JPS58194083A - 表示パネルの製造方法 - Google Patents
表示パネルの製造方法Info
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- JPS58194083A JPS58194083A JP7885682A JP7885682A JPS58194083A JP S58194083 A JPS58194083 A JP S58194083A JP 7885682 A JP7885682 A JP 7885682A JP 7885682 A JP7885682 A JP 7885682A JP S58194083 A JPS58194083 A JP S58194083A
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- nickel
- plating
- transparent conductive
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液晶パネル、エレクトロクロミックパネル等表
示パネルＣ以下液晶パネルを主体に述べる。）の製造方
法に関するものであシ特に金属配線された液晶パネルに
関するものである。
示パネルＣ以下液晶パネルを主体に述べる。）の製造方
法に関するものであシ特に金属配線された液晶パネルに
関するものである。
液晶パネルには透明導電膜が用いられているがパターン
の微細化にともない抵抗が問題になシ必１− 要とする画素以外は金属配線で抵抗の大きなと−ろを補
っていこうとする動向がある。特に多重マトリクスパネ
ルではパターンピッチｍμ程度が必要とされるため画素
以外は金属配線の必要性が生ずる。通常このような電極
構造は、ガラス上に透明導電膜を全面形成する工程→こ
れをバターニングする工程（画素部とリード部を残して
）→全面にＣｒ −Ａｕ ｋ真空蒸着する工程→画素部
とリード部以下のＣｆ−Ａｕ ｆエツチング除去する工
程によって得るか、又は全面に透明溝′［膜を全面に形
成する工程→全面にＣｆ−Ａ％を形成する工程→リード
部のＣｆ −Ａ％部を残してＣｒ−Ａｉをエツチングす
る工程→リード部及び画素部を残して透明導電膜をエツ
チングする工程によって得ていた。いずれの方法も透明
導電膜と金属リード部（Ｃｒ−Ａｕ）のパターンあわせ
が非常に困難、透明導電膜、Ｃｒ、 Ａｇとそれぞれ独
立してエツチングするエツチング液の必要性（アンダー
エツチングの問題）、 Ｃｒ 、 Ａｕ被覆工程が真空
法によるため高価である等々の欠点を有１７．ていた。
の微細化にともない抵抗が問題になシ必１− 要とする画素以外は金属配線で抵抗の大きなと−ろを補
っていこうとする動向がある。特に多重マトリクスパネ
ルではパターンピッチｍμ程度が必要とされるため画素
以外は金属配線の必要性が生ずる。通常このような電極
構造は、ガラス上に透明導電膜を全面形成する工程→こ
れをバターニングする工程（画素部とリード部を残して
）→全面にＣｒ −Ａｕ ｋ真空蒸着する工程→画素部
とリード部以下のＣｆ−Ａｕ ｆエツチング除去する工
程によって得るか、又は全面に透明溝′［膜を全面に形
成する工程→全面にＣｆ−Ａ％を形成する工程→リード
部のＣｆ −Ａ％部を残してＣｒ−Ａｉをエツチングす
る工程→リード部及び画素部を残して透明導電膜をエツ
チングする工程によって得ていた。いずれの方法も透明
導電膜と金属リード部（Ｃｒ−Ａｕ）のパターンあわせ
が非常に困難、透明導電膜、Ｃｒ、 Ａｇとそれぞれ独
立してエツチングするエツチング液の必要性（アンダー
エツチングの問題）、 Ｃｒ 、 Ａｕ被覆工程が真空
法によるため高価である等々の欠点を有１７．ていた。
２−
本発明の目的は真空法では不可能な透明導電膜上のみに
メッキする技術を使って歩留りの良い金属配線液晶パネ
ルを得ることにある。
メッキする技術を使って歩留りの良い金属配線液晶パネ
ルを得ることにある。
本発明の液晶パネルを列記すれば、
１、透明導電膜を全面に形成する工程
２、フォトエツチング法で必要とする画素、リード部を
除いてパターニングするＩａ ：（。残された（画素及びリード部）透明導電膜上のみ
に無電解ニッケルメッキ又はその合金メッキする工程 ４、必要な画素を除いてニッケルメッキ被膜又はその合
金メッキ被膜をエツチング除去する工程 から成る。本発明によれば前記方法のようなパターン位
置合せ（透明導電膜と金属リード部）の問題がほとんど
なく（大きなパターンである画素部の合わせだけであり
多少ずれても実用上問題と々らない〕、安価に金属リー
ド付き液晶パネルが得られる。
除いてパターニングするＩａ ：（。残された（画素及びリード部）透明導電膜上のみ
に無電解ニッケルメッキ又はその合金メッキする工程 ４、必要な画素を除いてニッケルメッキ被膜又はその合
金メッキ被膜をエツチング除去する工程 から成る。本発明によれば前記方法のようなパターン位
置合せ（透明導電膜と金属リード部）の問題がほとんど
なく（大きなパターンである画素部の合わせだけであり
多少ずれても実用上問題と々らない〕、安価に金属リー
ド付き液晶パネルが得られる。
本発明に用いられる透明な絶縁基板としてノー３−
ダガラス、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス等の無機ガラ
ス、ポリエステル、エポキシ、酢酸セルロース等のプラ
スチックフィルムが考えられる。液晶のモードによって
は片側基板は不透明でも良く、セラミック上に本発明の
電極構造を構成しても良い。いかにしても信号電極が本
発明の電極構造を有す。用いられる透明導電膜としては
酸化スズ系（酸化スズ又は酸化スズにアンチモン、ホウ
素、フッ素等をドーピングしたもの）でも良いし酸化イ
ンジウム系（酸化インジウム又は酸化スズ全ドープした
もの等）でも良い。これらはＣＶＤ法、真空蒸着法、ス
パッタ法、イオンプレイティング法、印刷焼成法、浸漬
焼付は法、スプレー法、パイロゾルＣＶＤ法等によシ得
られる。
ス、ポリエステル、エポキシ、酢酸セルロース等のプラ
スチックフィルムが考えられる。液晶のモードによって
は片側基板は不透明でも良く、セラミック上に本発明の
電極構造を構成しても良い。いかにしても信号電極が本
発明の電極構造を有す。用いられる透明導電膜としては
酸化スズ系（酸化スズ又は酸化スズにアンチモン、ホウ
素、フッ素等をドーピングしたもの）でも良いし酸化イ
ンジウム系（酸化インジウム又は酸化スズ全ドープした
もの等）でも良い。これらはＣＶＤ法、真空蒸着法、ス
パッタ法、イオンプレイティング法、印刷焼成法、浸漬
焼付は法、スプレー法、パイロゾルＣＶＤ法等によシ得
られる。
これらの透明導電膜は所定のフォト工程を経てＨＣＡ
、 ’ＨＣＩｅ、 Ｚｎ、 Ｃｒ ”／Ｃｒ” Ｌ／ド
ックス系等を用いてエツチングパターニングされる。次
に透明電極上にのみニッケルメッキ又はニッケル合金メ
ッキする方法としては、通常のＥ３Ｂ（Ｊ、→ＰｄＣ７
，→ｎａｐメッキ工程のＰｄＣ，５２工程後に触媒毒で
あるＰｂ、 Ｓｂ４− を含んだ溶液に浸漬する。又は−液タイプの時はニッケ
ル又はその合金メッキ前に前記触媒毒に浸漬することに
より選択的なメッキが得られる。ニッケルメッキ又はニ
ッケル合金メッキの膜厚は５ｏｏＸ〜１００００ Ｘが
適当であシ密着性からして１０００Ａ〜６０００ Ａが
適当である。
、 ’ＨＣＩｅ、 Ｚｎ、 Ｃｒ ”／Ｃｒ” Ｌ／ド
ックス系等を用いてエツチングパターニングされる。次
に透明電極上にのみニッケルメッキ又はニッケル合金メ
ッキする方法としては、通常のＥ３Ｂ（Ｊ、→ＰｄＣ７
，→ｎａｐメッキ工程のＰｄＣ，５２工程後に触媒毒で
あるＰｂ、 Ｓｂ４− を含んだ溶液に浸漬する。又は−液タイプの時はニッケ
ル又はその合金メッキ前に前記触媒毒に浸漬することに
より選択的なメッキが得られる。ニッケルメッキ又はニ
ッケル合金メッキの膜厚は５ｏｏＸ〜１００００ Ｘが
適当であシ密着性からして１０００Ａ〜６０００ Ａが
適当である。
ニッケルメッキ又はニッケル合金メッキとしてはＮｉ
、 Ｎ１−Ｐ 、 ｋＪｉ−Ｂ 、 Ｎ１−Ｃａ−Ｐ、
Ｎ１−Ｃｒ−Ｐ 、 ｋＪｉ−Ｆｅ−Ｐ、 Ｎ１−Ｃｏ
−Ｃｒ−Ｐ等であシ主としてニッケル基リン合金、ニッ
ケル基ホウ素合金が用いられる。透明導電膜上への密着
性からしてＮ１−Ｐ、Ｎ１−Ｂ合金が特に優れる。Ｐ、
Ｂの含有量は１ｗｔ％〜２０ｗｔ％が好ましい。これら
を無電解メッキした後密着性を向上させ、制摩耗性を向
上させるため常温に１週間以上放置するか５０℃〜５０
０℃で熱処理を行なっても良い。
、 Ｎ１−Ｐ 、 ｋＪｉ−Ｂ 、 Ｎ１−Ｃａ−Ｐ、
