KR100959751B1 - 금속패턴 형성 방법 및 이를 이용한 전자파 차폐 필터 - Google Patents

금속패턴 형성 방법 및 이를 이용한 전자파 차폐 필터 Download PDF

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Abstract

본 발명은 고전도 금속패턴 형성방법 및 이를 이용한 전자파 차폐 필터에 관한 것으로, 보다 상세히는, (ⅰ) 광촉매 화합물을 기판에 코팅하여 광촉매 필름을 형성하는 단계; (ⅱ) 상기 광촉매 필름을 선택적으로 노광하여 결정성장용 핵의 잠재적 패턴을 수득하는 단계; 및 (ⅲ) 상기 결정성장핵의 잠재적 패턴을 도금처리하여 금속결정을 성장시켜 금속패턴을 수득하는 단계를 포함하는 금속패턴 형성방법과, 상기 방법에 의해 수득한 금속패턴을 포함한 전자파 차폐 필터에 관한 것이다. 본 발명에 따른 방법에 의할 경우, 종래 금속패턴 형성방법보다 빠르고 효율적으로 고전도도의 금속 배선 패턴을 형성할 수 있으며, 상기 방법에 의해 수득한 금속패턴을 포함한 전자파 차폐 필터는 성능이 우수할 뿐 아니라 제조 단가가 매우 저렴하고 제조가 쉬워 PDP와 같은 평판 표시 소자에 쉽게 적용시킬 수 있다.

Description

금속패턴 형성 방법 및 이를 이용한 전자파 차폐 필터{Method for forming Metal Pattern and EMI Filter using this pattern}
도 1은 투명 도전막 방식의 전자파 차폐 필터 구조를 개략적으로 나타낸 도이고;
도 2는 금속 메쉬 패턴 방식의 전자파 차폐 필터 구조를 개략적으로 나타낸 도이며;
도 3은 종래 기술에 따른 금속 메쉬 패턴 방식의 금속패턴 제조방법을 개략적으로 나타낸 모식도이고;
도 4는 무전해 도금 방식을 이용한 기존의 금속 메쉬패턴 방식의 금속패턴 제조방법을 개략적으로 나타낸 모식도이며;
도 5는 본 발명에 따른 네가티브 타입의 금속메쉬 패턴형성방법을 개략적으로 나타낸 모식도이고;
도 6은 본 발명에 따른 포지티브 타입의 금속메쉬 패턴형성방법을 개략적으로 나타낸 모식도이다.
본 발명은 고전도 금속패턴 형성 방법 및 이를 이용한 전자파 차폐 필터에 관한 것으로, 보다 상세히는, (ⅰ) 광촉매 화합물을 기판에 코팅하여 광촉매 필름을 형성하는 단계; (ⅱ) 상기 광촉매 필름을 선택적으로 노광하여 결정성장용 핵의 잠재적 패턴을 수득하는 단계; 및 (ⅲ) 상기 결정성장용 핵의 잠재적 패턴을 도금처리하여 금속결정을 성장시켜 금속패턴을 수득하는 단계를 포함하는 금속패턴 형성방법과, 상기 방법에 의해 수득한 금속패턴 및 이를 포함한 전자파 차폐 필터에 관한 것이다. 본 발명에 따른 방법에 의할 경우, 종래 금속 패턴 형성 방법보다 빠르고 효율적으로 고전도도의 금속 배선 패턴을 형성할 수 있으며, 상기 방법에 의해 수득한 금속패턴을 포함한 전자파 차폐 필터는 성능이 우수할 뿐만 아니라, 제조 단가가 매우 저렴하고 제조가 쉬워 PDP와 같은 평판 표시 소자에 쉽게 적용시킬 수 있다.
