, jeden einzelnen Schaltkreis
der Schaltungsplatte elektrisch mit einer Stromquelle zu verbinden. Während die stromlose überplattierung
diese wenig effizienten Handhabungen nicht notwendig
macht und andere Nachteile der galvanischen Abscheidung
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RICHARDSON CHEMICAL COMP. Case: 791208
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vermeidet, wie die Ungleichmäßigkeit der überzüge,in Bereichen
der Platte, die von der Stromquelle relativ weit entfernt sind, und freiliegendes Kupfer an den Verbindungsstellen
der Elektrode, hat es sich gezeigt, daß diese stromlos aufgebrachten überplattierungen nicht gut
an Kupfer oder Kupferlegierungen anhaften.
Wenn die Kupferschaltung einer gedruckten Verdrahtungsplatte oder einer gedruckten Schaltungsplatte mit einer
Nickel-Phosphor- oder einer Nickel-Bor-Abscheidung überplattiert oder beschichtet wird, hat es sich im allgemeinen
als günstig erwiesen, die kupferbeschichteten Platten in ein Aktivatorbad einzutauchen, ohne sie später
zu spülen, um die kupferbeschichtete Platte mit einem schwach alkalischen Überzug zu versehen, bevor das überplattieren
mit Nickel in einem schwach sauren Bad für die stromlose Vernickelung durchgeführt wird. Die für
diesen Zweck bekannten Aktivatoren schließen ein Bad ein, das Dimethylamin-Boran als Aktivator für die Reduktion
von Nickel auf dem Kupfer enthält. Ein wesentlicher Nachteil dieser Verfahrensweise ist darin zu sehen,
daß die gesamte Plattenoberfläche, einschließlich der isolierenden Bereiche, aktiviert wird, so daß die
Reduktion des Nickels auch bezüglich jener Bereiche der Platte aktiviert wird, die nicht das Schaltungsmuster
für die Stromleitung aufweisen, was zur Folge hat, daß sich Kurzschlüsse oder Brücken ergeben, insbesondere,
wenn die isolierenden Bereiche Metallflecken aufweisen, die als Ausgangsstellen für die Plattierung wirken und
Brücken zwischen den Flecken und zwischen den Flecken und den Bereichen der Schaltung bilden.
Es wird angenommen, daß ein wesentlicher Grund für die unerwünschte Plattierung der Nichtschaltungs-Bereiche
in der Tatsache zu sehen ist, daß es nicht möglich ist,
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die Platte nach der Behandlung mit solchen Aktivatoren zu spülen, was überwiegend darauf beruht, daß eine solche
Spülmaßnahme im wesentlichen die Gesamtmenge des Aktivators wieder entfernen würde, bevor dieser seine Wirkung
zur Förderung der anschließenden galvanischen Abscheidung ausüben könnte. Häufig sind in die Oberfläche der
Platte Kupferflecken eingebettet, die nicht mit dem menschlichen Auge festgestellt werden können. Solche
Flecken, die zum Zeitpunkt der Uberplattierung mit Nickel oder ähnlichen Metallen in der Platte noch vorhanden
sind, wirken als Ausgangspunkte für die stromlose Metallabscheidung in Bereichen, die nicht in dem Schaltungsmuster liegen und die gegebenenfalls zu Kurzschlüssen
in der Schaltung führen können.
Ein weiterer Versuch, zur Verbesserung der stromlosen Uberplattierung von kupferbeschichteten Schaltungsplatten
mit Nickel oder dergleichen schließt die Anwendung von Bädern ein, die Materialien enthalten, die im allgemeinen
als Katalysatoren bekannt sind und die dazu dienen, die Kupferoberfläche für die stromlose Abscheidung von Metallen
besser aufnahmefähig zu machen. Ein bekannter Katalysator ist ein Palladiumchlorid-Tauchbad, das trotz einer
wirksamen Katalyse des Kupfers den Nachteil zeigt, daß die Haftung zwischen dem Kupfer und dem anschließend
stromlos abgeschiedenen Metall schlecht ist, was zur Folge hat, daß dann, wenn die in dieser Weise hergestellten
Schaltungen scharfen mechanischen Handhabungen oder Wärmeschocks unterworfen werden, wie dem während des Tauchlötens,
die leitende Schicht dazu neigt, sich von der nichtleitenden Unterlage abzulösen, Risse zu bilden in dieser
Weise die Schaltung zu unterbrechen. Nähere Einzelheiten
bezüglich der verwendeten Katalysatoren finden sich in den US-Patentschriften 3 226 256 und 3 431 120.
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Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht nun darin, ein Verfahren und ein Bad zur Verbesserung der stromlosen
Abscheidung von Metallen auf Kupfer, Kupferlegierungen oder dergleichen zu schaffen, mit dem es gelingt, eine
verbesserte Haftung der stromlos abgeschiedenen Metalle zu erreichen, die Neigung zur Bildung von Überbrückungen
oder Kurzschlüssen zu verringern und die Verfahrensweise zu vereinfachen.
Es wurde nunmehr gefunden, daß bestimmte Materialien wirksame Katalysatoren zur Förderung der Haftung von
Nickel, Kobalt oder Polylegierungen aus Nickel und/oder Kobalt an Kupferoberflächen, insbesondere jenen Kupferoberflächen,
die auf gedruckten Verdrahtungsplatten vorliegen,
die für die Herstellung von gedruckten Schaltungen verwendet werden, darstellen und es gleichzeitig ermöglichen,
durch einen SpülVorgang die überplattierung oder Abscheidung einer Deckschicht lediglich auf die
Metall tragenden Bereiche der Schaltungsplatte zu beschränken und auf den Bereichen, in denen Metall in der
Platte eingebettet ist, zu verhindern.
Gegenstand der Erfindung ist daher das Verfahren und das Bad gemäß den Patentansprüchen.
Die erfindungsgemäße Lehre besteht im wesentlichen darin,
daß man katalysierende Mittel oder Zubereitungen verwendet, die Nickel oder Kobalt und eine Quelle für ein zweites,
inhibierendes Metall, wie Zinn, Molybdän, Kupfer oder Wolfram, und ein Reduktionsmittel enthalten. Diese katalysierenden
Zubereitungen können auf eine Kupferoberfläche aufgetragen und gespült werden, wodurch sich eine katalytische
Schicht oder ein katalytischer Film bildet, der die stromlose überplattierung unter Verwendung eines Bades,
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aus dem Nickel oder Kobalt entweder allein oder in Kombination mit anderen Metallen abgeschieden werden, auf
dem Schaltungsmuster fördert, jedoch das überplattieren auf jenen Bereichen der Platte, die nicht innerhalb des
Schaltungsmusters liegen, erschwert oder verhindert.
Die Erfindung sei im folgenden näher unter Bezugnahme auf die Zeichnung und die nachfolgenden Beispiele erläutert:
In der Zeichnung zeigt die einzige Figur eine schematische Ansicht des Ablaufs des erfindungsgemäßen
Verfahrens und verdeutlicht die Produkte bei verschiedenen Herstellungsstufen.
Die erfindungsgemäß verwendeten Katalysatoren sind im allgemeinen polymetallische Formulierungen oder Zubereitungen
von die Abscheidung förderndem Nickel- und/ oder Kobaltmetall und von zweiten, sekundären oder inhibierenden
Metallen, wie Zinn, Molybdän, Kupfer und Wolfram. Als solche sind diese Katalysatoren mit den
Formulierungen für die stromlose Abscheidung von PoIylegierungen verwandt, die in der US-PS 4 019 910 beschrieben
sind, auf die hiermit ausdrücklich Bezug genommen sei. Typischerweise werden diese Formulierungen
in einem wäßrigen Bad verwendet, das zusätzlich ein Reduktionsmittel für stromlose Abscheidungsbäder enthält.
Diese Metalle können in Form von löslichen Salzen, halblöslichen Salzen, Estern oder in irgendeiner anderen
Form, die für stromlose Systeme geeignet ist, zugegeben werden. Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung
wird dem System als drittes Metall Bor in Form eines borhaltigen Reduktionsmittels zugesetzt.
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KECHARDSON CHEMICAL COMP.
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Die geeigneten Salze von Nickel oder Kobalt schließen die Sulfate, Chloride, Sulfamate oder Salze mit anderen
Anionen ein, die mit diesen stromlosen Systemen verträglich sind. Diese gleichen Anionen ergeben im
allgemeinen auch eine annehmbare Quelle für Salze der zweiten oder sekundären Metalle, wie beispielsweise
Zinn(II)-chlorid, Zinn(II)-fluoroborat, Natriumstannat,
Kupfer(I)-chlorid, Kupfer(I)-sulfat und Kupfer(II)-salze,
wenngleich es bevorzugt ist, diese zweiten oder sekundären Metalle in Form von Esterkomplexen mehrwertiger
Verbindungen einzusetzen, die man in üblicher Weise durch Umsetzen mit einer Sauerstoffsäure und
einer mehrwertigen Säure oder einem mehrwertigen Alkohol erhält. Diese Sauerstoffsäuren sind im allgemeinen
anorganische Säuren des betreffenden Metallkations, beispielsweise Wolframsäure, Molybdänsäure oder Borsäure.
Beispiele für mehrwertige Säuren oder mehrwertige Alkohole, die man hierfür verwenden kann, sind
Carbonsäuren oder Alkohole, die pro Molekül mindestens zwei Hydroxylgruppen und etwa 4 bis etwa 15 Kohlenstoffatome
aufweisen. Typische mehrwertige Verbindungen dieser Art sind Säuren, wie Weinsäure, Glukonsäure oder
Glukoheptonsäure, oder Alkohole, wie Mannit, 2,3-Butandiol oder 1,2,3-Propantriol. Von diesen verschiedenen
mehrwertigen Verbindungen sind die Carbonsäuren im allgemeinen bevorzugt, wobei Glukoheptonsäure besonders
bevorzugt ist. Die Esterkomplexe können und liegen in gewissen Fällen vorzugsweise in Form eines Polyesters
vor, das heißt in Form eines Esterkomplexes, den man durch Umsetzen von zwei oder mehr Molen der Sauerstoffsäure
mit einem Mol der mehrwertigen Verbindung erhält.
