JPS58180054A - マトリツクス画像表示装置 - Google Patents
マトリツクス画像表示装置Info
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- JPS58180054A JPS58180054A JP57063159A JP6315982A JPS58180054A JP S58180054 A JPS58180054 A JP S58180054A JP 57063159 A JP57063159 A JP 57063159A JP 6315982 A JP6315982 A JP 6315982A JP S58180054 A JPS58180054 A JP S58180054A
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- display device
- matrix
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/42—Transparent materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、薄膜スイッチング素子を内蔵したアクティブ
マトリックス表示装置の信号入力用端子の構造に関する
ものである。
マトリックス表示装置の信号入力用端子の構造に関する
ものである。
最近の画像表示機器においては、コンピュータ市場の拡
大・パーソナルコンビ晶−夕の普及に伴い平面型ディス
プレイに対する指向が強く、また画像そのものの表示品
質を向上するために表示に必要な一画素の大きさも小さ
くなり、かつ表示容量は増加していく傾向にある。
大・パーソナルコンビ晶−夕の普及に伴い平面型ディス
プレイに対する指向が強く、また画像そのものの表示品
質を向上するために表示に必要な一画素の大きさも小さ
くなり、かつ表示容量は増加していく傾向にある。
このような状況の中で薄膜非線形素子を内蔵したアクテ
ィブマトリックスによる画像表示は、前述の要求に応え
る有効な手段であり、そこにおいてマトリックス内部か
らり［き出されてくる信号入力線とこれに信号を加えて
駆動するドライバとの接続は、非常に大面積で多数本の
接続を行なわなければならない課題がある。
ィブマトリックスによる画像表示は、前述の要求に応え
る有効な手段であり、そこにおいてマトリックス内部か
らり［き出されてくる信号入力線とこれに信号を加えて
駆動するドライバとの接続は、非常に大面積で多数本の
接続を行なわなければならない課題がある。
一般に多点接続部を同時に処理する方法として電子機器
の組立においては、はんだ付けが採用されており、この
場合前記の薄膜スイッチング素子から引き出された接続
部にはんだ付が可能である必要があり、かりにはんだが
付かない材料の場合には、さらに接続部にメタライズ工
程を追加しなければならない。
の組立においては、はんだ付けが採用されており、この
場合前記の薄膜スイッチング素子から引き出された接続
部にはんだ付が可能である必要があり、かりにはんだが
付かない材料の場合には、さらに接続部にメタライズ工
程を追加しなければならない。
従来の方法としては、マトリックス内の配線に比抵抗が
小さくかつ安価であるｋｔを使用し、その人ｔを接続部
まで引き出す方法である゛が、ムｔははんだ付は性が良
くなく、従ってムｔの上にさらにＮｉ、Ｏｕ、ムＵ等の
メタライズを必要とするが、第１図に示すように蒸着等
により全面メタライズ５した後に接続部をパターニング
する場合、上記の）ｉｉ 、 Ｏｕ 、ムＵのエツチン
グに対してＡ／、自身の選択性がなくムｔ２’もエツチ
ングされてしまう。またメタライズの手段としてムを上
に選択的にメッキする方法もあるが、メッキの前処理・
メッキ浴等の酸・アルカリ溶液に対してムｔ２が耐えら
れない。
小さくかつ安価であるｋｔを使用し、その人ｔを接続部
まで引き出す方法である゛が、ムｔははんだ付は性が良
くなく、従ってムｔの上にさらにＮｉ、Ｏｕ、ムＵ等の
メタライズを必要とするが、第１図に示すように蒸着等
により全面メタライズ５した後に接続部をパターニング
する場合、上記の）ｉｉ 、 Ｏｕ 、ムＵのエツチン
グに対してＡ／、自身の選択性がなくムｔ２’もエツチ
ングされてしまう。またメタライズの手段としてムを上
に選択的にメッキする方法もあるが、メッキの前処理・
メッキ浴等の酸・アルカリ溶液に対してムｔ２が耐えら
れない。
従来方法のもうひとつの例として、マトリックス内の配
線にムｕ、Ｏｕを用いることがあるが、配線に必要な厚
みは５０００〜１ｏｏｏｏＸ程度であるのに対してはん
だ付は時にはんだに対する耐査性から必要な厚みは１０
〜２０μ溜であり、配線のパターンの精度を維持して同
一プロセス内で形成することは難かしい。
線にムｕ、Ｏｕを用いることがあるが、配線に必要な厚
みは５０００〜１ｏｏｏｏＸ程度であるのに対してはん
だ付は時にはんだに対する耐査性から必要な厚みは１０
〜２０μ溜であり、配線のパターンの精度を維持して同
一プロセス内で形成することは難かしい。
以上のように従来の方法では、マトリックス内の配線材
料と端子部分を同一プロセスで形成し、製造コストの低
減を計ろうとしていたがいずれの場合も難点があった。
料と端子部分を同一プロセスで形成し、製造コストの低
減を計ろうとしていたがいずれの場合も難点があった。
本発明は以上の従来技術の欠点を無くし、製造が容易で
安価な端子構造を供給するにある。マトリックス内の配
線は所望の比抵抗の小さな材料で形成し、端子部への引
き出しは途中で画素の駆動電極と同一な透明導電膜に接
続し透明導電膜により外部接続用のパターンを形成する
。透明導電膜は画素部の駆動電極として使用しているも
ので工程数な増門ない。このような構造における実施例
を第２図に示す。第２図においては画素部の駆動電極と
端子部４のパターニングを同時に行った後、ｖ）リック
ス内の配線を安価で比抵抗の小さいムｔ２により行い端
子部に接続するものである。
安価な端子構造を供給するにある。マトリックス内の配
線は所望の比抵抗の小さな材料で形成し、端子部への引
き出しは途中で画素の駆動電極と同一な透明導電膜に接
続し透明導電膜により外部接続用のパターンを形成する
。透明導電膜は画素部の駆動電極として使用しているも
ので工程数な増門ない。このような構造における実施例
を第２図に示す。第２図においては画素部の駆動電極と
端子部４のパターニングを同時に行った後、ｖ）リック
ス内の配線を安価で比抵抗の小さいムｔ２により行い端
子部に接続するものである。
このように透明導電膜による外部接続用端子の特Ｊ［、
第１にこの透明導電膜の上へのメタライズ時にムｔとメ
タライズ部とが離れているのでレジストを用いてムｔを
保護することが可能である。
第１にこの透明導電膜の上へのメタライズ時にムｔとメ
タライズ部とが離れているのでレジストを用いてムｔを
保護することが可能である。
第３図にこれを示す。ＢＳ図では、Ａｊ配Ｉｓ２上にレ
ジスト５を形成してから全面メタライズ３を行い、必要
な部分のみさらにレジスト６を形成して上記メタライズ
部分をパターニングするものである。
ジスト５を形成してから全面メタライズ３を行い、必要
な部分のみさらにレジスト６を形成して上記メタライズ
部分をパターニングするものである。
第２には、この透明導電膜上への選択メッキにおいても
Ａｔ配線部をレジスト５により第６図と同様に前処理液
・メッキ浴から保論することが可能である。
Ａｔ配線部をレジスト５により第６図と同様に前処理液
・メッキ浴から保論することが可能である。
第３には、この透明導電膜上へ直接はんだ付することも
一部の条件下（特殊はんだ材料・超音波印加等を必要と
する）では可能である。
一部の条件下（特殊はんだ材料・超音波印加等を必要と
する）では可能である。
次に別の具体例を第４図、第５図に示す。第４図の実施
例では、前述のマトリックス内の配線材であるＡｔから
引き出し部の中間で透明導電膜に接続する場合にプロセ
ス条件によってハコの人ｔと透明導電膜がオーミックな
コンタクト特性を示さない場合があるため、ムｔと透明
導電膜の間に薄膜シリコンを挿入する方法である。この
時のムｔと薄膜シリコン、薄膜シリコンと透明導電膜の
コンタクト特性はオーミックの状態で安定していること
が確認されている。
例では、前述のマトリックス内の配線材であるＡｔから
引き出し部の中間で透明導電膜に接続する場合にプロセ
ス条件によってハコの人ｔと透明導電膜がオーミックな
コンタクト特性を示さない場合があるため、ムｔと透明
導電膜の間に薄膜シリコンを挿入する方法である。この
時のムｔと薄膜シリコン、薄膜シリコンと透明導電膜の
コンタクト特性はオーミックの状態で安定していること
が確認されている。
また第５図は、第３図にあるムを保護用レジスト５の代
りに、透明絶縁膜を形成した例である。
りに、透明絶縁膜を形成した例である。
以上のように、本発明により、画素の駆動電極である透
明電極（錫の酸化物あるいはインジウムの酸化物または
錫醗化物とインジウム峡化物の混合物）はそのもの自体
が酸化物であるため、化学的には安定な材料であり、ア
クティブマトリックス基板の外部接続用端子として用い
ることによって、Ａｔのようにマトリックス内の配線に
用いられる材料を製造工程上の制約から解放することが
でき、アクティブマトリックス基板の製造を容易にし、
安価な画像表示装置を供給することができる。
明電極（錫の酸化物あるいはインジウムの酸化物または
錫醗化物とインジウム峡化物の混合物）はそのもの自体
が酸化物であるため、化学的には安定な材料であり、ア
クティブマトリックス基板の外部接続用端子として用い
ることによって、Ａｔのようにマトリックス内の配線に
用いられる材料を製造工程上の制約から解放することが
でき、アクティブマトリックス基板の製造を容易にし、
安価な画像表示装置を供給することができる。
１・・・・・・アクティブマトリックス基板２・・・・
・・マトリックス内の配線と端子部まで引き出されてい
るアルミ配線 ２′・・・端子部のＡｔ上へのメタライズとパターニン
グの際ムｔが露出して浸食されてしまり部分 ３・・・・・・追加されるメタライズ層４・・・・・・
透明導電膜 ５・・・・・・アルミ配線を保護するレジスト６・・・
・・・メタライズ層をパターニングするレジメト ７・・・・・・引き出し線を中継する薄膜シリコン８・
・・・・・透明絶縁膜 第１図は従来例 第２．５，４．５図は本発明による実施側板 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 亀 １（トリｗ７ス◆ヒ 第３図 第５図
・・マトリックス内の配線と端子部まで引き出されてい
るアルミ配線 ２′・・・端子部のＡｔ上へのメタライズとパターニン
グの際ムｔが露出して浸食されてしまり部分 ３・・・・・・追加されるメタライズ層４・・・・・・
透明導電膜 ５・・・・・・アルミ配線を保護するレジスト６・・・
・・・メタライズ層をパターニングするレジメト ７・・・・・・引き出し線を中継する薄膜シリコン８・
・・・・・透明絶縁膜 第１図は従来例 第２．５，４．５図は本発明による実施側板 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 亀 １（トリｗ７ス◆ヒ 第３図 第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） 基板上に集積した薄膜スイッチング素子と各
スイッチング素子に接続される透明な画素駆動電極（錫
酸化物あるいはインジウム酸化物または錫酸化物とイン
ジウム酸化物の混合物）により構成されるアクティブマ
トリックス画像表示装置において、該スイッチング素子
から引き出される信号入力線の外部接続部を前記画素駆
動電極と同じ材質で、同一工程で形成することを特徴と
するマトリックス画像表示装置。 （２） 薄膜スイッチング素子は、薄膜シリコンで構
成されており、スイッチング素子間の配線をムｔで行っ
たマトリックス画像表示装置において、外部接続部を形
成する透明電極とＡｔの配線を、上記スイッチング素子
と同一工程で形成した薄膜シリコン配線を介して接続す
ることを特徴とする請求箱＠（１）項のマトリックス画
像表示装置。 （８） 基板上の外部接続領域以外の部分を透明電極
で覆った請求範囲（１）項のマトリックス両像表示装置
Ｏ
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57063159A JPS58180054A (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | マトリツクス画像表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57063159A JPS58180054A (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | マトリツクス画像表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58180054A true JPS58180054A (ja) | 1983-10-21 |
Family
ID=13221172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57063159A Pending JPS58180054A (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | マトリツクス画像表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58180054A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6179259A (ja) * | 1984-09-26 | 1986-04-22 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 薄膜トランジスタ装置 |
-
1982
- 1982-04-15 JP JP57063159A patent/JPS58180054A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6179259A (ja) * | 1984-09-26 | 1986-04-22 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 薄膜トランジスタ装置 |
| JPH0556666B2 (ja) * | 1984-09-26 | 1993-08-20 | Seiko Instr & Electronics |
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