JP4479493B2 - ガラス基板へのめっき方法及びそれを用いた磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、ガラス基板へのめっき方法及びそれを用いた磁気記録媒体の製造方法に関し、特に、ハードディスク装置に搭載する磁気記録媒体用のガラス基板への無電解めっき膜の形成に用いて好適である。
コンピュータの外部記憶装置などに用いられているハードディスク装置（ＨＤＤ）に搭載する磁気記録媒体（ハードディスク：ＨＤ）は、ＡＶ機器搭載のための記憶容量の大容量化やＨＤの小径化による高記録密度化の要求に伴い、アルミニウム合金基板よりも平坦性と強度に優れたガラス基板を用いるようになってきた。
アルミニウム合金基板を用いる場合には、無電解めっき法によりアルミニウム合金基板上にＮｉＰめっき膜を形成して使用するのが一般的であるが、ガラス基板を用いる場合には、無電解めっき法でガラス基板上に密着性良くめっき膜を形成することは技術的に難しい。
そこで、ガラスと密着性が金属の中で比較的良いとされるＴｉやＣｒを含む層をスパッタ法によりガラス基板上に形成して密着層とし、その上に所望の膜を積層させる方法も考えられるが、この方法は、枚葉処理となるため、バッチ処理が可能なめっき法と比較すると低コスト化が困難であり、膜厚を厚く形成するには不向きである。特に、近年盛んに開発が進められている垂直磁気記録媒体には、膜厚が０．３〜３．０μｍの軟磁性下地層という比較的厚い層が必要とされており、スパッタ法での成膜ではコストが高くなるという問題がある。
アルミニウム合金基板を用いる場合には、無電解めっき法によりアルミニウム合金基板上にＮｉＰめっき膜を形成して使用するのが一般的であるが、ガラス基板を用いる場合には、無電解めっき法でガラス基板上に密着性良くめっき膜を形成することは技術的に難しい。
そこで、ガラスと密着性が金属の中で比較的良いとされるＴｉやＣｒを含む層をスパッタ法によりガラス基板上に形成して密着層とし、その上に所望の膜を積層させる方法も考えられるが、この方法は、枚葉処理となるため、バッチ処理が可能なめっき法と比較すると低コスト化が困難であり、膜厚を厚く形成するには不向きである。特に、近年盛んに開発が進められている垂直磁気記録媒体には、膜厚が０．３〜３．０μｍの軟磁性下地層という比較的厚い層が必要とされており、スパッタ法での成膜ではコストが高くなるという問題がある。
一方、ガラス基板表面に無電解めっき法でめっき膜を形成させる方法としては、シランカップリング剤により密着層を形成し、無電解めっき膜を形成させる方法が提案されている（例えば特許文献１参照）。
この方法は、シランカップリング剤が水に溶解する事でシランカップリング剤のエトキシ基またはメトキシ基がシラノール基となり、ガラス基板表面の活性化により生成される水酸基（シラノール基）と水素結合的に結合し、脱水処理する事で強固な化学結合により密着させる方法であるため、センシ・アクチ法のように表面を荒らすことによるアンカー効果を利用せずに、基板表面が平坦でも密着性の良好なめっき膜を得ることができる。
特開２０００−１６３７４３号公報
特開平８−３９７２８号公報
この方法は、シランカップリング剤が水に溶解する事でシランカップリング剤のエトキシ基またはメトキシ基がシラノール基となり、ガラス基板表面の活性化により生成される水酸基（シラノール基）と水素結合的に結合し、脱水処理する事で強固な化学結合により密着させる方法であるため、センシ・アクチ法のように表面を荒らすことによるアンカー効果を利用せずに、基板表面が平坦でも密着性の良好なめっき膜を得ることができる。
しかしながら、上述のシランカップリング剤を密着層に用いる方法では、ガラス基板の水酸基とシランカップリング剤のシラノール基の結合状態が化学結合になることが重要で、化学結合にならない、例えば、付着や水素結合部が存在すると、めっき膜の密着不良や膜膨れおよび膜剥がれの原因となることが判明した。このような結合状態は、ガラス基板表面の活性化処理により、ある程度化学結合化されるが、すべてを化学結合化させることは困難である。
