JP2000259095A

JP2000259095A - 画像表示デバイス用基板

Info

Publication number: JP2000259095A
Application number: JP6177799A
Authority: JP
Inventors: Yoshiaki Tomari; 慶明泊
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1999-03-09
Filing date: 1999-03-09
Publication date: 2000-09-22

Abstract

(57)【要約】【課題】製造プロセス過程における、高温による不具
合や薬剤による不具合の低減を図ることのできる品質性
に優れた画像表示デバイス用基板を提供する。【解決手段】基材の上に、非加熱スパッタ成膜法によ
り形成された非結晶性インジウムスズ膜を積層して、レ
ジストの形成とパタニングを行い、露出する非結晶性イ
ンジウムスズ膜上に、ニッケル・リン合金メッキ層、ま
たは、パラジウム・リン合金メッキ層を積層後、レジス
ト除去プロセスを行って、露出する非結晶性インジウム
スズ膜を蓚酸にてエッチング除去する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、一般にフラットパ
ネルディスプレイ（以下においてはＦＰＤと記す）と称
される画像表示装置に用いる画像表示デバイス用基板に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、ＦＰＤに用いる画像表示デバイス
用基板における配線の層構成としては、以下に記述され
るものが知られている。

【０００３】例えば、銀ペーストをガラス基板上に印刷
して、所望のパターンを形成し、これを焼成して定着さ
せるものがある。

【０００４】また、他の例として、ＺｎＯもしくはＷＯ
₃からなる半導体層をガラス基板上に形成し、この上
に、Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕ，Ａｇなどをメッキにより積層し
た後に、さらに、銅などの導電性層をメッキにより積層
した層構成を有するものが知られている（特開平４−１
７２１１号公報、及び、特開平６−６１６１９号公報参
照）。

【０００５】さらに、その他の例としては、ガラス基
板、または、ガラス基板上に成膜した結晶性酸化インジ
ウムスズ（ＩＴＯ）上に、ニッケル・リン下地金属層を
積層した後、これに所定の絶縁層を形成し、下地金属層
が露出している部分に、電気メッキ法にて銅メッキ層を
積層した層構成を有するものなどが知られている（特開
平８−２２７６５６号公報参照）。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技
術に係る画像表示デバイス用基板に用いられている層構
成には、以下のような問題があった。

【０００７】すなわち、銀ペーストを印刷・焼成する場
合や、銀フォトペーストをパタニング後に焼成した場合
には、ペースト中に添加された鉛ガラスなどの影響によ
り、バルクの銀に比べて、出来上がった膜の配線抵抗が
大きくなるという問題がある。

【０００８】また、上記の添加物を減らして、バルクの
特性に近づけようとすると、必然的に５００℃近辺での
焼成が必要となり、エネルギーコストが高くなるばかり
か、基材や基材上に形成された他のパターンにも悪影響
を及ぼす確率が大きくなるという問題が加わる。

【０００９】同様に、ＺｎＯもしくはＷＯ₃からなる半
導体層を密着性の向上のために用いる場合にも、これら
の半導体層を形成するための成膜プロセスに、高温での
熱処理が必要であり、基材や基材上に形成された他のパ
ターンにも悪影響を及ぼす確率が大きくなるという問題
がある。

【００１０】また、通常のスパッタにより形成される結
晶性のＩＴＯを使用する場合には、結晶化させるために
３００℃付近でのポストベークが必要となり、熱ダメー
ジを受け易いパターンや基材に対して上記と同様の問題
が発生する。

【００１１】さらに、この結晶性のＩＴＯパターンの下
部に印刷・焼成により形成されたパターンがあるような
場合、この印刷・焼成パターンへのダメージを回避しな
がら結晶性のＩＴＯ膜を薬剤により選択除去する事は、
かなりの困難を伴う。

【００１２】これは、ペースト中に含まれる焼成温度低
温化のための添加剤、すなわち、鉛化合物などが、結晶
性ＩＴＯのエッチャントにより溶解され易いためであ
る。

【００１３】本発明は上記の従来技術の課題を解決する
ためになされたもので、その目的とするところは、製造
プロセス過程における、高温による不具合や薬剤による
不具合の低減を図ることのできる品質性に優れた画像表
示デバイス用基板を提供することにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明にあっては、非加熱スパッタ成膜法により形成
された酸化インジウムスズ膜と、湿式のメッキ法によっ
て、前記酸化インジウムスズ膜上に積層形成された導電
パターンと、を備えることを特徴とする。

