JP2003131013A

JP2003131013A - レンズアレイ基板及び液晶表示装置

Info

Publication number: JP2003131013A
Application number: JP2001330023A
Authority: JP
Inventors: Keiji Kobayashi; 圭二小林; Osamu Nishizaki; 修西崎; Kodai Kurata; 剛大倉田; Hiroyuki Miyamoto; 寛之宮本
Original assignee: Omron Corp; Omron Tateisi Electronics Co
Current assignee: Omron Corp
Priority date: 2001-10-26
Filing date: 2001-10-26
Publication date: 2003-05-08
Anticipated expiration: 2021-10-26
Also published as: US20030081153A1; JP4224963B2; US6825898B2

Abstract

(57)【要約】【課題】ＴＦＴ等の素子の動作不安定や誤動作を防止
しつつ、液晶表示パネル等の温度上昇を抑制することが
できるレンズアレイ基板と画像表示装置を提供する。【解決手段】ガラス基板７６の上にレンズ樹脂層７８
と封止樹脂層７９を設け、互いに屈折率の異なるレンズ
樹脂層７８と封止樹脂層７９との界面にレンズアレイ８
０を形成する。封止樹脂層７９の上に設けたカバー基板
８１の表面に、レンズアレイ８０を構成する各レンズの
境界エッジ部７７と対向する領域に沿って、ＡｌやＡｇ
等の光反射率の高い材料からなる遮光部材８２を形成
し、遮光部材８２の上からカバー基板８１の全面に透明
電極８３を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レンズアレイ基板
及び液晶表示装置に関する。特に、プロジェクタ用途に
用いられる液晶表示装置や、該装置に用いられるレンズ
アレイ基板に関するものである。

【０００２】

【背景技術】透過型の液晶表示装置は、主として液晶表
示パネル及び光源装置（バックライト）によって構成さ
れている。図１は、このような液晶表示パネル１の内部
構造を示す概略分解斜視図である。透過型の液晶表示パ
ネル１は、裏面側基板２と表面側基板３との間に液晶層
４を挟んで封止した構造を有している。裏面側基板２
は、ガラス基板５の表面の各画素領域毎に画素電極６及
びＴＦＴ（薄膜トランジスタ）７を形成したものであ
り、その上には配向膜８が形成されている。また、表面
側基板３は、ガラス基板９の裏面に赤（Ｒ）、緑
（Ｇ）、青（Ｂ）の三原色のカラーフィルタ１０が形成
され、その裏面全面に透明電極（ＩＴＯ）１１が形成さ
れ、その上に配向膜１２が形成されたものである。液晶
層４は、表面側基板３の配向膜１２と裏面側基板２の配
向膜８との間に形成された空間内に充填されており、周
囲は封止用のスペーサ（図示せず）によって封止されて
いる。また、裏面側基板２の裏面と表面側基板３の表面
には、それぞれ偏光板１３、１４が対向させられてい
る。

【０００３】しかして、液晶表示パネル１の背面から光
源装置によって光を照射し、ＴＦＴ７によって各画素電
極６と透明電極１１との間の印加電圧のＯＮ、ＯＦＦを
制御することにより、液晶表示パネル１の各画素の光透
過状態と遮光状態を制御し、画像を生成する。

【０００４】このような液晶表示パネル１においては、
コントラストを向上させて画像をくっきりとさせるた
め、カラーフィルタ１０とカラーフィルタ１０の間の間
隙部分をブラックマトリクス１５で覆い、光源装置から
の光がカラーフィルタ１０間を通過しないようにしてい
る。ブラックマトリクス１５の材料としては、光吸収性
の樹脂やクロム膜が用いられており、印刷法によってブ
ラックマトリクス１５を形成したり、蒸着やスパッタ法
によってブラックマトリクス１５を成膜した後、フォト
リソグラフィ法を用いてブラックマトリクス１５をパタ
ーニングしている。

【０００５】一方、液晶表示装置は、パーソナルコンピ
ュータ（ＰＣ）、携帯端末（ＰＤＡ）、携帯電話等の画
像表示部以外にも、液晶プロジェクタなどのプレゼンテ
ーションツールとしての応用が試みられ、商品化されて
いる。特に、液晶プロジェクタは、会議における説明資
料投影用やデジタルシネマ等として一般的に用いられる
ようになっている。

【０００６】図２はカラー液晶プロジェクタ２１の構造
を説明する図である。リフレクタを備えたハロゲンラン
プ等の光源装置２２の前方には、青色光３４Ｂのみを透
過させ、赤色光３４Ｒ及び緑色光３４Ｇを反射させるダ
イクロイックミラー２３が斜め４５°の角度で設置され
ている。ダイクロイックミラー２３の光透過方向には、
同じく斜め４５°の角度で全反射ミラー２４が設置され
ており、全反射ミラー２４の光反射方向には、青色画像
を生成させるための単色用の液晶表示パネル２５が設置
され、液晶表示パネル２５は２方向の反射面を有するプ
リズム２６の側面に対向している。また、ダイクロイッ
クミラー２３の光反射方向には、緑色光３４Ｇを反射さ
せ、赤色光３４Ｒを透過させるダイクロイックミラー２
７が斜め４５°の角度で設置されており、ダイクロイッ
クミラー２７の光反射方向には、緑色画像を生成させる
ための単色用の液晶表示パネル２８が設置され、液晶表
示パネル２８は前記プリズム２６の背面に対向してい
る。また、ダイクロイックミラー２７の光透過側には全
反射ミラー２９が斜め４５°の角度で設置され、全反射
ミラー２９の光反射側には、−４５°の角度で全反射ミ
ラー３０が設置されており、全反射ミラー３０の光反射
方向には、赤色画像を生成させるための単色用の液晶表
示パネル３１が設置され、液晶表示パネル３１は前記プ
リズム２６の異なる側面に対向している。さらに、前記
プリズム２６の前面には投射レンズ３２が設けられてい
る。

【０００７】しかして、光源装置２２から出射された白
色光のうち、青色光３４Ｂはダイクロイックミラー２３
を透過し、全反射ミラー２４で全反射された後、液晶表
示パネル２５を照射する。液晶表示パネル２５に青色光
が照射されると、液晶表示パネル２５を透過した光によ
って青色画像が生成され、この青色画像は前記プリズム
２６の反射面で前方へ反射される。また、光源装置２２
から出射された白色光のうち、緑色光３４Ｇはダイクロ
イックミラー２３で反射され、さらにダイクロイックミ
ラー２７で反射された後、液晶表示パネル２８を照射す
る。液晶表示パネル２８に緑色光３４Ｇが照射される
と、液晶表示パネル２８を透過した光によって緑色画像
が生成され、この緑色画像は前記プリズム２６を透過す
る。また、光源装置２２から出射された白色光のうち、
赤色光３４Ｒはダイクロイックミラー２３で反射され、
ダイクロイックミラー２７を透過した後、全反射ミラー
２９、３０で全反射され、液晶表示パネル３１を照射す
る。液晶表示パネル３１に赤色光３４Ｒが照射される
と、液晶表示パネル３１を透過した光によって赤色画像
が生成され、この赤色画像は前記プリズム２６の反射面
で前方へ反射される。

【０００８】このようにして液晶表示パネル２５で生成
された青色画像と、液晶表示パネル２８で生成された緑
色画像と、液晶表示パネル３１で生成された赤色画像と
は、プリズム２６によって重ね合わされることによって
カラー画像となり、投射レンズ３２に照射される。投射
レンズ３２を通過したカラー画像は、前方のスクリーン
３３の上に結像され、スクリーン３３にカラー画像が映
し出される。

【０００９】このような液晶プロジェクタにおいては、
使用上の利便性と画像品質を高めるため、より小型化と
高輝度化が求められている。また、液晶プロジェクタや
パーソナルコンピュータの高分解能化のニーズも高く、
それに応じて液晶表示パネルの画素数も非常に大きくな
ってきている。画素数を増大させるために画素面積を小
さくしても、各画素内のＴＦＴやその配線を小さくする
ことは困難であるため、画素数を大きくして画素面積を
微小化するにつれて画素開口部の比率（開口率）は次第
に小さくなる。従って、画素開口率が小さくなっても画
面の明るさをそれ以前よりも低下させないためには、光
源装置の光量をより大きくする必要がある。

【００１０】このような事情から、液晶プロジェクタや
画像表示用の液晶表示装置の光源装置は、次第に大光量
化してきている。しかし、光源装置の光量が大きくなる
と、ＴＦＴやその配線に照射される光量も大きくなるの
で、光によってキャリアが励起され易くなり、ＴＦＴの
動作不安定や誤動作が起き易くなる。

【００１１】そのため、光の利用効率を高めて光源装置
の光量の増大を抑制する方法として、裏面側基板にレン
ズアレイを設けたものが用いられる。図３は裏面側基板
４２にレンズアレイ４７を設けた液晶表示パネル４１を
示す概略断面図である。この液晶表示パネル４１の裏面
側基板４２では、ガラス基板４４の上に形成されたレン
ズ樹脂層４５の表面にレンズ状パターンを形成し、レン
ズ樹脂層４５の上に封止樹脂層４６を塗布して表面を平
らにしている。レンズ樹脂層４５と封止樹脂層４６とは
屈折率が異なっており、レンズ樹脂層４５と封止樹脂層
４６との界面にレンズアレイ４７が形成されている。さ
らに、封止樹脂層４６の上にはガラス製のカバー基板６
４が貼り付けられ、カバー基板６４の全面には透明電極
（ＩＴＯ）４８が形成され、透明電極４８の表面には配
向膜４９が設けられている。裏面側基板４２には、周囲
をスペーサ５０で封止された液晶層５１を挟んで表面側
基板４３が貼り合わされている。表面側基板４３では、
ガラス基板５２の裏面にカラーフィルタ５３及びブラッ
クマトリクス５４が形成され、その上に画素電極５５及
びＴＦＴ５６が形成され、その上に配向膜５７が形成さ
れている。さらに、表面側基板４３の表面と裏面側基板
４２の裏面には、それぞれ偏光板５８、５９が配設され
ている。

【００１２】しかして、このような液晶表示パネル４１
によれば、光源装置から出射され裏面側基板４２に入射
した光は、図４に示すように、レンズアレイ４７を透過
する際に、レンズアレイ４７によって各画素開口６０
（画素電極５５及びカラーフィルタ５３の部分）に集光
させられて画素開口６０を透過する。この結果、光源装
置の光は、ブラックマトリクス５４により遮蔽されるこ
となく、ほぼ１００％の光が画素開口６０を通過して前
方へ出射され、光の利用効率が非常に高くなる。また、
レンズアレイ４７を通過した光が画素開口６０に集まる
ことによってＴＦＴ５６やその配線に光が照射されにく
くなり、ＴＦＴ５６の動作不安定や誤動作が防止され
る。

