JP2006291269A - ガラス基体へのめっき方法及びそれを用いた磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

ガラス基体へのめっき方法及びそれを用いた磁気記録媒体の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2006291269A
JP2006291269A JP2005112056A JP2005112056A JP2006291269A JP 2006291269 A JP2006291269 A JP 2006291269A JP 2005112056 A JP2005112056 A JP 2005112056A JP 2005112056 A JP2005112056 A JP 2005112056A JP 2006291269 A JP2006291269 A JP 2006291269A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
glass substrate
plating
treatment
glass
magnetic recording
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2005112056A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4479571B2 (ja
Inventor
Akiyoshi Iso
亜紀良 磯
Yoichi Tei
用一 鄭
Masaru Kurihara
大 栗原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Device Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Device Technology Co Ltd filed Critical Fuji Electric Device Technology Co Ltd
Priority to JP2005112056A priority Critical patent/JP4479571B2/ja
Priority to US11/374,374 priority patent/US20060228493A1/en
Priority to MYPI20061545A priority patent/MY145880A/en
Priority to CNA2006100725815A priority patent/CN1843996A/zh
Publication of JP2006291269A publication Critical patent/JP2006291269A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4479571B2 publication Critical patent/JP4479571B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C23/00Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
    • C03C23/0005Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation
    • C03C23/002Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation by ultraviolet light
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C15/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/36Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
    • C03C17/38Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal at least one coating being a coating of an organic material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/1851Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
    • C23C18/1862Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by radiant energy
    • C23C18/1868Radiation, e.g. UV, laser
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/1851Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
    • C23C18/1872Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment
    • C23C18/1886Multistep pretreatment
    • C23C18/1893Multistep pretreatment with use of organic or inorganic compounds other than metals, first
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31Coating with metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/48Coating with alloys
    • C23C18/50Coating with alloys with alloys based on iron, cobalt or nickel
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/8404Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers manufacturing base layers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00Methods for coating glass
    • C03C2218/10Deposition methods
    • C03C2218/11Deposition methods from solutions or suspensions
    • C03C2218/115Deposition methods from solutions or suspensions electro-enhanced deposition
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00Methods for coating glass
    • C03C2218/30Aspects of methods for coating glass not covered above
    • C03C2218/31Pre-treatment
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/858Producing a magnetic layer by electro-plating or electroless plating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)

Abstract

【課題】 ガラス材料からなる基体の表面のアルカリ金属を除去することにより、密着性の優れた無電解めっき膜を形成することが可能なガラス基体へのめっき方法及びそれを用いた磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】 ガラス材料からなる基体の表面に、少なくとも、紫外線照射処理S1、エッチング処理S2、密着層形成処理S3、触媒層形成処理S4、及び触媒活性化処理S5を順次施した後に、無電解めっきS6を施す。
【選択図】 図1

