JPS60121615A - 透明導電膜の製造方法 - Google Patents
透明導電膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS60121615A JPS60121615A JP23007283A JP23007283A JPS60121615A JP S60121615 A JPS60121615 A JP S60121615A JP 23007283 A JP23007283 A JP 23007283A JP 23007283 A JP23007283 A JP 23007283A JP S60121615 A JPS60121615 A JP S60121615A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent conductive
- conductive film
- plating
- film
- insulating substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Chemically Coating (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はバターニングされた透明導電膜の製造方法に関
するものである。
するものである。
透明導電膜は近年エレクトロニクスの発展により用塗が
拡大されており、特に液晶、ＢＬ、ＢＣ等のディスプレ
イ、太陽電池用電極に広く用いられている。又これらの
場合にその１１とんどがバターニングされ使用されるの
が通常である。透明導電膜の製造方法は、真空蒸着法、
スパッタリング法、イオンプレイティング法、ＣＶＤ法
、パイロゾルＣＶＤ法、スプレー法、ダイレクト印刷法
等があるが、近年の透明導電膜に要求される特性に対し
て満足されるものはない。安価（設備投資面、メインタ
ナンス）でしかも、ファインラインバターニング（ｌ（
）μ〜加μ）に対する歩留りの良いことが要求されてい
る。従来の全面に透明電極を被覆しエツチングレジスト
を用いて透明導電膜をエツチングパターン化する方法で
は透明導ＴＬ膜自体のピンホール、エツチングレジスト
のピンホール等によるパターン不良が発生しやすかった
。大型でしかもファインラインをもった液晶パネルでは
このような電極不良は１点でも発生すれば完成品として
不良であり歩留り低下の原因となっていた。
拡大されており、特に液晶、ＢＬ、ＢＣ等のディスプレ
イ、太陽電池用電極に広く用いられている。又これらの
場合にその１１とんどがバターニングされ使用されるの
が通常である。透明導電膜の製造方法は、真空蒸着法、
スパッタリング法、イオンプレイティング法、ＣＶＤ法
、パイロゾルＣＶＤ法、スプレー法、ダイレクト印刷法
等があるが、近年の透明導電膜に要求される特性に対し
て満足されるものはない。安価（設備投資面、メインタ
ナンス）でしかも、ファインラインバターニング（ｌ（
）μ〜加μ）に対する歩留りの良いことが要求されてい
る。従来の全面に透明電極を被覆しエツチングレジスト
を用いて透明導電膜をエツチングパターン化する方法で
は透明導ＴＬ膜自体のピンホール、エツチングレジスト
のピンホール等によるパターン不良が発生しやすかった
。大型でしかもファインラインをもった液晶パネルでは
このような電極不良は１点でも発生すれば完成品として
不良であり歩留り低下の原因となっていた。
しかも透明であるためにこの不良を検査することは非常
に困難であり、完成品として電気的な検査によってのみ
可能となり１伺加価値がついたうえでの不良は完成品コ
ストのｕｐになっていた。本発明によるアテイテイブ的
透明電極製造方法はかかる欠点を解決するために考え出
されたものである。
に困難であり、完成品として電気的な検査によってのみ