【００１３】しかし、レンズアレイを理想的な形状に成
形することは困難であるため、実際には、レンズアレイ
を構成する各レンズ間の境界エッジ部が鈍化して丸みを
帯びることにより、レンズアレイを通過した光がＴＦＴ
やＴＦＴ配線に照射しており、十分にＴＦＴの動作不安
定や誤動作を解消することは困難であった。

【００１４】そのため、改良された液晶表示パネル６１
では、図５に示すように、裏面側基板４２の封止樹脂層
４６の上にガラス製のカバー基板６２を重ね、カバー基
板６２とその上の透明電極４８との間において、レンズ
アレイ４７の境界エッジ部と対応する位置に遮光部材６
３（これもブラックマトリクスと呼ばれることがあ
る。）を設け、ＴＦＴ５６に光が照射されるのを防止し
ている。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】図５に示したような液
晶表示パネルにおいては、ＴＦＴに照射される光量をで
きるだけ少なくしてＴＦＴの動作不安定や誤動作を少な
くするための工夫がされているが、ＴＦＴに光が照射す
るのを防止するために用いる遮光部材としては、光反射
率の小さなＣｒ（クロム）単層膜（光反射率は６０％程
度）が用いられている。

【００１６】光反射率の小さな材料からなる遮光部材
は、同時に光吸収率が高いため、図５のような構造の液
晶表示パネルでは、光源装置からの光照射により遮光部
材の温度が上昇し、液晶表示パネル全体の温度上昇の原
因となる。このような温度上昇は、液晶や配向膜に影響
を与え、液晶表示パネルの品質や寿命にも悪影響を及ぼ
す。例えば、液晶表示パネルの温度が６０℃〜７０℃程
度に達すると、液晶の分解や配向膜の特性変化などが生
じて液晶の配向の仕方が変わり、液晶表示パネルの特性
が劣化する恐れがある。特に、近年においては、上記の
ように液晶表示パネルの画素の高精細化が進んでいるた
め、それに応じてブラックマトリクスや遮光部材の占め
る面積の割合が増加しており、また、液晶表示パネルの
輝度向上のために照射される光量も大きくなっており、
液晶表示パネルの温度上昇は大きな問題となってきてい
る。

【００１７】本発明は、上記のような解決課題に鑑みて
なされたものであり、その目的とするところは、ＴＦＴ
等の素子の動作不安定や誤動作を防止しつつ、液晶表示
パネル等の温度上昇を抑制することができるレンズアレ
イ基板と液晶表示装置を提供することにある。

【００１８】

【発明の開示】本発明にかかるレンズアレイ基板は、複
数のレンズを配列させたレンズアレイを有するレンズア
レイ基板であって、前記レンズどうしの境界に対応する
領域に沿って遮光部材が設けられ、該遮光部材の光入射
側の面は、光の高反射率面となっていることを特徴とし
ている。典型的な場合には、高反射率面とは、７０％以
上の光反射率を有する面、より好ましくは、８０〜９０
％以上の光反射面を有する面である。遮光部材の高反射
率面と反対側の面は、同じく高反射率面となっていても
よく、高吸収率面となっていてもよく、拡散面でもよ
く、その他任意の面であっても差し支えない。

【００１９】本発明のレンズアレイ基板は、レンズアレ
イを構成する各レンズによって入射光を集光させること
ができる。また、レンズどうしの境界に対応する領域に
沿って遮光部材を設けているので、レンズどうしの境界
部分を通過した光を遮光部材によって遮断することがで
き、レンズ境界部分の成形誤差や鈍りによってレンズ境
界部分を通過した光が不規則な方向へ出射されるのを防
止することができる。しかも、この遮光部材の光入射側
の面は光反射率の高い面となっているので、遮断する光
を吸収して温度上昇しにくく、レンズアレイ基板の温度
上昇を小さくすることができる。

【００２０】本発明の実施態様においては、前記遮光部
材がＡｌ又はＡｇによって形成されているので、Ａｌ又
はＡｇによって光反射率の高い高反射率面を形成するこ
とができる。よって、遮光部材の取り扱いが容易で、コ
ストも比較的安価にすることができる。特に、Ａｇを用
いた場合には、約９８％という高い光反射率を得ること
ができる。

【００２１】また、本発明の別な実施態様における前記
遮光部材にあっては、該遮光部材が接している部材に含
まれている組成のうち少なくとも１つの組成と同じ成分
を添加されている。よって、遮光部材が接している部材
に含まれている成分が、該部材から遮光部材に拡散によ
って移動しにくくなり、遮光部材の膜質変化を抑制で
き、レンズアレイ基板の信頼性が向上する。例えば、遮
光部材がガラス面に接している場合であれば、遮光部材
にＳｉを添加すればよく、Ａｌを主材料とする遮光部材
の場合には、Ａｌ−Ｓｉ−ＣｕやＡｌ−Ｓｉ等によって
遮光部材を形成すればよい。

【００２２】本発明のさらに別な実施態様においては、
前記遮光部材を支持する部材と該遮光部材との間に、両
者の密着性を高めるための層を形成しているので、遮光
部材が遮光部材を支持する部材から剥離しにくくなり、
レンズアレイ基板の信頼性を向上させることができる。

【００２３】本発明のさらに別な実施態様における前記
遮光部材の光出射側の面は光の高吸収率面となっている
ので、遮光部材の光入射側の面が光の高反射率面とな
り、光出射側の面が光の高吸収率面となっている。よっ
て、レンズアレイ基板を透過した光が前方で反射して戻
ってきても、遮光部材で吸収することができる。よっ
て、レンズアレイ基板を透過した光が前方で反射して戻
ってきても、遮光部材で再び反射して迷光となるのを防
止できる。

【００２４】遮光部材の光出射側の面を高吸収率面とす
るためには、遮光部材の光出射側の面をＣｒ、酸化物
（例えばクロム酸化物など）、ポリマーなどによって形
成すればよい。クロム酸化物を用いれば、Ｃｒよりも光
吸収率を高くすることができ、また、Ｃｒの表面にクロ
ム酸化物を形成してもよい。また、ポリマーを用いれ
ば、大気中において室温プロセスで高吸収率面を形成す
ることが可能になる。さらに、ポリマーとして感光性ポ
リイミド等の感光性ポリマーを用いれば、フォトリソグ
ラフィプロセスを用いて高吸収率面を形成することがで
きる。

【００２５】本発明のさらに別な実施態様における前記
遮光部材は、前記高反射率面を構成する層と前記高吸収
率面を構成する層との間にエッチングストップ層を有し
ている。このような実施態様によれば、高反射率面を構
成する層と高吸収率面を構成する層のうち上層をエッチ
ングしてパターニングする際、エッチングストップ層の
存在によって下層がエッチングされることがないので、
下層がオーバーエッチングされてサイドエッチングによ
りパターン幅が狭くなり過ぎるのを防ぐことができる。

【００２６】本発明のさらに別な実施態様においては、
前記高吸収率面を構成する層を、光入射方向を向いたガ
ラス面に形成し、該高吸収率面を構成する層の上に前記
光反射率面を構成する層を形成している。すなわち、高
反射率面と高吸収率面を有する遮光部材を光入射方向を
向いたガラス面に形成すれば、高吸収率面を構成する層
がガラス面に接合されることになる。高吸収率面を構成
するＣｒ等の層は、高反射率面を構成するＡｌ等の層よ
りもガラスとの密着性がよいので、遮光部材を光入射方
向を向いたガラス面に形成すれば、簡単な構造で遮光部
材とガラス面との密着性を向上させることができる。

【００２７】本発明にかかる液晶表示装置は、液晶層を
挟んで請求項１ないし１２に記載のレンズアレイ基板と
対向基板とを対向させ、前記レンズアレイを構成する各
レンズに対向させて前記レンズアレイ基板又は前記対向
基板のうちいずれか一方に画素電極を形成し、前記レン
ズアレイ基板又は前記対向基板のうち他方に透明電極を
形成したことを特徴としている。

【００２８】本発明にかかる液晶表示装置によれば、レ
ンズアレイを構成する各レンズによって入射光を集光さ
せ、入射光を画素電極に集めることができるので、光の
利用効率が向上する。また、レンズどうしの境界に対応
する領域に沿って遮光部材を設けているので、レンズど
うしの境界部分を通過した光を遮光部材によって遮断す
ることができ、レンズ境界部分の成形誤差や鈍りによっ
てレンズ境界部分を通過した光がＴＦＴ等の素子に入射
して素子の動作を不安定にするのを防止することができ
る。しかも、この遮光部材の光入射側の面は光反射率の
高い面となっているので、遮断する光を吸収して温度上
昇しにくく、液晶表示装置の温度上昇を小さくすること
ができる。

【００２９】なお、この発明の以上説明した構成要素
は、可能な限り組み合わせることができる。

【００３０】

【発明の実施の形態】（第１の実施形態）図６（ａ）は
本発明の一実施形態による液晶表示パネルの構造を示す
概略断面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）のＸ１部拡
大図である。この液晶表示パネル７１は、裏面側に光源
装置（バックライト）を設置され、例えば図２に示した
ような構成の液晶プロジェクタとして用いられたり、携
帯電話等の携帯端末やパソコンなどの液晶ディスプレイ
として用いられたりするものである。

【００３１】この液晶表示パネル７１にあっては、表面
側基板（対向基板）７２と裏面側基板（レンズアレイ基
板）７３との間に液晶層７４を挟み込み、液晶層７４の
周囲をスペーサ７５によって封止している。裏面側基板
７３においては、ガラス基板７６の上に形成された透明
なレンズ樹脂層７８の表面にレンズ状パターンを成形
し、レンズ樹脂層７８と屈折率の異なる透明樹脂からな
る封止樹脂層７９をレンズ樹脂層７８の上に塗布して表
面を平らにしている。よって、互いに屈折率の異なるレ
ンズ樹脂層７８と封止樹脂層７９との界面には、レンズ
アレイ８０が形成されている。さらに、封止樹脂層７９
の上にはガラス製のカバー基板８１が重ねられており、
カバー基板８１の上には遮光部材８２が形成されてい
る。遮光部材８２は、図７に示すように、レンズアレイ
８０の各レンズ間の境界エッジ部７７に沿って格子状に
パターニングされており、光反射率が高い材料、例えば
光反射率が６５％以上の金属材料、具体的にはＡｌ（ア
ルミニウム）等で形成されている。カバー基板８１の全
面には、遮光部材８２の上からＩＴＯ等の透明電極８３
が形成されており、遮光部材８２は透明電極８３とカバ
ー基板８１との間に挟み込まれている。透明電極８３の
表面には配向膜８４が設けられている。

【００３２】表面側基板７２にあっては、ガラス基板８
５の裏面にカラーフィルタ８６とブラックマトリクス８
７が形成され、その上に画素電極８８とＴＦＴ（ＴＦＴ
配線を含む。）８９が形成され、その上に配向膜９０が
形成されている。さらに、表面側基板７２の表面と裏面
側基板７３の裏面には、それぞれ偏光板９１、９２が配
設されている。