本発明は、上述の点に鑑み、ガラス基板表面に対して付着や水素結合の状態にあるシランカップリング剤を脱水縮合反応により化学結合させることにより、密着性の優れた無電解めっき膜を形成することが可能なガラス基板へのめっき方法及びそれを用いた磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、上述の点に鑑み、ガラス基板表面に対して付着や水素結合の状態にあるシランカップリング剤を脱水縮合反応により化学結合させることにより、密着性の優れた無電解めっき膜を形成することが可能なガラス基板へのめっき方法及びそれを用いた磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
上述の目的を達成するため、本発明のガラス基板へのめっき方法は、ガラス基板表面に、少なくとも、シランカップリング剤溶液を用いて密着層を形成する密着層形成処理、触媒層形成処理、触媒活性化処理、酸洗浄処理、及び前記密着層のシランカップリング剤をガラス基板表面に化学結合させる乾燥処理を順次施した後に、無電解めっきを施すことを特徴とする。
ここで、触媒層形成処理にはパラジウム触媒を用い、触媒活性化成処理には次亜リン酸を用いることができる。
そして、触媒活性化理と乾燥処理との間に、乾燥処理及び酸洗浄処理を順次施すことができ、密着層形成処理から酸洗浄処理までの処理を繰り返して複数回施すことが好ましい。
さらに、酸洗浄処理に少なくともフッ酸を含むｐＨ２以上の酸溶液を用いること、乾燥処理が６０℃以上２００℃未満の温度での加熱乾燥処理であることが好ましい。
ここで、触媒層形成処理にはパラジウム触媒を用い、触媒活性化成処理には次亜リン酸を用いることができる。
そして、触媒活性化理と乾燥処理との間に、乾燥処理及び酸洗浄処理を順次施すことができ、密着層形成処理から酸洗浄処理までの処理を繰り返して複数回施すことが好ましい。
さらに、酸洗浄処理に少なくともフッ酸を含むｐＨ２以上の酸溶液を用いること、乾燥処理が６０℃以上２００℃未満の温度での加熱乾燥処理であることが好ましい。
また、本発明の磁気記録媒体の製造方法は、本発明のガラス基板へのめっき方法を用いてガラス基板に無電解めっきを施し、その無電解めっき膜上に少なくとも磁気記録層を形成することを特徴とする。
本発明においては、密着層形成処理ないし触媒活性化処理の後に乾燥処理を施すことで、ガラス基板表面に対して付着や水素結合の状態にある密着層のシランカップリング剤は、そのシラノール基とガラス基板表面の水酸基との脱水縮合反応がなされ、ガラス基板表面と化学結合する。
乾燥処理に熱を加えることで乾燥時間を短縮させることが可能である。加える温度は８０℃以上で５分（ｍｉｎ）以上の処理時間であれば問題ないが、触媒となるパラジウムの酸化を防ぐには、２００℃未満にすることが好ましい。
本発明においては、密着層形成処理ないし触媒活性化処理の後に乾燥処理を施すことで、ガラス基板表面に対して付着や水素結合の状態にある密着層のシランカップリング剤は、そのシラノール基とガラス基板表面の水酸基との脱水縮合反応がなされ、ガラス基板表面と化学結合する。
乾燥処理に熱を加えることで乾燥時間を短縮させることが可能である。加える温度は８０℃以上で５分（ｍｉｎ）以上の処理時間であれば問題ないが、触媒となるパラジウムの酸化を防ぐには、２００℃未満にすることが好ましい。
ガラス基板表面に水酸基が存在しない部分、例えば、ガラスに含有されているアルカリ成分が表面に存在している部分では、自然乾燥または加熱乾燥を施しても化学結合にはならないので、乾燥処理ですべてのシランカップリング剤を化学結合させることができない場合もあるが、ガラス基板と化学結合していないシランカップリング剤は、自然乾燥または加熱乾燥処理の後、フッ酸またはフッ酸を含む酸溶液により酸洗浄処理を施すことで除去することが可能である。但し、ｐＨ２以下の酸の場合、化学結合部を切断してしまう可能性があるので、ｐＨ２以上の酸により洗浄することが好ましい。
