JP2001209925A - 磁気記録媒体用アルミニウム基板およびその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体用アルミニウム基板およびその製造方法Info
- Publication number
- JP2001209925A JP2001209925A JP2000017073A JP2000017073A JP2001209925A JP 2001209925 A JP2001209925 A JP 2001209925A JP 2000017073 A JP2000017073 A JP 2000017073A JP 2000017073 A JP2000017073 A JP 2000017073A JP 2001209925 A JP2001209925 A JP 2001209925A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- alloy
- aluminum substrate
- plating film
- magnetic recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/30—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer
- C23C28/34—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer including at least one inorganic non-metallic material layer, e.g. metal carbide, nitride, boride, silicide layer and their mixtures, enamels, phosphates and sulphates
- C23C28/345—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer including at least one inorganic non-metallic material layer, e.g. metal carbide, nitride, boride, silicide layer and their mixtures, enamels, phosphates and sulphates with at least one oxide layer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/30—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer
- C23C28/32—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer including at least one pure metallic layer
- C23C28/321—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer including at least one pure metallic layer with at least one metal alloy layer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/30—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer
- C23C28/32—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer including at least one pure metallic layer
- C23C28/322—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer including at least one pure metallic layer only coatings of metal elements only
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐衝撃性が高く、Ｐ含有Ｎｉ合金メッキ膜の
基板に対する密着性が高い磁気記録媒体用アルミニウム
基板を提供する。 【解決手段】 基材面にＰ含有Ｎｉ合金の無電解メッキ
膜を備えたアルミニウム基板であって、アルミニウムか
らなる基材面に陽極酸化皮膜とその皮膜面に析出した触
媒核金属とこの触媒核金属の析出した皮膜を実質的に覆
う前記触媒核金属の組成と異なりかつ前記Ｐ含有Ｎｉ合
金無電解メッキ膜の組成と異なる組成からなる下地金属
フラッシュめっき膜とこの下地金属めっき膜に無電解メ
ッキした前記Ｐ含有Ｎｉ合金膜とを備えた磁気記録媒体
用アルミニウム基板。
基板に対する密着性が高い磁気記録媒体用アルミニウム
基板を提供する。 【解決手段】 基材面にＰ含有Ｎｉ合金の無電解メッキ
膜を備えたアルミニウム基板であって、アルミニウムか
らなる基材面に陽極酸化皮膜とその皮膜面に析出した触
媒核金属とこの触媒核金属の析出した皮膜を実質的に覆
う前記触媒核金属の組成と異なりかつ前記Ｐ含有Ｎｉ合
金無電解メッキ膜の組成と異なる組成からなる下地金属
フラッシュめっき膜とこの下地金属めっき膜に無電解メ
ッキした前記Ｐ含有Ｎｉ合金膜とを備えた磁気記録媒体
用アルミニウム基板。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子情報処理に用
いられる固定型薄膜磁気記録ディスク（ハードディス
ク）等の高記録密度磁気記録媒体用のアルミニウム（本
明細書において特に明示しない限りアルミニウムは、純
アルミニウムおよびアルミニウム合金を含んでいるもの
である。）基体面上にＰ含有非晶質Ｎｉ合金膜を備えた
磁気記録媒体用アルミニウム基板およびその基板の製造
方法に関する。
いられる固定型薄膜磁気記録ディスク（ハードディス
ク）等の高記録密度磁気記録媒体用のアルミニウム（本
明細書において特に明示しない限りアルミニウムは、純
アルミニウムおよびアルミニウム合金を含んでいるもの
である。）基体面上にＰ含有非晶質Ｎｉ合金膜を備えた
磁気記録媒体用アルミニウム基板およびその基板の製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】コンピュータなどの情報処理装置にはそ
の外部記憶装置として“ハードディスクドライブ”もし
くは“ハードディスク”と呼称される固定式の磁気記録
装置（磁気ディスク装置）が用いられている。一般に、
この固定式磁気記録装置の記録媒体（磁気ディスク）の
基板としては、アルミニウム基板が用いられている。こ
の磁気記録媒体は通常、非磁性のアルミニウム基材を研
削により平滑化し、表面清浄化および亜鉛置換処理の後
無電解Ｎｉ−Ｐ合金メッキを行い、さらに研磨により平
滑化し、テクスチャリング処理を行った後、非磁性金属
下地層膜、磁性膜、保護膜、潤滑膜を順次形成して製造
されている。
の外部記憶装置として“ハードディスクドライブ”もし
くは“ハードディスク”と呼称される固定式の磁気記録
装置（磁気ディスク装置）が用いられている。一般に、
この固定式磁気記録装置の記録媒体（磁気ディスク）の
基板としては、アルミニウム基板が用いられている。こ
の磁気記録媒体は通常、非磁性のアルミニウム基材を研
削により平滑化し、表面清浄化および亜鉛置換処理の後
無電解Ｎｉ−Ｐ合金メッキを行い、さらに研磨により平
滑化し、テクスチャリング処理を行った後、非磁性金属
下地層膜、磁性膜、保護膜、潤滑膜を順次形成して製造
されている。
【０００３】近年、携帯用コンピュータなどに搭載され
る可搬式の固定磁気ディスク装置に対応するため、作動
時および移動時に磁気ヘッドとの衝突により傷付かない
ように、磁気ディスクに要求される耐衝撃性も年々高く
なってきている。それに伴い、上記のようにアルミニウ
ム基材にＰ含有Ｎｉ合金メッキ膜を設けた基板では耐衝
撃性が不十分になりつつある。そこで、アルミニウム基
板に代わって、高価であり加工性は劣るが耐衝撃性に優
れたガラス基板が使用され始めている。
る可搬式の固定磁気ディスク装置に対応するため、作動
時および移動時に磁気ヘッドとの衝突により傷付かない
ように、磁気ディスクに要求される耐衝撃性も年々高く
なってきている。それに伴い、上記のようにアルミニウ
ム基材にＰ含有Ｎｉ合金メッキ膜を設けた基板では耐衝
撃性が不十分になりつつある。そこで、アルミニウム基
板に代わって、高価であり加工性は劣るが耐衝撃性に優
れたガラス基板が使用され始めている。
【０００４】無電解Ｎｉあるいは無電解Ｐ含有Ｎｉ合金
メッキ膜を設けたアルミニウム基板には、多くの場合そ