【００３３】なお、この実施形態では、図７に表してい
るように、ガラス基板７６の上には、凸レンズ状のレン
ズ樹脂層７８を形成しているが、図８に示すように、凹
レンズ状のレンズ樹脂層７８をガラス基板７６の上に形
成し、凹レンズ状のレンズアレイ８０の各レンズ間の境
界エッジ部７７に沿って対向するように遮光部材８２を
形成してもよい。また、レンズ樹脂層７８や封止樹脂層
７９に用いる樹脂は、光（紫外線）硬化樹脂でもよく、
熱硬化性樹脂でもよい。

【００３４】しかして、この液晶表示パネル７１によれ
ば、光源装置から出射されて裏面側基板７３に入射した
光は、図９に示すように、レンズアレイ８０によって画
素電極８８及びカラーフィルタ８６からなる画素開口に
集光させられて画素開口を透過するので、光源装置から
の光の利用効率を向上させることができるとともにＴＦ
Ｔ８９やその配線に光が照射するのを防止することがで
きる。また、レンズアレイ８０とＴＦＴ８９との間に
は、遮光部材８２が設けられており、しかも、この遮光
部材８２はＴＦＴ８９とその配線に対向するように設け
られているので、図９に示すように、レンズアレイ８０
の境界エッジ部７７が丸みを帯びていたりした場合で
も、ＴＦＴ８９側へ向けて出射された光は遮光部材８２
によって反射され、図９に２点鎖線で示す光のようにＴ
ＦＴ８９を照射しにくくなる。よって、この液晶表示パ
ネル７１によれば、ＴＦＴ８９が動作不安定になった
り、誤動作したりするのをより効果的に防ぐことができ
る。

【００３５】さらに、この遮光部材８２は、光反射率の
高い材質で形成されているので、光の吸収によって温度
が上昇しにくく、ひいては、液晶表示パネル７１の温度
が上昇しにくくなっている。よって、液晶表示パネル７
１の温度上昇による液晶の分解や配向膜の機能低下とい
った不具合が起きにくくなっている。

【００３６】ここで、光吸収性の遮光部材（従来例）と
してＣｒ膜の場合と、光反射率の高い遮光部材（本発
明）としてＡｌの場合とを比較して説明する。図１０
は、３００ｎｍ〜７００ｎｍの波長域における、光波長
とＡｌ、Ｃｒの光反射率との関係を表した図である。こ
の図から分かるように、温度上昇に寄与する長波長域で
は、Ｃｒの光反射率が６０％程度であるのに対し、Ａｌ
では９０％程度になっている。

【００３７】つぎに、基板の全面にＣｒ膜を形成したも
のにランプの光を照射し、照射時間（０〜１０分）とＣ
ｒ膜の表面温度との関係（表面温度の経時変化）を調べ
た。同様に、基板の全面にＡｌ膜を形成したものにラン
プの光を照射し、照射時間（０〜１０分）とＡｌ膜の表
面温度との関係を調べた。光の照射方法としては、１５
０Ｗのランプから出射された光をプロジェクタ用光学系
を通してＣｒ膜及びＡｌ膜に照射した。この結果を図１
１に示す。図１１においては、横軸が光の照射時間
（分）を示し、縦軸がＣｒ膜又はＡｌ膜の表面温度
（℃）を表している。この図から分かるように、Ｃｒ膜
からなる遮光部材では、光反射率の高いＡｌ膜からなる
遮光部材に比べて約１０℃ほど表面温度が高くなってい
る。この結果からも光反射率の高い遮光部材を用いるこ
とにより、遮光部材の温度上昇を抑制し、液晶表示パネ
ルの温度上昇を防止できることが分かる。

【００３８】次に、この液晶表示パネル７１の裏面側基
板７３の製造工程を説明する。図１２（ａ）〜（ｈ）
は、フォトポリマー法（２Ｐ法）による裏面側基板７３
の製造工程を示している。この製造工程においては、厚
さ１ｍｍ程度のガラス基板７６の上に紫外線硬化樹脂９
３を所定量滴下し（図１２（ａ））、紫外線硬化樹脂９
３の上からガラス基板７６にスタンパ９４を押しつけて
加圧し、スタンパ９４とガラス基板７６との間隙に紫外
線硬化樹脂９３を押し広げる（図１２（ｂ））。スタン
パ９４の下面にはレンズアレイの反転パターン９５が形
成されているので、スタンパ９４とガラス基板７６の間
に紫外線硬化樹脂９３を挟み込むと、紫外線硬化樹脂９
３がガラス基板７６の表面に密着すると共に、反転パタ
ーン９５によって紫外線硬化樹脂９３の表面にレンズア
レイ８０のパターンが転写される。

【００３９】ついで、ガラス基板７６を通して紫外線硬
化樹脂９３に紫外線（ＵＶ光）を照射すると、紫外線硬
化樹脂９３が光硬化し（図１２（ｃ））、スタンパ９４
を取り除くと、ガラス基板７６の上に厚さ数１０μｍの
レンズ樹脂層７８が成形される（図１２（ｄ））。さら
に、レンズ樹脂層７８の上に、レンズ樹脂層７８と屈折
率の異なる高屈折率樹脂（接着剤）を介して厚手のカバ
ー基板８１を貼り合わせ、該高屈折率樹脂によって厚さ
数１０μｍの封止樹脂層７９を形成する（図１２
（ｅ））。この後、カバー基板８１の上面を研磨し、カ
バー基板８１を所望の厚み（例えば、厚さ数μｍ〜数１
０μｍ）になるまで薄くする（図１２（ｆ））。

【００４０】ついで、研磨によって薄くなったカバー基
板８１の全面に、Ａｌ等の光反射率の高い金属材料を堆
積させて膜厚が数１００Å〜数１０００Åの遮光部材８
２を成膜する。Ａｌ等の遮光部材８２を成膜する方法
は、特に限定されるものではないが、例えば、真空蒸着
法、スパッタリング法、ＣＶＤ法などを用いることがで
きる。この後、フォトリソグラフィ技術により遮光部材
８２の上にフォトレジストパターンを作製し、フォトレ
ジストパターンを通して遮光部材８２を部分的にエッチ
ング除去し、格子状パターンとなるように遮光部材８２
をパターニングする（図１２（ｇ））。このときのエッ
チング法としては、例えば反応性イオンエッチング（Ｒ
ＩＥ）法やスパッタエッチング法といった半導体プラズ
マによるドライエッチング法を用いてもよく、例えばリ
ン酸＋硝酸＋酢酸混合溶液を用いたウエットエッチング
を用いてもよい。さらに、遮光部材８２の上からカバー
基板８１の全面に、真空蒸着法、スパッタリング法、Ｃ
ＶＤ法などの成膜法を用いて、ＩＴＯからなる厚さ１５
００Å程度の透明電極８３を形成し（図１２（ｈ））、
透明電極８３の上に配向膜を８４を形成する。

【００４１】また、図１３（ａ）〜（ｇ）に示すもの
は、裏面側基板７３の別な製造方法であって、ドライエ
ッチング法による裏面側基板７３の製造工程を示してい
る。この製造工程においては、ガラス基板７６の上にレ
ジスト９６を塗布する。このとき、レジスト９６は、ガ
ラス基板７６の表面において、互いに間隙をあけてレン
ズアレイ８０の各レンズ位置に島状に塗布される（図１
３（ａ））。ついで、レジスト９６を塗布したガラス基
板７６を高温でポストベークすると、レジスト９６が溶
融し、溶融したレジスト９６の表面張力によって各レジ
スト９６がレンズ形状になり、レジスト９６をそのまま
で冷却させることによってレンズ樹脂層７８が形成され
る（図１３（ｂ））。

【００４２】この後、ガラス基板７６を裏面側からドラ
イエッチングしてガラス基板７６の厚みを薄くし（図１
３（ｃ））、ガラス基板７６及びレンズ樹脂層７８の上
に封止樹脂層７９（高屈折率樹脂の接着剤）を介してカ
バー基板８１を貼り合わせる（図１３（ｄ））。つい
で、カバー基板８１の上面を研磨し、カバー基板８１を
所望の厚みになるまで薄くする（図１３（ｅ））。

【００４３】研磨によって薄くなったカバー基板８１の
全面に、Ａｌ等の光反射率の高い金属材料を堆積させて
遮光部材８２を成膜した後、フォトリソグラフィ技術と
エッチング法を用いて遮光部材８２を一部除去し、格子
状のパターンとなるようにパターニングする（図１３
（ｆ））。さらに、遮光部材８２の上からカバー基板８
１の全面にＩＴＯ等からなる透明電極８３を形成し（図
１３（ｇ））、透明電極８３の上に配向膜を８４を形成
する。

【００４４】また、図８に示したような凹レンズ状のレ
ンズアレイ８０を有する裏面側基板７３も、同様にして
フォトポリマー法などにより製造することができる。ま
た、凹レンズ状のレンズアレイ８０を有する裏面側基板
７３を製造する場合には、図１４（ａ）〜（ｈ）のよう
なウエットエッチング法を用いることもできる。ただ
し、この製造方法では、レンズ樹脂層は用いられておら
ず、ガラス基板７６の上面に直接レンズアレイパターン
を成形し、ガラス基板７６の上に形成された封止樹脂層
７９とガラス基板７６の界面にレンズアレイ８０が形成
される。

【００４５】この方法では、まず、ガラス基板７６の表
面をポリＳｉからなる保護膜９７で覆う（図１４
（ａ））。ついで、レンズアレイ８０の各レンズを形成
しようとする位置において、フォトリソグラフィ法を用
いて保護膜９７に比較的小さな開口９８をあける（図１
４（ｂ））。この開口９８を通してガラス基板７６をウ
エットエッチングすると、ガラス基板７６は開口９８を
中心として等方的にエッチングされるので、各開口９８
の下に凹レンズ状をした凹部９９が形成される（図１４
（ｃ））。

【００４６】ガラス基板７６表面の保護膜９７を除去し
た（図１４（ｄ））後、ガラス基板７６の上面に封止樹
脂層７９（高屈折率樹脂の接着剤）を介して厚手のカバ
ー基板８１を貼り合わせる（図１４（ｅ））。ついで、
カバー基板８１の上面を研磨し、カバー基板８１を所望
の厚みになるまで薄くする（図１４（ｆ））。

【００４７】研磨によって薄くなったカバー基板８１の
全面に、Ａｌ等の光反射率の高い金属材料を堆積させて
遮光部材８２を成膜した後、フォトリソグラフィ技術と
エッチング法を用いて遮光部材８２を一部除去し、格子
状のパターンとなるようにパターニングする（図１４
（ｇ））。さらに、遮光部材８２の上からカバー基板８
１の全面にＩＴＯ等からなる透明電極８３を形成し（図
１４（ｈ））、透明電極８３の上に配向膜を８４を形成
する。

【００４８】（Ａｇ遮光部材の場合）上記実施形態で
は、光反射率の高い遮光部材８２としてＡｌを用いた場
合を説明したが、遮光部材８２の材料としては、Ａｌに
限るものではない。例えば、遮光部材８２の材料として
はＡｇ（銀）を用いることもできる。Ａｇを用いた遮光
部材８２の膜厚としては、例えば数１００Å〜数１００
０Å程度とすればよい。遮光部材８２としてＡｇ（銀）
を用いた場合には、Ａｌよりもさらに光反射率を向上さ
せることができ、光反射率は９８％程度となる。