また、酸洗浄処理を施すことで触媒核が少なくなり、めっき性が悪化する可能性があるので、密着層形成処理、触媒層形成処理、触媒活性化処理、乾燥処理、及び酸洗浄処理を順次施す処理を繰り返すことで触媒核を増やす処理をすることが好ましい。酸洗浄処理は触媒活性化処理後に乾燥処理をせずに行っても同様の効果を得ることができるが、密着層形成処理から酸洗浄処理までの繰り返し回数を多くする必要がある。
また、酸洗浄処理を施すことで触媒核が少なくなり、めっき性が悪化する可能性があるので、密着層形成処理、触媒層形成処理、触媒活性化処理、乾燥処理、及び酸洗浄処理を順次施す処理を繰り返すことで触媒核を増やす処理をすることが好ましい。酸洗浄処理は触媒活性化処理後に乾燥処理をせずに行っても同様の効果を得ることができるが、密着層形成処理から酸洗浄処理までの繰り返し回数を多くする必要がある。
本発明のガラス基板へのめっき方法によれば、ガラス基板上に膜膨れがなく、外観が良好で密着性の優れた無電解めっき膜を形成することができる。
従って、本発明のガラス基板へのめっき方法を用いてガラス基板に無電解めっきを施し、その無電解めっき膜上に磁気記録層を形成することにより、密着性の優れた磁気記録媒体を得ることができる。特に、軟磁性めっき膜を形成することにより、軟磁気特性および密着性において良好なガラス基板を用いた垂直磁気記録媒体を得ることができる。
従って、本発明のガラス基板へのめっき方法を用いてガラス基板に無電解めっきを施し、その無電解めっき膜上に磁気記録層を形成することにより、密着性の優れた磁気記録媒体を得ることができる。特に、軟磁性めっき膜を形成することにより、軟磁気特性および密着性において良好なガラス基板を用いた垂直磁気記録媒体を得ることができる。
以下に本発明の好ましい実施形態について説明する。
＜ガラス基板へのめっき方法の実施形態＞
図１に、本発明に係るガラス基板へのめっき方法の実施形態の工程図を示す。この図に示すように、本発明の実施形態のガラス基板へのめっき方法は、無電解めっき工程Ｓ８の前処理工程として、ガラス活性化処理工程Ｓ１、密着層形成処理工程Ｓ２、触媒層形成処理工程Ｓ３、触媒活性化処理工程Ｓ４、乾燥処理工程Ｓ５、酸洗浄処理工程Ｓ６、及び乾燥処理工程Ｓ７からなるガラス基板表面処理工程を備える。
ここで、乾燥処理工程Ｓ５と酸洗浄処理工程Ｓ６を省略したものを参考形態としての実施形態１，２として説明するが、密着層形成処理工程Ｓ２から酸洗浄処理工程Ｓ６までを繰り返して複数回実施することが望ましい。その際に乾燥処理工程Ｓ５を設けない場合には、繰り返し回数を多くする必要がある。以下に、これらの各工程からなる参考形態としての実施形態１，２を含む実施形態１〜５について説明する。
〔実施形態１〕
この実施形態１は、図１に示すガラス活性化処理工程Ｓ１、密着層形成処理工程Ｓ２、触媒層形成処理工程Ｓ３、触媒活性化処理工程Ｓ４、乾燥処理工程Ｓ７、及び無電解めっき工程Ｓ８からなる。
＜ガラス基板へのめっき方法の実施形態＞
図１に、本発明に係るガラス基板へのめっき方法の実施形態の工程図を示す。この図に示すように、本発明の実施形態のガラス基板へのめっき方法は、無電解めっき工程Ｓ８の前処理工程として、ガラス活性化処理工程Ｓ１、密着層形成処理工程Ｓ２、触媒層形成処理工程Ｓ３、触媒活性化処理工程Ｓ４、乾燥処理工程Ｓ５、酸洗浄処理工程Ｓ６、及び乾燥処理工程Ｓ７からなるガラス基板表面処理工程を備える。
ここで、乾燥処理工程Ｓ５と酸洗浄処理工程Ｓ６を省略したものを参考形態としての実施形態１，２として説明するが、密着層形成処理工程Ｓ２から酸洗浄処理工程Ｓ６までを繰り返して複数回実施することが望ましい。その際に乾燥処理工程Ｓ５を設けない場合には、繰り返し回数を多くする必要がある。以下に、これらの各工程からなる参考形態としての実施形態１，２を含む実施形態１〜５について説明する。
〔実施形態１〕
この実施形態１は、図１に示すガラス活性化処理工程Ｓ１、密着層形成処理工程Ｓ２、触媒層形成処理工程Ｓ３、触媒活性化処理工程Ｓ４、乾燥処理工程Ｓ７、及び無電解めっき工程Ｓ８からなる。
