DE3323476C2

DE3323476C2 -

Info

Publication number: DE3323476C2
Application number: DE3323476A
Authority: DE
Inventors: Denis M. Glen Cove N.Y. Us Morrissey; Peter E. Garden Sity South N.Y. Us Takach; Rudolph J. Hauppauge N.Y. Us Zeblisky
Original assignee: Kollmorgen Technologies Corp
Current assignee: AMP Akzo Corp
Priority date: 1982-07-01
Filing date: 1983-06-27
Publication date: 1988-10-20
Also published as: GB2123036A; DE3323476A1; DK303083D0; DK303083A; GB8317516D0; IT1208659B; GB2123036B; FR2529582B1; IT8348608A0; IL69122A0; AU1648183A; AU564034B2; KR890002623B1; SE462434B; NL8302344A; KR840005498A; ES8404769A1; CH655518B; FR2529582A1; ES523785A0

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum galvanischen Metallisieren von Gegenständen gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.

Die Metallisierung der Oberflächen von Isolierstoffen erfolgt üblicherweise durch ohne äußere Stromquelle arbeitende Metallabscheidungsbäder. Nach der katalytischen Aktivierung ihrer Oberflächen werden die Werkstücke in diese Bäder gebracht und darin belassen, bis der Metallüberzug, z. B. aus Kupfer oder Nickel, die gewünschte Stärke erreicht hat. Auf dieser ersten, stromlos abgeschiedenen Metallschicht wird meistens nach einem der üblichen galvanischen Verfahren weiteres Metall abgeschieden. Bei der Herstellung gedruckter Schaltungen mit durchplattierten Löchern werden zunächst beidseitig kupferbeschichtete Laminate als Basismaterial mit den erforderlichen Lochungen versehen, deren Wandungen durch Eintauchen in ein allgemein bekanntes Katalysatorbad für die Metallabscheidung aktiviert werden. Anschließend wird eine Metallschicht, meistens aus Kupfer, stromlos durch Einbringen in ein geeignetes, stromlos Metall abscheidendes Bad abgeschieden. Die Platten werden so lange in der Badlösung belassen, bis die abgeschiedene Metallschicht die gewünschte Stärke, z. B. 0,5 bis 2,5 µm, aufweist. Diese erste leitende Metallschicht wird weiter galvanisch verstärkt bis zur gewünschten endgültigen Schichtdicke.

In der industriellen Fertigung werden seit Jahren für das beschriebene Verfahren charakteristische Katalysatorlösungen verwendet, deren Weiterentwicklung zu Produkten mit relativ hoher Stabilität geführt hat. Die mit diesen Katalysatorlösungen behandelten Oberflächen führen zur Bildung stromloser Metallabscheidungen durch die Oxidation geeigneter Bestandteile des ohne äußere Stromquelle arbeitenden Abscheidungsbades, wodurch intern Elektronen für die Reduktion komplexgebundener Metallionen zu Metall bereitgestellt werden.

Bei Verwendung stromlos Metall abscheidender Bäder ist die sorgfältige Überwachung der verschiedenen Badbestandteile und die kontrollierte Zugabe von Chemikalien als Ersatz für verbrauchte Substanzen erforderlich. Ein weiterer Nachteil derartiger Abscheidungslösungen besteht in ihrer Tendenz, Metall, z. B. Kupfer, wahllos abzuscheiden, was zu Metallablagerungen auch an den Wänden und am Boden des Reaktionsgefäßes führt. Dadurch wird eine häufige Unterbrechung des Badbetriebes und das Entleeren der Badbehälter erforderlich, um den Metallbelag durch Abätzen zu entfernen. Die stromlose Metallabscheidung ist daher recht teuer und aufwendig und erfordert zu ihrer Durchführung gut geschultes Personal.

Trotz dieser erheblichen Nachteile war bisher die stromlose Abscheidung einer ersten Metallschicht ein unerläßlicher Bestandteil aller Verfahren zur Metallbeschichtung nichtmetallischer Oberflächen, auch zur Herstellung von gedruckten Schaltungen.

In der US-PS 30 99 608 wird ein Verfahren zur galvanischen Verkupferung von Lochwandungen in Laminaten, wie sie zur Herstellung gedruckter Schaltungen verwendet werden, beschrieben. Danach wird eine kolloide Palladium-Zinn-Chlorid-Suspension zur Erzeugung eines nahezu nichtleitenden Films kolloider oder semikolloider Teilchen und anschließende galvanische Verkupferung der Lochwandungen verwendet. Dieses Verfahren weist jedoch schwerwiegende Mängel auf und erwies sich in der Praxis als nicht durchführbar.

Zum einen hat die kolloide Palladium-Zinn-Chlorid-Suspension wegen ihrer Neigung zum Ausflocken eine nicht annehmbar kurze Lebensdauer von nur ca. 9 Tagen und ist wegen ihres hohen Palladiumgehaltes relativ teuer. Zum anderen wird bei diesem Verfahren wesentlich mehr Kupfer an den Oberflächen als auf den Lochwandungen abgeschieden, was seine Unbrauchbarkeit für die gewerbliche Nutzung zur Folge hat.

Grundgedanke des in der US-PS 30 99 608 beschriebenen Verfahrens ist die Verwendung eines auf die zu galvanisierende Oberfläche aufgebrachten, dünnen, kaum sichtbaren Filmes von Teilchen semi-kolloiden Palladiums, der einen beträchtlichen Widerstand aufweist, und die Ausnutzung des Umstandes, daß Palladium, da es von Natur aus sowohl katalytisch wirksam als auch leitend ist, die Fähigkeit besitzt, eine gleichzeitige und kombinierte Aktivierungs- und Leiterfunktion auszuüben, und daß, nachdem die galvanische Abscheidung an einem Leiter in Gang gekommen ist, sie offenbar durch die Katalysatoreigenschaften des Palladiums aktiviert wird und der Abscheidungsvorgang direkt an dem Film von "conductivator"-Partikeln abläuft.

