JPS6163582A - 無機質表面に金属皮膜を形成させる方法 - Google Patents
無機質表面に金属皮膜を形成させる方法Info
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- JPS6163582A JPS6163582A JP18501584A JP18501584A JPS6163582A JP S6163582 A JPS6163582 A JP S6163582A JP 18501584 A JP18501584 A JP 18501584A JP 18501584 A JP18501584 A JP 18501584A JP S6163582 A JPS6163582 A JP S6163582A
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- alkali
- alkali metal
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- ceramics
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/381—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the substrate
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- Chemically Coating (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、印刷配線板の製造等で使用される、セラミッ
クス、ガラス又はそれらの混合物からなる無機′ｘ（以
下セラミックス等の無機質という）表面に金属皮膜を形
成させる方法に関する。
クス、ガラス又はそれらの混合物からなる無機′ｘ（以
下セラミックス等の無機質という）表面に金属皮膜を形
成させる方法に関する。
（従来の技術）
従来、セラミックス等の無機質表面上に導体を形成する
方法としてはいわゆる厚膜法と薄膜法とがある。厚膜法
はセラミックス上にガラスと金属の混合物である導体ペ
ーストを印刷、焼成して導体パターンを形成する方法で
おり、比較的安価であり導体とセラミックスとの密着力
はガラス結合により強いものが得らｎる。しかしながら
導体抵抗が高く、また印刷法のために回路密度が上がら
ない、導体ライン形状が悪く高周波回路にむかないなど
の欠点がある。こｎに対して薄膜法はセラミックス上に
金属を蒸看あるいは陰極スパッタリングなどで被着させ
る方法であり、回路パターンはフォトエツチングにより
形成するので高精度な導体パターンが得られ高周波用途
などに用いら九ている。しかしながらこの方法は高価な
装置を用いるために、コスト高であるという欠点を有す
る。
方法としてはいわゆる厚膜法と薄膜法とがある。厚膜法
はセラミックス上にガラスと金属の混合物である導体ペ
ーストを印刷、焼成して導体パターンを形成する方法で
おり、比較的安価であり導体とセラミックスとの密着力
はガラス結合により強いものが得らｎる。しかしながら
導体抵抗が高く、また印刷法のために回路密度が上がら
ない、導体ライン形状が悪く高周波回路にむかないなど
の欠点がある。こｎに対して薄膜法はセラミックス上に
金属を蒸看あるいは陰極スパッタリングなどで被着させ
る方法であり、回路パターンはフォトエツチングにより
形成するので高精度な導体パターンが得られ高周波用途
などに用いら九ている。しかしながらこの方法は高価な
装置を用いるために、コスト高であるという欠点を有す
る。
これらの欠点を無くすために考えられている方法として
セラミックス表面をアルカリによって粗化した後、無電
解めっきあるいはそｎ＆ｃ加えるに電気めっきによって
セラミックス±Ｖｃ＠接金属皮膜を析出させ、エツチン
グ等の方法によって導体パターンを形成する方法がある
。
セラミックス表面をアルカリによって粗化した後、無電
解めっきあるいはそｎ＆ｃ加えるに電気めっきによって
