JPS62230650A - 結晶化ガラス表面の金属化法 - Google Patents
結晶化ガラス表面の金属化法Info
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- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
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- C23C18/1851—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
-
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は結晶化ガラス基板、結晶化はうろう基板、結晶
化ガラスで表面被覆したセラミック基板等上への回路形
成に利用される結晶化ガラス表面の金属比法に関するも
のである。
化ガラスで表面被覆したセラミック基板等上への回路形
成に利用される結晶化ガラス表面の金属比法に関するも
のである。
（従来の技術）
従来、結晶化ガラス表面の金属化、特に回路形成方法と
しては、（ａ）金属ペーストを焼き付ける厚膜法や、（
ｂ）スパッタやＣＶＤなどを用いる薄膜法がある。
しては、（ａ）金属ペーストを焼き付ける厚膜法や、（
ｂ）スパッタやＣＶＤなどを用いる薄膜法がある。
しかし、（ａ）厚膜法では回路形成を印刷法で行なうた
め基板のスルーホール内壁や基板端部での曲面部分での
配ｗＡ（回路形成）が困難であること、焼き付は温度が
８００℃を越える高温のため酸化しない貴金属ペースト
を用いなければならずコスト高になることなどの問題点
があった。（ｂ）薄膜法では、厚膜法と同様にスルーホ
ールや曲面への配線（回路形成）が困難であること、量
産性に劣ること、金属膜厚を大きくしにくいことなどの
問題点があった。
め基板のスルーホール内壁や基板端部での曲面部分での
配ｗＡ（回路形成）が困難であること、焼き付は温度が
８００℃を越える高温のため酸化しない貴金属ペースト
を用いなければならずコスト高になることなどの問題点
があった。（ｂ）薄膜法では、厚膜法と同様にスルーホ
ールや曲面への配線（回路形成）が困難であること、量
産性に劣ること、金属膜厚を大きくしにくいことなどの
問題点があった。
このような問題点に対して、結晶化ガラス表面にめっき
を行なう方法提案されている０例えば、特開昭５３−５
４３８号公報、特開昭６０−１９５０７８号公報に示さ
れる方法であるが、結晶化ガラス表面の粗化を、前者は
フン酸、後者は水酸化ナトリウム融解液の処理で行って
いる。
を行なう方法提案されている０例えば、特開昭５３−５
４３８号公報、特開昭６０−１９５０７８号公報に示さ
れる方法であるが、結晶化ガラス表面の粗化を、前者は
フン酸、後者は水酸化ナトリウム融解液の処理で行って
いる。
（発明が解決しようとする問題点）
フン酸や水酸化ナトリウム融解液を用いると腐食力が強
すぎるため結晶化ガラス表面の結晶質相、非結晶質相の
区別なく溶解され粗化面の凹凸の制御が困難な上に、表
面付近に脆弱層を形成するため、その後に施す無電解め
っき膜がこの脆弱層と共に剥離し、安定的な密着力を得
ることが困難であった・ また、フッ酸や水酸化ナトリウム融解液は取扱いが危険
である。
すぎるため結晶化ガラス表面の結晶質相、非結晶質相の
区別なく溶解され粗化面の凹凸の制御が困難な上に、表
面付近に脆弱層を形成するため、その後に施す無電解め
っき膜がこの脆弱層と共に剥離し、安定的な密着力を得
ることが困難であった・ また、フッ酸や水酸化ナトリウム融解液は取扱いが危険
である。
本発明は、密着力に優れる結晶化ガラス表面の金属比法
を提供するものである。
を提供するものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、相分離していること、その分離相関で耐薬品
性が異なる結晶化ガラスを用いて、上記の相の少なくと
も一つの相を溶解することのできる粗化液で処理する粗
化工程、無電解めっき反応を開始させることのできる触
媒を付与する工程、無電解めっきを行なう工程とを含む
ことを特徴とする結晶化ガラス表面の金属比法である。
性が異なる結晶化ガラスを用いて、上記の相の少なくと
も一つの相を溶解することのできる粗化液で処理する粗
化工程、無電解めっき反応を開始させることのできる触
媒を付与する工程、無電解めっきを行なう工程とを含む
ことを特徴とする結晶化ガラス表面の金属比法である。
すなわち、本発明は相分離していて、その分離相聞で耐
薬品性が異なる結晶化ガラスを用いて、前記相の少なく
とも一つの相を溶解することのできる液で処理する。粗
化工程と、無電解めっき反応を開始させることのできる
触媒を付与する活性化工程、さらに、これらの工程の後
に無電解めっきを行なう工程から成る結晶化ガラス表面
