JPS61133979A - 表示素子の電極構造 - Google Patents
表示素子の電極構造Info
- Publication number
- JPS61133979A JPS61133979A JP25629984A JP25629984A JPS61133979A JP S61133979 A JPS61133979 A JP S61133979A JP 25629984 A JP25629984 A JP 25629984A JP 25629984 A JP25629984 A JP 25629984A JP S61133979 A JPS61133979 A JP S61133979A
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- Japan
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- film
- display element
- transparent conductive
- alloy
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は例えば液晶表示素子等の表示素子における電極
構造に関する。
構造に関する。
〈従来技術〉
第３図に従来の表示素子の電極構造の断面図を示す。表
示素子において透明導電性膜、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉ
ｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ）からなる電極の端子引出法
として、従来はガラス基板１上に真空蒸着法により形成
しパターン化された透明導電性膜５の端子接続部６上に
Ａｌ膜２を形成し、さらにＴｔ膜３゜Ｃｕ Ｎｔ膜４
等を積層する構造としている。しかし、透明導電性膜５
の上にＡＩ膜２等を形成すると、製造途中の洗浄工程で
透明導電性１１１１２上のＡＩｔｙ４２等の金属薄膜が
はがれやすい欠点があった。
示素子において透明導電性膜、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉ
ｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ）からなる電極の端子引出法
として、従来はガラス基板１上に真空蒸着法により形成
しパターン化された透明導電性膜５の端子接続部６上に
Ａｌ膜２を形成し、さらにＴｔ膜３゜Ｃｕ Ｎｔ膜４
等を積層する構造としている。しかし、透明導電性膜５
の上にＡＩ膜２等を形成すると、製造途中の洗浄工程で
透明導電性１１１１２上のＡＩｔｙ４２等の金属薄膜が
はがれやすい欠点があった。
く目的〉
本発明は上記従来技術の欠点を解消し、表示素子の電極
部分の金属膜等が容易にはがれないものを提供すること
を目的とする。
部分の金属膜等が容易にはがれないものを提供すること
を目的とする。
く構成〉
本発明は表示素子の透明導電性膜からなる透明導電部を
外部の周辺回路と電気接続するために前記表示素子の端
子接続部に形成される電極構造であって、基板上の前記
端子接続部にＡ１１．Ｔｔ。
外部の周辺回路と電気接続するために前記表示素子の端
子接続部に形成される電極構造であって、基板上の前記
端子接続部にＡ１１．Ｔｔ。
Ｃｕ−Ｎ７合金等の金属ｉＦＪを積層し、その上から前
記透明導電性膜を形成していることを特徴とする表示素
子の電極構造である。
記透明導電性膜を形成していることを特徴とする表示素
子の電極構造である。
〈実施例〉
第１図は本発明の実施例を示す表示素子の断面図、第２
図は表示素子の平面図である。
図は表示素子の平面図である。
ガラス基板１上の端子部６にＡβ膜２．ＴＬ膜３、Ｃｕ
ＮＬ合金膜４が積層され、その上から■ＴＯからなる透
明導電性膜５が蒸着、パターン化されている。第２図に
示すように端子接続部６はＸ、Ｙの平面に複数個形成さ
れ、符号７で模式的に示される信号ラインが構成される
。
ＮＬ合金膜４が積層され、その上から■ＴＯからなる透
明導電性膜５が蒸着、パターン化されている。第２図に
示すように端子接続部６はＸ、Ｙの平面に複数個形成さ
れ、符号７で模式的に示される信号ラインが構成される
。
次に本発明を製造過程に沿って１明する。
まずガラス基板１にＡｌ膜２を、その後に拡散バリヤと
してＴ、膜３を形成し、さらに外部の周辺回路とハンダ
付けするためにＣｕ ＮＬ合金膜４を形成する。
してＴ、膜３を形成し、さらに外部の周辺回路とハンダ
付けするためにＣｕ ＮＬ合金膜４を形成する。
次に積層したＣｕＮＬ合金膜４上にレジストを塗布し、
ブレベーク処理をした後、所定のパターンとなるよう露
光処理を施し、さらにポストベーク処理を行なう。
ブレベーク処理をした後、所定のパターンとなるよう露
光処理を施し、さらにポストベーク処理を行なう。
次に上記（ｕＮ＝合金１ｊ１４ 、 Ｔ ｊ膜３． Ａ
Ｉ２膜２を積層した基板１を（：、 ｕ −Ｎ Ｌ合金
膜４から順に個別エツチングして所定のパターンに構成
する。エツチング液として、ＣｕＮ＝合金膜４ば硝酸−
水系を、Ｔｊ膜３はフン酸−硝酸−過硫酸アンモニウム
−水系、Ａｌ膜２はリン酸−硝酸一酢酸系を用いること
ができる。またＣ ｕ −Ｎ ＝合金膜４．Ｔ６膜３．
Ａ’／膜２を同時にエツチングする場合はフッ酸−硝酸
−水系のエツチング液を用いる。
Ｉ２膜２を積層した基板１を（：、 ｕ −Ｎ Ｌ合金
膜４から順に個別エツチングして所定のパターンに構成
する。エツチング液として、ＣｕＮ＝合金膜４ば硝酸−
水系を、Ｔｊ膜３はフン酸−硝酸−過硫酸アンモニウム
−水系、Ａｌ膜２はリン酸−硝酸一酢酸系を用いること
ができる。またＣ ｕ −Ｎ ＝合金膜４．Ｔ６膜３．
Ａ’／膜２を同時にエツチングする場合はフッ酸−硝酸
−水系のエツチング液を用いる。
エツチング工程が終るとレジストをアセトン等で剥離し
、純水で洗浄後乾燥させる。
、純水で洗浄後乾燥させる。
次にパターン化したＣｕＮＬ合金膜／ Ｔ ＝ ＩＩ！
／Ａｌ膜／ガラス膜板ガラス基板に真空蒸着法により透
明導電性膜５としてＩＴＯ膜をマスク蒸着する。
／Ａｌ膜／ガラス膜板ガラス基板に真空蒸着法により透
明導電性膜５としてＩＴＯ膜をマスク蒸着する。
次にＩＴＯ膜の上にレジストを塗布し、プレベーク処理
、ｆｔ光処理、ポストベーク処理を施した後、ＩＴＯ膜
を所定のパターンにエツチングし、さらにレジストをア
セトン等で剥離し、純水で洗浄し、乾燥させる。以上の
工程により本発明の電極構造が完成する。
、ｆｔ光処理、ポストベーク処理を施した後、ＩＴＯ膜
を所定のパターンにエツチングし、さらにレジストをア
セトン等で剥離し、純水で洗浄し、乾燥させる。以上の
工程により本発明の電極構造が完成する。
次に実際の製造例の１つを示す。
く製造例１〉
ガラス基板上にＡＩ、Ｔｔ 、Ｃｕ Ｎｔ金合金
々下層から順に形成し、パターン化を行い、真空蒸
：着法でＩＴＯ膜をその上にマスク蒸着して、さら
にパターン化を行った。この場合真空度６ Ｘ １０−
’Ｔｏｒｒで、ＣｕＮＬ合金膜、 Ｔ＝ ＩＩｌ、 Ａ
ｌｔ膜の膜厚は５０００人、 ３０００人、 ２００
０人であり、積層したＣｕ ｉＮｔ合金、 Ｔｔ
、 Ａ ｌのパターン化条件は表の通りである。
々下層から順に形成し、パターン化を行い、真空蒸
：着法でＩＴＯ膜をその上にマスク蒸着して、さら
にパターン化を行った。この場合真空度６ Ｘ １０−
’Ｔｏｒｒで、ＣｕＮＬ合金膜、 Ｔ＝ ＩＩｌ、 Ａ
ｌｔ膜の膜厚は５０００人、 ３０００人、 ２００
０人であり、積層したＣｕ ｉＮｔ合金、 Ｔｔ
、 Ａ ｌのパターン化条件は表の通りである。
さらにＩＴＯｌｌｉのエツチング条件は、エツチング液
として、ＦｅＣｆ３ ：ＨＣ１＝１ ： １を使用し
て行った。
として、ＦｅＣｆ３ ：ＨＣ１＝１ ： １を使用し
て行った。
なお、上記した実施例の他、下層にＡ１膜を上層にＮｉ
膜を基板温度２００°Ｃ以上で蒸着した構造にしても良
い、Ｃｕ−Ｎｊ合金膜／ＴＡ膜／Ａｊ！膜／ガラス基板
、Ｎｊ膜／／ｌ膜／ガラス基反はハンダに対するぬれ特
性も優れたものである。
膜を基板温度２００°Ｃ以上で蒸着した構造にしても良
い、Ｃｕ−Ｎｊ合金膜／ＴＡ膜／Ａｊ！膜／ガラス基板
、Ｎｊ膜／／ｌ膜／ガラス基反はハンダに対するぬれ特
性も優れたものである。
さらに積層するメタルの組合せはこれに限られたもので
はない。
はない。
く効果〉
本発明は以上の構成よりなり、金属薄膜／ｉ２１明導電
性膜／基板の構造を逆にした透明導電性膜／金属薄膜／
基板の構造を有しているので、従来のように金属薄膜が
製造途中の洗浄工程等ではがれる欠点が解消される。ま
たガラス基板等に透明導電性膜１例えばＩＴＯ膜を形成
した従来の構造では還元性の雰囲気中ではＩＴＯｌｌｉ
ＩＩかけずられたり反応が生じたりし、損傷が生じ、そ
の上に膜を形成することが困難となるが、本発明の構造
では、還元性の雰囲気でも、その上にさらに膜を形成す
ることができ、利用範囲が拡大する。
性膜／基板の構造を逆にした透明導電性膜／金属薄膜／
基板の構造を有しているので、従来のように金属薄膜が
製造途中の洗浄工程等ではがれる欠点が解消される。ま
たガラス基板等に透明導電性膜１例えばＩＴＯ膜を形成
した従来の構造では還元性の雰囲気中ではＩＴＯｌｌｉ
ＩＩかけずられたり反応が生じたりし、損傷が生じ、そ
の上に膜を形成することが困難となるが、本発明の構造
では、還元性の雰囲気でも、その上にさらに膜を形成す
ることができ、利用範囲が拡大する。
その他、本発明は薄膜トランジスタをアドレス素子とし
て用いた表示素子のドレイン金属と絵素ＩＴＯＩＩＩと
の接続を行なう場合にも適用できる。
て用いた表示素子のドレイン金属と絵素ＩＴＯＩＩＩと
の接続を行なう場合にも適用できる。
第１図は本発明の実施例を示す表示素子の断面図、第２
図は表示素子の平面図、第３図は従来例を示す断面図で
ある。
図は表示素子の平面図、第３図は従来例を示す断面図で
ある。
Claims (1)
- 表示素子の透明導電性膜からなる透明導電部を外部の周
辺回路と電気接続するために前記表示素子の端子接続部
に形成される電極構造であって、基板上の前記端子接続
部にＡｌ、Ｔｉ、Ｃｕ−Ｎｉ合金等の金属薄膜を積層し
、その上から前記透明導電性膜を形成していることを特
徴とする表示素子の電極構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25629984A JPS61133979A (ja) | 1984-12-03 | 1984-12-03 | 表示素子の電極構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25629984A JPS61133979A (ja) | 1984-12-03 | 1984-12-03 | 表示素子の電極構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61133979A true JPS61133979A (ja) | 1986-06-21 |
Family
ID=17290727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25629984A Pending JPS61133979A (ja) | 1984-12-03 | 1984-12-03 | 表示素子の電極構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61133979A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0512592U (ja) * | 1991-07-26 | 1993-02-19 | 文化シヤツター株式会社 | オーバドアの落下防止装置 |
| US11056836B2 (en) | 2017-03-10 | 2021-07-06 | Autonetworks Technologies, Ltd. | Shield terminal compatible with multiple housings and shield connector using the same |
| US11088486B2 (en) | 2017-03-10 | 2021-08-10 | Autonetworks Technologies, Ltd. | Shield terminal and shield connector |
-
1984
- 1984-12-03 JP JP25629984A patent/JPS61133979A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0512592U (ja) * | 1991-07-26 | 1993-02-19 | 文化シヤツター株式会社 | オーバドアの落下防止装置 |
| US11056836B2 (en) | 2017-03-10 | 2021-07-06 | Autonetworks Technologies, Ltd. | Shield terminal compatible with multiple housings and shield connector using the same |
| US11088486B2 (en) | 2017-03-10 | 2021-08-10 | Autonetworks Technologies, Ltd. | Shield terminal and shield connector |
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