Description

本発明は、ガラス材料からなる基体へのめっき方法及びそれを用いた磁気記録媒体の製造方法に関し、特に、磁気記録媒体としてのハードディスクに用いるガラス基板への無電解めっき膜の形成に好適である。
コンピュータの外部記憶装置などに用いられているハードディスク装置(HDD)に搭載する磁気記録媒体(ハードディスク)は、AV機器搭載のための記憶容量の大容量化や小径化による高記録密度化の要求に伴い、基板材料としては、アルミニウム合金基板よりも平坦性と強度に優れたガラス基板が用いられるようになり、記録方式としては、面内磁気記録方式よりも高密度記録が可能な垂直磁気記録方式に移行しつつある。
そのための垂直磁気記録媒体(例えば特許文献1参照)には、膜厚が0.3〜3.0μmの軟磁性裏打ち層という比較的厚い層を基板上に成膜する必要があるが、これを通常のスパッタリング法で成膜するとコスト高となる問題があるので、量産性の高い無電解めっき法で成膜することが望まれている。
その際、基板としてアルミニウム合金基板を用いる場合には、密着性の良い無電解めっき膜を問題なく形成できるのであるが、ガラス基板の場合には、ガラスの化学的性質により、直接無電解めっき膜を形成することはできないので、ガラス基板上にシランカップリング剤により密着層を形成してから無電解めっき膜を形成する方法が提案されている(例えば特許文献2参照)。
この方法は、シランカップリング剤が水に溶解する事でシランカップリング剤のエトキシ基またはメトキシ基がシラノール基となり、ガラス基板表面の水酸基(シラノール基)と水素結合的に結合し、脱水処理する事で強固な化学結合により密着させる方法であるため、センシ・アクチ法のように表面を荒らすことによるアンカー効果を利用せずに、基板表面が平坦でも密着性の良好なめっき膜を得ることができる。
特公昭58−91号公報 特開2000−163743号公報
上述のとおり、シランカップリング剤を密着層に用いる方法では、シランカップリング剤のシラノール基がガラス基板表面の水酸基と化学結合することで強固な密着層を形成するが、化学結合にならない、例えば、付着や水素結合のままであると、めっき膜密着不良の原因となることが判明した。
化学結合を阻害する要因としては、油脂成分等による表面の汚染や、ガラス材料に含まれるアルカリ金属が挙げられる。ガラス表面の汚染は、アルカリによる脱脂やフッ酸等によるエッチングにより除去が可能であるが、アルカリ金属については、ガラス材料そのものに含まれている為、その除去は非常に困難である。
本発明は、上述の点に鑑み、ガラス材料からなる基体の表面のアルカリ金属を除去することにより、密着性の優れた無電解めっき膜を形成することが可能なガラス基体へのめっき方法及びそれを用いた磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
上述の目的を達成するため、本発明のガラス基体へのめっき方法は、ガラス材料からなる基体の表面に、少なくとも、紫外線照射処理、エッチング処理、密着層形成処理、触媒層形成処理、及び触媒活性化処理を順次施した後に、無電解めっきを施すことを特徴とする。
ここで、紫外線照射処理に200nm以上の波長の紫外線を用い、エッチング処理にフッ酸を用い、密着層形成処理にシランカップリング剤を用い、触媒層形成処理にパラジウム触媒を用い、触媒活性化処理に次亜リン酸を用いることが好ましい。
そして、本発明の磁気記録媒体の製造方法は、本発明のガラス基体へのめっき方法を用いてガラス基板上に無電解めっきを施し、その無電解めっき膜上に少なくとも磁気記録層を形成することを特徴とする。
本発明においては、酸化物または水和物の形でガラス中に含まれているアルカリ金属を紫外線の照射によって分解する。紫外線を照射されて分解されたアルカリ金属は結合が切られているので、その後のエッチングによりガラス表面から除去される。
一方、200nm未満の波長の紫外線を照射すると、ガラスの骨格であるSiOも結合が切られてしまうので、それを防止するためには、照射する紫外線は200nmから350nmの範囲の波長を有するものとすることが好ましく、それによりアルカリ金属の選択エッチングが可能となる。
また、紫外線照射後のエッチングにフッ酸を用いると、より密着性が向上する。これは、フッ酸がフッ素と水素に分解し、フッ素がアルカリ金属と結びつき、水素がガラス表面でシラノール基(Si−OH)を作ることによる効果であると推測される。
本発明のガラス基板へのめっき方法によれば、ガラス基板上に膨れが無く密着性の優れた無電解めっき膜を形成することができる。
従って、本発明のガラス基体へのめっき方法を用いてガラス基板に無電解めっき膜を形成し、その無電解めっき膜上に磁気記録層を形成することにより、密着性の優れた磁気記録媒体を得ることができる。特に、軟磁性めっき膜を形成することにより、軟磁気特性および密着性において良好なガラス基板を用いた垂直磁気記録媒体を得ることができる。
以下に、本発明のガラス基体へのめっき方法を用いてガラス基板上に軟磁性めっき膜を形成し、その軟磁性めっき膜上に磁気記録層を形成することにより垂直磁気記録媒体を作製する場合の実施形態について説明するが、本発明のガラス基体へのめっき方法は、この用途に限定されるものではなく、一般的なガラス材料からなる基体上に無電解めっき法により1μm以上の膜厚で非磁性又は磁性めっき膜を密着性良く均一に形成する際にも同様な効果が得られる。
一般的なガラス材料からなる基体としては、例えば、液晶・PDP・FED・EL等のフラットパネルディスプレイ用ガラスや、複写機等の情報機器デバイス用ガラス、その他にも光通信用デバイス、自動車関連、医療関連、建材用ガラス等が挙げられる。
<ガラス基体へのめっき方法の実施形態>
図1に示すように、本発明の実施形態のガラス基体へのめっき方法は、紫外線照射工程S1、エッチング工程S2、密着層形成工程S3、触媒層形成工程S4、触媒活性化工程S5、及び無電解めっき工程S6を備える。
以下に、これらの各工程について説明する。
〔紫外線照射工程S1〕
この工程では、図2に示すように、無電解めっき膜を形成すべき基体として磁気記録媒体用のディスク状のガラス基板を用意し、そのガラス基板1を暗箱4の中で基板保持冶具3により立てて保持し、その上方から低圧水銀ランプ2により紫外線(UV)を照射する。これによりガラス基板1の両面に紫外線照射処理を施すことができる。
この紫外線照射処理の作用効果は次のとおりである。
表1にガラスの主成分とガラスに含まれているアルカリ金属の結合エネルギー及びその波長換算値を記す。