可能となり１伺加価値がついたうえでの不良は完成品コ
ストのｕｐになっていた。本発明によるアテイテイブ的
透明電極製造方法はかかる欠点を解決するために考え出
されたものである。
しかるに本発明の目的は、特に高密度パターンを安価に
得ることを第１の目的とし、第２の目的は、透明電極の
ピンホール等妃よる断線をも検査、リペア−することに
ある。
得ることを第１の目的とし、第２の目的は、透明電極の
ピンホール等妃よる断線をも検査、リペア−することに
ある。
本発明を特に液晶パネル用基板に応用した例を中心に詳
細に説明する。
細に説明する。
本発明に用いられる絶縁基板としては、ガラス、セラミ
ック、プラスチック尋である。これらの基板はその使用
目的により表面処理が施されていてもかまわない。例え
ば液晶パネル用基板として用いられるソーダ系ガラス基
板にはバシペイションートされる。さらに通常これらの
基板は触媒活性付与工程に先立って後に続くメッキの密
着性を向上させるうえでアルカリ処理、クロム硫酸混酸
処理等の化学的処理、プラズマエッチ、コロナ処理等が
施される。
ック、プラスチック尋である。これらの基板はその使用
目的により表面処理が施されていてもかまわない。例え
ば液晶パネル用基板として用いられるソーダ系ガラス基
板にはバシペイションートされる。さらに通常これらの
基板は触媒活性付与工程に先立って後に続くメッキの密
着性を向上させるうえでアルカリ処理、クロム硫酸混酸
処理等の化学的処理、プラズマエッチ、コロナ処理等が
施される。
次にメッキのための表面触媒活性化処理が施される。一
般にはＢ ？Ｌ ＣＪｐ２−Ｐ ｄ ＣＡｘ系の二液性
又は−液性の処理が使用される。−液性のキャタリスト
として例えば日立化成社製のＨＳ −ＩＱＩＢ。
般にはＢ ？Ｌ ＣＪｐ２−Ｐ ｄ ＣＡｘ系の二液性
又は−液性の処理が使用される。−液性のキャタリスト
として例えば日立化成社製のＨＳ −ＩＱＩＢ。
室町化学工業製ＭＫ−２００があけられる。
このように触媒活性された絶縁基板に得ようとする透明
導電膜の逆パターンのメツキレジストラ被覆する。メツ
キレシストはスクリーン印刷法、オフセット印刷法、タ
コ印刷法、凸版印刷法、フレキソ印刷法等の印刷法によ
るか又は、フォトレジストを用いたフォトリングラフイ
ー法による。
導電膜の逆パターンのメツキレジストラ被覆する。メツ
キレシストはスクリーン印刷法、オフセット印刷法、タ
コ印刷法、凸版印刷法、フレキソ印刷法等の印刷法によ
るか又は、フォトレジストを用いたフォトリングラフイ
ー法による。
微細パターンの場合にはフォト法によるのが望ましい。
フォト法を使うことによりｉｏ〜加μノ（ターンは大面
積（３０ｃｍ Ｘ ３０ ｃｍ ）に亘って得られる。
積（３０ｃｍ Ｘ ３０ ｃｍ ）に亘って得られる。
次にこのようにメンキレジストラ被覆された絶縁基板に
透明導電膜になり得る前駆体としての金属を無電解メッ
キする。このような金属としては工ｎ、Ｆ３ｎ、ｓｂ
、Ｚｎ、Ｃｄ等又はこれらの合金であり、望ましくはＩ
ｎ −ｓ ｎメッキである。
透明導電膜になり得る前駆体としての金属を無電解メッ
キする。このような金属としては工ｎ、Ｆ３ｎ、ｓｂ
、Ｚｎ、Ｃｄ等又はこれらの合金であり、望ましくはＩ
ｎ −ｓ ｎメッキである。
８ｎのドーピング］は５〜１５モルチであるのが低抵抗
をもたらすことから望ましＩ／−１゜工ｎ −ｓ ｎの
他、５ＱＬ−８ｂ、５７１−Ｃｄ、８ｎ−Ｚ？Ｌ等も有
１００Ａ以下では被＆物が島状析出状態にあり面抵抗体
になり得ない。又５０００Ａ以上では膜の基板に対する
密着性が低下する。よって液晶バネで十分である。代表
的なＩｎ−５ｎ無電解メツキ液のペースとしては、金属
表面技術υｏｈ ３３ 、 Ａ ８、Ｉ’１９８２）の
無電解インジウムメッキが、Ｓｎメッキとしては同誌、