密着層のシランカップリング剤をガラス基板に化学結合させるためには、その前処理としてガラス基板の表面を清浄化・活性化しておくことが望ましいので、この実施形態では、ガラス活性化処理工程Ｓ１を設ける。
この活性化のためには、ガラス基板をフッ酸（ＨＦ）水溶液などに浸漬してガラス基板表面に酸エッチング処理を施すことが好ましい。この酸エッチング処理により、ガラス基板表面の既存の不活性な酸化膜を除去し、新しい酸化膜を形成してシランカップリング剤と結合する水酸基を増加させることができる。また、この酸エッチング処理の前処理として、水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液などを用いたアルカリ脱脂処理、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）水溶液などを用いた表面酸化処理などを順次施すことが好ましい。これらの各処理工程において、各処理を施したガラス基板は純水で濯ぎ、乾燥させずに次の処理を行う。
この活性化のためには、ガラス基板をフッ酸（ＨＦ）水溶液などに浸漬してガラス基板表面に酸エッチング処理を施すことが好ましい。この酸エッチング処理により、ガラス基板表面の既存の不活性な酸化膜を除去し、新しい酸化膜を形成してシランカップリング剤と結合する水酸基を増加させることができる。また、この酸エッチング処理の前処理として、水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液などを用いたアルカリ脱脂処理、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）水溶液などを用いた表面酸化処理などを順次施すことが好ましい。これらの各処理工程において、各処理を施したガラス基板は純水で濯ぎ、乾燥させずに次の処理を行う。
密着層形成処理工程Ｓ２では、ガラス活性化処理を施したガラス基板をシランカップリング剤水溶液に浸漬することにより、密着層を塗布形成する。浸漬処理したガラス基板は純水で濯ぎ、乾燥させずに次の処理を行う。
密着層を形成するためのシランカップリング剤としては、アミノ系シランカップリング剤が好ましく、例えば、信越化学工業製のＫＢＥ９０３，ＫＢＭ９０３，ＫＢＥ６０３，ＫＢＭ６０３などを用いることができる。
触媒層形成処理工程Ｓ３では、密着層を形成したガラス基板をパラジウム触媒溶液、好ましくは塩化パラジウム（ＰｄＣｌ２）水溶液に浸漬することにより、無電解めっきの触媒となる触媒層を塗布形成する。浸漬処理したガラス基板は純水で濯ぎ、乾燥させずに次の処理を行う。
密着層を形成するためのシランカップリング剤としては、アミノ系シランカップリング剤が好ましく、例えば、信越化学工業製のＫＢＥ９０３，ＫＢＭ９０３，ＫＢＥ６０３，ＫＢＭ６０３などを用いることができる。
触媒層形成処理工程Ｓ３では、密着層を形成したガラス基板をパラジウム触媒溶液、好ましくは塩化パラジウム（ＰｄＣｌ２）水溶液に浸漬することにより、無電解めっきの触媒となる触媒層を塗布形成する。浸漬処理したガラス基板は純水で濯ぎ、乾燥させずに次の処理を行う。
触媒活性化処理工程Ｓ４では、触媒層を形成したガラス基板を好ましくは次亜リン酸（Ｈ３ＰＯ２）水溶液に浸漬することにより、パラジウム触媒溶液が塗布されてなる触媒層の過剰Ｐｄを除去して活性化する。浸漬処理したガラス基板は純水で濯ぎ、乾燥させずに次の処理を行う。
乾燥処理工程Ｓ７では、触媒活性化処理を施したガラス基板に自然乾燥処理を施す。この乾燥処理により、ガラス基板表面に対して付着や水素結合の状態にある密着層のシランカップリング剤のシラノール基とガラス基板表面の水酸基とを脱水縮合反応させて化学結合させることができ、その乾燥処理時間を所定時間以上とすることにより、十分な化学結合状態を実現することができる。
無電解めっき工程Ｓ８では、乾燥処理を施したガラス基板を公知の無電解めっき液に浸漬し、その触媒層を触媒として無電解めっき法によりめっき膜を形成する。めっき膜の組成は限定されないが、ＣｏＮｉＰ膜やＮｉＰ膜などの磁気記録媒体に用いる軟磁性膜ないし非磁性膜を形成することができる。