Pyrophosphathaltige Galvanisierungsbäder liefern keine für gedruckte Schaltungen ausreichenden Kupferqualitäten; ein Bad komplizierterer Zusammensetzung scheidet zwar Kupfer ausreichender Güte ab, verhindert aber das Funktionieren des in der US-PS 30 99 608 beschriebenen Verfahrens. Die in der US-PS 30 99 608 offenbarte Lehre konnte daher von der Industrie praktisch nicht genutzt werden und die katalytische stromlose Metallabscheidung wurde, oft in Kombination mit einem sich anschließenden Galvanisierungsschritt, als einzig gangbarer Weg zur Metallisierung von Nichtmetalloberflächen angesehen.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, das bekannte Verfahren zum galvanischen Metallisieren von Gegenständen mit mindestens einer nichtmetallischen, zumindest teilweise zu metallisierenden Oberfläche, die temporär oder permanent mit einer benachbart zu, jedoch außerhalb des oder der zu metallisierenden Bereiche(s) der nichtmetallischen Oberfläche(n) angeordneten, elektrischen Anschlußfläche versehen ist, in einem Behälter, der mit einer Gegenelektrode ausgestattet ist und eine Lösung mit dem galvanisch abzuscheidenden Metall enthält, in der Weise zu verbessern, daß eine stromlose Metallabscheidung nicht erforderlich ist und das Metall direkt galvanisch auf der katalysierten Oberfläche abgeschieden werden kann.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 angegebenen Merkmale gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Verfahrens ergeben sich aus den Unteransprüchen.

Die Erfindung zeichnet sich durch die folgenden Verfahrensschritte aus:

a) Versehen der nichtmetallischen Oberfläche(n), zumindest in dem oder den galvanisch zu metallisierenden Bereich(en), mit einer Vielzahl von metallischen Keimen bzw. Partikeln, die aus einem Metall (A) bestehen oder dieses enthalten, wobei das Metall (A) und das galvanisch abzuscheidende Metall (B) solche aus den Gruppen Ib und VIII des Periodensystems der Elemente und nicht identisch sind;
b) Einbringen der zu metallisierenden Oberfläche(n) und zumindest eines Teiles der elektrischen Anschlußfläche in ein Galvanisierungsbad vorbestimmter Leitfähigkeit, das weiterhin eine oder mehrere Komponente(n) (C) enthält, wobei (C) Methylenblau, Methylviolett, Alkylphenoxypolyäthoxyäthanole, nichtionogene Fluorkohlenwasserstoffe, Polyoxyäthylen-Verbindungen, Block-Copolymere von Polyoxyäthylen und Polyoxypropylen, Allylthioharnstoffe, Tetramethylthiuramidsulfid, 2,4,6-(2-pyridyl)-s-triazin, eine stickstoffhaltige, heterozyklische Verbindung, Triphenylmethanfarbstoff, Thioharnstoff oder Thioharnstoffderivate, Saccharin sowie o-Benzal dehydsulfonsäure-Derivate ist bzw. sind;
c) Anlegen einer Spannung, die einer Stromdichte von 30 bis 50% der maximalen Stromdichte entspricht, und diese so lange aufrechterhält, bis eine im wesentlichen gleichmäßige, zusammenhängende Schicht bestimmter Dicke aus Metall (B) abgeschieden ist.

Die Abscheidungsgeschwindigkeit an den Metallkeimen oder -partikeln wird möglichst so eingestellt, daß sie um wenigstens eine, besser noch um zwei Größenordnungen höher als diejenige am bereits abgeschiedenen Metall ist.

In einer bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens werden die mit den Metallkeimen oder -partikeln versehenen Oberflächen einem oder mehreren der folgenden Behandlungsschritte unterzogen; einer Wärmebehandlung, der Behandlung mit einer Reinigungs- und Aufbereitungslösung und/oder der Behandlung mit einem Reduktionsmittel. Das vorliegende Verfahren stellt eine verbesserte Methode zur Galvanisierung von Isolierstoffoberflächen dar. Es handelt sich insbesondere um ein äußerst wirkungsvolles Verfahren zur Herstellung durchplattierter Löcher in metallbeschichteten Laminaten.

Ein besonderer Vorteil der Herstellung von gedruckten Schaltungsplatten mit durchplattierten Löchern nach dem vorliegenden Verfahren besteht in der Einheitlichkeit der auf den Lochwandungen abgeschiedenen Kupferschicht. Da das Kupfer direkt auf der nichtmetallischen Lochwandoberfläche ohne eine dazwischen liegende Schicht von stromlos abgeschiedenem Metall abgeschieden wird, sind die physikalischen Eigenschaften, die Haftfestigkeit auf der Kupfer/Kunststoff-Grenzschicht und die Haftfestigkeit zwischen Folienkupfer und galvanisch abgeschiedenem Kupfer wesentlich verbessert. Dies ist bei der Herstellung von gedruckten Schaltungen, wie z. B. Mehrebenenschaltungen, an deren Zuverlässigkeit außerordentlich hohe Anforderungen gestellt werden, von besonderer Bedeutung. Es wird angenommen, daß das vorliegende Verfahren zur direkten galvanischen Metallabscheidung auf den folgenden Grundprinzipien beruht:

I. (1) Die auf der Nichtmetalloberfläche angebrachten Metallkeime oder -partikel sind mit einer "Anschlußfläche" ("Anschlußelektrode"), die ebenfalls auf dieser Oberfläche befestigt ist, durch das als Elektrolyt wirkende Galvanisierungsbad verbunden, das eine Widerstandsbrücke zwischen der Anschlußfläche und den in dessen Nähe befindlichen Metallkeimen oder -partikeln sowie zwischen den Metallkeimen oder -partikeln untereinander bildet. Je größer die Dichte der Metallkeime oder -partikel ist, um so schneller wird eine einheitliche Metallschicht galvanisch abgeschieden.
(2) Je größer die Leitfähigkeit des Elektrolyten ist, desto geringer ist der Widerstand der Widerstandsbrücke. Bei der Verwendung eines theoretisch vorstellbaren Elektrolyten unendlicher Leitfähigkeit befänden sich alle Metallkeime oder -partikel auf dem gleichen Potential wie die Anschlußfläche; umgekehrt wäre bei der Verwendung eines, ebenfalls theoretisch vorstellbaren, Elektrolyten äußerst geringer Leitfähigkeit der Widerstand zwischen den Metallkeimen oder -partikeln und der Anschlußfläche zu hoch, als daß sich ein Potential, das die Metallabscheidung an den Keimen oder Partikeln ermöglichen würde, tatsächlich ausbilden kann.
(3) Bei praktisch verwendbaren Elektrolyten tritt ein Spannungsabfall entlang der Widerstandsbrücke auf. Aus dem bereits Gesagten folgt daher, daß
- a) die an die Gegenelektrode und an die Anschlußfläche von einer Spannungsquelle gelieferte Spannung so gewählt werden muß, daß nicht nur der Spannungsabfall zwischen den Elektroden, einschließlich der Abscheidungsüberspannung, kompensiert wird, sondern auch der Spannungsabfall entlang der durch den Elektrolyten gebildeten Widerstandsbrücke, damit an den Metallkeimen oder -partikeln ein ausreichendes Abscheidungspotential besteht;
- b) je höher die Leitfähigkeit des Elektrolyten, desto schneller verläuft die Abscheidungsreaktion an den Keimen oder Partikeln (und desto gleichmäßiger ist die Dicke der abgeschiedenen Metallschicht);
- c) die Leitfähigkeit des Elektrolyten so hoch, wie es im bezug auf die Abscheidungsparameter möglich ist, gewählt werden sollte.
(4) Durch den oben erwähnten Bestandteil (C) des Galvanisierungsbades wird eine erste Metallschicht bevorzugt horizontal entlang der mit Metallkeimen oder -partikeln versehenen Oberfläche abgeschieden und im Vergleich zum Wachstum in vertikaler Richtung auf bereits abgeschiedenem Metall oder Metall gleicher Art unterdrückt.