の金属比法である。
薬品性が異なる結晶化ガラスを用いて、前記相の少なく
とも一つの相を溶解することのできる液で処理する。粗
化工程と、無電解めっき反応を開始させることのできる
触媒を付与する活性化工程、さらに、これらの工程の後
に無電解めっきを行なう工程から成る結晶化ガラス表面
の金属比法である。
本発明で用いる結晶化ガラスの被溶解相は、フッ酸以外
の塩酸や硫酸などで容易に溶解されるように組成配合し
、活性化液でもｐＨを調節することで同時粗化可能とす
る。このような結晶化ガラスを得るためには、ガラス組
成物各々の耐薬品性を利用し結晶比相と非晶質相の間に
耐薬品性の差をつける必要がある。
の塩酸や硫酸などで容易に溶解されるように組成配合し
、活性化液でもｐＨを調節することで同時粗化可能とす
る。このような結晶化ガラスを得るためには、ガラス組
成物各々の耐薬品性を利用し結晶比相と非晶質相の間に
耐薬品性の差をつける必要がある。
ガラスの基本的な組成である５ｉＯｔ＋Ｂｚ（ｈ、アル
カリ成分（ＮａｔＯやＫＪなど）について、ホウケイ酸
成分は一般に耐薬品性が良いので、主にアルカリ成分が
ガラス全体の耐薬品性を低下させる。しかし、アルカリ
成分は回路のマイグレーションの原因となるのでこれを
用いた被溶解相の形成は好ましくない。
カリ成分（ＮａｔＯやＫＪなど）について、ホウケイ酸
成分は一般に耐薬品性が良いので、主にアルカリ成分が
ガラス全体の耐薬品性を低下させる。しかし、アルカリ
成分は回路のマイグレーションの原因となるのでこれを
用いた被溶解相の形成は好ましくない。
よって、ガラスの耐薬品性は、他の成分で制御する。
一般に、酸化物の耐水、耐酸、耐アルカリ性は以下のよ
うになっている〔成瀬省著「ガラス光学」 （昭３３）
弁室出版〕。
うになっている〔成瀬省著「ガラス光学」 （昭３３）
弁室出版〕。
耐水性： Ｚｒ０ｔ ＞ Ａ１ｔ０３＞ Ｔｉ０１ ＞
ＺｎＯ＞ＭｇＯ＞ ＰｂＯ＞ ＣａＯ＞ ＢａＯ耐酸
性： ＺｒＯ２＞ Ａｌ２Ｏ３＞ ＺｎＯ＞ ＣａＯ＞
Ｔｉｅ、＞ ＰｂＯ＞ ＭｇＯ＞ ＢａＯ耐ＮａＯＨ性
： Ｚｒ０ｔ ） Ａｌｘ０ｓ４ｉ０ｔ、ＺｎＯ，Ｃａ
Ｏ耐Ｎａ１ＣＯ３性： ＺａＯｔ ） Ａｌｔｏｚ、Ｔ
ｔＯｔ＋ＺｎＯ＞ ＣａＯ＋Ｂａｄ、 ＰｂＯ，ＭｇＯ そこで、粗化工程での被溶解相は上記の耐薬品性が小さ
い成分、その他の相は耐薬品性が大きい成分で形成する
。
ＺｎＯ＞ＭｇＯ＞ ＰｂＯ＞ ＣａＯ＞ ＢａＯ耐酸
性： ＺｒＯ２＞ Ａｌ２Ｏ３＞ ＺｎＯ＞ ＣａＯ＞
Ｔｉｅ、＞ ＰｂＯ＞ ＭｇＯ＞ ＢａＯ耐ＮａＯＨ性
： Ｚｒ０ｔ ） Ａｌｘ０ｓ４ｉ０ｔ、ＺｎＯ，Ｃａ
Ｏ耐Ｎａ１ＣＯ３性： ＺａＯｔ ） Ａｌｔｏｚ、Ｔ
ｔＯｔ＋ＺｎＯ＞ ＣａＯ＋Ｂａｄ、 ＰｂＯ，ＭｇＯ そこで、粗化工程での被溶解相は上記の耐薬品性が小さ
い成分、その他の相は耐薬品性が大きい成分で形成する
。
これによって、粗化工程では耐薬品性の小さい相が溶出
し、ガラス表面に凹凸を形成できる。特に、被溶解相は
アルカリ土類酸化物を多量に含むことで、フッ酸を含ま
ない塩酸水溶液等で溶解可能となるため、より安全で液
管理が容易な上に活性化工程で粗化を同時に行なうこと
も可能となる。
し、ガラス表面に凹凸を形成できる。特に、被溶解相は
アルカリ土類酸化物を多量に含むことで、フッ酸を含ま
ない塩酸水溶液等で溶解可能となるため、より安全で液
管理が容易な上に活性化工程で粗化を同時に行なうこと
も可能となる。
結晶化ガラスは結晶質相と非晶質相とより成っているが
、結晶質相が数種の相（組成）より成っている場合があ
り、本発明では結晶質相及び非晶質相の少なくとも一つ
の相を溶解する粗化液で粗化をする。その結果、その後
に施すめっき膜との密着力を大きくするように粗化面を
形成することが出来る。
、結晶質相が数種の相（組成）より成っている場合があ
り、本発明では結晶質相及び非晶質相の少なくとも一つ
の相を溶解する粗化液で粗化をする。その結果、その後
に施すめっき膜との密着力を大きくするように粗化面を
形成することが出来る。
無電解めっき反応を開始させることの出来る触媒として
は、絶縁基板面に無電解めっきにより回路形成を行う前
処理として使用される通常の触媒、特にアルカリ性、中
性のｐｂ系等の触媒が好ましい。
は、絶縁基板面に無電解めっきにより回路形成を行う前
処理として使用される通常の触媒、特にアルカリ性、中
性のｐｂ系等の触媒が好ましい。
無電解めっきも印刷配線の製造で、絶縁基板面に回路形
成を行うための通常の無電解めっき液により行うことが
出来る。
成を行うための通常の無電解めっき液により行うことが
出来る。
実施例１
図面により説明する。
５ｔＯｔ＝１４．ＢｚＯｓ＝２１．Ｍｇ０＝５８．Ｂａ
０＝７の組成（モル％）のホウケイ酸ガラス成分とアル
カリ土類酸化物成分から成る結晶化ガラス２で鉄芯を被
覆した結晶化はうろう基板を被めっき体とした（第１図