【００１５】これにより高温プロセスを必要としなくな
る。

【００１６】前記酸化インジウムスズ膜は、非結晶性の
膜構造であるとよい。

【００１７】前記酸化インジウムスズ膜は、蓚酸水溶液
によって溶解する性質を有するとよい。

【００１８】ガラス基板と、該ガラス基板上に形成され
た、配線パターンおよび電極パターンと、所定個所で電
気的な短絡を防止する絶縁層と、を備えると共に、前記
酸化インジウムスズ膜は、これらガラス基板，配線パタ
ーン，電極パターンおよび絶縁層のうちの少なくともい
ずれか一つの全面あるいは一部に積層されるとよい。

【００１９】前記配線パターンあるいは電極パターン
は、印刷ペーストあるいはフォトペーストを焼成するこ
とにより形成されたものであるか、あるいはスパッタ法
により形成されたものであるとよい。

【００２０】前記絶縁層は、印刷ペーストあるいはフォ
トペーストを焼成することにより形成されたものである
とよい。

【００２１】前記導電パターンを構成する湿式のメッキ
層には、前記酸化インジウムスズ膜表面に密着して積層
される、ニッケル・リン合金メッキ層あるいはパラジウ
ム・リン合金メッキ層を含むとよい。

【００２２】前記導電パターンを構成する湿式のメッキ
層には、前記ニッケル・リン合金メッキ層あるいはパラ
ジウム・リン合金メッキ層の表面に密着して積層される
第２メッキ層を含むと共に、該第２メッキ層は、銅，
金，銀，ニッケル，パラジウム，白金、あるいは、これ
らのいずれかを組み合わせた合金のうちのいずれか一つ
によって形成されるとよい。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下に図面を参照して、この発明
の好適な実施の形態を例示的に詳しく説明する。ただ
し、この実施の形態に記載されている構成部品の寸法、
材質、形状、その相対配置などは、特に特定的な記載が
ない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣
旨のものではない。

【００２４】（第１の実施の形態）図１〜図４を参照し
て、本発明の実施の形態に係る画像表示デバイス用基板
について説明する。

【００２５】なお、各図は、本発明の実施の形態に係る
画像表示デバイス用基板における代表的な層構成を示す
模式図である。

【００２６】図において、１はガラスなどの基板であ
り、２は非加熱スパッタ成膜法により形成された非結晶
性ＩＴＯ膜である。

【００２７】そして、３は導電パターンを構成するメッ
キ層であり、具体的には、ニッケル・リン合金メッキ
層、または、パラジウム・リン合金メッキ層である。

【００２８】また、４は導電パターンを構成する第２メ
ッキ層であり、具体的には、銅、銀、金、パラジウム、
白金などのメッキ層である。

【００２９】そして、５ａ，５ｂは表示用ディスプレイ
における電極（電極パターン）、６は電極５ａと導通し
ている配線（配線パターン）、７は絶縁層である。

【００３０】（基材）本発明の実施の形態に係る画像表
示デバイス用基板の基材としては、一般に青板ガラスや
フロートガラスとして知られるアルカリ含有ガラス（一
例として、日本板硝子製の商品名：Ｕ．Ｆ．ＦＧｌａ
ｓｓ）、および、一般にホウケイ酸ガラスなどとして知
られるアルカリ性分をほとんど含有しないもの（一例と
して、コーニング製の商品名：＃７０５９）、さらに、
フロートガラスなどの表面にＳｉＯ₂などのアルカリ漏
洩保護膜を形成したもの（一例として、日本板硝子製の
商品名：Ｈコートガラス）、その他を使用することがで
きる。

【００３１】（ＩＴＯ膜）本発明の実施の形態において
は、図１、２に示したように、基材の上に直接、非加熱
スパッタ成膜法により形成された非結晶性ＩＴＯ膜（以
下ａｍｏＩＴＯと呼称する）を全面（一部でも良い）に
積層しても良いし、図３に示したように、ガラスなどの
基材上に表示電極や配線、絶縁層が既に形成されている
状態で、ａｍｏＩＴＯを全面（一部でも良い）に積層し
ても良い。

【００３２】本発明の実施の形態に適用されるａｍｏＩ
ＴＯ膜とは、以下のような要件を満足しているものをさ
す。

【００３３】すなわち、成膜時、および、成膜後に積極
的な加熱を行わず、膜の結晶化を低く抑えたものであ
り、成膜後に、低濃度の蓚酸により容易にエッチング除
去されるという特性を有しているものである。

