DE2713393A1 - Verfahren zum herstellen von gedruckten schaltungen - Google Patents
Verfahren zum herstellen von gedruckten schaltungenInfo
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(Mc/St)
23. März 1977
Die Erfindung bezieht eich auf die Herstellung von
gedruckten Schaltungen nach der Aufbaumethode. Hierbei
wird von einem Isolierstoffträgermaterial, beispielsweise einea Schichtpreßstoff, ausgegangen, dessen OberflSche zunächst mit einer dünnen Kupferechicht versahen
wird. Nach den Bedrucken der Kupferoberflache mit einer
Kaskenschicht, die alle nicht dem gewünschten Leiteraiuster entsprechenden Flachen bedeckt, wird das Leiterzcgcuster durch vorzugsweise galvanische Abscheidung
vca Kupfer und - falls erwünscht - weiteren Metallen, wie Iinn/BIeilegierungen, nickel. Gold und dergleichen,
aufgebaut. Anschließend wird die Maskenechicht entfernt czd die nuncehr freigelegte dünne Kupferechicht durch
Xtx=.-. abgebaut.
-Ia-
809840/015
Godruckte Schaltungen dor boochriebenen Art, darun
Leiterzllge oucnchlicßlich aus Kupfer bestehen, hsbcn
eich auf zahlreichen Amfendungagebloton durchaetzen
können, und zwar ßovohl auo Wirtschnftlich-I:olt3grtlndcn
als nuch vagen der aufgezeichneten Lötbnrkeit.
Erot mit der Einführung diener Jvufbaumathode
konnüan eich gcdrucJ:tc Schaltungen r.'.it notnl Haler ten
Lochvündcn nuch in dnr GcbrauchcGlc!-:t"cnih einführen.
Hie dahin vorhinderten die hohen Herotollkocton der „-η
Dnnutzung, trotz Ihrer anerkannt grcncn Vortcilo für
den Gercltcnufbau und iro Hinblick auf die eußcrordcntliche
Verbesserung der Zuverlässigkeit von Lötverbindungen .
Die bisher bekanntgovordenen Verfahren weiacn jedocli
cine ReIlie von Nachteilin auf. In der regal wird die,
zweckmMiÜg mit einer Haitverroittlerschicht verschone
und in bekannter V«'elso mikroporös gestaltete Trägermaterial
oberfläche,
HÜ 98 U) / ii
I '
ORIGINAL. INSPECTED
2713333 if
mit einer palladiumhaltigen Lösung,vorzugsweise einer
solchen eines Pd(II)Sn(II)-Chlorid Komplexes für die
stromlose Metallisierung katalysiert.Sodann wird in bekannter Weiae eine <?ünne ,beispielsweise 1 bis 2At Dicke
aufweisende Kupferschicht durch stromlose Metallabscheidung aufgebaut. Vorzugsweise werden zur Herstellung von gedruckten
Schaltungen mit metallisierten Lochwandungen die entsprechenden Lochungen vor dem Aufbringen der stromlos
abgeschiedenen Metallschicht angebracht. Wie ausgeführt wird sodann eine Maskenschicht in bekannter Weise,beispielsweise
im Siebdruck oder Lichtdruck aufgebracht und die freiliegenden Bereiche des Kupferbelages;durch galvanische
Kupferabscheidung auf die für die Leiterzüge gewünschte Dicke gebracht wobei der Kupferbelag als Stromzuführung
dient. Nach dem Entfernen der Maskenschicht muß der nunmehr
freigelegte Teil des stromlos aufgebrachten Kupferbelages durch Ätzen entfernt werden. Um entsprechend hohe Oberflächenwiderstandswerte
zwischen benachbarten Leiterzügen zu sichern, ist es erforderlich nicht nur das stromlos
abgeschiedene Kupfer vollständig zu entfernen sondern auch alle vom Katalysierungsvorgang stammenden Rückstände.
Andererseits muß insbesondere bei nur aus Kupfer aufgebauten Leiterzügen verhindert werden,daß beim Ätzvorgang
eine zu grosse Menge an Leiterzugkupfer abgetragen wird,was insbesondere bei metallisierten Lochwandungen
zur Fehlstellenbildung führt soferne nicht der Ätzvorgang ausserordentlich sorgfältig kontrolliert wird.
Es ist bereits bekannt,durch galvanischen Aufbau einer
Schicht grösserer Dicke längere Ätzzeiten zu ermöglichen. Dies führt jedoch zu einer Herstellkostenverteuerung die
insbesondere für die Anwendungsgebiete für Schaltungen mit nur aus Kupfer bestehenden Leiterzügen unerwünscht ist.