〔実施形態２〕
この実施形態２は、図１に示すガラス活性化処理工程Ｓ１、密着層形成処理工程Ｓ２、触媒層形成処理工程Ｓ３、触媒活性化処理工程Ｓ４、乾燥処理工程Ｓ７、及び無電解めっき工程Ｓ８からなる。
乾燥処理工程Ｓ７では、触媒活性化処理を施したガラス基板に自然乾燥処理を施す。この乾燥処理により、ガラス基板表面に対して付着や水素結合の状態にある密着層のシランカップリング剤のシラノール基とガラス基板表面の水酸基とを脱水縮合反応させて化学結合させることができ、その乾燥処理時間を所定時間以上とすることにより、十分な化学結合状態を実現することができる。
無電解めっき工程Ｓ８では、乾燥処理を施したガラス基板を公知の無電解めっき液に浸漬し、その触媒層を触媒として無電解めっき法によりめっき膜を形成する。めっき膜の組成は限定されないが、ＣｏＮｉＰ膜やＮｉＰ膜などの磁気記録媒体に用いる軟磁性膜ないし非磁性膜を形成することができる。
〔実施形態２〕
この実施形態２は、図１に示すガラス活性化処理工程Ｓ１、密着層形成処理工程Ｓ２、触媒層形成処理工程Ｓ３、触媒活性化処理工程Ｓ４、乾燥処理工程Ｓ７、及び無電解めっき工程Ｓ８からなる。
乾燥処理工程Ｓ７での乾燥処理を加熱乾燥処理とすること以外は、実施形態１と同じである。この加熱乾燥処理は６０℃以上２００℃未満の温度での処理が好ましい。
〔実施形態３〕
この実施形態３は、図１に示すガラス活性化処理工程Ｓ１、密着層形成処理工程Ｓ２、触媒層形成処理工程Ｓ３、触媒活性化処理工程Ｓ４、乾燥処理工程Ｓ５、酸洗浄処理工程Ｓ６、乾燥処理工程Ｓ７、及び無電解めっき工程Ｓ８からなる。
触媒活性化処理工程Ｓ４と乾燥処理工程Ｓ７との間に乾燥処理工程Ｓ５と酸洗浄処理工程Ｓ６を設けること以外は、実施形態１と同じである。
乾燥処理工程Ｓ５では、密着層のシランカップリング剤をガラス基板と化学結合させるために、触媒活性化処理を施したガラス基板に自然乾燥処理を施す。
〔実施形態３〕
この実施形態３は、図１に示すガラス活性化処理工程Ｓ１、密着層形成処理工程Ｓ２、触媒層形成処理工程Ｓ３、触媒活性化処理工程Ｓ４、乾燥処理工程Ｓ５、酸洗浄処理工程Ｓ６、乾燥処理工程Ｓ７、及び無電解めっき工程Ｓ８からなる。
触媒活性化処理工程Ｓ４と乾燥処理工程Ｓ７との間に乾燥処理工程Ｓ５と酸洗浄処理工程Ｓ６を設けること以外は、実施形態１と同じである。
乾燥処理工程Ｓ５では、密着層のシランカップリング剤をガラス基板と化学結合させるために、触媒活性化処理を施したガラス基板に自然乾燥処理を施す。
酸洗浄処理工程Ｓ６では、ガラス基板と化学結合していないシランカップリング剤を除去するために、フッ酸またはフッ酸を含む酸溶液により酸洗浄処理を施す。
この酸処理工程Ｓ６により、触媒核が少なくなり、めっき性が悪化する可能性があるので、密着層形成処理工程Ｓ２から酸処理工程Ｓ６まで繰り返して複数回実施することが好ましい
〔実施形態４〕
この実施形態４は、図１に示すガラス活性化処理工程Ｓ１、密着層形成処理工程Ｓ２、触媒層形成処理工程Ｓ３、触媒活性化処理工程Ｓ４、乾燥処理工程Ｓ５、酸洗浄処理工程Ｓ６、乾燥処理工程Ｓ７、及び無電解めっき工程Ｓ８からなる。
乾燥処理工程Ｓ５での乾燥処理を加熱乾燥処理とすること以外は、実施形態３と同じである。
〔実施形態５〕
この実施形態５は、図１に示すガラス活性化処理工程Ｓ１、密着層形成処理工程Ｓ２、触媒層形成処理工程Ｓ３、触媒活性化処理工程Ｓ４、酸洗浄処理工程Ｓ６、乾燥処理工程Ｓ７、及び無電解めっき工程Ｓ８からなる。
この酸処理工程Ｓ６により、触媒核が少なくなり、めっき性が悪化する可能性があるので、密着層形成処理工程Ｓ２から酸処理工程Ｓ６まで繰り返して複数回実施することが好ましい
〔実施形態４〕
この実施形態４は、図１に示すガラス活性化処理工程Ｓ１、密着層形成処理工程Ｓ２、触媒層形成処理工程Ｓ３、触媒活性化処理工程Ｓ４、乾燥処理工程Ｓ５、酸洗浄処理工程Ｓ６、乾燥処理工程Ｓ７、及び無電解めっき工程Ｓ８からなる。
