DE3543615C2 - - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Vorbehandlung von keramischen
Werkstückoberflächen gemäß Oberbegriff des Anspruchs 1 und ein
nach diesem Verfahren hergestelltes Werkstück.
Keramische Materialien mit metallisierten Oberflächen
sowie keramische Trägerplatten, die mit
elektrischen Leiterzügen nach Art gedruckter
Schaltungen versehen sind, haben in der elektronischen
Industrie weite Anwendungsbereiche gefunden.
Keramische Materialien und deren Oberflächen
wurden nach sehr kostspieligen Verfahren
metallisiert, wie beispielsweise durch Aufschmelzen
einer Metall-Glas-Paste oder durch Dünnfilm-Vakuum-
Aufdampfen. Alle Versuche, Schaltungsmuster durch
direkte stromlose Metallabscheidung auf keramischem
Material aufzubringen, scheiterten an der schlechten
Haftung der Metallschicht auf der Keramikoberfläche,
an einer uneinheitlichen Metallabscheidung
und einer schlechten Reproduzier
barkeit.
Gedruckte Schaltungen auf keramischen Unterlagen
wurden bereits 1947 beschrieben. Ein solches
Verfahren, auch als Dünnfilm-Schaltung bekannt,
besteht darin, einen dünnen Metallfilm im
Vakuum auf der keramischen Oberfläche niederzuschlagen.
Aufgrund der hohen Kosten dieses
Verfahrens wurden Dünnfilm-Schaltungen nur
in bestimmten Bereichen angewendet, wie in der
Hochfrequenztechnik und auf militärischem Gebiet,
wenn ein hohes Auflösungsvermögen erforderlich
ist.
Bei einem anderen Verfahren, als Dickfilm-Schaltung
bekannt, werden die Leiterzüge als Metall-
Glas-Paste aufgebracht und anschließend auf die
keramische Unterlage aufgeschmolzen. Nach dem
Dickfilm-Verfahren hergestellte Leiterzüge
weisen nur 30 bis 60% der Leitfähigkeit von
Leiterzügen aus reinem Metall auf und sind
deshalb für Anwendungsbereiche, in denen ein
hohes Auflösungsvermögen verlangt wird, wie
zum Beispiel bei "high speed logic" Schaltungen,
nicht geeignet. Die Mindest-Leiterzugbreite
und der Mindestabstand zwischen den Leiterzügen
beträgt bei Dickfilm-Schaltungen bestenfalls
125 bis 200 µm und unter normalen
Produktionsbedingungen sogar höchstens 200 bis
250 µm.
Bei einem Dickfilm-Mehrfachschichten-Verfahren
wird eine erste Schicht aus Metall-Glas-Paste
im Druck auf einen keramischen Träger aufgebracht
und in einem Ofen bei 850°C erhitzt. Dann wird
eine isolierende dielektrische Schicht auf das
Leitermuster aufgebracht, die nur die Punkte
frei läßt, die in Kontakt mit der nächsten
Metallisierungsschicht treten soll. Dieses
dielektrische Muster wird ebenfalls bei 850°C
erhitzt. Dann wird eine zweite dielektrische
Schicht aufgedruckt und erhitzt. Zwei dielektrische
Schichten müssen gedruckt und erhitzt werden,
um sicherzustellen, daß keine Nadellöcher
vorhanden sind. Danach wird die nächste Leiterschicht
aufgedruckt und erhitzt, wobei sie
durch die freigelassenen Öffnungen in den
dielektrischen Schichten mit der unteren
Leiterschicht in Kontakt tritt. Für zwei
metallische Leiterzugschichten wird der
Träger viermal bedruckt und siebenmal bei
850°C erhitzt. Durch das erfindungsgemäße
Verfahren werden von einem zweiseitigen
mit metallisierten Löchern versehenen Leitermuster
die gleichen Anschluß- und Verbindungsmöglichkeiten
erzielt wie bei einem mit drei
oder vier Schichten versehenen keramischen
Vielfachschichtenträger.
Es wurde auch versucht, Leiterzüge aus reinem
Metall auf keramischen Unterlagen zu verankern,
um eine entsprechend höhere Leitfähigkeit
zu erzielen (US-PS 37 44 120 und 37 66 634).