【００４９】また、遮光部材８２としてＡｇを用いた場
合にも、上記製造工程と同様にして裏面側基板７３を製
作することができる。その場合、カバー基板８１等の上
に遮光部材８２を成膜する方法として、真空蒸着法、ス
パッタリング法、ＣＶＤ法以外にも、電解メッキ法、無
電解メッキ法なども用いることができる。さらに、その
遮光部材をエッチングする際には、ＲＩＥ法やスパッタ
エッチング法などのドライエッチングを用いてもよく、
Ａｇエッチング液によるウエットエッチングを用いても
よい。あるいは、リフトオフ法によって所望パターンの
遮光部材８２を形成してもよい。

【００５０】（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ遮光部材等の場合）ま
た、光反射率の高い遮光部材８２の材料としては、Ａｌ
−Ｓｉ−Ｃｕ（Ｓｉ及びＣｕを添加されたＡｌ）、Ａｌ
−Ｓｉ（Ｓｉを添加されたＡｌ）のように光反射率の高
い金属材料等に少なくともＳｉを添加したものを用いて
もよい。Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｓｉ等からなる遮光
部材８２の膜厚としても、例えば１０００Å程度のもの
を用いることができる。遮光部材８２としてＡｌ−Ｓｉ
−Ｃｕ、Ａｌ−Ｓｉ等を用いれば、Ａｌを用いた場合と
同程度の光反射率を保証しつつ、カバー基板８１との密
着性をＡｌよりも向上させることができる。また、遮光
部材８２としてＡｌを用いた場合には、カバー基板８１
（ガラス）からＡｌの遮光部材８２へＳｉが拡散して遮
光部材８２の膜質変化が起きるが、遮光部材８２として
Ａｌ−Ｓｉ−ＣｕやＡｌ−Ｓｉのように少なくともＳｉ
を添加されたＡｌ等を用いればカバー基板８１から遮光
部材８２へのＳｉの拡散を抑制することができ、遮光部
材８２の膜質変化を防止することができ、これにより裏
面側基板７３ないし液晶表示パネル７１の信頼性を向上
させることができる。

【００５１】なお、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｓｉ等の
場合も、真空蒸着法、スパッタリング、ＣＶＤ法などに
よって成膜することができる。また、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ
やＡｌ−Ｓｉの遮光部材をエッチングによりパターニン
グする際にも、ＲＩＥ法やスパッタエッチング法などの
ドライエッチングを用いてもよく、リン酸＋硝酸＋酢酸
混合溶液を用いてウエットエッチングしてもよい。

【００５２】（第２の実施形態）図１５（ａ）は本発明
の別な実施形態による液晶表示パネル１００の概略断面
図、図１５（ｂ）は図１５（ａ）のＸ２部拡大図であ
る。この液晶表示パネル１００も図６（ａ）に示した液
晶表示パネル７１と同様な構造を有しているが、この液
晶表示パネル１００にあっては、Ａｌ、Ａｇ、Ａｌ−Ｓ
ｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｓｉなどの光反射率の高い材料によっ
て形成された遮光部材８２の下に、厚さ１００Å〜２０
０Å程度のＳｉＯ_２層１０１を設けている。

【００５３】この液晶表示パネル１００のように、Ｓｉ
Ｏ_２層１０１を介してカバー基板８１の上に遮光部材８
２を設けるようにすれば、ＳｉＯ_２層１０１とカバー基
板８１との密着性が高いため、カバー基板８１の上に直
接遮光部材８２を設ける場合と比較して、カバー基板８
１に対する遮光部材８２の接合強度が高くなり、遮光部
材８２の剥離などが起こりにくくなる。

【００５４】また、ＳｉＯ_２層１０１は透明であるの
で、遮光部材８２に向けて入射した光は、ＳｉＯ_２層１
０１を透過して遮光部材８２により反射される。よっ
て、遮光部材８２の下にＳｉＯ_２層１０１を設けていて
も、遮光部材８２の機能が損なわれることがなく、入射
した光を遮光部材８２によって反射させることができ
る。

【００５５】このような構造の液晶表示パネル１００
も、第１の実施形態による液晶表示パネル７１と同様に
して製造することができる（図１２、図１３、図１４を
参照）。ただし、遮光部材８２の下にＳｉＯ_２層１０１
を設けるので、遮光部材８２を成膜する工程では、適宜
変更が必要となる。

【００５６】例えば、遮光部材８２は、図１６（ａ）〜
（ｅ）に示すようにして作製される。すなわち、レンズ
樹脂層７８の上に封止樹脂層７９を介してカバー基板８
１を貼り合わせた後、カバー基板８１の全面にＳｉＯ_２
層１０１を形成する（図１６（ａ））。ＳｉＯ_２層１０
１の成膜には、スパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いる
ことができる。ついで、半導体フォトリソグラフィ技術
により作製されたフォトレジストパターンを用いてＳｉ
Ｏ_２層１０１をエッチングし、目的とするパターンに形
成する（図１６（ｂ））。ＳｉＯ_２層１０１のエッチン
グ方法としては、例えばＲＩＥ法やスパッタエッチング
法といった半導体プラズマドライエッチング法や、例え
ばＨＦ溶液を用いたウエットエッチング法により行う。
この後、パターニングされたＳｉＯ_２層１０１の上から
カバー基板８１の全面に遮光部材８２を成膜する（図１
６（ｃ））。遮光部材８２の成膜には、真空蒸着法、ス
パッタリング法、ＣＶＤ法、電解メッキ法、無電解メッ
キ法等を用いることができる。ついで、半導体フォトリ
ソグラフィ技術により作製されたフォトレジストパター
ンを用いて遮光部材８２をエッチングし、ＳｉＯ_２層１
０１と同様にパターニングする（図１６（ｄ））。遮光
部材８２のエッチングには、半導体プラズマドライエッ
チング法や、ウエットエッチング法、リフトオフ法など
を用いる。こうして、ＳｉＯ_２層１０１の上に遮光部材
８２が形成されたら、その上から真空蒸着法、スパッタ
リング法、ＣＶＤ法等により透明電極８３を設ける（図
１６（ｅ））。

【００５７】あるいは、図１７（ａ）〜（ｅ）に説明す
るような順序で遮光部材８２を形成してもよい。レンズ
樹脂層７８の上に封止樹脂層７９を介してカバー基板８
１を貼り合わせた後、カバー基板８１の上にＳｉＯ_２層
１０１を成膜する（図１７（ａ））。ＳｉＯ_２層１０１
の成膜には、スパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いるこ
とができる。ついで、ＳｉＯ_２層１０１の上に遮光部材
８２を成膜する（図１７（ｂ））。遮光部材８２の成膜
には、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、電解
メッキ法、無電解メッキ法等を用いることができる。こ
の後、半導体フォトリソグラフィ技術により作製された
フォトレジストパターンを用いて遮光部材８２をエッチ
ングし、目的とするパターンに形成する（図１７
（ｃ））。遮光部材８２のエッチングには、半導体プラ
ズマドライエッチング法、ウエットエッチング法、リフ
トオフ法などを用いる。ついで、半導体フォトリソグラ
フィ技術により作製されたフォトレジストパターンを用
いて、あるいはパターニングされた遮光部材８２をマス
クパターンとしてＳｉＯ_２層１０１をエッチングし、遮
光部材８２と同様にパターニングする（図１７
（ｄ））。ＳｉＯ_２層１０１のエッチング方法として
は、例えばＲＩＥ法やスパッタエッチング法といった半
導体プラズマドライエッチング法や、例えばＨＦ溶液を
用いたウエットエッチング法により行う。こうして、Ｓ
ｉＯ_２層１０１と遮光部材８２が形成されたら、その上
から真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等により
透明電極８３を設ける（図１７（ｅ））。

【００５８】図１７（ａ）〜（ｅ）に示したような方法
によれば、ＳｉＯ_２層１０１と遮光部材８２をin situ
に形成することができるので、ＳｉＯ_２層１０１と遮光
部材８２との密着性と膜質をともに向上させることがで
きる。また、エッチングによりパターニングされた遮光
部材８２を下層のＳｉＯ_２層１０１のエッチング用マス
クに用いることにより、フォトリソグラフィ工程を短縮
でき、同時にセルフアライメント方式により薄膜どうし
のアライメント精度が向上する。

【００５９】（第３の実施形態）図１８（ａ）は本発明
のさらに別な実施形態による液晶表示パネル１０２の概
略断面図、図１８（ｂ）は図１８（ａ）のＸ３部拡大図
である。この液晶表示パネル１０２も図６（ａ）に示し
た液晶表示パネル７１と同様な構造を有しているが、こ
の液晶表示パネル１０２にあっては、遮光部材８２が複
数層の薄膜によって形成されている。図１８に示す液晶
表示パネル１０２では、２層によって遮光部材８２が構
成されているが、３層以上であってもよい。遮光部材８
２のうち、もっとも裏面側（光入射側）の薄膜８２Ａは
光反射率の高い材料、例えばＡｌ、Ａｇ、Ａｌ−Ｓｉ−
Ｃｕ、Ａｌ−Ｓｉなどの材料によって形成されている。
また、遮光部材８２のうち、もっとも表面側（光出射
側）の薄膜８２Ｂは、光吸収率の高い材料、例えばＣｒ
によって形成されている。

【００６０】図１９は上記複数層からなる遮光部材８２
の作用説明図である。光源装置から液晶表示パネル１０
２に入射した光のうち、レンズアレイ８０の境界エッジ
部７７などを通過して遮光部材８２へ向かった光は、光
反射率の高い裏面側の薄膜８２Ａにより全反射され、Ｔ
ＦＴ８９に入射するのを妨げられる。このとき光は、遮
光部材８２に吸収されにくいので、液晶表示パネル１０
２の温度上昇を抑制できる。

【００６１】また、例えば裏面側基板７３へ光が斜めに
入射した場合などにおいて、表面側基板７２へ到達した
光が、ＴＦＴ８９や画素電極８８等で反射もしくは拡散
され、遮光部材８２に入射し、この光が図１９に２点鎖
線で示すように遮光部材８２でさらに反射されると、反
射した光が迷光となって液晶表示パネルの動作不良の原
因となったり、画像のコントラストを低下させる原因と
なったりする。しかし、この液晶表示パネル１０２で
は、遮光部材８２の表面側の薄膜８２Ｂは光吸収率が高
くなっているので、ＴＦＴ８９や画素電極８８等で反射
もしくは拡散された後に遮光部材８２に入射しても、こ
の光は遮光部材８２で吸収され、迷光となるのを防止さ
れる。よって、液晶表示パネル１０２内部の迷光により
液晶表示パネル１０２が動作不良を起こしたり、画像の
コントラストを低下させたりするのを防止することがで
きる。