表1から分かるように、酸化物または水和物の形でガラス中に含まれているアルカリ金属は、およそ350nm以下の波長の紫外線でその結合を切ることができる。従って、酸化物または水和物の形でガラス中に含まれているアルカリ金属は、350nm以下の波長の紫外線の照射によって結合が切られて分解されるので、その後のエッチングによりガラス表面から除去される。
一方、200nm以下の波長の紫外線を照射するとガラスの骨格であるSiOも結合が切られてしまうので、それを防止するためには、照射する紫外線は200nmから350nmの範囲の波長のものであることが好ましく、この範囲の波長の紫外線の照射によりアルカリ金属の選択エッチングが可能となる。
また、紫外線照射後のエッチングにフッ酸を用いると、より密着性が向上する。これは、フッ酸がフッ素と水素に分解し、フッ素がアルカリ金属と結びつき、水素はガラス表面でシラノール基(Si−OH)を作ることによる効果であると推測している。
このようにして得られたガラス基板表面にシランカップリング剤により密着層を形成し、パラジウムにより触媒層を形成し、次亜リン酸により触媒活性化処理を行い、無電解めっきにより成膜することで、密着性の良好な軟磁性膜や非磁性膜を得ることができる。
〔エッチング工程S2〕
この工程では、紫外線照射処理を施したガラス基板を処理液に浸漬することによりガラス基板の表面にエッチング処理を施す。これにより、ガラス基板表面のアルカリ金属は紫外線照射処理により結合が切られているので、容易に除去される。
処理液として希酸水溶液を用いる酸エッチング処理により、ガラス基板表面のアルカリ金属を除去する共に、シランカップリング剤と結合するシラノール基を増加させることができる。特に、フッ酸を用いる場合、さらには、硫酸による処理の後にフッ酸による処理を施す場合に、それが顕著であるので好ましい。
また、このような酸エッチング処理の前処理として水酸化カリウム(KOH)水溶液などを用いたアルカリ脱脂処理(アルカリエッチング処理)を施すことが、ガラス基板の表面を清浄化するうえで好ましい。なお、各処理を施したガラス基板は純水で濯ぎ、乾燥させずに次の処理を行う。
〔密着層形成工程S3〕
この工程では、エッチング処理を施したガラス基板をシランカップリング剤水溶液に浸漬することにより、密着層を塗布形成する。浸漬処理したガラス基板は純水で濯ぎ、乾燥させずに次の処理を行う。
密着層を形成するためのシランカップリング剤としては、アミノ系シランカップリング剤が好ましく、例えば、信越化学工業製のKBE903,KBM903,KBE603,KBM603などを用いることができる。
〔触媒層形成工程S4〕
この工程では、密着層を形成したガラス基板をパラジウム(Pd)触媒溶液、好ましくは塩化パラジウム(PdCl)水溶液に浸漬することにより、無電解めっきの触媒となる触媒層を塗布形成する。浸漬処理したガラス基板は純水で濯ぎ、乾燥させずに次の処理を行う。
〔触媒活性化工程S5〕
この工程では、触媒層を形成したガラス基板を次亜リン酸(HPO)水溶液に浸漬することにより、Pd触媒溶液が塗布されてなる触媒層のPdを密着層に結合させると共に触媒金属として活性化する。その際、過剰な遊離Pdは除去される。浸漬処理したガラス基板は純水で濯ぎ、乾燥させずに次の処理を行う。
〔無電解めっき工程S6〕
この工程では、触媒活性化処理を施したガラス基板を無電解めっき液に浸漬することにより、触媒層のPdを触媒として無電解めっきを施す。無電解めっき液としては、必要とするめっき膜に応じて市販のものを用いることができる。
以上の工程により、CoNiP膜やNiP膜などの磁気記録媒体に用いる軟磁性膜ないし非磁性膜をガラス基板上に無電解めっき法で密着性良く形成することができる。
<磁気記録媒体の製造方法の実施形態>
本発明の磁気記録媒体の製造方法により垂直磁気記録媒体を製造する場合の実施形態は、次のとおりである。
まず、上述の本発明の実施形態のガラス基体へのめっき方法を用いてCoNiP膜などの軟磁性めっき膜をディスク状のガラス基板上に形成し、必要に応じてその表面を研磨して平坦化加工やテクスチャ加工を施し、洗浄・乾燥する。
そして、その基板上に、スパッタリング法を用いて、非磁性シード層、Co−Cr−Pt―SiOなどからなる磁気記録層、カーボンなどからなる保護層などを順次成膜する。
これにより、ガラス基板上に無電解めっき法で形成した軟磁性めっき膜を軟磁性裏打ち層の少なくとも1部とする垂直磁気記録媒体を作製することができる。
以上のような本発明の実施形態によれば、ガラス基板上に膜膨れのない軟磁性めっき膜を密着性良く形成でき、軟磁気特性および密着性において良好なガラス基板を用いた垂直磁気記録媒体を得ることができる。
以下に、上述の本発明の実施形態を具体化にした実施例について説明する。
<ガラス基体へのめっき方法の実施例>
〔実施例1〕
(紫外線照射工程S1)
この工程では、図2に示すように、磁気記録媒体用のディスク状のガラス基板1を暗箱4の中で基板保持冶具3により立てて保持し、その上方から低圧水銀ランプ2により波長185nmの紫外線を10mW/cmの強度でガラス基板1の両面に30分間照射した。なお、基板は回転せずに行った。
(エッチング工程S2)
次に、紫外線を照射したガラス基板の表面に次のエッチング工程1〜3からなるエッチング処理を施した。
(1)エッチング工程1
まず、水酸化カリウム水溶液中にガラス基板を浸漬させる。処理液として、36Lの純水にKOHを2700g加えた水溶液を50℃に加熱したものを用意し、ガラス基板を3分間浸漬させた。浸漬の際には、ガラス基板表面が均一に処理されるようにガラス基板を20rpmで回転させながら浸漬させた。上記処理を終えたガラス基板は、純水にて十分濯ぎ、乾燥させず、次の処理を行った。
(2)エッチング工程2
次に、硫酸水溶液中にガラス基板を浸漬させる。処理液として、36Lの純水に硫酸を36mL加えた水溶液を用意し、ガラス基板を3分間浸漬させた。浸漬の際には、ガラス基板表面が均一に処理されるようにガラス基板を20rpmで回転させながら浸漬させた。上記処理を終えたガラス基板は、純水にて十分濯ぎ、乾燥させず、次の処理を行った。
(3)エッチング工程3
次に、フッ酸水溶液中にガラス基板を浸漬させる。処理液として、36Lの純水にフッ酸を9mL加えた水溶液を用意し、ガラス基板を3分間浸漬させた。浸漬の際には、ガラス基板表面が均一に処理されるようにガラス基板を20rpmで回転させながら浸漬させた。上記処理を終えたガラス基板は、純水にて十分濯ぎ、乾燥させず、次の処理を行った。
(密着層形成工程S3)
次に、シランカップリング剤水溶液中にガラス基板を浸漬させる。処理液として、36Lの純水に、KBE603(信越化学工業製)を720mL加えた水溶液を用意し、ガラス基板を10分間浸漬させた。浸漬の際には、ガラス基板表面が均一に処理されるようにガラス基板を20rpmで回転させながら浸漬させた。上記処理を終えたガラス基板は、純水にて十分濯ぎ、乾燥させず、次の処理を行った。
(触媒層形成工程S4)
次に、塩化パラジウム水溶液中にガラス基板を浸漬させる。処理液として、36Lの純水に、アクチベーター7331(メルテックス製)を1080mLと濃度が0.1mol/LのKOHを54mL加えた水溶液を用意し、ガラス基板を10分間浸漬させた。浸漬の際には、ガラス基板表面が均一に処理されるようにガラス基板を20rpmで回転させながら浸漬させた。上記処理を終えたガラス基板は、純水にて十分濯ぎ、乾燥させず、次の処理を行った。
(触媒活性化工程S5)
次に、次亜リン酸水溶液中にガラス基板を浸漬させる。処理液として、36Lの純水に、PA7340(メルテックス製)を360mL加えた水溶液を用意し、ガラス基板を2分間浸漬させた。浸漬の際には、ガラス基板表面が均一に処理されるようにガラス基板を20rpmで回転させながら浸漬させた。上記処理を終えたガラス基板は、純水にて十分濯ぎ、乾燥させず、次の処理を行った。
(無電解めっき工程S6)
次に、前処理として上記表面処理を施したガラス基板を無電解めっき液に浸漬することにより、ガラス基板上にCoNiP膜を3μmの厚さに成膜した。この無電解めっき工程において、めっき液の組成は、硫酸コバルト7水和物を5g/L、硫酸ニッケル6水和物を5g/L、次亜リン酸ナトリウムを20g/L、クエン酸ナトリウムを60g/L、ホウ酸を30g/Lとしてなり、75L建浴を用いた。めっき温度は85℃で、pH8になるよう水酸化ナトリウムで調整した。均一なめっき膜になるよう、ガラス基板を20rpmで回転させながら浸漬させた。
以上の工程により、CoNiP膜からなる軟磁性膜を無電解めっき法によりガラス基板上に形成してなる垂直磁気記録媒体用のめっき基板を作製した。
〔実施例2〕
紫外線照射工程S1で照射する紫外線の波長を254nmに変更したこと以外は実施例1と同様に実施してめっき基板を作製した。
〔実施例3〕
紫外線照射工程S1で照射する紫外線の波長を365nmに変更したこと以外は実施例1と同様に実施してめっき基板を作製した。
〔実施例4〕
エッチング工程S2のエッチング工程2及び3を省略したこと以外は実施例2と同様に実施してめっき基板を作製した。
〔実施例5〕
エッチング工程S2のエッチング工程3を省略したこと以外は実施例2と同様に実施してめっき基板を作製した。
〔実施例6〕
エッチング工程S2のエッチング工程2を省略したこと以外は実施例2と同様に実施してめっき基板を作製した。
〔比較例〕
紫外線照射工程S1を省略したこと以外は実施例1と同様に実施してめっき基板を作製した。
(評価)
以上の実施例1〜6及び比較例によりめっき基板を6枚ずつ作製し、それらのめっき基板について、めっき膜の膨れを目視により、めっき膜の密着性を碁盤目カット試験(JIS K5600−3−4に準ずる)により、それぞれ評価した。その評価結果を表3,4に示す。ここで、膨れの発生は膨れ有りのめっき基板の枚数であり、密着性Lvは、6枚のめっき基板のそれぞれについて行った碁盤目カット試験の結果の平均値である。表2にその碁盤目カット試験の判定基準を示す。
実施例1〜3および比較例より、紫外線を照射することで、膨れの発生を抑制し、密着性の向上に効果的なことが明らかである。特に、波長254nmの紫外線の照射(実施例2)により膨れの発生、密着性ともに、最も良好な結果が得られた。波長185nmの紫外線の照射(実施例1)では、紫外線照射後にガラス基板が黄色く変色したことから、ガラス骨格が分解されていることが推測され、これが、最良の実施例2と比較した場合の膨れの発生と密着性低下の原因であると推測される。また、波長365nmの紫外線の照射(実施例3)では、アルカリ金属の分解が弱いことが、最良の実施例2と比較した場合の膨れの発生と密着性低下の原因ではないかと推測される。
以上により、紫外線の照射は膨れの抑制と密着性の向上に効果があることが分かり、その波長は200nm〜350nmが好ましいことが分かる。
実施例2および4〜6より、紫外線照射後のエッチングは膨れの抑制と密着性向上に効果があることが分かり、フッ酸を含むエッチングがより効果的なことが分かる。
さらに、垂直磁気記録媒体の軟磁性裏打ち層として利用するためには、無電解めっきにより形成したCoNiP膜が軟磁気特性を示していることが必要であるので、外観が良好であった実施例2のめっき基板について、VSM(振動試料型磁力計)により磁気特性を測定した。そのVSMにより測定したM−Hループ(磁化曲線)を図3に示す。等方性で良好な軟磁気特性を示している。
<磁気記録媒体の製造方法の実施例>
本発明の磁気記録媒体の製造方法の実施例においては、上述の外観および軟磁気特性が良好な実施例2のめっき基板を用いた。そして、そのめっき基板に対して、研磨により表面平坦化処理を施し、中性洗剤とPVAスポンジを用いてスクラブ洗浄、アルカリ洗剤洗浄(2%セミクリ−ン PH=12、横浜油脂製)を行い、18MΩ以上の超純水を用いて十分に濯ぎ、イソプロピルアルコール蒸気乾燥を行った。その後、そのめっき基板上に、スパッタリング法を用いて、Co−Zr−Nb軟磁性補助層、Ir−Mn非磁性シード層、Co−Cr−Pt―SiO系磁気記録層、C保護層を順次形成することにより、垂直磁気記録媒体を作製した。
この垂直磁気記録媒体について、OSA(光学表面分析装置:Candela製OSA‐5100)により磁壁の評価を行った。評価結果を図4に示す。磁壁無く、良好な媒体が得られている。なお、磁壁がある場合には、図5に示すような縞模様が観測される。
本発明に係るガラス基体へのめっき方法の実施形態を示す工程図である。 本発明の実施形態におけるガラス基板への紫外線の照射形態を示す模式図である。 VSMにより測定した実施例2のめっき基板のM−Hループ(磁化曲線)図である。 実施例の垂直磁気記録媒体のOSAによる表面観察図である。 磁壁がある垂直磁気記録媒体のOSAによる表面観察図である。
符号の説明
S1 紫外線照射工程
S2 エッチング工程
S3 密着層形成工程
S4 触媒層形成工程
S5 触媒活性化工程
S6 無電解めっき工程
1 ガラス基板
2 低圧水銀ランプ
3 基板保持冶具
4 暗箱

Claims (7)

  1. ガラス材料からなる基体の表面に、少なくとも、紫外線照射処理、エッチング処理、密着層形成処理、触媒層形成処理、及び触媒活性化処理を順次施した後に、無電解めっきを施すことを特徴とするガラス基体へのめっき方法。
  2. 前記紫外線照射処理に200nm以上の波長の紫外線を用いることを特徴とする請求項1に記載のガラス基体へのめっき方法。
  3. 前記エッチング処理にフッ酸を用いることを特徴とする請求項1又は2に記載のガラス基体へのめっき方法。
  4. 前記密着層形成処理にシランカップリング剤を用いることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のガラス基体へのめっき方法。
  5. 前記触媒層形成処理にパラジウム触媒を用いることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のガラス基体へのめっき方法。
  6. 前記触媒活性化処理に次亜リン酸を用いることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載のガラス基体へのめっき方法。
  7. 請求項1から6のいずれかに記載のガラス基体へのめっき方法を用いてガラス基板上に無電解めっきを施し、その無電解めっき膜上に少なくとも磁気記録層を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
JP2005112056A 2005-04-08 2005-04-08 磁気記録媒体の製造方法 Expired - Fee Related JP4479571B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005112056A JP4479571B2 (ja) 2005-04-08 2005-04-08 磁気記録媒体の製造方法
US11/374,374 US20060228493A1 (en) 2005-04-08 2006-03-13 Method of plating on a glass base plate and a method of manufacturing a perpendicular magnetic recording medium
MYPI20061545A MY145880A (en) 2005-04-08 2006-04-05 A method of manufacturing a magnetic recording medium
CNA2006100725815A CN1843996A (zh) 2005-04-08 2006-04-07 对玻璃基体进行镀层的方法和磁记录介质的制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005112056A JP4479571B2 (ja) 2005-04-08 2005-04-08 磁気記録媒体の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006291269A true JP2006291269A (ja) 2006-10-26
JP4479571B2 JP4479571B2 (ja) 2010-06-09

