JP4507126B2 - 偏光板の製造方法 - Google Patents

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    • G02B5/3058Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state comprising electrically conductive elements, e.g. wire grids, conductive particles

Description

本発明は、無機材料からなるワイヤグリッド偏光板の製造方法に関する。
液晶ディスプレイに用いられる偏光板には、例えば有機材料を用いたものと無機材料を用いたものがある(非特許文献1参照)。特に、近年の高輝度向けのフロントあるいはリアプロジェクションテレビにおいては、液晶パネルの小型化による光学ブロック全体の小型化に伴い、光学部品の耐久性を向上させるため無機材料を用いた光学素子、例えばワイヤグリッドが使用される場合が増えている。
ところが、有機材料からなる偏光板が有機材料を塗布したフィルムを延伸させることで作製することができる一方、無機材料で作製されるワイヤグリッドは、ガラスなどの基板上に金属層を成膜し、微細加工技術を用いてパターニングする必要がある。特に、可視光領域で所望の特性を得るためには、サブミクロンという微細なパターンを形成する必要がある。このような微細パターンのワイヤグリッドは、図11に示したように、例えばガラス基板101上に、アルミニウム(Al)などの金属層を成膜し、これをリソグラフィ法によってパターニングすることで微細な線状突起102A形成することによって作製することができる(例えば、特許文献1)。
また、近年では、電子線やX線を用いたリソグラフィ法とリフトオフ法を用いて作製する方法(特許文献2)、柔軟な誘電体基板上に金属膜を形成し、その金属膜の融点以下で基板と金属膜とを延伸することにより作製する方法(特許文献3)、微細パターンを疎水性薄膜や親水性薄膜へナノインプリントリソグラフィー技術を用いて転写し、めっき法にて金属細線を成長させる方法(特許文献4)、大量生産を目的に、基板上に形成されたポリマー膜をエンボス技法によりパターニングし、そこへ金属層を形成後、ポリマー膜を除去することでパターニングされた金属構造を得る方法(特許文献5)が提案されている。
米国特許第6122103号公報 特開平10−153760号公報 特開2001−74935号公報 特開2005−70456号公報 特開2006−84776号公報 株式会社ポラテクノ 松尾 正、"MDリアプロジェクションTVの技術動向"p7〜8、[online]、インターネット<URL:http://www.polatechno.co.jp/contents/tech/public/pdf/0006/MDRPTV.pdf>
しかしながら、上記特許文献1〜3のリソグラフィ法を用いた作製方法では、ワイヤグリッドの金属層の材料を基板全面に形成したのち、レジストを塗布する工程、露光工程、現像工程、エッチング工程を経てパターニングを行うため、使用する材料や工程が多くなるという問題がある。また、特許文献4のナノインプリントリソグラフィー法を用いた方法や特許文献5のポリマー膜を用いたエンボス法による作製方法についても工程数が多くなるという問題がある。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、簡易な工程で製造可能な偏光板の製造方法を提供することにある。
本発明の偏光板の製造方法は、光透過性の基板上にその面内の一の方向に延在するように複数の線状突起を形成するものであって、基板上の複数の線状突起の形成予定領域に、無電解めっき処理の触媒層をパターン形成する工程と、触媒層を形成した基板に無電解めっき処理を施すことにより触媒層上にめっき層を成膜して複数の線状突起を形成する工程とを含むものである。ここで、触媒層をパターン形成する工程は、平版の表面にその全面に渡って触媒層を成膜する工程と、平版上に成膜された触媒層の表面に複数の線状突起の形成予定領域に対応して凹凸パターンを有する凹凸版を圧着させる工程と、圧着後、平版と凹凸版とを分離することにより触媒層のうちの凹凸版の凹面に対応する部分を平版上に残存させることによって、平版上において触媒層をパターン形成する工程と、平版上において触媒層をパターン形成した後、平版の触媒層側に基板を圧着し、分離することにより、パターン形成された触媒層を平版から基板上へ転写する工程とを含んでいる。