【００３４】このような特性を持ったａｍｏＩＴＯの成
膜条件の一例を以下に示す。

【００３５】（スパッタ条件）定電流制御（１．２（Ａ））

【００３６】（加熱条件）非加熱

【００３７】（成膜圧力）７×１０^-3（Ｔｏｒｒ）（ＢａｓｅＰｒｅｓｓｕｒｅ
３．５×１０^-6（Ｔｏｒｒ））

【００３８】（ガス流量）Ａｒガス２００（ＳＣＣＭ）Ｏ₂ガス１．０（ＳＣＣＭ）

【００３９】上記成膜条件により積層されたａｍｏＩＴ
Ｏ膜は、以下に示すエッチャントにより容易に除去がで
きる。

【００４０】エッチャント組成蓚酸３．５（％）水溶液液温４３（℃）

【００４１】以上のようなａｍｏＩＴＯを、青板ガラス
などの基材１上に積層し、図示されていないパタニング
方法によって、レジストの形成とパタニングを行い、露
出するａｍｏＩＴＯ上に、ニッケル・リン合金メッキ
層、または、パラジウム・リン合金メッキ層を積層後、
同じく図示されないレジスト除去プロセスを行って、露
出するａｍｏＩＴＯ膜を蓚酸にてエッチング除去するこ
とにより、図１の（ａ）に示したような構造を有する積
層膜を得ることができる。

【００４２】ここで、注意する必要があるのは、積層す
るａｍｏＩＴＯ膜の膜厚であり、膜厚を厚くし過ぎる
と、スパッタ時に発生する熱が問題となってくる。

【００４３】この問題を防止するには、成膜時の膜温度
を２００℃以下に抑制する必要があり、この必要上よ
り、ａｍｏＩＴＯの膜厚は、０．２μｍ以下に留めるこ
とが好ましい。

【００４４】以上のようなａｍｏＩＴＯをメッキのため
の下地層とすることで、積層されたメッキ層を、あたか
もレジストのごとく扱うことが可能となる。

【００４５】これは、ａｍｏＩＴＯ膜が非常にソフトな
酸により溶解除去されるためであり、積層したメッキ膜
を保護する保護レジスト形成を省略することができる。

【００４６】このような特性は、成膜時、および、成膜
後に積極的に加熱成膜を行う通常の結晶性ＩＴＯを積層
した場合には、期待することができない。

【００４７】ちなみに、既に公知である特開平８−２２
７６５６号公報に開示された技術中にも、ＩＴＯ上への
メッキ膜の積層に関する記載があるが、このＩＴＯ膜に
特開平８−２２７６５６号公報中に記載された前処理を
施したところ、ＩＴＯ膜は消失してしまった。

【００４８】すなわち、上記特開平８−２２７６５６号
公報中に記載されたＩＴＯ膜は、明らかに積極的な加熱
処理を経過している結晶性のＩＴＯ膜である。

【００４９】また、本発明の実施の形態に係る上記プロ
セスにおいて、レジストの形成とパタニングに引き続い
てａｍｏＩＴＯの蓚酸による除去を行い、その後にレジ
ストを除去し、ニッケル・リン合金メッキ層、または、
パラジウム・リン合金メッキ層を積層した場合、図１の
（ｂ）に示したような構造を有する積層膜を得ることが
できる。

【００５０】さらに、前述した図１の（ａ）のプロセス
において、レジストの剥離に先立って、さらに、銅、
金、銀、ニッケル、パラジウム、白金、または、これら
の合金の中から選ばれたメッキ層を積層し、その後に、
レジスト、ａｍｏＩＴＯの剥離除去を行えば、図２の
（ａ）に示したような構造を有する基板を得ることがで
きる。

【００５１】特に、この積層に電気めっき法を用いた場
合には、基板全面にａｍｏＩＴＯが残っている状態で、
パターンメッキを行えるため、基板のサイズが大きくな
ればなるほど積層膜の膜厚分布に有利に作用する。

【００５２】同じく、前述した図１の（ｂ）のプロセス
に引き続いて、銅、金、銀、ニッケル、パラジウム、白
金、または、これらの合金の中から選ばれたメッキ層を
パターンメッキし、図２の（ｂ）に示したような構造を
有する基板を得ることができる。

【００５３】以上においては、ガラスなどの基材上に直
接ａｍｏＩＴＯを積層した場合について述べてきたが、
本発明の実施の形態によればａｍｏＩＴＯ膜をガラス基
板上に形成された配線パターン、又は、電極パターン、
又は、絶縁層の中より選ばれた１種以上の全面、又は、
一部にａｍｏＩＴＯ膜を積層して、メッキのための下地
層とすることができる。

【００５４】このような場合の層構成に関する一例を図
３の（ａ），（ｂ），（ｃ）に示す。

【００５５】図３の（ａ）は、絶縁層により隔てられた
異なる配線のそれぞれに接続された電極を有する表示デ
バイスの一部分を模式図化したものである。

【００５６】この図において１はガラス基板、６はガラ
ス基板上に形成された配線、５ａは前記配線６と接続さ
れている表示電極、７は配線６の上に直交するように積
層された絶縁層、３はこの絶縁層７の上に積層された配
線、５ｂは前記配線３と接続されている表示電極であ
る。

【００５７】また、図３の（ｂ）は、図３の（ａ）を側
面より透視したときの模式図であり、図３の（ｂ）は図
３の（ａ）を、もう一方の側面より透視したときの模式
図である。

【００５８】ここで、配線３，６および電極５ａ，５
ｂ、絶縁層７は、印刷法（印刷ペーストの焼成）、メッ
キ法、スパッタ法、フォトペースト法（フォトペースト
の焼成）などの適当な方法において形成することが可能
であるが、以下においては、印刷法により形成した場合
の一例について説明を行う。

【００５９】基材１は無アルカリガラスであり、この基
板上にオフセット印刷法により、白金電極パターン５
ａ，５ｂを塗布、焼成し、膜厚を０．１μｍとした。

【００６０】次に、この電極５ａの一部に接続されるよ
うに、基材１上にスクリーン印刷法にて銀ペーストを塗
布、焼成し、１０μｍの膜厚を有する銀配線６を形成し
た。

【００６１】同じく、スクリーン印刷法により、この銀
配線６に直交するように、基材１上に絶縁ペーストを塗
布、焼成し、１５μｍの膜厚を有する絶縁層７を形成し
た（なお、絶縁層は、フォトペースト法により形成する
こともできる）。

【００６２】以上のようにして作成された基板の全面
に、本発明の実施の形態に係るａｍｏＩＴＯを０．２μ
ｍ積層し、図示されていないレジスト形成・パタニング
プロセスにより、絶縁層と電極５ｂの上面の一部を露出
させ、この露出した部分のａｍｏＩＴＯ膜に、ニッケル
・リン合金メッキ層、または、パラジウム・リン合金メ
ッキ層を積層し、しかる後に、図示されていないレジス
ト剥離プロセスを行い、さらに、レジストにより保護さ
れていた不要なａｍｏＩＴＯ膜を蓚酸により除去し、図
３の（ａ），（ｂ），（ｃ）に示したような層構成を有
する基板を作成した。

【００６３】この場合、ニッケル・リン合金メッキ層、
または、パラジウム・リン合金メッキ層の積層に引き続
いて、銅、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金、また
は、これらの合金の中から選ばれたメッキ層をパターン
メッキし、その後に、レジストおよび不要なａｍｏＩＴ
Ｏ膜の剥離・除去を行っても良い。

【００６４】一例として、ニッケル・リン合金メッキ層
３の積層に引き続いて、パラジウムメッキ層４ａを積層
し、さらに、銅メッキ層４ｂを積層したときの模式図
（図３の（ｂ）と同一の方向より見た場合）を図４に示
す。

【００６５】一般に、印刷・焼成により形成された配線
・電極・絶縁パターンは、焼成温度の低温化を図るため
に、主たる成分の他に低融点化のための添加物を含有し
ている。

【００６６】この添加物として、しばしば、酸化鉛など
が用いられるが、焼成後にも残存するこれらの添加物は
酸性の水溶液などに侵されやすい。

【００６７】本発明の実施の形態によれば、ａｍｏＩＴ
Ｏ膜は４％前後の蓚酸という、非常にソフトで低濃度の
酸により溶解除去できるため、この様に耐薬品性の弱い
印刷・焼成パターン上に改めて保護レジストを設けなく
とも、これらのパターンへのダメージを最小限に抑制し
て、不要な部分のａｍｏＩＴＯ膜を除去できるため、製
造コストの引き下げを期待できる。

【００６８】逆に、本発明のａｍｏＩＴＯ膜ではなく、
通常の結晶性ＩＴＯ膜を積層し、図４と同じ層構成を有
するパターンを形成しようとした場合には、不要なＩＴ
Ｏ膜の溶解除去のために、上記蓚酸水溶液よりも強力な
酸を用いなければならず、印刷・焼成パターン保護のた
めに、新たなレジスト・パタニングが必要となり、プロ
セスが長くなり、経済的ではない。

【００６９】以上のことは、上記の印刷・焼成パターン
以外の、フォトペースト法やメッキ法、スパッタ法など
により形成されているパターンにも、程度の差はあるが
共通することであり、ａｍｏＩＴＯ膜をメッキ層の下地
層とすることで、基板の品質を向上させることができ
る。