Als "Leitfähigkeit" wird in der vorliegenden Anmeldung eine Funktion der Konzentration der Ladungsträger definiert, d. h. es wird angenommen, daß in einem sauren Galvanisierungsbad in erster Linie Protonen als Ladungsträger auftreten.

II. (1) Es ist von größter praktischer Bedeutung, daß die abgeschiedene Metallschicht möglichst gleichmäßig ist und daß die Schichtdicke nicht vom Abstand zur Anschlußfläche abhängt. Bei gedruckten Schaltungsplatten mit durchplattierten Löchern darf die Schichtdicke auf der Oberfläche und diejenige auf den Lochwandungen keinen nennenswerten und damit unzulässigen Unterschied aufweisen.
(2) Bei der galvanischen Metallabscheidung tritt ganz allgemein das Problem uneinheitlicher Schichtdicken auf, dem man durch bestimmte Zusätze, wie Nivellierungszusätze, begegnet.
(3) Pyrophosphathaltige Galvanisierungsbäder, die derartige Zusätze enthalten, liefern beim üblichen Verfahren der katalytischen stromlosen Metallabscheidung, gefolgt von galvanischer Metallabscheidung, zufriedenstellende Ergebnisse.
(4) Bei der Verwendung der seinerzeit erhältlichen Kupfer-Pyrophosphat-Galvanisierungsbäder mit derartigen Zusätzen erwies sich das in der US-PS 30 99 608 beschriebene Verfahren als wirkungslos, da sich die üblicherweise verwendeten Zusätze sowohl an das abgeschiedene Metall (Kupfer) als auch an das Palladium der Keime, oder sogar bevorzugt an letztere, anlagern, wodurch der Abscheidungsvorgang gestört oder unterbrochen wird. Trotz dieser mit dem bekannten Verfahren erzielten negativen Ergebnisse gelang mit dem erfindungsgemäßen Verfahren die Herstellung von Metallschichten, die sowohl im Hinblick auf ihre Gleichmäßigkeit als auch auf ihre Qualität zufriedenstellend waren. Es wurden hierzu Abscheidungsbäder verwendet, die einen oder mehrere Bestandteil(e) enthalten, die sich entweder bevorzugt am abzuscheidenden Metall anlagern und so die Abscheidung auf aus diesem Metall bestehenden Oberflächen im Vergleich zur Abscheidung auf aus einem anderen geeigneten Metall, z. B. Palladium, bestehenden Oberflächen, verlangsamen; oder die sich bevorzugt an die in den Metallkeimen oder -partikeln vorliegende Metallart anlagern und dort eine Erhöhung der Abscheidungsgeschwindigkeit gegenüber derjenigen an Oberflächen aus dem abzuscheidenden Metall bewirken.

Nach dem oben beschriebenen theoretischen Mechanismus ist es offensichtlich, daß die angelegte Spannung hoch genug sein muß, damit die galvanische Metallabscheidung an den diskreten Keimen oder Partikeln schneller abläuft als am Metall der gleichen Art wie dem abzuscheidenden. Diese Spannung läßt sich in der Praxis nach bekannten allgemein anerkannten Verfahren ermitteln.

Eines dieser Verfahren beinhaltet das Messen des Verhältnisses von Stromdichte und Spannung bei der galvanischen Abscheidung eines Metalls auf verschiedenen Substraten in Abwesenheit und in Gegenwart des Badbestandteiles (C). In dem für die galvanische Metallabscheidung üblichen Spannungsbereich (z. B. 0 bis 200 mV, gemessen gegen eine gesättigte Kalomel-Elektrode, bei einem Kupfersulfat/Schwefelsäure enthaltenen Bad, und -300 bis -1000 mV, gemessen gegen eine gesättigte Kalomel-Elektrode, bei einem Kupferpyrophosphat enthaltenden Galvanisierungsbad), ist die Abscheidungsgeschwindigkeit auf verschiedenen, mit Metallkeimen oder -partikeln versehenen Oberflächen größer als die Abscheidungsgeschwindigkeit auf Oberflächen aus dem abzuscheidenden Metall, wenn das Galvanisierungsbad den Bestandteil (C) enthält.

Die an Metall zu adsorbierenden Komponenten des Galvanisierungsbades (Badbestandteil (C)) können an Hand von Stromdichte/Spannungs-Kurven ausgewählt werden, wenn die eine der verwendeten Elektroden aus dem galvanisch abzuscheidenden Metall (z. B. Kupfer) und die andere Elektrode aus dem zur Ausbildung der Keime oder Partikel verwendeten Metall (z. B. Palladium) besteht.

Zur schnellen Auswahl der geeigneten Badzusammensetzungen bedient man sich der Stromdichte/Spannungs-Kurven zur Bestimmung des Abweichungswertes delta(E) _i, der wie folgt definiert ist:

delta(E) _i =E′ _i -E′′ _i.