本発明の偏光板の製造方法では、基板上の複数の線状突起の形成予定領域に、無電解めっき処理の触媒層をパターン形成したのち、無電解めっき処理を施すことにより、基板上に形成された触媒層のパターンに対応してめっき層が析出される。
本発明の偏光板の製造方法によれば、基板上の複数の線状突起の形成予定領域に、無電解めっき処理の触媒層をパターン形成したのち、無電解めっき処理を施すようにしたので、基板上に形成された触媒層のパターンに対応してめっき層を析出させることができる。これにより、リソグラフィ法などに比べて少ない工程数で、基板上に複数の線状突起をパターン形成することができる。よって、簡易な工程で製造することができる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
[第1の実施の形態]
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る偏光板10の概略構成を表す断面図である。
偏光板10は、特定の偏光のみを透過させる光学素子であり、無機材料を用いて形成されるワイヤグリッド偏光板である。偏光板10は、例えば、基板11の表面に密着層12が形成され、この密着層12上には、複数の線状突起13がパターン形成されている。複数の線状突起13は、図のZ方向に沿って延在し、X方向に沿って配列している。各線状突起13は、基板11の側から下地層13Aとめっき層13Bとを順に積層した構成となっている。
基板11は、可視光領域で透明性を有する基板、例えば合成石英、ガラスなどの光学ガラスから構成され、例えば厚みは0.5mm〜3.0mmである。なお、基板11としては、例えば硼珪酸ガラスのBK7などを用いることができる。
密着層12は、下地層13Aの基板11に対する密着性を高めるものである。この密着層12の構成材料としては、シランカップリング剤、例えば、アミノ系シラン化合物、メルカプト系シラン化合物、フェニル系シラン化合物、アルキル系シラン化合物などの化合物のうち少なくとも1つ以上を含んだものが挙げられ、下地層13Aおよび基板11を構成する材料に応じて適切なものを選択すればよい。
線状突起13は、X方向の幅が例えば50nm〜100nmで、ピッチが例えば100nm〜150nmのパターンで複数設けられている。これにより、例えば可視光の波長領域の光を透過させるようになっている。
下地層13Aは、後述の無電解めっき処理の触媒材料、例えばパラジウム(Pd)、、金(Au)、白金(Pt)、銀(Ag)などのうち少なくとも1種を含んで構成され、例えば厚みが数nm〜数十nmである。
めっき層13Bは、下地層13Aを触媒として後述の無電解めっき処理により析出され、例えば厚みが100nm〜200nmである。めっき層13Bを構成する材料としては、例えばニッケル(Ni)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、パラジウム(Pd)、コバルト(Co)、白金(Pt)、インジウム(In)、錫(Sn)、ロジウム(Rh)などの金属単体を用いることができる。加えて、これらの金属と共析可能な金属、例えばリン(P)、ホウ素(B)、クロム(Cr)、マンガン(Mn)、鉄(Fe)、亜鉛(Zn)、モリブデン(Mo)、カドミウム(Cd)、タングステン(W)、レニウム(Re)、チタン(Ti)、硫黄(S)、バナジウム(V)などをさらに用いるようにしてもよい。
但し、めっき層13Bの構成材料は、無電解めっき処理の触媒として機能する下地層13Aの構成材料との関係によって適宜選択されるものである。
また、このような偏光板10における線状突起13の積層構造は、例えば次の(1)〜(3)の方法により特定することができる。
(1)線状突起13の断面を、例えば透過型電子顕微鏡(TEM:Transmission Electron Microscope)により観察し、無電解めっき処理の触媒材料(下地層13A)を検出する。
(2)線状突起13に共析可能な金属が含まれているかどうかを、例えばSIMS(Secondary Ion-microprobe Mass Spectrometer)、X線光電子分光法(XPS:X-ray Photoelectron Spectroscopy)などにより検出する。例えば、めっき層13Bがニッケルを含んで構成されている場合には、これに加えてホウ素やリンなどが含まれているかどうかを検出する。
(3)線状突起13中に、無電解めっき処理で使用される有機化合物などの添加剤が含まれているかを、例えばSIMSにより検出する。
次に、上記のような偏光板10の製造方法について、図2〜図5を参照して説明する。図2〜図5は、偏光板10の形成方法を工程順に示した断面図である。
(1.下地層13Aのパターン形成)
まず、図2(A)に示したように、線状突起13の形成予定領域に下地層13Aをパターン形成するための版(後述の凸板201)の型となるマスタ版200を作製する。このマスタ版200の凹凸パターンは、例えばサブミクロンオーダーの微細な周期構造であり、ナノインプリント技術でも応用されている電子ビームやレーザーを使った露光やフォトリソグラフィ法を用いて作製することができる。これにより、所望の精度のパターンを形成することが可能となる。マスタ版200としては、例えばシリコン、石英、ニッケルなどを用いることができる。但し、その後のプロセスに問題を生じない材料であればどのような材料を用いてもよい。
次いで、図2(B)に示したように、作製したマスタ版200に、例えばPDMS(ポリジメチルシロキサン)201aを流し込み、マスタ200の凹凸の反転パターンをPDMS201aに写しとる。PDMS201aとしては、具体的にはSYLGARD184(商品名:東レ・ダウコーニング社製)を用いることができ、2液混合後、攪拌、脱泡処理を行ったのち、例えば60℃で12時間、恒温槽にて加熱重合させたものを使用する。これにより、図3(A)に示したように、細線パターンに対応した下地層13Aをパターン形成するための凸板201を作製する。
次いで、図3(B)に示したように、作製した凸版201の凹凸パターンが形成されている面に、触媒層13A−1を形成する。この触媒層13A−1は、ディップコーティング法、スプレー法など種々のコーティング法を用いて、上述の触媒材料を含む溶剤、例えばパラジウム微粒子やパラジウム錯体を含む溶剤を塗布したのち、例えば乾燥窒素で余分な溶剤を飛ばして乾燥させることにより形成することができる。あるいは、凸板201の凹凸パターンの側を、上述の触媒材料を含む触媒付与剤に数秒から数分の間浸したのち乾燥させることにより、触媒層13A−1を形成するようにしてもよい。なお、触媒付与剤としては、例えば奥野製薬(株)製のパラジウム触媒付与剤(OPC50インデューサ:商品名)を用いることができる。
一方、図4に示したように、上述の材料よりなるよりなる基板11を、アルカリ溶液で洗浄後、純水で洗浄して乾燥させたのち、その表面に密着層12を形成する。例えば、基板11に、シランカップリング剤を用いた気相法やスピンコート法による表面処理を施すことにより形成する。この際、気相法を用いる場合には、テフロン(登録商標)などの容器に基板11とシランカップリング剤を入れたガラス瓶を入れ、容器全体をオーブンに入れて、例えば120℃、〜12時間加熱する。こののち、シランカップリング剤を溶解することが可能なエタノールや水などの溶剤で超音波洗浄を行うことにより、余分なシランカップリング剤(ガラス基板と結合していないシランカップリング剤)を除去することができる。なお、シランカップリング剤としては、例えば、信越化学工業(株)製のKBM−603(N−2(アミノエチル)3−アミノプロピルトリメトキシシラン)(商品名)を用いることができる。
次いで、図5(A)に示したように、密着層12を形成した基板11に対し、触媒層13A−1を形成した凸版201を、密着層12と触媒層13A−1が対向するように重ね合わせ、圧着する。この際、密着層12と凸版201の凹凸パターンの凸面に形成された触媒層13A−1とを、5kPa以下程度の低い圧力で接触させる。このとき、凸版201の凹凸パターンの凸面以外の部分(凹部)は接触しないように注意する。凹部が接触してしまうと、所望のパターンが得られないためである。
続いて、図5(B)に示したように、圧着させていた凸版201と基板11とを分離すると、凸版201の凸面に形成されていた触媒層13A−1のみが、基板11上の密着層12側へ一括転写される。こののち、触媒層13A−1を転写した基板11を、大気中で100℃〜150℃の温度で加熱することで、転写された触媒層13A−1の基板11に対する密着性を強固にすることができる。これにより、基板11の密着層12上に、下地層13Aをパターン形成することができる。
(2.無電解めっき処理)
最後に、下地層13Aを形成した基板11に対して、無電解めっき処理を施すことにより、下地層13A上にめっき層13Bが析出される。この際、めっき液としては、例えばニッケルをめっき膜として析出させる場合には、上村工業社製のNi−B成膜用めっき液BEL−801(商品名)を用いることができる。めっき浴の温度は例えば60℃とし、浸漬時間は所望の膜厚によって適宜設定する。また、成膜レートは、例えば200nm/分とする。以上により、図1に示した偏光板10を完成する。
このように、本実施の形態の偏光板10の製造方法では、無電解めっきの触媒材料を含む下地層13Aをパターン形成した基板11に対して、無電解めっき処理を施すことにより、下地層13Aのパターンに対応してめっき層13Bが形成される。
特に、線状突起13の微細パターンに対応した凹凸パターンを有するマスタ版200を用いて、凸版201を作製したのち、この凸版201に触媒層13A−1を形成し、この触媒層13A−1と基板11上の密着層12を圧着させることにより、基板11の密着層12上には、線状突起13の形成予定領域に下地層13Aが転写される。
以上のように、本実施の形態の偏光板10の製造方法によれば、マスタ版200を用いて作製した凸版201に触媒層13A−1を形成し、この触媒層13A−1と基板11上の密着層12を圧着させるようにしたので、基板11に対して、所望のパターンで下地層13Aを一括形成することができる。こののち、下地層13Aを触媒として無電解めっき処理を施すことにより、下地層13Aのパターンに対応してめっき層13Bを形成することができる。これにより、リソグラフィ法などに比べて少ない工程数で、複数の線状突起13を微細なパターンで形成することができる。よって、簡易な工程で、ワイヤグリッドなどの無機材料からなる偏光板10を製造することができる。
[第2の実施の形態]
図6〜図8は、本発明の第2の実施の形態に係る偏光板の製造方法を工程順に表す断面図である。但し、本実施の形態では、下地層13Aをパターン形成する工程以外は、上記第1の実施の形態の偏光板10の製造方法と同様にして、図1に示したような偏光板10を製造することができる。従って、以下では、下地層13Aのパターン形成工程について説明する。また、上記実施の形態と同様の構成要素については、同一の符号を付し、適宜説明を省略するものとする。
まず、図6(A)に示したように、表面に凹凸パターンのない平版202を作製する。この平版202は、例えばPDMSをガラス基板上にスピンコート法などを用いて塗布することにより作製することができる。あるいは、フッ素化処理を施した2枚のガラス基板をスペーサでギャップ保持したのち、これらのガラス基板の間にPDMSを流し込み硬化させることにより作製するようにしてもよい。
続いて、図6(B)に示したように、作製した平版202の全面にわたって、触媒層13A−1を形成する。触媒層13A−1は、上記第1の実施の形態と同様にして、種々のコーティング法を用いて、上述の触媒材料を含む溶剤を塗布したのち、乾燥させることにより形成する。
次いで、図7(A)に示したように、平版202上に形成した触媒層13A−1に対して、例えば5kPa以下の圧力でマスタ版200を圧着させる。このとき、マスタ版200の凹凸パターンが形成されている面を触媒層13A−1に対向させ、凹凸パターンの凸面のみが触媒層13A−1に接触するようにする。なお、マスタ版200は、上記第1の実施の形態において凸版201を作製する際に型として用いたものと同一のものを使用するようにしてもよい。
続いて、図7(B)に示したように、マスタ版200を平版202から剥がす。このようにすると、マスタ版200と接触した部分、すなわちマスタ版200の凸面には触媒層13A−1が転写される。一方、平版202上には、マスタ版200の凹部に対応する領域の触媒層13A−1が残存する。これにより、下地層13Aがパターン形成される。
次いで、図8(A)に示したように、下地層13Aをパターン形成した平板202と、上記と同様にして密着層12を形成した基板11とを、下地層13Aと密着層12とが対向するように重ね合わせ、例えば5kPa以下の圧力で圧着させる。
続いて、図8(B)に示したように、平板202を基板11から剥がすと、下地層13Aのパターンが密着層12上に転写される。このようにしてパターン形成した下地層13を触媒として、上述したような無電解めっき処理を施すことにより、めっき層13Bが形成される。
以上のように、本実施の形態では、平版202表面の全面に触媒層13A−1を形成したのち、この触媒層13A−1にマスタ版200を圧着させるようにしたので、平版202上に所望のパターンで下地層13Aを形成することができる。こののち、基板11に形成した密着層12に対して、平版202にパターン形成された下地層13Aを圧着させるようにしたので、基板11に対して下地層13Aを所望のパターンで一括形成することができる。このように、下地層13Aを凹凸パターンのない平版を用いて転写することも可能である。
(変形例)
次に、上記第1および第2の実施の形態に係る偏光板10の変形例について図9を参照して説明する。
図9は、本変形例に係る偏光板40の概略構成を表す断面図である。この偏光板40は、基板11の線状突起13が形成されている側と反対側の面(以下、裏面という)に、反射防止層41が形成されていること以外は、図1に示した偏光板10と同様の構成となっている。従って、上記第1および第2の実施の形態と同様の構成については説明を省略する。
反射防止層41は、光の反射を防止するためのものであり、例えば低屈折率材料であるMgF2の単層や、低屈折率材料であるMgF2やSiO2などと高屈折率材料であるTiO2やZrO2などとの多層膜から構成されている。この反射防止層41は、基板11の裏面に、例えばスパッタリング法や真空蒸着法などによって上記材料を成膜することにより形成することができる。
本変形例では、基板11の裏面側に反射防止層41を形成することにより、入射あるいは出射する光が反射することが抑制され、光の利用効率が向上する。このように、基板11の裏面側に反射防止層などの光学層を設けるようにしてもよい。
(適用例)
次に、上記第1および第2の実施の形態で説明した偏光板10の適用例(液晶プロジェクタ1)について図10を参照して説明する。
図10は、液晶プロジェクタ1の概略構成を表すものである。液晶プロジェクタ1は、光源からの光を液晶パネルによって変調することにより映像光を生成し、この映像光を拡大投射することによって表示を行うフロント型もしくはリア型のプロジェクタ装置である。この液晶プロジェクタ1は、光軸Z1上に、ランプ15、UV/IRカットフィルタ16、マイクロレンズアレイ17,18、PS偏光合成素子19、コンデンサレンズ20、ミラー21、ダイクロイックミラー22R,22G、ミラー23,24,25、集光レンズ26R,26G,26B、液晶パネル27R,27G,27B、クロスプリズム28、投射レンズ29を備えている。このような構成において、液晶パネル28R,28G,28Bのそれぞれの光入射側および光出射側に、偏光板10R−1,10R−2,10G−1,10G−2,10B−1,10B−2が設けられている。これら偏光板10R−1,10R−2,10G−1,10G−2,10B−1,10B−2が上記第1および第2の実施の形態に係る偏光板10に対応している。
ランプ15は、白色光を発する光源であり、例えば発光体と凹面鏡(反射鏡)とを含んで構成されている。発光体としては、可視光の全波長領域に亘って連続な発光スペクトルを有するランプ、例えば、UHPランプなどのキセノンランプが用いられる。
UV/IRカットフィルタ16は、紫外や赤外の波長領域の光をカットするための光学フィルタである。マイクロレンズアレイ17,18は、例えばフライアイレンズ系として機能するものであり、光源からの光を均一に拡散するために設けられる。PS変換素子19は、一方の偏光を他方の偏光に変換することにより光利用効率を高めるために設けられる。コンデンサレンズ20は、PS偏光合成素子から出射した光を集光するためのものである。
ミラー21,23,24,25はそれぞれ、プロジェクタ装置内部の構造上、所定の箇所で光路を変換させるために設けられるものである。ダイクロイックミラー22R,22Gは、ミラー21によって光路変換された光を、R(Red:赤),G(Green:緑),B(Blue:青)の3色の色光に分解するために設けられるものである。本実施の形態では、ダイクロイックミラー22RにおいてR光のみが反射され、それ以外の波長領域の光(G光、B光)は透過される。また、ダイクロイックミラー22GにおいてG光のみが反射され、それ以外の波長領域の光(B光)は透過される。
液晶パネル27R,27G,27Bはそれぞれ、ダイクロイックミラー22R,22Gによって分解されたR,G,Bの3色の色光を、各映像信号に基づいて変調、透過させることにより映像光を生成する透過型の光変調素子である。そして、液晶パネル27Rの光入射側および光出射側に、一対の偏光板10R−1,10R−2がそれらの偏光軸が互いに直交するように配置されている。同様に、液晶パネル27Gに対して偏光板10G−1,10G−2,液晶パネル27Bに対して偏光板10B−1,10B−2がそれぞれ設けられている。
クロスプリズム28は、液晶パネル27R,27G,27Bによって各色光ごとに生成された映像光を合成する光合成素子である。投射レンズ29は、クロスプリズム28によって合成された映像光を拡大してスクリーンなどへ投射するレンズ系である。
このような液晶プロジェクタ1では、ランプ15からの光が、UV/IRカットフィルタ16、マイクロレンズアレイ17,18、PS偏光合成素子19、コンデンサレンズ20を順に透過し、ミラー21によって光路変換されたのち、ダイクロイックミラー22R,22Gによって3色の色光に分解される。分解された各色光は、ミラー23,24,25によって、所定の光路に変換されて、一対の偏光板をそれぞれ有する液晶パネル27R,27G,27Bに入射する。液晶パネル27R,27G,27Bによって、各色光ごとに映像光が生成されたのちクロスプリズム28により合成され、投射レンズ29によって投射される。
以上、実施の形態および実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態等に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態等では、基板11上に13個の線状突起が所定の幅、ピッチで形成されている構成を例に挙げて説明したが、これに限定されるものではなく、必要とされる偏光板としての特性に応じて線状突起の数、幅、ピッチ等は適宜設定されるものである。
また、上記実施の形態では、偏光板の適用例として、透過型の液晶パネルを用いた液晶プロジェクタの構成を例に挙げて説明したが、これに限定されず、反射型の液晶パネルを用いた液晶プロジェクタに適用することも可能である。また、3枚の液晶パネルを用いてカラー表示を行う3板式の構成を例に挙げて説明したが、これに限定されず、2板式や単板式の構成にも適用可能である。
また、上記実施の形態等では、液晶プロジェクタの光源として、白色光を発するランプを例に挙げて説明したが、これに限定されず、上記液晶プロジェクタの光学部品の構成を適宜変更することで、他の光源、例えば半導体レーザや固体レーザ、あるいはLEDなどを用いることもできる。
また、本発明により形成された偏光板は、上述した液晶プロジェクタに限定されず、例えば光通信用や光記録用に使用される薄型のワイヤグリッド偏光板などにも適用することが可能である。
さらに、上記実施の形態等において説明した各構成要素の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、また他の成膜方法および成膜条件としてもよい。
本発明の一実施の形態に係る偏光板の概略構成を表す断面図である。 図1に示した偏光板の製造方法を工程順に表す断面図である。 図2に続く工程を表す断面図である。 基板上に密着層を形成する工程を表す断面図である。 図3および図4に続く工程を表す断面図である。 本発明の他の実施の形態に係る偏光板の製造方法を工程順に表す断面図である。 図6に続く工程を表す断面図である。 図7に続く工程を表す断面図である。 図1に示した偏光板の変形例に係る偏光板の概略構成を表す断面図である。 図1に示した偏光板の適用例に係る液晶プロジェクタの概略構成を表す断面図である。 従来の偏光板の概略構成を表す断面図である。
符号の説明
1…液晶プロジェクタ、10,40,10R−1,10R−2,10G−1,10G−2,10B−1,10B−2…偏光板、11…基板、12…密着層、13…線状突起、13A…下地層、13A−1…触媒層、13B…めっき層。

Claims (3)

  1. 光透過性の基板上にその面内の一の方向に延在するように複数の線状突起を形成する偏光板の製造方法であって、
    前記基板上の前記複数の線状突起の形成予定領域に、無電解めっき処理の触媒層をパターン形成する工程と、
    前記触媒層をパターン形成した基板に無電解めっき処理を施すことにより前記触媒層上にめっき層を成膜して前記複数の線状突起を形成する工程とを含み、
    前記触媒層をパターン形成する工程は、
    平版の表面にその全面に渡って前記触媒層を成膜する工程と、
    前記平版上に成膜された前記触媒層の表面に、前記複数の線状突起の形成予定領域に対応して凹凸パターンを有する凹凸版を圧着させる工程と、
    圧着後、前記平版と前記凹凸版とを分離することにより前記触媒層のうちの前記凹凸版の凹面に対応する部分を前記平版上に残存させることによって、前記平版上において前記触媒層をパターン形成する工程と、
    前記平版上において前記触媒層をパターン形成した後、前記平版の前記触媒層側に前記基板を圧着し、それらを分離することにより、前記パターン形成された触媒層を前記平版から前記基板上へ転写する工程と
    を含む偏光板の製造方法。
  2. 前記平版は、ガラス基板上にシリコン樹脂を塗布することにより形成する
    請求項1に記載の偏光板の製造方法。
  3. 前記平版は、フッ素化処理を施した一対のガラス基板間にシリコン樹脂を流し込み、前記シリコン樹脂を硬化させることにより形成する
    請求項1に記載の偏光板の製造方法。
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