최근 벽걸이 TV로서 보급이 급격히 늘고 있는 PDP (Plasma Display Panel) 표시 소자의 경우, 방출정전기 및 유해전자파 차단에 대한 논의가 많이 이루어지고 있다. 한 예로써, 일본특개 평10-278800호는 스퍼터(sputter)나 증착법 등에 의해 화면의 표시면 상 위에 투명한 전극을 형성하는 방법을 개시하고 있고, 일본 특개 2000-323890호는 투명 기판상에 접착제층을 바른 도전막을 코팅하고 포토레지스트 혹은 인쇄 가능한 레지스트 재료를 사용해 패턴을 형성한 후, 금속 에칭을 통해 메쉬(mesh)패턴을 형성하는 방법을 공개하고 있다. 그러나 상기 방법들 중, 전자의 방법은 유해 전자파의 차단 및 PDP 소자로부터 방출되는 가시광선에 대한 투과도 확보를 위해 100Å 내지 2,000Å 범위의 막두께가 필수적이나, 상기 범위의 막두께에서는 충분한 전자파 차폐 효과를 얻을 수 없다는 문제가 있고(도 1), 후자의 방법은 제조 단가가 높고 가전제품의 리모콘 조작에 사용하는 근적외선 필름을 별도 포함해야 하는 문제가 있다(도 2 및 3). 또 다른 예로서, 일본특개 평5-16281 및 특개 평10-72676는 폴리카보네이트 등의 투명 기판상에 투명 수지층을 형성하고, 그 위에 무전해 동도금 처리를 한 후 미세사진식각공정에 의한 에칭법에 의해 메쉬 패턴을 형성하는 전자파 차폐 필터의 제조방법(도 4)을 개시하고 있는 바, 이 경우 금속박막을 처리하는 점에서는 공정상 유리할 수 있으나 사진식각공정에 의한 에칭시 액의 조성, 온도, 시간의 관리가 용이하지 않다는 문제가 있다. 한편, 일본 특개 2001-168574호는 에칭 과정없이 메쉬패턴을 형성하는 방법을 개시하고 있는 바, 상기 방법에서는 환원금속입자 (무전해 도금 촉매)를 함유하는 투명수지 코팅막을 투명 기판위에 형성한 후, 메쉬 패턴 상의 개구부의 촉매를 비활성화 처리 혹은 용해 제거 처리제를 접촉시키고, 전자파 혹은 전자선을 조사한 후 촉매 부분만 무전해 도금 처리를 하여 메쉬 상의 전자파 차폐 필름을 형성한다. 상기 방법에 의해 전자파 차폐 필름을 만들 경우 개구부의 촉매의 비활성화시 잉크젯(inkjet)방법으로 비활성화 처리를 하거나 포토레지스트를 사용해 패턴을 형성한 다음 개구부를 비활성화 처리를 하는 등의 추가적 공정을 거치는 바, 에칭공정이 생략되었음에도 불구하고 전체적 공정 조건이 단순화되었다고는 보기 어렵다.
따라서, 당해 기술분야에서는 고진공·고온 등을 요하는 금속박막 공정 또는 미세형상 노광공정과 후속하는 에칭공정이 생략된 간단한 공정에 의해 빠르고 효율적으로 고전도도의 금속 배선 패턴을 형성할 수 있으며, 수득된 금속패턴이 전자파 차폐 필터로 사용될 경우, 우수한 성능을 발휘할 수 있는 금속패턴 형성방법에 대한 요구가 있어왔다.
본 발명자들은 상기 문제를 해결하기 위해 예의 연구한 결과, 광에 의해 반응성이 변화하는 화합물, 이른바, 광촉매화합물을 기판에 코팅하고, 선택적으로 노광하여 광반응을 통해 결정 성장용 핵 (nuclei)의 잠재적 패턴을 형성한 후, 이를 도금처리하여 금속결정을 성장시킬 경우, 종래 방법보다 훨씬 빠르고 효율적으로 금속패턴을 형성할 수 있고, 상기 금속패턴을 가지고 제조한 전자파 차폐 필터는 성능이 우수할 뿐만 아니라 제조 단가가 매우 저렴하고 제조공정이 간단하여 PDP와 같은 평판 표시 소자에 쉽게 적용시킬 수 있음을 확인하고, 본 발명에 이르게 되었다.
결국 본 발명의 목적은 고진공·고온 등을 요하는 금속박막 공정 또는 미세 형상 노광공정과 후속하는 에칭공정 등에 의하지 않고, 간단한 공정에 의해 빠르고 효율적으로 금속 미세패턴을 형성하는 방법 및 이를 이용하여 제조한 우수한 성능의 전자파 차폐 필터를 제공하기 위한 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 한 측면은 (ⅰ) 광촉매 화합물을 기판에 코팅하여 광촉매 필름을 형성하는 단계; (ⅱ) 상기 광촉매 필름을 선택적으로 노광하여 결정성장용 핵의 잠재적 패턴을 수득하는 단계; 및 (ⅲ) 상기 잠재적 패턴을 도금처리하여 금속결정을 성장시킴으로써 금속패턴을 수득하는 단계를 포함하는 금속패턴 형성방법에 관한 것이다.
본 발명의 다른 한 측면은 (ⅱ)단계의 결정성장용 핵의 잠재적 패턴을 금속염 용액으로 처리하여, 상기 패턴에 상기 염용액내의 금속입자를 침적시킨 패턴을 수득하는 단계를 추가로 포함하는 금속패턴 형성방법에 관한 것이다.
본 발명의 또 다른 한 측면은 상기 방법에 의해 수득한 금속패턴을 포함한 전자파 차폐 필터에 관한 것이다.
이하, 본 발명을 단계별로 나누어 보다 상세히 설명한다.
제 (ⅰ)단계 :
먼저, 광촉매화합물을 기판에 코팅하여 광촉매 화합물의 필름을 형성한다.
본 발명에서 사용되는 "광촉매 화합물"은 광에 의해 그 특성이 현저히 변화하는 화합물로서, 노광 전에는 비활성(inactive)이나 자외선 등의 광을 받은 경우 활성화(activation)되어 반응성이 강해지는 화합물이거나, 혹은 노광 전에는 활성을 가지나 자외선 등의 광을 받은 경우 그 활성을 잃고 비활성으로 변하는 화합물이다. 전자의 경우, 후속하는 (ⅱ) 단계에서 네가티브 형태의 잠재적 패턴을 수득 할 수 있고(참조: 도 5), 후자의 경우 후속하는 (ⅱ)단계에서 포지티브 패턴을 수득할 수 있다(참조: 도 6).
네가티브 패턴을 수득하기 위한 광촉매화합물은 바람직하게는 비활성 상태의 광촉매화합물이 광반응에 의해 전자여기를 일으켜 환원능력을 가지게 되는 화합물이며, 보다 바람직하게는, 노광 시 TiOx (이 때, X는 2 이하의 수이다)를 형성할 수 있는 Ti를 포함한 유기금속화합물이다. Ti를 포함한 유기 금속화합물의 예는 테트라이소프로필티타네이트(tetraisopropyltitanate), 테트라-n-부틸티타네이트 (tetra-n-butyl titinate), 테트라키스(2-에틸-헥실)티타네이트[tetrakis(2-ethyl-hexyl) titanate], 및 폴리부틸티타네이트(polybutyltitanate)를 포함한다.
포지티브패턴을 얻기 위한 광촉매 화합물은, 바람직하게는, 본래 활성상태인 광촉매화합물이 광에 의해 산화 등을 일으켜 활성을 잃게 되는 화합물이고, 보다 바람직하게는 Sn을 포함한 유기금속화합물이다. Sn을 포함한 유기 금속화합물의 예는 SnCl(OH) 및 SnCl2를 포함한다.
상기 광촉매 화합물은 이소프로필 알코올 등의 적절한 용매에 녹여 스핀 코팅, 스프레이 코팅, 스크린 프린팅 등의 방법에 의해 투명 기판에 코팅할 수 있다.
본 발명에서 사용가능한 기판에 특별한 제한은 없으나, 바람직하게는 투명한 플라스틱 기판이나 유리 재료가 사용된다. 투명한 플라스틱 기판으로는 아크릴 수지, 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌, 폴리에테르설폰, 올레핀 말레이미드 공중합체, 노보넨계 수지 등이 이용될 수 있고, 내열성이 요구되는 경우 올레핀 말레이미드 공중합체, 노보넨계 수지가 좋으며, 그렇지 않은 경우 폴리에스테르 필름이나 아크릴 수지 등을 이용하는 것이 바람직하다.
제 (ⅱ)단계:
상기 (i)단계에서 수득한 상기 광촉매 필름은 포토 마스크 등을 사용하여 UV 등에 선택적으로 노광하여, 활성화된 부분과 비활성화된 부분으로 이루어진 결정성장용 핵의 잠재적 패턴을 수득한다. 필요에 따라, 상기 잠재적 패턴은 금속염 용액으로 처리하여 상기 금속염 내의 금속입자가 침적된 패턴을 수득할 수 있다.
노광 시, 노광 분위기 또는 노광량 등에는 별도의 제한이 없는 바, 사용하는 광촉매 화합물의 종류에 따라 적절히 선택할 수 있다
네가티브 패턴을 얻기 위한 광촉매화합물 코팅막을 노광하면, 전술한 바와 같이, 노광부분에 전자여기가 일어나 화합물이 환원특성 등의 활성을 띄게 되어 하기의 반응도와 같이 금속이온의 환원이 일어난다:
Figure 112003016860839-pat00001
한편, 포지티브 패턴을 얻기 위한 광촉매 화합물 코팅막을 노광하면, 산화 등의 반응에 의해 노광부분이 활성을 잃게 되어 비노광 부분만이 활성을 유지하는 바, 비노광부분에서 금속이온이 금속으로 환원되게 된다:
Figure 112003016860839-pat00002
본 단계에서는 노광에 의해 결정 성장용 핵의 잠재적 패턴을 수득한 다음, 필요에 따라, 후속하는 (ⅲ) 단계에서 보다 효과적으로 금속패턴을 형성토록 하기 위해 적절한 금속염에 상기 패턴을 침지하여 금속염 내의 금속입자를 침적시킨 패턴을 수득할 수 있다. 상기 침적된 금속입자는 후속하는 도금공정에서 금속결정성장을 촉진하는 촉매의 역할을 한다. 구리, 니켈, 또는 금을 도금 처리할 경우, 이러한 금속염 처리를 수행하는 것이 바람직하다. 바람직하게는, Ag 염용액 또는 Pd염 용액 또는 이들의 혼합용액을 금속염 용액으로 사용한다.
제 (ⅲ) 단계:
상기 (ⅱ)단계에서 수득한 결정 성장핵의 잠재적 패턴 또는, 필요에 따라, 상기 패턴에 금속입자를 침적시킨 패턴은, 도금처리하여 금속결정을 성장시켜 금속패턴을 수득한다. 도금처리는 무전해 도금방식 또는 전해도금방식에 의한다.
필요에 따라 금속염용액으로 처리하여 금속입자를 침적시킨 패턴의 경우, 팔라듐 혹은 은 금속입자가 침적된 패턴이 무전해 도금용액의 촉매로서 충분한 활성 도를 지녀서 도금에 의한 결정성장이 촉진되므로, 보다 치밀한 조직의 금속 패턴을 얻을 수 있어 추가로 유리하다.
본 단계에서 사용하는 도금금속으로서는, Cu, Ni, Ag, Au 및 이들의 금속합금이 있는 바, 금속 패턴의 용도에 따라 적절히 사용할 수 있다. 고전도성 금속패턴을 수득하기 위해서는 바람직하게는 구리금속 화합물 용액 또는 은금속 화합물 용액을 사용한다.
무전해도금 또는 전해도금은 종래의 공지된 방법에 따르며, 이를 보다 상세히 설명하면 다음과 같다:
구리금속 결정 성장방식으로서 무전해 도금방식을 사용할 경우, 1) 구리염, 2) 환원제, 3) 착화제, 4) pH 조절제, 5) pH 완충제, 및 6) 개량제를 포함한 도금용액에 상기 결정성장핵 패턴을 가진 기판을 침지(dipping)하여 형성한다. 상기 1) 구리염은 기판에 구리 이온을 공급해주는 역할을 하며, 상기 구리염의 예는 구리의 염화물, 질산염, 황산염, 청산염 화합물을 포함한다. 바람직하게는 황산구리를 사용한다. 상기 2) 환원제는 기판상의 금속 이온을 환원해주는 역할을 하며, 상기 환원제의 구체적인 예는 NaBH4, KBH4, NaH2PO2, 히드라진, 포르말린 또는 포도당과 같은 다당류 화합물을 포함한다. 바람직하게는 포르말린 또는 포도당과 같은 다당류 화합물이다. 상기 3) 착화제는 알칼리성 용액에 있어서의 수산화물 침전을 방지하고 유리된 금속이온 농도를 조절해, 금속염의 분해 방지 및 도금 속도를 조절하는 역할을 하며, 상기 착화제의 구체적인 예는 암모니아 용액, 초산, 구아닌산 , 주석산염, EDTA 등의 킬레이트제, 또는 유기 아민 화합물을 포함한다. 바람직하게는 EDTA 등의 킬레이트제이다. 상기 4) pH 조절제는 도금액의 pH를 조절해 주는 역할을 하며, 산 혹은 염기 화합물이다. 5) pH 완충제는 도금액의 pH 변동을 억제해주며 각종 유기산, 약산성의 무기화합물을 말한다. 6) 개량제 화합물은 코팅 특성 및 평탄화 특성을 개선 시킬수 있는 화합물을 말하며, 그 구체적인 예는 일반적인 계면활성제, 결정성장에 방해되는 성분을 흡착할 수 있는 흡착성 물질을 포함한다.
구리금속 결정성장 방식으로 전해도금법을 사용할 경우, 1) 구리염, 2) 착화제, 3) pH 조절제, 4) pH 완충제, 및 5) 개량제를 포함한 도금용 조성물에 상기 패턴을 침지하여 형성한다. 도금 용액 조성물에 함유된 상기 성분들의 역할, 구체적인 예는 전술한 바와 같다.
은 금속결정성장방식으로 무전해도금방식을 사용하는 경우, 1) 은염, 2) 환원제, 3) 착화제, 4) pH 조절제, 5) pH 완충제 및 6) 개량제를 포함한 도금용 조성물에 상기 패턴을 침지한다. 상기 1) 은염은 금속 배선에 은이온을 공급해주며, 상기 은염의 구체적 예는 은의 염화물, 은의 질산염 및 은의 청산염을 포함한다. 바람직하게는 질산은 화합물을 사용한다. 도금 용액 조성물에 함유된 기타 성분의 역할, 구체적인 예는 전술한 바와 같다.
은 금속결정 성장방식으로 전해 도금법을 사용하는 경우, 1) 은염, 2) 착화제, 3) pH 조절제, 4) pH 완충제 및 5) 개량제를 포함한 도금용 조성물에 상기 패턴을 침지한다. 도금 용액 조성물에 함유된 상기 성분들의 역할, 구체적인 예는 전술한 바와 같다.
[실시예]
이하, 구체적인 실시예를 가지고 본 발명의 구성 및 효과를 보다 상세히 설명하지만, 이들 실시예는 단지 본 발명을 보다 명확하게 이해시키기 위한 것일 뿐, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다.
결정성장핵의 잠재적 패턴 형성예 1: 네가티브 방식
폴리부틸티타네이트의 이소프로판올 용액 (2.5 중량%)을 스핀 코팅에 의해 투명 폴리에스테르 필름에 도포하고, 이를 150℃에서 5분간 건조시켜 필름 두께를 30 내지 50 ㎚ 정도로 조절하였다. 미세한 메쉬 패턴이 형성되어 있는 포토 마스크를 통해 넓은 파장범위(broad range)의 자외선을 기판상에 조사하였다(미국 오리엘사의 UV 노광 장비를 사용). 노광 후 PdCl2 0.6g 및 HCl 1㎖를 물 1ℓ에 녹여 제조한 용액에 침지하여 노광 부위에 Pd 금속입자가 표면에 침적되도록 하여 Pd로 이루어진 결정성장핵의 네가티브 패턴을 형성하였다.
결정성장핵의 잠재적 패턴 형성예 2: 포지티브 방식
22g의 SnCl2를 물 1ℓ에 녹인 후 염산 10ml를 첨가하여 제조한 용액을 투명 폴리에스테르 필름에 1분간 침지하고, 이를 100℃에서 2분간 건조시켜 필름 두께가 50 ㎚ 이하로 조절된 광촉매 화합물 코팅 기판을 수득하였다. 미세한 메쉬 패턴이 형성되어 있는 포토 마스크를 통해 넓은 파장범위의 자외선을 상기 기판상에 조사하였다(미국 오리엘사의 UV 노광 장비를 사용). 노광 후 PdCl2 0.6g 및 HCl 1㎖를 물 1ℓ에 녹여 제조한 용액에 침지하여 비노광 부위에 Pd 금속입자가 표면에 침적되도록 하여 Pd로 이루어진 결정성장핵의 포지티브 패턴을 형성하였다.
실시예 1: 무전해 동도금 처리에 의한 네가티브 방식의 동배선 형성
상기 형성예 1에서 준비된 기판을 무전해 동도금액에 담가 선택적으로 금속 배선의 결정을 성장시켰다. 무전해 동도금액의 조성은 표 1의 (가)와 같다. 얻어진 동배선의 기본 물성은 표 2에 나타낸 바와 같다. 두께 측정은 Dektak사의 알파스텝으로 측정하였으며, 비저항은 4-포인트 프로브(point probe)로 측정하였다. 해상도는 광학 현미경으로 측정하였으며 접착력은 스카치테이프(scotch tape) 박리 실험에 의해 평가하였다. 한편 전자파 차폐 효과는 30 ~ 1000 MHz의 에너지를 갖는 영역의 전자파의 투과 정도를 측정하였다.
실시예 2: 무전해 은도금 처리에 의한 네가티브 방식의 은배선 형성
상기 형성예 1에서 Pd 염 용액 처리를 하지 않은 것을 제외한 모든 조건을 동일하게 하여 기판을 처리한 후 무전해 은도금액에 담가 선택적으로 금속 배선의 결정을 성장시켰다. 무전해 은도금액의 조성은 표 1의 (나) 조성과 같다. 얻어진 은배선의 기본 물성은 실시예 1과 같은 방법으로 측정하였으며, 그 결과는 표 2에 나타낸 바와 같다.
실시예 3: 무전해 동도금 처리에 의한 포지티브 타입의 동배선 형성
상기 형성예 2에서 준비된 기판을 무전해 동도금액에 담가 선택적으로 금속 배선의 결정을 성장시켰다. 무전해 동도금액의 조성은 표 1의 (가) 조성과 같다. 얻어진 동배선의 기본 물성은 실시예 1과 같은 방법으로 측정하였으며, 그 결과는 표 2에 나타낸 바와 같다.
실시예 4: 무전해 은도금 처리에 의한 포지티브 타입의 은배선 형성
상기 형성예 2에서 Pd 용액 처리를 하지 않은 것을 제외한 모든 조건을 동일하게 하여 기판을 처리한 후 무전해 은도금액에 담가 선택적으로 금속 배선의 결정을 성장시켰다. 무전해 은도금액의 조성은 표 1의 (나) 조성과 같다. 얻어진 은배선의 기본 물성은 실시예 1과 같은 방법으로 측정하였으며, 그 결과는 표 2에 나타낸 바와 같다.



(가) 동도금 용액 (나) 은도금 용액

황산동 3.5g
롯셀염 8.5g
포르말린(37%) 22ml
티오뇨소 1g
암모니아 40g
물 1l
35℃/5분
질산은 4g
포도당 45g
롯셀염 4g
폴리비닐 알코올 1.5g
에탄올 100ml
물 1l
40℃/30초
Figure 112003016860839-pat00003
본 발명에 따른 방법에 의할 경우, 기존의 물리적 증착 방법이 아닌 간단한 코팅 방법을 사용하여 광촉매 화합물 박막을 형성시킨 후 간단한 도금처리에 의해 금속패턴을 형성할 수 있어, 고진공 조건이 요구되는 스퍼터링 공정, 감광성 수지를 사용한 포토 패터닝 공정, 에칭 공정을 사용하지 않고도 빠른 시간 내에 효율적으로 고전도도의 금속 배선 패턴을 효과적으로 얻는 방법을 제공할 수 있다. 이와 같은 금속 배선 형성 방법을 이용하여 제조한 전자파 차폐 필터는 기존 방식의 전자파 차폐 필터와 동등한 성능을 나타내면서 보다 단순한 공정 및 저가격으로 제조가 가능하다.

Claims (10)

  1. (ⅰ) 광촉매 화합물을 기판에 코팅하여 광촉매 필름을 형성하는 단계; (ⅱ) 상기 광촉매 필름을 선택적으로 노광하여 활성화된 부분과 비활성화된 부분으로 이루어진 결정성장용 핵의 잠재적 패턴을 수득하는 단계; 및 (ⅲ) 상기 결정성장용 핵의 잠재적 패턴을 도금처리하여 금속결정을 성장시켜 금속패턴을 수득하는 단계를 포함하는 금속패턴 형성방법.
  2. 제 1항에 있어서, (ⅱ)단계의 결정성장용 핵의 잠재적 패턴을 금속염 용액에 침지하여 상기 패턴에 상기 금속염 용액내의 금속입자를 침적시킨 패턴을 수득하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 금속패턴 형성방법.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 금속염 용액은 팔라듐염용액, 은염용액, 또는 양자의 혼합 염용액인 것을 특징으로 하는 금속패턴 형성방법.
  4. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 광촉매 화합물은 (a) 비활성 상태에서 광에 의해 전자여기를 일으켜 환원능력을 가지게 되는 화합물이거나, 혹은 (b) 활성상태에서 광에 의해 산화되어 활성을 잃게 되는 화합물인 것을 특징으로 하는 금 속패턴 형성방법.
  5. 제 4항에 있어서, 광에 의해 환원능력을 가지게 되는 광촉매 화합물(a)는 Ti를 포함한 유기금속화합물로써, 광에 의해 TiOx (이 때, X는 2 이하의 수이다)를 형성하는 화합물이고, 광에 의해 활성을 잃게 되는 광촉매 화합물 (b)는 Sn을 포함한 유기금속화합물인 것을 특징으로 하는 금속패턴 형성방법.
  6. 제 5항에 있어서, Ti를 포함한 유기금속화합물은 테트라이소프로필티타네이트(tetraisopropyl titanate), 테트라-n-부틸티타네이트(tetra-n-butyl titinate), 테트라키스(2-에틸-헥실)티타네이트(tetrakis(2-ethyl-hexyl) titanate), 및 폴리부틸티타네이트(polybutyltitanate)로 이루어진 군으로부터 선택되고, Sn을 포함한 유기금속화합물은 SnCl(OH) 또는 SnCl2인 것을 특징으로 하는 금속패턴 형성방법.
  7. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, (ⅲ) 단계의 도금처리는 무전해 도금방식에 의하거나 전해 도금방식에 의하는 것을 특징으로 하는 금속패턴 형성방법.
  8. 제 7항에 있어서, 도금 금속은 Cu, Ni, Ag, Au 및 이들의 금속합금으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 금속패턴 형성방법.
  9. 기판상에 코팅된 광촉매 화합물층을 노광하여 형성된 활성화된 부분과 비활성화된 부분으로 이루어진 잠재적 패턴층; 및
    상기 잠재적 패턴층의 활성화된 부분에 형성된 금속결정층을 포함하는 제 1항 또는 제2항에 따른 방법으로 형성된 금속패턴을 포함한 전자파 차폐 필터.
  10. 제 9항의 전자파 차폐 필터를 포함한 평판 표시 소자.
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