DE3006117A1

DE3006117A1 - Verfahren zum herstellen von leiterplatten mit mindestens zwei leiterzugebenen

Info

Publication number: DE3006117A1
Application number: DE19803006117
Authority: DE
Inventors: Günter 4174 Issum Kisters; Fritz 4154 Tönisvorst Stahl
Original assignee: RUWEL WERKE GmbH
Current assignee: RUWEL WERKE GmbH
Priority date: 1980-02-19
Filing date: 1980-02-19
Publication date: 1981-08-27
Also published as: SE456388B; AT378308B; JPS56150900A; DE3006117C2; IL62169A0; ATA15881A; IT8147843A1; DK71481A; NL8100807A; CH658157A5; SE8100733L; IT1170737B; CA1162323A; JPH0261160B2; US4751105A; FR2476427A1; IL62169A; IT8147843A0; FR2476427B1

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Leiterplatten nach Art gedruckter Schaltungen mit Leiterzügen, die in zwei oder mehr Ebenen angeordnet sind.

Es ist bereits bekannt, Leiterplatten anzufertigen, bei denen die Leiterzüge auf beiden Seiten einer Isolierstoffplatte angeordnet sind. Bei derartigen Leiterplatten, die unter dem Begriff "zweiseitige Leiterplatten mit durchplattierten Loch-, verbindungen" bekannt geworden sind, werden auf verschiede-an Seiten angeordnete Leiterzüge, die einen Strompfad bilden, vermittels den Isolierstoffträger durchsetzende Lochungen mit metallisierten Wandungen verbunden, wobei der Lochwandbelag derart ausgebildet ist, daß er die elektrische Verbindung zwischen den betreffenden Leiterzügen bildet.

Weiters ist bereits vorgeschlagen worden, aus einer Mehrzahl von dünnen, auf ihrer Oberfläche'; Leiterzugmuster tragenden Isolierstoffträgern in einem unter/ Erwärmung durchgeführten Verpreßvorgang Vielebenen-Schaltungen herzustellen, bei denen die Verbindung zwischen Leiterzügen in verschiedenen Ebenen "■'-"' mittels Lochungen an den betreffenden Stellen erfolgt, deren Wandungen mit einer Metallschicht versehen sind.

In einen anderen, bekannt gewordenen Verfahrensvariante werden nicht nur die Lochwandungen metallisiert, sondern die'Löcher im ganzen mit Metall ausgefüllt. Die Verwendung von mit Metall gefüllten Löchern oder solchen mit metallisierten Wandungen als Verbindungswege zwischen verschiedenen Ebenen hat vor allem den Nachteil, daß der von einer Verbindung zwischen zwei Lei-

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terzügen beanspruchte Raum auf der Leiterplattenoberfläche * weder für weitere Verbindungen noch für unabhängige Montage- '

i löcher oder Kontaktflächen zum Anschluß von Oberflächen-Ver- ί bundenen Bauelementen zur Verfügung steht. Damit wird ein un~ . wirtschaftlich großer Anteil der Oberfläche verbraucht. Dies führt zu der Notwendigkeit, die Leiterplatten größer zu machen, was nicht nur aus Kostengründen, sondern insbesondere im Hinblick auf die Verwendung von hochintegrierten Bauteilen und dem immer stärker werdenden Trend zur Miniaturisierung unerwünscht ist.

Es wurde bereits vorgeschlagen, als VerbinduncsLöcher solche mit kleinem Durchmesser zu verwenden. Dies führt jedoch zu einer wesentlichen Komplizierung des Lochherstellverfahrenn und der Ausbildung einer verläßlichen Lochwandmetallisierung, ohne das Problem einer voll befriedigenden'Lösung näher zu bringen.

Es wurde auch vorgeschlagen, Mehrebenenleiterplatten derge - ; stalt herzustellen, daß nach dem Anfertigen des Leiterzug*- ' musters der ersten Ebene eine Maskenschicht aufgebracht wird, ₍ die jene Stellen, an denen elektrische Verbindungen zwischen Leiterzügen der ersten und solchen der nächsten Ebene ge- <; wünscht sind, unbedeckt läßt, um sodann in bekannter Weise vermittels stromloser Metallabscheidung des Leiterzugmustor der zweiten Ebene aufzubauen. Die Verbindung zwischen Leiter- i;

f ■ zügen soll durch die auf den von der Maske unbedeckten Metall- i.

oberflächen der Leiterzüge der ersten Ebene durch die stromlose k Abscheidung aufzubauende Metallschicht bewirkt werden. j

Dieses Verfahren hat sich jedoch als nicht geeignet erwiesen, ^ um verläßliche Kontaktverbindungen, die insbesondere auch me-

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chanischen und thermischen Belastungen gewachsen sind, herzustellen.