Esterkomplexe dieser allgemeinen Art bilden sich, und es wird im allgemeinen angenommen, daß sie in wäßriger
Lösung in Form einer im Gleichgewicht vorliegenden
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Komplexmischung existieren, in der das Kation der Sauerstoffsäure eine oder mehrere Esterbindungen
entweder mit den Hydroxylgruppen der mehrwertigen Verbindung oder mit einer Hydroxylgruppe und einer
Carbonsäuregruppe bildet, wenn die mehrwertige Verbindung eine Säure, beispielsweise Glukoheptonsäure,
ist. Es hat sich gezeigt, daß solche Esterkomplexe bei der Verwendung in den die katalysierende Zubereitung
enthaltenden Bädern ziemlich stabil sind.
Die die Katalysatorzubereitungen enthaltenden erfindungsgemäßen Bäder enthalten im allgemeinen ein Reduktionsmittel
für die in dem Bad enthaltenen Kationen. Wenngleich man Reduktionsmittel, wie Hydrazin, verwenden
kann, hat es sich als am vorteilhaftesten erwiesen, wenn man als Reduktionsmittel eine Borverbindung verwendet,
so daß dem System Borkationen zugeführt werden, die zusammen mit Nickel oder Kobalt und dem zweiten
Metall die Ausbildung der katalysierenden Schicht unterstützen. Hierzu kann man verschiedenartige borhaltige
Verbindungen verwenden, wobei man vorzugsweise solche einsetzt, die in den Bädern für die stromlose Abscheidung
von Nickel oder Kobalt als Reduktionsmittel wirken. Typische Beispiele hierfür sind Borhydride, Amin-Borane
oder niedrigalkylsubstituierte Amin-Borane, wie Dimethylamin- oder Diäthylamin-Boran. Im allgemeinen
sind von den verschiedenen einzusetzenden Borverbindungen die Alkylamin-Borane, insbesondere Dimethylamin-Boran,
bevorzugt.
Im allgemeinen besitzt das Bad, das die verschiedenen
Bestandteile in Kombination mit Wasser enthält und ein katalysierendes Bad darstellt, einen alkalischen
pH-Wert, wenngleich man auch schwach saure Bäder einsetzen kann. Typischerweise erstreckt sich der pH-Wert
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von 5,5 bis 13 und vorzugsweise von etwa 8 bis etwa Die Anwendungstemperaturen liegen von Raumtemperatur
bis zu der Siedetemperatur des Bades, wobei sich ein typischer Temperaturbereich von etwa 20 bis etwa 100 0C
erstreckt. Diese Bäder können im allgemeinen als Bäder für die stromlose Abscheidung oder Plattierung von PoIylegierungen
verwendet werden, wobei ihre Katalysewirkung teilweise dadurch erreicht wird, daß man relativ niedrige
Konzentrationen der wirksamen Bestandteile anwendet und daß man die Zeitdauer begrenzt, während der der mit
dem Katalysator zu behandelnde Gegenstand in dem Bad verbleibt. Ganz allgemein können Bäder hergestellt werden,
die die aktiven Wirkstoffe in Konzentrationen enthalten, die etwa einem Zehntel der Konzentration von
Plattierungsbädern entsprechen. Die Zeitdauer ist so
bemessen, daß der Katalysator einen überzug oder eine Schicht in einem solchen Ausmaß ausbildet, daß die
Oberfläche mit "Keimen", typischerweise mit einer tertiären Polylegierung, versehen wird, wobei sich eine
Schicht oder ein Film bildet, der nicht notwendigerweise mit dem bloßen Auge festgestellt werden kann,
jedoch selbst nach dem Spülen des in das Bad eingetauchten Substrats als Katalysator wirkt. Im allgemeinen
erfolgt das Eintauchen in das katalysierende Bad während etwa 10 bis 90 Sekunden und im allgemeinen während
nicht mehr als 60 Sekunden bei etwa 0,00254 mm/h, 0 wobei die geeignete Zeitdauer und die Abscheidungsgeschwindigkeit
von dem speziellen eingesetzten Katalysatorsystem, der Badtemperatur, dem pH-Wert des Bades
und der Zusammensetzung des überzuplattierenden Materials abhängt.
Die mit Hilfe der erfindungsgemäßen Formulierungen bereiteten
Plattierungsbäder können gewünschtenfalls die
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herkömmlichen Badadditive enthalten, die üblicherweise
in Bädern für die stromlose Plattierung oder Abscheidung verwendet werden= Beispiele hierfür sind
Badstabilisatoren, wie schwefelhaltige Verbindungen,
wie Thioharnstoff, sowie Mittel zur Steuerung des pH-Wertes, wie Säuren oder Basen, Komplexierungsmittel
für die in dem Bad gehaltenen Metallionen, wie Ä'thylendiamintetraessigsäure,
Kaliumpyrophosphat oder Polyamine oder Mittel, mit denen Sulfidionen unter Kontrolle gehalten
werden, wie Blei. Man kann auch Puffer zusetzen, um die pH-Stabilität des Bades zu verbessern.
Bei der Anwendung der erfindungsgemäßen Verfahrensweise wird ein Metallsubstrat, das normalerweise für die
stromlose Abscheidung von Nickel oder Kobalt nicht geeignet ist, katalytisch gemacht, wodurch es gelingt,
dieses Metallsubstrat stromlos mit Nickel oder Kobalt zu beschichten. Diese Verfahrensweise schließt nicht
nur das Katalysieren oder Aktivieren der Oberfläche und die Verbesserung der Haftung des Nickels oder des
Kobalts an dem überbeschichteten Metall ein, sondern ermöglicht auch das Spülen des Substrats nach dem Aufbringen
des katalytischen Überzugs, um hierdurch die Qualität der gebildeten Produkte zu verbessern.
Im folgenden sei die erfindungsgemäße Verfahrensweise
unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert, in der ganz allgemein das Katalysieren und überplattieren
einer kupferbeschichteten Platte, die mit der Bezugsziffer 11 bezeichnet ist, beschrieben ist, die unter
Anwendung herkömmlicher Plattierungstechniken in den plattierten Bereichen mit Kupfer in einer Menge von
etwa 76,3 g/m2 (1/4 ounce per square foot) beschichtet worden ist. Nach diesen herkömmlichen Plattierungstechniken
erhält man eine kupferbeschichtete Platte mit
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Hilfe eines Verfahrens, das darin besteht, Kupfer von einer Platte 12 in jenen Bereichen zu entfernen, die
nicht innerhalb des Schaltungsmusters 13 liegen, was zur Folge hat, daß im allgemeinen Kupferflecken oder
-teilchen 14 auf der Oberfläche der Platte 12, und häufig
in diese Oberfläche eingebettet, vorliegen.
Die (nicht dargestellten) herkömmlichen Verfahrensweisen können das Versehen der Platte, beispielsweise
einer Epoxy-Fiberglas-Platte, mit Kupfer umfassen, worauf Löcher 15 gebohrt werden können, wonach ein Abdecklack
aufgetragen und Kupfer auf der Platte abgeschieden werden können. Die Kupferabscheidung kann
stromlos erfolgen, wenngleich die Zeitdauer zur Ausbildung einer Abscheidung in ausreichender Dicke verkürzt
werden kann, wenn man nach der stromlosen Kupferabscheidung eine galvanische Abscheidung von Kupfer
durchführt. Dann entfernt man durch Ätzen, Abheben oder dergleichen das auf die Nichtschaltungsbereiche
der Platte 12 abgeschiedene Kupfer, so daß ein isoliertes
Schaltungsmuster auf der kupferbeschichteten Platte 11 zurückbleibt.
Die dann durchgeführte übliche Behandlung, die in der Zeichnung nicht dargestellt ist, kann das Reinigen der
kupferbeschichteten Platte in einem schwach alkali-0 sehen Reinigungsbad während etwa 5 Minuten bei einer erhöhten
Temperatur einschließen, bei der die oberflächenaktiven Mittel in dem Bad nicht geschädigt werden. Nach
dem Spülen mit Wasser zur Entfernung restlichen mitgeschleppten Materials werden die Platten häufig entwe-5
der mechanisch gebürstet oder in ein Ätzmittel, wie eine Ammoniumpersulfatlösung mit einer Konzentration
von etwa 120 g/l (1 pound per gallon) eingetaucht, um die Oberflächenoxide abzuätzen und das Kupfer für die -
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anschließende Abscheidung zu aktivieren, welche Maßnahmen
üblicherweise von einem Spülvorgang mit Leitungswasser oder dergleichen gefolgt wird. Anschließend
wird die kupferbeschichtete Platte üblicherweise in eine Säure eingetaucht, um sicherzustellen, daß
restliche Materialien von der Oberfläche entfernt und das Kupfer reaktiviert werden. Zu diesem Zweck kann
man ein Mineralsäurebad, wie eine 1Oprozentige Schwefelsäurelösung,
oder ein trockenes saures Salz, wie Natriumbisulfat, verwenden, worauf man während etwa
1 Minute mit beispielsweise entionisiertem Wasser spült. Selbst wenn die kupferbeschichtete Platte 11
einer dieser Nachbehandlungen unterworfen wird, verbleiben die restlichen Flecken oder Teilchen von
Kupfer außerhalb des Schaltungsmusters 13 auf dem Bereich 12 der Platte.