Family

ID=37062967

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005112056A Expired - Fee Related JP4479571B2 (ja) 2005-04-08 2005-04-08 磁気記録媒体の製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20060228493A1 (ja)
JP (1) JP4479571B2 (ja)
CN (1) CN1843996A (ja)
MY (1) MY145880A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009109636A (ja) * 2007-10-29 2009-05-21 Sony Corp 偏光板および偏光板の製造方法ならびに液晶プロジェクタ
JP2011107668A (ja) * 2009-10-23 2011-06-02 Ricoh Co Ltd 現像剤担持体の製造方法、現像剤担持体、現像装置及び画像形成装置

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4539282B2 (ja) * 2004-04-16 2010-09-08 富士電機デバイステクノロジー株式会社 垂直磁気記録媒体用ディスク基板及びそれを用いた垂直磁気記録媒体
US20060210837A1 (en) * 2004-04-16 2006-09-21 Fuji Electric Device Method of plating on a glass base plate, a method of manufacturing a disk substrate for a perpendicular magnetic recording medium, a disk substrate for a perpendicular magnetic recording medium, and a perpendicular magnetic recording medium
JP4475026B2 (ja) * 2004-06-11 2010-06-09 富士電機デバイステクノロジー株式会社 無電解めっき方法、磁気記録媒体および磁気記録装置
JP4479528B2 (ja) * 2004-07-27 2010-06-09 富士電機デバイステクノロジー株式会社 ガラス基体へのめっき方法、そのめっき方法を用いる磁気記録媒体用ディスク基板の製造方法及び垂直磁気記録媒体の製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03232293A (ja) * 1990-02-08 1991-10-16 Hitachi Chem Co Ltd 配線板用基板の製造法及び該基板を用いた配線板の製造法
JPH08325037A (ja) * 1995-05-30 1996-12-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 撥水撥油防汚ガラス及びその製造方法
JPH0948639A (ja) * 1995-08-02 1997-02-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 撥水撥油性防汚ガラスと撥水撥油性防汚ガラスの製造法及びこの撥水撥油性防汚ガラスを用いた電化製品
JP2000163743A (ja) * 1998-11-26 2000-06-16 Fuji Electric Co Ltd 磁気ディスク用ガラス基板への無電解Ni−Pめっき層の形成方法
JP2000203884A (ja) * 1999-01-14 2000-07-25 Central Glass Co Ltd 高耐久性撥水ガラスおよびその製造方法