【００６２】このような構造の液晶表示パネル１０２
も、第１の実施形態による液晶表示パネル７１と同様に
して製造することができる（図１２、図１３、図１４を
参照）。ただし、遮光部材８２は、複数層によって構成
されているので、遮光部材８２を成膜する工程では、適
宜変更が必要となる。例えば、Ａｌからなる薄膜８２Ａ
とＣｒからなる薄膜８２Ｂとで遮光部材８２が構成され
ている場合であれば、図２０（ａ）〜（ｅ）に示すよう
に行えばよい。

【００６３】すなわち、レンズ樹脂層７８の上に封止樹
脂層７９を介してカバー基板８１を貼り合わせた後、カ
バー基板８１の上にＡｌ薄膜８２Ａを成膜する（図２０
（ａ））。Ａｌ薄膜８２Ａの成膜には、真空蒸着法、ス
パッタリング法、ＣＶＤ法等を用いることができる。つ
いで、半導体フォトリソグラフィ技術により作製された
フォトレジストパターンを用いてＡｌ薄膜８２Ａをエッ
チングし、目的とするパターンに形成する（図２０
（ｂ））。Ａｌ薄膜８２Ａのエッチング方法としては、
例えばＲＩＥ法やスパッタエッチング法といった半導体
プラズマドライエッチング法や、例えばリン酸＋硝酸＋
酢酸混合溶液を用いたウエットエッチング法により行
う。この後、パターニングされたＡｌ薄膜８２Ａの上に
Ｃｒ薄膜８２Ｂを成膜する（図２０（ｃ））。Ｃｒ薄膜
８２Ｂの成膜には、真空蒸着法、スパッタリング法、Ｃ
ＶＤ法、電解メッキ法、無電解メッキ法等を用いること
ができる。ついで、半導体フォトリソグラフィ技術によ
り作製されたフォトレジストパターンを用いてＣｒ薄膜
８２Ｂをエッチングし、Ａｌ薄膜８２Ａと同様にパター
ニングする（図２０（ｄ））。Ｃｒ薄膜８２Ｂのエッチ
ングには、例えばＲＩＥ法やスパッタエッチング法とい
った半導体プラズマドライエッチング法や、例えば水酸
化ナトリウム＋フェリシアン化カリウム水溶液を用いた
ウエットエッチング法を用いる。こうして、Ａｌ薄膜８
２ＡとＣｒ薄膜８２Ｂからなる遮光部材８２が形成され
たら、その上から真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶ
Ｄ法等により透明電極８３を設ける（図２０（ｅ））。

【００６４】あるいは、図２１（ａ）〜（ｅ）に説明す
るような順序で遮光部材８２を形成してもよい。レンズ
樹脂層７８の上に封止樹脂層７９を介してカバー基板８
１を貼り合わせた後、カバー基板８１の上にＡｌ薄膜８
２Ａを成膜する（図２１（ａ））。Ａｌ薄膜８２Ａの成
膜には、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等を
用いることができる。ついで、Ａｌ薄膜８２Ａの上にＣ
ｒ薄膜８２Ｂを成膜する（図２１（ｂ））。Ｃｒ薄膜８
２Ｂの成膜には、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶ
Ｄ法、電解メッキ法、無電解メッキ法等を用いることが
できる。この後、半導体フォトリソグラフィ技術により
作製されたフォトレジストパターンを用いてＣｒ薄膜８
２Ｂをエッチングし、目的とするパターンに形成する
（図２１（ｃ））。Ｃｒ薄膜８２Ｂのエッチングには、
例えばＲＩＥ法やスパッタエッチング法といった半導体
プラズマドライエッチング法や、例えば水酸化ナトリウ
ム＋フェリシアン化カリウム水溶液を用いたウエットエ
ッチング法を用いる。ついで、半導体フォトリソグラフ
ィ技術により作製されたフォトレジストパターンを用い
て、あるいはパターニングされたＣｒ薄膜８２Ｂをマス
クパターンとしてＡｌ薄膜８２Ａをエッチングし、Ｃｒ
薄膜８２Ｂと同様にパターニングする（図２１
（ｄ））。Ａｌ薄膜８２Ａのエッチング方法としては、
例えばＲＩＥ法やスパッタエッチング法といった半導体
プラズマドライエッチング法や、例えばリン酸＋硝酸＋
酢酸混合溶液を用いたウエットエッチング法により行
う。こうして、Ａｌ薄膜８２ＡとＣｒ薄膜８２Ｂからな
る遮光部材８２が形成されたら、その上から真空蒸着
法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等により透明電極８３
を設ける（図２１（ｅ））。

【００６５】図２１（ａ）〜（ｅ）に示したような方法
によれば、複数層の薄膜をin situに形成することがで
きるので、薄膜と薄膜との密着性と膜質をともに向上さ
せることができる。また、エッチングによりパターニン
グされた上層の薄膜（Ｃｒ薄膜）を下層の薄膜（Ａｌ薄
膜）のエッチング用マスクに用いることにより、フォト
リソグラフィ工程を短縮でき、同時にセルフアライメン
ト方式により薄膜どうしのアライメント精度が向上す
る。

【００６６】（第４の実施形態）図２２（ａ）は本発明
のさらに別な実施形態による液晶表示パネル１０３の概
略断面図、図２２（ｂ）は図２２（ａ）のＸ４部拡大図
である。この液晶表示パネル１０３も図６（ａ）に示し
た液晶表示パネル７１と同様な構造を有しているが、こ
の液晶表示パネル１０３にあっては、遮光部材８２が３
層の薄膜によって形成されている。図２２に示す液晶表
示パネル１０３では、裏面側に位置する最下層の薄膜は
光反射率の高い材料、例えばＡｌ、Ａｇ、Ａｌ−Ｓｉ−
Ｃｕ、Ａｌ−Ｓｉなどの材料によって形成されている。
また、その上の層の薄膜８２Ｂは、光吸収率の高いＣｒ
によって形成されている。さらに、最上層の薄膜８２Ｃ
は、クロム酸化物、例えばＣｒ_２Ｏ_３、Ｃｒ_５Ｏ_１２等
によって形成されている。

【００６７】このような構造の液晶表示パネル１０３に
よれば、Ｃｒ薄膜８２Ｂの表面をさらにクロム酸化物薄
膜８２Ｃで覆うことにより、遮光部材８２の表面側にお
ける光吸収能をより高めることができ、ＴＦＴ８９等で
反射した光が迷光となるのを効果的に防止できる。

【００６８】このような構造の液晶表示パネル１０３
も、第１の実施形態による液晶表示パネル７１と同様に
して製造することができる（図１２、図１３、図１４を
参照）。ただし、遮光部材８２の形成方法は、例えば図
２３（ａ）〜（ｆ）に示すように変更する必要がある。

【００６９】すなわち、レンズ樹脂層７８の上に封止樹
脂層７９を介してカバー基板８１を貼り合わせた後、カ
バー基板８１の上にＡｌ薄膜８２Ａを成膜する（図２３
（ａ））。Ａｌ薄膜８２Ａの成膜には、真空蒸着法、ス
パッタリング法、ＣＶＤ法等を用いることができる。つ
いで、半導体フォトリソグラフィ技術により作製された
フォトレジストパターンを用いてＡｌ薄膜８２Ａをエッ
チングし、目的とするパターンに形成する（図２３
（ｂ））。Ａｌ薄膜８２Ａのエッチング方法としては、
例えばＲＩＥ法やスパッタエッチング法といった半導体
プラズマドライエッチング法や、例えばリン酸＋硝酸＋
酢酸混合溶液を用いたウエットエッチング法により行
う。この後、パターニングされたＡｌ薄膜８２Ａの上に
Ｃｒ薄膜８２Ｂを成膜する（図２３（ｃ））。Ｃｒ薄膜
８２Ｂの成膜には、真空蒸着法、スパッタリング法、Ｃ
ＶＤ法、電解メッキ法、無電解メッキ法等を用いること
ができる。ついで、Ｃｒ薄膜８２Ｂの上にＣｒ_２Ｏ_３等
のクロム酸化物薄膜８２Ｃを成膜する（図２３
（ｄ））。Ｃｒ_２Ｏ_３等のクロム酸化物薄膜８２Ｃの成
膜には、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等を
用いることができる。次に、半導体フォトリソグラフィ
技術により作製されたフォトレジストパターンを用いて
クロム酸化物薄膜８２Ｃ及びＣｒ薄膜８２Ｂを同時にエ
ッチングし、Ａｌ薄膜８２Ａと同様にパターニングする
（図２３（ｅ））。クロム酸化物薄膜８２Ｃ及びＣｒ薄
膜８２Ｂのエッチングには、例えばＲＩＥ法やスパッタ
エッチング法といった半導体プラズマドライエッチング
法や、例えば水酸化ナトリウム＋フェリシアン化カリウ
ム水溶液を用いたウエットエッチング法を用いる。こう
して、Ａｌ薄膜８２ＡとＣｒ薄膜８２Ｂとクロム酸化物
薄膜８２Ｃからなる遮光部材８２が形成されたら、その
上から真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等によ
り透明電極８３を設ける（図２３（ｆ））。

【００７０】あるいは、図２４（ａ）〜（ｆ）に説明す
るような順序で遮光部材８２を形成してもよい。レンズ
樹脂層７８の上に封止樹脂層７９を介してカバー基板８
１を貼り合わせた後、カバー基板８１の上にＡｌ薄膜８
２Ａを成膜する（図２４（ａ））。Ａｌ薄膜８２Ａの成
膜には、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等を
用いることができる。ついで、Ａｌ薄膜８２Ａの上にＣ
ｒ薄膜８２Ｂを成膜する（図２４（ｂ））。Ｃｒ薄膜８
２Ｂの成膜には、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶ
Ｄ法、電解メッキ法、無電解メッキ法等を用いることが
できる。さらに、Ｃｒ薄膜８２Ｂの上にクロム酸化物薄
膜８２Ｃを成膜する（図２４（ｃ））。クロム酸化物薄
膜８２Ｃの成膜には、真空蒸着法、スパッタリング法、
ＣＶＤ法等を用いることができる。この後、半導体フォ
トリソグラフィ技術により作製されたフォトレジストパ
ターンを用いてクロム酸化物薄膜８２Ｃ及びＣｒ薄膜８
２Ｂを同時にエッチングし、目的とするパターンに形成
する（図２４（ｄ））。クロム酸化物薄膜８２Ｃ及びＣ
ｒ薄膜８２Ｂのエッチングには、例えばＲＩＥ法やスパ
ッタエッチング法といった半導体プラズマドライエッチ
ング法や、例えば水酸化ナトリウム＋フェリシアン化カ
リウム水溶液を用いたウエットエッチング法を用いる。
ついで、半導体フォトリソグラフィ技術により作製され
たフォトレジストパターンを用いて、あるいはパターニ
ングされたクロム酸化物薄膜８２Ｃ及びＣｒ薄膜８２Ｂ
をマスクパターンとしてＡｌ薄膜８２Ａをエッチング
し、クロム酸化物薄膜８２Ｃ及びＣｒ薄膜８２Ｂと同様
にパターニングする（図２４（ｅ））。Ａｌ薄膜８２Ａ
のエッチング方法としては、例えばＲＩＥ法やスパッタ
エッチング法といった半導体プラズマドライエッチング
法や、例えばリン酸＋硝酸＋酢酸混合溶液を用いたウエ
ットエッチング法により行う。こうして、Ａｌ薄膜８２
ＡとＣｒ薄膜８２Ｂとクロム酸化物薄膜８２Ｃからなる
遮光部材８２が形成されたら、その上から真空蒸着法、
スパッタリング法、ＣＶＤ法等により透明電極８３を設
ける（図２４（ｆ））。