セラミックス±Ｖｃ＠接金属皮膜を析出させ、エツチン
グ等の方法によって導体パターンを形成する方法がある
。
（特開昭４７−１１６５２、特開昭５４−８２６６６、
特開昭５８−１０４０７９）、Ｌかしながら、この方法
におい又も、使用するアルカリの溶融温度が高（（例え
ばＮａＯＨでは３１８℃以上）そのために耐アルカリ性
の低いセラミックス材料においては適当な粗化条件が求
めらｎない、もしくは析出金属の密着強度にバラツキが
大きく信頼度が低いという問題がある。
特開昭５８−１０４０７９）、Ｌかしながら、この方法
におい又も、使用するアルカリの溶融温度が高（（例え
ばＮａＯＨでは３１８℃以上）そのために耐アルカリ性
の低いセラミックス材料においては適当な粗化条件が求
めらｎない、もしくは析出金属の密着強度にバラツキが
大きく信頼度が低いという問題がある。
（発明の目的）
本発明の目的は、セラミックス等の無機質表面に強固な
密着力を有する金属皮膜を形成させる方法を提供するも
のである。
密着力を有する金属皮膜を形成させる方法を提供するも
のである。
（発明の構成）
本発明はセラミックス、ガラス又はそれらの混合物から
なる無機質表面を、アルカリ金属の水酸化物又はアルカ
リ金属の塩から選ばれる少なくとも２種以上の混合物の
溶融アルカリで処理した後無電解めっき又はそれに加え
るＶＣ！気めっきを行うことを特徴とするものである。
なる無機質表面を、アルカリ金属の水酸化物又はアルカ
リ金属の塩から選ばれる少なくとも２種以上の混合物の
溶融アルカリで処理した後無電解めっき又はそれに加え
るＶＣ！気めっきを行うことを特徴とするものである。
すなわち、本発明は、セラミックス等の無機質表面を溶
融アルカリで処理して粗化する方法においてアルカリ金
属水酸化物もしくはアルカリ金属の塩を２種類以上混合
し、一度完全に溶融混合して均質となった溶融アルカリ
液により、成分単体では得られなかった低温度域でのア
ルカリ粗化を与えるものである。
融アルカリで処理して粗化する方法においてアルカリ金
属水酸化物もしくはアルカリ金属の塩を２種類以上混合
し、一度完全に溶融混合して均質となった溶融アルカリ
液により、成分単体では得られなかった低温度域でのア
ルカリ粗化を与えるものである。
アルカリ金属の水酸化物としては、Ｌｉ０Ｈ１ＮａＯＨ
，ＫＯＨ等が、アルカリ金属の塩としては、Ｌｉｌ、Ｋ
Ｉ、Ｎａｌ、ＫＮＯｓ、Ｎ ａＮＯｓ 、 ＫＮＯｚ、
Ｎ ａＮＯ２、ＫｚＣｒ０４、Ｎａ１Ｃｒ０４、Ｌｉ＊
ＣｒＯ４、ＮａＣｊｌ 、Ｎａ２ＳＯ４、Ｋ２ＣＯ２、
Ｎａ２ＣＯ３が使用出来る。アルカリ金種の水酸化物又
はアルカリ金属の塩から選ばれる少なくとも２種以上の
混合物としては、アルカリ金属の水酸化物／アルカリ金
属の水酸化物、アルカリ金属の水酸化物／アルカリ金属
の塩、アルカリ金属の塩／アルカリ金属の塩の組合せが
ある。具体的には、ＫＯＨ／ Ｎａ０Ｈ（５０７５０モ
ル比）、ＮａＩ ／ ＮａＯＨ（２０／ ８０モル比）
、Ｌｉｌ／Ｌｉ０Ｈ（５４／４６モル比）、ＫＩ／ＫＯ
Ｈ（５０／７０モル比）などがある。
，ＫＯＨ等が、アルカリ金属の塩としては、Ｌｉｌ、Ｋ
Ｉ、Ｎａｌ、ＫＮＯｓ、Ｎ ａＮＯｓ 、 ＫＮＯｚ、
Ｎ ａＮＯ２、ＫｚＣｒ０４、Ｎａ１Ｃｒ０４、Ｌｉ＊
ＣｒＯ４、ＮａＣｊｌ 、Ｎａ２ＳＯ４、Ｋ２ＣＯ２、
Ｎａ２ＣＯ３が使用出来る。アルカリ金種の水酸化物又
はアルカリ金属の塩から選ばれる少なくとも２種以上の
混合物としては、アルカリ金属の水酸化物／アルカリ金
属の水酸化物、アルカリ金属の水酸化物／アルカリ金属
の塩、アルカリ金属の塩／アルカリ金属の塩の組合せが
ある。具体的には、ＫＯＨ／ Ｎａ０Ｈ（５０７５０モ
ル比）、ＮａＩ ／ ＮａＯＨ（２０／ ８０モル比）
、Ｌｉｌ／Ｌｉ０Ｈ（５４／４６モル比）、ＫＩ／ＫＯ
Ｈ（５０／７０モル比）などがある。
セラミックス等の無機質表面を溶融アルカリで処理し、
粗化するには、無機質を溶融アルカリに浸漬し粗化する
、又、溶融アルカリ等に浸漬し無機質表面にアルカリを
担持させ、加熱処理をして粗化する等で行なわれる。
粗化するには、無機質を溶融アルカリに浸漬し粗化する