の表面に研磨により基板円周方向に沿って同心円状のテ
キスチャリングを施している。これは、記録再生用の磁
気記録ヘッドと磁気記録媒体との間の吸着を防ぐと共
に、磁気異方性を増加させるためである。さらに最近で
は、作動時のヘッド浮上量の著しい低減に伴い、基板の
ＣＳＳゾーンにレーザービーム加工により微小突起を形
成することも行われている。
メッキ膜を設けたアルミニウム基板には、多くの場合そ
の表面に研磨により基板円周方向に沿って同心円状のテ
キスチャリングを施している。これは、記録再生用の磁
気記録ヘッドと磁気記録媒体との間の吸着を防ぐと共
に、磁気異方性を増加させるためである。さらに最近で
は、作動時のヘッド浮上量の著しい低減に伴い、基板の
ＣＳＳゾーンにレーザービーム加工により微小突起を形
成することも行われている。
【０００５】しかし、ガラス基板の場合、硬くて加工性
が悪いためテキスチャリングを施すことは困難である。
しかも、一般的に透明であるためレーザービームの吸収
性は悪く、また溶融温度も著しく高いため、特定形状の
突起を均一に多数形成することも困難である。その対策
として、テキスチャリングが可能であって、レーザービ
ーム加工により微小突起を均一に形成できる耐衝撃性の
高い基板として、ガラス面にＰｄを吸着させ、その上に
Ｐ含有Ｎｉ合金メッキ膜を形成するガラス基板が提案
（表面技術Vol 44 831〜835 頁 1993)されているがガラ
スは加工性が悪く生産性に劣る。
が悪いためテキスチャリングを施すことは困難である。
しかも、一般的に透明であるためレーザービームの吸収
性は悪く、また溶融温度も著しく高いため、特定形状の
突起を均一に多数形成することも困難である。その対策
として、テキスチャリングが可能であって、レーザービ
ーム加工により微小突起を均一に形成できる耐衝撃性の
高い基板として、ガラス面にＰｄを吸着させ、その上に
Ｐ含有Ｎｉ合金メッキ膜を形成するガラス基板が提案
（表面技術Vol 44 831〜835 頁 1993)されているがガラ
スは加工性が悪く生産性に劣る。
【０００６】アルミニウム基板は安価で加工性が良好で
生産性が良いが、耐衝撃性が不十分である。特開昭６２
−３４２３号公報には、Ａｌ又はＡｌ合金の陽極酸化皮
膜の微細孔中に、金属を充填して触媒核とし、その上に
強酸性液中でＰ含有Ｎｉ合金メッキ膜を形成した、Ｐ含
有Ｎｉ合金メッキ膜の基板に密着性の良いアルミニウム
基板が提案されている。
生産性が良いが、耐衝撃性が不十分である。特開昭６２
−３４２３号公報には、Ａｌ又はＡｌ合金の陽極酸化皮
膜の微細孔中に、金属を充填して触媒核とし、その上に
強酸性液中でＰ含有Ｎｉ合金メッキ膜を形成した、Ｐ含
有Ｎｉ合金メッキ膜の基板に密着性の良いアルミニウム
基板が提案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】前記特開昭６２−３４
２３号公報に提案されているアルミニウム基板について
検討したところ、微細孔中に金属を充填したアルミニウ
ムの陽極酸化皮膜を強酸液中でＰ含有Ｎｉ合金メッキ膜
を形成する処理は、陽極酸化皮膜を著しく溶解し、皮膜
表面の平滑性を低下させるばかりでなく皮膜厚さにむら
を生じて、極端な場合には部分的に皮膜は完全に溶解、
除去されてしまう。このため、研磨後の基板表面のうね
り特性が得られなかったり、あるいは平滑なＰ含有Ｎｉ
合金メッキ膜を得るにはメッキ膜の研磨量を大きくする
必要がある。
２３号公報に提案されているアルミニウム基板について
検討したところ、微細孔中に金属を充填したアルミニウ
ムの陽極酸化皮膜を強酸液中でＰ含有Ｎｉ合金メッキ膜
を形成する処理は、陽極酸化皮膜を著しく溶解し、皮膜
表面の平滑性を低下させるばかりでなく皮膜厚さにむら
を生じて、極端な場合には部分的に皮膜は完全に溶解、
除去されてしまう。このため、研磨後の基板表面のうね
り特性が得られなかったり、あるいは平滑なＰ含有Ｎｉ
合金メッキ膜を得るにはメッキ膜の研磨量を大きくする
必要がある。
【０００８】また、磁気ディスク用下地めっき膜として
用いられている１０wt％以上のＰを含有するＮｉ−Ｐ合
金用のめっき液は、析出初期の反応性が高いため、陽極
酸化皮膜に直接析出させた場合良好な密着性が得られな
い。
用いられている１０wt％以上のＰを含有するＮｉ−Ｐ合
金用のめっき液は、析出初期の反応性が高いため、陽極
酸化皮膜に直接析出させた場合良好な密着性が得られな
い。
【０００９】
【課題を解決するための手段】即ち第１の発明は、アル
ミニウムからなる基材面にＰ含有Ｎｉ合金の無電解メッ
キ膜を備えたアルミニウム基板において、アルミニウム
からなる基材と、該アルミニウム基材の陽極酸化により
生成した多孔質皮膜と、該多孔質皮膜面に析出した触媒
核となる金属と、該触媒核となる金属の析出した前記多
孔質皮膜を実質的に覆う前記触媒核となる金属の組成と
異なりかつ前記Ｐ含有Ｎｉ合金無電解メッキ膜と異なる
組成の下地金属フラッシュめっき膜と、該下地金属フラ
ッシュめっき膜に無電解メッキした前記Ｐ含有Ｎｉ合金
膜とを備えたことを特徴とする磁気記録媒体用アルミニ
ウム基板である。このような構造とすることによって、
耐衝撃性が高く、Ｐ含有Ｎｉ合金メッキ膜の基板に対す
る密着性が高いアルミニウム基板が得られる。
ミニウムからなる基材面にＰ含有Ｎｉ合金の無電解メッ
キ膜を備えたアルミニウム基板において、アルミニウム
からなる基材と、該アルミニウム基材の陽極酸化により
生成した多孔質皮膜と、該多孔質皮膜面に析出した触媒
核となる金属と、該触媒核となる金属の析出した前記多
孔質皮膜を実質的に覆う前記触媒核となる金属の組成と
異なりかつ前記Ｐ含有Ｎｉ合金無電解メッキ膜と異なる
組成の下地金属フラッシュめっき膜と、該下地金属フラ
ッシュめっき膜に無電解メッキした前記Ｐ含有Ｎｉ合金
膜とを備えたことを特徴とする磁気記録媒体用アルミニ
ウム基板である。このような構造とすることによって、
耐衝撃性が高く、Ｐ含有Ｎｉ合金メッキ膜の基板に対す
る密着性が高いアルミニウム基板が得られる。
【００１０】アルミニウム基材の陽極酸化により生成し
た多孔質皮膜は、硬度の点では、Ｐ含有非晶質Ｎｉ合金
膜とほぼ同程度かむしろ低い。しかし、弾性率は極めて
高く弾性変形し難く、伸びはほとんどなく、降伏応力も
大きいため塑性変形も生じ難いため、より大きな荷重に
耐えられる。この多孔質皮膜の厚さを０．５μｍ以上と
することによって、耐衝撃性の高いアルミニウム基板が
得られる。
た多孔質皮膜は、硬度の点では、Ｐ含有非晶質Ｎｉ合金
膜とほぼ同程度かむしろ低い。しかし、弾性率は極めて
高く弾性変形し難く、伸びはほとんどなく、降伏応力も
大きいため塑性変形も生じ難いため、より大きな荷重に
耐えられる。この多孔質皮膜の厚さを０．５μｍ以上と
することによって、耐衝撃性の高いアルミニウム基板が
得られる。
【００１１】またさらにこの陽極酸化皮膜が蓚酸または
クロム酸電解液による多孔質皮膜であることによって、
上記性質に加え、磁気記録ディスク製造過程で膨れのな
い耐熱性を持つアルミニウム基板が得られる。またさら
にこの多孔質皮膜面に析出させる金属をＰｄ，Ｃｕ，Ａ
ｇ，Ｓｎ，ＰまたはＮｉもしくはこれらの金属の中から
選ばれた１又は２以上の金属を主成分とする合金とする
ことによって、Ｐ含有Ｎｉ合金メッキ膜の基板に対する
密着性がより高いアルミニウム基板が得られる。
クロム酸電解液による多孔質皮膜であることによって、
上記性質に加え、磁気記録ディスク製造過程で膨れのな
い耐熱性を持つアルミニウム基板が得られる。またさら
にこの多孔質皮膜面に析出させる金属をＰｄ，Ｃｕ，Ａ
ｇ，Ｓｎ，ＰまたはＮｉもしくはこれらの金属の中から
選ばれた１又は２以上の金属を主成分とする合金とする
ことによって、Ｐ含有Ｎｉ合金メッキ膜の基板に対する
密着性がより高いアルミニウム基板が得られる。
【００１２】またさらに下地金属フラッシュめっき膜を
その厚さが５nm以上でしかもＮｉ合金メッキ膜にするこ
とにより基板に対する密着性がより高いアルミニウム基
板が得られる。またさらにＰ含有Ｎｉ合金無電解メッキ
膜はその厚さが０．５μｍ以上でしかもＰ含有量が１０
〜１３wt％とすることによって、硬度の高い非磁性のア
ルミニウム基板が得られる。
その厚さが５nm以上でしかもＮｉ合金メッキ膜にするこ
とにより基板に対する密着性がより高いアルミニウム基
板が得られる。またさらにＰ含有Ｎｉ合金無電解メッキ
膜はその厚さが０．５μｍ以上でしかもＰ含有量が１０
〜１３wt％とすることによって、硬度の高い非磁性のア
ルミニウム基板が得られる。
【００１３】第２の発明は、Ｐ含有Ｎｉ合金の無電解メ
ッキ膜を備えたアルミニウム基板の製造方法において、
アルミニウムからなる基材に陽極酸化処理を施し多孔質
皮膜を形成する工程と、該多孔質皮膜面に触媒核となる
金属を析出させる工程と、触媒核となる金属の析出した