In "Solid State Technology" 18/5, 43 (1975)
und der US-PS 39 94 430 wird ein Verfahren
zum Aufbringen von Kupferfolien auf keramischen
Oberflächen beschrieben. Hierbei wird zunächst
die Kupferfolie an der Luft erhitzt, so daß
eine Oxidschicht entsteht. Die so mit der Oxidschicht
versehene Kupferfolie wird bei Temperaturen
zwischen 1065°C und 1075°C im Stickstoffofen
mit der keramischen Unterlage verbunden.
Zum Erzielen gut haftender und blasenfreier
Kupferschichten ist es erforderlich, daß
1) die Kupferfolie sehr sorgfältig oxidiert wird,
damit sich eine schwarze Oberfläche ausbildet;
2) die Dicke der Oxidschicht ständig überwacht
wird; 3) die Sauerstoffmenge in der Kupferfolie
sorgfältig kontrolliert wird; 4) der Sauerstoffgehalt
im Stickstoffofen möglichst niedrig
gehalten wird, und 5) die Temperatur innerhalb
einer Toleranzgrenze von ein Prozent eingestellt
werden muß. Die genaue Überwachung der genannten
Verfahrenstemperatur ist schwierig und erfordert
teure Apparaturen. Werden die genauen Verfahrensbedingungen
aber nicht eingehalten, so entstehen
durch Blasenbildung und mangelnde Haftung
unbrauchbare Produkte.
Trotz der genannten Nachteile wurde das Verfahren
nach der US-PS 39 94 430 kommerziell eingeführt,
da ein großer Bedarf an Artikeln mit metallisierten
keramischen Oberflächen besteht.
Obwohl die beschriebenen Verfahren kommerziell
verwertet werden, besteht nach wie vor der Wunsch
nach einem einfachen Verfahren zum direkten
Metallisieren von keramischen Oberflächen,
entweder vollständig oder teilweise in Form
von Leiterzügen.
Es wurde daher eine ganze Reihe von Verfahren
entwickelt, die beispielsweise aus den
DE-PS 20 04 133, 24 53 192, 24 53 277 und
25 33 524 zu entnehmen sind.
Weitere Verfahren zum Herstellen gedruckter
Schaltungen auf keramischen Unterlagen sind
in den US-PS 37 72 056, 37 72 078, 39 07 621,
39 25 578, 39 30 963, 39 59 547, 39 93 802 und
39 94 727 beschrieben. Keines der genannten
Patente enthält jedoch eine Lehre über die
Vorbehandlung keramischer Oberflächen für die
nachfolgende Metallabscheidung. Aus der
US-PS 32 96 012 ist ein Verfahren zum Herstellen
einer mikroporösen Oberfläche eines Aluminiumoxid-
Materials bekannt.
Versuche, Metall ohne Vorbehandlung auf der
keramischen Oberfläche abzuscheiden, sind
immer wieder gescheitert. Es wurden sogar
giftige und stark ätzende Materialien wie
Flußsäure eingesetzt, um die Metallschicht
direkt auf der keramischen Oberfläche ohne
Einsatz hoher Temperaturen aufzubringen
(siehe "J. Electrochem. Soc., 120, 1518 (1973)).
Die Behandlung mit Flußsäure ergab aber nur
ungenügende Haftfestigkeiten, was auf die
durch diese Behandlung entstehende Oberflächen
struktur zurückzuführen ist.
Die US-PS 44 28 986 beschreibt ein Verfahren
zum direkten stromlosen Abscheiden eines Metallfilmes
auf Berylliumoxid. Hierzu wird die Beryllium
oxidplatte in eine 50%ige Lösung von Natriumhydroxid
bei 250°C für 7 bis 20 Minuten getaucht,
in Wasser gespült und mit Fluorborsäure
5 bis 20 Minuten geätzt, um die glasartigen
Bestandteile anzugreifen. Anschließend wird die
Berylliumplatte mit Wasser gespült und in eine
Lösung aus 5 g/l Zinnchlorid in 3N-Salzsäure
getaucht, gefolgt von einer Behandlung mit einer
Lösung aus 0,1 g/l Palladiumchlorid, wieder in
Wasser gespült und dann auf der so vorbereiteten
Oberfläche Nickel stromlos abgeschieden. Allerdings
werden dabei Magnesium und Silizium an
den Korngrenzen des Berylliumoxids weggeätzt,
wodurch die Berylliumoxid-Struktur geschwächt
wird. Die nach diesem Verfahren erreichbare
Haftfestigkeit liegt deshalb nur bei 1,7 MPa,
dann bricht die Berylliumoxidplatte. Diese
Haftfestigkeit entspricht nur etwa einem Drittel
der beim Dickfilmverfahren erzielten Haftfestigkeit
und ist für die meisten Anwendungsgebiete
völlig unzureichend.
