BE1007610A3 - Werkwijze voor het stroomloos aanbrengen van een metaalpatroon op een elektrisch isolerend substraat. - Google Patents

Werkwijze voor het stroomloos aanbrengen van een metaalpatroon op een elektrisch isolerend substraat. Download PDF

Info

Publication number
BE1007610A3
BE1007610A3 BE9301063A BE9301063A BE1007610A3 BE 1007610 A3 BE1007610 A3 BE 1007610A3 BE 9301063 A BE9301063 A BE 9301063A BE 9301063 A BE9301063 A BE 9301063A BE 1007610 A3 BE1007610 A3 BE 1007610A3
Authority
BE
Belgium
Prior art keywords
substrate
glass
sol
stabilized
electroless
Prior art date
Application number
BE9301063A
Other languages
English (en)
Inventor
Nicolaas P Willard
Den Boogaard Henricus J A Van
Den Brekel Cornelis H J Van
Der Sluis-Van Der Voort El Van
Original Assignee
Philips Electronics Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Electronics Nv filed Critical Philips Electronics Nv
Priority to BE9301063A priority Critical patent/BE1007610A3/nl
Priority to EP94202868A priority patent/EP0647729B1/en
Priority to DE69403876T priority patent/DE69403876T2/de
Priority to JP6245473A priority patent/JPH07188936A/ja
Priority to TW084102196A priority patent/TW301842B/zh
Application granted granted Critical
Publication of BE1007610A3 publication Critical patent/BE1007610A3/nl
Priority to US08/652,253 priority patent/US6238749B1/en

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601Process or apparatus
    • C23C18/1603Process or apparatus coating on selected surface areas
    • C23C18/1607Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning
    • C23C18/1612Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning through irradiation means
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/1851Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
    • C23C18/1862Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by radiant energy
    • C23C18/1868Radiation, e.g. UV, laser
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/1851Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
    • C23C18/1872Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment
    • C23C18/1875Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment only one step pretreatment
    • C23C18/1879Use of metal, e.g. activation, sensitisation with noble metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/1851Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
    • C23C18/1872Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment
    • C23C18/1875Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment only one step pretreatment
    • C23C18/1882Use of organic or inorganic compounds other than metals, e.g. activation, sensitisation with polymers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/1851Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
    • C23C18/1872Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment
    • C23C18/1886Multistep pretreatment
    • C23C18/1893Multistep pretreatment with use of organic or inorganic compounds other than metals, first
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133512Light shielding layers, e.g. black matrix
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • H05K3/181Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
    • H05K3/182Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method
    • H05K3/185Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method by making a catalytic pattern by photo-imaging

Abstract

Op een glazen substraat (1) kunnen langs stroomloze weg metaalpatronen (11,11',11'') worden aangebracht, door het substraat met een silaan monolaag (3) te modificeren, deze te bekiemen in een met een polymeer gestabiliseerd Pd-sol (5) en daarna de Pd-kiemen en silaanlaag lokaal (9,9') met een gepulste laser te verwijderen. Er wordt geen gebruik gemaakt van een fotoresist, noch van organische oplosmiddelen. De werkwijze is zeer geschikt voor de vervaardiging van de black matrix op een faceplaat van beeldweergeefinrichtingen, zoals de passieve plaat voor een LCD.

Description


   <Desc/Clms Page number 1> 
 



  Werkwijze voor het stroomloos aanbrengen van een metaalpatroon op een elektrisch isolerend substraat. 



   De uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor het stroomloos aanbrengen van een metaalpatroon op een elektrisch isolerend substraat, waarbij het substraat wordt voorbehandeld en vervolgens plaatselijk wordt   belicht,   waarna het substraat in contact gebracht wordt met een waterige metaalzoutoplossing onder vorming van het metaalpatroon op niet-belichte gebieden. 



   De uitvinding heeft in het bijzonder betrekking op een werkwijze voor de vervaardiging van een black matrix uit metaal op een glazen faceplaat van een beeldweergeefinrichting, zoals een kleurenbeeldbuis en een vloeibaar-   kristalweergeefinrichting.   



   Stroomloze of chemische metallisering is een eenvoudige en goedkope methode voor het metalliseren van dielektrische substraten, zoals glas, keramiek en polymere kunststoffen. Hiertoe worden stroomloze metalliseringsbaden, zoals koper-en nikkelbaden, toegepast welke gecomplexeerde metaalionen en een reductiemiddel bevatten. Op katalytische oppervlakken worden de metaalionen gereduceerd tot metaal. 



  Veelal worden metallische Pd-kiemen op het te metalliseren oppervlak aangebracht teneinde het oppervlak katalytisch te maken. In een standaard procedure wordt het te metalliseren substraat vooraf bekiemd (activeren genoemd) door het substraat in contact te brengen met ofwel waterige oplossingen van achtereenvolgens SnCl2 en PdCl2 ofwel met een colloidale SnPd-dispersie. In beide gevallen worden de Pd-kiemen omgeven door geadsorbeerde   Sol-ionien   onder vorming van een lading-gestabiliseerd Pd-sol. Het geactiveerde oppervlak wordt vervolgens gedompeld in een stroomloos metalliseringsbad, waarbij het oppervlak gemetalliseerd wordt. Genoemde   activeringsmethoden   zijn niet-selectief, dat wil zeggen het gehele substraatoppervlak, zoals glas, wordt bekiemd en daardoor gemetalliseerd.

   Deze activeringsmethoden voldoen goed voor stroomloos koper waarbij het sterk reducerende formaldehyde als reductiemiddel wordt toegepast. Voor de meeste stroomloze nikkelbaden voldoen deze activeringsmethoden minder goed vanwege de lagere reactiviteit van de gebruikte reductiemiddelen, zoals hypofosfiet, in deze baden en vanwege de lagere   pH-waarde.   

 <Desc/Clms Page number 2> 

 
 EMI2.1 
 



  Dit wordt veroorzaakt door het gebruik van Sn2+ bij de bereiding van het Pd-sol, waarbij Sol-ionien ontstaan. De op de Pd-deeltjes geadsorbeerde Sn4+ welke op zich gebruikt worden als stabilisatoren in stroomloze nikkelbaden, remmen daarbij de oxydatie van het reductiemiddel. Teneinde nikkelafscheiding te verkrijgen dienen zeer reactieve nikkelbaden zonder stabilisatoren te worden toegepast, zoals een sterk alkalisch stroomloos nikkelbad op basis van hypofosfiet (pH > 14). De afwezigheid van stabilisatoren in een stroomloos nikkelbad leidt echter tot een slechte procesbeheersing, slechte selectiviteit en het gevaar van bad-instabiliteit, dat wil zeggen spontane nikkelvorming in het nikkelbad. Commercieel verkrijgbare stroomloze nikkelbaden bevatten om die reden stabilisatoren, waaronder zware metaalionen zoals Sn2+, Su4+ Pb2+ en organische zwavelverbindingen zoals thioureum. 