ｖｏＡ３３ 、Ａ８ 、 （１９８２） 、 Ｔｒａｎ
ｓ、工ｎｓｔ、ＭｅｔｃＪ Ｆｉｎｓｈｉｎｇ 、 ５
８ 、９（１９８０）等があげられる。
をもたらすことから望ましＩ／−１゜工ｎ −ｓ ｎの
他、５ＱＬ−８ｂ、５７１−Ｃｄ、８ｎ−Ｚ？Ｌ等も有
１００Ａ以下では被＆物が島状析出状態にあり面抵抗体
になり得ない。又５０００Ａ以上では膜の基板に対する
密着性が低下する。よって液晶バネで十分である。代表
的なＩｎ−５ｎ無電解メツキ液のペースとしては、金属
表面技術υｏｈ ３３ 、 Ａ ８、Ｉ’１９８２）の
無電解インジウムメッキが、Ｓｎメッキとしては同誌、
ｖｏＡ３３ 、Ａ８ 、 （１９８２） 、 Ｔｒａｎ
ｓ、工ｎｓｔ、ＭｅｔｃＪ Ｆｉｎｓｈｉｎｇ 、 ５
８ 、９（１９８０）等があげられる。
これらをベースとしたメッキを施した後、該メッキ被膜
の断線及びショート’にチェックすることが可能である
。又外観ピンホールのチェックも可能である。この段階
での断線は透明導電膜にした場合も必ず断線につながる
。このような不良は不良箇所の部分的触媒塗布と無電解
メッキ（工ｎ。
の断線及びショート’にチェックすることが可能である
。又外観ピンホールのチェックも可能である。この段階
での断線は透明導電膜にした場合も必ず断線につながる
。このような不良は不良箇所の部分的触媒塗布と無電解
メッキ（工ｎ。
ｓｎ又はＮｊ−ｐ、Ｎ１−Ｂ等）、又は部分的な真空又
はスパッタリング（Ｉｎ、Ｆ３ｎ’、ｃｒ等）によりリ
ペア−可能となる。このようなりベアー技術は微細で大
面積パターンを持つ液晶パネル、及び大型基板を用いた
製造プロセスの歩留クアツブに対する効果は大きい。
はスパッタリング（Ｉｎ、Ｆ３ｎ’、ｃｒ等）によりリ
ペア−可能となる。このようなりベアー技術は微細で大
面積パターンを持つ液晶パネル、及び大型基板を用いた
製造プロセスの歩留クアツブに対する効果は大きい。
このように１次検査され必要に応じリペア−された基板
は、メツキレジストラ剥離する。又は２００〜５００℃
で分解、蒸発するレジストであれば次に続く熱処理工程
に剥離しないで持ち込んでも良い。
は、メツキレジストラ剥離する。又は２００〜５００℃
で分解、蒸発するレジストであれば次に続く熱処理工程
に剥離しないで持ち込んでも良い。
次に該透明導′に膜前駆体としての金属被膜の酸化工程
であるが、熱酸化、化学酸化、電気化学的酸化が考えら
れるが、その工程の単純さ、メインテナンスからして空
気熱酸化が優れている。１００℃〜５００℃でなされ、
望ましくＶｉｘ５ｏ℃〜４００℃である。１００℃以下
ではＮ股といえども酸化膜の成長が非常に遅く工業的で
ない。
であるが、熱酸化、化学酸化、電気化学的酸化が考えら
れるが、その工程の単純さ、メインテナンスからして空
気熱酸化が優れている。１００℃〜５００℃でなされ、
望ましくＶｉｘ５ｏ℃〜４００℃である。１００℃以下
ではＮ股といえども酸化膜の成長が非常に遅く工業的で
ない。
又５００℃以上では非常に早く、そのために抵抗値に大
きく関与する酸化物としての酸素のマトイキオの制御が
非常に困難である。又液晶パネルに用いる場合、ソーダ
ガラス等を用いると１１ａ、にのコンタミの問題、基板
自体の熱変形の問題が生じるおそれがある。熱処理時間
は被膜の厚み、温度によυ異なるがｉｌ１分〜１時間位
を選定できるように設足するのが工業的であるゆ又急激
な温度変化は密着性を損ねることがあるのでベルト炉形
式の炉を用いるのが好ましい。
きく関与する酸化物としての酸素のマトイキオの制御が
非常に困難である。又液晶パネルに用いる場合、ソーダ
ガラス等を用いると１１ａ、にのコンタミの問題、基板
自体の熱変形の問題が生じるおそれがある。熱処理時間
は被膜の厚み、温度によυ異なるがｉｌ１分〜１時間位
を選定できるように設足するのが工業的であるゆ又急激
な温度変化は密着性を損ねることがあるのでベルト炉形
式の炉を用いるのが好ましい。
次に本発明を実施例に従って詳細に説明する。
実施例１
液晶用基板として調整されたパシベイション膜イ１ソー
ダガラスを１（ＩＮ、ＫＯ）ｌでω℃、１０分間処理し
表面の粗化を行なった。次に水洗、中和、水洗後０ 、
５ ｆ／ＩｂのＢｎＣＡ２ 、１ ｑ！ＦＩＣ，７１を
含む液に該基板を５分間浸漬した後水洗した。次に１２
μのＰｄす２を含む液に５分間浸漬した後水洗、乾燥し
た。
ダガラスを１（ＩＮ、ＫＯ）ｌでω℃、１０分間処理し
表面の粗化を行なった。次に水洗、中和、水洗後０ 、
５ ｆ／ＩｂのＢｎＣＡ２ 、１ ｑ！ＦＩＣ，７１を
含む液に該基板を５分間浸漬した後水洗した。次に１２
μのＰｄす２を含む液に５分間浸漬した後水洗、乾燥し
た。
次にフォトレジストとしてＯＭＲ−７ＲＦ（東京応化社
製）なるフォトレジストを両面に１μ厚でコートした。
製）なるフォトレジストを両面に１μ厚でコートした。
通常の露光、現像工程によりフォトレジストを用いたメ
ツキレシストをパターニング形成した。当然のことなが
ら得ようとする透明導電膜パターンの逆パターンレジス
トである。
ツキレシストをパターニング形成した。当然のことなが
ら得ようとする透明導電膜パターンの逆パターンレジス
トである。
次に無電解インジウム−スズメッキ液を行なった。メッ
キ液は次のように調合した。
キ液は次のように調合した。
硫酸インジウム４０ ｆ／ＩＩにｌｌ０ＤＴＡ 、２Ｎ
α塩？、Ｏｆ／Ａ’ｅ加えアンモニア水を用すてＰ Ｈ
９，Ｑにし８０℃で８Ｈｒ反応させキレート化した。次
にポリエチレングリコールｔ １００ ｍｉｋ／１１．
還元剤としてホウ化水素ナトリウム２ ｆｒ／１３に入
れ、アンモニア水を用いＰ Ｈ９，５０に調整した。仁
の液にＦｉＤＴＡ 、 ２Ｎαでキレート化したＳ ％
ＣＡ、を添加した、この液はあらかじめ６譬ＣＡ２０
．０５１％Ｉ／にＥＤＴＡ 、 ２１Ｑαｋ ０．１２
ｖμ加えアンモニア水を用いＰＨ９，５に調整しておい
た。この無電解メッキ液に前記基板を浸漬し、８０℃で
１５分間メッキを行ない３００Åの被膜を得た。この被
膜は定量分析の結果Ｉｎ９５モル％、８ｎモルチでおっ
た。
α塩？、Ｏｆ／Ａ’ｅ加えアンモニア水を用すてＰ Ｈ
９，Ｑにし８０℃で８Ｈｒ反応させキレート化した。次
にポリエチレングリコールｔ １００ ｍｉｋ／１１．
還元剤としてホウ化水素ナトリウム２ ｆｒ／１３に入
れ、アンモニア水を用いＰ Ｈ９，５０に調整した。仁
の液にＦｉＤＴＡ 、 ２Ｎαでキレート化したＳ ％
ＣＡ、を添加した、この液はあらかじめ６譬ＣＡ２０
．０５１％Ｉ／にＥＤＴＡ 、 ２１Ｑαｋ ０．１２
ｖμ加えアンモニア水を用いＰＨ９，５に調整しておい
た。この無電解メッキ液に前記基板を浸漬し、８０℃で
１５分間メッキを行ない３００Åの被膜を得た。この被
膜は定量分析の結果Ｉｎ９５モル％、８ｎモルチでおっ
た。
次に５％ＩＫＯＨを用いホトレジストヲ剥離した。
水洗後８５０℃で１１１分間空気酸化した。被膜のシー
ト抵抗値は１００Ω／口であ夛、光線透過率は８６％で
あった。この酸化インジウム・酸化スズ透明導ｔＩＬＢ
！１％（工ＴＬ））を用い液晶パネルとしたところ従来
法によるものと差は認められなかった。
ト抵抗値は１００Ω／口であ夛、光線透過率は８６％で
あった。この酸化インジウム・酸化スズ透明導ｔＩＬＢ
！１％（工ＴＬ））を用い液晶パネルとしたところ従来
法によるものと差は認められなかった。
この方法によｐ用μピッチの３（ｌ ｃｍ Ｘ ３（ｌ
ｃｍの大型〕（ターンの歩留りは８０チにも達した。
ｃｍの大型〕（ターンの歩留りは８０チにも達した。
従来のエツチング法の歩留りは加チであった。又無電解
メッキ後メッキ被膜のピンホールチェック、前記リペア