前記多孔質皮膜に前記触媒核となる金属の組成と異なり
かつ前記Ｐ含有Ｎｉ合金無電解メッキ膜と異なる組成の
下地金属フラッシュめっき膜を形成する工程と、該下地
金属フラッシュめっき膜を形成した前記多孔質皮膜に前
記Ｐ含有Ｎｉ合金無電解メッキ膜を形成する工程と、該
Ｐ含有Ｎｉ合金膜を研磨する各工程を経ることを特徴と
する磁気記録媒体用アルミニウム基板の製造方法であ
る。このような製造方法とすることによって、多孔質皮
膜面の溶解され難く、Ｐ含有Ｎｉ合金無電解メッキ膜の
研磨量を少なくできて生産性良く、耐衝撃性の高く、Ｐ
含有Ｎｉ合金無電解メッキ膜の基板に対する密着性が高
いアルミニウム基板を製造することができる。
ッキ膜を備えたアルミニウム基板の製造方法において、
アルミニウムからなる基材に陽極酸化処理を施し多孔質
皮膜を形成する工程と、該多孔質皮膜面に触媒核となる
金属を析出させる工程と、触媒核となる金属の析出した
前記多孔質皮膜に前記触媒核となる金属の組成と異なり
かつ前記Ｐ含有Ｎｉ合金無電解メッキ膜と異なる組成の
下地金属フラッシュめっき膜を形成する工程と、該下地
金属フラッシュめっき膜を形成した前記多孔質皮膜に前
記Ｐ含有Ｎｉ合金無電解メッキ膜を形成する工程と、該
Ｐ含有Ｎｉ合金膜を研磨する各工程を経ることを特徴と
する磁気記録媒体用アルミニウム基板の製造方法であ
る。このような製造方法とすることによって、多孔質皮
膜面の溶解され難く、Ｐ含有Ｎｉ合金無電解メッキ膜の
研磨量を少なくできて生産性良く、耐衝撃性の高く、Ｐ
含有Ｎｉ合金無電解メッキ膜の基板に対する密着性が高
いアルミニウム基板を製造することができる。
【００１４】この多孔質皮膜の厚さを２０μｍ以上とす
ることにより、さらに耐衝撃性の高いアルミニウム基板
を製造することができる。この陽極酸化処理を蓚酸また
はクロム酸電解液中で行うことにより、上記効果に加え
磁気記録ディスク製造過程で膨れのないアルミニウム基
板を製造することができる。
ることにより、さらに耐衝撃性の高いアルミニウム基板
を製造することができる。この陽極酸化処理を蓚酸また
はクロム酸電解液中で行うことにより、上記効果に加え
磁気記録ディスク製造過程で膨れのないアルミニウム基
板を製造することができる。
【００１５】この多孔質皮膜面にＰｄ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ａ
ｇまたはＮｉもしくはこれらの金属の中から選ばれた１
又は２以上の金属を主成分とする合金を析出させること
によって、上記効果に加えＰ含有Ｎｉ合金メッキ膜の基
板に対する密着性がより高いアルミニウム基板を製造す
ることができる。この下地金属フラッシュめっき膜を形
成する工程のメッキ液は好ましくは弱アルカリ〜弱酸性
であり、膜厚が５nm以上とすることにより、上記効果に
加え多孔質皮膜面の溶解され難く、Ｐ含有Ｎｉ合金無電
解メッキ膜の研磨量を少なくできて生産良く、耐衝撃性
高く、Ｐ含有Ｎｉ合金無電解メッキ膜の基板に対する密
着性が高いアルミニウム基板を製造することができる。
ｇまたはＮｉもしくはこれらの金属の中から選ばれた１
又は２以上の金属を主成分とする合金を析出させること
によって、上記効果に加えＰ含有Ｎｉ合金メッキ膜の基
板に対する密着性がより高いアルミニウム基板を製造す
ることができる。この下地金属フラッシュめっき膜を形
成する工程のメッキ液は好ましくは弱アルカリ〜弱酸性
であり、膜厚が５nm以上とすることにより、上記効果に
加え多孔質皮膜面の溶解され難く、Ｐ含有Ｎｉ合金無電
解メッキ膜の研磨量を少なくできて生産良く、耐衝撃性
高く、Ｐ含有Ｎｉ合金無電解メッキ膜の基板に対する密
着性が高いアルミニウム基板を製造することができる。
【００１６】このＰ含有Ｎｉ合金無電解メッキ膜を形成
する工程のメッキ液が酸性であり、膜厚が０．５μｍ以
上で燐含有量が１０〜１３wt％である非晶質であること
により、上記効果に加え多孔質皮膜面の溶解され難く、
硬度の高いアルミニウム基板を製造することができる。
する工程のメッキ液が酸性であり、膜厚が０．５μｍ以
上で燐含有量が１０〜１３wt％である非晶質であること
により、上記効果に加え多孔質皮膜面の溶解され難く、
硬度の高いアルミニウム基板を製造することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の磁気記録媒体用
のアルミニウム基板の一実施形態を示すもので、ここに
示すアルミニウム基板６は、アルミニウム基材１上に該
アルミニウムを陽極酸化して形成した多孔質皮膜２、該
皮膜２上に析出させた触媒核となる金属３、該触媒核と
なる金属３の析出した多孔質皮膜２を覆う下地金属フラ
ッシュメッキ膜４、該下地金属フラッシュメッキ膜４を
覆うＰ含有Ｎｉ合金無電解メッキ膜５が順次形成された
ものである。ここで下地金属メッキ膜４は触媒核となる
金属３と異なりかつＰ含有Ｎｉ合金メッキ膜５と組成の
異なる金属である。７は陽極酸化皮膜２中の孔（ポア）
である。
のアルミニウム基板の一実施形態を示すもので、ここに
示すアルミニウム基板６は、アルミニウム基材１上に該
アルミニウムを陽極酸化して形成した多孔質皮膜２、該
皮膜２上に析出させた触媒核となる金属３、該触媒核と
なる金属３の析出した多孔質皮膜２を覆う下地金属フラ
ッシュメッキ膜４、該下地金属フラッシュメッキ膜４を
覆うＰ含有Ｎｉ合金無電解メッキ膜５が順次形成された
ものである。ここで下地金属メッキ膜４は触媒核となる
金属３と異なりかつＰ含有Ｎｉ合金メッキ膜５と組成の
異なる金属である。７は陽極酸化皮膜２中の孔（ポア）
である。
【００１８】アルミニウム基材としては、その組成を限
定しないが、Ａｌの他一般的なＡｌ−２〜５wt％Ｍｇ系
合金が固溶強化タイプで、晶出物少なく機械的な強度付
与ができる。多孔質陽極酸化皮膜２は、酸性液中でアル
ミニウム基材を陽極として直流陽極酸化法によって形成
される。該陽極酸化皮膜２は硬質で耐衝撃性が高く、ア
ルミニウム基材の軟質性をカバーして可搬性磁気記録媒
体のような場合に好ましくなる。特にこの厚さを０．５
μｍ以上とすると、アルミニウム基材の軟質さをカバー
し耐衝撃性を付与する。好ましくは２０μｍを超えるこ
とが好ましい。
定しないが、Ａｌの他一般的なＡｌ−２〜５wt％Ｍｇ系
合金が固溶強化タイプで、晶出物少なく機械的な強度付
与ができる。多孔質陽極酸化皮膜２は、酸性液中でアル
ミニウム基材を陽極として直流陽極酸化法によって形成
される。該陽極酸化皮膜２は硬質で耐衝撃性が高く、ア
ルミニウム基材の軟質性をカバーして可搬性磁気記録媒
体のような場合に好ましくなる。特にこの厚さを０．５
μｍ以上とすると、アルミニウム基材の軟質さをカバー
し耐衝撃性を付与する。好ましくは２０μｍを超えるこ
とが好ましい。
【００１９】磁気記録ディスクは、アルミニウム基板を
テキスチャ加工後Ｃｒ膜をスパッタ法で設け、更に同法
でＣｏ等の磁気記録媒体を設けるが、この場合アルミニ
ウム基板が２５０〜３００℃に昇温するので、この多孔
質皮膜が蓚酸またはクロム酸陽極酸化皮膜であると、該
皮膜中の結晶水および付着水量が少なく、前記加熱に耐
え、耐熱性を持たせることができて好ましい。
テキスチャ加工後Ｃｒ膜をスパッタ法で設け、更に同法
でＣｏ等の磁気記録媒体を設けるが、この場合アルミニ
ウム基板が２５０〜３００℃に昇温するので、この多孔
質皮膜が蓚酸またはクロム酸陽極酸化皮膜であると、該
皮膜中の結晶水および付着水量が少なく、前記加熱に耐
え、耐熱性を持たせることができて好ましい。
【００２０】陽極酸化皮膜２の表面粗さは特に限定され
ないが、過度に大きい場合は、Ｐ含有Ｎｉ合金無電解メ
ッキ膜の厚さを厚くメッキしてアルミニウム基板面の研
磨をすることになり、研磨に時間がかかり、コストと生
産性が悪くなるので、表面粗さはＲａで５００Å以下と
しておくと好ましい。多孔質陽極酸化皮膜２の上に析出
させた触媒核金属３は、その上にメッキした下地金属フ
ラッシュメッキ膜４と強固に結合し、剥離し難くなって
耐久性に優れる。この触媒核金属３は、特にＰｄ，Ａ
ｇ，Ｓｎ，Ｐ，ＣｕまたはＮｉもしくはこれらの中から
選ばれた１又は２種以上を主成分とする合金であると多
孔質陽極酸化皮膜２面に比較的に均一に析出し下地金属
フラッシュメッキ膜４と強固に結合する。ここで主成分
とはこれらの金属が５０wt％以上含有していることをい
う。この強固になるのは、多孔質陽極酸化皮膜の表面お
よび孔内に下地金属フラッシュめっき膜が析出すること
によるアンカー効果によるものと考えられる。特にＰｄ
であると触媒性が高く、孔内の析出も十分に行われ好ま
しい。
ないが、過度に大きい場合は、Ｐ含有Ｎｉ合金無電解メ
ッキ膜の厚さを厚くメッキしてアルミニウム基板面の研
磨をすることになり、研磨に時間がかかり、コストと生
産性が悪くなるので、表面粗さはＲａで５００Å以下と
しておくと好ましい。多孔質陽極酸化皮膜２の上に析出