Family Cites Families (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3523823A (en) * 1967-10-20 1970-08-11 Honeywell Inc Electroless plating with low controlled coercivity
JPS5151908A (ja) * 1974-11-01 1976-05-07 Fuji Photo Film Co Ltd
JPS60261022A (ja) * 1984-06-07 1985-12-24 C Uyemura & Co Ltd 磁気記録体の製造方法
JPS62188206A (ja) * 1985-10-07 1987-08-17 Nippon Mining Co Ltd Fe−Si−Al合金磁性膜及びその製造方法並びに薄膜積層磁気ヘツド
US4780395A (en) * 1986-01-25 1988-10-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Microchannel plate and a method for manufacturing the same
WO1987005338A1 (en) * 1986-03-04 1987-09-11 Ishihara Chemical Co., Ltd. Palladium-base electroless plating solution
JPH01104779A (ja) * 1987-10-19 1989-04-21 Murata Mfg Co Ltd セラミクスの無電解メッキ前処理方法
US5320908A (en) * 1989-05-04 1994-06-14 Ad Tech Holdings Limited Deposition of an extremely thin silver layer on a nonconducting substrate
JPH0785289B2 (ja) * 1990-03-19 1995-09-13 シャープ株式会社 磁気ヘッドの製造方法
JPH0539580A (ja) * 1991-08-02 1993-02-19 Okuno Seiyaku Kogyo Kk 無電解パラジウムめつき液
US5264981A (en) * 1991-08-14 1993-11-23 International Business Machines Corporation Multilayered ferromagnetic film and magnetic head employing the same
WO1993011531A1 (en) * 1991-12-02 1993-06-10 Nikko Kyodo Company, Limited Thin film magnetic head
JP2727481B2 (ja) * 1992-02-07 1998-03-11 キヤノン株式会社 液晶素子用ガラス基板の洗浄方法
US5882736A (en) * 1993-05-13 1999-03-16 Atotech Deutschland Gmbh palladium layers deposition process
US6430001B1 (en) * 1995-03-16 2002-08-06 International Business Machines Corporation Integrated data storage disk and disk drive
JP2901523B2 (ja) * 1995-08-09 1999-06-07 日本カニゼン株式会社 無電解黒色めっき浴組成と皮膜の形成方法
US6156413A (en) * 1996-10-25 2000-12-05 Canon Kabushiki Kaisha Glass circuit substrate and fabrication method thereof
US20020019305A1 (en) * 1996-10-31 2002-02-14 Che-Kuang Wu Gray scale all-glass photomasks
JP3162313B2 (ja) * 1997-01-20 2001-04-25 工業技術院長 薄膜製造方法および薄膜製造装置
US6261671B1 (en) * 1997-04-15 2001-07-17 Ibiden Co., Ltd. Adhesive for electroless plating, feedstock composition for preparing adhesive for electroless plating, and printed wiring board
EP0884934B1 (en) * 1997-06-10 2005-02-16 Canon Kabushiki Kaisha Substrate and method for producing it
JPH11339240A (ja) * 1998-05-27 1999-12-10 Fujitsu Ltd 磁気記録媒体及び磁気ディスク装置
US6316097B1 (en) * 1998-09-28 2001-11-13 Seagate Technology Llc Electroless plating process for alternative memory disk substrates
JP2000163742A (ja) * 1998-11-26 2000-06-16 Fuji Electric Co Ltd 磁気記録媒体用ガラス基板の洗浄方法
US6685990B1 (en) * 1999-04-20 2004-02-03 Seagate Technology Llc Nodule-free electroless nip plating
JP3959588B2 (ja) * 1999-05-13 2007-08-15 日本板硝子株式会社 情報記録媒体用ガラス基板、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法及び情報記録媒体
WO2001046979A1 (fr) * 1999-12-21 2001-06-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Panneau d'affichage a plasma et son procede de fabrication
EP1279750B1 (en) * 2000-04-25 2016-05-04 JX Nippon Mining & Metals Corporation Pretreating agent for metal plating
JP3435136B2 (ja) * 2000-05-16 2003-08-11 日本板硝子株式会社 基材の親水化処理方法
US20020113322A1 (en) * 2000-06-12 2002-08-22 Shinichi Terashima Semiconductor device and method to produce the same
US6566687B2 (en) * 2001-01-18 2003-05-20 International Business Machines Corporation Metal induced self-aligned crystallization of Si layer for TFT
US6821893B2 (en) * 2001-03-26 2004-11-23 Hoya Corporation Method of manufacturing a substrate for information recording media
US20030150144A1 (en) * 2001-09-24 2003-08-14 Skapyak Kip M. Stemware identification bracelets and method of use
US6926977B2 (en) * 2001-10-22 2005-08-09 Showa Denko Kabushiki Kaisha Magnetic recording medium, production process thereof, and magnetic recording and reproducing apparatus
US7087267B2 (en) * 2001-11-29 2006-08-08 International Business Machines Corporation Materials and methods for immobilization of catalysts on surfaces and for selective electroless metallization
US6737281B1 (en) * 2002-01-08 2004-05-18 Western Digital (Fremont), Inc. Method of making transducer with inorganic nonferromagnetic apex region
US6899816B2 (en) * 2002-04-03 2005-05-31 Applied Materials, Inc. Electroless deposition method
WO2003090290A1 (fr) * 2002-04-22 2003-10-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Element a effet de resistance magnetique, tete magnetique en comportant, memoire magnetique, et enregistreur magnetique
JP3609393B2 (ja) * 2002-06-20 2005-01-12 日立マクセル株式会社 磁気記録媒体及びその製造方法並びに磁気記録装置
SG143046A1 (en) * 2003-06-30 2008-06-27 Shinetsu Chemical Co Substrate for magnetic recording medium
SG114749A1 (en) * 2004-02-27 2005-09-28 Shinetsu Chemical Co Magnetic recording medium and magnetic recording medium substrate
US20060210837A1 (en) * 2004-04-16 2006-09-21 Fuji Electric Device Method of plating on a glass base plate, a method of manufacturing a disk substrate for a perpendicular magnetic recording medium, a disk substrate for a perpendicular magnetic recording medium, and a perpendicular magnetic recording medium
JP4475026B2 (ja) * 2004-06-11 2010-06-09 富士電機デバイステクノロジー株式会社 無電解めっき方法、磁気記録媒体および磁気記録装置
JP4479528B2 (ja) * 2004-07-27 2010-06-09 富士電機デバイステクノロジー株式会社 ガラス基体へのめっき方法、そのめっき方法を用いる磁気記録媒体用ディスク基板の製造方法及び垂直磁気記録媒体の製造方法
JP4479493B2 (ja) * 2004-12-14 2010-06-09 富士電機デバイステクノロジー株式会社 ガラス基板へのめっき方法及びそれを用いた磁気記録媒体の製造方法
EP1693484A3 (en) * 2005-02-15 2007-06-20 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Plating Method