、又、溶融アルカリ等に浸漬し無機質表面にアルカリを
担持させ、加熱処理をして粗化する等で行なわれる。
溶融アルカリで処理後、中和、水洗を行って無電解めっ
きを行う。無電解めっきは一般の無電解鋼めっき、無電
解ニッケルめっきが使用さｎる。
きを行う。無電解めっきは一般の無電解鋼めっき、無電
解ニッケルめっきが使用さｎる。
史に必要に応じて、電気めっき、例えば、電気鋼めっき
等が行なわれる。
等が行なわれる。
実施例１
アルミナセラミック基板（日立化成工業株式会社製、商
品名）・ロツクス５５２）を脱脂液により洗浄、乾燥後
、ＮａＯＨ／ ＫＯＨ（５０／ ５０モル比）溶融液（
２７０℃）に２０分浸漬して粗化を行なった。その後ア
ルカリの中和、水洗を行ない無電メロ銅めっきを１５分
、硫酸銅めっきを１０分行なった。無電解銅めつさはＣ
ＵＳＴ ２０１（日立化成工業株式会社製、商品名）を
用い、硫酸鋼めっきは一般的にプリント配線板として知
られている組成に光沢剤を使用した。めっき後、一般的
なフォトレジストを使用するエツチング法により２鮒×
２市のパターンを形成した。
品名）・ロツクス５５２）を脱脂液により洗浄、乾燥後
、ＮａＯＨ／ ＫＯＨ（５０／ ５０モル比）溶融液（
２７０℃）に２０分浸漬して粗化を行なった。その後ア
ルカリの中和、水洗を行ない無電メロ銅めっきを１５分
、硫酸銅めっきを１０分行なった。無電解銅めつさはＣ
ＵＳＴ ２０１（日立化成工業株式会社製、商品名）を
用い、硫酸鋼めっきは一般的にプリント配線板として知
られている組成に光沢剤を使用した。めっき後、一般的
なフォトレジストを使用するエツチング法により２鮒×
２市のパターンを形成した。
この銅皮膜の密着強度は五Ｑ ｋｇ ／ ｍｍであった
。
。
Ｍｌに４２０℃のＮａＯＨにより粗化した場合の密度強
度は２．４ ｋｇ／叩であった。
度は２．４ ｋｇ／叩であった。
このように本発明による方法では従来知られているＮａ
ＯＨ（融点３１８’Ｃ）よりも低い温度で十分な密着力
が得られ、さらに従来法では得られない密着強度が得ら
れた。
ＯＨ（融点３１８’Ｃ）よりも低い温度で十分な密着力
が得られ、さらに従来法では得られない密着強度が得ら
れた。
実施例２
チタン酸バリウム誘電体基板をトリクロルエチレンによ
り脱脂洗浄し、２００℃に加熱溶融したＮａＯＨ／ Ｋ
ＯＨ（５０／ ５０モル比）中に５分間投入し、表面粗
化後実施例１と同様にして銅回路を形成した。密着強度
は２．０ｋｇ／ｉｍが得らｎた。同様にして、４００℃
のＮａＯＨにより粗化した場合、チタン酸バリウムは表
面がボロボロになり密着強度の測定ができなかった。
り脱脂洗浄し、２００℃に加熱溶融したＮａＯＨ／ Ｋ
ＯＨ（５０／ ５０モル比）中に５分間投入し、表面粗
化後実施例１と同様にして銅回路を形成した。密着強度
は２．０ｋｇ／ｉｍが得らｎた。同様にして、４００℃
のＮａＯＨにより粗化した場合、チタン酸バリウムは表
面がボロボロになり密着強度の測定ができなかった。
実施例３
アルミナセラミック基板を実施例１と同様に但し、２５
０℃に加熱溶融したＮａＩ ／ Ｎａ０Ｈ（２０／８０
モル比）中で１５分間粗化し、銅パターンを形成した。
０℃に加熱溶融したＮａＩ ／ Ｎａ０Ｈ（２０／８０
モル比）中で１５分間粗化し、銅パターンを形成した。
密着強度は２．９ ｋｇ／Ｗが得らｎた。同様＋ｃ４２
０℃のＮａＯＨにより粗化した場合の密着強度は、２．
４ ｋｇ ／ ｍｍであった。
０℃のＮａＯＨにより粗化した場合の密着強度は、２．
４ ｋｇ ／ ｍｍであった。
（発明の効果）
以上説明したように本発明に於てはアルカリ金属の水酸
化物もしくはアルカリ金属の塩の２成分以上の混合物に
よって低温度域で粗化をすることにより、次の効果が達
成された。
化物もしくはアルカリ金属の塩の２成分以上の混合物に
よって低温度域で粗化をすることにより、次の効果が達
成された。
（１）従来困難とされていた耐アルカリ性の低いセラミ
ックス材料の粗化が可能になった。
ックス材料の粗化が可能になった。
（２）従来可能とされていた材料においても低い温度で