In der US-PS 36 90 921 wird die Verwendung von
konzentrierten Natriumhydroxid-Lösungen zur
Vorbehandlung von keramischen Oberflächen beschrieben.
Die benetzten Platten werden zum Verdampfen
des Lösungsmittels erhitzt und die entstehende
Schmelze ätzt die keramische Oberfläche. Das geschmolzene
Natriumhydroxid neigt zum Koaleszieren,
d. h. die Oberfläche wird nicht einheitlich benetzt.
Dieses Problem tritt besonders bei glatten
keramischen Oberflächen mit einem Rauhigkeitsgrad
von unter 0,13 µm auf. Deshalb ist das Ätzen
mit geschmolzenem Natriumhydroxid, insbesondere
bei glatten keramischen Oberflächen, meistens
ungleichmäßig. Im besten Fall ist die Haftung
einer nachträglich aufgebrachten Metallschicht
auf der Oberfläche unterschiedlich; im schlechtesten
Fall weisen einige Bereiche der Oberfläche gar
keine Metallabscheidung auf, da der Katalysator
nicht haftete.
In einem anderen Ausführungsbeispiel derselben
Patentschrift wird der keramische Träger direkt
in ein Gefäß mit geschmolzenem Alkalihydroxid
für 10 bis 15 Minuten bei einer
Temperatur zwischen 450°C und 500°C getaucht,
um die keramische Oberfläche zu ätzen.
Die Arbeitsweise bei Verwendung des Tauchverfahrens
ist sehr schwierig, da 1) beim Eintauchen
der keramischen Teile in das Gefäß
mit geschmolzenem Natriumhydroxid diese aufgrund
des thermischen Schocks brechen können,
wodurch die Ausbeute an verwendbaren Produkten
gering ist; und 2) sich eine dicke Carbonatkruste
auf der Oberfläche des geschmolzenen
Natriumhydroxids bildet, die den Herstellungsprozeß
erschwert. Aus diesen Gründen wurde das
Verfahren nie in die Praxis eingeführt.
Die Tendenz bei der Herstellung von gedruckten
Schaltungen auf keramischen Materialien geht
zu glatteren und einheitlicheren Oberflächen,
die definierte Leiterzugparameter für die
Übertragung hochfrequenter Signale in der
Unterlage-Leiterzug-Grenzschicht ermöglichen.
Allerdings ist die Oberflächenenergie um so
geringer, je glatter die Oberfläche des keramischen
Materials ist. Folglich wird eine glatte
keramische Oberfläche mit einem Rauhigkeitsgrad
von 0,6 µm von der Alkalischmelze
nur unvollständig benetzt. Während des Schmelzens
neigt die flüssige Alkalihydroxid-Schmelze zum
Koaleszieren in einem oder mehreren Oberflächenbereichen.
Die Oberflächen werden nicht gleichmäßig
geätzt und weisen deshalb Fehlstellen auf.
Beim vollständigen Eintauchen einer Aluminiumoxid-
Träger-Platte in geschmolzenes Natriumhydroxid
wird eine zwar gleichmäßige, aber sehr starke
Ätzung erzielt. Die entstehende sehr rauhe
Oberfläche ist für Leiterzüge mit geringem
Durchmesser ungeeignet. Darüber hinaus schwächt
eine so intensive Ätzung die innere Struktur
der Keramikplatte, was zu Sprüngen insbesondere
dann führt, wenn die Platte mit Löchern versehen
ist.
Mit einem höheren Reinheitsgrad des keramischen
Trägers verbessert sich auch dessen Oberflächen
beschaffenheit, d. h. die Rauhigkeit nimmt ab.
Versuche, die Oberfläche von 99,5% reinem
Aluminiumoxid nach dem im Stand der Technik
beschriebenen Verfahren zu ätzen, ergeben eine
ungleichmäßige Oberflächenschicht.
Da aber hochgradig reines (99,5%) Aluminiumoxid
vorzugsweise für Mikroschaltungen verwendet wird,
muß durch zu starkes Ätzen entstehende Oberflächen
rauhigkeit unbedingt vermieden werden,
um die Ausbreitung der Mikrowellen nicht zu stören.