  In elektronische toepassingen is vaak een selectieve of patroonmatige metallisering gewenst. Dit kan op verschillende manieren worden bereikt. In een subtractief proces wordt eerst een uniforme metaallaag met de gewenste dikte op het substraat afgescheiden. Vervolgens wordt een fotoresistlaag aangebracht welke patroonmatig wordt belicht en ontwikkeld onder vorming van een patroon in de resistlaag. Tenslotte wordt de metullaag de resistlaag wordt gestript. In een additief proces wordt het substraat geactiveerd met katalytische Pdkiemen. Vervolgens wordt op het substraat een fotoresistlaag aangebracht welke patroonmatig wordt belicht en ontwikkeld onder vorming van een patroon in de resistlaag. Daarna wordt het oppervlak gedompeld in een stroomloos metalliseringsbad, waarbij metaal tot de gewenste dikte in de openingen van het resistpatroon wordt afgescheiden.

   Tenslotte wordt de resistlaag gestript en worden de Pd-kiemen verwijderd door een korte etsbehandeling. Beide processen hebben als nadeel dat een relatief groot aantal processtappen en milieuschadelijke chemicaliën nodig zijn, zoals de resiststripper en het metaaletsbad. Bovendien is het aanbrengen van resistlagen op grote glasoppervlakken niet eenvó4dig. 



  Het is eveneens bekend om op een substraat een Pd-acetaat-of acetylacetonaatfilm door middel van spincoating aan te brengen, welke film met een laser lokaal wordt ontleed tot metallisch palladium. Het Pd-acetaat op de niet-belichte delen wordt vervolgens verwijderd. Het aldus gevormde patroon van Pd-kiemen wordt vervolgens gemetalliseerd in een stroomloos nikkel-ofkoperbad. Het nadeel van deze methode is het relatief grote aantal processtappen en de hoge laservermogens die nodig 

 <Desc/Clms Page number 3> 

 zijn om het Pd-acetaat te ontleden. Hierdoor is het behandelen van grote glasoppervlakken zeer tijdsintensief. 



   Uit het Amerikaanse octrooischrift US 4, 996, 075 is een methode bekend om op een Si02-oppervlak patroonmatig een zeer dunne zilverfilm af te scheiden. Daarbij wordt het oppervlak behandeld met een oplossing van een silaan met een vinyl- of acetyleengroep in een organisch oplosmiddel, zoals koolstoftetrachloride en chloroform. 



  Door deze behandeling ontstaat een monomoleculaire laag van het silaan op het Si02oppervlak, dat wil zeggen een silaanlaag met een dikte gelijk aan de lengte van het silaanmolecuul. Door plaatselijke bestraling van de silaanlaag met energetische straling, zoals een elektronen-of lichtbundel, worden de vinyl-of acetyleengroepen onderling chemisch gebonden onder vorming van een polymeerlaag en daardoor selectief gedeactiveerd. Vervolgens wordt het oppervlak achtereenvolgens gedompeld in een oplossing van diboraan in THF en een basische oplossing van waterstofperoxyde, waardoor de niet-belichte vinylgroepen omgezet worden in hydroxylgroepen. Daarna worden de hydroxylgroepen omgezet in aldehydegroepen.

   Door behandeling met een waterige   zilvernitraat-oplossing   worden de zilverionen door de aldehydegroepen gereduceerd tot metallisch zilver onder vorming van een patroonmatige zilverlaag met een dikte van   één   atoomlaag in de niet-bestraalde gebieden. Door spontane omzetting van de monoatomaire zilverlaag in een monomoleculaire zilveroxidelaag kan een tweede monomoleculaire laag van   vinylsi1aan   op de zilveroxidelaag worden gevormd, waarna de bovengenoemde stappen van omzetting van vinylgroepen via hydroxylgroepen in aldehydegroepen worden herhaald. Daarna volgt een tweede behandeling met een waterige   zilvernitraat-oplossing,   waardoor een tweede monomoleculaire zilveroxidelaag ontstaat.

   Door deze stappen-vele malen te herhalen ontstaat een   altemerend   laminaat van monolagen silaan en monolagen zilveroxide. 



   Een nadeel van de bekende werkwijze is het grote aantal processtappen dat nodig is om een metaalpatroon te verkrijgen met een voldoende laagdikte van bijvoorbeeld   0, 1 JLm   of meer, zodanig dat de laag optisch dicht is en/of een voldoend 
 EMI3.1 
 lage elektrische weerstand heeft. Een ander nadeel is het gebruik van schadelijke lag organische oplosmiddelen als oplosmiddel voor de silanen met een vinyl- acetyleengroep. Nog een ander nadeel is dat door de voorgestelde bestraling van de 1 

 <Desc/Clms Page number 4> 

    ofsilaanlaag   deze laag gedeactiveerd wordt door onderlinge binding van de vinyl- of acetyleengroepen onder vorming van een polymeerlaag die het   SiOz-oppervlak   bedekt. 



  Deze afsluitende polymeerlaag is moeilijk te verwijderen en is vaak ongewenst. De polymeerlaag maakt het   SiQ-oppervlak   onbereikbaar voor andere oppervlaktereacties of veroorzaakt bijvoorbeeld hechtingsproblemen met andere aan te brengen lagen. 



   De uitvinding beoogt onder meer een werkwijze te verschaffen voor het stroomloos aanbrengen van een metaalpatroon op een elektrisch isolerend substraat met een relatief gering aantal processtappen, waarbij geen fotoresistlagen en organische oplosmiddelen worden toegepast. De uitvinding beoogt tevens een werkwijze te verschaffen welke geschikt is voor het patroonmatig metalliseren van relatief grote substraatoppervlakken van bijvoorbeeld 25 x 40 cm. De uitvinding beoogt eveneens een werkwijze te verschaffen welke geschikt is voor toepassing van in de handel verkrijgbare stroomloze nikkelbaden. 



   Aan deze doelstellingen wordt voldaan door een werkwijze zoals in de aanhef is beschreven en welke gekenmerkt is doordat het substraat wordt voorbehandeld door het in contact te brengen met een waterig Pd-sol dat gestabiliseerd wordt met een in water oplosbaar polymeer onder afzetting van geadsorbeerde Pd-kiemen op het substraat en dat het plaatselijk belichten wordt uitgevoerd met een gepulste 
 EMI4.1 
 laserlichtbundel met een zodanige energie-inhoud per puls dat de Pd-kiemen plaatselijk van het substraat worden verwijderd en dat een stroomloos meta1liseringsbad wordt toegepast voor de vorming van het metaalpatroon op de niet-belichte gebieden van het substraat. Afhankelijk van het toegepaste wateroplosbare polymeer kan de werkwijze worden toegepast met glazen substraten of op andere elektrisch isolerende substraten, zoals keramiek en polymere kunststoffen. 



   De   werkwijze volgens   de uitvinding berust op de waarneming dat een Pd-sol dat niet is gestabiliseerd met   Sol-ionien   maar met een in water oplosbaar neutraal polymeer, dat wil zeggen een polymeer met ketens zonder ladingen, niet op een glasoppervlak adsorbeert, terwijl op andere materialen dan glas een uitstekende Pdbedekking wordt verkregen. In dit verband wordt onder het sol een colloidale dispersie van Pd in water verstaan. Waarschijnlijk berust dit verschijnsel op het ontstaan van een 
 EMI4.2 
 negatieve oppervlakte-lading wanneer een glazen oppervlak zich in water bevindt. 



  "1 

 <Desc/Clms Page number 5> 

 
 EMI5.1 
 Oppervlakte-modificatie van het glasoppervlak door het aanbrengen van zelfs monolagen van een ander materiaal is in staat de adsorptie-eigenschappen van het Pd-sol te beïnvloeden. Een glasoppervlak kan zeer geschikt worden gemodificeerd met diverse silanen, waarbij de silanen een chemische binding vormen met het glasoppervlak. Het aanbrengen van een (mono) silaan wordt silaneren genoemd. Polymeergestabiliseerde Pd-solen adsorberen wel op gesilaneerde glasoppervlakken en vormen daar een katalytisch oppervlak voor stroomloze metallisering. 



  De geadsorbeerde Pd-kiemen blijken plaatselijk te kunnen worden verwijderd door belichting met gepulst laserlicht van voldoende vermogen. Een geschikte laser voor deze toepassing is een ArF excimerlaser met een golflengte van 193 nm en een energie-inhoud van ten minste 30 mJ per puls per seconde. Een andere geschikte laser is een Nd-YAG laser met een golflengte van 532 nm en een energieinhoud van ten minste 900 mJ per puls per seconde. Met de verdubbelde golflengte van 1064 nm is een grotere energie-inhoud per puls nodig. Tevens kan een CO2-laser worden toegepast met een golflengte van 10, m en een energie-inhoud van 5 J per puls per seconde. Door plaatselijke belichting met genoemd laserlicht ontstaat een patroon in de geadsorbeerde Pd-kiemen. Het gevormde patroon van Pd-kiemen wordt vervolgens gemetalliseerd in een stroomloos metalliseringsbad onder vorming van het metaalpatroon.

   Met deze methode wordt een zeer hoge Pd-kiemdichtheid van 2. 



  Pd-atomen per cm verkregen, hetgeen leidt tot een zeer goede initiatie van niet alleen stroomloze koperbaden, maar ook van alle minder reactieve commercieel verkrijgbare stroomloze nikkelbaden. De hoge Pd-kiemdichtheid veroorzaakt eveneens een zeer goede hechting van de koper-of en tevens een hoge selectiviteit voor de metallisering van de niet-belichte plaatsen ten opzichte van de belichte plaatsen. In dit verband kan in plaats van glas tevens kwarts, kwartsglas en glaskeramiek zoals Mucor" worden toegepast.

   Ook deze laatst genoemde materialen worden door een met een polymeer met neutrale ketens gestabiliseerd Pd-sol niet geactiveerd, doch wel door de bekende SnPd-solen en SnC/PdCl Het Pd-sol kan bereid door aan een waterige HC1 bevattende oplossing van een Pd-zout, zoals PdC, een ander reductiemiddel dan een Sn2+ te voegen, zoals H3POz, NaHPOz dimethylaminoboraan, waardoor metallisch Pd ontstaat en waarbij de oplossing tevens een in water oplosbaar polymeer bevat, dat het 

 <Desc/Clms Page number 6> 

 laagsol stabiliseert. Sterische hindering van de polymeerketens op de Pd-deeltjes verhindert flocculatie van deze   deeltjes.   



   Geschikte in water oplosbare polymeren met neutrale ketens zijn polyvinylalcohol (PVA) en polyvinylpyrrolidon   (PVP,   zie figuur 2). In het geval van PVA wordt een heterodispers sol verkregen met deeltjes in de range van 2-10 nm. Met PVP wordt een monodispers sol gevormd met deeltjes van 2 nm. Een deeltje van 2 nm bevat ongeveer 500 Pd-atomen. Het molecuulgewicht en de concentratie aan polymeer wordt zodanig gekozen dat per Pd-deeltje één polymeerketen aan het deeltje geadsorbeerd is. Bij voorkeur wordt PVP met een gemiddeld molecuulgewicht van ca. 10000 gebruikt (bijvoorbeeld K-15 van Fluka). Een relatief laag gemiddeld molecuulgewicht in combinatie met de kleine   deeltjes   veroorzaakt een hoge dichtheid aan Pd-kiemen op het substraat, hetgeen leidt tot een uitstekende initiatie van de stroomloze metallisering, ook die van nikkel.

   Pd-PVP solen zijn stabieler dan Pd-PVA solen, zodat het eerstgenoemde sol een langere levensduur heeft. Daardoor kan een geconcentreerde stock oplossing worden bereid van een Pd-PVP sol, welke voor gebruik bijvoorbeeld 10x verdund wordt. Een ander voordeel van PVP ten opzichte van PVA is de verminderde schuimvorming in de bekiemingsoplossing. 



   Genoemde polymeer-gestabiliseerde Pd-solen zijn bekend uit de Europese octrooiaanvrage EP-A-518422   (PHN   13743) van Aanvraagster. Genoemde octrooiaanvrage beschrijft een methode om indium-tinoxide (ITO) patronen op glas selectief te metalliseren. De daarin beschreven methode maakt gebruik van de selectieve adsorptie van dergelijke Pd-solen op ITO. Navolgende stroomloze metallisering vindt uitsluitend op het ITO plaats. 



   Voor de metallisering van glazen substraten en bij gebruik van polymeren met neutrale ketens, zoals PVA en PVP, voor de stabilisatie van het Pd-sol is het noodzakelijk het glasoppervlak   vóór   de bekieming te silaneren. Volgens de uitvinding worden waterige oplossingen : van een silaan toegepast, ter vermijding van ongewenste organische oplosmiddelen. Geschikte silanen zijn in water oplosbare aminosilanen met ten   minste een alkoxygroep.

   Hiertoe   behoren de silanen met de formule :   R3NH (CHJ3SiR lz (ORZ)    

 <Desc/Clms Page number 7> 

 waarin   R1=     CH3,     C, methoxy   of ethoxy en   R=CH3of C2Hs    
 EMI7.1 
 R3= of (CHJSTHR-* R4= H, of of CHj en m= 1, Geschikte representanten hiervan zijn 3-aminopropyl triethoxysilaan (A 0750 van Petrarch of   y-APS),   3-aminopropyl trimethoxysilaan (A 1100 van Union Carbide) en N-(2-aminoethyl)-3-aminopropyl trimethoxysilaan (A 1120 van Union Carbide). De concentratie van het gebruikte silaan in water is niet kritisch en ligt bijvoorbeeld tussen 0, 01 en 3 gew. %. De immersietijd van het substraat in de silaanoplossing is evenmin kritisch voor de daarop volgende Pd-adsorptie.

   Eén van de alkoxygroepen van het silaanmolecuul reageert met een hydroxy-groep van het glasoppervlak en zorgt voor een chemische binding. Uiteraard dient het glasoppervlak   voor   de silanering afdoende te worden gereinigd. 



   Bovengenoemde Pd-solen welke gestabiliseerd zijn met PVP of PVA kunnen eveneens worden toegepast voor de bekieming van substraten anders dan glas, bijvoorbeeld keramiek zoals alumina, zirkonia, femeten en indium-tinoxide (ITO), en kunststoffen waaronder polycarbonaat en polymethylmethacrylaat. Silanering van deze substraten is hierbij niet noodzakelijk. 



   Glazen substraten blijken wel bekiemd te worden met Pd-solen die gestabiliseerd zijn met in water oplosbare polymeren die ketens bevatten met positieve ladingen. Een in water oplosbaar polymeer met positieve ladingen is bijvoorbeeld   poly-2-vinylpyridine     (PVP).   Opgelost in water bevinden de positieve ladingen zieh op sommige stikstofatomen van de pyridine-ringen (zie figuur 3). Een ander geschikt polymeer met positieve ladingen is Merquat   550#4 van de firma Merck.   Dit wateroplosbare polymeer is een random copolymeer van diallyldimethylammoniumchloride (figuur 4) en acrylaatamide' (figuur 5) en wordt geleverd als een   8, 5 gew. % oplossing   in water. In het copolymeer bevatten de sdkstofatomen van de ammoniumgroepen de positieve ladingen.

   Vanwege de negatieve oppervlakte-lading van glas in water adsorberen dergelijke gestabiliseerde Pd-solen op glas. 



   Zoals hierboven is vermeld bedraagt het aantal geadsorbeerde Pd-atomen op het glasoppervlak met deze Pd-solen   2.10l5 per cm2.   Met Pd-PVA solen wordt een dichtheid bereikt van   3. 1015   Pd-atomen per   cm.   Deze waarden zijn bepaald met behulp 
 EMI7.2 
 1 

 <Desc/Clms Page number 8> 

 van XRF (X-ray fluorescence). Een dergelijk oppervlak werkt zeer katalytisch en leidt tot een betrouwbaar stroomloos   meta1liseringsproces,   zelfs met minder   reactieve : f   stroomloze nikkelbaden. Alle bekende stroomloze nikkelbaden kunnen worden toegepast, zoals die op basis van glycine, succinaat, pyrofosfaat en citraat.

   Tevens 
 EMI8.1 
 kunnen de bekende commercieel verkrijgbare baden worden toegepast, zoals Shipley Niposit ze OM Enplate ze Shipley Niposit 46sox, OMI Enlyte 512"en Naast een nikkelzout bevat een dergelijk bad altijd een reductiemiddel zoals hypofosfiet of dimethylaminoboraan. Vaak zijn stabilisatoren zoals zwavelverbindingen, tin- of loodzouten aanwezig ter voorkoming van spontane nikkelafzetting. 



   De werkwijze volgens de uitvinding is in het bijzonder geschikt voor de vervaardiging van een black matrix uit metaal op faceplaten van beeldweergeefinrichtingen, zoals een passieve plaat van een vloeibaar-   kristalweergeefmrichting   (LCD), vooral een met relatief grote afmetingen van bijvoorbeeld 25 x 40 cm. De black matrix verbetert het contrast tussen de drie kleurfilters rood, groen en blauw van het kleurfilterpatroon. Veelal wordt hiervoor een dunne   chroomfilm   toegepast, waarin langs fotolithografische weg, dat wil zeggen aanbrengen fotoresist, belichten, ontwikkelen, etsen en resist strippen, openingen worden aangebracht.

   Deze openingen vormen de pixels van de passieve plaat van het LCD en bezitten afmetingen van bijvoorbeeld 50 x 70   gm.   Volgens de uitvinding wordt een gereinigde glasplaat behandeld met een waterige oplossing van een silaan, waardoor op de glasplaat een (monomoleculaire) laag van het silaan wordt gevormd. Vervolgens vindt activering plaats met een Pd-sol gestabiliseerd met een in water oplosbaar polymeer. Op plaatsen waar de   metalen matrix   niet moet worden aangebracht worden de Pd-kiemen met een gepulste laser van voldoende vermogen verwijderd. Daarna worden met behulp van een stroomloos nikkelbad de niet-belichte gebieden vernikkeld onder vorming van de black matrix. Bij een dikte van   0, 1 m   is de nikkellaag optisch dicht. 



   De   werkwijzvolgens   de uitvinding is volledig additief en er wordt bovendien geen gebruik gemaakt van fotoresists, milieuschadelijke ontwikkelaars en etsmiddelen. 



   De kleurfilters worden in de openingen aangebracht door middel van bijvoorbeeld zeefdrukken, inkjet-printen of lithografische technieken. Nadat de kleurfilters zijn aangebracht worden achtereenvolgens een toplaag van polyacrylaat, een   SiO-laag   en een ITO-laag'aangebracht. 
 EMI8.2 
 e 

 <Desc/Clms Page number 9> 

 
De werkwijze volgens de uitvinding kan eveneens worden toegepast voor de vervaardiging van een black matrix uit metaal op beeldschermen van kleurenbeeldbuizen, zoals   kathodestraalbuizen   en faceplaten van platte displays waaronder elektronen fiberdisplays zoals die beschreven zijn in de Europese octrooiaanvrage EP-A-400750   (PHN   12927) van Aanvraagster. 



   Andere toepassingen van de werkwijze volgens de uitvinding zijn de vervaardiging van geleiderpatronen voor chip-on-glass, koperpatronen voor spoelen in mini-motoren en het aanbrengen van metalen elektroden rond en in de gaten van glazen selectieplaten van genoemde elektronen fiberdisplays. 



   Opgemerkt wordt dat in de niet-voorgepubliceerde Europese octrooiaanvrage met aanvraagnummer 93201804. 7 (PHN 14105) van Aanvraagster een methode beschreven wordt waarbij een glazen substraat selectief wordt gemetalliseerd door het substraat achtereenvolgens te silaneren, patroonmatig te bestralen met UV-ozon of laserlicht, waarbij de silaanlaag plaatselijk wordt verwijderd, en vervolgens te bekiemen met een   PVA-of   PVP-gestabiliseerd Pd-sol. De bestraling vindt hierbij plaats vóór de Pd-bekieming. De bekieming vindt alleen plaats op de niet-bestraalde gebieden. 



  In een stroomloos metalliseringsbad worden de bekiemde gebieden gemetalliseerd. 



   De uitvinding wordt toegelicht aan de hand van een uitvoeringsvoorbeelden en tekeningen, waarin
Figuur 1 schematisch de processtappen weergeeft van een werkwijze volgens de uitvinding,
Figuur 2 de structuurformule weergeeft van polyvinylpyrrolidon,
Figuur 3 de structuurformule weergeeft van   poly-2-vinylpyridine   met een positief geladen keten,
Figuur 4 de stiuctuurformule weergeeft van diallyldimethylammoniumchloride, en
Figuur 5 de structuurformule weergeeft van acrylaatamide. 



    Uitvoeringsvoorbeeld 1.    



   Een met polymeer gestabiliseerd Pd-sol geschikt voor toepassing in de werkwijze volgens de uitvinding wordt als volgt bereid. Van een   PdCl2-oplossing   

 <Desc/Clms Page number 10> 

 bestaande uit 10 g/l PdCl2 en 350   ml/l   geconcentreerd zoutzuur in water wordt 0, 6 ml verdund met 38, 4 ml water. Aan deze oplossing wordt 0, 07 ml van een 1 gew. % polyvinylpyrrolidon   (PVP)   oplossing in water toegevoegd. PVP heeft de structuurformule zoals weergegeven is in figuur 2, waarin in dit geval ongeveer 90 bedraagt. Het PVP is afkomstig van Fluka, type K-15 en heeft een gemiddeld molecuulgewicht van 10000. Vervolgens wordt onder roeren 1 ml van een waterige 0, 625 molair   H3POz-oplossing   toegevoegd. Het gevormde Pd-sol is monodispers met deeltjes van 2 nm en wordt gebruikt als activeringsoplossing. 



   Figuur 1 toont schematisch de processtappen van de werkwijze volgens de uitvinding, waarbij het glazen testsubstraat en de aan te brengen lagen schematisch in dwarsdoorsnede zijn weergegeven. De getekende laagdikteverhoudingen komen niet overeen met de werkelijkheid. 



   Als testsubstraat wordt een boorsilicaatglasplaat 1 (figuur la) gebruikt met afmetingen van 35 x 35 mm. Het testsubstraat wordt gereinigd met een waterige oplossing die 1 gew. %   Extran*"   (een alkalisch detergent van de firma Merck) bevat. De zeepresten worden verwijderd door te spoelen met gedemineraliseerd water en een UVozon behandeling gedurende 15 minuten. 



   Het gereinigde testsubstraat wordt direct gesilaneerd door een 0, 025 gew. % oplossing van 3-aminopropyl trimethoxysilaan (A 1100 van Union Carbide) in water op te spinnen bij een toerental van 3000 toeren per minuut gedurende 20 seconden, waarna het testsubstraat gedurende 10 minuten wordt verwarmd op 80 C. 



  Door reactie van een methoxy- of silanolgroep van het silaan met een -SiOH groep van 
 EMI10.1 
 het glasoppervlak ontstaat een silaanlaag 3 met een dikte van ongeveer 1-5 nm op het .'.. - - glasoppervlak. Het gebruikte silaan bevat drie reactieve methoxygroepen waardoor de silaanlaag uit een driedimensionaal netwerk (polysiloxan) bestaat. Het gesilaneerde testsubstraat wordt gespoeld met gedemineraliseerd water en gedroogd. 



   Het gesilaneerde testsubstraat wordt daarna gedurende 1 minuut gedompeld in de bovengenoemde activeringsoplossing van het met PVP gestabiliseerde Pd-sol. Op de silaanlaag 3 adsorberen   Pd-kiemen   5 (figuur Ib). Analyse met TEM (Transmission Electron Microscopy) toont aan dat de Pd-kiemen een diameter van 2 nm bezitten. XRF analyse geeft een bedekkingsgraad aan van   2. 1011   geadsorbeerde Pdatomen per cm2. 

 <Desc/Clms Page number 11> 

 



   Na de activeringsbehandeling wordt gespoeld in gedemineraliseerd water, waarna het geactiveerde testsubstraat plaatselijk wordt bestraald met een ArF excimerlaser met golflengte 193 nm. De laserlichtbundels zijn aangeduid met pijlen 7 en 7' (figuur lc). De laser is gepulst met een pulsfrequentie van 1 puls per seconde. De energieinhoud van de puls bedraagt 35 mJ. Op de plaatsen 9 en 9' (figuur lc) worden zowel de silaanlaag 3 als de Pd-kiemen 5 tot op het glasoppervlak verwijderd. Pulsen met een energie-inhoud van minder dan 30 mJ per puls blijken niet voldoende te zijn om een patroon aan te brengen. 



   Het belichte testsubstraat wordt daarna in een stroomloos nikkelbad gebracht dat per liter 20 g   Nicol2,   16 g natriumsuccinaat, 10 g natriumhypofosfiet en 2 g natriumacetaat in water bevat. Het nikkelbad is aangezuurd met HCI tot een pH van 4, 5 en heeft een temperatuur van   70. C.   Na 3 minuten wordt een nikkellaag 11,   11'en 11"   (figuur Id) verkregen met een laagdikte van   0, 2 jam   op de onbelichte plaatsen van het testsubstraat. Op de belichte plaatsen 9 en 9'wordt geen nikkel afgezet. Op het glazen testsubstraat is aldus een patroonmatige nikkellaag gevormd. De hechting van de nikkellaag aan het glasoppervlak voldoet aan de tape test. 



   Op dezelfde wijze als hiervoor beschreven wordt een glazen faceplaat met afmetingen van 25 x 40 cm voor een LCD voorzien van een black matrix. Het gevormde nikkelpatroon op de niet-belichte gebieden van faceplaat vormt de black matrix. 



  Uitvoeringsvoorbeeld 2. 
 EMI11.1 
 



  Uitvoeringsvoorbeeld l wordt herhaald, waarbij het Pd-sol wordt gestabiliseerd met het random copolymeer van diauyldimethylammoniumchloride (figuur 4) en acrylaatamide (figuur 5). Dit copolymeer wordt geleverd door de firma Merck onder de naam Merquat   550"ale   een geconcentreerde waterige oplossing met een concentratie van   8, 5 gew. %.   Deze geconcentreerde oplossing wordt met water verdund tot een concentratie van 6, 5 g/l.

     0, 7   ml van deze verdunde oplossing wordt toegevoegd aan een mengsel van 0, 6 ml waterige   PdCl2-oplossing     (1   g/l) en 37, 7 ml water, waarna 1 ml waterige   H3POz-oplossing     (0, 625 mol/l)   wordt bijgemengd onder vorming van een gestabiliseerd Pd-sol, waarvan de op het Pd geadsorbeerde polymeerketens positieve ladingen dragen. 

 <Desc/Clms Page number 12> 

 



   Het glazen substraat wordt op de beschreven manier gereinigd, waarna het direct gedurende 1 minuut wordt gedompeld in het Pd-sol. In dit uitvoeringsvoorbeeld vindt geen silanering van het glazen substraat plaats. Het positief geladen sol adsorbeert op het negatief geladen glasoppervlak, waardoor een katalytisch oppervlak voor stroomloze   meta1lisering   wordt gevormd. 



   Na de activeringsbehandeling wordt gespoeld in gedemineraliseerd water, waarna het geactiveerde testsubstraat plaatselijk wordt bestraald met een Nd-YAG laser met golflengte 532 nm. De laser is gepulst met een pulsfrequentie van 1 puls per seconde. De energie-inhoud van de puls bedraagt 900 mJ. Op de belichte plaatsen van het substraat worden de   Pd-Idemen   verwijderd. 



   Het belichte testsubstraat wordt daarna gedurende 2 minuten in een commercieel verkrijgbaar stroomloos nikkelbad gebracht (Shipley Niposit   65).   Dit bad bevat onder meer   hypofosfiet   als reductiemiddel en   Pub2+- en   S-verbindingen als stabilisatoren. Op de onbelichte plaatsen van het testsubstraat wordt nikkel afgezet, terwijl op de belichte plaatsen geen nikkel wordt gevormd. Op het glazen testsubstraat is aldus een patroonmatige nikkellaag gevormd. De hechting van de nikkellaag aan het glasoppervlak voldoet aan de tape test. 



  Uitvoeringsvoorbeeld 3. 



   Uitvoeringsvoorbeeld 2 wordt herhaald met een glazen substraat waarop vooraf 100 nm A1203 wordt gesputterd. De activering, belichting en metallisering van het   Al203-opppervlak   vinden op identieke wijze plaats. Op deze wijze wordt een patroon van nikkel op het oppervlak gevormd. 



   De werkwijze volgens de uitvinding heeft drie wezenlijke processtappen, namelijk activeren met een gestabiliseerd Pd-sol, patroonmatig belichten met gepulst laserlicht en selectief stroomloos metalliseren in bijvoorbeeld een nikkelbad. Met deze werkwijze is het mogelijk   op : relatief   grote substraten langs stroomloze weg een metaalpatroon aan te brengen met relatief weinig processtappen, zonder gebruikmaking van fotoresists,   ontwikkelvloeistoffen   en organische oplosmiddelen. De activering en eventuele silanering vinden plaats in waterige oplossingen. Door de verkregen grote Pdkiemdichtheid tijdens de activeringsbehandeling ontstaat een betrouwbaar stroomloos metalliseringsproces.

Claims (10)

  1. Conclusies : 1. Werkwijze voor het stroomloos aanbrengen van een metaalpatroon op een elektrisch isolerend substraat, waarbij het substraat wordt voorbehandeld en vervolgens plaatselijk wordt belicht, waarna het substraat in contact gebracht wordt met een waterige metaalzoutoplossing onder vorming van het metaalpatroon op niet-belichte gebieden van het substraat, met het kenmerk,
    dat het substraat wordt voorbehandeld door het in contact te brengen met een waterig Pd-sol dat gestabiliseerd wordt met een in water oplosbaar polymeer onder afzetting van geadsorbeerde Pd-kiemen op het substraat en dat het plaatselijk belichten wordt uitgevoerd met een gepulste laserlichtbundel met een zodanige energie-inhoud per puls dat de Pd-kiemen plaatselijk van het substraat worden verwijderd en dat een stroomloos metalliseringsbad wordt toegepast voor de vorming van het metaalpatroon op de niet-belichte gebieden van het substraat.
  2. 2. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat een glazen substraat wordt toegepast.
  3. 3. Werkwijze volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat het substraat vooraf wordt gesilaneerd met een waterige oplossing van een alkoxy-aminosilaan en dat het Pdsol gestabiliseerd wordt met een polymeer gekozen uit de groep gevormd door polyvinylalcohol en polyvinylpyrrolidon.
  4. 4. Werkwijze volgens conclusie 3, met het kenmerk, dat het alkoxyaminosilan gekozen wordt uit de groep gevormd door 3-aminopropyl trimethoxysilaan en N- (2-aminoethyl)-3-aminopropyl trimethoxysilaan.
  5. 5. Werkwijze volgens conclusie l, met het kenmerk, dat het Pd-sol wordt gestabiliseerd met een in water oplosbaar polymeer met ketens die positieve ladingen bevatten.
  6. 6. Werkwijze volgens conclusie 5, met het kenmerk, dat het polymeer gekozen wordt uit de groep-gevormd door poly-2-vinylpyridine en een copolymeer van diallyldimethylammoniumchloride en acrylaatamide.
  7. 7. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat een substraat anders dan glas wordt toegepast en dat het Pd-sol gestabiliseerd wordt met een polymeer gekozen uit de groep gevormd door polyvinylalcohol, polyvinylpyrrolidon en een in water oplosbaar polymeer met ketens die positieve ladingen bevatten. <Desc/Clms Page number 14>
  8. 8. Werkwijze volgens een der voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat de laserlichtbundel afkomstig is van een ArF excimerlaser met een golflengte van 193 nm en een energie-inhoud van ten minste 30 mJ per puls per seconde.
  9. 9. Werkwijze volgens een der voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat de laserlichtbundel afkomstig is van een Nd-YAG laser met een golflengte van 532 nm en een energie-inhoud van ten minste 900 mJ per puls per seconde.
  10. 10. Werkwijze voor de vervaardiging van een black matrix uit metaal op een glazen faceplaat van een beeldweergeefinrichting onder toepassing van de werkwijze volgens conclusie 1, waarbij door gebruik van een stroomloos nikkelbad de black matrix uit nikkel wordt gevormd.
BE9301063A 1993-10-11 1993-10-11 Werkwijze voor het stroomloos aanbrengen van een metaalpatroon op een elektrisch isolerend substraat. BE1007610A3 (nl)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
BE9301063A BE1007610A3 (nl) 1993-10-11 1993-10-11 Werkwijze voor het stroomloos aanbrengen van een metaalpatroon op een elektrisch isolerend substraat.
EP94202868A EP0647729B1 (en) 1993-10-11 1994-10-04 Method of providing a metal pattern on an electrically insulating substrate in an electroless process
DE69403876T DE69403876T2 (de) 1993-10-11 1994-10-04 Verfahren zur Herstellung eines metallischen Musters auf einem elektrisch isolierenden Substrat durch stromlose Plattierung
JP6245473A JPH07188936A (ja) 1993-10-11 1994-10-11 無電解プロセスにおける電気絶縁基板上への金属パターンの製造方法
TW084102196A TW301842B (nl) 1993-10-11 1995-03-08
US08/652,253 US6238749B1 (en) 1993-10-11 1996-05-23 Method of providing a metal pattern on an electrically insulating substrate in an electroless process

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
BE9301063A BE1007610A3 (nl) 1993-10-11 1993-10-11 Werkwijze voor het stroomloos aanbrengen van een metaalpatroon op een elektrisch isolerend substraat.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
BE1007610A3 true BE1007610A3 (nl) 1995-08-22

Family

ID=3887406

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
BE9301063A BE1007610A3 (nl) 1993-10-11 1993-10-11 Werkwijze voor het stroomloos aanbrengen van een metaalpatroon op een elektrisch isolerend substraat.

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6238749B1 (nl)
EP (1) EP0647729B1 (nl)
JP (1) JPH07188936A (nl)
BE (1) BE1007610A3 (nl)
DE (1) DE69403876T2 (nl)
TW (1) TW301842B (nl)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9812425D0 (en) 1998-06-10 1998-08-05 Dow Corning Electroless metal disposition on silyl hyride functional resin
DE19841900A1 (de) * 1998-09-11 2000-03-30 Schott Glas Verfahren zum Aufbringen von metallischen Leiterbahnen als Elektroden auf eine Kanalplatte für großflächige Flachbildschirme
WO2002004705A1 (fr) * 1999-01-20 2002-01-17 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology Procede de traitement preliminaire d'un materiau devant etre soumis a un depot autocatalytique
US6388230B1 (en) * 1999-10-13 2002-05-14 Morton International, Inc. Laser imaging of thin layer electronic circuitry material
EP1191127B1 (de) * 2000-09-26 2004-10-13 Enthone-OMI (Deutschland) GmbH Verfahren zur selektiven Metallisierung dielektrischer Materialien
JP2002129346A (ja) * 2000-10-20 2002-05-09 Konica Corp 無電解メッキの処理方法及びインクジェットヘッド及びその製造方法
KR20030000411A (ko) * 2001-06-25 2003-01-06 주식회사 에셀텍 엔디 야그 레이저를 이용한 티에프티-엘씨디 수리방법
DE10145750A1 (de) 2001-09-17 2003-04-24 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung einer Metallschicht auf einem Trägerkörper und Trägerkörper mit einer Metallschicht
DE10154402B4 (de) * 2001-10-10 2008-08-07 Schott Ag Verfahren zum Innenverspiegeln von Glasrohren, insbesondere für Sonnenkollektoren
GB2381274A (en) * 2001-10-29 2003-04-30 Qinetiq Ltd High resolution patterning method
ATE420982T1 (de) * 2002-12-23 2009-01-15 Univ College Cork Nat Univ Ie Plattierung von mehrschichtstruktur
JP2005223063A (ja) * 2004-02-04 2005-08-18 Seiko Epson Corp 配線基板の製造方法及び電子デバイスの製造方法
JP3894327B2 (ja) * 2004-02-04 2007-03-22 セイコーエプソン株式会社 配線基板の製造方法及び電子デバイスの製造方法
US6933231B1 (en) * 2004-06-28 2005-08-23 Micron Technology, Inc. Methods of forming conductive interconnects, and methods of depositing nickel
KR100682919B1 (ko) * 2005-01-20 2007-02-15 삼성전자주식회사 미세 금속 박막 패턴 형성 방법, 이를 채용한 생체물질고정용 기판 및 바이오칩
US20060192183A1 (en) * 2005-02-28 2006-08-31 Andreas Klyszcz Metal ink, method of preparing the metal ink, substrate for display, and method of manufacturing the substrate
US20080045409A1 (en) * 2006-08-16 2008-02-21 Buarque De Macedo Pedro M Ceramic catalysts
US20100009094A1 (en) * 2007-01-19 2010-01-14 Basf Se Patents, Trademarks And Licenses Method for the producing structured electrically conductive surfaces
JP4507126B2 (ja) * 2007-10-29 2010-07-21 ソニー株式会社 偏光板の製造方法
KR100904251B1 (ko) * 2008-01-28 2009-06-25 한국생산기술연구원 폴리머 표면에 귀금속촉매의 선택적 흡착방법
JP2010047828A (ja) * 2008-08-25 2010-03-04 National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology 無電解メッキの前処理方法および該基材の無電解メッキ方法
JP5422563B2 (ja) * 2008-09-25 2014-02-19 宇部エクシモ株式会社 金属皮膜形成方法、導電性粒子及びその製造方法
FR2938850B1 (fr) * 2008-11-27 2011-04-29 Sgd Sa Procede de fabrication d'un corps creux pourvu d'une surface interieure en verre metallisee et corps creux correspondant
US8621749B2 (en) * 2010-03-12 2014-01-07 Taiwan Green Point Enterprises Co., Ltd Non-deleterious technique for creating continuous conductive circuits
US20110303644A1 (en) * 2010-06-09 2011-12-15 Arlington Plating Company Methods for Plating Plastic Articles
JP6466182B2 (ja) * 2015-01-19 2019-02-06 国立研究開発法人産業技術総合研究所 無電解めっき用パラジウムヒドロゾル触媒液とその調製方法
CN106460177A (zh) * 2015-03-24 2017-02-22 Om产业股份有限公司 镀品的制造方法
TWI672175B (zh) * 2017-10-20 2019-09-21 國立清華大學 自吸附觸媒組成物、自吸附觸媒組成物的製造方法以及無電鍍基板的製造方法
JP6620277B1 (ja) * 2018-08-07 2019-12-18 株式会社豊光社 めっき処理されたガラス基材の製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4681774A (en) * 1986-01-17 1987-07-21 Halliwell Michael J Laser induced selective electroless plating
EP0287843A1 (de) * 1987-04-24 1988-10-26 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Herstellung von Leiterplatten
US4882200A (en) * 1987-05-21 1989-11-21 General Electric Company Method for photopatterning metallization via UV-laser ablation of the activator
EP0557952A1 (en) * 1992-02-25 1993-09-01 Nippondenso Co., Ltd. Plating method and cylindrical coil obtained thereby

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2430581A (en) * 1944-11-29 1947-11-11 Rca Corp Metallizing nonmetallic bodies
JPS5130970A (en) * 1974-09-10 1976-03-16 Seiko Instr & Electronics Pataandenkyoku no keiseihoho
JPS5948988A (ja) * 1982-09-14 1984-03-21 セイコーインスツルメンツ株式会社 回路基板の製造方法
PH23907A (en) * 1983-09-28 1989-12-18 Rohm & Haas Catalytic process and systems
JPS616892A (ja) * 1984-06-20 1986-01-13 キヤノン株式会社 プリント回路の製造方法
JPS6164882A (ja) * 1984-09-05 1986-04-03 Nippon Chem Ind Co Ltd:The めつき材料の製造方法
DE3705251A1 (de) * 1987-02-19 1988-09-01 Standard Elektrik Lorenz Ag Verfahren zur herstellung einer stromlos abgeschiedenen, loetbaren metallschicht
DE3855073T2 (de) 1987-12-21 1996-10-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd Verfahren zur Herstellung von feinsten Metallfilmen und feinsten Metallbildern
NL9000060A (nl) 1989-06-01 1991-01-02 Philips Nv Beeldweergeefinrichting van het dunne type.
AU635393B2 (en) * 1989-12-21 1993-03-18 Amesbury Group, Inc. Catalytic, water-soluble polymeric films for metal coatings
JPH05202483A (ja) * 1991-04-25 1993-08-10 Shipley Co Inc 無電解金属化方法と組成物
DE69204564T2 (de) * 1991-06-12 1996-05-02 Philips Electronics Nv Verfahren zur selektiven stromlosen Metallisierung eines Musters aus einem anderen Werkstoff als Glas auf einem Glasträger.
EP0577187B1 (en) 1992-06-29 1995-12-13 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of providing a metal pattern on glass in an electroless process

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4681774A (en) * 1986-01-17 1987-07-21 Halliwell Michael J Laser induced selective electroless plating
EP0287843A1 (de) * 1987-04-24 1988-10-26 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Herstellung von Leiterplatten
US4882200A (en) * 1987-05-21 1989-11-21 General Electric Company Method for photopatterning metallization via UV-laser ablation of the activator
EP0557952A1 (en) * 1992-02-25 1993-09-01 Nippondenso Co., Ltd. Plating method and cylindrical coil obtained thereby

Also Published As

Publication number Publication date
US6238749B1 (en) 2001-05-29
TW301842B (nl) 1997-04-01
EP0647729B1 (en) 1997-06-18
DE69403876T2 (de) 1998-01-02
DE69403876D1 (de) 1997-07-24
JPH07188936A (ja) 1995-07-25
EP0647729A1 (en) 1995-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
BE1007610A3 (nl) Werkwijze voor het stroomloos aanbrengen van een metaalpatroon op een elektrisch isolerend substraat.
US5378502A (en) Method of chemically modifying a surface in accordance with a pattern
JP3320504B2 (ja) ガラス基板上に金属パターンを無電解法で設ける方法
EP0510711B1 (en) Processes and compositions for electroless metallization
US4701351A (en) Seeding process for electroless metal deposition
US5510216A (en) Selective metallization process
JP3503546B2 (ja) 金属パターンの形成方法
JPH07110921B2 (ja) 重合体フイルムの選択的な触媒活性化
KR20060007503A (ko) 가요성 기판 상의 고전도성 금속 패턴 형성 방법 및 이를이용한 전자파 차폐 필터
KR100709446B1 (ko) 저저항 금속패턴 형성 방법
JP4708859B2 (ja) 薄層トランジスタ、それを用いたアクティブマトリックス型表示装置、及び、液晶表示装置
EP0577187B1 (en) Method of providing a metal pattern on glass in an electroless process
KR20060081444A (ko) 포지티브 금속패턴 형성 방법 및 이를 이용한 전자파 차폐필터
US7205098B2 (en) Method for manufacturing high-transmittance optical filter for image display devices
JP3058063B2 (ja) 無電解めっきのための活性化触媒液および無電解めっき方法
JPH06186417A (ja) 無電解法でブラックマトリックスを製造する方法
JP2005272961A (ja) 導電性パターン材料、金属微粒子パターン材料及びパターン形成方法
JP2008106345A (ja) 導電性膜の形成方法、それを用いて形成された導電性膜、並びにプリント配線基板、薄層トランジスタ、及び装置
JP2769833B2 (ja) 金属材料パターンの形成方法
EP0587231B1 (en) Method of chemically modifying a surface in accordance with a pattern
EP0729293B1 (en) Selective metallization process
EP0583822B1 (en) Method of manufacturing a black matrix of nickel on a passive plate of a liquid crystal display device in an electroless process
JP2008242412A (ja) 積層体、導電性パターン形成方法及びそれにより得られた導電性パターン、プリント配線基板及び薄層トランジスタ、並びにそれらを用いた装置
JPH0978250A (ja) 導電性パターンの形成方法
WO2022270504A1 (ja) 被めっき基板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
RE Patent lapsed

Owner name: PHILIPS ELECTRONICS N.V.

Effective date: 19951031