E′ _i und E′′ _i sind die Spannungen, die bei einer Stromdichte i an der Elektrode aus dem abzuscheidenden Metall bzw. derjenigen aus dem zur Herstellung der Keime bzw. Partikel verwendeten Metall anliegen (Fig. 1). Die Stromdichte i beträgt 30 bis 50% der maximalen Stromdichte i _p (Fig. 1) und ist so bemessen, daß die aus dem Metall (A) bestehende Elektrode bei einer angelegten Spannung E _i nicht wesentlich mit dem galvanisch abzuscheidenden Metall (B) überzogen wird. Auch bei der sogenannten galvanostatischen Methode wird die Stromdichte i so gewählt, daß keine wesentliche Abscheidung des Metalls (B) an der Elektrode aus dem Metall (A) stattfindet.

Die Auswahl der zu adsorbierenden Badkomponenten beinhaltet die folgenden Schritte:

(1) Ermitteln der Stromdichte/Spannungs-Kurven (i-v) der beiden Testelektroden aus dem abzuscheidenden Metall (B) (z. B. Kupfer) und dem Metall (A) (z. B. Palladium) der Keime oder Partikel;
(2) Auswählen der Stromdichte i in der Größenordnung von 30 bis 50% der maximalen Stromdichte;
(3) Ablesen der Spannungswerte E′ _i und E′′ _i bei der gewählten Stromdichte aus den Stromdichte/Spannungs-Kurven (i-v);
(4) Berechnen der Spannungsdifferenz delta(E) _i =E′ _i -E′′ _i;
(5) Zu adsorbierende Badbestandteile, die einen hohen delta(E) _i-Wert bewirken, sind zu bevorzugen, d. h. eine Badzusammensetzung mit einem hohen delta(E) _i-Wert wird bevorzugt verwendet.

Nach der gleichen Methode und dem gleichen Auswahlkriterium wird die günstigste Konzentration der zu adsorbierenden Substanz ausgewählt.

Bei einer anderen schnellen Methode zum Bestimmen der für die erfindungsgemäße Anwendung geeigneten Badzusammensetzung werden ebenfalls Stromdichte/Spannungs-Kurven verwendet; jedoch ist in diesem Fall delta(E) _dep ein bestimmter Wert, der wie folgt definiert ist:

delta(E) _dep =E′ _dep -E′′ _dep,

wobei E′ _dep und E′′ _dep die Abscheidungsspannungen (d. h. die aus den Stromdichte/Spannungs-Kurven für die Stromdichte Null extrapolierten Spannungen) für das abzuscheidende Metall (B) auf der mit dem identischen Metall versehenen Oberfläche und für das Metall (A) bedeuten (Fig. 2).

Die experimentelle Durchführung ist bei diesem Verfahren die gleiche wie bei dem weiter oben beschriebenen Verfahren, jedoch werden E′ _dep und E′′ _dep durch Extrapolation der Stromdichte in den Stromdichte/Spannungs-Kurven auf den Wert Null und das Ablesen der entsprechenden Werte von E′ _dep und E′′ _dep bestimmt. Bei diesem Verfahren ist den Badzusammensetzungen mit einem hohen delta(E) _dep-Wert der Vorzug zu geben. Die günstigste Konzentration der zu adsorbierenden Substanzen liefert ein hoher delta(E) _dep-Wert.

Der Badzusatz (C) kann die bevorzugte Abscheidung an den Metallkeimen durch eine bevorzugte Anlagerung an Oberflächen des Metalles (B) im Vergleich zur Anlagerung an Oberflächen des Metalles (A) bewirken, wodurch die Metallabscheidung an Oberflächen, die aus dem Metall (B) bestehen, wesentlich reduziert oder verhindert wird, ohne die Abscheidung an Oberflächen des Metalles (A) wesentlich zu beeinträchtigen.

Der Badzusatz (C) kann sich andererseits bevorzugt an das Metall (A) der Keime oder Partikel anlagern und eine merkliche Verringerung der Überspannung bewirken, was ebenfalls eine beschleunigte Abscheidung an Oberflächen des Metalls (A) im Vergleich zu der an Oberflächen des Metalls (B) zur Folge hat. Vorzugsweise werden Metalle (A) und (B) so gewählt, daß das Metall (A) unter den bei der Galvanisierung vorliegenden Bedingungen ein niedrigeres Abscheidungspotential aufweist als das Metall (B). Als Metall (A) kommen in erster Linie Palladium, Platin, Silber oder Gold in Frage, wobei dem Palladium der Vorzug zu geben ist. Bei dem Metall (B) handelt es sich in erster Linie um Kupfer oder Nickel. Vorzugsweise sollten saure Galvanisierungsbäder verwendet werden. Für die Komponente (C) werden bevorzugt Copolymere von Äthylenoxid und Propylenoxid mit 10 bis 400 Oxyäthylen-Gruppen verwendet. Grundsätzlich steigert der Zusatz von Polyoxyäthylen-haltigen Verbindungen zur Galvanisierungsbädern, insbesondere zu solchen mit saurem Charakter, die galvanische Abscheidung des Metalles (B) auf Isolierstoffoberflächen, die mit Keimen oder Partikeln des Metalles (A) versehen sind, beträchtlich.

In der bevorzugten Ausführungsform des vorliegenden Verfahrens werden die Metallkeime durch Behandeln der betreffenden Oberflächen mit einer Lösung, die das Metall (A) in einer Verbindung oder als Komplex enthält, wie z. B. als Metallhalogenid wie Palladium-Zinn-Chlorid, einem Doppelmetallhalogenid.

Es hat sich als vorteilhaft erwiesen, die Oberflächen nach der Behandlung mit der das Metall (A) enthaltenden Lösung mit einem Reduktionsmittel zu behandeln. Als Reduktionsmittel können u. a. Natriumborhydrid, Formaldehyd, Dimethylaminoboran oder Hydroxylamin verwendet werden. Wenn die zur Herstellung der Metallkeime dienende Lösung Zinn enthält, ist es weiter vorteilhaft, die Zinnverbindungen von der mit den Keimen versehenen Oberfläche zu entfernen. Dies kann z. B. durch das Lösen des Zinns in verdünnter wäßriger Fluorborsäure oder in stark alkalischen Lösungen, die mit Zinn lösliche Alkalisalze bilden, erfolgen.

Zur Verbesserung der Lagerfähigkeit der mit Metallkeimen versehenen Oberflächen eignet sich eine Wärmebehandlung, bevorzugt eine zehnminütige oder längere Behandlung bei Temperaturen zwischen 65 und 120°C. Oberflächen, die sofort nach dem Entfernen aus der keimbildenden Lösung einer derartigen Behandlung unterzogen werden, können über längere Zeiträume, beispielsweise bis zu neun Monaten, problemlos gelagert werden.