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03232293A (ja) * 1990-02-08 1991-10-16 Hitachi Chem Co Ltd 配線板用基板の製造法及び該基板を用いた配線板の製造法
JPH08325037A (ja) * 1995-05-30 1996-12-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 撥水撥油防汚ガラス及びその製造方法
JPH0948639A (ja) * 1995-08-02 1997-02-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 撥水撥油性防汚ガラスと撥水撥油性防汚ガラスの製造法及びこの撥水撥油性防汚ガラスを用いた電化製品
JP2000163743A (ja) * 1998-11-26 2000-06-16 Fuji Electric Co Ltd 磁気ディスク用ガラス基板への無電解Ni−Pめっき層の形成方法
JP2000203884A (ja) * 1999-01-14 2000-07-25 Central Glass Co Ltd 高耐久性撥水ガラスおよびその製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009109636A (ja) * 2007-10-29 2009-05-21 Sony Corp 偏光板および偏光板の製造方法ならびに液晶プロジェクタ
JP4507126B2 (ja) * 2007-10-29 2010-07-21 ソニー株式会社 偏光板の製造方法
US8212971B2 (en) 2007-10-29 2012-07-03 Sony Corporation Polarizer, method of manufacturing polarizer and liquid crystal projector
JP2011107668A (ja) * 2009-10-23 2011-06-02 Ricoh Co Ltd 現像剤担持体の製造方法、現像剤担持体、現像装置及び画像形成装置

Also Published As

Publication number Publication date
MY145880A (en) 2012-05-15
US20060228493A1 (en) 2006-10-12
CN1843996A (zh) 2006-10-11
JP4479571B2 (ja) 2010-06-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4479528B2 (ja) ガラス基体へのめっき方法、そのめっき方法を用いる磁気記録媒体用ディスク基板の製造方法及び垂直磁気記録媒体の製造方法
US7514118B2 (en) Method of electroless plating on a glass substrate and method of manufacturing a magnetic recording medium using the method of electroless plating
JP4479571B2 (ja) 磁気記録媒体の製造方法
US20050287304A1 (en) Method of treating a substrate for electroless plating and method of increasing adhesion therebetween, and magnetic recording medium and magnetic recording device thereof
JP4479572B2 (ja) 垂直磁気記録媒体用ディスク基板の製造方法、垂直磁気記録媒体用ディスク基板及び垂直磁気記録媒体
JP2006089363A (ja) 磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法、それにより得られる磁気記録媒体用ガラス基板およびこの基板を用いて得られる磁気記録媒体
JP3601325B2 (ja) 磁気ディスク用ガラス基板への無電解Ni−Pめっき層の形成方法
JP2008269767A (ja) 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法および磁気ディスク製造方法
JP2001312817A (ja) 磁気記録媒体用ガラス基板の洗浄方法、該洗浄方法により洗浄された磁気記録媒体用ガラス基板、および該基板を使用した磁気記録媒体
JP6917587B1 (ja) 積層膜構造および積層膜構造の製造方法
JP4285222B2 (ja) 無電解メッキの前処理方法、該方法を含む磁気記録媒体用基板の製造方法、並びに該製造方法で製造される磁気記録媒体用基板
US11192822B2 (en) Enhanced nickel plating process
JP2001209925A (ja) 磁気記録媒体用アルミニウム基板およびその製造方法
JP2005206866A (ja) 無電解メッキの前処理方法、該方法を含む磁気記録媒体用基板の製造方法、並びに該製造方法で製造される磁気記録媒体用基板
JP3275476B2 (ja) 磁気ディスク用基板
JP4352398B2 (ja) 磁気記録媒体用基板およびその製造方法
JP2006092719A (ja) 磁気ディスク用基板および磁気ディスクの製造方法
JP2004002163A (ja) 化学強化ガラスの製造方法、および情報記録媒体用ガラス基板の製造方法
JPH11120554A (ja) 磁気記録媒体用基板の製造方法
CN104364847A (zh) 用于制造硬盘基片的方法
US20050153481A1 (en) Method of pretreating a nonmagnetic substrate and a magnetic recording medium formed thereby
JP2001229531A (ja) ガラス基板の洗浄方法
JP2005272932A (ja) 基体およびその製造方法
JPH11203674A (ja) 磁気記録媒体用基板の製造方法
JP3310563B2 (ja) 磁気記録媒体及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20071115

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20081216

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20090219

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090601

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091201

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100127

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100223

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100308

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130326

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4479571

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130326

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130326

Year of fee payment: 3

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130326

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130326

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140326

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees