JPS62230652A - 結晶化ガラス表面の金属化法 - Google Patents
結晶化ガラス表面の金属化法Info
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- JPS62230652A JPS62230652A JP7383686A JP7383686A JPS62230652A JP S62230652 A JPS62230652 A JP S62230652A JP 7383686 A JP7383686 A JP 7383686A JP 7383686 A JP7383686 A JP 7383686A JP S62230652 A JPS62230652 A JP S62230652A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
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- C23C18/1851—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
-
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- C23C18/1872—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment
- C23C18/1886—Multistep pretreatment
- C23C18/1889—Multistep pretreatment with use of metal first
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は結晶化ガラス基板、結晶化はうろう基板、結晶
化ガラスで表面被覆したセラミック基板等上への回路形
成に利用される結晶化ガラス表面の金属比法に関するも
のである。
化ガラスで表面被覆したセラミック基板等上への回路形
成に利用される結晶化ガラス表面の金属比法に関するも
のである。
（従来の技術）
従来、結晶化ガラス表面の金属化、特に回路形成方法と
しては、（ａ）金属ペーストを焼き付ける厚膜法や、（
ｂ）スパッタやＣＶＤなどを用いる薄膜法がある。
しては、（ａ）金属ペーストを焼き付ける厚膜法や、（
ｂ）スパッタやＣＶＤなどを用いる薄膜法がある。
しかし、（ａ）厚膜法では回路形成を印刷法で行なうた
め基板のスルーホール内壁や基板端部での曲面部分での
配線（回路形成）が困難であること、焼き付は温度が８
００℃を越える高温のため酸化しない貴金属ペーストを
用いなければならずコスト高になることなどの問題点が
あうた。（ｂ）薄膜法では、厚膜法と同様にスルーホー
ルや曲面への配置（回路形成）が困難であること、量産
性に劣ること、金属膜厚を大きくしにくいことなどの問
題点があった。
め基板のスルーホール内壁や基板端部での曲面部分での
配線（回路形成）が困難であること、焼き付は温度が８
００℃を越える高温のため酸化しない貴金属ペーストを
用いなければならずコスト高になることなどの問題点が
あうた。（ｂ）薄膜法では、厚膜法と同様にスルーホー
ルや曲面への配置（回路形成）が困難であること、量産
性に劣ること、金属膜厚を大きくしにくいことなどの問
題点があった。
このような問題点に対して、結晶化ガラス表面にめっき
を行なう方法提案されている。例えば、特開昭５３−５
４３８号公報、特開昭６０−１９５０７８号公報に示さ
れる方法であるが、結晶化ガラス表面の粗化を、前者は
フッ酸、後者は水酸化ナトリウム融解液の処理で行って
いる。
を行なう方法提案されている。例えば、特開昭５３−５
４３８号公報、特開昭６０−１９５０７８号公報に示さ
れる方法であるが、結晶化ガラス表面の粗化を、前者は
フッ酸、後者は水酸化ナトリウム融解液の処理で行って
いる。
（発明が解決しようとする問題点）
フン酸や水酸化ナトリウム融解液を用いると腐食力が強
すぎるため結晶化ガラス表面の結晶質相、非結晶質相の
区別なく溶解され粗化面の凹凸の制御が困難な上に、表
面付近に脆弱層を形成するため、その後に施す無電解め
っき膜がこの脆弱層と共に剥離し安定的な密着力を得る
ことが困難であった・ また、フン酸や水酸化ナトリウム融解液は取扱いが危険
である。
すぎるため結晶化ガラス表面の結晶質相、非結晶質相の
区別なく溶解され粗化面の凹凸の制御が困難な上に、表
面付近に脆弱層を形成するため、その後に施す無電解め
っき膜がこの脆弱層と共に剥離し安定的な密着力を得る
ことが困難であった・ また、フン酸や水酸化ナトリウム融解液は取扱いが危険
である。
本発明は、密着力に優れる結晶化ガラス表面の金属比法
を提供するものである。
を提供するものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明は結晶質相と非晶質相から成る結晶化ガラス表面
を、 （ａ）フン化物塩の水溶液で粗化する工程、（ｂ）無電
解めっき反応を開始させることのできる触媒を付与する
工程、 （ｃ）無電解めっきを行なう工程、 とを含むことを特徴とするものである。
を、 （ａ）フン化物塩の水溶液で粗化する工程、（ｂ）無電
解めっき反応を開始させることのできる触媒を付与する
工程、 （ｃ）無電解めっきを行なう工程、 とを含むことを特徴とするものである。
一般に、酸化物の耐水、耐酸、耐アルカリ性は以下のよ
うになっている〔成瀬省著「ガラス光学」 （昭３３）
弁室出版〕。
うになっている〔成瀬省著「ガラス光学」 （昭３３）
弁室出版〕。
耐水性： ＺｒＯ＊ ＞ＡｌｇＯｓ＞ Ｔｉ０１ ＞
ＺｎＯ＞ＭｇＯ＞ ＰｂＯ＞ ＣａＯ＞ ＢａＯ耐酸性
： Ｚｒ８富＞ ＡｌｇＯｓ＞ ＺｎＯ＞ ＣａＯ＞Ｔ
ｉｅ、＞ ＰｂＯ＞ ＭｇＯ＞ ＢａＯ耐ＮａＯＨ性：
Ｚｒ０ｔ ） Ａ１１０ｓ＋Ｔｉ０ｔ、ＺｎＯ，Ｃａ
Ｏ耐ＮａｚＣＯｓ性： ＺａＯｔ ） ＡｌｔＯ３＋Ｔ
ｉ０１．ＺｎＯ＞ ＣａＯ＋ＢａＯ，ＰｂＯ，ＭｇＯ 結晶化ガラス中の結晶質成分としてＢａｄ、Ｃａｂ。
ＺｎＯ＞ＭｇＯ＞ ＰｂＯ＞ ＣａＯ＞ ＢａＯ耐酸性
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ｉ０１．ＺｎＯ＞ ＣａＯ＋ＢａＯ，ＰｂＯ，ＭｇＯ 結晶化ガラス中の結晶質成分としてＢａｄ、Ｃａｂ。
ＭｇＯ，ＰｂＯ等を用いた場合、結晶質権は強酸、強ア
ルカリの両方に溶解されやすい。
ルカリの両方に溶解されやすい。
フッ化物塩の水溶液で処理することで、結晶質相を溶解
せずに非晶質相を溶解できることを見出した。フッ化物
塩の水溶液を粗化液として用いれば、非晶質相のみが洗
いだされる。このような結晶質権を残す処理をすること
で、その後に施すめっき膜との密着を大きくするような
粗化面を形成することが出来る。
せずに非晶質相を溶解できることを見出した。フッ化物
塩の水溶液を粗化液として用いれば、非晶質相のみが洗
いだされる。このような結晶質権を残す処理をすること
で、その後に施すめっき膜との密着を大きくするような
粗化面を形成することが出来る。
結晶化ガラスは結晶質相と非晶質相とより成っているが
、結晶質相が数種の相（組成）より成っている場合があ
るが、零発、明では、粗化面には結晶質相の少なくとも
一つの相が残り、その後に施すめっき膜との密着力を大
きくする粗化面を形成することが出来る。
、結晶質相が数種の相（組成）より成っている場合があ
るが、零発、明では、粗化面には結晶質相の少なくとも
一つの相が残り、その後に施すめっき膜との密着力を大
きくする粗化面を形成することが出来る。
本発明では、例えば、ホウ素、ケイ素、マグネシウム、
バリウムを１５ ＜ Ｂ＊Ｏｓ ＜ ３５．１０＜Ｓｔ
ｏｗ＜３Ｑ、４０ ＜ ＭｇＯ＋ ＣａＯ＋ ＢａＯ＜
６５の割合（モル％）で含む結晶化ガラスが使用出来
る。
バリウムを１５ ＜ Ｂ＊Ｏｓ ＜ ３５．１０＜Ｓｔ
ｏｗ＜３Ｑ、４０ ＜ ＭｇＯ＋ ＣａＯ＋ ＢａＯ＜
６５の割合（モル％）で含む結晶化ガラスが使用出来
る。
この結晶化ガラスはＢａＯを多く含む結晶質権とホウケ
イ酸ガラス質相から成る。結晶質相は長さ２０μｍ以下
の針状で非晶質マトリック中に無数に分散している。
イ酸ガラス質相から成る。結晶質相は長さ２０μｍ以下
の針状で非晶質マトリック中に無数に分散している。
フン化物塩としては、例えば、フッ化ナトリウム、フッ
化カリウム、フン化アンモニウム、フッ化ホウ素酸、テ
トラフルオロホウ酸アンモニウム等が使用出来る。粗化
液のｐＨは２〜１３、好ましくは５〜１０、更に好まし
くは６〜９である。
化カリウム、フン化アンモニウム、フッ化ホウ素酸、テ
トラフルオロホウ酸アンモニウム等が使用出来る。粗化
液のｐＨは２〜１３、好ましくは５〜１０、更に好まし
くは６〜９である。
無電解めっき反応を開始させることの出来る触媒として
は、絶縁基板面に無電解めっきにより回路形成を行う前
処理として使用される通常の触媒、特にアルカリ性、中
性のｐｂ系等の触媒が好ましい。
は、絶縁基板面に無電解めっきにより回路形成を行う前
処理として使用される通常の触媒、特にアルカリ性、中
性のｐｂ系等の触媒が好ましい。
無電解めっきも印刷配線の製造で、絶縁基板面に回路形
成を行うための通常の無電解めっき液により行うことが
出来る。
成を行うための通常の無電解めっき液により行うことが
出来る。
実施例１．２、比較例１． ２． ３
Ｂ ｔｏ １＝ ２０ ＋ Ｓ １０ ｔ−１５＋ Ｍ
ｇＯ−５５＋ ＢａＯ−５＋ ５ｒＯ−５の組成（モル
％）の結晶化ガラスを、それぞれフン化ナトリウム１２
ｇ／Ｊ！水溶液（ｐＨ７，４）を粗化液とし、７５〜８
０℃、５０分間浸漬（実施例１）、フン化カリウム２０
ｇ／ｌ水溶液（ｐＨ７）を粗化液とし、７５〜８０℃、
５０分間浸漬（実施例２）、ＩＯＮの塩酸３００＋ａ
ｍ！ ／ １水溶液を粗化液とし、室温で１分間浸漬（
比較例１）、フン酸（室温）に２０分間浸漬（比較例２
）、ｐＨ１３のＮａ０１１水溶液７５〜８０℃に１０分
間浸漬（比較例３）した。
ｇＯ−５５＋ ＢａＯ−５＋ ５ｒＯ−５の組成（モル
％）の結晶化ガラスを、それぞれフン化ナトリウム１２
ｇ／Ｊ！水溶液（ｐＨ７，４）を粗化液とし、７５〜８
０℃、５０分間浸漬（実施例１）、フン化カリウム２０
ｇ／ｌ水溶液（ｐＨ７）を粗化液とし、７５〜８０℃、
５０分間浸漬（実施例２）、ＩＯＮの塩酸３００＋ａ
