JP3047183B2 - 液晶装置の製造方法 - Google Patents
液晶装置の製造方法Info
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- JP3047183B2 JP3047183B2 JP1136815A JP13681589A JP3047183B2 JP 3047183 B2 JP3047183 B2 JP 3047183B2 JP 1136815 A JP1136815 A JP 1136815A JP 13681589 A JP13681589 A JP 13681589A JP 3047183 B2 JP3047183 B2 JP 3047183B2
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- passivation layer
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は，液晶装置の製造方法に関する。
［従来の技術］ 従来の透明電極上に金属メッキ層を有する液晶装置の
構造を第２図に示す。11,12はガラス基板、15,16は透明
電極であり、17,18は配向膜である。19,20は金属メッキ
層でありNi等が多く用いられる。また、13,14はパッシ
ベーション層であり一般にSiO2膜を用いる。その際、片
側のパッシベーション層13はガラス基板表面に形成され
るが、他方のパッシベーション層14は上下の透明電極間
でのショートを防止する目的も兼ね透明電極及び金属メ
ッキ層の上に形成されるというのが一般的であった。
構造を第２図に示す。11,12はガラス基板、15,16は透明
電極であり、17,18は配向膜である。19,20は金属メッキ
層でありNi等が多く用いられる。また、13,14はパッシ
ベーション層であり一般にSiO2膜を用いる。その際、片
側のパッシベーション層13はガラス基板表面に形成され
るが、他方のパッシベーション層14は上下の透明電極間
でのショートを防止する目的も兼ね透明電極及び金属メ
ッキ層の上に形成されるというのが一般的であった。
［発明が解決しようとする課題］ しかし、前述の従来技術では、透明電極上に部分的に
金属メッキ層を形成する場合、透明電極上全体にメッキ
を施した後、部分的にメッキ層を剥離するという方法を
用い、その際、強酸及び強アルカリ内にガラス基板を浸
すためガラスが脆くなり、パネル製作工程でガラス基板
を切断するときに歩留りが著しく低下してしまうという
問題点を有する。
金属メッキ層を形成する場合、透明電極上全体にメッキ
を施した後、部分的にメッキ層を剥離するという方法を
用い、その際、強酸及び強アルカリ内にガラス基板を浸
すためガラスが脆くなり、パネル製作工程でガラス基板
を切断するときに歩留りが著しく低下してしまうという
問題点を有する。
そこで本発明はこの様な課題を解決するもので、その
目的とするところは、上記の理由による歩留りの低下を
防止した液晶装置を提供することにある。
目的とするところは、上記の理由による歩留りの低下を
防止した液晶装置を提供することにある。
［課題を解決するための手段］ 本発明の液晶装置の製造方法は、ガラス基板の表裏両
面にパッシベーション層を形成する１つの工程と、前記
パッシベーション層が形成された少なくとも一方のガラ
ス基板面の該パッシベーション層上方に金属メッキ層を
形成する工程と、前記ガラス基板を酸の溶液に浸して前
記金属メッキ層を選択的にエッチングする工程と、しか
る後に前記ガラス基板を切断する工程とを有することを
特徴とする。
面にパッシベーション層を形成する１つの工程と、前記
パッシベーション層が形成された少なくとも一方のガラ
ス基板面の該パッシベーション層上方に金属メッキ層を
形成する工程と、前記ガラス基板を酸の溶液に浸して前
記金属メッキ層を選択的にエッチングする工程と、しか
る後に前記ガラス基板を切断する工程とを有することを
特徴とする。
また、本発明は前記エッチングする工程の後に、前記
パッシベーション層と前記金属メッキ層が形成された前
記ガラス基板をアルカリの溶液に浸す工程を有すること
を特徴とする。
パッシベーション層と前記金属メッキ層が形成された前
記ガラス基板をアルカリの溶液に浸す工程を有すること
を特徴とする。
また、本発明は前記ガラス基板を切断する工程は、液
晶セルを形成した後に行うことを特徴とする。
晶セルを形成した後に行うことを特徴とする。
［作用］ 前述の方法にて透明電極上に金属メッキ層を形成した
場合、ガラス基板が脆くなるという詳しいメカニズムは
よく解らないが、両表面にパッシベーション層を有する
ガラス基板を用いることにより、ガラス表面が直接強酸
及び強アルカリに接することがなくなるためガラスが脆
くなるのを防止することができ、パネル製作工程におい
てガラス基板を切断する際の歩留りの低下を防止するこ
とができる。
場合、ガラス基板が脆くなるという詳しいメカニズムは
よく解らないが、両表面にパッシベーション層を有する