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Nach dem Verfahren der vorliegenden Erfindung werden diese Nachteile in wirtschaftlicher und zuverlässiger Weise
vermieden und es wird zugleich der Ätzvorgang unkritisch gemacht.
Hierzu wird nach dem Aufbringen der galvanischen Kupferschicht die freiliegende Kupferoberfläche der Leiterzüge
oxydiert,Sodann wird die Maskenschicht entfernt um anschliessend
die nunmehr freiliegende,nicht oxydierte Schicht des stromlos abgeschiedenen Kupfers unter Benutzung
eines an sich bekannten alkalischen Ätzmittels abzutragen. Hierbei wird die Ätzzeit jedoch ohne Gefahr für die von
der Oxydschicht geschützten Leiterzüge verlängert, beispielsweise verdoppelt,so daß die vollkommene Entfernung
aller Reste der stromlos abgeschiedenen Kupferschicht ebenso wie aller Rückstände vom Katalysierungsvorgang
sichergestellt und die Beschädigung der Leiterzüge ausgeschlossen wird.
Die Oxydschicht kann anschliessend ,vorteilhafter Weise
durch Tauchen in verdünnte Schwefelsäure entfernt werden.
Zweckmässiger Weise kann dies auch bei der üblichen Reinigung vor dem Aufbringen einer Lötschutzschicht geschehen.
Zur Oxydation hat sich beispielsweise eine Lösung die Natriunchlorit, Natriumphophat und Natronlauge enthält
als zweckmässig erwiesen, Vorteilhaft kann eine Lösung folgender Zusammensetzung benutzt werden :
162 g/l Natriumchlorit
10 g/l Trinatriumphosphat 10 g/l Natriumhydroxyd
10 g/l Trinatriumphosphat 10 g/l Natriumhydroxyd
dest. Wasser um 1000 ml Lösung zu erhalten.
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Claims (8)
1. Verfahren zum Herstellen von gedruckten Schaltungen
bei welchem die Trägermaterialoberfläche ,ggfls unter
Zwischenschaltung einer Haftvermittlerschicht in bekannter Weise ,vor oder nach dem Anbringen von Lochungen, mit
einer dünnen,beispielsweise 1 bis 3 AA. Stärke aufweisenden
stromloS',abgeschiedenen Kupferschicht überzogen wird,auf dieser sodann in bekannter Weise eine Abdeckschicht angebracht
wird die alle nicht gewünschten Leiterzügen entsprechenden Oberflächenteile bedeckt, dann durch galvanische
Kupferabscheidung die Leiterzüge aufgebaut und nach dem Entfernen der Abdeckschicht die freiliegende stromlos
abgeschiedene Kupferschicht entfernt wird, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Aufbau der galvanischen Kupferschicht
und vor dem Entfernen der Abdeckschicht die Oberfläche der Leiterzüge oxydiert wird, sodann die Abdeckschicht entfernt
und die freiliegende ungeschützte dünne Kupferschicht in einem alkalischen Ätzmittel entfernt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Ätzzeit derart verlängert wird,daß nicht nur das
stromlos abgeschiedene Kupfer sondern auch alle Reste aus Vorbehandlungsschritten zur stromlosen Verkupferung einschliesslich
der Katalysierung der Oberfläche in den Gebieten zwischen den Leiterzügen entfernt werden.
3 Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Ätzzeit im Vergleich zu der für nicht durch die
Oxydschicht geschützten Leiterzüge zulässigen verdoppelt wird.
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INSPECTED
4. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet,daß die Oxydschicht in
einem späteren Arbeitsschritt entfernt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Oxydschicht durch Einwirken von verdünnter Schwefelsäure
entfernt wird.
6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennr zeichn-t,daß die Entfernung der Oxydschicht mit der Endreinigung
verbunden wird und darauf folgend in an sich bekannter Weise die Schutzschicht zum Bewahren der Lötfähigkeit
aufgebracht wird.
7. Verfahren nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche 1 bis 6 , dadurch gekennzeichnet, daß zum Herstellen
der Oxydschicht eine Lösung verwendet wird, die mindestens Natriumchlorit, Trinatriumphosphat und Natriumhydroxyd
in Wasser enthält.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Lösung aus
160 g/l Natriumchlorit
10 g/l Trinatriumphosphat
10 g/l Natriumhydroxyd
und destilliertem Wasser um 1000 ml Lösung herzustellen
besteht.
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