Ziel des Verfahrens nach der vorliegenden Erfindung ist es, in wirtschaftlicher und raumsparender Weise Leiterplatten anzufertigen, bei denen die Verbindungen zwischen Leitern aufeinander folgender Ebenen vorwiegend oder ausschließlich ohne

Zuhilfenahme von Löchern mit metallisierten Wandungen ausgebildet werden, und die siqh durch hervorragende Güte der Verbindungen zwischen Leiterzügen aufeinander folgender Ebenen ciuszeichnen.

Bei dem Verfahren nach der Erfindung werden zunächst die Leiterzüge der ersten Leiterzugebene auf der Oberfläche eines geeigneten Ausgangsmaterials nach einem der bekannten Verfahren hergestellt. Anschließend wird die Oberfläche mit einer Maskenschicht aus Isolierstoff bedeckt, wobei lediglich jene Stellen der Leiterzüge der ersten Ebene frei bleiben, die ir späteren Verfahrensablauf zum Herstellen der Verbindungen zwischen entsprechenden Lelterzügen der ersten und einer darauffolgenden Ebene dienen. Diese unbedeckten Stellen v/erden nachfolgend auch als "erste Fenster" bezeichnet. Anschließend wird eine Haftvermittlerschicht derart aufgebracht, daß sie die Maskenoberfläche zumindest in jenen Gebieten bedockt, in denen das Leiterzugmuster der zweiten Ebene aufgebaut werden soll und,weiterhin, über die Ränder der ersten Fenster und auf die dort von der Maske unbedeckte Metallschicht der betreffenden Leiterzüge unter Aussparung eines zweiten, kleineren Fensters, reicht. Anschließend wird die mit der Haftvermi.ttlerschicht versehene Platte der Einwirkung eines Aufschlußmittels ausge-

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setzt, das geeignet ist, deren Oberflächenbezirke mikroporös und polar und damit zugleich benetzbar zu machen. Auf der so vorbereiteten Oberflächenschicht wird eodann das Leitermuster der zweiten Ebene vermittels an sich bekannter, stromloser Metallisierungsverfahren allein oder zusammen mit einem galvanischen Metallisierungsvorgang, aufgebaut, wobei ein Metallüberzug bzw. metallische Leiterzüge entstehen, die als einheitliche Schicht bis in die zweiten Fenster reichen und dort die Oberfläche der betreffenden Leiterzüge der ersten Ebene festhaftend bedecken.-

Sollen mehr als zwei Leiterzugebenen benutzt werden, so werden die erfindungsgemäßen Verfahrensschritte entsprechend oft wiederholt.

Es hat sich als besonders vorteilhaft erwiesen, als Haf'cvermittlerschicht eine solche zu benutzen, die einen Stoff enthält, der sie durchweg oder zumindest an der Oberfläche für ! die stromlose Metallabscheidung katalytisch macht. Als solche , Zusätze eignen sich beispielsweise organometallische Verbindungen eines Metalles der Gruppen IB und VIII.

Erst durch die Verwendung der Haftvermittlerschicht auf der ι dielektrischen Isolierschicht gelingt es, für die Praxis brauchbare Leiterplatten herzustellen, die auch bezüglich ι echanischer und thermischer Beanspruchung den Anforderungen voll entsprechen.

Weitere Untersuchungen der Anmelderin haben ergeben, daß es für dasHerstellen derartiger Leiterplatten überraschenderweise unerläßlich ist, daß die Haftvermittlerschicht über die

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von den Penstern in der dielektrischen Maskenschicht gebildeten Ränder hinweg und bis auf die Oberflächen der betreffenden Leiterzüge der ersten Lelterzugebene reicht, wobei die Haftvermittlerschicht ein zweites, kleineres Fenster frei läßt. Damit wird es erst ermöglicht, daß beim Aufbau der Metallschicht der zweiten Leiterzugebene ein einheitlicher Belag entsteht, der sowohl den entsprechenden Leiterzug der zweiten Ebene als auch die Verbindung zum zugehörigen Leiterzug der ersten Ebene in verläßlicher Weise bildet.

Werden die nach dem vorliegenden Verfahren hergestellten Leiterplatten in Verbindung mit zur Oberflächenmontage geeigneten Bauelementen benutzt, so werden die entsprechenden Kontaktflächen auf der Leiterplatte in deren oberster Leiterzugebene nach dem beschriebenen Verfahren hergestellt.

Sollen Lochungen zur Montage von Bauelementen mit Anschlußdrähten verwendet werden, so können diese zur Verbesserung der Lötstelleneigenschaften in ansich bekannter Weise mit einem Metallwandbelag versehen werden.

Nach den Untersuchungen der Anmelderin können derartige Leiterplatten mit metallisierten Lochwandungen besonders einfach hergestellt werden, wenn sowohl ein für die stromlose Metalabscheidung katalysierender Haftvermittler als auch ein Ausgangsmaterial, das mit einem es gleichermaßen katalysierenden .Zusatz versehen ist, benutzt wird.

Verbindungslöcher mit metallisierten Lochwandungen werden nach einer weiteren Ausfuhrungsform der Erfindung auch dazu benutzt, um Leiterzüge, die sich auf' verschiedenen Seiten des Ausgangs-

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materials befinden, In an sich bekannter Weise miteinander zu verbinden. Da auch in diesen Fällen alle oder die Mehrzahl aller Verbindungen zwischen Leiterzügen verschiedener Ebenen ohne Zuhilfenahme von Löchern mit metallisierten Wandungen erfolgt, bleibt die wirtschaftliche Oberflächenausnutzung der Leiterplatten und deren hervorragende Zuverlässigkeit voll

erhalten.

In der Regel wird man die erste oder die ersten Leiterzugebene oder -ebenen zum Aufbau von Leiterzugmustern mit relativ ge- ;

ringer Dichte benutzen und diese beispielsweise im Siebdruck ' j herstellen. Die darauffolgende oder folgenden Leiterzugebene bzw.-ebenen werden sodann zum Aufbau von Leiterzugmustern hoher ; Dichte, die gegebenenfalls im Lichtdruck hergestellt werden, benutzt. Damit wird es möglich, verschiedene Methoden selbst zur ■■ Leitermusterherstellung für Leiterplatten mit Leiterzügen in i nur zwei oder mehreren Ebenen zu verwenden, um so durch Ein- \ satz des kostengünstigeren Siebdruckverfahrens für die Lage j oder die Lagen mit geringer Leiterzugdichte zu einer außerordentlich wirtschaftlichen Herstellweise zu gelangen.

Zum Herstellen der mikroporösen, polaren und benetzbaren Oberflächenregion der Haftvermittlerschicht wird nach dem erfindungsgemäßen Verfahren ein Mittel benutzt, das das Metall der Leiterzüge nicht oder in nur sehr geringem Umfang angreift.

Für Kupferleiterzüge hat sich die Verwendung einer alkalischen Permanganatlösung als besonders vorteilhaft erwiesen.

Vorteilhafterweise wird die dielektrische Maskenschicht als Harzschicht aufgebracht, die eine Trockenfilmstärke von 30 bis

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100 um besitzt. Besonders geeignet sind Epoxydharz-Abmischungen bzw. solche aus Epoxyd- und Phenolharzen. Bevorzugt wird eine Trockenfilmdicke von 50 um.

Als Haftvermittlerschichten eignen sich beispielsweise solche Zweiphasen-Harzsysteme, die einen Bestandteil enthalten, der unter Einwir_kung eines entsprechenden Mediums zur Ausbildung von Mikroporen führt..

Entsprechende Untersuchungen der Anmelderin haben ergeben, daß die Fläche des zweiten Fensterbereiches, also des Fensters in der Haftvermittlerschicht, vorteilhafterweise miridestens 0,1 bis 1 mm^a groß ist, und vorzugsweise mindestens 0,5 mm^a beträgt.

Nachfolgend soll das Verfahren nach der Erfindung anhand von Beispielen weiter dargestellt und erläutert werden.

Beispiel 1

Als Ausgängsmaterial für eine Leiterplatte mit Leiterzügen in zwei Ebenen dient einseitig kupferkaschiertes, marktübliches Basismaterial. Nach dem Zuschneiden der Arbeitstafel wird die gereinigte Kupferoberfläche mit einer dem gewünschten Leiterzugmuster entsprechenden Abdeckmaske versehen, beispielsweise im Siebdruckverfahren. Nach dem Ätzen und Entfernen der Abdeckschicht wird die mit den Leiterzügen der ersten Ebene versehene Arbeitstafel kontrolliert.

Anschließend wird eine permanente Abdeckmaskenschicht aus .dielektrischem Isoliermaterial aufgebracht. Dies geschieht durch Aufbringen einer Epoxydharz-Abmischung im Siebdruck, wo-

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bei Fenster auf den entsprechenden Leiterzügen, die etwas

größer als die für die Kontaktausbildung benötigten Flächen }

gewählt werden, frei bleiben. Nach dem Aushärten der Harz- j

Abmischung für 1 Stunde bei 120° C ergibt sich eine Trocken- \

filmstärke von 50 μπι. \

Nunmehr wird im Siebdruck eine Haftvermittlerschicht aufgebracht, i

die aus einem Butadiennltrilgummi-modifizierten Phenolharz ,

besteht und eine organometallische Verbindung von Palladium \

enthält. Diese Schicht reicht über die Ränder der Fenster in | der dielektrischen Maskenschicht hinaus auf die Oberfläche

der betreffenden Leiterzüge, und zwar unter Aussparung eines ,■

zweiten, gegenüber dem ersten eine kleinere Fläche aufweisenden Fensters. Die Fläche der so gebildeten zweiten Fenster

beträgt im vorliegenden Beispiel 0,5 mm^a♦

j Anschließend wird die Haftvermittlerschicht für 40 Minuten bei | 160° C gehärtet und zum Ausbilden von Mikroporen sowie einer
polaren benetzbaren Oberfläche einer alkalischen Permanganatlösung bei 50° bis 60° C für 1 bis 3 Minuten ausgesetzt. Diese
Lösung enthält 40 bis 60 g/l Kaliumpermanganat und 40 bis
60 g/l Natriumhydroxyd.

Nach dem Spülen mit Wasser, verdünnter Salzsäure und wieder
Wasser werden die freiliegenden Kupferflächen in den zweiten
Fenstern für kurze Zeit in einer Ammoniumpersulfatlösung bei
30° bis 40° C gereinigt. Diese Lösung enthält zwischen 100
und 250 g/l Ammoniumpersulfat.

Nach dem Spülen mit Wasser, verdünnter Schwefelsäure und wieder Wasser wird in einem stromlos Kupfer abscheidenden Bad eine

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sowohl die Haftvermittlerschicht-Oberfläche als auch· die . Kupferoberflächen in den zweiten Fenstern bedeckende Metallschicht abgeschieden, deren Dicke zwischen 0,5 und 2,5 μπι gewählt wird.

Sodann wird eine dem Negativ des gewünschten Leiterzugmusters der zweiten Ebene entsprechende Maskenschicht im Lichtdruck aufgebracht und das Leiterzugmuster in einem galvanischen Bad hoher Einebnungsfähigkeit aufgebaut.

Die Leiterplatten werden durch Bedrucken mit Lötstopplack und Ausstanzen aus der Arbeitstafel fertiggestellt.

Beispiel 2

Es wird, wie in Beispiel 1 beschrieben, bis zum Aufbringen der Haftvermittlerschicht und deren Härtung vorgegangen. Nach dem Härten wird eine dem Negativ des Leiterzugmusters der zweiten Ebene entsprechende Maske aufgedruckt, die die zweiten Fenster wiederum freiläßt. Anschließend wird die Haft-

der
Vermittlerschicht mit/Kaliumpermangantlösung behandelt und die Arbeitstafel nach entsprechenden Spülschritten in ein stromlos Kupfer abscheidendes Bad gebracht. In diesem Bad verbleibt die Arbeitstafel, bis sich die Leiterzüge in der gewünschten Dicke ausgebildet haben. Nach dem Spülen wird wiederum eine Lötstopplackmaskeaufgebracht und ausgehärtet, um sodann die Leiterplatten, aus der Arbeitstafel auszustcinzen.

Beispiel 3

Zum Herstellen einer Leiterplatte mit vier Leiterzugebenen wird zunächst, wie in Beispiel 1 oder 2 beschrieben, vorgegan-

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gen. Vor dem Auftragen der Lötstopplack-Maske werden jedoch die Schritte bestehend aus

- Auftragen der dielektrischen Maskenschicht und Härten derselben;

- Auftragen der Haftvermittlerschicht und Härten derselben;

- Behandeln mit de_rr Kaliumpermanganatlösung; und

- Aufbau der Leiterzüge der entsprechenden Ebene zwei weitere Male wiederholt.