【００７１】図２４（ａ）〜（ｆ）に示したような方法
によれば、複数層の薄膜をin situに形成することがで
きるので、薄膜と薄膜との密着性と膜質をともに向上さ
せることができる。また、エッチングによりパターニン
グされた上層の薄膜（クロム酸化物薄膜、Ｃｒ薄膜）を
下層の薄膜（Ａｌ薄膜）のエッチング用マスクに用いる
ことにより、フォトリソグラフィ工程を短縮でき、同時
にセルフアライメント方式により薄膜どうしのアライメ
ント精度が向上する。

【００７２】また、図２５（ａ）〜（ｆ）に説明するよ
うな順序で遮光部材８２を形成することもできる。レン
ズ樹脂層７８の上に封止樹脂層７９を介してカバー基板
８１を貼り合わせた後、カバー基板８１の上にＡｌ薄膜
８２Ａを成膜する（図２５（ａ））。Ａｌ薄膜８２Ａの
成膜には、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等
を用いることができる。ついで、Ａｌ薄膜８２Ａの上に
Ｃｒ薄膜８２Ｂを成膜する（図２５（ｂ））。Ｃｒ薄膜
８２Ｂの成膜には、真空蒸着法、スパッタリング法、Ｃ
ＶＤ法、電解メッキ法、無電解メッキ法等を用いること
ができる。この後、半導体フォトリソグラフィ技術によ
り作製されたフォトレジストパターンを用いてＣｒ薄膜
８２Ｂをエッチングし、目的とするパターンに形成する
（図２５（ｃ））。Ｃｒ薄膜８２Ｂのエッチングには、
例えばＲＩＥ法やスパッタエッチング法といった半導体
プラズマドライエッチング法や、例えば水酸化ナトリウ
ム＋フェリシアン化カリウム水溶液を用いたウエットエ
ッチング法を用いる。ついで、半導体フォトリソグラフ
ィ技術により作製されたフォトレジストパターンを用い
て、あるいはパターニングされたＣｒ薄膜８２Ｂをマス
クパターンとしてＡｌ薄膜８２Ａをエッチングし、Ｃｒ
薄膜８２Ｂと同様にパターニングする（図２５
（ｄ））。Ａｌ薄膜８２Ａのエッチング方法としては、
例えばＲＩＥ法やスパッタエッチング法といった半導体
プラズマドライエッチング法や、例えばリン酸＋硝酸＋
酢酸混合溶液を用いたウエットエッチング法により行
う。この後、パターニングされているＣｒ薄膜８２Ｂの
表面を、例えばＯ_２プラズマ処理により酸化させ、Ｃｒ
_２Ｏ_３からなるクロム酸化物薄膜８２Ｃを得る（図２５
（ｅ））。こうして、Ａｌ薄膜８２ＡとＣｒ薄膜８２Ｂ
とクロム酸化物薄膜８２Ｃからなる遮光部材８２が形成
されたら、その上から真空蒸着法、スパッタリング法、
ＣＶＤ法等により透明電極８３を設ける（図２５
（ｆ））。

【００７３】図２５（ａ）〜（ｆ）に示したような方法
によっても、複数層の薄膜をin situに形成することが
できるので、薄膜と薄膜との密着性と膜質をともに向上
させることができる。また、エッチングによりパターニ
ングされた上層の薄膜（クロム酸化物薄膜、Ｃｒ薄膜）
を下層の薄膜（Ａｌ薄膜）のエッチング用マスクに用い
ることにより、フォトリソグラフィ工程を短縮でき、同
時にセルフアライメント方式により薄膜どうしのアライ
メント精度が向上する。さらには、この方法によれば、
クロム酸化物薄膜８２ＣをＣｒ薄膜８２Ｂの表面の酸化
工程により得ることができるので、工程を短縮すること
ができ、材料費も低減し、アライメント工程も不要にす
ることができる。

【００７４】（第５の実施形態）図２６（ａ）は本発明
のさらに別な実施形態による液晶表示パネル１０４の概
略断面図、図２６（ｂ）は図２６（ａ）のＸ５部拡大図
である。この液晶表示パネル１０４も図６（ａ）に示し
た液晶表示パネル７１と同様な構造を有しているが、こ
の液晶表示パネル１０４にあっては、遮光部材８２を構
成する光反射率の高い薄膜８２Ａと光吸収率の高い薄膜
８２Ｂとの間にエッチングストップ層１０５を設けてい
る。裏面側に位置する光反射率の高い薄膜８２Ａは、例
えばＡｌ、Ａｇ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｓｉなどの
材料によって形成されており、光吸収率の高い薄膜８２
ＢはＣｒによって形成されている。また、エッチングス
トップ層１０５は、例えばＳｉＯ_２によって形成されて
いる。

【００７５】図２７（ａ）〜（ｇ）は、液晶表示パネル
１０４の製造工程のうち、遮光部材８２を作製する部分
を表している。レンズ樹脂層７８の上に封止樹脂層７９
を介してカバー基板８１を貼り合わせた後、カバー基板
８１の上にＡｌ薄膜８２Ａを成膜する（図２７
（ａ））。Ａｌ薄膜８２Ａの成膜には、真空蒸着法、ス
パッタリング法、ＣＶＤ法等を用いることができる。つ
いで、Ａｌ薄膜８２Ａの全面にＳｉＯ_２からなるエッチ
ングストップ層１０５を成膜する（図２７（ｂ））。Ｓ
ｉＯ_２の成膜には、スパッタリング法、ＣＶＤ法等を用
いることができる。さらに、エッチングストップ層１０
５の上にＣｒ薄膜８２Ｂを成膜する（図２７（ｃ））。
クロム酸化物薄膜８２Ｃの成膜には、真空蒸着法、スパ
ッタリング法、ＣＶＤ法、電解メッキ法、無電解メッキ
法等を用いることができる。

【００７６】この後、半導体フォトリソグラフィ技術に
より作製されたフォトレジストパターンを用いてＣｒ薄
膜８２Ｂをエッチングし、目的とするパターンに形成す
る（図２７（ｄ））。Ｃｒ薄膜８２Ｂのエッチングに
は、例えばＲＩＥ法やスパッタエッチング法といった半
導体プラズマドライエッチング法や、例えば水酸化ナト
リウム＋フェリシアン化カリウム水溶液を用いたウエッ
トエッチング法を用いる。ついで、半導体フォトリソグ
ラフィ技術により作製されたフォトレジストパターンを
用いて、あるいはパターニングされたＣｒ薄膜８２Ｂを
マスクパターンとしてエッチングストップ層１０５をエ
ッチングし、Ｃｒ薄膜８２Ｂと同様にパターニングする
（図２７（ｅ））。ＳｉＯ_２のエッチング方法として
は、例えばＲＩＥ法やスパッタエッチング法といった半
導体プラズマドライエッチング法や、例えばＨＦ溶液を
用いたウエットエッチング法により行う。

【００７７】さらに、半導体フォトリソグラフィ技術に
より作製されたフォトレジストパターンを用いて、ある
いはパターニングされたＣｒ薄膜８２Ｂをマスクパター
ンとしてＡｌ薄膜８２Ａをエッチングし、Ｃｒ薄膜８２
Ｂと同様にパターニングする（図２７（ｆ））。Ａｌ薄
膜８２Ａのエッチング方法としては、例えばＲＩＥ法や
スパッタエッチング法といった半導体プラズマドライエ
ッチング法や、例えばリン酸＋硝酸＋酢酸混合溶液を用
いたウエットエッチング法により行う。こうして、Ａｌ
薄膜８２Ａとエッチングストップ層１０５とＣｒ薄膜８
２Ｂからなる遮光部材８２が形成されたら、その上から
真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等により透明
電極８３を設ける（図２７（ｇ））。

【００７８】このような液晶表示パネル１０４によれ
ば、図２７（ｄ）のように上層であるＣｒ薄膜８２Ｂを
エッチングする時に、エッチングストップ層１０５の存
在によって下層のＡｌ等の薄膜８２Ａがエッチングされ
ることがないので、Ａｌ等の薄膜８２Ａがオーバーエッ
チングとなってＣｒ薄膜８２Ｂよりも線幅が細くなるの
を防ぐことができる。よって、エッチングによって遮光
部材８２がダメージを受けるのを防ぐことができ、製造
工程を安定化することができる。

【００７９】なお、図示しないが、Ａｌ薄膜と、Ａｌ薄
膜の表面（光出射側の面）を酸化させてＡｌ_２Ｏ_３薄膜
を形成し、高反射率のＡｌ薄膜と高吸収率のＡｌ_２Ｏ_３
によって遮光部材８２を形成してもよい。

【００８０】（第５の実施形態）図２８（ａ）は本発明
のさらに別な実施形態による液晶表示パネル１０６の概
略断面図、図２８（ｂ）は図２８（ａ）のＸ６部拡大図
である。この液晶表示パネル１０６も図６（ａ）に示し
た液晶表示パネル７１と同様な構造を有しているが、こ
の液晶表示パネル１０６にあっては、Ａｌ、Ａｇ、Ａｌ
−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｓｉ等の高光反射率の薄膜８２Ａ
と、その上に形成されたポリマー層８２Ｄによって遮光
部材８２を構成している。ポリマー層８２Ｄの材質は、
Ａｌ等に比べて光吸収能の高いものであればよく、特に
その種類は問わない。

【００８１】このような液晶表示パネル１０６において
は、ポリマー層８２ＤによってＣｒ薄膜と同様な光吸収
効果を持たせることができる。すなわち、第３の実施形
態（図１８）の場合と同様、ＴＦＴ８９や画素電極８８
等で反射もしくは拡散された後に遮光部材８２に入射し
ても、この光はポリマー層８２Ｄで吸収され、迷光とな
るのを防止される。よって、液晶表示パネル１０２内部
の迷光により液晶表示パネルが動作不良を起こしたり、
画像のコントラストを低下させたりするのを防止するこ
とができる。また、ポリマー層８２Ｄを形成する工程で
は、大気中における室温プロセスを採用することができ
るので、裏面側基板７３ないし液晶表示パネル１０６の
製造工程を簡易化し、安定化することができる。

【００８２】このような構造の液晶表示パネル１０６
も、第１の実施形態による液晶表示パネル７１と同様に
して製造することができる（図１２、図１３、図１４を
参照）。ただし、遮光部材８２の形成方法は、例えば図
２９（ａ）〜（ｄ）に示すようになる。