Ｎ１−Ｃｒ−Ｐ 、 ｋＪｉ−Ｆｅ−Ｐ、 Ｎ１−Ｃｏ
−Ｃｒ−Ｐ等であシ主としてニッケル基リン合金、ニッ
ケル基ホウ素合金が用いられる。透明導電膜上への密着
性からしてＮ１−Ｐ、Ｎ１−Ｂ合金が特に優れる。Ｐ、
Ｂの含有量は１ｗｔ％〜２０ｗｔ％が好ましい。これら
を無電解メッキした後密着性を向上させ、制摩耗性を向
上させるため常温に１週間以上放置するか５０℃〜５０
０℃で熱処理を行なっても良い。
前記ニッケル又はニッケル合金被膜を形成後熱処理する
場合は、下層との密着性等が向上するもののその表面に
導通性がやや劣る酸化ニッケルが形成されるが、この酸
化ニッケルを除去するため５− 塩化第二鉄の浴中に浸漬させるようにしてもよい。
場合は、下層との密着性等が向上するもののその表面に
導通性がやや劣る酸化ニッケルが形成されるが、この酸
化ニッケルを除去するため５− 塩化第二鉄の浴中に浸漬させるようにしてもよい。
又、前記ニッケル又はニッケル合金被膜のエツチングは
例えばエツチング部をレジスト後火のエツチング液（常
温）に３０秒程度（被膜厚に応じて変動）浸漬して行な
う。
例えばエツチング部をレジスト後火のエツチング液（常
温）に３０秒程度（被膜厚に応じて変動）浸漬して行な
う。
エツチング液（容量比）
以下実施例により本発明の詳細な説明する。
実施例１
第１図のように土パネル基板の走査電極（鎖線）に対し
下パネル基板に四１７１・リクスバネル用に信号！極で
ある透明導電膜（５チの酸化スズをドープした酸化イン
ジウム）をエツチング形成した。リード部１のピッチは
１０μ２画累部２のサイズ−ニア０μである。次に無電
解メッキ、プロセスとして１液性の増感剤である日立化
成社製ＨＳ Ｉ ＱＩＢで５分間処理し、触媒貴ヲ含ん
だ日立化成社６− 製Ｈ８２０１で１０分間処理し、水洗彼、カニゼン社製
５（３８Ｄ無電解ニツケルリンメツキ液を用いて６０℃
で３分間処理し、透明導電膜上のみに（８Ｎ ２図釧線
部）ニッケルリンメッキを４ｏｏｏＸ施した。次にフォ
ト工程を経て画素上のニッケルリンメッキを第３図のよ
うに前述の方法によりエツチング除去した。Ａ−Ｅ間の
抵抗測定をしたところ第１図ではＩｌｌ ＫΩ、第３図
では５００Ωであった。第１図で走査電極と組み合わせ
１６行Ｘ８０桁（５×７ドツＦ ） ３２ ｄｕ ｔ
ｙで四重マトリクスの液晶パネルを作成したところ端子
から遠い所はＯＮ状態でもハーフトーンになシ表示むら
が生じた。
下パネル基板に四１７１・リクスバネル用に信号！極で
ある透明導電膜（５チの酸化スズをドープした酸化イン
ジウム）をエツチング形成した。リード部１のピッチは
１０μ２画累部２のサイズ−ニア０μである。次に無電
解メッキ、プロセスとして１液性の増感剤である日立化
成社製ＨＳ Ｉ ＱＩＢで５分間処理し、触媒貴ヲ含ん
だ日立化成社６− 製Ｈ８２０１で１０分間処理し、水洗彼、カニゼン社製
５（３８Ｄ無電解ニツケルリンメツキ液を用いて６０℃
で３分間処理し、透明導電膜上のみに（８Ｎ ２図釧線
部）ニッケルリンメッキを４ｏｏｏＸ施した。次にフォ
ト工程を経て画素上のニッケルリンメッキを第３図のよ
うに前述の方法によりエツチング除去した。Ａ−Ｅ間の
抵抗測定をしたところ第１図ではＩｌｌ ＫΩ、第３図
では５００Ωであった。第１図で走査電極と組み合わせ
１６行Ｘ８０桁（５×７ドツＦ ） ３２ ｄｕ ｔ
ｙで四重マトリクスの液晶パネルを作成したところ端子
から遠い所はＯＮ状態でもハーフトーンになシ表示むら
が生じた。
しかし同様のパネルを第３図の構成で作成したところ表
示むらを生じなかった。又前述の従来方法で作成したパ
ネルは電極の切れ、ショート、ズレ等の不良が９０％あ
ったが、本発明によって得たものは３（）饅の不良（全
て１０μのリード部１の透明導電膜のエツチング切れ）
のみであった。本発明によって得られたニッケルリンメ
ッキ被膜はさらに７− 密着性を向上させ又耐岸粍性を向上させるためにパター
ン形成前又はパターン形成後に８０℃〜５００℃の熱処
理を施しても良い。
示むらを生じなかった。又前述の従来方法で作成したパ
ネルは電極の切れ、ショート、ズレ等の不良が９０％あ
ったが、本発明によって得たものは３（）饅の不良（全
て１０μのリード部１の透明導電膜のエツチング切れ）
のみであった。本発明によって得られたニッケルリンメ
ッキ被膜はさらに７− 密着性を向上させ又耐岸粍性を向上させるためにパター
ン形成前又はパターン形成後に８０℃〜５００℃の熱処
理を施しても良い。
実施例２
実施例］において無電解ニッケルリンメッキであるカニ
ゼン社製５１５８ＪＪＯ代わりに無電解ニッケルボロン
メッキである上材工業社製ベルニッケルを用い３５００
Ａメツキした。結果は実施例１と同様であった。
ゼン社製５１５８ＪＪＯ代わりに無電解ニッケルボロン
メッキである上材工業社製ベルニッケルを用い３５００
Ａメツキした。結果は実施例１と同様であった。
実施例３
実施例１において無電解ニッケルリンメッキを１５００
Ａ 、（カニゼン社製８６８Ｄ）施し、さらにニッケル
ボロンメッキ（上材工業製ベルニッケル）を２００ＯＡ
施し積層構造にした。これは透明導電膜への密着性がニ
ッケルメッキ被膜の方がニッケルボロンメッキ被膜より
優れているためであり、又前者は後者に比し表面硬度が
劣るためそれぞれの特徴を生かした使い方である。表面
硬度は液晶を配向させる綿布等によるラビング処理工程
に重要な役割をもっている。このようにして作成した液
８− 晶パネルは実施例１と同様の結果であった。
Ａ 、（カニゼン社製８６８Ｄ）施し、さらにニッケル
ボロンメッキ（上材工業製ベルニッケル）を２００ＯＡ
施し積層構造にした。これは透明導電膜への密着性がニ
ッケルメッキ被膜の方がニッケルボロンメッキ被膜より
優れているためであり、又前者は後者に比し表面硬度が
劣るためそれぞれの特徴を生かした使い方である。表面
硬度は液晶を配向させる綿布等によるラビング処理工程
に重要な役割をもっている。このようにして作成した液
８− 晶パネルは実施例１と同様の結果であった。
実施例４
実施例】で酸化インジウム透明導電膜の代わシにＣＶＤ
法で作成した酸化スズ（酸化アンチモンを５１ｔλｔ％
ドープしたもの）透明導電膜（膜厚５０ＱＡ）を用いた
。透明導電膜のエツチングは６Ｎ塩酸酸性のＣ？−、／
ｃＴ レドックス系を用いて行なった。Ａ −Ｂ間の
抵抗は１００にΩであった。実施例１と同様に無電解ニ
ッケルリンメッキを施し、同様のパネルを作成した。第
３図のＡ−Ｂ間の抵抗は７５０Ωであった。四実マ）
ＩＪクスパネルの特性は同様であり効果大であった。
法で作成した酸化スズ（酸化アンチモンを５１ｔλｔ％
ドープしたもの）透明導電膜（膜厚５０ＱＡ）を用いた
。透明導電膜のエツチングは６Ｎ塩酸酸性のＣ？−、／
ｃＴ レドックス系を用いて行なった。Ａ −Ｂ間の
抵抗は１００にΩであった。実施例１と同様に無電解ニ
ッケルリンメッキを施し、同様のパネルを作成した。第
３図のＡ−Ｂ間の抵抗は７５０Ωであった。四実マ）
ＩＪクスパネルの特性は同様であり効果大であった。
以上実施例によって本発明を説明したが本発明の表示パ
ネルの製造方法によシ金属す−ド部を有する表示パネル
の歩留りの向上は犬なるものがありその工業的価値は大
きい。
ネルの製造方法によシ金属す−ド部を有する表示パネル
の歩留りの向上は犬なるものがありその工業的価値は大
きい。
本発明によシ得られた表示パネルは、（Ｚ−Ｎパネル、
液晶テレビ、時計、電車等の表示パネルとして応用可能
である。
液晶テレビ、時計、電車等の表示パネルとして応用可能
である。
一〇−
第１図・拳一般の四重マ） ＩＪクスパネルの透明導電
膜構造図 第２図・・本発明によシ透明導電膜土にのみニッケルリ
ンメッキを施した電極構造 図 第３図ΦΦ本発明により画素部のニッケルリンメッキを
エツチング除去した信号電 極構造図 以 上 出願人 株式会社肺訪梢工舎 １０− 才２酉 第３図
膜構造図 第２図・・本発明によシ透明導電膜土にのみニッケルリ
ンメッキを施した電極構造 図 第３図ΦΦ本発明により画素部のニッケルリンメッキを
エツチング除去した信号電 極構造図 以 上 出願人 株式会社肺訪梢工舎 １０− 才２酉 第３図
Claims (1)
- 少なくとも１方が透明な絶縁基板上に形成された透明導
電膜をバターニングする工程、バターニングされた透明
導電膜上にのみ選択的姉無電解ニッケル又はその合金メ
ッキを施す工程、必要とされる画素上の前記ニッケル又
はその合金メッキ被膜のみをエツチングする工程を含む
ことを特徴とする表示パネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7885682A JPS58194083A (ja) | 1982-05-10 | 1982-05-10 | 表示パネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7885682A JPS58194083A (ja) | 1982-05-10 | 1982-05-10 | 表示パネルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58194083A true JPS58194083A (ja) | 1983-11-11 |
| JPH027475B2 JPH027475B2 (ja) | 1990-02-19 |
Family
ID=13673464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7885682A Granted JPS58194083A (ja) | 1982-05-10 | 1982-05-10 | 表示パネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58194083A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6450401B1 (en) | 1999-08-17 | 2002-09-17 | Kyowa Electric And Chemical Co., Ltd. | Writing board with electronic calculator |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS556346A (en) * | 1978-06-27 | 1980-01-17 | Sharp Kk | Electrode pattern and method of forming same |
| JPS5548935A (en) * | 1978-10-03 | 1980-04-08 | Sharp Corp | Forming of electrode pattern |
| JPS56143275U (ja) * | 1980-03-27 | 1981-10-29 | ||
| JPS5752021A (en) * | 1980-09-12 | 1982-03-27 | Citizen Watch Co Ltd | Manufacture of liquid crystal display cell |
-
1982
- 1982-05-10 JP JP7885682A patent/JPS58194083A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS556346A (en) * | 1978-06-27 | 1980-01-17 | Sharp Kk | Electrode pattern and method of forming same |
| JPS5548935A (en) * | 1978-10-03 | 1980-04-08 | Sharp Corp | Forming of electrode pattern |
| JPS56143275U (ja) * | 1980-03-27 | 1981-10-29 | ||
| JPS5752021A (en) * | 1980-09-12 | 1982-03-27 | Citizen Watch Co Ltd | Manufacture of liquid crystal display cell |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6450401B1 (en) | 1999-08-17 | 2002-09-17 | Kyowa Electric And Chemical Co., Ltd. | Writing board with electronic calculator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH027475B2 (ja) | 1990-02-19 |
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