−技術を用いることにより歩留りは９５％にも達した。
メッキ後メッキ被膜のピンホールチェック、前記リペア
−技術を用いることにより歩留りは９５％にも達した。
また真空装＠を使わないだめの投資効果装置のメインタ
ナンスの容易さ等従来法に比しての効果は非常に大きか
った。
ナンスの容易さ等従来法に比しての効果は非常に大きか
った。
実施例２
実施例１Ｋｆ？いてメッキ用レジストとしてオフセット
印刷法により太陽インキ社製Ｍ−８０８レジストを印刷
して用いた。５０〜１００μピツチパタ一ン以上のもの
はこの方法で作成可能であった。この方法を用いた場合
の効果の大部分は設備投資効果、装置のメインタナンス
効果であった。
印刷法により太陽インキ社製Ｍ−８０８レジストを印刷
して用いた。５０〜１００μピツチパタ一ン以上のもの
はこの方法で作成可能であった。この方法を用いた場合
の効果の大部分は設備投資効果、装置のメインタナンス
効果であった。
以 上
出願人 株式会社諏訪精工舎
代理人 弁理士最 上 務
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 無電解メッキ法により透明導電膜になり得る前駆体とし
ての金属を析出させ、酸化反応により透明導電膜を製造
する方法において、 Ｃα１絶縁基板上に無電解メッキ用触媒活性を付与する
工程 １ｂ１ ｊ’）ｒ定のパターンを有するメツキレジスト
ラ該絶縁基板上に被覆する工程 ｌｃｌ透明４電膜になり得る前駆体としての金属全熱？
に解メッキする工程 ｆｄ＋該パターン状に被αされた金属薄膜付き絶縁基板
を酸化する工程を含むことを特徴とする透明導電膜の製
造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23007283A JPS60121615A (ja) | 1983-12-06 | 1983-12-06 | 透明導電膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23007283A JPS60121615A (ja) | 1983-12-06 | 1983-12-06 | 透明導電膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60121615A true JPS60121615A (ja) | 1985-06-29 |
Family
ID=16902099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23007283A Pending JPS60121615A (ja) | 1983-12-06 | 1983-12-06 | 透明導電膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60121615A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63166973A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-11 | Sankyo Kasei Kk | 回路基板等の成形品の製法 |
-
1983
- 1983-12-06 JP JP23007283A patent/JPS60121615A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63166973A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-11 | Sankyo Kasei Kk | 回路基板等の成形品の製法 |
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