Die kupferbeschichtete Platte 11 wird mit dem erfindungsgemäßen
Katalysator mit dem Ziel behandelt, auf ihrer Oberfläche eine katalysierende Schicht zu bilden,
um, ganz allgemein, die Kupferoberfläche mit Keimen zu
versehen, die in Form einer monomolekularen Schicht vorliegen können. Typischerweise umfaßt diese Behandlungsmaßnahme
das Eintauchen der Platte 11 in ein Bad 16,
das den erfindungsgemäß verwendeten Katalysator enthält. Diese Behandlungsmaßnahme sollte nicht so lange dauern,
0 daß tatsächlich eine stromlose Plattierung erfolgt, sollte jedoch so lange dauern, daß ein angemessener
katalytisch wirksamer überzug 17 auf der Platte gebildet wird. Wenn man die Tauchmethode anwendet, arbeitet man
bei typischen Zeitdauern von etwa 10 bis etwa 60 Sekunden, wobei die geeignetste Tauchdauer von den verwendeten
Katalysatorsystemen, der Temperatur des Bades, dem pH-Wert des Bades, dem verwendeten Reduktionsmittel
und den Eigenschaften der kupferbeschichteten Platte
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abhängt.
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Die Behandlungszeit mit dem Katalysator hängt in gewissem Ausmaß auch von der Temperatur des Bades, in
dem der Katalysator verwendet wird, ab, wobei diese Temperatur sich typischerweise von etwa 20 0C bis zum
TO Siedepunkt oder etwa 100 0C erstreckt, wobei die bevorzugten
Temperaturbereiche innerhalb dieses Bereiches in Abhängigkeit von dem in dem Bad enthaltenen
besonderen Reduktionsmittel variieren können.
Nach der Behandlung mit dem Katalysator wird die behandelte Platte gespült, was in der Zeichnung mit
Hilfe der Sprühdüse 18 dargestellt ist, wenngleich man auch andere Vorrichtungen und Methoden für das
Spülen verwenden kann, wie das Hindurchführen der Platte durch ein Wasserbad während einer sehr kurzen Zeitdauer.
Diese Spülbehandlung führt zu keiner wesentlichen Beeinträchtigung der durch den Katalysator auf dem
Schaltungsmuster 13 oder den Metallteilchen oder -flecken 14 gebildeten katalytischen Oberfläche, wenngleich bei
diesem Spülvorgang die Gesamtmenge der Plattierungslösung insbesondere von der isolierenden Platte 12,
die nicht mit Keimen versehen oder katalysiert wird, fortgewaschen werden, wobei nur die Metallbereiche mit
Keimen versehen werden. Es ist dann möglich, die ge-0 spülte Platte 17 in weitere Bäder einzuführen, selbst
Hypophosphit enthaltende Bäder, was nicht möglich ist, wenn man anstelle der erfindungsgemäßen Katalysatoren
Aktivatorlösungen verwendet, die beispielsweise Dimethylamin-Boran
enthalten.
Es hat sich gezeigt, daß man bei der Durchführung der erfindungsgemäßen Verfahrensweise die Katalysatoren in
Kombination mit diesem sich anschließenden Spülvorgang
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kombinieren kann, so daß eine katalysierende Abscheidung durch Keimbildung auf dem Schaltungsmuster
gebildet wird, wodurch dieses mit aktiven Stellen versehen wird, während gleichzeitig in jenen Oberflächenbereichen
12 der Platte, die nicht innerhalb des Schaltungsmusters 13 liegen, eine Förderung der
Abscheidung vermieden und typischerweise eine Abscheidung verhindert werden. Als Ergebnis wird nach
dem stromlosen Überplattieren der Katalysatorschichten
mit Nickel, Kobalt oder eines oder beides dieser Elemente enthaltenden Polylegierungen die stromlose
Überplattierung selektiv lediglich auf dem mit den Keimen versehenen Metall abgeschieden und breitet
sich nicht auf der isolierenden Platte aus, indem plattierte Brücken zwischen Flecken und/oder dem
Schaltungsmuster ausgebildet werden, welches unerwünschte Ausbreiten normalerweise durch die Flecken
in den mit Hilfe anderer Systeme katalytisch gemachten Plattenbereichen ausgelöst wird. In dieser Weise
kann man gedruckte Schaltungsplatten oder Verdrahtungsplatten mit genau überplattiertem Schaltungsmuster
herstellen, die keine wesentlichen übermäßigen Abscheidungen außerhalb des Schaltungsmusters aufweisen, die
häufig zu Kurzschlüssen in dem Schaltungsmuster und im allgemeinen zu einer unerwünschten Steigerung der
Leitfähigkeit der Platte 12 außerhalb des Schaltungsmusters führen können.
Die bei dem Spülvorgang verwendeten Spüllösungen sind typischerweise wäßrige Lösungen, wobei der Spülvorgang
während einer ausreichend langen Zeitdauer durchgeführt werden sollte, um die Wirkung des Katalysators während
des Tauchvorgähgs in den Nichtschaltungsbereichen signifikant
zu vermindern. Die angestrebte maximale Spül-
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dauer hängt ganz allgemein von der Einfachheit der Verfahrensweise und wirtschaftlichen Gründen ab, wobei
lange Spüldauern kostspielig sind. Im allgemeinen führen lang dauernde Spülvorgänge nicht zu einer Verminderung
des Ausmaßes der katalytischen Wirkung der Oberflächen, da mehr eine Veränderung der Oberflächen
erfolgt als daß eine durch Spülen wieder zu entfernende
Schicht oder ein durch Spülen zu entfernender Film abgeschieden
wird. Die katalytische Oberfläche wird lediglich durch Abätzen oder durch anderweitiges Entfernen
des Kupfers oder des entsprechenden Materials von äer Platte beseitigt. Man kann mehrere Spülvorgänge
durchführen und kann diese in einem ruhenden Bad, in einem bewegten Bad oder dergleichen durchführen.
Die Spülzeiten hängen in gewissem Ausmaß von den Eigenschaften der Platten, der Materialien und anderen
physikalischen Bedingungen ab und davon, ob die Spüllösung bewegt oder unbewegt ist, wobei typische
Spülzeiten sich im allgemeinen von etwa 2 Sekunden bis etwa 45 Sekunden pro Spülvorgang erstrecken.
Die bevorzugten Spülzeiten hängen von dem verwendeten Katalysator, dem Ausmaß, in dem der Katalysator vor
dem Spülen an dem Kupfer anhaftet und dem Lösungsvermögen des verwendeten Spülmittels ab. Im allgemeinen
ist ein kaltes Wasser umfassendes Spülmittel, wie Leitungswasser oder entionisiertes Wasser mit Raumtemperatur,
bevorzugt, überwiegend wegen der guten Verfügbarkeit und der geringen Kosten des Wassers. Gewünschtenfalls
kann man Netzmittel zusetzen, vorausgesetzt, daß sie das sich anschließende stromlose Plattieren
nicht beeinträchtigen.
Nachdem der erfindungsgemäße Spülvorgang durchgeführt worden ist, kann man den selektiven Vorgang der stromlosen
Plattierung durchführen. Die erfindungsgemäß ge-
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bildeten katalytischen Schichten oder Filme sind besonders
gut aufnahmefähig für stromlos abgeschiedenes Nickel oder Kobalt, wobei man eine Vielzahl von
Bädern verwenden, kann, wie Nickel-Phosphor-Bäder, stromlose Bäder für die Abscheidung von Kobalt oder
Bäder für die Abscheidung von Polylegierungen, einschließlich der Bäder, die in der US-PS 4 019 910
angegeben sind. Die gespülte Platte 17 wird in herkömmlicher Weise stromlos plattiert, beispielsweise
in einem Plattierungsbad 19, was zur Folge hat, daß eine Deckschicht oder Überplattierungsschicht 20 auf
dem Kupfer-Schaltungsmuster 13 ausgebildet wird, so daß man eine überdeckte Schaltungsplatte 21 erhält,
die in der Zeichnung aus dem Bad 19 austritt, die im wesentlichen keine Uberplattierungsabscheidungen außerhalb
des genauen Schaltungsmusters 13 aufweist, mit der Ausnahme von kleinen Flecken 22, die katalysiert
und überplattiert worden sind, die sich jedoch nicht zu einer Brücke oder einem Kurzschlußweg ausgedehnt
haben, wobei die Flecken 14 und 22 zur besseren Verdeutlichung vergrößert dargestellt sind.
Das Bad 19 für die stromlose Plattierung oder Abscheidung kann eine Quelle für Nickelkationen oder Kobaltkationen,
eine Quelle für andere Metallkationen, wenn eine Polylegierung abgeschieden werden soll, ein Mittel
zur Einstellung des pH-Wertes, ein Reduktionsmittel, ein Komplexierungsmittel, Wasser, Badstabilisatoren,
Sulfidionenabfänger und andere geeignete Badbestandteile enthalten. Einzelheiten bezüglich dieser verschiedenen
Bestandteile und der für diese Bäder geeigneten Anwendungsbedingungen finden sich in der
US-PS 4 019 910. Ein typisches Bad für die stromlose
Nickel-Phosphor-Abscheidung ergibt im allgemeinen einen binären überzug aus etwa 88 bis 95 Gew.-% Nickel und
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etwa 12 bis 5 Gew.-% Phosphor.
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Gewünschtenfalls und insbesondere dann, wenn man gedruckte
Schaltungsplatten mit hoher Qualität herstellen will, ist es üblicherweise nach der Durchführung
von einem oder mehreren Spülvorgängen möglich, die Deckschicht aus Nickel, Kobalt oder der Polylegierung
mit einem anderen Metall, wie Gold, überzuplattieren,
um die Lötbarkeit und die Korrosionsbeständigkeit der Schaltung zu verbessern. Wenn die Endplattierung beendet
ist, läßt man das erfindungsgemäß hergestellte Substrat, wie die gedruckte Schaltungsplatte oder Verdrahtungsplatte,
trocknen, oder trocknet sie mit Hilfe irgendeiner gewünschten Trocknungsmethode.
Wenngleich die Erfindung nicht durch theoretische überlegungen eingeschränkt werden soll, wird angenommen,
daß die Anwesenheit von Metallen, die im allgemeinen als Inhibitoren angesprochen werden, insbesondere von
Molybdän, Wolfram oder Zinn als zweite Metalle oder Sekundärmetalle, die Abscheidung des Nickels oder des
Kobalts in dem Katalysator unterstützt, wodurch die sonst nicht katalytischen Oberflächen, insbesondere
die Kupferschaltungsmuster, katalytisch gemacht werden. Es wird angenommen, daß die Kombination von Nickel oder
Kobalt mit den inhibierenden zweiten Metallen die erfindungsgemäß erreichten katalytischen Eigenschaften
ergibt, indem die sonst nicht katalytische Oberfläche mit Keimen versehen und in dieser Weise selbst katalytisch
gemacht wird, als daß lediglich die Oberfläche mit einer Schicht oder einem Film bedeckt wird, die
bzw. der während des sich anschließenden Spülvorgangs abgewaschen wird. Es wird angenommen, daß diese besondere
erfindungsgemäße Kombination den Abscheidungswirkungsgrad des Systems in einem solchen Ausmaß steigert,
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-23- 300216
daß sich auf der zuvor nicht katalytischen Oberfläche
tatsächlich eine katalytische Oberfläche bildet. Nachdem eine solche katalytische Oberfläche gebildet worden
ist, ist es möglich, diese stromlos mit einer Überzugsschicht zu versehen oder zu plattieren, indem die
Überplattierungsreaktion hierdurch gefördert oder unterstützt wird, wobei die katalysierte Oberfläche für die
Abscheidung wesentlich empfänglicher ist als die ursprüngliche nicht katalytische Oberfläche, insbesondere,
wenn die Deckschicht aus einer Polylegierung besteht. Die Bestandteile des Systems wirken daher in wirksamer
Weise zusammen derart, daß das System mit Erfolg eine nichtkatalytische Oberfläche in eine katalytische Oberfläche
umwandelt.
Bezüglich des Mechanismus1, gemäß dem der Katalysator
das Schaltungsmuster für das überplattieren empfänglicher macht, wird angenommen, daß eine galvanische
Initiierungsreaktion bei der Ausbildung der Überplattierungsoberflache
eine Rolle spielt. Ganz allgemein wandelt der Katalysator die Kupferoberfläche in dem
Ausmaß um, daß diese für den sich anschließenden Überplattierungsvorgang katalytisch gemacht wird. Das dabei
erreichte Ergebnis ist darin zu sehen, daß das Kupfer des Schaltungsmusters bevorzugt katalytisch gemacht
wird.
Es wird angenommen, daß die erfindungsgemäß erreichbaren
Ergebnisse durch die Zugabe von Bor zu dem verwendeten Katalysator noch gesteigert werden können, welche
Zugabe am besten4 unter Verwendung eines borhaltigen Reduktionsmittels
erfolgen kann.
Es ist weiterhin möglich, daß physikalische Wirkungen
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der verschiedenen bei der erfindungsgemäßen Verfahrensweise
verwendeten Materialien zu diesem Effekt beitragen. Beim Eintauchen in das Katalysatorbad
wird die gesamte Platte benetzt, wobei jedoch die Oberflächentexturen der Platte innerhalb und außerhalb
des Schaltungsmusters sich voneinander unterscheiden, was zur Folge hat, daß die Effekte des sich
anschließenden Spülvorgangs auf die Zusammensetzung des auf der Platte zurückgebliebenen Katalysators
ebenfalls verschieden sind.
Die die Katalysatoren enthaltenden erfindungsgemäßen Bäder reagieren typischerweise alkalisch. Es wird angenommen,
daß das Arbeiten bei einem pH-Wert von niedriger als 5,5 zur Ausbildung von Brücken oder zu
einem Plattieren zwischen den Bereichen des Schaltungsmusters führen kann, während ein zu hoher pH-Wert,
beispielsweise ein pH-Wert von oberhalb etwa 13, unnötig ist. Der bevorzugte pH-Wert liegt im Bereich von
etwa 8 bis etwa 11. Die Konzentration der die Abscheidung fördernden Metalle, wie Nickelverbindungen, in
dem erfindungsgemäßen Bad liegt im Bereich von etwa 0,001 bis etwa 0,3 Mol pro Liter und üblicherweise
im Bereich von etwa 0,002 bis etwa 0,125 Mol pro Liter. Ein typischer Konzentrationsbereich für die zweiten
Metalle oder Sekundärmetalle, wie die Zinnverbindungen innerhalb der erfindungsgemäßen Bäder, erstreckt sich
von etwa 0,001 bis etwa 0,5 Mol pro Liter und im allgemeinen von etwa 0,002 bis etwa 0,250 Mol pro Liter.
Die Konzentrationen des Reduktionsmittels, wie von Dimethylamin-Boran, können zwischen etwa 0,001 und
0,2 Mol pro Liter und üblicherweise zwischen etwa 0,002 und 0,1 Mol pro Liter liegen. Die Obergrenzen
der verschiedenen Bestandteile hängen lediglich von wirtschaftlichen Gründen und der Löslichkeit ab, wobei
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die Untergrenzen durch die minimale Wirksamkeit gegeben sind.
Wenngleich die Zeichnung und die Beschreibung sich überwiegend auf die Herstellung von gedruckten Schaltungsplatten
beziehen, läßt sich die Erfindung auch ganz allgemein dazu anwenden, eine Metalloberfläche,
insbesondere eine Kupferoberfläche, für die sich anschließende Überplattierung mit Nickel, Kobalt oder
diese Metalle enthaltenden Polylegierungen katalytisch zu machen» Die mit Hilfe der erfindungsgemäßen Verfahrensweise
hergestellten Produkte können Schaltungsplatten sein, die elektrische Schaltungskomponenten für
Spiele, Uhren oder für Magnetspeicher von Computern tragen können. Diese Schaltungsplatten können auf
beiden Seiten aufgedruckte Schaltungen aufweisen, die mit Hilfe von durchplattierten Löchern verbunden
sein können.
Die folgenden Beispiele dienen der weiteren Erläuterung der Erfindung.
Man bereitet ein Katalysator-Tauchbad, das 0,01 Mol pro Liter Molybdänester von Glukonsäure, 0,05 Mol pro
Liter Nickelsulfat, 0,1 Mol pro Liter Kaliumpyrophosphat als Puffer und als Komplexierungsmittel und
0,004 Mol pro Liter Dimethylamin-Boran als Reduktionsmittel enthält. Der pH-Wert des Bades beträgt 9,0 und
man arbeitet bei einer Betriebstemperatur von 40 0C.
Mit Hilfe dieses Bades erhält man einen anhaftenden katalytischen Film auf Kupferlegierungen, die dann
stromlos mit Nickel überplattiert werden. In dieser
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Weise erhält man gedruckte Schaltungsplatten mit einer verbesserten Haftung zwischen dem Kupfer und dem nickelhaltigen
Decküberzug. Die Anwendung der in dieser Weise hergestellten gedruckten Schaltungsplatten zeigt, daß
sie bei der Verwendung weniger stark zur Bildung von Kurzschlüssen neigen.
Unter Anwendung der Verfahrensweise von Beispiel 1 verwendet man ein weiteres Katalysatorbad, das 0,005
Mol pro Liter des Wolframesters der Glukoheptonsäure, 0,02 Mol pro Liter Nickelsulfat, 0,05 Mol pro Eiter
Kaliumpyrophosphat, 0,04 Mol pro Liter Dimethylamin-Boran und als Rest im wesentlichen Wasser enthält. Man
wendet das Bad bei einem pH-Wert von 9,0 und einer Betriebstemperatur
von 40 0C an.
Ein weiteres erfindungsgemäßes Bad, das nach der Verfahrensweise
von Beispiel 1 hergestellt worden ist
■ und ein geeignetes Katalysatorbad darstellt, enthält 0,2 Mol pro Liter des Wolframesters der Glukoheptonsäure,
0,1 Mol pro Liter Nickelsulfat, 0,06 Mol pro Liter Dimethylamin-Boran und 1 ppm Thioharnstoff. Das
Bad besitzt einen pH-Wert von 9,6 und eine Arbeitstemperatur von 90 0C und ergibt einen katalytischen Film,
der 77,4 Gew.-% Nickel, 20,0 Gew.-% Wolfram und 2,6 Gew.-% Bor enthält.
Ein weiteres geeignetes erfindungsgemäßes Katalysatorbad
umfaßt entionisiertes, mit Kohlenstoff behandeltes
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und filtriertes Wasser, das 0,2 Mol pro Liter des Wolframesters der Glukoheptonsäure, 0,1 Mol pro Liter
Nickelsulfat, 0,025 Mol pro Liter Zinn (II)-Chlorid,
0,06 Mol pro Liter Dimethylamin-Boran und 1 ppm Thioharnstoff
enthält. Das Bad wird bei einer Betriebstemperatur von 90 0C und einem pH-Wert von etwa 7,5 betrieben.
Dieses Bad ergibt einen katalytischen Film, dessen Analyse einen Gehalt von 77,9 Gew.-% Nickel, 16,0 Gew.-'
Wolfram, 4,2 Gew.-% Zinn und 1,9 Gew.-% Bor aufweist.
Nickel-Zinn-Bor
Ein geeignetes wäßriges Katalysatorbad enthält 0,1 Mol pro Liter Nickelsulfat, 0,1 Mol pro Liter Zinndichlorid,
0,06 Mol pro Liter Dimethylamin-Boran, 0,2 Mol pro Liter Kaliumpyrophosphat, 1 ppm Thioharnstoff und
0,1 Mol pro Liter des Diboresters von Glukoheptonsäure, den man dadurch erhält, daß man etwa 2 Mol Borsäure
und 1 Mol Natriumglukoheptonat in ein etwa 600 ml Wasser als Lösungsmittel enthaltendes Veresterungsgefäß
einführt und das Material während 3 0 Minuten bei etwa 25 0C rührt, worauf man es mit zusätzlichem Wasser auf
ein Endvolumen von 1 Liter verdünnt. Mit diesem Bad erhält man einen katalytischen Film, dessen Analyse in
Form einer dickeren Abscheidung 92,8 Gew.-% Nickel, 6,1 Gew.-% Zinn und 1,1 Gew.-% Bor anzeigt.
Man bildet ein wäßriges Katalysatorbad, das 0,001 Mol pro Liter eines Molybdänesters der Glukoheptonsäure,
0,1 Mol pro Liter Nickelsulfat, 0,06 Mol pro Liter Dimethylamin-Boran und 0,3 Mol pro Liter Milchsäure enthält
und das bei einem pH-Wert von 10,0 und einer Be-
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triebstemperatur von 90 0C eingesetzt wird. Dieses
Bad ergibt einen katalytischen Film, dessen Analyse in Form einer dickeren Abscheidungsschicht 79,8 Gew.-%
Nickel, 20 Gew.-% Molybdän und 0,2 Gew.-% Bor ergibt.
Nickel-Molybdän-Kupfer-Bor
Man bereitet ein Katalysatorbad durch Zugabe der nachstehend angegebenen Bestandteile zu entionisiertem,
mit Kohlenstoff behandeltem und filtriertem Wasser: 0,001 Mol pro Liter des Molybdänesters von Glukoheptonsäure,
0,1 Mol pro Liter Nickelsuflat, 0,0005 Mol pro Liter Kupfersulfat, 0,06 Mol pro Liter Dimethylamin-Boran
und 0,3 Mol pro Liter Milchsäure. Man arbeitet bei einer Betriebstemperatur von 90 °C und einem
pH-Wert von 10. Die Analyse dieses Bades zeigt, daß es einen Überzug aus 77,87 Gew.-% Nickel, 20 Gew.-% Molybdän,
1,8 Gew.-% Kupfer und 0,33 Gew.-% Bor ergibt.
Beispiel 8
Nickel-Zinn-Bor
Man bereitet ein zinnhaltiges Katalysatorbad durch Zugabe von 0,001 Mol pro Liter Nickelionen, 0,02 Mol pro
Liter des Natriumstannat(4wertig)-Komplexes von Glukonsäure
und 0,02 Mol pro Liter Dimethylamin-Boran zu Wasser. Man erhält ein sehr ähnliches Bad, wenn man
0 0,002 Mol pro Liter Dimethylamin-Boran zugibt.
Beispiel 9
Nickel-Zinn-Bor
Ein weiteres geeignetes Katalysatorbad enthält 0,001 Mol pro Liter des Stannatesters der Glukoheptonsäure,
0,1 Mol pro Liter Nickelsulfat, 0,06 Mol pro Liter Dimethylamin-Boran und 0,3 Mol pro Liter Milchsäure
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und wird bei einer Betriebstemperatur von 9 0 0C und
einem pH-Wert von 10,0 eingesetzt.
Ein wäßriges Katalysatorbad für die anschließende Überplattierung mit Kobalt enthält 0,2 Mol pro Liter des
Wolframesters der Glukoheptonsäure, 0,1 Mol pro Liter Kobaltsulfat, 0,06 Mol pro Liter Dimethylamin-Boran
und 1 ppm Thioharnstoff. Der Betriebs-pH-Wert dieses
Bades beträgt etwa 9,6 bei einer Temperatur von etwa
90 0C, wobei die Analyse der Beschichtung etwa 81 Gew.-%
Kobalt, 18 GeWo-% Wolfram und 1 Gew.-% Bor anzeigt.
Nach dem·Aufbringen eines katalysierenden Films mit
Hilfe dieses Bades kann man das Überplattieren mit Kupfer unter Anwendung eines ähnlichen Bades erreichen.
Man kann ein Bad zum Katalysieren von Kupfer herstellen, das 0,1 Mol pro Liter des Molybdänesters der Glukonsäure,
0,1 Mol pro Liter Kobaltsulfat und 0,28 Mol pro Liter Natriumhypophosphit enthält. Bei einem pH-Wert
von 10,0 und einer Betriebstemperatur von 90 0C erhält man einen katalysierenden Film, der etwa 92,9 Gew.-%
Kobalt, 1,1 Gew.-% Molybdän und 6 Gew.-% Phosphor enthält.
Gewünschtenfalls ist die Badformulierung dazu geeignet, diesen katalytischen überzug nach dem Spülen mit
kaltem Wasser zu beschichten, was typischerweise eine Steigerung der Plattierungsgeschwindigkeit auf etwa
0,0051 bis 0,0076 mm pro Stunde (0,2 bis 0,3 mil/Stunde) und das Reduzieren des pH-Wertes auf einen sauren Wert
umfaßt.
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Beispiel 12
Kobalt-Z inn-Bor
Kobalt-Z inn-Bor
Man bereitet ein wäßriges Katalysatorbad, das 0,1 Mol pro Liter Kobaltsulfat, 0,2 Mol pro Liter eines Natriums
tannat-Komplexes der Glukonsäure und 0,4 Mol pro Liter Dimethylamin-Boran enthält. Die Betriebstemperatur
beträgt 60 0C bei einem pH-Wert von etwa
Nachdem man irgendeines der in den Beispielen 1 bis beschriebenen Katalysatorbäder dazu verwendet hat,
einen katalytischen Film auf einem Kupfersubstrat auszubilden, das während etwa 45 Sekunden in dem Bad belassen
worden ist, und nach dem zweimaligen Spülen dieses Films mit Wasser während 15 Sekunden kann man
stromlos Nickel unter Verwendung eines wäßrigen Bades abscheiden, das 0,1 Mol pro Liter Nickelsulfat, 0,2 Mol
pro Liter Citronensäure und 0,17 Mol pro Liter Natriumhypophosphit enthält. Der Arbeits-pH-Wert dieses Bades
liegt zwischen etwa 4,5 und 5,0 bei einer Temperatur von 90 0C und man erreicht eine Plattierungsgeschwindigkeit
von etwa 10 μΐη/min, die während etwa 10 bis
20 Minuten aufrechterhalten wird. Dann ist die überplattierung im allgemeinen vollständig, wobei keine
Brückenbildung oder eine Verbindung der Kupferflecken auf der Platte beobachtet werden kann.
Nachdem man kupferkaschierte oder kupferbeschichtete Substrate in eines der in den Beispielen 1 bis 9 beschriebenen
Katalysatorbäder während etwa 45 Sekunden eingetaucht hat, um sie mit einem katalytischen Film
zu versehen, und sie dann zweimal mit fließendem Wasser
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gespült hat, kann man stromlos eine Nickel-überplattierung
bei etwa 40 0C und einem pH-Wert von etwa 5,0 bei Verwendung eines wäßrigen Bades ausbilden,
das 0,1 Mol pro Liter Nickelsulfit, 0,25 Mol pro Liter Bernsteinsäure, 0,4 Mol pro Liter Dimethylamin-Boran
enthält. Anschließend führt man zwei Spülungen mit fließendem Wasser durch und bewirkt eine überplattierung
mit einem stromlosen Vergoldungsbad bei 63 0C und einer Plattierungsgeschwindigkeit von etwa 1 um pro
Minute.
-u-
Leerseite
Claims (23)
- 30021s. Dr. K.Patentanwälte Dipl.-Ing. H. Weickmann, Dipl.-Phys. Dr. K. FinckeDipl.-Ing. F. A.Weickmann, Dipl.-Chem. B. Huber Dr.-Ing. H. Liska8 MÜNCHEN 86, DENPOSTFACH 860 820MÖHLSTRASSE 22, RUFNUMMER 98 39 21/22HtM/ei Case: 791208RICHARDSON CHEMICAL COMPANY2400 East Devon Ave., Des Piaines, Illinois 60018U. S. A.Verfahren zur Herstellung von gedruckten SchaltungsplattenPATENTANSPRÜCHE(1. Werfahren zur Herstellung von gedruckten Schaltungsplatten, dadurch gekennzeichnet, daß man eine mit einem Schaltungsmuster versehene Verdrahtungsplatte mit einem polymetallischen Katalysator behandelt, der ein die Abscheidung förderndes Material aus der Nickel, Kobalt und Kombinationen davon umfassenden Gruppe und ein zweites Metall aus der Zinn, Molybdän, Kupfer und Wolfram umfassenden Gruppe enthält und der■das anschließende Uber-030031/0787RICHARDSON CHEMICAL COMP. Case: 791208plattieren auf dem Schaltungsmuster fördert/ ohne das anschließende Überplattieren jener Bereiche der Verdrahtungsplatte, die nicht in dem Schaltungsmuster liegen, zu begünstigen;und anschließend das Schaltungsmuster mit einem Metall aus der Nickel, Kobalt und Nickel und/oder Kobalt enthaltende Polylegierungen umfassenden Gruppe überplattiert.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man zur Förderung der bevorzugten Ausbildung einer Katalysatorschicht auf dem Schaltungsmuster die mit dem Katalysator behandelte Schaltungsplatte nach der Behandlung mit einem wäßrigen Spülmittel spült.
- 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge kennzeichnet , daß man zur Förderung einer bevorzugten selektiven Katalyse des Schaltungsmusters gegenüber der Katalyse der Verdrahtungsplatte außerhalb des genauen gewünschten Schaltungsmusters im Anschluß an die Behandlung mindestens einen wäßrigen SpülVorgang mit einer Dauer von nicht mehr als etw 60 Sekunden durchführt.
- 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Behandlung darin besteht, die Verdrahtungsplatte in ein Bad einzutauchen, das den Katalysator zusammen mit einem Reduktionsmittel für die Kationen der in dem Katalysator enthaltenen Metalle enthält.
- 5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch g e kennzeichnet, daß die Behandlung darin besteht, die Verdrahtungsplatte in ein Bad einzutauchen, das den Katalysator und ein borhaltiges Reduktionsmittel enthält.030031/0787RICHARDSON CHEMICAL COMP, Case: 791208
- 6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurchgekennzeichnet, daß die Behandlung darin besteht, die Verdrahtungsplatte in ein alkalisches wäßriges Bad einzutauchen.
- 7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurchgekennzeichnet, daß die Behandlung das Eintauchen der Verdrahtungsplatte in ein wäßriges Bad mit einem pH-Wert zwischen etwa 5,5 und etwa 13 umfaßt.
- 8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Behandlung das Eintauchen der Verdrahtungsplatte in ein wäßriges Bad mit einer Temperatur zwischen etwa 20 und etwa 100 0C umfaßt.
- 9. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Behandlung das Eintauchen der Verdrahtungsplatte in ein wäßriges Bad während einer Zeitdauer umfaßt, die dazu ausreicht, die Oberfläche des Schaltungsmusters mit Keimen zu versehen und die nicht dazu ausreicht, einen zusammenhängenden Abscheidungsfilm darauf zu ergeben. ,
- 0 10. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Behandlung das Eintauchen der Verdrahtungsplatte in ein wäßriges Bad während einer Zeitdauer von etwa 10 bis etwa 90 Sekunden umfaßt.
- 11. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der polymetalli-030031/0787RICHARDSON CHEMICAL COMP, Case: 791200sehe Katalysator eine Formulierung umfaßt, die ein Metall aus der Nickel und Kobalt umfassenden Gruppe, ein weiteres Metall aus der Molybdän, Wolfram, Zinn und Kupfer umfassenden Gruppe und ein Element aus der Bor und Phosphor umfassenden Gruppe enthält.
- 12. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Verdrahtungsplatte eine im allgemeinen nicht leitende Platte umfaßt, auf der ein Kupfer enthaltendes Schaltungsmuster angeordnet ist.
- 13. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Behandlung das Eintauchen der Verdrahtungsplatte in ein wäßriges Bad umfaßt, das etwa 0,001 bis etwa 0,3 Mol pro Liter der die Abscheidung fördernden Metalle, etwa 0,001 bis etwa 0,5 Mol pro Liter der zweiten Metalle und etwa 0,001 bis etwa 0,2 Mol pro Liter eines Reduktionsmittels, jeweils auf das Gesamtvolumen des Bades bezogen, enthält.
- 14. Verfahren zur Katalysierung einer nichtkatalytischen Metalloberfläche, dadurch gekennzeichnet, daß man die nichtkatalytische Metalloberfläche mit einem polymetallischen Katalysator behandelt, der ein die Abscheidung förderndes Metall aus der Nickel, Kobalt und Kombinationen davon umfassenden Gruppe und ein zweites Metall aus der Zinn, Molybdän, Kupfer, Wolfram und Kombinationen davon umfassenden Gruppe enthält, wobei die Behandlung im allgemeinen unter alkalischen Bedingungen während einer Zeitdauer durchgeführt wird, die dazu ausreicht, die nichtkatalytische Metalloberfläche mit Keimen zu030031/0787RICHARDSON CHEMICAL COMP. Case: 791208300216versehen, die jedoch nicht dazu ausreicht, eine im allgemeinen ununterbrochene Abscheidungsschicht auszubilden.
- 15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet , daß man zur Förderung der bevorzugten Bildung einer Katalysatorschicht auf der Metalloberfläche die Metalloberfläche mit einem wäßrigen Spülmittel spült.
- 16. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch g e kennzeichnet, daß die Behandlung dasEintauchen der nichtkatalytischen Metalloberfläche in ein Bad umfaßt, das den Katalysator zusammen mit einem Reduktionsmittel für die Kationen der in dem Katalysator enthaltenen Metalle enthält. 20
- 17. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch g e kennzeichne,t , daß die Behandlung das Eintauchen der nichtkatalytischen Metalloberfläche in ein wäßriges Bad mit einem pH-Wert von etwa 5,5 bis etwa 13 umfaßt, wobei das Bad eine Temperatur von etwa 20 bis etwa 100 0C aufweist und das Eintauchen während einer Zeitdauer durchgeführt wird, die dazu ausreicht, die nichtkatalytische Metalloberfläche mit Keimen zu versehen, die jedoch nicht dazu ausreicht, eineim allgemeinen ununterbrochene Abscheidungsschicht darauf abzuscheiden.
- 18. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß man als nichtkata-lytische Metalloberfläche eine kupferhaltige Oberfläche behandelt.030031/0787RICHARDSON CHEMICAL COMP. Case: -791208
- 19. Katalysatorbad für Metalloberflächen, die an-schließend mit Nickel, Kobalt oder Nickel und/oder Kobalt enthaltenden Polylegierungen überplattiert werden sollen, dadurch gekennzeichnet, daß das das Überplattieren der Metalloberfläche fördernde Bad einen polymetallisehen Katalysator, der ein die Abscheidung förderndes Metall aus der Nickel, Kobalt und Kombinationen davon umfassenden Gruppe und ein zweites Metall aus der Zinn, Molybdän, Kupfer und Wolfram umfassenden Gruppe enthält, und ein Reduktionsmittel für die Kationen dieser Metalle enthält.
- 20. Bad nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß es als Reduktionsmittel eine borhaltige Verbindung aus der Borhydride, Amin-Borane und niedrigalkylsubstituierte Amin-Borane umfassenden-Gruppe enthält.
- 21. Bad nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet , daß es einen pH-Wert von etwa 5,5 bis 13 aufweist und bei einer Temperatur von etwa 20 bis 100 0C eingesetzt wird.
- 22. Bad nach Anspruch 19, gekennzeichnet durch ein wäßriges Bad, das etwa 0,001 bis etwa 0,3 Mol pro Liter des ersten Metalls, etwa 0,001 bis etwa 0,5 Mol pro Liter des zweiten Metalls und etwa 0,001 bis etwa 0,2 Mol pro Liter des Reduktionsmittels, jeweils auf das Gesamtvolumen des Bades bezogen, enthält.
- 23. Bad nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß es zusätzlich einen Stabilisator, ein Mittel zur Einstellung des pH-Werts, ein Komplexierungsmittel, ein Mittel zur Steuerung der Sulfidionen und/oder einen Puffer enthält.030031/0787
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/005,169 US4232060A (en) | 1979-01-22 | 1979-01-22 | Method of preparing substrate surface for electroless plating and products produced thereby |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3002166A1 true DE3002166A1 (de) | 1980-07-31 |
DE3002166C2 DE3002166C2 (de) | 1989-12-07 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19803002166 Granted DE3002166A1 (de) | 1979-01-22 | 1980-01-22 | Verfahren zur herstellung von gedruckten schaltungsplatten |
Country Status (8)
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---|---|
US (1) | US4232060A (de) |
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HK (1) | HK82884A (de) |
Families Citing this family (193)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4632857A (en) * | 1974-05-24 | 1986-12-30 | Richardson Chemical Company | Electrolessly plated product having a polymetallic catalytic film underlayer |
JPS6013078B2 (ja) * | 1978-09-05 | 1985-04-04 | 日本特殊陶業株式会社 | 金メツキされた電子部品及びその製法 |
US4503131A (en) * | 1982-01-18 | 1985-03-05 | Richardson Chemical Company | Electrical contact materials |
EP0092971B1 (de) * | 1982-04-27 | 1989-08-16 | Richardson Chemical Company | Verfahren zum selektiven Abscheiden einer Nickel-Bor Schicht über einem metallurgischen Muster auf einem dielektrischen Substrat und auf diese Weise hergestellte Produkte |
US4717591A (en) * | 1983-06-30 | 1988-01-05 | International Business Machines Corporation | Prevention of mechanical and electronic failures in heat-treated structures |
US4550036A (en) * | 1984-10-18 | 1985-10-29 | Hughes Aircraft Company | Electroless silver plating process and system |
US4568562A (en) * | 1984-11-28 | 1986-02-04 | General Dynamics, Pomona Division | Method of electroless plating employing plasma treatment |
DE3529313A1 (de) * | 1985-08-14 | 1987-02-26 | Schering Ag | Automatische transport- und behandlungseinrichtung fuer waren, insbesondere leiterplatten |
US4997674A (en) * | 1987-06-30 | 1991-03-05 | Akzo America Inc. | Conductive metallization of substrates via developing agents |
US4892776A (en) * | 1987-09-02 | 1990-01-09 | Ohmega Electronics, Inc. | Circuit board material and electroplating bath for the production thereof |
JPH02144987A (ja) * | 1988-11-26 | 1990-06-04 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | プリント配線板の製造方法 |
US4954370A (en) * | 1988-12-21 | 1990-09-04 | International Business Machines Corporation | Electroless plating of nickel on anodized aluminum |
US5167992A (en) * | 1991-03-11 | 1992-12-01 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Selective electroless plating process for metal conductors |
US5474798A (en) * | 1994-08-26 | 1995-12-12 | Macdermid, Incorporated | Method for the manufacture of printed circuit boards |
JP3393190B2 (ja) * | 1999-02-22 | 2003-04-07 | 有限会社関東学院大学表面工学研究所 | 銅パターンの選択的活性化方法およびこれに用いる活性化剤 |
US6645550B1 (en) * | 2000-06-22 | 2003-11-11 | Applied Materials, Inc. | Method of treating a substrate |
AU2001286453A1 (en) * | 2000-08-11 | 2002-02-25 | Chem Trace Corporation | System and method for cleaning semiconductor fabrication equipment parts |
JP4811543B2 (ja) * | 2000-09-08 | 2011-11-09 | 学校法人早稲田大学 | 微細パターンの作製方法 |
JP2003049280A (ja) * | 2001-06-01 | 2003-02-21 | Ebara Corp | 無電解めっき液及び半導体装置 |
US7138014B2 (en) | 2002-01-28 | 2006-11-21 | Applied Materials, Inc. | Electroless deposition apparatus |
US6824666B2 (en) * | 2002-01-28 | 2004-11-30 | Applied Materials, Inc. | Electroless deposition method over sub-micron apertures |
US6905622B2 (en) * | 2002-04-03 | 2005-06-14 | Applied Materials, Inc. | Electroless deposition method |
US6899816B2 (en) * | 2002-04-03 | 2005-05-31 | Applied Materials, Inc. | Electroless deposition method |
US6821909B2 (en) * | 2002-10-30 | 2004-11-23 | Applied Materials, Inc. | Post rinse to improve selective deposition of electroless cobalt on copper for ULSI application |
US7045072B2 (en) * | 2003-07-24 | 2006-05-16 | Tan Samantha S H | Cleaning process and apparatus for silicate materials |
US7091132B2 (en) * | 2003-07-24 | 2006-08-15 | Applied Materials, Inc. | Ultrasonic assisted etch using corrosive liquids |
US7827930B2 (en) | 2004-01-26 | 2010-11-09 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for electroless deposition of metals onto semiconductor substrates |
US7654221B2 (en) | 2003-10-06 | 2010-02-02 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for electroless deposition of metals onto semiconductor substrates |
US7465358B2 (en) * | 2003-10-15 | 2008-12-16 | Applied Materials, Inc. | Measurement techniques for controlling aspects of a electroless deposition process |
US7064065B2 (en) | 2003-10-15 | 2006-06-20 | Applied Materials, Inc. | Silver under-layers for electroless cobalt alloys |
US20070111519A1 (en) * | 2003-10-15 | 2007-05-17 | Applied Materials, Inc. | Integrated electroless deposition system |
US7754609B1 (en) | 2003-10-28 | 2010-07-13 | Applied Materials, Inc. | Cleaning processes for silicon carbide materials |
US7205233B2 (en) | 2003-11-07 | 2007-04-17 | Applied Materials, Inc. | Method for forming CoWRe alloys by electroless deposition |
US20050230350A1 (en) * | 2004-02-26 | 2005-10-20 | Applied Materials, Inc. | In-situ dry clean chamber for front end of line fabrication |
TW200734482A (en) | 2005-03-18 | 2007-09-16 | Applied Materials Inc | Electroless deposition process on a contact containing silicon or silicide |
US7514353B2 (en) | 2005-03-18 | 2009-04-07 | Applied Materials, Inc. | Contact metallization scheme using a barrier layer over a silicide layer |
US7651934B2 (en) | 2005-03-18 | 2010-01-26 | Applied Materials, Inc. | Process for electroless copper deposition |
KR101432161B1 (ko) * | 2006-11-01 | 2014-08-20 | 퀀텀 글로벌 테크놀로지스, 엘엘씨 | 챔버 부품을 세정하기 위한 방법 및 장치 |
US7867900B2 (en) | 2007-09-28 | 2011-01-11 | Applied Materials, Inc. | Aluminum contact integration on cobalt silicide junction |
US20100055422A1 (en) * | 2008-08-28 | 2010-03-04 | Bob Kong | Electroless Deposition of Platinum on Copper |
US9324576B2 (en) | 2010-05-27 | 2016-04-26 | Applied Materials, Inc. | Selective etch for silicon films |
US10283321B2 (en) | 2011-01-18 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
US8771539B2 (en) | 2011-02-22 | 2014-07-08 | Applied Materials, Inc. | Remotely-excited fluorine and water vapor etch |
US8999856B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-04-07 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of sin films |
US9064815B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of metal and metal-oxide films |
US8771536B2 (en) | 2011-08-01 | 2014-07-08 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for silicon-and-carbon-containing films |
US8679982B2 (en) | 2011-08-26 | 2014-03-25 | Applied Materials, Inc. | Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and oxygen |
US8679983B2 (en) | 2011-09-01 | 2014-03-25 | Applied Materials, Inc. | Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and nitrogen |
US8927390B2 (en) | 2011-09-26 | 2015-01-06 | Applied Materials, Inc. | Intrench profile |
US8808563B2 (en) | 2011-10-07 | 2014-08-19 | Applied Materials, Inc. | Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination |
WO2013070436A1 (en) | 2011-11-08 | 2013-05-16 | Applied Materials, Inc. | Methods of reducing substrate dislocation during gapfill processing |
US9267739B2 (en) | 2012-07-18 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities |
US9373517B2 (en) | 2012-08-02 | 2016-06-21 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control |
US9034770B2 (en) | 2012-09-17 | 2015-05-19 | Applied Materials, Inc. | Differential silicon oxide etch |
US9023734B2 (en) | 2012-09-18 | 2015-05-05 | Applied Materials, Inc. | Radical-component oxide etch |
US9390937B2 (en) | 2012-09-20 | 2016-07-12 | Applied Materials, Inc. | Silicon-carbon-nitride selective etch |
US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
US8765574B2 (en) | 2012-11-09 | 2014-07-01 | Applied Materials, Inc. | Dry etch process |
US8969212B2 (en) | 2012-11-20 | 2015-03-03 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch selectivity |
US9064816B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for selective oxidation removal |
US8980763B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-03-17 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for selective tungsten removal |
US9111877B2 (en) | 2012-12-18 | 2015-08-18 | Applied Materials, Inc. | Non-local plasma oxide etch |
US8921234B2 (en) | 2012-12-21 | 2014-12-30 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride etching |
JP6077318B2 (ja) * | 2013-01-29 | 2017-02-08 | Koa株式会社 | 無電解めっき浴、三酸化モリブデン膜の製造方法、及び化学センサの製造方法 |
US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
US9362130B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-06-07 | Applied Materials, Inc. | Enhanced etching processes using remote plasma sources |
US9040422B2 (en) | 2013-03-05 | 2015-05-26 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride removal |
US8801952B1 (en) | 2013-03-07 | 2014-08-12 | Applied Materials, Inc. | Conformal oxide dry etch |
US10170282B2 (en) | 2013-03-08 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Insulated semiconductor faceplate designs |
US20140271097A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Processing systems and methods for halide scavenging |
US8895449B1 (en) | 2013-05-16 | 2014-11-25 | Applied Materials, Inc. | Delicate dry clean |
US9114438B2 (en) | 2013-05-21 | 2015-08-25 | Applied Materials, Inc. | Copper residue chamber clean |
US9493879B2 (en) | 2013-07-12 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Selective sputtering for pattern transfer |
US9773648B2 (en) | 2013-08-30 | 2017-09-26 | Applied Materials, Inc. | Dual discharge modes operation for remote plasma |
US8956980B1 (en) | 2013-09-16 | 2015-02-17 | Applied Materials, Inc. | Selective etch of silicon nitride |
US8951429B1 (en) | 2013-10-29 | 2015-02-10 | Applied Materials, Inc. | Tungsten oxide processing |
US9576809B2 (en) | 2013-11-04 | 2017-02-21 | Applied Materials, Inc. | Etch suppression with germanium |
US9236265B2 (en) | 2013-11-04 | 2016-01-12 | Applied Materials, Inc. | Silicon germanium processing |
US9520303B2 (en) | 2013-11-12 | 2016-12-13 | Applied Materials, Inc. | Aluminum selective etch |
US9245762B2 (en) | 2013-12-02 | 2016-01-26 | Applied Materials, Inc. | Procedure for etch rate consistency |
US9117855B2 (en) | 2013-12-04 | 2015-08-25 | Applied Materials, Inc. | Polarity control for remote plasma |
US9287095B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor system assemblies and methods of operation |
US9263278B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-02-16 | Applied Materials, Inc. | Dopant etch selectivity control |
US9190293B2 (en) | 2013-12-18 | 2015-11-17 | Applied Materials, Inc. | Even tungsten etch for high aspect ratio trenches |
US9287134B2 (en) | 2014-01-17 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Titanium oxide etch |
US9396989B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-07-19 | Applied Materials, Inc. | Air gaps between copper lines |
US9293568B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-03-22 | Applied Materials, Inc. | Method of fin patterning |
US9385028B2 (en) | 2014-02-03 | 2016-07-05 | Applied Materials, Inc. | Air gap process |
US9499898B2 (en) | 2014-03-03 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Layered thin film heater and method of fabrication |
US9299575B2 (en) | 2014-03-17 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase tungsten etch |
US9299537B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
US9299538B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
US9136273B1 (en) | 2014-03-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Flash gate air gap |
US9903020B2 (en) | 2014-03-31 | 2018-02-27 | Applied Materials, Inc. | Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components |
US9269590B2 (en) | 2014-04-07 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Spacer formation |
US9309598B2 (en) | 2014-05-28 | 2016-04-12 | Applied Materials, Inc. | Oxide and metal removal |
US9847289B2 (en) | 2014-05-30 | 2017-12-19 | Applied Materials, Inc. | Protective via cap for improved interconnect performance |
US9378969B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Low temperature gas-phase carbon removal |
US9406523B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-08-02 | Applied Materials, Inc. | Highly selective doped oxide removal method |
US9425058B2 (en) | 2014-07-24 | 2016-08-23 | Applied Materials, Inc. | Simplified litho-etch-litho-etch process |
US9378978B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integrated oxide recess and floating gate fin trimming |
US9496167B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean |
US9159606B1 (en) | 2014-07-31 | 2015-10-13 | Applied Materials, Inc. | Metal air gap |
US9165786B1 (en) | 2014-08-05 | 2015-10-20 | Applied Materials, Inc. | Integrated oxide and nitride recess for better channel contact in 3D architectures |
US9659753B2 (en) | 2014-08-07 | 2017-05-23 | Applied Materials, Inc. | Grooved insulator to reduce leakage current |
US9553102B2 (en) | 2014-08-19 | 2017-01-24 | Applied Materials, Inc. | Tungsten separation |
US9355856B2 (en) | 2014-09-12 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | V trench dry etch |
US9355862B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Fluorine-based hardmask removal |
US9368364B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-06-14 | Applied Materials, Inc. | Silicon etch process with tunable selectivity to SiO2 and other materials |
US9613822B2 (en) | 2014-09-25 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity enhancement |
US9966240B2 (en) | 2014-10-14 | 2018-05-08 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment |
US9355922B2 (en) | 2014-10-14 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment |
US11637002B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
US9299583B1 (en) | 2014-12-05 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Aluminum oxide selective etch |
US10573496B2 (en) | 2014-12-09 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Direct outlet toroidal plasma source |
US10224210B2 (en) | 2014-12-09 | 2019-03-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source |
US9502258B2 (en) | 2014-12-23 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Anisotropic gap etch |
US9343272B1 (en) | 2015-01-08 | 2016-05-17 | Applied Materials, Inc. | Self-aligned process |
US11257693B2 (en) | 2015-01-09 | 2022-02-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to improve pedestal temperature control |
US9373522B1 (en) | 2015-01-22 | 2016-06-21 | Applied Mateials, Inc. | Titanium nitride removal |
US9449846B2 (en) | 2015-01-28 | 2016-09-20 | Applied Materials, Inc. | Vertical gate separation |
US9728437B2 (en) | 2015-02-03 | 2017-08-08 | Applied Materials, Inc. | High temperature chuck for plasma processing systems |
US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
US9881805B2 (en) | 2015-03-02 | 2018-01-30 | Applied Materials, Inc. | Silicon selective removal |
US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US9691645B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-06-27 | Applied Materials, Inc. | Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US9349605B1 (en) | 2015-08-07 | 2016-05-24 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity systems and methods |
US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
US10522371B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US9865484B1 (en) | 2016-06-29 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Selective etch using material modification and RF pulsing |
US10062575B2 (en) | 2016-09-09 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Poly directional etch by oxidation |
US10629473B2 (en) | 2016-09-09 | 2020-04-21 | Applied Materials, Inc. | Footing removal for nitride spacer |
US9934942B1 (en) | 2016-10-04 | 2018-04-03 | Applied Materials, Inc. | Chamber with flow-through source |
US9721789B1 (en) | 2016-10-04 | 2017-08-01 | Applied Materials, Inc. | Saving ion-damaged spacers |
US10062585B2 (en) | 2016-10-04 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Oxygen compatible plasma source |
US10546729B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
US10062579B2 (en) | 2016-10-07 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Selective SiN lateral recess |
US9947549B1 (en) | 2016-10-10 | 2018-04-17 | Applied Materials, Inc. | Cobalt-containing material removal |
US9768034B1 (en) | 2016-11-11 | 2017-09-19 | Applied Materials, Inc. | Removal methods for high aspect ratio structures |
US10163696B2 (en) | 2016-11-11 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Selective cobalt removal for bottom up gapfill |
US10026621B2 (en) | 2016-11-14 | 2018-07-17 | Applied Materials, Inc. | SiN spacer profile patterning |
US10242908B2 (en) | 2016-11-14 | 2019-03-26 | Applied Materials, Inc. | Airgap formation with damage-free copper |
US10566206B2 (en) | 2016-12-27 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for anisotropic material breakthrough |
US10431429B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity |
US10403507B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-09-03 | Applied Materials, Inc. | Shaped etch profile with oxidation |
US10043684B1 (en) | 2017-02-06 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting atomic thermal etching systems and methods |
US10319739B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Accommodating imperfectly aligned memory holes |
US10943834B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Replacement contact process |
US10319649B2 (en) | 2017-04-11 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring |
US11276559B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
US10049891B1 (en) | 2017-05-31 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | Selective in situ cobalt residue removal |
US10497579B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Water-free etching methods |
US10920320B2 (en) | 2017-06-16 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors |
US10541246B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling |
US10727080B2 (en) | 2017-07-07 | 2020-07-28 | Applied Materials, Inc. | Tantalum-containing material removal |
US10541184B2 (en) | 2017-07-11 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching |
US10354889B2 (en) | 2017-07-17 | 2019-07-16 | Applied Materials, Inc. | Non-halogen etching of silicon-containing materials |
US10043674B1 (en) | 2017-08-04 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Germanium etching systems and methods |
US10170336B1 (en) | 2017-08-04 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Methods for anisotropic control of selective silicon removal |
US10297458B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
US10283324B1 (en) | 2017-10-24 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Oxygen treatment for nitride etching |
US10128086B1 (en) | 2017-10-24 | 2018-11-13 | Applied Materials, Inc. | Silicon pretreatment for nitride removal |
US10256112B1 (en) | 2017-12-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Selective tungsten removal |
US10903054B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas distribution systems and methods |
US11328909B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Chamber conditioning and removal processes |
US10854426B2 (en) | 2018-01-08 | 2020-12-01 | Applied Materials, Inc. | Metal recess for semiconductor structures |
US10679870B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus |
US10964512B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods |
TWI716818B (zh) | 2018-02-28 | 2021-01-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 形成氣隙的系統及方法 |
US10593560B2 (en) | 2018-03-01 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment |
US10319600B1 (en) | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
US10497573B2 (en) | 2018-03-13 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Selective atomic layer etching of semiconductor materials |
US10573527B2 (en) | 2018-04-06 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase selective etching systems and methods |
US10490406B2 (en) | 2018-04-10 | 2019-11-26 | Appled Materials, Inc. | Systems and methods for material breakthrough |
US10699879B2 (en) | 2018-04-17 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | Two piece electrode assembly with gap for plasma control |
US10886137B2 (en) | 2018-04-30 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Selective nitride removal |
US10872778B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-12-22 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods utilizing solid-phase etchants |
US10755941B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting selective etching systems and methods |
US10672642B2 (en) | 2018-07-24 | 2020-06-02 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for pedestal configuration |
US10892198B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-01-12 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved performance in semiconductor processing |
US11049755B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield |
US11062887B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature RF heater pedestals |
US11417534B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Selective material removal |
US11682560B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for hafnium-containing film removal |
US11121002B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for etching metals and metal derivatives |
US11437242B2 (en) | 2018-11-27 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of silicon-containing materials |
US11721527B2 (en) | 2019-01-07 | 2023-08-08 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber mixing systems |
US10920319B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerheads with conductive electrodes |
JP6841462B1 (ja) * | 2020-07-03 | 2021-03-10 | 奥野製薬工業株式会社 | 無電解めっき用触媒付与液 |
JP6950051B1 (ja) * | 2020-07-22 | 2021-10-13 | 上村工業株式会社 | 無電解Ni−Pめっき用触媒液、および該触媒液を用いた無電解Ni−Pめっき皮膜の形成方法 |
CN113151811A (zh) * | 2021-04-13 | 2021-07-23 | 赤壁市聚茂新材料科技有限公司 | 一种非钯活化镀镍液、镀镍方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT333564B (de) * | 1973-08-15 | 1976-11-25 | Du Pont | Verfahren zum chemischen aufplattieren von nickel oder kobalt |
US4019910A (en) * | 1974-05-24 | 1977-04-26 | The Richardson Chemical Company | Electroless nickel polyalloy plating baths |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3226256A (en) * | 1963-01-02 | 1965-12-28 | Jr Frederick W Schneble | Method of making printed circuits |
US3431120A (en) * | 1966-06-07 | 1969-03-04 | Allied Res Prod Inc | Metal plating by chemical reduction with amineboranes |
US3532541A (en) * | 1967-06-19 | 1970-10-06 | Ibm | Boron containing composite metallic films and plating baths for their electroless deposition |
US3832168A (en) * | 1971-12-13 | 1974-08-27 | Shipley Co | Metal finishing alloy of nickel-copperphosphorus |
US4002778A (en) * | 1973-08-15 | 1977-01-11 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Chemical plating process |
US3959523A (en) * | 1973-12-14 | 1976-05-25 | Macdermid Incorporated | Additive printed circuit boards and method of manufacture |
DE2409251C3 (de) * | 1974-02-22 | 1979-03-15 | Kollmorgen Corp., Hartford, Conn. (V.St.A.) | Verfahren zum katalytischen Bekeimen nichtmetallischer Oberflächen für eine nachfolgende, stromlose Metallisierung und Badlösungen zur Durchführung des Verfahrens |
US4136216A (en) * | 1975-08-26 | 1979-01-23 | Surface Technology, Inc. | Non-precious metal colloidal dispersions for electroless metal deposition |
US4122215A (en) * | 1976-12-27 | 1978-10-24 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Electroless deposition of nickel on a masked aluminum surface |
-
1979
- 1979-01-22 US US06/005,169 patent/US4232060A/en not_active Expired - Lifetime
-
1980
- 1980-01-08 CA CA000343240A patent/CA1139012A/en not_active Expired
- 1980-01-15 GB GB8001343A patent/GB2043115B/en not_active Expired
- 1980-01-21 FR FR8001221A patent/FR2447130B1/fr not_active Expired
- 1980-01-22 KR KR1019800000224A patent/KR880001664B1/ko active
- 1980-01-22 DE DE19803002166 patent/DE3002166A1/de active Granted
- 1980-01-22 JP JP623980A patent/JPS55102297A/ja active Granted
-
1984
- 1984-11-01 HK HK828/84A patent/HK82884A/xx not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT333564B (de) * | 1973-08-15 | 1976-11-25 | Du Pont | Verfahren zum chemischen aufplattieren von nickel oder kobalt |
US4019910A (en) * | 1974-05-24 | 1977-04-26 | The Richardson Chemical Company | Electroless nickel polyalloy plating baths |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6325518B2 (de) | 1988-05-25 |
GB2043115A (en) | 1980-10-01 |
KR830002067A (ko) | 1983-05-21 |
CA1139012A (en) | 1983-01-04 |
FR2447130A1 (fr) | 1980-08-14 |
KR880001664B1 (ko) | 1988-09-05 |
GB2043115B (en) | 1983-05-11 |
FR2447130B1 (fr) | 1988-02-05 |
JPS55102297A (en) | 1980-08-05 |
DE3002166C2 (de) | 1989-12-07 |
HK82884A (en) | 1984-11-09 |
US4232060A (en) | 1980-11-04 |
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