KR100904251B1 - 폴리머 표면에 귀금속촉매의 선택적 흡착방법 - Google Patents

폴리머 표면에 귀금속촉매의 선택적 흡착방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100904251B1
KR100904251B1 KR1020080008626A KR20080008626A KR100904251B1 KR 100904251 B1 KR100904251 B1 KR 100904251B1 KR 1020080008626 A KR1020080008626 A KR 1020080008626A KR 20080008626 A KR20080008626 A KR 20080008626A KR 100904251 B1 KR100904251 B1 KR 100904251B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
polymer
metal catalyst
noble metal
photosensitive
metal ions
Prior art date
Application number
KR1020080008626A
Other languages
English (en)
Inventor
이홍기
구석본
Original Assignee
한국생산기술연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국생산기술연구원 filed Critical 한국생산기술연구원
Priority to KR1020080008626A priority Critical patent/KR100904251B1/ko
Priority to PCT/KR2009/000384 priority patent/WO2009096691A2/ko
Priority to EP09706192A priority patent/EP2239630A4/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100904251B1 publication Critical patent/KR100904251B1/ko
Priority to US12/845,656 priority patent/US20100307796A1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0042—Photosensitive materials with inorganic or organometallic light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. inorganic resists
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
    • C23C18/1605—Process or apparatus coating on selected surface areas by masking
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
    • C23C18/1607—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning
    • C23C18/1608—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning from pretreatment step, i.e. selective pre-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
    • C23C18/1607—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning
    • C23C18/1612—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning through irradiation means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/2006—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30
    • C23C18/2046—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30 by chemical pretreatment
    • C23C18/2073—Multistep pretreatment
    • C23C18/208—Multistep pretreatment with use of metal first
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/28—Sensitising or activating
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/265—Selective reaction with inorganic or organometallic reagents after image-wise exposure, e.g. silylation
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
    • H05K3/182—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method
    • H05K3/185—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method by making a catalytic pattern by photo-imaging
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24917—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including metal layer

Abstract

본 발명은 폴리머 표면에 귀금속 촉매를 선택적으로 흡착하는 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 1) 감광성 금속 이온이 흡착된 폴리머 표면에 포토마스크(photomask)로 마스킹(masking)한 후 광원을 조사하여 마스킹(masking)되지 않은 표면의 감광성 금속 이온을 산화시키는 단계 및 2) 상기 1)단계에서 산화되지 않은 감광성 금속 이온을 귀금속 촉매와 반응시켜 귀금속 촉매를 폴리머 표면에 흡착하는 단계를 포함하는 폴리머 표면에 귀금속 촉매를 선택적으로 흡착하는 방법에 관한 것이다.
폴리머 금속화, 귀금속 촉매, 무전해도금, 광화학반응