粗化が可能になり、重着力を最大にする最適な粗化条件
が求まるようになった。
粗化が可能になり、重着力を最大にする最適な粗化条件
が求まるようになった。
Claims (1)
- １、セラミックス、ガラス又はそれらの混合物からなる
無機質表面を、アルカリ金属の水酸化物又はアルカリ金
属の塩から選ばれる少なくとも２種以上の混合物の溶融
アルカリで処理した後、無電解めつき又はそれに加える
に電気めつきを行うことを特徴とする無機質表面に金属
皮膜を形成させる方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18501584A JPS6163582A (ja) | 1984-09-04 | 1984-09-04 | 無機質表面に金属皮膜を形成させる方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18501584A JPS6163582A (ja) | 1984-09-04 | 1984-09-04 | 無機質表面に金属皮膜を形成させる方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6163582A true JPS6163582A (ja) | 1986-04-01 |
| JPH0351671B2 JPH0351671B2 (ja) | 1991-08-07 |
Family
ID=16163274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18501584A Granted JPS6163582A (ja) | 1984-09-04 | 1984-09-04 | 無機質表面に金属皮膜を形成させる方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6163582A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61183191A (ja) * | 1984-12-10 | 1986-08-15 | コルモーゲン コーポレイション | セラミツク基材の無電解メツキにおけるふくれの形成を避ける方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5482666A (en) * | 1977-12-15 | 1979-07-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | Nonnelectrolytic plating method of insulated substrate |
-
1984
- 1984-09-04 JP JP18501584A patent/JPS6163582A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5482666A (en) * | 1977-12-15 | 1979-07-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | Nonnelectrolytic plating method of insulated substrate |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61183191A (ja) * | 1984-12-10 | 1986-08-15 | コルモーゲン コーポレイション | セラミツク基材の無電解メツキにおけるふくれの形成を避ける方法 |
| JPH0256318B2 (ja) * | 1984-12-10 | 1990-11-29 | Kollmorgen Tech Corp |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0351671B2 (ja) | 1991-08-07 |
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