JPS58194083A - 表示パネルの製造方法 - Google Patents
表示パネルの製造方法Info
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- JPS58194083A JPS58194083A JP7885682A JP7885682A JPS58194083A JP S58194083 A JPS58194083 A JP S58194083A JP 7885682 A JP7885682 A JP 7885682A JP 7885682 A JP7885682 A JP 7885682A JP S58194083 A JPS58194083 A JP S58194083A
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- nickel
- plating
- transparent conductive
- conductive film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液晶パネル、エレクトロクロミックパネル等表
示パネルC以下液晶パネルを主体に述べる。)の製造方
法に関するものであシ特に金属配線された液晶パネルに
関するものである。
示パネルC以下液晶パネルを主体に述べる。)の製造方
法に関するものであシ特に金属配線された液晶パネルに
関するものである。
液晶パネルには透明導電膜が用いられているがパターン
の微細化にともない抵抗が問題になシ必1− 要とする画素以外は金属配線で抵抗の大きなと−ろを補
っていこうとする動向がある。特に多重マトリクスパネ
ルではパターンピッチmμ程度が必要とされるため画素
以外は金属配線の必要性が生ずる。通常このような電極
構造は、ガラス上に透明導電膜を全面形成する工程→こ
れをバターニングする工程(画素部とリード部を残して
)→全面にCr −Au k真空蒸着する工程→画素部
とリード部以下のCf−Au fエツチング除去する工
程によって得るか、又は全面に透明溝′[膜を全面に形
成する工程→全面にCf−A%を形成する工程→リード
部のCf −A%部を残してCr−Aiをエツチングす
る工程→リード部及び画素部を残して透明導電膜をエツ
チングする工程によって得ていた。いずれの方法も透明
導電膜と金属リード部(Cr−Au)のパターンあわせ
が非常に困難、透明導電膜、Cr、 Agとそれぞれ独
立してエツチングするエツチング液の必要性(アンダー
エツチングの問題)、 Cr 、 Au被覆工程が真空
法によるため高価である等々の欠点を有17.ていた。
の微細化にともない抵抗が問題になシ必1− 要とする画素以外は金属配線で抵抗の大きなと−ろを補
っていこうとする動向がある。特に多重マトリクスパネ
ルではパターンピッチmμ程度が必要とされるため画素
以外は金属配線の必要性が生ずる。通常このような電極
構造は、ガラス上に透明導電膜を全面形成する工程→こ
れをバターニングする工程(画素部とリード部を残して
)→全面にCr −Au k真空蒸着する工程→画素部
とリード部以下のCf−Au fエツチング除去する工
程によって得るか、又は全面に透明溝′[膜を全面に形
成する工程→全面にCf−A%を形成する工程→リード
部のCf −A%部を残してCr−Aiをエツチングす
る工程→リード部及び画素部を残して透明導電膜をエツ
チングする工程によって得ていた。いずれの方法も透明
導電膜と金属リード部(Cr−Au)のパターンあわせ
が非常に困難、透明導電膜、Cr、 Agとそれぞれ独
立してエツチングするエツチング液の必要性(アンダー
エツチングの問題)、 Cr 、 Au被覆工程が真空
法によるため高価である等々の欠点を有17.ていた。
2−
本発明の目的は真空法では不可能な透明導電膜上のみに
メッキする技術を使って歩留りの良い金属配線液晶パネ
ルを得ることにある。
メッキする技術を使って歩留りの良い金属配線液晶パネ
ルを得ることにある。
本発明の液晶パネルを列記すれば、
1、透明導電膜を全面に形成する工程
2、フォトエツチング法で必要とする画素、リード部を
除いてパターニングするIa :(。残された(画素及びリード部)透明導電膜上のみ
に無電解ニッケルメッキ又はその合金メッキする工程 4、必要な画素を除いてニッケルメッキ被膜又はその合
金メッキ被膜をエツチング除去する工程 から成る。本発明によれば前記方法のようなパターン位
置合せ(透明導電膜と金属リード部)の問題がほとんど
なく(大きなパターンである画素部の合わせだけであり
多少ずれても実用上問題と々らない〕、安価に金属リー
ド付き液晶パネルが得られる。
除いてパターニングするIa :(。残された(画素及びリード部)透明導電膜上のみ
に無電解ニッケルメッキ又はその合金メッキする工程 4、必要な画素を除いてニッケルメッキ被膜又はその合
金メッキ被膜をエツチング除去する工程 から成る。本発明によれば前記方法のようなパターン位
置合せ(透明導電膜と金属リード部)の問題がほとんど
なく(大きなパターンである画素部の合わせだけであり
多少ずれても実用上問題と々らない〕、安価に金属リー
ド付き液晶パネルが得られる。
本発明に用いられる透明な絶縁基板としてノー3−
ダガラス、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス等の無機ガラ
ス、ポリエステル、エポキシ、酢酸セルロース等のプラ
スチックフィルムが考えられる。液晶のモードによって
は片側基板は不透明でも良く、セラミック上に本発明の
電極構造を構成しても良い。いかにしても信号電極が本
発明の電極構造を有す。用いられる透明導電膜としては
酸化スズ系(酸化スズ又は酸化スズにアンチモン、ホウ
素、フッ素等をドーピングしたもの)でも良いし酸化イ
ンジウム系(酸化インジウム又は酸化スズ全ドープした
もの等)でも良い。これらはCVD法、真空蒸着法、ス
パッタ法、イオンプレイティング法、印刷焼成法、浸漬
焼付は法、スプレー法、パイロゾルCVD法等によシ得
られる。
ス、ポリエステル、エポキシ、酢酸セルロース等のプラ
スチックフィルムが考えられる。液晶のモードによって
は片側基板は不透明でも良く、セラミック上に本発明の
電極構造を構成しても良い。いかにしても信号電極が本
発明の電極構造を有す。用いられる透明導電膜としては
酸化スズ系(酸化スズ又は酸化スズにアンチモン、ホウ
素、フッ素等をドーピングしたもの)でも良いし酸化イ
ンジウム系(酸化インジウム又は酸化スズ全ドープした
もの等)でも良い。これらはCVD法、真空蒸着法、ス
パッタ法、イオンプレイティング法、印刷焼成法、浸漬
焼付は法、スプレー法、パイロゾルCVD法等によシ得
られる。
これらの透明導電膜は所定のフォト工程を経てHCA
、 ’HCIe、 Zn、 Cr ”/Cr” L/ド
ックス系等を用いてエツチングパターニングされる。次
に透明電極上にのみニッケルメッキ又はニッケル合金メ
ッキする方法としては、通常のE3B(J、→PdC7
,→napメッキ工程のPdC,52工程後に触媒毒で
あるPb、 Sb4− を含んだ溶液に浸漬する。又は−液タイプの時はニッケ
ル又はその合金メッキ前に前記触媒毒に浸漬することに
より選択的なメッキが得られる。ニッケルメッキ又はニ
ッケル合金メッキの膜厚は5ooX〜10000 Xが
適当であシ密着性からして1000A〜6000 Aが
適当である。
、 ’HCIe、 Zn、 Cr ”/Cr” L/ド
ックス系等を用いてエツチングパターニングされる。次
に透明電極上にのみニッケルメッキ又はニッケル合金メ
ッキする方法としては、通常のE3B(J、→PdC7
,→napメッキ工程のPdC,52工程後に触媒毒で
あるPb、 Sb4− を含んだ溶液に浸漬する。又は−液タイプの時はニッケ
ル又はその合金メッキ前に前記触媒毒に浸漬することに
より選択的なメッキが得られる。ニッケルメッキ又はニ
ッケル合金メッキの膜厚は5ooX〜10000 Xが
適当であシ密着性からして1000A〜6000 Aが
適当である。
ニッケルメッキ又はニッケル合金メッキとしてはNi
、 N1−P 、 kJi−B 、 N1−Ca−P、
N1−Cr−P 、 kJi−Fe−P、 N1−Co
−Cr−P等であシ主としてニッケル基リン合金、ニッ
ケル基ホウ素合金が用いられる。透明導電膜上への密着
性からしてN1−P、N1−B合金が特に優れる。P、
Bの含有量は1wt%〜20wt%が好ましい。これら
を無電解メッキした後密着性を向上させ、制摩耗性を向
上させるため常温に1週間以上放置するか50℃〜50
0℃で熱処理を行なっても良い。
、 N1−P 、 kJi−B 、 N1−Ca−P、
N1−Cr−P 、 kJi−Fe−P、 N1−Co
−Cr−P等であシ主としてニッケル基リン合金、ニッ
ケル基ホウ素合金が用いられる。透明導電膜上への密着
性からしてN1−P、N1−B合金が特に優れる。P、
Bの含有量は1wt%〜20wt%が好ましい。これら
を無電解メッキした後密着性を向上させ、制摩耗性を向
上させるため常温に1週間以上放置するか50℃〜50
0℃で熱処理を行なっても良い。
前記ニッケル又はニッケル合金被膜を形成後熱処理する
場合は、下層との密着性等が向上するもののその表面に
導通性がやや劣る酸化ニッケルが形成されるが、この酸
化ニッケルを除去するため5− 塩化第二鉄の浴中に浸漬させるようにしてもよい。
場合は、下層との密着性等が向上するもののその表面に
導通性がやや劣る酸化ニッケルが形成されるが、この酸
化ニッケルを除去するため5− 塩化第二鉄の浴中に浸漬させるようにしてもよい。
又、前記ニッケル又はニッケル合金被膜のエツチングは
例えばエツチング部をレジスト後火のエツチング液(常
温)に30秒程度(被膜厚に応じて変動)浸漬して行な
う。
例えばエツチング部をレジスト後火のエツチング液(常
温)に30秒程度(被膜厚に応じて変動)浸漬して行な
う。
エツチング液(容量比)
以下実施例により本発明の詳細な説明する。
実施例1
第1図のように土パネル基板の走査電極(鎖線)に対し
下パネル基板に四171・リクスバネル用に信号!極で
ある透明導電膜(5チの酸化スズをドープした酸化イン
ジウム)をエツチング形成した。リード部1のピッチは
10μ2画累部2のサイズ−ニア0μである。次に無電
解メッキ、プロセスとして1液性の増感剤である日立化
成社製HS I QIBで5分間処理し、触媒貴ヲ含ん
だ日立化成社6− 製H8201で10分間処理し、水洗彼、カニゼン社製
5(38D無電解ニツケルリンメツキ液を用いて60℃
で3分間処理し、透明導電膜上のみに(8N 2図釧線
部)ニッケルリンメッキを4oooX施した。次にフォ
ト工程を経て画素上のニッケルリンメッキを第3図のよ
うに前述の方法によりエツチング除去した。A−E間の
抵抗測定をしたところ第1図ではIll KΩ、第3図
では500Ωであった。第1図で走査電極と組み合わせ
16行X80桁(5×7ドツF ) 32 du t
yで四重マトリクスの液晶パネルを作成したところ端子
から遠い所はON状態でもハーフトーンになシ表示むら
が生じた。
下パネル基板に四171・リクスバネル用に信号!極で
ある透明導電膜(5チの酸化スズをドープした酸化イン
ジウム)をエツチング形成した。リード部1のピッチは
10μ2画累部2のサイズ−ニア0μである。次に無電
解メッキ、プロセスとして1液性の増感剤である日立化
成社製HS I QIBで5分間処理し、触媒貴ヲ含ん
だ日立化成社6− 製H8201で10分間処理し、水洗彼、カニゼン社製
5(38D無電解ニツケルリンメツキ液を用いて60℃
で3分間処理し、透明導電膜上のみに(8N 2図釧線
部)ニッケルリンメッキを4oooX施した。次にフォ
ト工程を経て画素上のニッケルリンメッキを第3図のよ
うに前述の方法によりエツチング除去した。A−E間の
抵抗測定をしたところ第1図ではIll KΩ、第3図
では500Ωであった。第1図で走査電極と組み合わせ
16行X80桁(5×7ドツF ) 32 du t
yで四重マトリクスの液晶パネルを作成したところ端子
から遠い所はON状態でもハーフトーンになシ表示むら
が生じた。
しかし同様のパネルを第3図の構成で作成したところ表
示むらを生じなかった。又前述の従来方法で作成したパ
ネルは電極の切れ、ショート、ズレ等の不良が90%あ
ったが、本発明によって得たものは3()饅の不良(全
て10μのリード部1の透明導電膜のエツチング切れ)
のみであった。本発明によって得られたニッケルリンメ
ッキ被膜はさらに7− 密着性を向上させ又耐岸粍性を向上させるためにパター
ン形成前又はパターン形成後に80℃〜500℃の熱処
理を施しても良い。
示むらを生じなかった。又前述の従来方法で作成したパ
ネルは電極の切れ、ショート、ズレ等の不良が90%あ
ったが、本発明によって得たものは3()饅の不良(全
て10μのリード部1の透明導電膜のエツチング切れ)
のみであった。本発明によって得られたニッケルリンメ
ッキ被膜はさらに7− 密着性を向上させ又耐岸粍性を向上させるためにパター
ン形成前又はパターン形成後に80℃〜500℃の熱処
理を施しても良い。
実施例2
実施例]において無電解ニッケルリンメッキであるカニ
ゼン社製5158JJO代わりに無電解ニッケルボロン
メッキである上材工業社製ベルニッケルを用い3500
Aメツキした。結果は実施例1と同様であった。
ゼン社製5158JJO代わりに無電解ニッケルボロン
メッキである上材工業社製ベルニッケルを用い3500
Aメツキした。結果は実施例1と同様であった。
実施例3
実施例1において無電解ニッケルリンメッキを1500
A 、(カニゼン社製868D)施し、さらにニッケル
ボロンメッキ(上材工業製ベルニッケル)を200OA
施し積層構造にした。これは透明導電膜への密着性がニ
ッケルメッキ被膜の方がニッケルボロンメッキ被膜より
優れているためであり、又前者は後者に比し表面硬度が
劣るためそれぞれの特徴を生かした使い方である。表面
硬度は液晶を配向させる綿布等によるラビング処理工程
に重要な役割をもっている。このようにして作成した液
8− 晶パネルは実施例1と同様の結果であった。
A 、(カニゼン社製868D)施し、さらにニッケル
ボロンメッキ(上材工業製ベルニッケル)を200OA
施し積層構造にした。これは透明導電膜への密着性がニ
ッケルメッキ被膜の方がニッケルボロンメッキ被膜より
優れているためであり、又前者は後者に比し表面硬度が
劣るためそれぞれの特徴を生かした使い方である。表面
硬度は液晶を配向させる綿布等によるラビング処理工程
に重要な役割をもっている。このようにして作成した液
8− 晶パネルは実施例1と同様の結果であった。
実施例4
実施例】で酸化インジウム透明導電膜の代わシにCVD
法で作成した酸化スズ(酸化アンチモンを51tλt%
ドープしたもの)透明導電膜(膜厚50QA)を用いた
。透明導電膜のエツチングは6N塩酸酸性のC?−、/
cT レドックス系を用いて行なった。A −B間の
抵抗は100にΩであった。実施例1と同様に無電解ニ
ッケルリンメッキを施し、同様のパネルを作成した。第
3図のA−B間の抵抗は750Ωであった。四実マ)
IJクスパネルの特性は同様であり効果大であった。
法で作成した酸化スズ(酸化アンチモンを51tλt%
ドープしたもの)透明導電膜(膜厚50QA)を用いた
。透明導電膜のエツチングは6N塩酸酸性のC?−、/
cT レドックス系を用いて行なった。A −B間の
抵抗は100にΩであった。実施例1と同様に無電解ニ
ッケルリンメッキを施し、同様のパネルを作成した。第
3図のA−B間の抵抗は750Ωであった。四実マ)
IJクスパネルの特性は同様であり効果大であった。
以上実施例によって本発明を説明したが本発明の表示パ
ネルの製造方法によシ金属す−ド部を有する表示パネル
の歩留りの向上は犬なるものがありその工業的価値は大
きい。
ネルの製造方法によシ金属す−ド部を有する表示パネル
の歩留りの向上は犬なるものがありその工業的価値は大
きい。
本発明によシ得られた表示パネルは、(Z−Nパネル、
液晶テレビ、時計、電車等の表示パネルとして応用可能
である。
液晶テレビ、時計、電車等の表示パネルとして応用可能
である。
一〇−
第1図・拳一般の四重マ) IJクスパネルの透明導電
膜構造図 第2図・・本発明によシ透明導電膜土にのみニッケルリ
ンメッキを施した電極構造 図 第3図ΦΦ本発明により画素部のニッケルリンメッキを
エツチング除去した信号電 極構造図 以 上 出願人 株式会社肺訪梢工舎 10− 才2酉 第3図
膜構造図 第2図・・本発明によシ透明導電膜土にのみニッケルリ
ンメッキを施した電極構造 図 第3図ΦΦ本発明により画素部のニッケルリンメッキを
エツチング除去した信号電 極構造図 以 上 出願人 株式会社肺訪梢工舎 10− 才2酉 第3図
Claims (1)
- 少なくとも1方が透明な絶縁基板上に形成された透明導
電膜をバターニングする工程、バターニングされた透明
導電膜上にのみ選択的姉無電解ニッケル又はその合金メ
ッキを施す工程、必要とされる画素上の前記ニッケル又
はその合金メッキ被膜のみをエツチングする工程を含む
ことを特徴とする表示パネルの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7885682A JPS58194083A (ja) | 1982-05-10 | 1982-05-10 | 表示パネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7885682A JPS58194083A (ja) | 1982-05-10 | 1982-05-10 | 表示パネルの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58194083A true JPS58194083A (ja) | 1983-11-11 |
JPH027475B2 JPH027475B2 (ja) | 1990-02-19 |
Family
ID=13673464
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7885682A Granted JPS58194083A (ja) | 1982-05-10 | 1982-05-10 | 表示パネルの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58194083A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6450401B1 (en) | 1999-08-17 | 2002-09-17 | Kyowa Electric And Chemical Co., Ltd. | Writing board with electronic calculator |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS556346A (en) * | 1978-06-27 | 1980-01-17 | Sharp Kk | Electrode pattern and method of forming same |
JPS5548935A (en) * | 1978-10-03 | 1980-04-08 | Sharp Corp | Forming of electrode pattern |
JPS56143275U (ja) * | 1980-03-27 | 1981-10-29 | ||
JPS5752021A (en) * | 1980-09-12 | 1982-03-27 | Citizen Watch Co Ltd | Manufacture of liquid crystal display cell |
-
1982
- 1982-05-10 JP JP7885682A patent/JPS58194083A/ja active Granted
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS556346A (en) * | 1978-06-27 | 1980-01-17 | Sharp Kk | Electrode pattern and method of forming same |
JPS5548935A (en) * | 1978-10-03 | 1980-04-08 | Sharp Corp | Forming of electrode pattern |
JPS56143275U (ja) * | 1980-03-27 | 1981-10-29 | ||
JPS5752021A (en) * | 1980-09-12 | 1982-03-27 | Citizen Watch Co Ltd | Manufacture of liquid crystal display cell |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6450401B1 (en) | 1999-08-17 | 2002-09-17 | Kyowa Electric And Chemical Co., Ltd. | Writing board with electronic calculator |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH027475B2 (ja) | 1990-02-19 |
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