JPH0230385B2 - Mudenkaimetsukiho - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、ガラス、セラミツク、プラスチツク
結晶体等の絶縁体上に、SnO₂、In₂O₃、TiO₂、
Ta₂O₅、ZrO₂、Nb₂O₅、Al₂O₃等の金属酸化物の
パターンをもつた被膜を形成し、通常の感受性
化、活性化を行う工程の中で、ホウフツ酸あるい
はホウフツ酸塩の溶液による処理を行うことで、
絶縁体層のみに無電解メツキ被膜を形成する方法
に関している。

従来絶縁体上に金属被膜を形成する方法として
蒸着、スパツタ、イオンプレーテイング、無電解
メツキ等の方法がとられている。これらの方法に
よると金属被膜をパターニングする場合、通常感
光性レジストの塗布、露光後、不要部をエツチン
グするという工程をとるのが、最も精密なパター
ンを形成する方法であつた。

ところが近年、絶縁体にパターン形成金属酸化
物層を形成し、絶縁体上にのみ金属被膜を形成す
る技術が必要となつた。従来の方法であると、一
担絶縁体上に任意のパターンをもつた金属酸化物
被膜を形成し、全面に金属被膜を形成し、レジス
ト塗布後、金属酸化物被膜の形状に合わせて露光
し、金属被膜をエツチングしていた。これは極め
て工数が多く、また、露光時のフオトマスク合わ
せに技術がいつた。更に、金属被膜のサイドエツ
チングにより歩留りが極めて悪化した。これは、
金属被膜と絶縁体物質の密着性の悪さにも原因が
あり、金属被膜のエツチング時のサイドエツチン
グが、物理的、化学的圧力によつて更に被膜が剥
離しやすくなるからである。

本発明によれば、絶縁体上に任意のパターンを
もつた金属酸化物被膜を形成した基板において、
絶縁体上にのみ金属被膜を形成することが可能と
なり、工数の軽減及び金属被膜のサイドエツチン
グをなくすという２つの効果が期待できる。

次に本発明の効果を示す一例を示し、本発明の
概略について述べる。たとえば、カメラの日付け
写し込み用の液晶パネルの遮光部として使う場合
である。液晶パネルは第１図のセグメント電極の
付いたガラス基板、第２図の全面電極としてのコ
モン電極側基板を貼り合わせて中に液晶を封入す
ることによつて作られる。この液晶パネルを第３
図のようにしてカメラの中に組み込む。４は光源
であり５は光を遮断する部分、６は液晶パネル、
７はフイルムである。このようにして通常の液晶
パネルを組み込み、フイルムに日付け等を写し込
むのであるが、通常の液晶パネルを使用した場合
に３という文字を写し込む時は第４図のような状
態となる。８は液晶パネルの点燈部分、９は非点
燈部分、１０は他の部分である。この９と１０は
完全に光を遮断する訳でなく数パーセントの光を
通す。このためフイルムに液晶パネルの輪郭が写
り不都合である。そこで１０の部分だけでも遮光
物質を形成する手段として無電解メツキをする手
段が取られた。これは、コモン電極用ガラス基板
に金属酸化物層としてSnO₂、In₂O₃等の透明導電
膜を形成する。そして、通常の前処理後、無電解
メツキによりニツケルリン等の被膜を形成する。
この時両面にメツキ被膜が形成される。次に感光
性レジストを塗布し、所定のパターンに露光後、
メツキ被膜の不要部をエツチングして、第２図に
示したような遮光部をもつたコモン電極基板を作
つていた。ところがこの方法によると、２の透明
部分のサイドの被膜がエツチングされやすく、こ
のコモン電極基板の歩留りが極めて悪かつた。

この液晶パネルの製造に本発明を適用すると、
コモン電極用ガラスに透明導電膜を両面に形成
し、デイツピングにより感光性レジストを塗布
し、所定のパターンに露光後、透明導伝膜のエツ
チングを行いレジスト剥離後本発明の方法により
無電解メツキを行うと、所定のパターンに金属被
膜が形成された基板が得られる。

この例によれば、透明導伝膜を両面につけるた
め工数は増加するが、コモン電極ガラスの歩留り
が極めて高くなり大巾なコストダウン効果があつ
た。無電解メツキ浴としては析出型のものであれ
ば全てこの効果はあるが、例えばニツケルリン、
ニツケルホウ素、銅、スズ、等の無電解メツキ浴
がある。

次に本発明の概略について述べる。

絶縁体基板上に任意のパターンを金属酸化物被
膜で形成する。手段としては、全面に金属酸化物
層を形成後、レジスト−エツチング法を用いても
良いし、有機金属化合物を用いて印刷−焼成とい
う方法を用いても良い。

この後、基板をアルカリ脱脂、酸中和という前
洗浄を行う。次に塩化第一スズ溶液への浸漬によ
る感受性化を行う。塩化第一スズ溶液は通常塩酸
酸性であり、濃度は0.01％〜１％溶液が用いられ
る。水洗後、パラジウム、銀、金の塩溶液のいづ
れか１つあるいは２つ以上に基板を浸漬すること
により活性化処理を行う。そしてホウフツ酸溶
液、あるいはホウフツ酸溶液に浸漬し、水洗後、
無電解メツキ浴に入れると、絶縁体基板上にのみ
金属被膜が形成される。

ここでホウフツ酸、あるいはホウフツ酸塩の濃
度としては0.001％〜飽和溶液が上記効果には有
効であるが、0.1％〜20％溶液が適当である。0.1
％以下であるとこの効果を得るための基板浸漬時
間が長くなり実用的でなく、20％を越えると、金
属酸化物被膜上にもメツキのつかない部分が生じ
易くなつた。また、上記濃度のホウフツ酸、ある
いはホウフツ酸塩を活性化液に溶解したものを活
性化液として使用し、通常の無電解メツキ工程、
即ち、感受性化、活性化処理を行つても上記と同
様の結果が得られた。

次に実施例を用いて詳細に説明する。

実施例 １ ５×４cm²のソーダガラス上にCVDでSnO₂膜を
形成し、レジスト、エツチング法で巾200μｍ、
長さ２cmのパターンを作製した。このガラス基板
をアルカリ脱脂し、酸中和する洗浄工程の後、塩
化第１スズ１ｇ、塩酸１c.c.、を１の純水に溶解
した感受性化液に２分間浸漬、水洗した。これ
を、塩化パラジウム１ｇ、塩酸５c.c.に１の純水
を加えた活性化液に２分間浸漬した後、５％のホ
ウフツ酸溶液に２分間浸漬し水洗後、所定の方法
で建浴されたカニゼン社製Ｓ−680の無電解ニツ
ケルリンメツキ浴、50℃に５分間浸漬することに
よつて、SnO₂被膜以外のガラス上にニツケルリ
ン被膜が形成された。

実施例 ２ ５×４cm²の石英ガラス上に実施例１と同様のパ
ターンをIn₂O₃で形成後、実施例１と同様に、感
受性化、活性化処理を行つた。この後、10％のホ
ウフツ化アンモニウムの溶液に１分間浸漬し、実
施例１と同様の無電解ニツケルメツキを行つたと
ころ実施例１と同様の結果を得た。

実施例 ３ ５×４cm²のMgO−Al₂O₃−SiO₂の組成からな
るセラミツク基板に実施例１と同様の方法で
Sn₂O₂のパターンを形成後、同様の前処理、無電
解メツキ工程を行つたところセラミツク基板上に
のみニツケルリンメツキ被膜が形成された。

実施例 ４ 実施例１と同様の基板を用いて、感受性化まで
行つた後、実施例１と同じ活性化液に濃度として
３％になるようにホウフツ酸を加え、２分間浸
漬、水洗後、所定の方法で建浴された室町化学製
無電解銅メツキ浴、MK−430に５分間浸漬した
ところ1500Åの厚さの銅被膜がガラス上にのみ析
出した。

以上述べたように、活性化処理液にホウフツ酸
根を含む化合物を混ぜるか、活性化処理をしたの
ちホウフツ酸根を含む化合物溶液に浸漬すること
により、 絶縁体基板上に形成された金属酸化物層のみに
選択的にメツキ被膜を形成させることができ、こ
れによりパターン化された導電性金属酸化物層上
に金属膜を形成するに当たつて、単に導電性金属
酸化物層だけを予めエツチングが可能となり、サ
イドエツチなどのない極めて精度のよい金属酸化
物層上の金属パターンを得ることができる。

尚、従来の方法で作るカメラ用日付け写し込み
パネルと本発明の方法で作るものとの対比を示し
てはあるが、本発明の応用はこれに限定されるも
のではない。

【図面の簡単な説明】

第１図は、液晶パネルセグメント電極 １……上下導通電極。 第２図は、液晶パネルコモン電極 ２……透明導電膜、３……金属被膜。 第３図は、カメラ日付け写し込み機構 ４……光源、５……遮光板、液晶パネル支持
体、６……液晶パネル、７……フイルム。 第４図は、液晶パネル部分拡大図 ８……点燈電極、９……非点燈電極、１０……
結晶パネルの他の部分。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 金属酸化物層が所定のパターンで形成された
   絶縁体基板を用い、 感受性化処理、活性化処理を行なつたのち無電
   解メツキ液で金属被膜を前記金属酸化物層上に形
   成させる無電解メツキ法において、 前記絶縁体の活性化処理後ホウフツ酸根を有す
   る化合物の溶液に浸漬するか、または前記活性化
   処理に用いる溶液にホウフツ酸根を含む化合物を
   溶かした溶液を用いることを特徴とする無電解メ
   ツキ法。