ｍ！ ／ １水溶液を粗化液とし、室温で１分間浸漬（
比較例１）、フン酸（室温）に２０分間浸漬（比較例２
）、ｐＨ１３のＮａ０１１水溶液７５〜８０℃に１０分
間浸漬（比較例３）した。
アルカリ性のｐｂシーディング液に２分間浸漬した後、
アルカリ性の還元処理液に１分間浸漬し、ホルマリンを
還元剤とする無電解銅めっき液（ｐＨ１２，７０℃）に
２時間浸漬した。銅めっき膜−結晶化ガラス間の密着力
（ｋｇ／ｍ”）は、実施例１：１．３、実施例２＝１．
０ 比較例１〜３：０．２以下 であった。
アルカリ性の還元処理液に１分間浸漬し、ホルマリンを
還元剤とする無電解銅めっき液（ｐＨ１２，７０℃）に
２時間浸漬した。銅めっき膜−結晶化ガラス間の密着力
（ｋｇ／ｍ”）は、実施例１：１．３、実施例２＝１．
０ 比較例１〜３：０．２以下 であった。
（発明の効果）
本発明により結晶化ガラスの表面にめっきによる金属膜
を密着性よく形成することができた。
を密着性よく形成することができた。
これによって、めっき法による回路形成も可能となり、
これまで困難であったスルーホールや曲面部分での配線
（回路形成）が容易となり、導体回路のシート抵抗値を
小さくでき、焼成を伴なわないため、基板の反りや寸法
変化がないなど特性面が向上する他、コストの大幅な低
下が見込まれる。
これまで困難であったスルーホールや曲面部分での配線
（回路形成）が容易となり、導体回路のシート抵抗値を
小さくでき、焼成を伴なわないため、基板の反りや寸法
変化がないなど特性面が向上する他、コストの大幅な低
下が見込まれる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、結晶質相と非晶質相から成る結晶化ガラス表面を、 （ａ）フッ化物塩の水溶液で粗化する工程、 （ｂ）無電解めっき反応を開始させることのできる触媒
を付与する工程、 （ｃ）無電解めっきを行なう工程、 とを含むことを特徴とする結晶化ガラス表面の金属比法
。 ２、結晶化ガラスが、ホウ素、ケイ素、マグネシウム、
バリウムを１５＜Ｂ＿２Ｏ＿３＜３５、１０＜ＳｉＯ＿
２＜３０、４０＜ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＢａＯ＜６５の割合
（モル％）で含む結晶化ガラスである特許請求の範囲第
１項記載の結晶化ガラス表面の金属比法。 ３、粗化液のｐＨが２〜１３である特許請求の範囲第１
項、第２項又は第３項記載の結晶化ガラス表面の金属比
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7383686A JPS62230652A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 結晶化ガラス表面の金属化法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7383686A JPS62230652A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 結晶化ガラス表面の金属化法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62230652A true JPS62230652A (ja) | 1987-10-09 |
Family
ID=13529620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7383686A Pending JPS62230652A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 結晶化ガラス表面の金属化法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62230652A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013080905A (ja) * | 2011-09-22 | 2013-05-02 | Hoya Corp | 基板製造方法、配線基板の製造方法、ガラス基板および配線基板 |
| JP2013080904A (ja) * | 2011-09-22 | 2013-05-02 | Hoya Corp | 基板製造方法、配線基板の製造方法、ガラス基板および配線基板 |
-
1986
- 1986-03-31 JP JP7383686A patent/JPS62230652A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013080905A (ja) * | 2011-09-22 | 2013-05-02 | Hoya Corp | 基板製造方法、配線基板の製造方法、ガラス基板および配線基板 |
| JP2013080904A (ja) * | 2011-09-22 | 2013-05-02 | Hoya Corp | 基板製造方法、配線基板の製造方法、ガラス基板および配線基板 |
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