【００８３】すなわち、レンズ樹脂層７８の上に封止樹
脂層７９を介してカバー基板８１を貼り合わせた後、カ
バー基板８１の上にＡｌ薄膜８２Ａを成膜する（図２９
（ａ））。Ａｌ薄膜８２Ａの成膜には、真空蒸着法、ス
パッタリング法、ＣＶＤ法等を用いることができる。つ
いで、半導体フォトリソグラフィ技術により作製された
フォトレジストパターンを用いてＡｌ薄膜８２Ａをエッ
チングし、目的とするパターンに形成する（図２９
（ｂ））。Ａｌ薄膜８２Ａのエッチング方法としては、
例えばＲＩＥ法やスパッタエッチング法といった半導体
プラズマドライエッチング法や、例えばリン酸＋硝酸＋
酢酸混合溶液を用いたウエットエッチング法により行
う。この後、パターニングされたＡｌ薄膜８２Ａの上に
樹脂を塗布してポリマー層８２Ｄを成膜する（図２９
（ｃ））。ポリマー層８２Ｄは、印刷法、スクリーンプ
リント法などのパターン印刷法を用いて、直接Ａｌ薄膜
８２Ａの上面のみに成膜されるので、ポリマー層８２Ｄ
の不要部分を除去する工程は必要ない。こうして、Ａｌ
薄膜８２Ａとポリマー層８２Ｄからなる遮光部材８２が
形成されたら、その上から真空蒸着法、スパッタリング
法、ＣＶＤ法等により透明電極８３を設ける（図２９
（ｄ））。

【００８４】ポリマー層８２Ｄの種類は特に問わない
が、特に、感光性ポリイミドのような感光性樹脂を用い
てもよい。ポリマー層８２Ｄに感光性樹脂を用いれば、
ＴＦＴ８９等で反射された光を吸収して迷光を防止する
ほか、下層の薄膜８２Ａと同じようにパターニングする
場合でもエッチング工程を省くことができるので、工程
を簡易化し、安定化させることができる。

【００８５】図３０（ａ）〜（ｅ）は、ポリマー層８２
Ｄに感光性樹脂を用いた場合の、遮光部材８２の製造工
程を説明している。レンズ樹脂層７８の上に封止樹脂層
７９を介してカバー基板８１を貼り合わせた後、カバー
基板８１の上にＡｌ薄膜８２Ａを成膜する（図３０
（ａ））。Ａｌ薄膜８２Ａの成膜には、真空蒸着法、ス
パッタリング法、ＣＶＤ法等を用いることができる。つ
いで、半導体フォトリソグラフィ技術により作製された
フォトレジストパターンを用いてＡｌ薄膜８２Ａをエッ
チングし、目的とするパターンに形成する（図３０
（ｂ））。Ａｌ薄膜８２Ａのエッチング方法としては、
例えばＲＩＥ法やスパッタエッチング法といった半導体
プラズマドライエッチング法や、例えばリン酸＋硝酸＋
酢酸混合溶液を用いたウエットエッチング法により行
う。この後、パターニングされたＡｌ薄膜８２Ａの上に
感光性ポリイミド等を塗布してポリマー層８２Ｄを成膜
する（図３０（ｃ））。感光性ポリイミド等の塗布方法
としては、スプレー（噴霧）法、塗布（転写）法、スピ
ナー法、スクリーンプリント法などを用いることができ
る。この場合もスクリーンプリント法などを用いる場合
には、感光性ポリイミドをＡｌ薄膜８２Ａの上面のみに
選択的に塗布することができる。また、スピナー法等に
よってＡｌ薄膜８２Ａの上からカバー基板８１の全面に
感光性ポリイミドを塗布する場合には、マスクパターン
を用いた露光と現像によって感光性ポリイミド膜をＡｌ
薄膜８２Ａと同じようにパターニングする。ついで、半
導体フォトリソグラフィ技術によりポリマー層８２Ｄを
加工して、Ａｌ薄膜８２Ａと同様にパターニングする
（図３０（ｄ））。こうして、Ａｌ薄膜８２ＡとＣｒ薄
膜８２Ｂとクロム酸化物薄膜８２Ｃからなる遮光部材８
２が形成されたら、その上から真空蒸着法、スパッタリ
ング法、ＣＶＤ法等により透明電極８３を設ける（図３
０（ｅ））。

【００８６】なお、図示しないが、カバー基板８１の上
にＡｌ、Ａｇ等の高光屈折率の薄膜８２Ａを形成し、そ
の上にＣｒ等の高光吸収率の薄膜８２Ｂを形成し、その
上にポリイミド等のポリマー層を形成してもよい。

【００８７】（第６の実施形態）図３１（ａ）は本発明
のさらに別な実施形態による液晶表示パネル１０７の概
略断面図、図３１（ｂ）は図３１（ａ）のＸ７部拡大図
である。この液晶表示パネル１０７も図６（ａ）に示し
た液晶表示パネル７１と同様な構造を有しているが、こ
の液晶表示パネル１０７にあっては、Ａｌ、Ａｇ、Ａｌ
−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｓｉ等の高光反射率材料からなる
遮光部材８２をカバー基板８１の裏面（カバー基板８１
と封止樹脂層７９の界面）に設けている。

【００８８】このような構造によれば、遮光部材８２が
レンズアレイ８０に近い位置に形成されるので、遮光部
材８２の遮光効果をより高めることができる。

【００８９】図３２（ａ）は本発明のさらに別な実施形
態による液晶表示パネル１０８の概略断面図、図３１
（ｂ）は図３１（ａ）のＸ８部拡大図である。この液晶
表示パネル１０８では、Ａｌ、Ａｇ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃ
ｕ、Ａｌ−Ｓｉ等の高光反射率を有する薄膜８２ＡとＣ
ｒ等の高光吸収率を有する薄膜８２Ｂとからなる遮光部
材８２をカバー基板８１の裏面に設けている。光反射率
の高い薄膜８２Ａは光入射側となり、光吸収率の高い薄
膜８２Ｂは光出射側となるので、Ｃｒ等の薄膜８２Ｂが
カバー基板８１の裏面に密着している。

【００９０】ガラスとの密着性はＡｌ等よりもＣｒの方
が優れているので、この液晶表示パネル１０８のように
遮光部材８２をカバー基板８１の裏面に設けるようにす
れば、Ｃｒ薄膜８２Ｂをカバー基板８１側に位置させる
ことができ、カバー基板８１に対する遮光部材８２の密
着強度を高くすることができる。

【００９１】図３３（ａ）〜（ｇ）は、この実施形態に
おける遮光部材８２の製作工程を表している。図３２の
液晶表示パネル１０８を例にとって説明する。まず、紫
外線硬化樹脂又は熱硬化性樹脂を用いてガラス基板７６
の上にレンズ樹脂層７８を成形しておく（図３３
（ａ））。一方で、カバー基板８１の上にＣｒ薄膜８２
Ｂを成膜する（図３３（ｂ））。Ｃｒ薄膜８２Ｂの成膜
には、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、電解
メッキ法、無電解メッキ法等を用いることができる。つ
いで、半導体フォトリソグラフィ技術により作製された
フォトレジストパターンを用いてＣｒ薄膜８２Ｂをエッ
チングし、目的とするパターンに形成する（図３３
（ｃ））。Ｃｒ薄膜８２Ｂのエッチングには、例えばＲ
ＩＥ法やスパッタエッチング法といった半導体プラズマ
ドライエッチング法や、例えば水酸化ナトリウム＋フェ
リシアン化カリウム水溶液を用いたウエットエッチング
法を用いる。この後、Ｃｒ薄膜８２Ｂの上にＡｌ薄膜８
２Ａを成膜する（図３３（ｄ））。Ａｌ薄膜８２Ａの成
膜には、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等を
用いることができる。ついで、半導体フォトリソグラフ
ィ技術により作製されたフォトレジストパターンを用い
てＡｌ薄膜８２Ａをエッチングし、Ｃｒ薄膜８２Ｂと同
様にパターニングする（図３３（ｅ））。Ａｌ薄膜８２
Ａのエッチング方法としては、例えばＲＩＥ法やスパッ
タエッチング法といった半導体プラズマドライエッチン
グ法や、例えばリン酸＋硝酸＋酢酸混合溶液を用いたウ
エットエッチング法により行う。こうして、カバー基板
８１の裏面に、Ｃｒ薄膜８２ＢとＡｌ薄膜８２Ａからな
る遮光部材８２が形成されたら、封止樹脂層７９（接着
剤）を介してレンズ樹脂層７８の上にカバー基板８１を
貼り合わせる（図３３（ｆ））。このとき、遮光部材８
２がカバー基板８１の裏面と封止樹脂層７９との界面に
位置するように、カバー基板８１を貼り合わせる。この
後、カバー基板８１の上に真空蒸着法、スパッタリング
法、ＣＶＤ法等により透明電極８３を設ける（図３３
（ｇ））。

【００９２】あるいは、図３４（ａ）〜（ｇ）に説明す
るような順序で遮光部材８２を形成してもよい。まず、
紫外線硬化樹脂又は熱硬化性樹脂を用いてガラス基板７
６の上にレンズ樹脂層７８を成形しておく（図３４
（ａ））。一方で、カバー基板８１の上にＣｒ薄膜８２
Ｂを成膜する（図３４（ｂ））。Ｃｒ薄膜８２Ｂの成膜
には、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、電解
メッキ法、無電解メッキ法等を用いることができる。つ
いで、Ｃｒ薄膜８２Ｂの上にＡｌ薄膜８２Ａを成膜する
（図３４（ｃ））。Ａｌ薄膜８２Ａの成膜には、真空蒸
着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いることがで
きる。この後、半導体フォトリソグラフィ技術により作
製されたフォトレジストパターンを用いてＡｌ薄膜８２
Ａをエッチングし、目的とするパターンに形成する（図
３４（ｄ））。Ａｌ薄膜８２Ａのエッチング方法として
は、例えばＲＩＥ法やスパッタエッチング法といった半
導体プラズマドライエッチング法や、例えばリン酸＋硝
酸＋酢酸混合溶液を用いたウエットエッチング法により
行う。ついで、半導体フォトリソグラフィ技術により作
製されたフォトレジストパターンを用いて、あるいはパ
ターニングされたＡｌ薄膜８２Ａをマスクパターンとし
てＣｒ薄膜８２Ｂをエッチングし、Ａｌ薄膜８２Ａと同
様にパターニングする（図３４（ｅ））。Ｃｒ薄膜８２
Ｂのエッチングには、例えばＲＩＥ法やスパッタエッチ
ング法といった半導体プラズマドライエッチング法や、
例えば水酸化ナトリウム＋フェリシアン化カリウム水溶
液を用いたウエットエッチング法を用いる。こうして、
カバー基板８１の裏面に、Ｃｒ薄膜８２ＢとＡｌ薄膜８
２Ａからなる遮光部材８２が形成されたら、封止樹脂層
７９（接着剤）を介してレンズ樹脂層７８の上にカバー
基板８１を貼り合わせる（図３４（ｆ））。このとき、
遮光部材８２がカバー基板８１の裏面と封止樹脂層７９
との界面に位置するように、カバー基板８１を貼り合わ
せる。この後、カバー基板８１の上に真空蒸着法、スパ
ッタリング法、ＣＶＤ法等により透明電極８３を設ける
（図３４（ｇ））。

【００９３】図３４（ａ）〜（ｇ）に示したような方法
によれば、Ａｌ薄膜８２ＡとＣｒ薄膜８２Ｂをin situ
に形成することができるので、Ａｌ薄膜８２ＡとＣｒ薄
膜８２Ｂとの密着性と膜質をともに向上させることがで
きる。また、エッチングによりパターニングされたＡｌ
薄膜８２ＡをＣｒ薄膜８２Ｂのエッチング用マスクに用
いることにより、フォトリソグラフィ工程を短縮でき、
同時にセルフアライメント方式により薄膜どうしのアラ
イメント精度が向上する。

【００９４】なお、上記各実施形態においては、レンズ
アレイ８０よりも表面側に遮光部材８２を配置したが、
レンズアレイ８０よりも裏面側に遮光部材８２を配置し
ても差し支えない。

【００９５】

【発明の効果】本発明のレンズアレイ基板によれば、レ
ンズどうしの境界に対応する領域に沿って遮光部材を設
けているので、レンズどうしの境界部分を通過した光を
遮光部材によって遮断することができ、レンズ境界部分
の成形誤差や鈍りによってレンズ境界部分を通過した光
が不規則な方向へ出射されるのを防止することができ
る。しかも、この遮光部材の光入射側の面は光反射率の
高い面となっているので、遮断する光を吸収して温度上
昇しにくく、レンズアレイ基板の温度上昇を小さくする
ことができる。

【００９６】特に、本発明の液晶表示装置によれば、レ
ンズアレイを構成する各レンズによって入射光を集光さ
せ、入射光を画素電極に集めることができるので、光の
利用効率が向上する。また、レンズどうしの境界に対応
する領域に沿って遮光部材を設けているので、レンズど
うしの境界部分を通過した光を遮光部材によって遮断す
ることができ、レンズ境界部分の成形誤差や鈍りによっ
てレンズ境界部分を通過した光がＴＦＴ等の素子に入射
して素子の動作を不安定にするのを防止することができ
る。しかも、この遮光部材の光入射側の面は光反射率の
高い面となっているので、遮断する光を吸収して温度上
昇しにくく、液晶表示装置の温度上昇を小さくすること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】液晶表示パネルの内部構造を示す概略分解斜視
図である。

【図２】カラー液晶プロジェクタの構造を説明する図で
ある。

【図３】裏面側基板にレンズアレイを設けた、従来の液
晶表示パネルの構造を示す概略断面図である。

【図４】同上の液晶表示パネルにおけるレンズアレイの
作用を説明するための図である。

【図５】レンズアレイの前方に遮光部材を設けた、従来
の液晶表示パネルの構造を示す概略断面図である。

【図６】（ａ）は本発明の一実施形態による液晶表示パ
ネルの構造を示す概略断面図、（ｂ）は（ａ）のＸ１部
拡大図である。

【図７】同上の液晶表示パネルにおける、レンズアレイ
の境界エッジ部と格子状の遮光部材との対応を示す斜視
図である。

【図８】凹レンズ状をしたレンズアレイの境界エッジ部
と格子状の遮光部材との対応を示す斜視図である。

【図９】図６に示した液晶表示パネルの作用説明図であ
る。

【図１０】３００ｎｍ〜７００ｎｍの波長域における、
光波長とＡｌ、Ｃｒの光反射率との関係を表した図であ
る。

【図１１】基板に形成されたＣｒ膜又はＡｌ膜の表面温
度と、ランプ照射時間との関係を示す図である。

【図１２】（ａ）〜（ｈ）は、図６の液晶表示パネルに
用いられている裏面側基板の製造工程を説明するための
断面図である。

【図１３】（ａ）〜（ｇ）は、図６の液晶表示パネルに
用いられている裏面側基板の別な製造工程を説明するた
めの断面図である。

【図１４】（ａ）〜（ｈ）は、図６の液晶表示パネルに
用いられている裏面側基板のさらに別な製造工程を説明
するための断面図である。

【図１５】（ａ）は本発明の別な実施形態による液晶表
示パネルの概略断面図、（ｂ）は（ａ）のＸ２部拡大図
である。

【図１６】（ａ）〜（ｅ）は、同上の液晶表示パネルに
用いられている裏面側基板の製造工程を説明するための
断面図である。

【図１７】（ａ）〜（ｅ）は、図１５の液晶表示パネル
に用いられている裏面側基板の別な製造工程を説明する
ための断面図である。

【図１８】（ａ）は本発明のさらに別な実施形態による
液晶表示パネルの概略断面図、（ｂ）は（ａ）のＸ３部
拡大図である。

【図１９】同上の液晶表示パネルにおける遮光部材の作
用説明図である。

【図２０】（ａ）〜（ｅ）は、図１８の液晶表示パネル
に用いられている裏面側基板の製造工程を説明するため
の断面図である。

【図２１】（ａ）〜（ｅ）は、図１８の液晶表示パネル
に用いられている裏面側基板の別な製造工程を説明する
ための断面図である。

【図２２】（ａ）は本発明のさらに別な実施形態による
液晶表示パネルの概略断面図、（ｂ）は（ａ）のＸ４部
拡大図である。

【図２３】（ａ）〜（ｆ）は、同上の液晶表示パネルに
用いられている裏面側基板の製造工程を説明するための
断面図である。

【図２４】（ａ）〜（ｆ）は、図２２の液晶表示パネル
に用いられている裏面側基板の別な製造工程を説明する
ための断面図である。

【図２５】（ａ）〜（ｆ）は、図２２の液晶表示パネル
に用いられている裏面側基板のさらに別な製造工程を説
明するための断面図である。

【図２６】（ａ）は本発明のさらに別な実施形態による
液晶表示パネルの概略断面図、（ｂ）は（ａ）のＸ５部
拡大図である。

【図２７】（ａ）〜（ｇ）は、同上の液晶表示パネルに
用いられている裏面側基板の製造工程を説明するための
断面図である。

【図２８】（ａ）は本発明のさらに別な実施形態による
液晶表示パネルの概略断面図、（ｂ）は（ａ）のＸ６部
拡大図である。

【図２９】（ａ）〜（ｄ）は、同上の液晶表示パネルに
用いられている裏面側基板の製造工程を説明するための
断面図である。

【図３０】（ａ）〜（ｅ）は、図２８の液晶表示パネル
に用いられている裏面側基板の別な製造工程を説明する
ための断面図である。

【図３１】（ａ）は本発明のさらに別な実施形態による
液晶表示パネルの概略断面図、（ｂ）は（ａ）のＸ７部
拡大図である。

【図３２】（ａ）は本発明のさらに別な実施形態による
液晶表示パネルの概略断面図、（ｂ）は（ａ）のＸ８部
拡大図である。

【図３３】（ａ）〜（ｇ）は、同上の液晶表示パネルに
用いられている裏面側基板の製造工程を説明するための
断面図である。

【図３４】（ａ）〜（ｇ）は、図３２の液晶表示パネル
に用いられている裏面側基板の別な製造工程を説明する
ための断面図である。

【符号の説明】

７１液晶表示パネル７２表面側基板７３裏面側基板７４液晶層７６ガラス基板７７境界エッジ部７８レンズ樹脂層７９封止樹脂層８０レンズアレイ８１カバー基板８２遮光部材８２Ａ薄膜８２Ｂ薄膜８２Ｃクロム酸化物薄膜８２Ｄポリマー層８３透明電極８６カラーフィルタ８７ブラックマトリクス８８画素電極８９ＴＦＴ１０１ＳｉＯ２層１０５エッチングストップ層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者倉田剛大京都府京都市下京区塩小路通堀川東入南不動堂町801番地オムロン株式会社内 (72)発明者宮本寛之京都府京都市下京区塩小路通堀川東入南不動堂町801番地オムロン株式会社内Ｆターム(参考） 2H048 BA02 BB01 BB02 BB10 BB14 BB42 2H091 FA29Y FA34Y FB02 FB08 GA03 GA13 MA07

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数のレンズを配列させたレンズアレイ
を有するレンズアレイ基板であって、前記レンズどうしの境界に対応する領域に沿って遮光部
材が設けられ、該遮光部材の光入射側の面は、光の高反
射率面となっていることを特徴とするレンズアレイ基
板。
【請求項２】前記高反射率面における光反射率は、７
０％以上であることを特徴とする、請求項１に記載のレ
ンズアレイ基板。
【請求項３】前記遮光部材は、Ａｌ又はＡｇからなる
ことを特徴とする、請求項１に記載のレンズアレイ基
板。
【請求項４】前記遮光部材は、該遮光部材が接してい
る部材に含まれている組成のうち少なくとも１つの組成
と同じ成分を添加されていることを特徴とする、請求項
１に記載のレンズアレイ基板。
【請求項５】前記遮光部材を支持する部材と該遮光部
材との間に、両者の密着性を高めるための層を形成した
ことを特徴とする、請求項１に記載のレンズアレイ基
板。
【請求項６】前記遮光部材の光出射側の面は、光の高
吸収率面となっていることを特徴とする、請求項１に記
載のレンズアレイ基板。
【請求項７】前記遮光部材の光出射側の面をＣｒによ
って形成したことを特徴とする、請求項６に記載のレン
ズアレイ基板。
【請求項８】前記遮光部材の光出射側の面を酸化物に
よって形成したことを特徴とする、請求項６に記載のレ
ンズアレイ基板。
【請求項９】前記遮光部材の光出射側の面をポリマー
によって形成したことを特徴とする、請求項６に記載の
レンズアレイ基板。
【請求項１０】前記ポリマーは、感光性ポリマーであ
ることを特徴とする、請求項８に記載のレンズアレイ基
板。
【請求項１１】前記遮光部材は、前記高反射率面を構
成する層と前記高吸収率面を構成する層との間にエッチ
ングストップ層を有していることを特徴とする、請求項
６に記載のレンズアレイ基板。
【請求項１２】前記高吸収率面を構成する層を、光入
射方向を向いたガラス面に形成し、該高吸収率面を構成
する層の上に前記光反射率面を構成する層を形成したこ
とを特徴とする、請求項６に記載のレンズアレイ基板。
【請求項１３】液晶層を挟んで請求項１ないし１２に
記載のレンズアレイ基板と対向基板とを対向させ、前記
レンズアレイを構成する各レンズに対向させて前記レン
ズアレイ基板又は前記対向基板のうちいずれか一方に画
素電極を形成し、前記レンズアレイ基板又は前記対向基
板のうち他方に透明電極を形成したことを特徴とする液
晶表示装置。