In Fig. 1 ist der Zusammenhang zwischen Stromdichte und Spannung, durch den der Wert des Differenzbetrages
delta(E) _i =E′ _i -E′′ _i
definiert wird, grafisch dargestellt.

In Fig. 2 ist der Zusammenhang zwischen Stromdichte und Spannung, durch den der Wert des Differenzbetrages
delta(E) _Dep =E′ _dep -E′′ _dep
definiert wird, grafisch dargestellt.

In Fig. 3 stellen die Fotografien a bis f in chronologischer Reihenfolge die Metallschichten dar, die nach unterschiedlich langen Einwirkungszeiten des erfindungsgemäßen Galvanisierungsbades auf die zu metallisierende Oberfläche erzeugt wurden. Als Basismaterial diente ein kupferbeschichtetes Laminat, dessen Lochwandungen mit Palladiumkeimen versehen wurden; das abzuscheidende Metall war Kupfer.

Fig. 3a stellt das Basismaterial nach einer Behandlungszeit von 1 Minute im erfindungsgemäßen galvanischen Abscheidungsbad dar.

Fig. 3b stellt dasselbe Basismaterial nach einer Behandlungszeit von 2 Minuten dar.

Fig. 3c stellt dasselbe Basismaterial nach einer Behandlungszeit von 3 Minuten dar.

Fig. 3d stellt dasselbe Basismaterial nach einer Behandlungszeit von 4 Minuten dar.

Fig. 3e stellt dasselbe Basismaterial nach einer Behandlungszeit von 5 Minuten dar.

Fig. 3f stellt dasselbe Basismaterial nach einer Behandlungszeit von 20 Minuten dar.

Aus dieser Fotoreihe ist ersichtlich, daß die auf den Lochwandungen abgeschiedene Kupferschicht gleichmäßig dick und nicht unterbrochen ist.

Beispiel 1

In diesem Beispiel wird die Metallisierung der Lochwandungen von Bohrungen in Platten aus zweiseitig kupferkaschiertem Isolierstoff-Basismaterial, wie es zur Herstellung gedruckter Schaltungen verwendet wird, beschrieben. Die verwendeten Platten haben eine Stärke von 1,6 mm und sind Epoxyglaslaminate.

Die mit den Löchern versehenen Platten wurden mit einer Lösung behandelt, die ein kationisches Tensid, ein nichtionisches Tensid und ein Alkanolamid enthielt und deren pH-Wert auf unter 4 eingestellt war. Diese Lösung dient zur Reinigung und Vorbehandlung der Lochwandungen für die weiteren Verfahrensschritte. Anschließend wurden die Platten für 5 Minuten in 1%ige wäßrige Schwefelsäure getaucht, mit Wasser gespült, und 45 Sekunden mit einer Natriumsulfatlösung (120 g/l bei einem pH-Wert unter 2) bei 40°C behandelt, um die Kupferoberfläche von Oxidschichten zu befreien; anschließend wurde wieder mit Wasser gespült. Danach wurden die Platten 5 Minuten mit einer Lösung behandelt, die 5 g/l Zinn-(II)-chlorid, 225 g/l Natriumchlorid sowie ausreichend Salzsäure enthielt, um den pH-Wert auf unter 0,5 einzustellen. Nach diesem Schritt wurden die Platten für 5 Minuten unter ständiger Bewegung in eine Palladium-Zinn-Chlorid-Lösung mit einer Temperatur von 55°C getaucht. Die Zusammensetzung der Palladium-Zinn-Chlorid-Lösung wurde durch Zusatz einer wäßrigen Lösung von 3,5 mol/l Natriumchlorid und 0,08 mol/l Zinn-II-chlorid auf eine Palladiumkonzentration von 210 mg/l verdünnt. Nach dem Eintauchen in die Palladium-Zinn-Chlorid-Lösung wurden die Platten mit Wasser gespült, 60 Minuten in einem Ofen bei 100°C belassen und dann gebürstet. Vor der galvanischen Metallabscheidung wurden die Kupferoberflächen der Platten durch Eintauchen für 5 Sekunden in eine Natriumpersulfatlösung von Oxidschichten befreit. Ein Teil der so vorbehandelten Platten wurde dann in ein Galvanisierungsbad folgender Zusammensetzung gebracht:

Kupfersulfat0,3 mol/l Schwefelsäure1,8 mol/l Salzsäure1,3 mol/l

Die Stromdichte betrug 3,8 A/dm².

Nach einer Abscheidungszeit von 5 Minuten waren die Lochwandungen nur zu 10% mit Kupfer bedeckt. Nach einer Abscheidungszeit von 1 Stunde wurden die Platten aus dem Galvanisierungsbad entfernt und die Lochwandungen geprüft. Sie wiesen nur an den oberen und unteren Enden eine Kupferschicht auf, während ein großer Bereich um den Mittelpunkt der Löcher unbeschichtet geblieben war. Ein anderer Teil der wie oben beschrieben vorbehandelten Platten wurde in das gleiche Galvanisierungsbad eingebracht, dem aber 5 g/l Oktylphenoxy-Polyäthoxyäthanol, ein nichtionisches Tensid, zugesetzt worden waren. Nach einer Abscheidungszeit von weniger als 5 Minuten waren die Lochwandungen vollkommen mit einem zusammenhängenden, gleichmäßigen Kupferfilm bedeckt.

Beispiel II

Andere, entsprechend Beispiel I vorbehandelte Platten wurden in ein galvanisches Verkupferungsbad eingebracht, das mit dem aus Beispiel I identisch war, außer daß es statt des dort zugesetzten nichtionischen Tensids 5 g/l Methylviolett enthielt und das Abscheidungspotential, wie in der vorliegenden Erfindung beschrieben, angepaßt worden war. Nach 5 Minuten waren die Lochwandungen mit einem zusammenhängenden, gleichmäßigen Kupferfilm bedeckt.

Beispiel III

Das in Beispiel II beschriebene Verfahren wurde wiederholt, wobei jedoch das Methylviolett durch Methylenblau ersetzt wurde. Die Lochwandungen waren, wieder nach einer Abscheidungszeit von 5 Minuten, mit einem vollständigen, zusammenhängenden Kupferfilm bedeckt.

Beispiel IV

Das in Beispiel I beschriebene Verfahren wurde wiederholt, wobei jedoch das galvanische Verkupferungsbad durch ein Nickelbad folgender Zusammensetzung ersetzt wurde: 300 g/l Nickelsulfat, 30 g/l Nickelchlorid und 30 g/l Borsäure. Auch nach langen Abscheidungszeiten waren die Lochwandungen nur unvollständig vernickelt. Die Lochwandungen einer anderen Platte, die nach der Zugabe von Saccharin zum Nickelbad in diesem vernickelt wurde, wurden schnell mit einem gleichmäßigen, zusammenhängenden Nickelfilm versehen.

Beispiel V

Das in Beispiel IV beschriebene Verfahren wurde wiederholt, wobei dem Nickelbad jedoch 20 ml/l einer o-Benzaldehydsulfonsäure enthaltenden Substanz, zugesetzt wurde. Auch in diesem Fall wurde ein gleichmäßiger, zusammenhängender Nickelfilm auf den Lochwandungen erzielt.

Beispiel VI

Das in Beispiel IV beschriebene Verfahren wurde wiederholt, wobei dem Nickelbad jedoch eine einen Triphenylmethanfarbstoff enthaltende Substanz zugesetzt, die in kupfersulfat-/schwefelsäurehaltigen Galvanisierungsbädern als Glanzzusatz dient. Ein zusammenhängender, gleichmäßiger Film aus galvanisch abgeschiedenem Nickel war das Ergebnis.

Beispiel VII

In diesem Beispiel wird die Herstellung einer gedruckten Schaltungsplatte nach dem erfindungsgemäßen Verfahren beschrieben. Kupferkaschiertes Isolierstoff-Basismaterial zur Herstellung gedruckter Schaltungen wurde auf eine passende Größe zugeschnitten, die zu plattierenden Verbindungslöcher wurden gebohrt und deren Kupferränder entgratet. Die Platten wurden dann nacheinander, wie im Beispiel I beschrieben, mit einer Reinigungs- und Aufbereitungslösung, einer schwefelsauren Lösung, einer Spülung, einer Natriumpersulfatlösung, einer weiteren Spülung, einer Zinn-(II)-chlorid- und Natriumchlorid-haltigen Lösung und einer Palladium-Zinn-Chlorid-Lösung behandelt. Anschließend wurden die Platten wieder gespült, 20 Minuten in einem Ofen bei 120°C getrocknet und gebürstet. In diesem Zustand können die Platten entweder gelagert oder sofort weiterverarbeitet werden. Zur Weiterverarbeitung wurden die Platten im Foto- oder Siebdruck oder nach einem anderen Verfahren mit einer Abdeckmaske versehen, in einer handelsüblichen basischen Reinigungslösung 45 Sekunden einer Elektroreinigung mit umgekehrter Polung bei einer Stromdichte von 3 A/dm² unterzogen, 5 Sekunden mit einer Natriumpersulfatlösung (wie oben beschrieben) behandelt und vor und nach diesem Schritt gespült. Anschließend wurden die Platten für 5 Minuten in ein Galvanisierungsbad folgender Zusammensetzung gebracht, wobei eine Spannung angelegt wurde, die eine Stromdichte von ca. 3 A/dm² entspricht:

Kupfersulfat 75 g/l Schwefelsäure190 g/l HCL 70 ppm Eine Lösung aus Methyl, Polyethylenglykol, Amino-thiazolen (s. US 27 33 198) 5 ml/l

Nach einem Spülvorgang wurden die Platten für 40 Minuten bei einer Stromdichte von 3 A/dm² in ein galvanisches Metallabscheidungsbad folgender Zusammensetzung gebracht:

Kupfersulfat 75 g/l Schwefelsäure190 g/l HCL 50 ppm Eine Lösung aus: Methyl, Polyethylenglykol, Polypropylenglykol, Thiocarbamyl (s. US 34 14 493)5 ml/l

Anstelle der beiden verschiedenen Galvanisierungsschritte können die Platten auch 45 Minuten in der ersten Badlösung bei einer Stromdichte von 3 A/dm² belassen werden. Anschließend wurden die Platten gespült und in bekannter Weise, d. h. durch Verzinnen für 18 Minuten bei einer Stromdichte von 2 A/dm², Spülen, Entfernen der Abdeckmaske, Ätzen in einer ammoniakalischen Kupferchloridlösung, Aufschmelzen des Lötzinnbelages, Anbringen einer Lötmaske und Zuschneiden auf die passende Größe als gedruckte Schaltungsplatten fertiggestellt.

Beispiel VIII

Eine kupferbeschichtete Platte wurde den im Beispiel VII beschriebenen Verfahrensschritten bis zur und einschließlich der Behandlung in einer Palladium-Zinn-Chloridlösung unterzogen. Anschließend wurde die Platte gespült und in eine 5%ige Tetrafluorborsäurelösung, die zum Entfernen des Zinns aus den an den Lochwandungen angelagerten Palladium-Zinn-Chlorid-Keimen oder -Partikeln dient, getaucht. Dann wurde die Platte bei einer Stromdichte von 3 A/dm² mit einem erfindungsgemäßen galvanischen Verkupferungsbad folgender Zusammensetzung behandelt:

Kupfersulfat 75 g/l Schwefelsäure190 g/l HCL 50 ppm Eine Lösung aus: Methyl, Polyethylenglykol, Polypropylenglykol, Thiocarbamyl (s. US 34 14 493) 5 ml/l

Nachdem eine 35 µm dicke Kupferschicht abgeschieden worden war, wurde die Platte gespült, getrocknet und nach bekannten Verfahren mit einer dem Positiv des gewünschten Musters entsprechenden, im Fotodruckverfahren hergestellten Ätzmaske, die auch die durchplattierten Löcher bedeckt, versehen. Das nicht von dieser Maske bedeckte Kupfer wurde weggeätzt und die Maske anschließend nach bekannten Verfahren entfernt; das Ergebnis war eine fertige gedruckte Schaltungsplatte.

Beispiel IX

In diesem Beispiel wird die Herstellung einer gedruckten Mehrebenen-Leiterplatte beschrieben. Nach einem bekannten Verfahren wurde eine Mehrebenen-Verbundplatte durch Verpressen einzelner, mit Leiterzügen versehener Isolierstoffplatten zu einem Laminat hergestellt. Nach dem Bohren der durchgehenden Löcher und dem Entfernen der dabei entstehenden Verschmutzung der einen Teil der Lochwandungen bildenden Kupferschichten, wurde die Platte entsprechend der in den Beispielen VII oder VIII beschriebenen Verfahrensschritte behandelt.

Beispiel X

In diesem Beispiel wird die Herstellung einer gedruckten Schaltungsplatte unter Verwendung eines auf der bzw. den Oberfläche(n) nicht mit Kupferfolie kaschierten Laminates beschrieben. Die Oberflächen der Platten wurden mit einer Haftvermittlerschicht und Löchern mit zu metallisierenden Wandungen versehen und die Haftvermittlerschicht nach bekannten Verfahren mikroporös und benetzbar gemacht. Die Platten wurden dann in einer Galvanisierhalterung befestigt, die einen leitenden Rand und damit eine geeignete Anschlußfläche bildet und den im Beispiel VIII beschriebenen Verfahrensschritten unterzogen, wodurch das gewünschte Leitermuster hergestellt wurde.

Beispiel XI

Platten aus kupferkaschiertem Epoxyglaslaminat wurden mit Löchern versehen, gereinigt und bis zur und einschließlich der im Beispiel I beschriebenen Behandlung mit einer Palladium-Zinn-Chloridlösung unterzogen. Anschließend wurden die Platten gespült, getrocknet und jede in unterschiedlichen Reduktionsmittel-Lösungen behandelt: eine Platte wurde in in 1,5molarer wäßriger Natronlauge gelöstes Natriumborhydrid getaucht, die andere in eine Lösung von Hydroxylamin in 1,5molarer wäßriger Natronlauge. Beide Platten wurden in das erfindungsgemäße, im Beispiel VIII beschriebene, galvanische Verkupferungsbad für 2 Minuten eingebracht; das Ergebnis waren zusammenhängende, gleichmäßige Kupferfilme auf den Lochwandungen.

Beispiel XII

Die im Beispiel XI beschriebenen Verfahrensschritte wurden wiederholt, wobei jedoch die Palladium-Zinn-Chloridlösung durch eine Lösung ersetzt wurde, die ein Gemisch aus Kaliumhexachloroplatinat (IV) und Zinn-(II)-chlorid enthielt. Als Reduktionsmittel diente eine Lösung, die 1 g/l Natriumborhydrid enthielt. Nach weniger als 5 Minuten Galvanisierungszeit waren die Lochwandungen mit einem zusammenhängenden, gleichmäßigen Kupferfilm überzogen.

Beispiel XIII

Die im Beispiel VIII beschriebenen Verfahrensschritte wurden wiederholt, jedoch wurden die kupferkaschierten Platten im Anschluß an die Behandlung mit der Palladium-Zinn-Chloridlösung und den Spülvorgang, ohne sie vorher zu trocknen, in eine Lösung aus 100 ml/l Fluorborsäure und 4 g/l Hydroxyäthylen-diaminotriessigsäure für 30 Sekunden getaucht, gespült und in ein erfindungsgemäßes galvanisches Verkupferungsbad eingebracht, das wie das im Beispiel I zusammengesetzt war, jedoch als nichtionisches Tensid 0,2 g/l eines Blockcopolymers aus Propylen- und Äthylenoxid, als Badkomponente (C) enthielt. Nach einer Abscheidungszeit von 5 Minuten unter Anlegen einer Spannung, die einer Stromdichte von 3,8 A/dm² entspricht, waren die Lochwandungen mit einem vollständigen, gleichmäßigen Kupferfilm bedeckt.

Beispiel XIV

In den folgenden Beispielen wurden die Verfahrensschritte aus Beispiel XIII wiederholt, wobei in den Beispielen A und B dieselbe oberflächenaktive Substanz als Badkomponente (C) diente, während in den Beispielen E, F, G, H, J, K und N andere Verbindungen als Badkomponente (C) verwendet wurden. Die Konzentrationen, Stromdichten und Abscheidungszeiten sind in der nachstehenden Tabelle angegeben. In allen Fällen wurde auf den Lochwandungen ein vollständiger, lückenloser und gleichmäßiger Kupferfilm abgeschieden.

Bei dem Badzusatz in Beispiel A, B handelt es sich um eine Reihe von Polyoxyäthylen-Polyoxypropylen-Blockcopolymeren mit einem Polyoxypropylen-Grundgerüst aus etwa 70 Oxypropyleneinheiten und zwei Polyäthylenketten mit zusammen etwa 300 Oxyäthyleneinheiten. In Beispiel E, F besteht der Polyoxypropylenanteil aus ungefähr 160 Einheiten. G enthält etwa 20 Oxypropyleneinheiten und 15 Oxyäthyleneinheiten. H ist eine Polyoxyäthylenverbindung mit einem durchschnittlichen Molekulargewicht von 200 000. Bei J und K handelt es sich um Alkyl-phenylpolyoxyäthylenverbindungen mit 6 bzw. 10 Oxyäthylengruppen. N ist eine Polyoxypropylen-Polyoxyäthylenverbindung mit einem unverzweigt-kettigen Alkohol.

Beispiel XV

Die im Beispiel XIII beschriebenen Verfahrensschritte wurden wiederholt, jedoch wurde als Galvanisierungsbad ein Vernickelungsbad der folgenden Zusammensetzung verwendet:

NiSO₄ 6 H₂O195 g/l NiCl₂ 6 H₂O175 g/l H₃BO₃ 40 g/l pH 1,5 Temperatur 46°C

Die Konzentration des nichtionischen Tensids, das diesem Bad als Bestandteil (C) zugesetzt wurde, war 0,1 g/l. Nach einer Abscheidungszeit von 15 Minuten bei einer Stromdichte von 3,8 A/dm² waren die Lochwandungen mit einem vollständigen, gleichmäßigen Nickelfilm überzogen.

Beispiel XVI

Um die Nützlichkeit von Polyoxyäthylengruppierungen bei der Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens zu verdeutlichen, wurde folgendes Experiment durchgeführt: Natriumlaurylsulfat wird bei Galvanisierungen häufig als anionisches Tensid verwendet und zur Verwendung in sauren galvanischen Verkupferungsbädern empfohlen. Es wurden nun die in Beispiel XIII beschriebenen Verfahrensschritte wiederholt, jedoch wurde der galvanischen Verkupferungslösung 1,0 g/l Natriumlaurylsulfat, einer weiteren 1,0 g/l Ammoniumpolyäthersulfat und einer dritten 1,0 g/l Ammoniumlaurylpolyäthersulfat zugesetzt. Nach einer Abscheidungszeit von 5 Minuten hatte sich sowohl in der Polyäthersulfat- als auch in der Polyätherlaurylsulfat-haltigen Galvanisierungslösung ein vollständiger, gleichmäßiger Kupferfilm auf den Lochwandungen gebildet, während auch nach einer Abscheidungsdauer von 15 Minuten in der Laurylsulfat-haltigen Badlösung keine Beschichtung der Lochwandungen eintrat. Dieses Experiment zeigt, daß ein einfaches, lineares anionisches Tensid, nämlich Laurylsulfat, die erfindungsgemäßen Aufgaben nicht erfüllen kann. Bei Auswahl der oberflächenaktiven Substanz in Übereinstimmung mit der Lehre der vorliegenden Erfindung, wenn also z. B. die Struktur des Laurylsulfates durch das Einführen einer Polyäthergruppierung verändert wurde, war die Wirksamkeit als Badkomponente (C) vorhanden.

Beispiel XVII

Die im Beispiel VIII beschriebenen Verfahrensschritte wurden wiederholt, jedoch wurden Thioharnstoffderivate verwendet. Einem galvanischen Verkupferungsbad wurden 5 mg/l Tetramethylthiauramdisulfid, einem anderen 0,8 g/l Allylthioharnstoff als Badkomponente (C) zugesetzt. Nach einer Abscheidungszeit von 15 Minuten bei einer angelegten Spannung, die einer Stromdichte von 3,8 A/dm² entspricht, waren die Lochwandungen in gedruckten Schaltungsplatten in beiden Galvanisierungsbädern mit einem gleichmäßigen Kupferfilm überzogen.

Claims

1. Verfahren zum galvanischen Metallisieren von Gegenständen mit mindestens einer nichtmetallischen, zumindest teilweise zu metallisierenden Oberfläche, die temporär oder permanent mit einer benachbart zu, jedoch außerhalb des oder der zu metallisierenden Bereiche(s) der nichtmetallischen Oberfläche(n) angeordneten, elektrischen Anschlußfläche versehen ist, in einem Behälter, der mit einer Gegenelektrode ausgestattet ist und eine Lösung mit dem galvanisch abzuscheidenden Metall (B) enthält, gekennzeichnet durch folgende Schritte:

a) Versehen der nichtmetallischen Oberfläche(n), zumindest in dem oder den galvanisch zu metallisierenden Bereich(en), mit einer Vielzahl von metallischen Keimen bzw. Partikeln, die aus einem Metall (A) bestehen oder dieses enthalten, wobei das Metall (A) und das galvanisch abzuscheidende Metall (B) solche aus den Gruppen Ib und VIII des Periodensystems der Elemente und nicht identisch sind;
b) Einbringen der zu metallisierenden Oberfläche(n) und zumindest eines Teiles der elektrischen Anschlußfläche in ein Galvanisierungsbad vorbestimmter Leitfähigkeit, das weiterhin eine oder mehrere Komponente(n) (C) enthält, wobei (C) Methylenblau, Methylviolett, Alkylphenoxypolyäthoxyäthanole, nichtionogene Fluorkohlenwasserstoffe, Polyoxyäthylen-Verbindungen Block-Copolymere von Polyoxyäthylen und Polyoxypropylen, Allylthioharnstoffe, Tetramethylthiuramidsulfid, 2,4,6-(2-pyridyl)-s-triazin, eine stickstoffhaltige, heterozyklische Verbindung, Triphenylmethanfarbstoff, Thioharnstoff oder Thioharnstoffderivate, Saccharin sowie o-Benzal dehydsulfonsäure-Derivate ist bzw. sind;
c) Anlegen einer Spannung, die einer Stromdichte von 30 bis 50% der maximalen Stromdichte entspricht, und diese so lange aufrechterhält, bis eine im wesentlichen gleichmäßige, zusammenhängende Schicht bestimmter Dicke aus Metall (B) abgeschieden ist.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Komponente (C) Copolymere von Äthylenoxid und Propylenoxid mit 10 bis 400 Oxyäthylen-Gruppen verwendet werden.

3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Metalle (A) und (B) derart ausgewählt werden, daß das Abscheidungspotential für die Abscheidung von Metall (B) auf Metall (A) weniger negativ ist als jenes für die Abscheidung von Metall (B) auf Metall (B).

4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß als Metall (A) Palladium, Platin, Silber oder Gold gewählt wird.

5. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß als Metall (B) Kupfer oder Nickel gewählt wird.

6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die aus Metall (A) bestehenden bzw. dieses enthaltenden Keime bzw. Partikel aus einer Lösung aufgebracht werden, die das Metall (A) in einer Verbindung oder in komplexer Form gelöst enthält.

7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Metall (A) als Halogenid bzw. als Doppelmetallhalogenid eingesetzt wird.

8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß als Doppelmetallhalogenid eine Palladium-Zinn-Halogenverbindung verwendet wird.

9. Verfahren nach den Ansprüchen 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß eine Lösung benutzt wird, die neben Metall (A) in gelöster Form ein Zinn-Halogenid enthält; und daß die mit dieser Lösung behandelte Oberfläche anschließend mit einem Lösungsmittel für Zinnverbindungen behandelt wird.

10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Vielzahl der Keime bzw. Partikel, die das Metall (A) enthalten bzw. aus diesem bestehen, dadurch aufgebracht wird, daß die Fläche zunächst mit einer Lösung behandelt wird, die Metall (A) gelöst enthält; und daß in einem späteren Verfahrensschritt die so behandelte Oberfläche einer Wärme- bzw. einer Reduktionsmittel-Behandlung ausgesetzt wird.

11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmebehandlung bei einer Temperatur zwischen 65 und 120°C und für eine Zeitspanne von mindestens 10 Minuten vorgenommen wird.

12. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß als Reduktionsmittel Natriumborhydrid, Formaldehyd, Dimethylaminboran oder Hydroxylamin gewählt wird.

13. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Abscheidung des Metalls (B) nach dem Erreichen einer gleichmäßigen Schicht unterbrochen wird; und anschließend ein oder mehrere Metall(e) galvanisch auf der zuerst abgeschiedenen Schicht bzw. auf ausgewählten Bereichen derselben abgeschieden wird bzw. werden.

14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß galvanisch mindestens eine weitere Schicht aus dem gleichen Metall (B), jedoch aus einem vom ersten Bad unterschiedlichen Bad abgeschieden wird.