Description

폴리머 표면에 귀금속촉매의 선택적 흡착방법{Selective adsorption method of novel precious metal catalyst on polymer surface}
본 발명은 폴리머 표면에 귀금속 촉매를 선택적으로 흡착하는 방법에 관한 것으로, 상기 폴리머를 이용하여 일정 형태의 금속층이 형성된 폴리머 필름를 제조할 수 있다.
현재 연성회로기판, Package용 유전체로 사용되는 폴리이미드, PET 등 폴리머 소재상에 금속 회로 패턴을 형성하는 기술로서는, 얇은 구리필름(copper foil)이 적층 혹은 증착된 폴리머의 표면에 포토레지스터 공정을 이용하여 일정한 형태의 회로패턴을 형성하고 구리를 식각(etching) 처리하여 금속회로 패턴을 제조하는 방법이 일반적으로 널리 사용되고 있다.
이러한 전통적 금속회로패턴 형성 기술은 복잡하고 긴 단위공정으로 구성되어 있을 뿐만 아니라, 고가의 설비투자와 부식성 에칭 용액 등의 발생으로 환경오 염 문제도 내재하고 있다. 또한, 동시에 미세회로 패턴을 구현하는데 있어 값비싼 재료와 함께 고가의 정밀한 설비의 추가적 투자 등이 필요하거나 혹은 매우 어려운 것으로 알려져 있다.
한편, 폴리머 소재상의 금속층 형성은 플라즈마 이온에 의한 폴리머소재의 표면개질(Surface modification) 처리 후 스퍼터링 혹은 금속증착 등 건식표면처리기술을 이용하여 전도성 금속 접합 층을 폴리머 표면에 형성시키고, 제품조건에 따라 전기도금기술 이용하여 금속피막층을 형성하거나 구리필름을 폴리머 표면에 직접 결합시키는 라미네이트(Laminate)법과 캐스팅(Casting)법을 사용하고 있다.
최근에는 습식표면처리에 의한 폴리머 필름소재의 금속화공정이 개발되고 있으나, 이 또한 폴리머 소재상에 금속층을 형성한 후 포토레지스터 공정을 이용 구리 식각하여 금속회로를 형성하고 있다. 이러한 방법은 상대적으로 균일한 금속층 형성이 쉽지 않고 고가의 제조 비용이 요구되는 문제점이 있다.
이에 본 발명자들은 습식표면처리 공정 중 귀금속 촉매를 폴리머 필름 소재에 흡착하는 방법을 이용하는 경우 상기 문제점을 해결할 수 있음을 개발하고, 본 발명을 완성하였다.
본 발명의 목적은 폴리머 표면에 귀금속 촉매를 선택적으로 흡착하는 방법을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 상기 방법에 의하여 귀금속 촉매가 선택적으로 흡착된 폴리머를 습식도금 공정에 의하여 일정 형태의 금속층이 형성된 폴리머 필름을 제공하는 것이다.
하나의 양태로서, 본 발명은 폴리머 표면에 귀금속 촉매를 선택적으로 흡착하는 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 1) 감광성 금속 이온이 흡착된 폴리머 표면에 포토마스크(photomask)로 마스킹(masking)한 후 광원을 조사하여 마스킹(masking)되지 않은 표면의 감광성 금속 이온을 산화시키는 단계 및 2) 상기 1)단계에서 산화되지 않은 감광성 금속 이온을 귀금속 촉매와 반응시켜 귀금속 촉매를 폴리머 표면에 흡착하는 단계를 포함하는 폴리머 표면에 귀금속 촉매를 선택적으로 흡착하는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 사용되는 폴리머는 폴리이미드(polyimide), 폴리에스테르계 PET(Polyethylene Terephthalate Polyester) 및 아라마이드(aramid) 필름을 포함하며, 주로 연성인쇄회로기판(Flexible Printed Circuit Board; FPCB)에 사용되는 중 간소재인 연성동적층기판(Flexible Copper Clad Laminat; FCCL) 및 전자회로패턴(electronic circuit pattern) 제작을 위하거나 전자파간섭(Electromagnetic Interference; EMI) 차폐용으로 사용되는 필름을 말한다. 