）。
０＝７の組成（モル％）のホウケイ酸ガラス成分とアル
カリ土類酸化物成分から成る結晶化ガラス２で鉄芯を被
覆した結晶化はうろう基板を被めっき体とした（第１図
）。
結晶化ガラスは、ＢａＯ−２Ｍｇ０ ２３ＬＯｔ系の結
晶質相とＳｉＯＳｌｏｌ−Ｂｔｕｓ−系の非晶質相の２
相から成る。結晶質相は長さ２０１１ｍ以下の針状で、
非晶質マトリックス相中に無数に分散している。
晶質相とＳｉＯＳｌｏｌ−Ｂｔｕｓ−系の非晶質相の２
相から成る。結晶質相は長さ２０１１ｍ以下の針状で、
非晶質マトリックス相中に無数に分散している。
第２図のように回路形成しない部分の表面にレジスト３
を形成する。次に界面活性剤を用いて基板表面をクリー
ニングし、その後ＰｄＣ１露０． ５ ｇ／ Ｉｔ、
ＳｎＣ１ｇ ・２Ｈ１０４０ｇ／ ｊ！−１２ＨのＩＣ
１３５０ｓｌ／ｊ！より成る溶液に３０秒浸漬すること
で粗化と活性化４を同時に行った（第１図）。
を形成する。次に界面活性剤を用いて基板表面をクリー
ニングし、その後ＰｄＣ１露０． ５ ｇ／ Ｉｔ、
ＳｎＣ１ｇ ・２Ｈ１０４０ｇ／ ｊ！−１２ＨのＩＣ
１３５０ｓｌ／ｊ！より成る溶液に３０秒浸漬すること
で粗化と活性化４を同時に行った（第１図）。
この後レジストを剥離しホルマリンを還元剤とする無電
解銅めっき液でめワきを行い膜厚１０μｍ程度の銅回路
を形成した０ｗ４めっき膜−結晶化カラＸ 間（Ｄ 密
１１力（ｋｇ／ｆｉ’）は、１ｋｇ／ｍ”以上であった
。
解銅めっき液でめワきを行い膜厚１０μｍ程度の銅回路
を形成した０ｗ４めっき膜−結晶化カラＸ 間（Ｄ 密
１１力（ｋｇ／ｆｉ’）は、１ｋｇ／ｍ”以上であった
。
（発明の効果）
本発明により結晶化ガラスの表面にめっきによる金属膜
を密着性よく形成することができた。
を密着性よく形成することができた。
これによって、めっき法による回路形成も可能となり、
これまで困難であったスルーホールや曲面部分での配線
（回路形成）が容易となり、導体回路のシート抵抗値を
小さくでき、焼成を伴なわないため、基板の反りや寸法
変化がないなど特性面が向上する他、コストの大幅な低
下が見込まれる。
これまで困難であったスルーホールや曲面部分での配線
（回路形成）が容易となり、導体回路のシート抵抗値を
小さくでき、焼成を伴なわないため、基板の反りや寸法
変化がないなど特性面が向上する他、コストの大幅な低
下が見込まれる。
第１図〜第４図本発明の詳細な説明する断面図である。
１、鉄芯
２、結晶化ガラス
３、レジスト
４、粗化、活性化面
５、銅めっき膜
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、相分離していること、その分離相間で耐薬品性が異
なる結晶化ガラスを用いて、上記の相の少なくとも一つ
の相を溶解することのできる粗化液で処理する粗化工程
、無電解めっき反応を開始させることのできる触媒を付
与する工程、無電解めっきを行なう工程とを含むことを
特徴とする結晶化ガラス表面の金属比法。 ２、結晶化ガラスが、ホウケイ酸ガラス成分を、２５〜
５０モル％含む結晶化ガラスである特許請求の範囲第１
項記載の結晶化ガラス表面の金属比法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7383486A JPS62230650A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 結晶化ガラス表面の金属化法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7383486A JPS62230650A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 結晶化ガラス表面の金属化法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62230650A true JPS62230650A (ja) | 1987-10-09 |
Family
ID=13529563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7383486A Pending JPS62230650A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 結晶化ガラス表面の金属化法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62230650A (ja) |
-
1986
- 1986-03-31 JP JP7383486A patent/JPS62230650A/ja active Pending
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