させた触媒核金属３は、その上にメッキした下地金属フ
ラッシュメッキ膜４と強固に結合し、剥離し難くなって
耐久性に優れる。この触媒核金属３は、特にＰｄ，Ａ
ｇ，Ｓｎ，Ｐ，ＣｕまたはＮｉもしくはこれらの中から
選ばれた１又は２種以上を主成分とする合金であると多
孔質陽極酸化皮膜２面に比較的に均一に析出し下地金属
フラッシュメッキ膜４と強固に結合する。ここで主成分
とはこれらの金属が５０wt％以上含有していることをい
う。この強固になるのは、多孔質陽極酸化皮膜の表面お
よび孔内に下地金属フラッシュめっき膜が析出すること
によるアンカー効果によるものと考えられる。特にＰｄ
であると触媒性が高く、孔内の析出も十分に行われ好ま
しい。
【００２１】十分な耐剥離性を持たせるには下地金属フ
ラッシュメッキ膜４の厚さは５nm以上のＮｉ合金で、Ｐ
含有量を３wt％以上１０wt％未満とし靱性を付与し、Ｐ
含有Ｎｉ合金無電解メッキ膜５をその厚さは０．５μｍ
以上で、Ｐ含有量を１０〜１３wt％とすることにより、
強固に結合し、硬度を有し、非磁性、を持つことにな
る。しかもＰ含有Ｎｉ合金無電解メッキ膜５の膜厚さを
０．５μｍ以上とすることで、テキスチャー加工するこ
とができる。
ラッシュメッキ膜４の厚さは５nm以上のＮｉ合金で、Ｐ
含有量を３wt％以上１０wt％未満とし靱性を付与し、Ｐ
含有Ｎｉ合金無電解メッキ膜５をその厚さは０．５μｍ
以上で、Ｐ含有量を１０〜１３wt％とすることにより、
強固に結合し、硬度を有し、非磁性、を持つことにな
る。しかもＰ含有Ｎｉ合金無電解メッキ膜５の膜厚さを
０．５μｍ以上とすることで、テキスチャー加工するこ
とができる。
【００２２】このような構成としたアルミニウム基板
は、密着性高く耐剥離性、耐衝撃性が優れる。この後ア
ルミニウム基板は、テキスチャー加工し、非磁性下地膜
としてＣｒ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｓｉ，Ｔａ，Ｗ、またはこれ
らの中少なくとも１種を主成分とする合金とする膜を設
ける。
は、密着性高く耐剥離性、耐衝撃性が優れる。この後ア
ルミニウム基板は、テキスチャー加工し、非磁性下地膜
としてＣｒ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｓｉ，Ｔａ，Ｗ、またはこれ
らの中少なくとも１種を主成分とする合金とする膜を設
ける。
【００２３】この非磁性下地膜の上に、ＣｏまたはＣｏ
を主成分とする合金をスパッタ法等の方法で磁性膜を設
ける。この磁性膜の上に、保護膜としてカーボン等の膜
を設けアルミニウム製磁気記録再生用基板とされる。次
に製造方法について説明する。
を主成分とする合金をスパッタ法等の方法で磁性膜を設
ける。この磁性膜の上に、保護膜としてカーボン等の膜
を設けアルミニウム製磁気記録再生用基板とされる。次
に製造方法について説明する。
【００２４】純Ａｌや２〜５wt％Ｍｇを含有するＡｌ−
Ｍｇ系等のアルミニウム板をプレスで打ち抜いてドーナ
ツ状のアルミニウム板を作成し、プレス癖を除去するた
めに、打ち抜かれたドーナツ状アルミニウム板を積層加
圧し、２５０〜３５０℃に加熱する。爾後平坦さを出す
ために研削する。研削後、脱脂、酸洗浄、水洗浄、等の
前処理後、硫酸、蓚酸、燐酸、クロム酸および酒石酸の
無機、有機の酸からなる群から選択した１種または２種
以上の酸を含む好ましくはpH３以下の強酸性水溶液中
で、アルミニウム基板を陽極として直流陽極酸化処理を
施すと多孔質型陽極酸化皮膜が得られる。酸の濃度は酸
種によって異なるが概ね０．５〜３５％である。温度は
好ましくは５〜３０℃で低温とすると皮膜硬度が増す。
皮膜厚さは印可電気量で制御できる。酸の種類、電解条
件は皮膜の耐衝撃性に大きな影響はない。陽極酸化処理
後、特に必要はないが、陽極酸化処理皮膜の低部に在る
無孔質酸化皮膜、所謂バリア層の厚さを均一化してもよ
い。そのために、たとえば、陽極酸化処理の同じ電解液
中で陽極酸化処理終了後印可電圧を下げる方法等を施し
てもよい。あるいは、陽極酸化処理後中性溶液中、望ま
しくはpH４〜９の中性塩電解液中で、定電流電解によっ
て５０Ｖまで昇圧し、アルミニウム基材と多孔質陽極酸
化皮膜との間に、厚さが約７０nmの無孔質陽極酸化を設
けてもよい。また、二次電解析出による孔内への金属析
出処理を施してもよい。
Ｍｇ系等のアルミニウム板をプレスで打ち抜いてドーナ
ツ状のアルミニウム板を作成し、プレス癖を除去するた
めに、打ち抜かれたドーナツ状アルミニウム板を積層加
圧し、２５０〜３５０℃に加熱する。爾後平坦さを出す
ために研削する。研削後、脱脂、酸洗浄、水洗浄、等の
前処理後、硫酸、蓚酸、燐酸、クロム酸および酒石酸の
無機、有機の酸からなる群から選択した１種または２種
以上の酸を含む好ましくはpH３以下の強酸性水溶液中
で、アルミニウム基板を陽極として直流陽極酸化処理を
施すと多孔質型陽極酸化皮膜が得られる。酸の濃度は酸
種によって異なるが概ね０．５〜３５％である。温度は
好ましくは５〜３０℃で低温とすると皮膜硬度が増す。
皮膜厚さは印可電気量で制御できる。酸の種類、電解条
件は皮膜の耐衝撃性に大きな影響はない。陽極酸化処理
後、特に必要はないが、陽極酸化処理皮膜の低部に在る
無孔質酸化皮膜、所謂バリア層の厚さを均一化してもよ
い。そのために、たとえば、陽極酸化処理の同じ電解液
中で陽極酸化処理終了後印可電圧を下げる方法等を施し
てもよい。あるいは、陽極酸化処理後中性溶液中、望ま
しくはpH４〜９の中性塩電解液中で、定電流電解によっ
て５０Ｖまで昇圧し、アルミニウム基材と多孔質陽極酸
化皮膜との間に、厚さが約７０nmの無孔質陽極酸化を設
けてもよい。また、二次電解析出による孔内への金属析
出処理を施してもよい。
【００２５】蓚酸またはクロム酸電解による処理は、得
られる陽極酸化皮膜中の含水率を低くすることができて
好ましい。また得られた皮膜は耐熱性があり、磁気記録
ディスク製造過程で膨れのない耐熱性を持つアルミニウ
ム基板が得られる。陽極酸化処理後触媒核となる金属を
析出させる。触媒核となる金属を析出させる前に、該陽
極酸化処理基材を硝酸、弗酸等の酸もしくは苛性ソーダ
等のアルカリで洗浄してもよく、平砥石、ブラシ、ショ
ットブラスト、バフ等で機械的研磨をしてもよく、硝
酸、弗酸等の酸でエッチングして研磨してもよく、ま
た、化学的方法でエッチングして粗面化しあるいは機械
的方法で粗面化し、または両方法を採用して表面粗さを
調整する。いずれにしろ多孔質陽極酸化皮膜面の平均粗
さはＲａで５００Å以下、好ましくは１００Å以下、さ
らに好ましくは５０Å以下としておくとＰ含有Ｎｉ合金
無電解メッキ膜との密着性を向上させかつ研磨量を少な
くできてよい。研削研磨した場合はその後に研削研磨滓
を除去洗浄する。アルミニウム基材研削後からＰ含有Ｎ
ｉ合金無電解メッキ処理後の仕上げ研磨の間に歪み取
り、脱水、脱ガスあるいは結晶化のために１００℃〜３
００℃の熱処理を行っても良い。
られる陽極酸化皮膜中の含水率を低くすることができて
好ましい。また得られた皮膜は耐熱性があり、磁気記録
ディスク製造過程で膨れのない耐熱性を持つアルミニウ
ム基板が得られる。陽極酸化処理後触媒核となる金属を
析出させる。触媒核となる金属を析出させる前に、該陽
極酸化処理基材を硝酸、弗酸等の酸もしくは苛性ソーダ
等のアルカリで洗浄してもよく、平砥石、ブラシ、ショ
ットブラスト、バフ等で機械的研磨をしてもよく、硝
酸、弗酸等の酸でエッチングして研磨してもよく、ま
た、化学的方法でエッチングして粗面化しあるいは機械
的方法で粗面化し、または両方法を採用して表面粗さを
調整する。いずれにしろ多孔質陽極酸化皮膜面の平均粗
さはＲａで５００Å以下、好ましくは１００Å以下、さ
らに好ましくは５０Å以下としておくとＰ含有Ｎｉ合金
無電解メッキ膜との密着性を向上させかつ研磨量を少な
くできてよい。研削研磨した場合はその後に研削研磨滓
を除去洗浄する。アルミニウム基材研削後からＰ含有Ｎ
ｉ合金無電解メッキ処理後の仕上げ研磨の間に歪み取
り、脱水、脱ガスあるいは結晶化のために１００℃〜３
００℃の熱処理を行っても良い。
【００２６】陽極酸化皮膜への触媒核金属の析出は、電
解法あるいは不導体上への触媒付与法等が採用できる。
例えば陽極酸化処理したアルミニウム基材を触媒核金属
塩の水溶液中に浸漬して金属電解、無電解あるいは吸着
により多孔質皮膜面に析出させる。この場合触媒核金属
の析出の前処理として、還元作用のある金属の水溶液中
に陽極酸化処理したアルミニウム基材を浸漬して還元性
金属を一旦多孔質皮膜面に付着させておき、この還元力
で爾後の前記金属塩の水溶液中に浸漬して触媒核金属を
多孔質皮膜面で還元し触媒核金属としたり、あるいは前
記の前処理を施すことなくアルミニウム基材を触媒核金
属塩の水溶液中に浸漬して金属塩を多孔質皮膜面に付着
させ、加熱や他の手段で触媒核金属とする方法等が採用
できる。
解法あるいは不導体上への触媒付与法等が採用できる。
例えば陽極酸化処理したアルミニウム基材を触媒核金属
塩の水溶液中に浸漬して金属電解、無電解あるいは吸着
により多孔質皮膜面に析出させる。この場合触媒核金属
の析出の前処理として、還元作用のある金属の水溶液中
に陽極酸化処理したアルミニウム基材を浸漬して還元性
金属を一旦多孔質皮膜面に付着させておき、この還元力
で爾後の前記金属塩の水溶液中に浸漬して触媒核金属を
多孔質皮膜面で還元し触媒核金属としたり、あるいは前
記の前処理を施すことなくアルミニウム基材を触媒核金
属塩の水溶液中に浸漬して金属塩を多孔質皮膜面に付着
させ、加熱や他の手段で触媒核金属とする方法等が採用
できる。
【００２７】析出させる触媒核となる金属は特に限定さ
れないが、特にＰｄ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｓｎ，ＰまたはＮｉ
もしくはこれらの中から選ばれた１又は２種以上を主成
分とする合金であって、上述の如くこれらの塩化物、硝
酸塩等の水溶液中に前記研削洗浄後の陽極酸化処理した
アルミニウム基材を浸漬して該触媒核金属を多孔質皮膜
面に析出させる。
れないが、特にＰｄ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｓｎ，ＰまたはＮｉ
もしくはこれらの中から選ばれた１又は２種以上を主成
分とする合金であって、上述の如くこれらの塩化物、硝
酸塩等の水溶液中に前記研削洗浄後の陽極酸化処理した
アルミニウム基材を浸漬して該触媒核金属を多孔質皮膜
面に析出させる。
【００２８】触媒核金属が析出したアルミニウム基材を
洗浄した後、メッキするフラッシュメッキ膜の形成は、
金属塩を高濃度に溶解させたアルカリもしくは酸水溶液
中で、比較的短時間で例えば５〜１８０秒程度の時間で
メッキする形成方法で、このような方法で触媒核となる
金属の組成と異なりかつ表面のＰ含有Ｎｉ合金無電解メ
ッキ膜と異なる組成の金属を、触媒核金属が析出した多
孔質皮膜全面を覆うことによって、次工程の無電解メッ
キ処理液で多孔質皮膜を溶解させることなく、また析出
させた触媒核金属でメッキ液を汚すことがなく純粋な状
態で無電解メッキ処理をすることができる。フラッシュ
メッキのメッキ液がＮｉ塩とＰ塩を含むメッキ液である
とＰ含有Ｎｉ合金無電解メッキ液を汚染せずに処理でき
る。フラッシュメッキの液温度は比較的低温度、例えば
２０〜５０℃でメッキすると下地材の溶解を抑えること
ができ、メッキ液の汚染を低めることができる。このフ
ラッシュメッキ液の液性を弱アルカリ乃至弱酸性液、例
えばpH表示で４．０〜１０．０とすると多孔質型陽極酸
化皮膜の溶解量が少なく、皮膜が平滑さ、酸化皮膜自体
を失うことがなく好ましい。Ｐ含有Ｎｉ合金をフラッシ
ュメッキする場合は、メッキ浴としては、例えば、硫酸
ニッケル、塩化ニッケル、等のニッケル源と、次亜燐酸
塩等の燐源を含むものを採用することができる。
洗浄した後、メッキするフラッシュメッキ膜の形成は、
金属塩を高濃度に溶解させたアルカリもしくは酸水溶液
中で、比較的短時間で例えば５〜１８０秒程度の時間で
メッキする形成方法で、このような方法で触媒核となる
金属の組成と異なりかつ表面のＰ含有Ｎｉ合金無電解メ
ッキ膜と異なる組成の金属を、触媒核金属が析出した多
孔質皮膜全面を覆うことによって、次工程の無電解メッ
キ処理液で多孔質皮膜を溶解させることなく、また析出
させた触媒核金属でメッキ液を汚すことがなく純粋な状
態で無電解メッキ処理をすることができる。フラッシュ
メッキのメッキ液がＮｉ塩とＰ塩を含むメッキ液である
とＰ含有Ｎｉ合金無電解メッキ液を汚染せずに処理でき
る。フラッシュメッキの液温度は比較的低温度、例えば
２０〜５０℃でメッキすると下地材の溶解を抑えること
ができ、メッキ液の汚染を低めることができる。このフ
ラッシュメッキ液の液性を弱アルカリ乃至弱酸性液、例
えばpH表示で４．０〜１０．０とすると多孔質型陽極酸
化皮膜の溶解量が少なく、皮膜が平滑さ、酸化皮膜自体
を失うことがなく好ましい。Ｐ含有Ｎｉ合金をフラッシ
ュメッキする場合は、メッキ浴としては、例えば、硫酸
ニッケル、塩化ニッケル、等のニッケル源と、次亜燐酸
塩等の燐源を含むものを採用することができる。
【００２９】フラッシュメッキ膜を形成した基材は次に
Ｐ含有Ｎｉ合金膜を無電解メッキ法で形成する。この無
電解メッキでＰ含有の非晶質Ｎｉ合金膜が得られる。こ
こで、無電解メッキされたＰ含有非晶質Ｎｉ合金膜とは
Ｎｉ，Ｐ以外に第３の元素例えばＣｕを含んだものも含
むものである。該Ｐ含有非晶質Ｎｉ合金膜を形成するに
は、液性を強酸性とし燐源濃度を高めてＰ含有非晶質Ｎ
ｉ合金膜を形成する。Ｎｉ源とＰ源はメッキ液として
は、例えば、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、等のＮｉ源
と、次亜燐酸塩等のＰ源を含むものを採用することがで
きる。濃度はＮｉ源が４ｇ／Ｌ〜８ｇ／Ｌ、Ｐ源が次亜
リン酸として２０ｇ／Ｌ〜４０ｇ／Ｌ、温度は６０℃〜
１００℃から適宜選択する。
Ｐ含有Ｎｉ合金膜を無電解メッキ法で形成する。この無
電解メッキでＰ含有の非晶質Ｎｉ合金膜が得られる。こ
こで、無電解メッキされたＰ含有非晶質Ｎｉ合金膜とは
Ｎｉ，Ｐ以外に第３の元素例えばＣｕを含んだものも含
むものである。該Ｐ含有非晶質Ｎｉ合金膜を形成するに
は、液性を強酸性とし燐源濃度を高めてＰ含有非晶質Ｎ
ｉ合金膜を形成する。Ｎｉ源とＰ源はメッキ液として
は、例えば、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、等のＮｉ源
と、次亜燐酸塩等のＰ源を含むものを採用することがで
きる。濃度はＮｉ源が４ｇ／Ｌ〜８ｇ／Ｌ、Ｐ源が次亜
リン酸として２０ｇ／Ｌ〜４０ｇ／Ｌ、温度は６０℃〜
１００℃から適宜選択する。
【００３０】Ｐ含有非晶質Ｎｉ合金膜の厚さを０．５μ
ｍ以上にするには処理時間を３分以上とし、Ｐ含有量を
１０〜１３wt％にするにはメッキ液組成、析出速度を管
理することにより行うことができる。
ｍ以上にするには処理時間を３分以上とし、Ｐ含有量を
１０〜１３wt％にするにはメッキ液組成、析出速度を管
理することにより行うことができる。
【００３１】
【実施例】（実施例１）Ａｌ−４．５wt％Ｍｇ合金板を
プレス機で打ち抜いたドーナツ状のアルミニウム基材を
使用し、歪焼鈍して平坦度を出した後、アルカリ液で脱
脂し、硫酸酸性液で表面の酸化物を除去し、水洗して清
浄化した。次いで下記条件で陽極酸化処理して多孔質皮
膜を形成した。皮膜形成後バリアー層の均質化処理をし
た。 ＜陽極酸化処理条件＞ 電解液組成 ５wt％蓚酸水溶液 直流定電流電解 １．２Ａ／dm2 皮膜厚さ ２０μｍ 液温度 ３０℃設定 次いで純水で３回水洗後下記条件で触媒核金属を析出さ
せた。 ＜触媒核金属析出条件＞ 液組成 ＰｄＣｌ2 ５ｇ／Ｌ ＨＣｌ １０mL／Ｌ 液温度 ２０℃設定 時間 ３０秒 次いで超音波水洗処理して清浄化後下記条件でフラッシ
ュメッキした。 ＜フラッシュメッキ処理条件＞ 液組成 ＮｉＳＯ4 ・６Ｈ2 Ｏ ２５ｇ／Ｌ 次亜燐酸 ２５ｇ／Ｌ pH ７ 液温度 ４０℃ 時間 １５秒 次いで水洗して清浄化後下記条件で無電解メッキした。 ＜無電解処理条件＞ 液組成 ＮｉＳＯ4 ・６Ｈ2 Ｏ ２６ｇ／Ｌ 次亜燐酸 ３０ｇ／Ｌ pH ４．５ 液温度 ９０℃ 時間 １２０分 次いでバフ研磨し３μｍ除去して表面粗さを仕上げた。
プレス機で打ち抜いたドーナツ状のアルミニウム基材を
使用し、歪焼鈍して平坦度を出した後、アルカリ液で脱
脂し、硫酸酸性液で表面の酸化物を除去し、水洗して清
浄化した。次いで下記条件で陽極酸化処理して多孔質皮
膜を形成した。皮膜形成後バリアー層の均質化処理をし
た。 ＜陽極酸化処理条件＞ 電解液組成 ５wt％蓚酸水溶液 直流定電流電解 １．２Ａ／dm2 皮膜厚さ ２０μｍ 液温度 ３０℃設定 次いで純水で３回水洗後下記条件で触媒核金属を析出さ
せた。 ＜触媒核金属析出条件＞ 液組成 ＰｄＣｌ2 ５ｇ／Ｌ ＨＣｌ １０mL／Ｌ 液温度 ２０℃設定 時間 ３０秒 次いで超音波水洗処理して清浄化後下記条件でフラッシ
ュメッキした。 ＜フラッシュメッキ処理条件＞ 液組成 ＮｉＳＯ4 ・６Ｈ2 Ｏ ２５ｇ／Ｌ 次亜燐酸 ２５ｇ／Ｌ pH ７ 液温度 ４０℃ 時間 １５秒 次いで水洗して清浄化後下記条件で無電解メッキした。 ＜無電解処理条件＞ 液組成 ＮｉＳＯ4 ・６Ｈ2 Ｏ ２６ｇ／Ｌ 次亜燐酸 ３０ｇ／Ｌ pH ４．５ 液温度 ９０℃ 時間 １２０分 次いでバフ研磨し３μｍ除去して表面粗さを仕上げた。
【００３２】このようにして作製したアルミニウム基板
について下記方法で密着性、耐衝撃性、平坦度、陽極酸
化皮膜の厚さのバラツキを測定した。また２７０℃に１
０秒間加熱し目視観察で膨れ発生の有無を検査した。結
果を表１に示す。 ＜密着性＞ ＪＩＳ Ｋ ５４００（１９９０）塗料一般試験方法 すきま間隔５mm、ます目の数９となるようにカッターナ
イフでアルミニウム地に達するまで切り込みを入れ、そ
の上にテープを貼りつけ、このテープを急激に剥がし、
表面の剥がれた状態を碁盤目試験の評価点数０〜１０で
表示（評価点数が高いほど密着性の良いことを表す）し
た。 ＜耐衝撃性＞吉田精機社製 振子式衝撃試験機（型式Ｐ
ＳＴ−３００）を用いて基板面に衝撃を与え、凹みの有
無を目視判定した。 ＜平坦度＞溝尻光学工業所（株）製 干渉縞平坦度検査
器（型式ＦＴ−１００）を用いて基板の水平置き平坦度
を測定した。 ＜陽極酸化皮膜の厚さのバラツキ＞ＪＩＳ Ｈ ８６８
０−２（１９９８）陽極酸化皮膜厚さ試験方法フィッシ
ャーインスツルメンツ（株）製 膜厚測定器（型式フィ
ッシャースコープＭＭＳ）を用いて陽極酸化皮膜の厚さ
について測定を行った。
について下記方法で密着性、耐衝撃性、平坦度、陽極酸
化皮膜の厚さのバラツキを測定した。また２７０℃に１
０秒間加熱し目視観察で膨れ発生の有無を検査した。結
果を表１に示す。 ＜密着性＞ ＪＩＳ Ｋ ５４００（１９９０）塗料一般試験方法 すきま間隔５mm、ます目の数９となるようにカッターナ
イフでアルミニウム地に達するまで切り込みを入れ、そ
の上にテープを貼りつけ、このテープを急激に剥がし、
表面の剥がれた状態を碁盤目試験の評価点数０〜１０で
表示（評価点数が高いほど密着性の良いことを表す）し
た。 ＜耐衝撃性＞吉田精機社製 振子式衝撃試験機（型式Ｐ
ＳＴ−３００）を用いて基板面に衝撃を与え、凹みの有
無を目視判定した。 ＜平坦度＞溝尻光学工業所（株）製 干渉縞平坦度検査
器（型式ＦＴ−１００）を用いて基板の水平置き平坦度
を測定した。 ＜陽極酸化皮膜の厚さのバラツキ＞ＪＩＳ Ｈ ８６８
０−２（１９９８）陽極酸化皮膜厚さ試験方法フィッシ
ャーインスツルメンツ（株）製 膜厚測定器（型式フィ
ッシャースコープＭＭＳ）を用いて陽極酸化皮膜の厚さ
について測定を行った。
【００３３】結果を表１に示す。 （実施例２）実施例１と同じ条件で同組成のドーナツ状
のアルミニウム基材に陽極酸化処理して多孔質皮膜を形
成した。皮膜形成後バリアー層の均質化処理をした。次
いで同条件で水洗後下記条件で触媒核金属を析出させ
た。 ＜触媒核金属析出条件＞ （感受性化処理） 液組成 ＳｎＣｌ2 １０ｇ／Ｌ ＨＣｌ １０mL／Ｌ 液温度 ２０℃設定 時間 ３０秒 （活性化処理） 液組成 ＰｄＣｌ2 ５ｇ／Ｌ ＨＣｌ １０mL／Ｌ 液温度 ２０℃設定 時間 ３０秒 次いで超音波水洗処理して清浄化後実施例１と同じ条件
でフラッシュメッキした。
のアルミニウム基材に陽極酸化処理して多孔質皮膜を形
成した。皮膜形成後バリアー層の均質化処理をした。次
いで同条件で水洗後下記条件で触媒核金属を析出させ
た。 ＜触媒核金属析出条件＞ （感受性化処理） 液組成 ＳｎＣｌ2 １０ｇ／Ｌ ＨＣｌ １０mL／Ｌ 液温度 ２０℃設定 時間 ３０秒 （活性化処理） 液組成 ＰｄＣｌ2 ５ｇ／Ｌ ＨＣｌ １０mL／Ｌ 液温度 ２０℃設定 時間 ３０秒 次いで超音波水洗処理して清浄化後実施例１と同じ条件
でフラッシュメッキした。
【００３４】次いで水洗して清浄化後下記条件で無電解
メッキした。 ＜無電解メッキ処理条件＞ 液組成 Ｎｉ（硫酸Ｎｉ） ３．０ｇ／Ｌ 次亜燐酸 ３０ｇ／Ｌ Ｃｕ（硫酸Ｃｕ） ０．６ｇ／Ｌ pH ８．８ 液温度 ９０℃ 時間 １２０分 次いでバフ研磨し３μｍ除去して表面粗さを仕上げた。
メッキした。 ＜無電解メッキ処理条件＞ 液組成 Ｎｉ（硫酸Ｎｉ） ３．０ｇ／Ｌ 次亜燐酸 ３０ｇ／Ｌ Ｃｕ（硫酸Ｃｕ） ０．６ｇ／Ｌ pH ８．８ 液温度 ９０℃ 時間 １２０分 次いでバフ研磨し３μｍ除去して表面粗さを仕上げた。
【００３５】このようにして作製したアルミニウム基板
について実施例１と同じ特性を同じ方法で測定した。結
果を表１に示す。 （実施例３）実施例１と同じ条件で同組成のドーナツ状
のアルミニウム基材に陽極酸化処理して多孔質皮膜を形
成した。皮膜形成後バリアー層の均質化処理をした。
について実施例１と同じ特性を同じ方法で測定した。結
果を表１に示す。 （実施例３）実施例１と同じ条件で同組成のドーナツ状
のアルミニウム基材に陽極酸化処理して多孔質皮膜を形
成した。皮膜形成後バリアー層の均質化処理をした。
【００３６】次いで同条件で水洗後下記条件で触媒核金
属を析出させた。 ＜触媒核金属析出条件＞ （活性化処理） 液組成 ＳｎＣｌ2 ４ｇ／Ｌ ＰｄＣｌ2 １ｇ／Ｌ ＨＣｌ １０mL／Ｌ 液温度 ２０℃設定 時間 ３０秒 （促進化処理） 液組成 ＮＨ4 ＢＦ4 １００ｇ／Ｌ 液温度 ２０℃設定 時間 ３０秒 次いで超音波水洗処理して清浄化後下記条件でフラッシ
ュメッキした。 ＜フラッシュめっき条件＞ 液組成 ＮｉＳＯ4 ・６Ｈ2 Ｏ ２６ｇ／Ｌ 次亜燐酸 ３０ｇ／Ｌ pH ４．５ 液温度 ６０℃ 時間 １５秒 次いで水洗して清浄化後下記条件で無電解メッキした。 ＜無電解処理条件＞ 液組成 Ｎｉ（硫酸Ｎｉ） ３．０ｇ／Ｌ 次亜燐酸 ３０ｇ／Ｌ Ｃｕ（硫酸Ｃｕ） ０．６ｇ／Ｌ pH ８．８ 液温度 ９０℃ 時間 １２０分 次いでバフ研磨し３μｍ除去して表面粗さを仕上げた。
属を析出させた。 ＜触媒核金属析出条件＞ （活性化処理） 液組成 ＳｎＣｌ2 ４ｇ／Ｌ ＰｄＣｌ2 １ｇ／Ｌ ＨＣｌ １０mL／Ｌ 液温度 ２０℃設定 時間 ３０秒 （促進化処理） 液組成 ＮＨ4 ＢＦ4 １００ｇ／Ｌ 液温度 ２０℃設定 時間 ３０秒 次いで超音波水洗処理して清浄化後下記条件でフラッシ
ュメッキした。 ＜フラッシュめっき条件＞ 液組成 ＮｉＳＯ4 ・６Ｈ2 Ｏ ２６ｇ／Ｌ 次亜燐酸 ３０ｇ／Ｌ pH ４．５ 液温度 ６０℃ 時間 １５秒 次いで水洗して清浄化後下記条件で無電解メッキした。 ＜無電解処理条件＞ 液組成 Ｎｉ（硫酸Ｎｉ） ３．０ｇ／Ｌ 次亜燐酸 ３０ｇ／Ｌ Ｃｕ（硫酸Ｃｕ） ０．６ｇ／Ｌ pH ８．８ 液温度 ９０℃ 時間 １２０分 次いでバフ研磨し３μｍ除去して表面粗さを仕上げた。
【００３７】このようにして作製したアルミニウム基板
について実施例１と同じ特性を同じ方法で測定した。結
果を表１に示す。表１の結果より、実施例１〜３は密着
性および耐衝撃性が高く、表面の僅かな研磨で高い平坦
度が得られ、陽極酸化皮膜厚さのバラツキが小さく、ま
た耐熱性のあることが判る。
について実施例１と同じ特性を同じ方法で測定した。結
果を表１に示す。表１の結果より、実施例１〜３は密着
性および耐衝撃性が高く、表面の僅かな研磨で高い平坦
度が得られ、陽極酸化皮膜厚さのバラツキが小さく、ま
た耐熱性のあることが判る。
【００３８】
【表１】
【００３９】（比較例１）実施例１と同様にして得られ
た触媒核金属を析出させたアルミニウム基材を使用し、
フラッシュメッキを施すことなく、実施例１と同じ条件
で無電解メッキ処理を施し研磨した。このようにして作
成されたアルミニウム基板について実施例１と同じ特性
を同条件で測定した。結果を実施例と同じ表１に示す。 （比較例２）実施例１と同様にして得られた触媒核金属
を析出させたアルミニウム基材を使用し、フラッシュメ
ッキを施すことなく、実施例２と同じ条件で無電解メッ
キ処理を施し研磨した。このようにして作成されたアル
ミニウム基板について実施例１と同じ特性を同条件で測
定した。結果を実施例と同じ表１に示す。 （比較例３）実施例３と同様にして得られた触媒核金属
を析出させたアルミニウム基材を使用し、フラッシュメ
ッキを施すことなく、実施例１と同じ条件で無電解メッ
キ処理を施し研磨した。このようにして作成されたアル
ミニウム基板について実施例１と同じ特性を同条件で測
定した。結果を実施例と同じ表１に示す。 （比較例４）実施例１と同様にして得られた同組成のア
ルミニウム基材を使用し、陽極酸化処理することなく、
実施例１と同条件で触媒核金属を析出させ、次いでフラ
ッシュメッキ処理、無電解析出処理を施し研磨した。こ
のようにして作成されたアルミニウム基板について実施
例１と同じ特性を同条件で測定した。結果を実施例と同
じ表１に示す。
た触媒核金属を析出させたアルミニウム基材を使用し、
フラッシュメッキを施すことなく、実施例１と同じ条件
で無電解メッキ処理を施し研磨した。このようにして作
成されたアルミニウム基板について実施例１と同じ特性
を同条件で測定した。結果を実施例と同じ表１に示す。 （比較例２）実施例１と同様にして得られた触媒核金属
を析出させたアルミニウム基材を使用し、フラッシュメ
ッキを施すことなく、実施例２と同じ条件で無電解メッ
キ処理を施し研磨した。このようにして作成されたアル
ミニウム基板について実施例１と同じ特性を同条件で測
定した。結果を実施例と同じ表１に示す。 （比較例３）実施例３と同様にして得られた触媒核金属
を析出させたアルミニウム基材を使用し、フラッシュメ
ッキを施すことなく、実施例１と同じ条件で無電解メッ
キ処理を施し研磨した。このようにして作成されたアル
ミニウム基板について実施例１と同じ特性を同条件で測
定した。結果を実施例と同じ表１に示す。 （比較例４）実施例１と同様にして得られた同組成のア
ルミニウム基材を使用し、陽極酸化処理することなく、
実施例１と同条件で触媒核金属を析出させ、次いでフラ
ッシュメッキ処理、無電解析出処理を施し研磨した。こ
のようにして作成されたアルミニウム基板について実施
例１と同じ特性を同条件で測定した。結果を実施例と同
じ表１に示す。
【００４０】表１の結果から比較例（１〜４）は密着性
および耐衝撃性悪く、しかも陽極酸化皮膜厚さのバラツ
キ大きく、平坦度も悪く良好な平坦度を得るには表面の
無電解皮膜の研磨量を大きく取る必要が有り生産性悪
く、製造コストの高くなることが判る。 （比較例５）陽極酸化処理条件における電解液組成を５
wt％硫酸水溶液とすることを除いて実施例１と同じ条件
でアルミニウム基板を製作し、この基板を実施例１と同
じ条件で加熱し膨れ発生の有無を目視検査した。結果を
表１に示す。表１の結果から僅かではあるが膨れが発生
することが判る。
および耐衝撃性悪く、しかも陽極酸化皮膜厚さのバラツ
キ大きく、平坦度も悪く良好な平坦度を得るには表面の
無電解皮膜の研磨量を大きく取る必要が有り生産性悪
く、製造コストの高くなることが判る。 （比較例５）陽極酸化処理条件における電解液組成を５
wt％硫酸水溶液とすることを除いて実施例１と同じ条件
でアルミニウム基板を製作し、この基板を実施例１と同
じ条件で加熱し膨れ発生の有無を目視検査した。結果を
表１に示す。表１の結果から僅かではあるが膨れが発生
することが判る。
【００４１】
【発明の効果】上述した如く、本発明に係るアルミニウ
ム基板は、陽極酸化皮膜厚さのバラツキが小さくしかも
密着性および耐衝撃性が高いから高い衝撃の負荷される
可搬式の固定磁気ディスク装置等に使用できる磁気記録
媒体用のアルミニウム基板に適し、またその製造方法
は、陽極酸化皮膜厚さのバラツキが小さくしかも密着性
および耐衝撃性が高く、表面の無電解皮膜の研磨量が少
なくても良好な平坦度を得ることができ、生産性が優れ
製造コストの低い等の優れた磁気記録媒体用のアルミニ
ウム基板の製造方法である。
ム基板は、陽極酸化皮膜厚さのバラツキが小さくしかも
密着性および耐衝撃性が高いから高い衝撃の負荷される
可搬式の固定磁気ディスク装置等に使用できる磁気記録
媒体用のアルミニウム基板に適し、またその製造方法
は、陽極酸化皮膜厚さのバラツキが小さくしかも密着性
および耐衝撃性が高く、表面の無電解皮膜の研磨量が少
なくても良好な平坦度を得ることができ、生産性が優れ
製造コストの低い等の優れた磁気記録媒体用のアルミニ
ウム基板の製造方法である。
【図１】図１は、本発明による基板の構造を示す断面図
である。
である。
１…アルミニウム基材 ２…陽極酸化皮膜（多孔質膜） ３…触媒核となる金属 ４…下地金属フラッシュメッキ膜 ５…Ｐ含有Ｎｉ合金無電解メッキ膜 ６…アルミニウム基板 ７…孔（ポア）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 5/84 Ｇ１１Ｂ 5/84 Ｚ (72)発明者 島田 英樹 北海道苫小牧市晴海町43番地３ 日本軽金 属株式会社苫小牧製造所内 (72)発明者 高橋 武良 北海道苫小牧市晴海町43番地３ 日本軽金 属株式会社苫小牧製造所内 Ｆターム(参考） 4K022 AA02 AA31 AA44 BA14 BA16 CA06 CA17 CA18 CA19 CA20 CA21 CA28 DA01 4K044 AA06 BA06 BA12 BA15 BB03 BB05 BB13 BC05 CA15 CA17 5D006 CA01 CA05 CA06 CB04 CB07 CB08 FA07 5D112 AA02 AA24 BA06 EE01 GA29
Claims (11)
- 【請求項１】 アルミニウムからなる基材面にＰ含有Ｎ
ｉ合金の無電解メッキ膜を備えたアルミニウム基板にお
いて、 アルミニウムからなる基材と、 該アルミニウム基材の陽極酸化により生成した多孔質皮
膜と、 該多孔質皮膜面に析出した触媒核となる金属と、 該触媒核となる金属の析出した前記多孔質皮膜を実質的
に覆う前記触媒核となる金属の組成と異なりかつ前記Ｐ
含有Ｎｉ合金無電解メッキ膜と異なる組成の下地金属フ
ラッシュめっき膜と、 該下地金属フラッシュめっき膜に無電解メッキした前記
Ｐ含有Ｎｉ合金膜と、を備えたことを特徴とする磁気記
録媒体用アルミニウム基板。 - 【請求項２】 前記陽極酸化により生成した多孔質皮膜
の厚さが、０．５〜５０μｍであることを特徴とする請
求項１記載の磁気記録媒体用アルミニウム基板。 - 【請求項３】 前記多孔質皮膜が蓚酸またはクロム酸電
解液による陽極酸化皮膜であることを特徴とする請求項
１または２に記載の磁気記録媒体用アルミニウム基板。 - 【請求項４】 前記多孔質皮膜面に析出した触媒核とな
る金属がＰｄ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｓｎ，ＰまたはＮｉもしく
はこれらの金属の中から選ばれた１又は２以上の金属を
主成分とする合金であることを特徴とする請求項１から
３までのいずれか１項に記載の磁気記録媒体用アルミニ
ウム基板。 - 【請求項５】 前記下地金属フラッシュめっき膜はその
厚さが５nm以上でしかもＰ含有量が３wt％以上１０wt％
未満のＰ含有Ｎｉ合金であることを特徴とする請求項２
から４までのいずれか１項に記載の磁気記録媒体用アル
ミニウム基板。 - 【請求項６】 前記Ｐ含有Ｎｉ合金無電解メッキ膜はそ
の厚さが０．５μｍ以上でしかもＰ含有量が１０〜１３
wt％であることを特徴とする請求項５に記載の磁気記録
媒体用アルミニウム基板。 - 【請求項７】 アルミニウムからなる基材と、 該アルミニウム基材の蓚酸またはクロム酸電解液による
陽極酸化により生成した厚さが０．５〜５０μｍの多孔
質皮膜と、 前記多孔質皮膜面に析出したＰｄと、 Ｐｄの析出した前記多孔質皮膜を実質的に覆う厚さが５
nm以上でＰ含有量が３wt％以上１０wt％未満であるＰ含
有Ｎｉ合金下地金属フラッシュめっき膜と、 該金属膜を覆う厚さが０．５μｍ以上でＰ含有量が１０
〜１３wt％であるＰ含有Ｎｉ合金膜と、を備えたことを
特徴とする磁気記録媒体用アルミニウム基板。 - 【請求項８】 Ｐ含有Ｎｉ合金の無電解メッキ膜を備え
たアルミニウム基板の製造方法において、 アルミニウムからなる基材に陽極酸化処理を施し多孔質
皮膜を形成する工程と、 該多孔質皮膜面に触媒核となる金属を析出させる工程
と、 該触媒核となる金属の析出した前記多孔質皮膜を実質的
に覆う前記触媒核となる金属の組成と異なりかつ前記Ｐ
含有Ｎｉ合金無電解メッキ膜と異なる組成の下地金属フ
ラッシュめっき膜を形成する工程と、 該下地金属フラッシュめっき膜を形成した前記多孔質皮
膜に前記Ｐ含有Ｎｉ合金無電解メッキ膜を形成する工程
と、 該Ｐ含有Ｎｉ合金無電解メッキ膜を研磨する各工程を経
ることを特徴とする磁気記録媒体用アルミニウム基板の
製造方法。 - 【請求項９】 前記陽極酸化処理を蓚酸またはクロム酸
電解液中で行うことを特徴とする請求項８に記載の磁気
記録媒体用アルミニウム基板の製造方法。 - 【請求項１０】 前記多孔質皮膜面に析出した触媒核と
なる金属がＰｄ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｓｎ，ＰまたはＮｉもし
くはこれらの金属の中から選ばれた１又は２以上の金属
を主成分とする合金であることを特徴とする請求項８ま
たは９に記載の磁気記録媒体用アルミニウム基板の製造
方法。 - 【請求項１１】 アルミニウムからなる基材に蓚酸また
はクロム酸電解液中で陽極酸化処理を施す工程と、 該陽極酸化により生成した多孔質皮膜面にＰｄを析出さ
せる工程と、 該Ｐｄの析出した前記多孔質皮膜に膜厚が５nm以上で燐
含有量が３wt％以上１０wt％未満であるＰ含有Ｎｉ合金
下地金属フラッシュめっき膜を形成する工程と、 該下地金属フラッシュめっき膜の形成された前記多孔質
皮膜を膜厚が０．５μｍ以上で燐含有量が１０〜１３wt
％であるＰ含有Ｎｉ合金無電解メッキ膜を形成する工程
と、 該Ｐ含有Ｎｉ合金無電解メッキ膜を研磨する各工程を経
ることを特徴とする磁気記録媒体用アルミニウム基板の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000017073A JP2001209925A (ja) | 2000-01-26 | 2000-01-26 | 磁気記録媒体用アルミニウム基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000017073A JP2001209925A (ja) | 2000-01-26 | 2000-01-26 | 磁気記録媒体用アルミニウム基板およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001209925A true JP2001209925A (ja) | 2001-08-03 |
Family
ID=18544111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000017073A Pending JP2001209925A (ja) | 2000-01-26 | 2000-01-26 | 磁気記録媒体用アルミニウム基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001209925A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003160876A (ja) * | 2001-11-22 | 2003-06-06 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 無電解メッキ用触媒および金属メッキパターンの形成方法 |
| JP2007164963A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 磁気記録媒体用基板およびその製造方法ならびに磁気記録媒体 |
| US7629021B2 (en) | 2005-06-16 | 2009-12-08 | Yamagata Fujitsu Limited | Method for producing a stamper |
| JP2014099272A (ja) * | 2012-11-13 | 2014-05-29 | Kuraray Co Ltd | エレクトロルミネセンス素子とその製造方法 |
| JP2014099273A (ja) * | 2012-11-13 | 2014-05-29 | Kuraray Co Ltd | エレクトロルミネセンス素子とその製造方法 |
| JP2014099274A (ja) * | 2012-11-13 | 2014-05-29 | Kuraray Co Ltd | エレクトロルミネセンス素子とその製造方法 |
| WO2021171359A1 (ja) * | 2020-02-25 | 2021-09-02 | 住友電気工業株式会社 | 金属材料、及び金属材料の製造方法 |
| WO2024075513A1 (ja) * | 2022-10-03 | 2024-04-11 | 日本軽金属株式会社 | めっき部材及びその製造方法 |
-
2000
- 2000-01-26 JP JP2000017073A patent/JP2001209925A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003160876A (ja) * | 2001-11-22 | 2003-06-06 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 無電解メッキ用触媒および金属メッキパターンの形成方法 |
| US7629021B2 (en) | 2005-06-16 | 2009-12-08 | Yamagata Fujitsu Limited | Method for producing a stamper |
| JP2007164963A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 磁気記録媒体用基板およびその製造方法ならびに磁気記録媒体 |
| JP2014099272A (ja) * | 2012-11-13 | 2014-05-29 | Kuraray Co Ltd | エレクトロルミネセンス素子とその製造方法 |
| JP2014099273A (ja) * | 2012-11-13 | 2014-05-29 | Kuraray Co Ltd | エレクトロルミネセンス素子とその製造方法 |
| JP2014099274A (ja) * | 2012-11-13 | 2014-05-29 | Kuraray Co Ltd | エレクトロルミネセンス素子とその製造方法 |
| WO2021171359A1 (ja) * | 2020-02-25 | 2021-09-02 | 住友電気工業株式会社 | 金属材料、及び金属材料の製造方法 |
| WO2024075513A1 (ja) * | 2022-10-03 | 2024-04-11 | 日本軽金属株式会社 | めっき部材及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110234794B (zh) | 铝合金制的磁盘基板及其制造方法 | |
| WO2008047609A1 (fr) | Substrat de verre pour support d'enregistrement d'informations, support d'enregistrement magnétique, et procédé de fabrication d'un substrat de verre pour support d'enregistrement d'informations | |
| US20050287304A1 (en) | Method of treating a substrate for electroless plating and method of increasing adhesion therebetween, and magnetic recording medium and magnetic recording device thereof | |
| CN111801734A (zh) | 磁盘、以及磁盘用的铝合金基板及该铝合金基板的制造方法 | |
| JP2001209925A (ja) | 磁気記録媒体用アルミニウム基板およびその製造方法 | |
| US4525759A (en) | Aluminum storage disc | |
| JP3601325B2 (ja) | 磁気ディスク用ガラス基板への無電解Ｎｉ−Ｐめっき層の形成方法 | |
| US6977030B2 (en) | Method of coating smooth electroless nickel on magnetic memory disks and related memory devices | |
| JP4479493B2 (ja) | ガラス基板へのめっき方法及びそれを用いた磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP2001073166A (ja) | 磁気記録媒体用アルミニウム合金基板およびその製造方法 | |
| JP4285222B2 (ja) | 無電解メッキの前処理方法、該方法を含む磁気記録媒体用基板の製造方法、並びに該製造方法で製造される磁気記録媒体用基板 | |
| JPH07334841A (ja) | 磁気ディスク用ガラス基板の無電解Ｎｉ−Ｐめっき方法 | |
| JP2018005968A (ja) | 磁気ディスク用基板および磁気ディスク用基板の製造方法 | |
| JP2005206866A (ja) | 無電解メッキの前処理方法、該方法を含む磁気記録媒体用基板の製造方法、並びに該製造方法で製造される磁気記録媒体用基板 | |
| JP2011076667A (ja) | 磁気記録媒体用アルマイト基板及びそれを用いる磁気記録媒体並びにそれらの製造方法 | |
| US3970433A (en) | Recording surface substrate | |
| JPS623423A (ja) | Ａｌ製磁気記録材料の基板 | |
| JP2000173050A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JP2008202120A (ja) | 皮膜付き金属部材の製造方法及び皮膜付き金属部材 | |
| JPS62207899A (ja) | 磁気記録媒体用基板の製造方法 | |
| JP6114414B2 (ja) | Ｎｉメッキ処理に用いられる下地層被覆基板、Ｎｉメッキ層含有積層体および磁気記録媒体 | |
| JPH11175969A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH0310085A (ja) | 基板の表面処理方法 | |
| JPH02143916A (ja) | アルミニウム磁気ディスク基板 | |
| JPH01133218A (ja) | 磁気ディスク用アルミニウム基板の製造方法 |