본 발명에 사용되는 상기 폴리머는 감광성 금속 이온이 흡착되어 있는 폴리머인 것이 바람직하다.
상기 감광성 금속 이온은 광원에 의한 광화학 반응을 일으키는 금속 이온으로서, 구체적으로는 타이타늄(Ti), 몰리브덴(W), 텅스텐(W) 또는 주석(Sn) 이온 등을 말한다. 본 발명의 구체적 실시에서는 주석 이온이 흡착되어 있는 폴리머 표면을 사용하였다. 상기 감광성 금속 이온을 상기 폴리머 소재 표면에 흡착하는 방법은 당해 분야에서 알려진 방법을 사용할 수 있으나, 바람직하게는 본 발명자들이 출원한 대한민국 특허출원 제2007-0003316호에 기재된 방법을 사용할 수 있다. 구체적으로, 폴리머 표면에 알칼리 금속 화합물 용액(예로, 알칼리금속 수산화물, 알칼리토금속 수산화물 등)을 침지 또는 분사하여 폴리머 표면을 친수화시키고, 폴리머 표면에 관능기(functional groups)를 부여함으로써 폴리머 표면을 개질화 시키고, 감광성 금속 이온이 용해된 용액을 상기 개질화된 폴리머 표면에 침지 또는 분사하는 방법에 의하여 폴리머 표면에 감광성 금속 이온을 흡착시킬 수 있다.
본 발명에 사용되는 귀금속 촉매는 은(Ag), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 금(Au) 등의 귀금속염을 말한다.
본 발명의 폴리머 표면에 귀금속 촉매를 선택적으로 흡착하는 방법의 일례를 도 1에 나타내었다. 이하, 도 1을 참고로 하여 본 발명을 단계별로 나누어 보다 상세히 설명한다.
첫 번째 단계는, 상기 감광성 금속 이온이 흡착된 폴리머 표면에 포토마스크(photomask)로 마스킹(masking)한 후, 광원을 조사하여 마스킹(masking)되지 않은 표면의 감광성 금속 이온을 산화시키는 단계이다.
구체적으로, 감광성 이온이 흡착된 폴리머 표면을 포토마스크(photomask)를 이용하여 특정부위, 즉 폴리머 표면에 귀금속 촉매를 흡착시키고자 하는 부분에 포토마스크(photomask)로 마스킹(masking)하여 광원을 차단하고, 광원이 차단되지 않은 부분은 광원이 조사됨으로써 감광성 금속 이온이 산화되도록 한다. 상기 광원은 자외선이 바람직하다. 상기 광원의 파장은 200 내지 450nm, 바람직하게는 300 내지 420nm이다. 200nm의 파장 이하의 광원을 사용한 경우는 값비싼 광원장치 등으로 인한 제조원가 상승이라는 문제점이 있으며, 450nm의 파장 이상의 광원을 사용하는 경우 감광성 금속화합물의 산화반응, 즉 광화학적 반응시간이 매우 길거나 전혀 반응이 일어나지 않는 문제점이 있다. 또한, 상기 광원의 조사강도는 10 내지 30mW/cm2이다.
두 번째 단계는, 상기 단계에서 산화되지 않은 감광성 금속 이온을 귀금속 촉매와 반응시켜 귀금속 촉매를 폴리머 표면에 흡착하는 단계이다.
구체적으로, 귀금속 촉매가 포함된 용액을 상기 폴리머 표면과 접촉시켜 상기 첫 번째 단계에서 광원이 조사되지 않아 감광성 금속 이온이 산화되지 않은 상태로 흡착되어 있는 폴리머 표면의 감광성 금속 이온과 귀금속 촉매를 반응시켜 귀금속 촉매를 폴리머 표면에 흡착하는 단계이다. 상기 단계를 편의상 활성화 공정이라 할 수 있다. 상기 활성화 공정은 20 내지 50℃, 바람직하게는 20 내지 30℃에서, 20초 내지 5분, 바람직하게는 30초 내지 2분 동안 실시하여 귀금속 촉매가 충분히 흡착할 수 있도록 한다.
상기한 방법에 의하여 제조된 귀금속 촉매가 흡착되어 있는 폴리머를 이용하여 무전해 도금 공정 등의 습식표면처리로 폴리머의 표면에 금속 회로 패턴을 용이하게 형성할 수 있다. 상기 무전해 도금 공정 등의 습식표면처리기술은 당해 분야에서 공지된 방법에 의하여 실시할 수 있다. 이와 같이 제조된 금속 회로 패턴이 형성된 폴리머는 동 또는 니켈 등이 얇고 우수하게 밀착되어 있어 자동차, 전자, 통신 및 반도체 부품에 용이하게 사용할 수 있다.
상기한 방법에 의하여 제조된 귀금속 촉매가 흡착된 폴리머는 폴리머의 표면 에 금속회로패턴층을 간단하고 용이하게 형성할 수 있을 뿐만 아니라 다양한 형태의 금속패턴층을 형성할 수 있으며, 동 또는 니켈 등의 회로층이 얇고 우수하게 밀착되어 있어서 미세한 회로기판 등이 요구되는 자동차, 전자, 통신 및 반도체에서 용이하게 사용할 수 있다. 또한, 상기한 방법에 의하여 제조할 경우 종래의 기술에 비하여 제조 비용이 낮아지고, 고도의 설비가 필요치 않은 장점이 있다.
이하, 실시예를 들어 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 다만, 하기 실시예는 본 발명을 보다 상세히 설명하기 위한 것으로서 본 발명을 이에 제한하고자 함이 아니다.
실시예 1
폴리이미드(Polyimide) 또는 PET를 하기 표 1과 같은 조성을 갖는 감광성 금속 이온이 포함된 용액에 4 내지 8분 동안 침적한 후, 폴리머 표면에 감광성 금속 이온인 주석 이온(Sn2+)을 흡착시켰다. 주석 이온이 흡착된 폴리머 표면에 포토마스크를 올려놓고 365nm의 파장을 갖는 자외선을 조사하였다. 자외선이 조사된 부분의 주석 이온(Sn2 +)이 산화(Sn4 +)되는 광화학 반응이 일어났다. 상기 광화학 반응의 유무에 따른 주석 이온의 변화를 표면구조분석 장비인 XPS(Thermo Scientific사)를 통해 분석하였고, 이를 도 2에 나타내었다.
SnCl2 HCl
0.3~0.6mol/l 0.08mol/l
온도 : 18~25, 처리 : 4~8분
실시예 2 :
실시예 1에 따라 형성된 폴리머 표면에 표 2와 같은 귀금속 촉매 용액에 침적하였다. 이에 따라 Pd2 +가 Pdo로 환원되어 폴리이미드 표면에 흡착되었다. 이의 촉매 흡착 변화를 표면분석장비인 XPS(Thermo Scientific사)를 통해 분석한 후, 그 결과를 도 3에 나타내었다.
PdCl2 HCl
0.03mol/l 0.02mol/l
온도 : 18~25, 처리시간 : 30초
도 1은 본 발명에 따른 감광성 금속 이온이 흡착된 폴리머 표면에 귀금속 촉매를 선택적으로 흡착하는 방법의 일례를 나타낸 공정흐름도이다.
도 2는 본 발명에 따른 자외선(UV) 조사 후의 표면성분분석장비(XPS)를 통한 주석(Sn) 이온의 광화학 반응을 통한 화학적 구조의 변화를 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명에 따른 자외선(UV) 조사 후의 표면성분분석장비(XPS)를 통한 귀금속 촉매(예, Pd°)의 흡착 결과를 나타낸 것이다.

Claims (7)

1) 감광성 금속 이온이 흡착된 폴리머 표면에 포토마스크(photomask)로 마스킹(masking)한 후, 광원을 조사하여 마스킹(masking)되지 않은 표면의 감광성 금속 이온을 산화시키는 단계 및 2) 상기 1)단계에서 산화되지 않은 감광성 금속 이온을 귀금속 촉매와 반응시켜 귀금속 촉매를 폴리머 표면에 흡착하는 단계를 포함하는 폴리머 표면에 귀금속 촉매를 선택적으로 흡착하는 방법.
제1항에 있어서, 상기 폴리머는 폴리이미드(polyimide), 폴리에스테르계 PET(Polyethylene Terephthalate Polyester) 및 아라마이드(aramid) 필름으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나인 폴리머 표면에 귀금속 촉매를 선택적으로 흡착하는 방법.
제1항에 있어서, 상기 감광성 금속 이온은 타이타늄(Ti), 몰리브덴(W), 텅스텐(W) 및 주석(Sn)으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나의 이온인 폴리머 표면에 귀금속 촉매를 선택적으로 흡착하는 방법.
제1항에 있어서, 상기 광원이 자외선인 폴리머 표면에 귀금속 촉매를 선택적으로 흡착하는 방법.
제4항에 있어서, 상기 자외선은 200 내지 450nm의 파장을 가진 광원인 폴리머 표면에 귀금속 촉매를 선택적으로 흡착하는 방법.
제1항에 있어서, 상기 귀금속 촉매는 은(Ag), 팔라듐(Pd), 백금(Pt) 및 금(Au)으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나인 폴리머 표면에 귀금속 촉매를 선택적으로 흡착하는 방법.
제1항에 있어서, 상기 2) 단계는 20 내지 50℃에서 20초 내지 5분 동안 행해지는 것을 특징으로 하는 것인 폴리머 표면에 귀금속 촉매를 선택적으로 흡착하는 방법.
KR1020080008626A 2008-01-28 2008-01-28 폴리머 표면에 귀금속촉매의 선택적 흡착방법 KR100904251B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080008626A KR100904251B1 (ko) 2008-01-28 2008-01-28 폴리머 표면에 귀금속촉매의 선택적 흡착방법
PCT/KR2009/000384 WO2009096691A2 (ko) 2008-01-28 2009-01-23 폴리머 표면에 귀금속촉매의 선택적 흡착방법
EP09706192A EP2239630A4 (en) 2008-01-28 2009-01-23 METHOD FOR THE SELECTIVE ADSORPTION OF A NOBLE METAL CATALYST ON THE SURFACE OF A POLYMER
US12/845,656 US20100307796A1 (en) 2008-01-28 2010-07-28 Method for Selective Adsorption of Noble Metal Onto Surface of Polymer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080008626A KR100904251B1 (ko) 2008-01-28 2008-01-28 폴리머 표면에 귀금속촉매의 선택적 흡착방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100904251B1 true KR100904251B1 (ko) 2009-06-25

Family

ID=40913401

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080008626A KR100904251B1 (ko) 2008-01-28 2008-01-28 폴리머 표면에 귀금속촉매의 선택적 흡착방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20100307796A1 (ko)
EP (1) EP2239630A4 (ko)
KR (1) KR100904251B1 (ko)
WO (1) WO2009096691A2 (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000144437A (ja) 1998-11-17 2000-05-26 Hitachi Ltd 無電解めっき方法、無電解めっき装置、配線基板の製造方法及び配線基板の製造装置
JP2002241950A (ja) 2001-02-14 2002-08-28 Learonal Japan Inc ダイレクトパターニング方法
JP2004199086A (ja) 1997-08-08 2004-07-15 Dainippon Printing Co Ltd パターン形成体およびパターン形成方法
KR20080016025A (ko) * 2006-08-17 2008-02-21 삼성전자주식회사 신규한 금속패턴 제조방법 및 이를 이용한 평판표시소자

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3573973A (en) * 1967-11-13 1971-04-06 Ibm High speed additive circuit process
US3562005A (en) * 1968-04-09 1971-02-09 Western Electric Co Method of generating precious metal-reducing patterns
USRE29015E (en) * 1968-04-09 1976-10-26 Western Electric Company, Inc. Method of generating precious metal-reducing patterns
CA956850A (en) * 1970-03-16 1974-10-29 Frederick W. Schneble (Jr.) Direct bonding of electroless metals to substrates
US3776770A (en) * 1971-10-08 1973-12-04 Western Electric Co Method of selectively depositing a metal on a surface of a substrate
US3783005A (en) * 1972-02-04 1974-01-01 Western Electric Co Method of depositing a metal on a surface of a nonconductive substrate
US3950570A (en) * 1974-05-02 1976-04-13 Western Electric Company, Inc. Method of depositing a metal on a surface
US3928670A (en) * 1974-09-23 1975-12-23 Amp Inc Selective plating on non-metallic surfaces
US3934335A (en) * 1974-10-16 1976-01-27 Texas Instruments Incorporated Multilayer printed circuit board
JPH02219858A (ja) * 1989-02-22 1990-09-03 Idemitsu Petrochem Co Ltd ポリアリーレンスルフィド樹脂組成物及びその成形体
BE1007610A3 (nl) * 1993-10-11 1995-08-22 Philips Electronics Nv Werkwijze voor het stroomloos aanbrengen van een metaalpatroon op een elektrisch isolerend substraat.
EP1376229B1 (en) * 1997-08-08 2010-10-13 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Plate for lithography and process for producing the same
US20040101665A1 (en) * 2001-02-14 2004-05-27 Shipley Company, L.L.C. Direct patterning method
KR100959751B1 (ko) * 2003-05-13 2010-05-25 삼성전자주식회사 금속패턴 형성 방법 및 이를 이용한 전자파 차폐 필터
KR100741041B1 (ko) 2005-07-01 2007-07-20 박중옥 녹차 만두 및 그 제조방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004199086A (ja) 1997-08-08 2004-07-15 Dainippon Printing Co Ltd パターン形成体およびパターン形成方法
JP2000144437A (ja) 1998-11-17 2000-05-26 Hitachi Ltd 無電解めっき方法、無電解めっき装置、配線基板の製造方法及び配線基板の製造装置
JP2002241950A (ja) 2001-02-14 2002-08-28 Learonal Japan Inc ダイレクトパターニング方法
KR20080016025A (ko) * 2006-08-17 2008-02-21 삼성전자주식회사 신규한 금속패턴 제조방법 및 이를 이용한 평판표시소자

Also Published As

Publication number Publication date
EP2239630A2 (en) 2010-10-13
WO2009096691A2 (ko) 2009-08-06
EP2239630A4 (en) 2011-03-16
WO2009096691A3 (ko) 2009-10-29
US20100307796A1 (en) 2010-12-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6017613A (en) Method for photoselective seeding and metallization of three-dimensional materials
JP3486864B2 (ja) 基板上の銅配線形成方法及び銅配線の形成された基板
CN109252148B (zh) 在感光性树脂的表面形成金属层的方法
JP4660761B2 (ja) プリント配線基板とその製造方法
JP3999696B2 (ja) 無電解めっき方法及びめっき部品
JP4064801B2 (ja) 金属膜形成処理方法、半導体装置及び配線基板
EP1552729A2 (en) Method for the manufacture of printed circuit boards with integral plated resistors
KR100904251B1 (ko) 폴리머 표면에 귀금속촉매의 선택적 흡착방법
KR20130096613A (ko) 접착력 향상을 위한 폴리이미드 필름의 표면처리 방법 및 금속층을 갖는 폴리이미드 필름
KR20040051533A (ko) 금속막 형성 방법, 반도체 장치 및 배선 기판
KR100867419B1 (ko) 패턴이 형성된 연성동박적층필름의 제조방법
JP2003218499A (ja) 表面導電化樹脂及びその製造方法並びに配線基板
JP4332795B2 (ja) 無電解めっき方法
JP2006526889A (ja) ポリマー支持体材料およびセラミック支持体材料の構造化された金属被覆の方法、および当該方法に用いられる活性化可能な化合物
KR101537258B1 (ko) 회로기판의 제조방법
JP2005281766A (ja) 無電解めっき方法とその利用
JP2000261128A (ja) パターン基板、およびその製造方法
US20080199627A1 (en) Catalytic treatment method, electroless plating method, and method for forming circuit using electroless plating
KR101907074B1 (ko) 비전도성 유전체 상에 미세 금속 패턴을 형성하는 방법
JP4955274B2 (ja) めっき配線基板および無電解めっき方法
JP2019123910A (ja) 微細回路パターンの表裏面形成方法
JP2008091375A (ja) ポリイミド配線板の製造方法
KR100877379B1 (ko) 비전도성 유전체상의 선택적 금속화 공정
JP2007100134A (ja) 無機薄膜パターン形成方法
JP2006219715A (ja) 耐熱性絶縁樹脂の金属めっき方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120531

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130410

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee