CH625096A5 - - Google Patents
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Description
625 096
Claims (8)
1. Verfahren zum Herstellen von gedruckten Schaltungen bei welchem die Trägermaterialoberfläche vor oder nach dem Anbringen von Lochungen mit einer dünnen, beispielsweise 1 bis 3 n Stärke aufweisenden stromlos abgeschiedenen Kupferschicht überzogen wird, auf dieser sodann eine Abdeckschicht angebracht wird, die alle nicht gewünschten Leiterzügen entsprechenden Oberflächenteile bedeckt, dann durch galvanische Kupferabscheidung die Leiterzüge aufgebaut und nach dem Entfernen der Abdeckschicht die freiliegende, stromlos abgeschiedene Kupferschicht entfernt wird, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Aufbau der galvanischen Kupferschicht und vor dem Entfernen der Abdeckschicht die Oberfläche der Leiterzüge oxydiert wird, sodann die Abdeckschicht entfernt und die freiliegende ungeschützte dünne Kupferschicht in einem alkalischen Ätzmittel entfernt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Ätzzeit derart verlängert wird, dass nicht nur das stromlos abgeschiedene Kupfer sondern auch alle Reste aus Vorbehandlungsschritten zur stromlosen Verkupferung einschliesslich der Katalysierung der Oberfläche in den Gebieten zwischen den Leiterzügen entfernt werden.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Ätzzeit im Vergleich zu der für nicht durch die Oxydschicht geschützten Leiterzüge zulässigen verdoppelt wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Oxydschicht in einem späteren Arbeitsschritt entfernt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Oxydschicht durch Einwirken von verdünnter Schwefelsäure entfernt wird.
6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Entfernung der Oxydschicht mit der Endreinigung verbunden wird und darauf folgend in an sich bekannter Weise die Schutzschicht zum Bewahren der Lötfähigkeit aufgebracht wird.
7. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass zum Herstellen der Oxydschicht eine Lösung verwendet wird, die mindestens Natri-umchlorit, Trinatriumphosphat und Natriumhydroxyd in Wasser enthält.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Lösung aus
160 g/1 Natriumchlorit
10 g/1 Trinatriumphosphat
10 g/1 Natriumhydroxyd und destilliertem Wasser um 1000 ml Lösung herzustellen besteht.
Die Erfindung bezieht sich auf die Herstellung von gedruckten Schaltungen nach dem Oberbegriff des unabhängigen Patentanspruchs 1. Hierbei wird von einem Isolierstoffträgermaterial, beispielsweise einem Schichtpressstoff, ausgegangen, dessen Oberfläche zunächst mit einer dünnen Kupferschicht versehen wird. Nach dem Bedrucken der Kupferoberfläche mit einer Maskenschicht, die alle nicht dem gewünschten Leitermuster entsprechenden Flächen bedeckt, wird das Leiterzugmuster durch vorzugsweise galvanische Abscheidung von Kupfer und - falls erwünscht - weiteren Metallen, wie Zinn/Bleilegierungen, Nickel, Gold und dergleichen, aufgebaut. Anschliessend wird die Maskenschicht entfernt und die nunmehr freigelegte dünne Kupferschicht durch Ätzen abgebaut.
Gedruckte Schaltungen der beschriebenen Art, deren Leiterzüge ausschliesslich aus Kupfer bestehen, haben sich auf zahlreichen Anwendungsgebieten durchsetzen können, und zwar sowohl aus Wirtschaftlichkeitsgründen als auch wegen 5 der ausgezeichneten Lötbarkeit. Erst mit der Einführung dieser Aufbaumethode konnten sich gedruckte Schaltungen mit metallisierten Lochwänden auch in der Gebrauchselektronik einführen. Bis dahin verhinderten die hohen Herstellkosten deren Benutzung, trotz ihrer anerkannt grossen Vorteile für io den Geräteaufbau und im Hinblick auf die ausserordentliche Verbesserung der Zuverlässigkeit von Lötverbindungen.
Die bisher bekannt gewordenen Verfahren weisen jedoch eine Reihe von Nachteilen auf. In der Regel wird die, zweckmässig mit einer Haftvermittlerschicht versehene und in ! 5 bekannter Weise mikroporös gestaltete Trägermaterialoberfläche, mit einer palladiumhaltigen Lösung, vorzugsweise einer solchen eines Pd(II)Sn(II)-Chlorid-Komplexes für die stromlose Metallisierung katalysiert. Sodann wird in bekannter Weise eine dünne, beispielsweise 1 bis 3 jx Dicke aufweisende Kupfer-2o schicht durch stromlose Metallabscheidung aufgebaut. Vorzugsweise werden zur Herstellung von gedruckten Schaltungen mit metallisierten Lochwandungen die entsprechenden Lochungen vor dem Aufbringen der stromlos abgeschiedenen Metallschicht angebracht. Wie ausgeführt wird sodann eine 2s Maskenschicht in bekannter Weise, beispielsweise im Siebdruck oder Lichtdruck aufgebracht und die freiliegenden Bereiche des Kupferbelages durch galvanische Kupferabscheidung auf die für die Leiterzüge gewünschte Dicke gebracht wobei der Kupferbelag als Stromzuführung dient. Nach dem in Entfernen der Maskenschicht muss der nunmehr freigelegte Teil des stromlos aufgebrachten Kupferbelages durch Ätzen entfernt werden. Um entsprechend hohe Oberflächenwiderstandswerte zwischen benachbarten Leiterzügen zu sichern, ist es erforderlich, nicht nur das stromlos abgeschiedene Kupfer r> vollständig zu entfernen, sondern auch alle vom Katalysie-rungsvorgang stammenden Rückstände. Andererseits muss insbesondere bei nur aus Kupfer aufgebauten Leiterzügen verhindert werden, dass beim Ätzvorgang eine zu grosse Menge an Leiterzugkupfer abgetragen wird, was insbesondere bei metal-■»<> Iisierten Lochwandungen zur Fehlstellenbildung führt, sofern nicht der Ätzvorgang ausserordentlich sorgfältig kontrolliert wird.
Es ist bereits bekannt, durch galvanischen Aufbau einer Schicht grösserer Dicke längere Ätzzeiten zu ermöglichen. 4 > Dies führt jedoch zu einer Herstellkostenverteuerung, die insbesondere für die Anwendungsgebiete für Schaltungen mit nur aus Kupfer bestehenden Leiterzügen unerwünscht ist.
Nach dem Verfahren der vorliegenden Erfindung sollen diese Nachteile in wirtschaftlicher und zuverlässiger Weise >'j vermieden und zugleich der Ätzvorgang unkritisch gemacht werden.
Erfindungsgemäss wird dies durch die Merkmale im kennzeichnenden Teil des unabhängigen Patentanspruchs erreicht.
Die Oxydschicht kann anschliessend, vorzugsweise durch Î5 Tauchen in verdünnte Schwefelsäure, entfernt werden. Zweckmässigerweise kann dies auch bei der üblichen Reinigung vor dem Aufbringen einer Lötschutzschicht geschehen.
Zur Oxydation hat sich beispielsweise eine Lösung die Natriumchlorit, Natriumphosphat und Natronlauge enthält als zweckmässig erwiesen. Vorteilhaft kann eine Lösung folgender Zusammensetzung benutzt werden:
162 g/1 Natriumchlorit 10 g/1 Trinatriumphosphat 10 g/I Natriumhydroxyd dest. Wasser um 1000 ml Lösung zu erhalten.
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| PUE | Assignment |
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