Bei 89 bis 96% reinem Aluminiumoxid treten die
beschriebenen Schwierigkeiten nicht zu stark
auf, aber auch hiermit ist es schwierig, zufriedenstellende
Ergebnisse, insbesondere bei
der Massenproduktion zu erzielen.
Oberflächenaktive Mittel auf Basis quartärer Amine
und Mischungen, die kationische Netzmittel
enthalten, wurden für ungefähr 20 Jahre benutzt,
um Kunststoffträger zur Aufnahme von Palladium-
Katalysatoren zur stromlosen Metallabscheidung
vorzubereiten. Allerdings wurden diese Mittel
nicht für die Vorbereitung von keramischen Trägern
zur Aufnahme von Palladium-Katalysatoren bei der
stromlosen Metallabscheidung vorgeschlagen.
Zudem wurden im Handel verfügbare alkalische
Aufbereitungsmittel, die zur Vorbereitung
der Kunststoffträger für die Aufnahme der
Palladiumkatalysatoren bei der stromlosen
Metallabscheidung verwendet wurden, für keramische
Träger als nicht effektiv festgestellt.
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein
Verfahren zur Vorbehandlung von keramischen
Werkstückoberflächen für eine stromlose Metallabscheidung
gemäß dem Oberbegriff des Hauptanspruchs
zu schaffen, mit dem die Haftfestigkeit
der Matallabscheidungen erhöht wird und eine Haftung
von mindestens 3 MPa günstigerweise 5 MPa (bestimmt
nach dem "Punktabreiß-Verfahren") erzielt wird,
wobei eine Blasenbildung vermieden wird und
wobei die auch beidseitig abgeschiedenen Metallschichten
für Feinleiterschaltungen mit einer guten
Leitfähigkeit geeignet sind. Weiterhin
ist es Aufgabe der Erfindung, ein nach diesem
Verfahren hergestelltes Werkstück anzugeben.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die
kennzeichnenden Merkmale des Hauptanspruchs und das
Merkmal des Anspruchs 6 gelöst.
Vorteilhafte Ausbildungen des Verfahrens nach Anspruch 1
sind in den Ansprüchen 2 bis 5, eine weitere Ausgestaltung des
Werkstücks nach Anspruch 6 ist in Anspruch 7 beschrieben.
Die mit Hilfe des genannten Verfahrens
mit besseren Adhäsionseigenschaften versehene
keramische Oberfläche weist eine mikrofacettierte
Oberflächenstruktur auf, die auch als
Oberflächentopographie bezeichnet wird und die
durch eine größere Korngröße und einen größeren
Gewichtsverlust im Vergleich zu keramischen
Oberflächen, die mittels einer Alkalischmelze
vorbehandelt wurden, gekennzeichnet ist.
Es lassen sich so stromlos auf Keramikträger
abgeschiedene Metallschichten erhalten, die eine
Dicke von mindestens 2,5 µm aufweisen sowie
im Falle eines gedruckten Schaltungsmusters
Leiterzüge, die eine Breite von 25 µm, günstigerweise
50 µm haben.
Als stickstoffhaltige Verbindung kann mindestens
eine Verbindung aus der Gruppe
der quartären Verbindungen, die Aminoxide,
der Alkanolamine, der Amide, der Betaine,
der Aminosäuren und der Guanidinderivate verwendet
werden.
Zu den beim genannten Verfahren stromlos abscheidbaren
Metallen gehören auch Kupfer, Nickel,
Silber und Kobalt.
Die meist verwendeten stromlos metallabscheidenden
Bäder zur Abscheidung gleichmäßiger
dicker Metallschichten (Schichtdicken zwischen
5 µm bis 75 µm) enthalten EDTA als Komplexbildner.
Bei der Verwendung dieser Bäder
wurde mit Haftverbesserungsverfahren nach
dem Stand der Technik immer wieder die Blasenbildung
beobachtet. Schon bei Metallabscheidungen
von nur 0,8 µm Schichtdicke wurden solche Blasen
zwischen Keramikoberfläche und Metallschicht
beobachtet, wenn das Bad bei Temperaturen zwischen
70 und 75°C betrieben wurde, wobei die Badlösung
folgende Zusammensetzung enthält:
Kupfer | |
0,04 Mol/l | |
EDTE | 0,12 Mol/l |
Formaldehyd | 0,05 Mol/l |
pH-Wert bei 25°C | 11,5-11,8 |
NaCN | 0,1 mMol/l. |
Dickere Kupferschichten konnten bei niedrigeren
Temperaturen ohne Blasenbildung abgeschieden
werden. Die EDTE enthaltenden Kupferbäder
ergeben bei 55°C mit 0,09 Mol/l Formaldehyd
und bei einem pH-Wert von 12 allerdings
blasige Kupferschichten bei Schichtdicken
von 1,6 µm.