ガラス基板を用いることにより、ガラス表面が直接強酸
及び強アルカリに接することがなくなるためガラスが脆
くなるのを防止することができ、パネル製作工程におい
てガラス基板を切断する際の歩留りの低下を防止するこ
とができる。
［実施例］ （実施例１） 本実施例では両面にSiO2を厚さ500Åでスパッタし、
その片側の表面にITOを蒸着することにより透明電極を
形成した基板を用いた。
その片側の表面にITOを蒸着することにより透明電極を
形成した基板を用いた。
この基板に下記の方法でニッケルメッキを行った。
１） 20％のKOH溶液の中で常温で10分間浸漬させ脱脂
を行う。
を行う。
２） ５％のHCl溶液に常温で５分間浸漬させ中和させ
る。
る。
３） ITO表面上に無電解メッキを開始させるパラジウ
ムを付着させる。これは、15％HCl溶液中に日立増感剤H
S−101Bを７％混合し常温で10分間浸漬させることによ
って行った。
ムを付着させる。これは、15％HCl溶液中に日立増感剤H
S−101Bを７％混合し常温で10分間浸漬させることによ
って行った。
４） ニッケルメッキ液の中にガラス基板を浸漬させIT
O上にニッケルメッキを行った。この際、メッキ液はPH
＝7,液温80℃であった。
O上にニッケルメッキを行った。この際、メッキ液はPH
＝7,液温80℃であった。
この様な方法でニッケルメッキをITO全面に行った
後、下記の方法により部分的にエッチングを行った。
後、下記の方法により部分的にエッチングを行った。
５） レジストを塗布，露光後，現像を行う。
６） 硝酸10％，リン酸10％溶液中に１分間浸漬するこ
とによりレジストの無い部分のニッケルメッをエッチン
グする。
とによりレジストの無い部分のニッケルメッをエッチン
グする。
７） 20％KOH溶液中に５分間浸漬することによりレジ
ストを剥離する。
ストを剥離する。
この様な方法により、第１図に示されるパターンを形
成した。使用したガラス基板１は厚さ1.1mmのソーダガ
ラスであり、その大きさは、10cm角である。
成した。使用したガラス基板１は厚さ1.1mmのソーダガ
ラスであり、その大きさは、10cm角である。
この基板の透明電極２の無い側で、第１図中Ａ−Ａ′
に相当する部分にガラス切りを用いて圧力2Kgを加え傷
を入れた。その後、透明電極２側より圧を加えガラスを
切断した。
に相当する部分にガラス切りを用いて圧力2Kgを加え傷
を入れた。その後、透明電極２側より圧を加えガラスを
切断した。
従来の表面にパッシベーション層を有さないガラス基
板を用いた場合、ニッケルメッキ、及びパターニィング
工程によりガラスが脆くなってしまうため、Ａ−Ａ′通
りに切断できた基板は、500枚中247枚であり歩留りは4
9.4％であった。
板を用いた場合、ニッケルメッキ、及びパターニィング
工程によりガラスが脆くなってしまうため、Ａ−Ａ′通
りに切断できた基板は、500枚中247枚であり歩留りは4
9.4％であった。
しかし、基板の両表面にパッシベーション膜を有する
ガラス基板を用いた場合、工程によりガラスが脆くなる
ことはなく、Ａ−Ａ′通りに切断できたガラスは500枚
中496枚で歩留りは99.2％と非常に良好であった。
ガラス基板を用いた場合、工程によりガラスが脆くなる
ことはなく、Ａ−Ａ′通りに切断できたガラスは500枚
中496枚で歩留りは99.2％と非常に良好であった。
（実施例２） また、実施例１ではガラス基板を切断した場合の歩留
りについて報告しているが、液晶セルを形成した後切断
する場合も同様に効果があることも認められている。
りについて報告しているが、液晶セルを形成した後切断
する場合も同様に効果があることも認められている。
（実施例３） 上記実施例１ではスパッタによりパッシベーション層
を形成したが、蒸着法，液法によって形成した場合も同
様な効果を有する。
を形成したが、蒸着法，液法によって形成した場合も同
様な効果を有する。
また、実施例１ではニッケルメッキを行っているが、
銅，金，銀等をメッキする場合も同等な効果を有する。
銅，金，銀等をメッキする場合も同等な効果を有する。
［発明の効果］ 本発明の液晶表示装置の製造法方によれば、ガラス基
板上の少なくとも一部に金属メッキ部を有する液晶装置
において、両表面にパッシベーション層を設けたガラス
基板を用いることにより、メッキ部形成時にガラス基板
が脆くなるのを防止し、パネル製作工程でガラス基板を
切断する際の歩留りの低下を防止するという効果を有す
る。
板上の少なくとも一部に金属メッキ部を有する液晶装置
において、両表面にパッシベーション層を設けたガラス
基板を用いることにより、メッキ部形成時にガラス基板
が脆くなるのを防止し、パネル製作工程でガラス基板を
切断する際の歩留りの低下を防止するという効果を有す
る。
第１図は本発明の実施例で使用したガラス基板のパター
ンを示す図。 第２図は従来の透明電極上に金属メッキ部を有する液晶
装置の構造を示す断面図。 １……ガラス基板 ２……透明電極 ３……ニッケルメッキ 11,12……ガラス基板 13,14……パッシベーション層 15,16……透明電極 17,18……配向膜 19,20……金属メッキ層 21……シール材 22……液晶層
ンを示す図。 第２図は従来の透明電極上に金属メッキ部を有する液晶
装置の構造を示す断面図。 １……ガラス基板 ２……透明電極 ３……ニッケルメッキ 11,12……ガラス基板 13,14……パッシベーション層 15,16……透明電極 17,18……配向膜 19,20……金属メッキ層 21……シール材 22……液晶層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−136617（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−250421（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−126212（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−262824（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/13 - 1/137
Claims (3)
- 【請求項１】ガラス基板の表裏両面にパッシベーション
層を形成する１つの工程と、前記パッシベーション層が
形成された少なくとも一方のガラス基板面の該パッシベ
ーション層上方に金属メッキ層を形成する工程と、前記
ガラス基板を酸の溶液に浸して前記金属メッキ層を選択
的にエッチングする工程と、しかる後に前記ガラス基板
を切断する工程と、 を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。 - 【請求項２】前記エッチングする工程の後に、前記パッ
シベーション層と前記金属メッキ層が形成された前記ガ
ラス基板をアルカリの溶液に浸す工程を有することを特
徴とする請求項１に記載の液晶装置の製造方法。 - 【請求項３】前記ガラス基板を切断する工程は、液晶セ
ルを形成した後に行うことを特徴とする請求項１記載の
液晶装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1136815A JP3047183B2 (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | 液晶装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1136815A JP3047183B2 (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | 液晶装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH032725A JPH032725A (ja) | 1991-01-09 |
| JP3047183B2 true JP3047183B2 (ja) | 2000-05-29 |
Family
ID=15184154
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1136815A Expired - Lifetime JP3047183B2 (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | 液晶装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3047183B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4817332B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2011-11-16 | サミー株式会社 | 駆動ユニット及び遊技機 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50140150A (ja) * | 1974-04-26 | 1975-11-10 | ||
| JPS54159243A (en) * | 1978-06-07 | 1979-12-15 | Hitachi Ltd | Liquid crystal dispaly device |
| JPS57118217A (en) * | 1981-01-14 | 1982-07-23 | Seiko Epson Corp | Production of electrode for liquid crystal display panel |
-
1989
- 1989-05-30 JP JP1136815A patent/JP3047183B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH032725A (ja) | 1991-01-09 |
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