【００７０】また、本発明の実施の形態によれば、上述
の様に高温プロセスをなくすと共に、プロセスを短縮で
きるという効果があるばかりか、既存のパターンに、印
刷・焼成法を用いて製造された部分がある場合でも、こ
れら印刷パターンにダメージを与えること無く、密着性
に優れたメッキパターンの積層を行うことができるとい
うメリットもある。

【００７１】

【実施例】以下、上記発明の実施の形態に基づいて構成
される、より具体的な例（数値等を用いた実施例）につ
いて説明する。

【００７２】［実施例１］基材として、１００（ｍｍ）
×１００（ｍｍ）×厚さ１．１（ｍｍ）のフロートガラ
ス基板（日本板ガラス製）を使用し、この基板のフロー
ト面に、前述したａｍｏＩＴＯ膜２を０．１μｍ積層し
た。

【００７３】次に、このａｍｏＩＴＯ膜上に東京応化工
業製のレジストであるＴＰＲをスピンコーターにより塗
布した後に、１００℃の雰囲気中にて２０分間のプレベ
ークを行い、ライン・アンド・スペース（以降において
はＬ／Ｓと表記する）のラインパターンを有するマスク
を用いて露光を行い、これに、同じく東京応化工業製の
ＴＰＲ専用現像液をスプレーして現像後、イオン交換水
によりスプレー水洗し、窒素ブローにて水分を除去後、
１００℃の雰囲気中にて３０分間のバーニングを行っ
た。

【００７４】このパタニング基板を室温まで冷却後、中
性〜弱アルカリ性の水溶液に浸漬して脱脂処理（一例を
あげれば、ヘンケル製洗浄剤ｓｉｌｉｒｏｎＬの３ｍ
ｌ／Ｌ水溶液を６０℃に加温したものへの１分間の浸漬
など）を行った後に、イオン交換水による水洗を行っ
て、さらに、低濃度の塩酸や塩化第２鉄などのエッチャ
ントによるソフトエッチング（一例をあげれば、ｃｏｎ
ｃ．塩酸の１ｍｏｌ／Ｌ水溶液または、０．１ｍｏｌ／
Ｌの塩化第２鉄水溶液、または、これらの混合液への室
温における３０〜６０秒間の浸漬など）を行う。

【００７５】そして、再び、イオン交換水で水洗後、パ
ラジウム塩を含有する水溶液に浸漬し（一例をあげれ
ば、メルテックス社製のメルプレートアクチベータ４４
０の１３０ｍｌ／Ｌ水溶液を水酸化ナトリウムによりＰ
Ｈ６．３に調整したものへの室温における２分間の浸漬
など）、必要に応じて、水洗やパラジウム塩の還元を行
う。

【００７６】その後、弱酸性の無電解ニッケル・リンめ
っき液に浸漬して、ニッケル・リンメッキ層を０．２μ
ｍ積層した（一例をあげれば、メルテックス社製メル
プレートＮｉ−１４０２Ｍ１を６０ｍｌ、メルプレート
Ｎｉ−１４０２Ｍ２を１２０ｍｌ混合し、イオン交換水
により１Ｌとしたもので、ＰＨ４．６、液温７０℃への
３分間の浸漬）。

【００７７】以上のプロセスにおいて、ａｍｏＩＴＯ膜
の耐酸性および耐アルカリ性に注意して、過度のエッチ
ングや膜の溶解が生じないような前処理薬品を選ぶ必要
がある。

【００７８】このようにしてメッキ層を積層後に、東京
応化工業製のＴＰＲ専用剥離液に浸漬してレジストを除
去し、さらに、４３℃に加温した３．５％の蓚酸水溶液
を用いて、露出するａｍｏＩＴＯ膜を剥離して、イオン
交換水にて水洗後に、１３０℃のオーブン中にて３０分
間の焼成を行い、図１の（ａ）に示したような層構成を
有する基板を作成した。

【００７９】このようにして作成したパターンは通常の
テープテストによる密着テストにおいて、パターン剥離
などは生じなかった。

【００８０】また、不要なａｍｏＩＴＯ膜のエッチング
による除去の際、保護レジストによる保護を行わなくて
も、積層されたパターンはダメージを受けなかった。

【００８１】［実施例２］ａｍｏＩＴＯ膜上に積層する
メッキ膜としてパラジウム・リンメッキ膜を用いた以外
は、実施例１と同様にして、図１（ａ）に示したような
層積層を有するパターンを作成した。

【００８２】ここで、使用した無電解パラジウム・リン
めっき液は、奥野製薬製の商品名：ムデンノーブルＰＤ
であり、ＰＨ６．２の溶液を５５℃に加温したものに、
基板を３分間浸漬してパラジウム・リンメッキ層３を
０．１５μｍ積層した。

【００８３】無電解パラジウム・リンめっき液として
は、上記のもの以外にも、メルテックス社製のパラマー
スＳＭＴなども好適に使用することが可能である。

【００８４】このようして作成したパターンは通常のテ
ープテストによる密着テストにおいて、パターン剥離な
どは生じなかった。

【００８５】また、不要なａｍｏＩＴＯ膜のエッチング
による除去の際、保護レジストによる保護を行わなくて
も、積層されたパターンはダメージを受けなかった。

【００８６】［実施例３］ａｍｏＩＴＯ膜の全面に、東
京応化工業製の商品名：ＯＦＰＲ−８００を使用して保
護レジストを形成した。

【００８７】レジストの成膜条件は、スピンコーターに
よる塗布で、９０℃の雰囲気中にて３０分間のプリベー
クを行い、Ｌ／Ｓが１００μｍ／１００μｍのパターン
を露光後に、同社製の商品名ＮＭＤ−３にてパターン現
像を行い、イオン交換水により水洗後、窒素ブローにて
水分を除去し、１４０℃の雰囲気温度で３０分間のバー
ニングを行った。

【００８８】このようにして作成した保護レジスト付き
の基板において、露出しているａｍｏＩＴＯ膜を、４３
℃に加温した３．５％の蓚酸水溶液を用いて溶解除去
し、その後、この保護レジストを除去した。

【００８９】このようにして作成したａｍｏＩＴＯ膜の
パターンを持つ基板に、実施例１と同様の前処理・メッ
キ工程を施し、ニッケル・リンメッキ層３を０．２μｍ
積層し、図１の（ｂ）に示したような層構成を有する基
板を作成した。

【００９０】このようにして作成したパターンは通常の
テープテストによる密着テストにおいて、パターン剥離
などは生じなかった。

【００９１】［実施例４］ニッケル・リンメッキ層の代
りにパラジウム・リンメッキ層３を０．１５μｍ積層し
た以外は、実施例３と同様にして、図１の（ｂ）に示す
ような層構成を有する基板を作成した。

【００９２】このようにして作成したパターンは通常の
テープテストによる密着テストにおいて、パターン剥離
などは生じなかった。

【００９３】［実施例５］実施例２において、レジスト
を除去する前に、パラジウム・リンメッキ層３の上に銀
メッキ層４を５μｍ積層し、後の工程は実施例２と同様
に行った。

【００９４】この積層は、電気めっき法により行ったも
のであり、使用しためっき液は、Ｎ．Ｅ．ケムキャット
社製の商品名Ｓ−９００、メッキ条件は、浴温６０℃、
電流密度０．２（Ａ／ｃｍ²）で行った。

【００９５】この銀メッキ層積層後は、実施例２と同様
にして、図２の（ａ）に示したような層構成を有する基
板を作成した。

【００９６】このようにして作成したパターンは通常の
テープテストによる密着テストにおいて、パターン剥離
などは生じなかった。

【００９７】また、不要なａｍｏＩＴＯ膜のエッチング
による除去の際、保護レジストによる保護を行わなくて
も、積層されたパターンはダメージを受けなかった。

【００９８】［実施例６］実施例４と同様にして作成し
た基板の、パラジウム・リンメッキ層３の上に、実施例
５と同様にして銀メッキ層４を５μｍ積層し、図２の
（ｂ）に示したような層構成を有する基板を作成した。

【００９９】このようにして作成したパターンは通常の
テープテストによる密着テストにおいて、パターン剥離
などは生じなかった。

【０１００】［実施例７］１００ｍｍ×１００ｍｍ×厚
さ２．５ｍｍの青板ガラス上に、印刷・焼成法により以
下のパターンを形成したものを、基材１として使用し
た。

【０１０１】５ａについては、膜厚０．１μｍで、１５
０μｍ×４００μｍの白金パターン（オフセット印刷
法）。

【０１０２】５ｂについては、膜厚０．１μｍで、１５
０μｍ×３００μｍの白金パターン（オフセット印刷
法）。

【０１０３】６については、膜厚１０μｍで、Ｌ／Ｓ＝
１００μｍ×４００μｍの銀配線（スクリーン印刷
法）。

【０１０４】７については、膜厚１０μｍで、Ｌ／Ｓ＝
３００μｍ×４００μｍの絶縁パターン（スクリーン印
刷法）。

【０１０５】この基材１上の全面に実施例１と同様にし
てａｍｏＩＴＯ膜２を０．１２μｍ積層した。

【０１０６】次に、実施例１と同様のプロセスにより、
ニッケル・リンメッキ層３を０．２μｍ積層し、同じく
同様に、保護レジストの剥離と露出したａｍｏＩＴＯ膜
の剥離を行った。

【０１０７】この様にして作成した基板は、図３の
（ａ），（ｂ），（ｃ）に示したような層構成を有して
おり、通常のテープテストによる密着テストにおいて、
パターン剥離などは生じなかった。

【０１０８】また、不要なａｍｏＩＴＯ膜のエッチング
による除去の際、保持レジストによる保護を行わなくて
も、印刷パターン、および、メッキパターンはダメージ
を受けなかった。

【０１０９】［実施例８］ニッケル・リンメッキ層の代
りに、パラジウム・リンメッキ層３を積層した以外は、
実施例７と同一の条件で、図３の（ａ），（ｂ），
（ｃ）に示したような層構成を有する基板を作成した。

【０１１０】このとき、パラジウム・リンメッキ層３の
積層条件は、実施例２と同一である。

【０１１１】この様にして作成された基板は、通常のテ
ープテストによる密着テストにおいて、パターン剥離な
どは生じなかった。

【０１１２】また、不要なａｍｏＩＴＯ膜のエッチング
による除去の際、保護レジストによる保護を行わなくて
も、印刷パターン、および、メッキパターンはダメージ
を受けなかった。

【０１１３】［実施例９］実施例７において、ニッケル
・リンメッキ層３を積層後に、引き続いて、パラジウム
メッキ層４ａを０．１μｍ積層し、さらに、銀メッキ層
４ｂを１０μｍ積層した。

【０１１４】その後に、実施例７と同様にして保護レジ
ストの剥離と露出したａｍｏＩＴＯ膜の剥離を行い、図
４に示したような層構成を有する基板を作成した。

【０１１５】この様にして、作成された基板は、通常の
テープテストによる密着テストにおいて、パターン剥離
などは生じなかった。

【０１１６】また、不要なａｍｏＩＴＯ膜のエッチング
による除去の際、保護レジストによる保護を行わなくて
も、印刷パターン、および、メッキパターンはダメージ
を受けなった。

【０１１７】以上本発明に係る実施例の一例について述
べたきたが、上記実施例において銀メッキ層の代りに、
以下に示す薬品、その他を用いて、積層することも可能
である。

【０１１８】（銀メッキ）硫酸銅９０ｇ／Ｌ、硫酸１９０ｇ／Ｌ、塩素イオン５０ｐｐｍ日本リーロナール社製の商品名：カパーグリームＪＨＴ−Ａ２ｍｌ／Ｌ：カパーグリームＪＨＴ−Ｃ５ｍｌ／Ｌ浴温２５℃、電流密度１Ａ／ｄｍ²

【０１１９】（金めっき）シアン化金カリウム３ｇ／Ｌ日本リーロナール社製の商品名：オウロレクトロレスＵ
Ｐ１５０ｍｌ／Ｌ浴温８０℃ または、大和化成社製の商品名：ダインゴールド浴温７０℃

【０１２０】（白金メッキ）エヌ・イー・ケムキャット社製の商品名：ＥＬ−ＰｔＡ剤１０ｍｌ：ＥＬ−ＰｔＢ剤１Ｌ浴温７０℃

【０１２１】［比較例１］上述した本発明の実施の形態
や実施例に係るａｍｏＩＴＯ膜の代りに、結晶性のＩＴ
Ｏ膜８を用いて実施例１と同様のプロセスを行ったとこ
ろ、不要な部分のＩＴＯ膜の剥離・除去を、実施例１で
用いた蓚酸水溶液で行うことができなかった。

【０１２２】また、積層膜の保護を行わないで、このＩ
ＴＯ膜を溶解除去するのに十分な濃度を有する塩酸を使
用したところ、積層膜は塩酸によるアタックを受けて一
部が剥離してしまった。

【０１２３】この状態の模式図を図５に示す。

【０１２４】［比較例２］本発明の実施の形態や実施例
に係るａｍｏＩＴＯ膜の代りに、結晶性のＩＴＯ膜を用
いて実施例９と同様のプロセスを行ったところ、不要な
部分のＩＴＯ膜の剥離・除去を、実施例１で用いた蓚酸
水溶液で行うことができなかった。

【０１２５】また、積層膜の保護を行わないで、このＩ
ＴＯ膜を溶解除去するのに十分な濃度を有する塩酸を使
用したところ、積層膜（特に印刷・焼成法により形成さ
れた銀配線）は塩酸によるアタックを受けて一部が剥離
してしまった。

【０１２６】以上、上述した実施例は、本発明を基に製
作された表示デバイス用基板の、代表的な層構成を示し
たに過ぎず、本発明は、前記の特定の実施例に限定され
るものではなく、本発明の技術範囲において、数々の変
形・応用が可能であることは勿論である。

【０１２７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、非加熱
スパッタ成膜法により形成された酸化インジウムスズ膜
上に、湿式のメッキ法によって導電パターンを備えるよ
うにしたので、製造プロセスにおいて高温プロセスが必
要なくなり、各構成部材へのダメージを抑制することが
でき品質性が向上する。

【０１２８】また、酸化インジウムスズ膜を簡単に除去
できるので、薬剤による各構成部材へのダメージを抑制
することができ品質性が向上する。

【０１２９】これは、同時に、酸化インジウムスズ膜を
除去する際に、従来のように保護レジストなどを必要と
しなくなることから、製造工程の簡易化にもつながる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態（（ａ）は実施例１及び実
施例２、（ｂ）は実施例３および実施例４）に係る画像
表示デバイス用基板における積層構造を示す模式図であ
る。

【図２】本発明の実施の形態（（ａ）は実施例５、
（ｂ）は実施例６）に係る画像表示デバイス用基板にお
ける積層構造を示す模式図である。

【図３】本発明の実施の形態（実施例７および実施例
８）に係る画像表示デバイス用基板における積層構造を
示す模式図である。

【図４】本発明の実施の形態（実施例９）に係る画像表
示デバイス用基板における積層構造を示す模式図であ
る。

【図５】比較例に係る画像表示デバイス用基板における
積層構造を示す模式図である。

【符号の説明】

１基材２非結晶性酸化インジウムスズ膜（ａｍｏＩＴＯ膜）３，４，４ａ，４ｂメッキ層５ａ，５ｂ電極６配線７絶縁層８結晶性酸化インジウムスズ膜（ＩＴＯ膜）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非加熱スパッタ成膜法により形成された酸
化インジウムスズ膜と、湿式のメッキ法によって、前記酸化インジウムスズ膜上
に積層形成された導電パターンと、を備えることを特徴
とする画像表示デバイス用基板。
【請求項２】前記酸化インジウムスズ膜は、非結晶性の
膜構造であることを特徴とする請求項１に記載の画像表
示デバイス用基板。
【請求項３】前記酸化インジウムスズ膜は、蓚酸水溶液
によって溶解する性質を有することを特徴とする請求項
１または２に記載の画像表示デバイス用基板。
【請求項４】ガラス基板と、該ガラス基板上に形成された、配線パターンおよび電極
パターンと、所定個所で電気的な短絡を防止する絶縁層と、を備える
と共に、前記酸化インジウムスズ膜は、これらガラス基板，配線
パターン，電極パターンおよび絶縁層のうちの少なくと
もいずれか一つの全面あるいは一部に積層されることを
特徴とする請求項１，２または３に記載の画像表示デバ
イス用基板。
【請求項５】前記配線パターンあるいは電極パターン
は、印刷ペーストあるいはフォトペーストを焼成するこ
とにより形成されたものであるか、あるいはスパッタ法
により形成されたものであることを特徴とする請求項４
に記載の画像表示デバイス用基板。
【請求項６】前記絶縁層は、印刷ペーストあるいはフォ
トペーストを焼成することにより形成されたものである
ことを特徴とする請求項４に記載の画像表示デバイス用
基板。
【請求項７】前記導電パターンを構成する湿式のメッキ
層には、前記酸化インジウムスズ膜表面に密着して積層
される、ニッケル・リン合金メッキ層あるいはパラジウ
ム・リン合金メッキ層を含むことを特徴とする請求項１
〜６のいずれか一つに記載の画像表示デバイス用基板。
【請求項８】前記導電パターンを構成する湿式のメッキ
層には、前記ニッケル・リン合金メッキ層あるいはパラ
ジウム・リン合金メッキ層の表面に密着して積層される
第２メッキ層を含むと共に、該第２メッキ層は、銅，金，銀，ニッケル，パラジウ
ム，白金、あるいは、これらのいずれかを組み合わせた
合金のうちのいずれか一つによって形成されることを特
徴とする請求項７に記載の画像表示デバイス用基板。