Bei Anwendung des vorgenannten Vorbehandlungsverfahrens
können Metallschichten jeder beliebigen
Schichtdicke aufgebracht werden ohne Fehlstellen
und Blasenbildung zwischen der Metallschicht
und dem keramischen Träger.
Die metallbeschichteten Keramikträger entsprechend
diesem Verfahren können zur Herstellung
gedruckter Schaltungen, beispielsweise nach dem
Ätzverfahren verwendet werden. Sie
können auch zur wirtschaftlichen Herstellung
von gedruckten Schaltungen auf keramischen
statt auf Kunststoffträgern verwendet werden.
Fig. 1 zeigt die Oberfläche eines Aluminium
oxidträgers vor der Haftverbesserung, die mit
einem Rasterelektronenmikroskop mit 1000facher
Vergrößerung aufgenommen wurde.
Fig. 2 zeigt die in der gleichen Weise aufgenommene
Oberflächenstruktur eines identischen
Trägers nach der Haftverbesserung durch das
Eintauchen in geschmolzenes Natriumhydroxid
bei 450°C für einen Zeitraum von 10 Minuten,
wie im Stand der Technik beschrieben. Der
Gewichtsverlust bei einer 50 mm × 50 mm × 0,63 mm
96%igen Aluminiumoxidplatte betrug durch dieses
Verfahren 0,15 bis 0,25%. Im Vergleich zur
Oberflächenstruktur der unbehandelten Platte
zeigt diese nach der Behandlung eine viel
kleinere Korngröße. Nach der entsprechend
Beispiel 3 durchgeführten stromlosen Kupferabscheidung
traten Blasen zwischen der Keramikoberfläche
und der Kupferschicht auf.
Fig. 3 zeigt die Oberflächenstruktur eines
anderen identischen keramischen Werkstücks, die
in der gleichen Weise mit dem Rasterelektronen
mikroskop aufgenommen wurde, nach dem Behandlungsverfahren
entsprechend Beispiel 1. Das Verfahren
bewirkte eine große Korngröße und eine mikrofacettierte
Oberflächenstruktur. Der festgestellte
Gewichtsverlust betrug 0,2 bis 0,3%.
Fig. 4 zeigt die Oberfläche des Trägers vor der
Haftverbesserung entsprechend Fig. 1 bei einer
2600fachen Vergrößerung und
Fig. 5 zeigt die Oberfläche nach Fig. 3 nach
der Haftverbesserung mit 2600facher Vergrößerung.
Wie in der Fig. 5 erkennbar, zeigen die mikrofacettierten
Partikel Ätzstufen entlang
der Kristallebenen und geätzte Stellen
auf der Oberfläche der Partikel. Stromlos auf
dieser Oberfläche abgeschiedenes Kupfer ist
frei von Blasen (siehe das folgende Beispiel 1).
Als mit der Zusammensetzung aus Alkalimetall
verbindungen und Wasser behandelte keramische
Träger sind solche mit Oberflächen aus Aluminiumoxid,
Berylliumoxid, Titanat, Forsterit, Mullit, Steatit, Porzellan
und Mischungen aus diesen Materialien verwendbar.
Üblicherweise werden Nickel, Kobalt, Gold und Kupfer
stromlos abgeschieden. Schichten aus diesen Metallen
können aber auch mittels galvanischer
Abscheidung hergestellt werden, zum Beispiel
zum Aufbringen korrosionsfester
Oberflächenbeschichtungen.
Die saure Halogenidlösung kann als Vorbehandlung
vor dem Katalysierungsschritt nach der Haftverbesserung,
dem Spülen, dem Neutralisieren und
nochmaligem Spülen und vor der Behandlung mit
beispielsweise einem ZinnII-chloridsensibilisator
verwendet werden.
Nach einer derartigen Vorbehandlung wird der
Sensibilisator schneller auf der geätzten keramischen
Oberfläche adsorbiert. Die Tauchzeit
wird dadurch nicht unnötig verlängert.
Außerdem sind die Zinnteilchen so sicher adsorbiert,
daß sie nicht während des üblichen Spülschrittes
unabsichtlich entfernt werden können.
Die Konzentration der sauren Chlorid-Bromid-
oder Jodidvorbehandlungslösung ist günstigerweise
größer als 3 Mol Halogenion. Die Azidität der
Halogenidlösung ist günstigerweise größer als
0,001 Mol Wasserstoffion, besser größer als
0,01 Mol und insbesondere liegt sie zwischen
0,1 bis 12 Mol Wasserstoffion.
In einem anderen Ausführungsbeispiel kann die
Chlorid-, Bromid- oder Jodidkonzentration der
Sensibilisierungslösung (Katalysierungslösung)
zur Erzielung des gleichen gewünschten Effektes
erhöht werden, zum Beispiel um eine bessere
Adsorption auf dem Keramikträger zu erreichen.
Allerdings behindert eine hohe Azidität die
Adsorption von Zinnsensibilatoren. Das Verhältnis
des Halogenids zur Säure sollte in einer ZinnII-
chlorid-Katalysierungslösung mindestens 15 : 1
betragen. Es ist auch möglich, Verhältnisse
bis zu 2 : 1 zu verwenden, aber dies ist nicht
unbedingt wünschenswert, da dann höhere Zinn
konzentrationen, zum Beispiel 1 Mol Zinn,
verlangt werden.
Beispielsweise fördert die hohe Chloridionenkonzentration
in bezug auf die Azidität die Bildung des Tetrachlor
stannats(II), während eine hohe Säurekonzentration
die Bildung von Trichlor- und
Dichlorstannat(II)-Komplexen fördert.
Wenn eine einheitliche Katalysierungslösung
verwendet wird, die Chlorid, Bromid oder Jodid
von Palladium, Zinn und die Halogenidsäure
oder Alkalimetallhalogenidsalz ohne eine
saure Halogenidvorbehandlungslösung enthält,
kann die Halogenidkonzentration in der Katalysierungslösung
zwischen 0,5 bis 6 Mol/l betragen,
günstigerweise mehr als 1,5 Mol/l und
weniger als 4 Mol/l. Die Azidität
kann zwischen 0,03 und 6 Mol/l variieren,
günstigerweise ist sie größer als 0,3 und kleiner
als 4 Mol/l. Für eine größere Herstellungsbreite
und zur Verringerung der Verfahrensfehler
kann die Vorbehandlung mit sauren
Halogeniden mit einer Katalysierungslösung
kombiniert werden mit den oben angegebenen
Halogenid- und Säurekonzentrationen. Weiterhin
kann die saure Halogenidvorbehandlung auch
mit einer einheitlichen Katalysierungslösung
verwendet werden. Bei der Anwendung einer sauren
Halogenidvorbehandlung können andere katalysierende
edle oder halbedle Metalle an der Keramikoberfläche
adsorbiert werden, unter diesen sind
Metalle der Gruppe IA, Silber und Gold und
andere edle Metalle der Gruppe VIII. Es sind
zahlreiche Verfahren zur Herstellung gedruckter
Schaltungen bekanntgeworden. Alle bekannten
Verfahren können mit dem genannten
Vorbehandlungsverfahren verwendet werden, um
oberflächenmetallisierte keramische Gegenstände
zu erzeugen.
Anhand der nachstehenden Beispiele wird die
Erfindung näher erläutert.
Ein keramischer Träger aus 96% Aluminiumoxid
mit den Abmessungen 75 mm × 75 mm × 0,63 mm
wurde haftverbessert durch Eintauchen in eine
Lösung aus 70% Natriumhydroxid
und 30% Wasser bei 172°C für einen
Zeitraum von 10 Minuten. Der Träger wurde eine
Minute abgekühlt und dann in Wasser gespült,
in einer 35%igen Schwefelsäure und anschließend
wieder in Wasser gespült.
Der Träger wurde dann aktiviert, d. h. seine
Oberfläche wurde mit einer Schicht versehen,
die katalytisch auf die Metallabscheidung aus
stromlos metallabscheidenden Bädern wirkt.
Hierfür wird wie folgt vorgegangen:
- 1. Eintauchen in eine wäßrige Benetzerlösung, die ein amphoteres oberflächenaktives Agens (auf Basis von Talgbetainen), ein nichtionisches Oberflächenagens (Nonylphenoxypoly äthoxyäthanol) und Äthanolamin enthält, und zwar für einen Zeitraum von 1 Minute. Einstellung der Lösung auf einen pH-Wert von 2 mittels Schwefelsäure.
- 2. Spülen in Wasser.
- 3. Eintauchen in eine wäßrige Halogenid vorbehandlungslösung von 3,8 Mol Natriumchlorid, 0,1 Mol Salzsäure und 0,025 Mol/l Zinn(II)-chlorid für einen Zeitraum von 1 Minute.
- 4. Eintauchen in eine Palladium-Zinn-Aktivatorlösung bei 40°C für 8 Minuten. Der Aktivator wurde durch Lösen der Konzentrate, die in Übereinstimmung mit der US-PS 39 61 109 in einer 3,8 molaren Natriumchloridlösung vorbereitet wurde, hergestellt und umfaßt 0,15 g/l Palladium, 25 g/l Zinn(II)chlorid, 226 g/l Natriumchlorid, 4,6 g/l Chlorwasserstoff und 1,2 g/l Resorzin.
- 5. Spülen in Wasser.
Nach der Aktivierung wurde der Träger bei 75°C
in einer stromlosen Kupferabscheidelösung
mit der folgenden Zusammensetzung metallisiert:
Kupfersulfat | |
0,03 Mol/l | |
EDTE | 0,09 Mol/l |
Formaldehyd | 0,05 Mol/l |
Natriumhydroxid auf einen pH-Wert | 11,7 bei 25°C |
Natriumzyanid | 0,1 mMol/l |
Natriumsulfat | 0,3 Mol/l |
Natriumformit | 0,6 Mol/l |
oberflächenaktives Mittel (Alkylphenoxypoly- äthoxyphosphat) | 0,01 g/l |
Nachdem eine Kupferschicht von 5 µm Dicke abgeschieden
wurde, wurde der Träger untersucht. Die Metallschicht
war blasenfrei und ohne andere Fehler
gleichmäßig auf dem Träger verankert.
Zwei Aluminiumoxidträger wurden durch das Verfahren
nach Beispiel 1 metallisiert, mit der Ausnahme,
daß beide während 20 Minuten haftverbessert wurden.
Die eine wurde bei 150°C und die andere bei
164°C geätzt. Die stromlose Abscheidung von
Kupfer wurde bis zu einer Dicke von 28 µm
durchgeführt.
Die Kupferabscheidung war gleichmäßig und blasenfrei.
Die Kupferoberflächen wurden nach den
üblichen photolithographischen Techniken
mit einem Punktmuster versehen, wobei die Kupferpunkte
1,9 mm im Durchmesser maßen. Die Haftfestigkeit
des Kupfers auf dem Keramikträger
wurde mit Hilfe des "Punktabreiß"-Testes gemessen.
Dabei wird ein Draht an den jeweiligen Punkt
angelötet und die zum Abriß des Punktes von der
Oberfläche benötigte Kraft gemessen. Die
Ergebnisse waren wie folgt:
Temperatur | |
Haftfestigkeit | |
150°C | 6,9 MPa |
164°C | 12,4 MPa |
Drei 96%ige Aluminiumoxidträger wurden durch
Eintauchen in geschmolzene Natriumhydroxid/Wassermischungen
für 5 Minuten wie folgt haftverbessert:
Die Träger wurden gespült und neutralisiert entsprechend
dem Beispiel 1. Dann wurden sie wie
in Beispiel 1 aktiviert mit dem Unterschied,
daß die Aktivierungslösung eine Palladiumzinnlösung
mit 3,5 Mol Chlorwasserstoffsäure anstelle von
3,8 Mol Natriumchlorid enthielt.
Nach der Katalysierung wurde stromlos eine
28 µm dicke Kupferschicht abgeschieden unter
Verwendung des gleichen Kupferbades wie in
Beispiel 1. Die abgeschiedenen Kupferschichten
hatten auf allen drei Trägern eine gute
Haftfestigkeit und es trat keine Blasenbildung
zwischen Kupferschichten und Träger auf.
Beispiel 1 wurde wiederholt mit dem Unterschied,
daß das Haftverbesserungsverfahren durch Eintauchen
für 20 Minuten in eine Lösung von
60% Natriumhydroxid und 40%
Wasser bei 150°C durchgeführt wurde.
Die Kupferschicht wurde bis zu einer Dicke von
28 µm aufplattiert. Die Haftfestigkeit der
Kupferschicht an dem Aluminiumoxid war gut und es
traten keine Blasen zwischen der Kupferschicht
und dem Träger auf.
Das Beispiel 1 wurde mit dem Unterschied wiederholt,
daß für die Aktivierung die Katalysierungslösung
aus Beispiel 2 verwendet wurde und für
die Metallabscheidung ein Nickelphosphorabscheidebad
bei 80°C, um eine Nickelschicht bis zu
einer Dicke von 12 µm auf der haftverbesserten
und katalysierten Aluminiumoberfläche abzuscheiden.
Die abgeschiedene Nickelschicht zeigt
eine gute Haftfestigkeit auf keramischem Träger
und keine Blasenbildung zwischen Metallschicht
und Träger.
Ein keramischer Träger aus 99% Aluminiumoxid
mit den Abmessungen 75 mm × 75 mm × 0,63 mm
wurde für 10 Minuten bei 180°C in einer
Lösung aus 72% Natriumhydroxid
und 28% Wasser einer Haftverbesserung
unterworfen. Er wurde nach Beispiel 1 neutralisiert,
aktiviert und metallisiert mit der Ausnahme,
daß die Kupferschichtstärke 28 µm betrug.
Die Kupferschicht war gleichmäßig in dem Träger
verankert und wies keine Blasen auf.
Das Verfahren nach Beispiel 6 wurde wiederholt
mit der Ausnahme, daß der Träger aus 90%
Aluminiumoxid bestand und das Haftverbesserungsverfahren
bei 165°C in einer Lösung von 70%
Natriumhydroxid und 30%
Wasser durchgeführt wurde. Die Ergebnisse
waren dieselben.
Eine Gruppe von Keramikträgern wurden nach dem
Verfahren nach Beispiel 1 mit Kupferschichten
versehen. Die Haftfestigkeiten wurden mit dem
Test nach Beispiel 2 gemessen. Die
mittlere Haftfestigkeit der Kupferschichten auf
dem Träger betrug 13 MPa.
Beispiel 1 wurde an Hand von zusätzlichen Trägern
wiederholt mit der Ausnahme, daß die abgeschiedenen
Kupferschichten Schichtdicken zwischen 2,5 bis 50 µm
aufwiesen. Alle Schichten hatten eine gute Haftfestigkeit
und waren blasenfrei, wobei die mittlere
mit dem vorgenannten Test gemessene Haftfestigkeit
größer als 12,5 MPa und unabhängig von der Metalldicke
war.
Beispiel 1 wurde mit der Ausnahme wiederholt, daß
die Schichtdicke 75 µm betrug. Die Kupferschicht war
blasenfrei und wies eine gute Haftfestigkeit auf.
Claims (7)
1. Verfahren zur Vorbehandlung von keramischen Werkstück
oberflächen mit einer mindestens eine Alkalimetallverbindung
enthaltenden Zusammensetzung und anschließender
Wärmebehandlung für die nachfolgende stromlose Metallabscheidung
mit einer Schichtdicke von mindestens 2,5 µm auf
den genannten Oberflächen, dadurch gekennzeichnet,
daß die Zusammensetzung 10 bis 40%
Wasser enthält und die Behandlung bei einer Temperatur
zwischen 160° und 180°C und für eine Dauer von 3 bis
45 Minuten durchgeführt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
Behandlung bei einer Temperatur zwischen 165 und 175°C
und für eine Dauer von 5 bis 15 Minuten durchgeführt
wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß als Alkalimetallverbindung NaOH oder
KOH oder eine Mischung von beiden verwendet wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß die Oberflächen vor dem
Metallisieren zusätzlich mit der sauren Lösung eines
oder mehrerer Halogenide, ausgewählt aus Chloriden,
Bromiden oder Jodiden, in einer Konzentration von mehr
als 0,5 Mol/l, behandelt werden, wobei dieser
Verfahrensschritt entweder direkt vor dem Katalysieren oder
gleichzeitig damit durchgeführt wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß die Oberflächen vor dem Metallisieren
zusätzlich mit einer Lösung behandelt werden,
die eine oder mehrere Verbindungen enthält, ausgewählt
aus äthoxilierten, nicht-ionischen Verbindungen
oder stickstoffhaltigen Verbindungen, und daß dieser
Verfahrensschritt direkt vor dem Katalysieren oder
gleichzeitig damit durchgeführt wird.
6. Werkstück mit zumindest teilweise metallisierter keramischer
Oberfläche, dadurch gekennzeichnet, daß es nach
dem Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 5 vorbehandelt
ist.
7. Werkstück nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß
die Dicke der Metallschicht zwischen 5 und 75 µm
liegt.
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