Beispiel 4

In diesem Beispiel wird von zweiseitig kupferkaschiertem Basismaterial ausgegangen, das durchwegs einen Stoff enthält, d.r die Oberflächen des Basismaterials für die stromlose Metallabscheidung katalytisch sensibilisiert. Hierzu hat sich ein Zusatz einer organometalllschen Verbindung des Palladiums zu zur Herstellung des Basismaterials benutzten Harzgemischen als geeignet erwiesen.

Zunächst werden auf beiden Seiten des Basismaterials in bekannter Weise die Leiterzüge der ersten beiden Leiterzugebenen angefertigt. Anschließend werden die beiden die Leiterzugmuster tragenden Oberflächen, wie in Beispiel 1 beschrieben, mit der dielektrischen und der Haftvermittlerschicht versehen. Sodann werden an Stellen, an denen Leiterzüge aus Ebenen auf der einen Seite des Basismaterials mit solchen aus Ebenen auf der anderen Seite verbunden werden sollen» Durchgangslochungen hergestellt. Anschließend werden die Wandungen dieser Lochungen zugleich mit den Leiterzügen der zweiten Ebenen, wie in Beispiel 1, 2 oder 3 beschrieben, aufgebaut und die Leiterplatte fertiggestellt.

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Beispiel 5

In diesem Beispiel wird von einem Basismaterial ausgegangen, das anstelle einer Kupferkaschierung eine Haftvermittlerschicht trägt. Sodann wird die erste Ebene des Laiter.zugmusters vollständig durch stromlose Metallabscheidung oder vermittels dieser und nachfolgender galvanischer Metallabscheidung in bekannter Weise aufgebaut/ um anschließend - wie in einem der Beispiele 1 bis 4 beschrieben - fortzufahren.

Beispiel 6

Als Ausgangsmaterial dient einseitig kupferkaschiertes Basismaterial, Dieses wird zunächst mit dem Leiterzugmuster der ersten Ebene und anschließend - wie in Beispiel 1 beschrieben mit der dielektrischen Maskenschicht und der Haftvermittlerschicht versehen. Im Unterschied zu Beispiel 1 ist jedoch die hier benutzte Haftvermittlerschicht frei von einem die stromlose Metallabscheidung katalysierenden Zusatz.

Nach dem Behandeln mit der Kaliumpermanganatlösung wird die Arbeitstafel einer Badlösung ausgesetzt, die der katalytischen Sensibilisierung für die stromlose Metallabscheidung dient. Im vorliegenden Fall wurde eine Lösung, die das Reaktionsprodukt von Palladium(II)chlorid und Zinn(II)Chlorid enthält, benutzt.

.Anschließend wurde wieder - wie in Beispiel 1 beschrieben - verfahren.

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Claims

Verfahren zum Herstellen von Leiterplatten mit mindestens zwei Leiterzugebenen Patentansprüche:

1. Verfahren zum Herstellen von Leiterplatten mit mindestens zwei Leiterzugebenen, wobei zunächst das Leitsrzugbild der ersten Ebene hergestellt und sodann mit einer Isoliermaskenschicht versehen wird, die jene Stellen der Leiterzüge der ersten Ebene frei läßt, die zum Aufbau der Verbindung mit entsprechenden Leiterzügen einer darauffolgenden Leiterzugebene dienen, daß sodann die Leifcerzüge der zweiten Ebene durch jinen Metallabacheidtingsvorgang hergestellt werden,, wobei der sich gleichzeitig aufbauende Metallbelag auf den von der Maskenschicht nicht bedeckten Gebieten, im folgenden "ersLr- ΐ aster" genannt, der Leiterzüge der ersten Leiterzugebene die Verbindung zwischen entsprechenden Leiterzügen beider Ebenen bewirkt, dadurch gekennzeichnet,. da3 nach dem Aufbringen der Isoliermaskenschicht eine schicht eines Haftvermittlers aufgebracht wird, der durch nachfolgend« Behandlung mikroporös, polar und benetzbar gemacht werden kann, wobei die Haftvermittlerschicht, über die'Ränder der ersten Fenster in der Maskenschicht ragend, bis auf die Metalloberfläche der betreffenden Leiterzüge unter Aussparung eines zweiten, kleineren Pensterbereiches auf der Metalloberfläche der betreffenden Leiterzüge reicht; und daß sodann die Haft-

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Vermittlerschicht mit einem Mittel behandelt wird, das diese mikroporös und benetzbar macht, ohne das Metall der Leiterzüge in störendem Umfang oder überhaupt anzugreifen; und daß anschließend das Leiterzugmuster und die Verbindungen zu Leiterzügen der ersten Ebene in jenen zweiten Fensterbereichen vermittels stromloser Abscheidung allein oder in Verbindung mit galvanischer Metallabscheidung oder nach einem anderen bekannten Verfahren hergestellt werden; und daß gegebenenfalls das Verfahren zum Herstellen von Leiterzügen in einer Vielzahl von Ebenen entsprechend wiederholt wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Fensterbereich eine öffnung aufweist, die mindestens 0,1 bis 1 mm² groß ist.

3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die öffnung mindesteng 0,5 mm^a beträgt.

4. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Trockenfilm der Maskenschicht aus dielektrischem Isoliermaterial in einer Stärke von 30 bis 100μΐη besteht.

5. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis , dadurch gekennzeichnet, daß die Haftvermittlerschicht eine

Dicke von 10 bis 50 um besitzt.

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6. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Maskenschicht eine Dicke von 50 μπι und die Haftvermittlerschicht eine solche von 20 μπι aufweist.

7. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Haftvermittlerschicht einen Stoff enthält, der entweder als solcher oder nach entsprechender Behandlung geeignet ist, auf seiner Oberfläche die stromlose Metal!abscheidung aus geeigneten Badlösungen katalytisch in Gang zu setzen.

8. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Haftvermittlerschicht einer alkalischen Permanganate-Lösung ausgesetzt wird, um sie mikroporös und benetzbar zu machen.

9. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß als Ausgangsmaterial für die Leiterplatte ein solches dient, das durchwegs einen Stoff enthält, der bewirkt, daß Oberflächen sowie Lochwandungen desselben, wenn sie stromlos metallisierenden Badlösungen ausgesetzt werden, mit einem festhaftenden Metallbelag versehen werden.

10. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die aus Haftvermittlerschicht und Metallflächen in den Fenstern derselben gebildete

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Oberfläche zunächst einem stromlos Metall abscheidenden Bad ausgesetzt wird, daß sodann die so abgeschiedene Metallschicht mit einer dem Negativ des gewünschten Leiterzugmusters der betreffenden Ebene entsprechenden Maskenschicht versehen wird; und daß anschließend die Leiterzüge durch galvanische. Abscheidung aufgebaut werden.

11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die stromlos aufgebaute Schicht zunächst galvanisch verstärkt wird, und daß zum Aufbau der Leiterzüge ein galvanisches

Bad mit hoher EinebnungsfahigkepLt benutzt wird,

12. Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, daß alle Leiterzugebenen ausschließlich auf einer Seite des Ausgangsmaterials für die Leiterplatte angeordnet sind; und daß bei der.galvanischen Metallabscheidung jeweils zwei Leiterplatten mit den von Leiterzügen freien Seiten zueinander, sich praktisch oder tatsächlich berührend, in der Badlösung angeordnet werden.

13. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß gleichzeitig mit dem Aufbau der Leiterzüge einer Ebene und der Verbindung zu Leiterzügen der nächsten Ebene Löcher mit metallisierten Lochwandungen hergestellt werden, die entweder als Montagelöcher für Bauelemente dienen, oder als Verbindung von Leiterzügen, die sich auf verschiedenen Seiten des Ausgangsmaterials befinden, oder für beides.

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14. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß für die der Oberfläche des Ausgangsmaterials benachbarten Leiterbildebenen Leiterbildmuster mit relativ geringer LelterZugdichte benutzt werden, und daß die Leiterzüge in der nächsten Ebene, bzw. bei einer zwei überschreitenden Zahl von Leiterzugebenen, in jeweils später aufgebauten Schichten höher gewählt wird.

15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die die geringere Dichte aufweisenden Leiterzüge im Siebdruck und die mit hoher Leiterzugdichte im Lichtdruck hergestellt werden. ·

16. Verfahren nach den Beispielen 1 bis 6.

17. Leiterplatte mit Leiterzügen in mindestens zwei Leiterzugebenen, dadurch gekennzeichnet, daß diese nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 16 hergestellt ist.

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