乾燥処理工程Ｓ５での乾燥処理を加熱乾燥処理とすること以外は、実施形態３と同じである。
〔実施形態５〕
この実施形態５は、図１に示すガラス活性化処理工程Ｓ１、密着層形成処理工程Ｓ２、触媒層形成処理工程Ｓ３、触媒活性化処理工程Ｓ４、酸洗浄処理工程Ｓ６、乾燥処理工程Ｓ７、及び無電解めっき工程Ｓ８からなる。
乾燥処理工程Ｓ５を設けないこと以外は、実施形態３と同じである。
この実施形態５では、密着層のシランカップリング剤をガラス基板と化学結合させるための乾燥処理工程Ｓ５を設けないので、密着層形成処理工程Ｓ２から酸洗浄処理工程Ｓ６までの繰り返し回数を実施形態３よりも多くする必要がある。
＜磁気記録媒体の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態の磁気記録媒体の製造方法は、次のとおりである。
まず、上述の本発明の実施形態のガラス基板へのめっき方法を用いて無電解めっき法によりＣｏＮｉＰなどの軟磁性めっき膜をディスク状のガラス基板上に形成し、必要に応じてその表面を研磨して平坦化加工やテクスチャ加工を施し、洗浄・乾燥する。
そして、その基板上に、スパッタ法を用いて、Ｃｒなどからなる非磁性下地層、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ―ＳｉＯ２などからなる磁気記録層、カーボンなどからなる保護層を順次成膜する。
この実施形態５では、密着層のシランカップリング剤をガラス基板と化学結合させるための乾燥処理工程Ｓ５を設けないので、密着層形成処理工程Ｓ２から酸洗浄処理工程Ｓ６までの繰り返し回数を実施形態３よりも多くする必要がある。
＜磁気記録媒体の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態の磁気記録媒体の製造方法は、次のとおりである。
まず、上述の本発明の実施形態のガラス基板へのめっき方法を用いて無電解めっき法によりＣｏＮｉＰなどの軟磁性めっき膜をディスク状のガラス基板上に形成し、必要に応じてその表面を研磨して平坦化加工やテクスチャ加工を施し、洗浄・乾燥する。
そして、その基板上に、スパッタ法を用いて、Ｃｒなどからなる非磁性下地層、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ―ＳｉＯ２などからなる磁気記録層、カーボンなどからなる保護層を順次成膜する。
これにより、無電解めっき法で形成した軟磁性めっき膜を軟磁性裏打ち層とする垂直磁気記録媒体を作製することができる。
以上のような本発明の実施形態によれば、ガラス基板上に膜膨れなく、外観の良好な軟磁性めっき膜が形成でき、軟磁気特性および密着性において良好なガラス基板を用いた垂直磁気記録媒体を得ることができる。
≪実施例≫
以下に、上述の本発明の実施形態を具体化にした参考例としての実施例１，２を含む実施例について説明する。
＜ガラス基板へのめっき方法の実施例＞
以下の実施例１から５は、上述の本発明の実施形態１から５にそれぞれ対応するガラス基板へのめっき方法の実施例であり、各実施例における乾燥処理と酸洗浄処理の処理条件は表１に示す条件１から条件２８とした。
以上のような本発明の実施形態によれば、ガラス基板上に膜膨れなく、外観の良好な軟磁性めっき膜が形成でき、軟磁気特性および密着性において良好なガラス基板を用いた垂直磁気記録媒体を得ることができる。
≪実施例≫
以下に、上述の本発明の実施形態を具体化にした参考例としての実施例１，２を含む実施例について説明する。
＜ガラス基板へのめっき方法の実施例＞
以下の実施例１から５は、上述の本発明の実施形態１から５にそれぞれ対応するガラス基板へのめっき方法の実施例であり、各実施例における乾燥処理と酸洗浄処理の処理条件は表１に示す条件１から条件２８とした。
この実施例１は、上述の実施形態１を表１の条件１から条件５の処理条件で次のとおり実施した。
〔条件１〕
（ガラス活性化処理工程Ｓ１）
（１）エッチング工程１（アルカリ脱脂処理）
水酸化カリウム水溶液中にガラス基板を浸漬させる。処理液として、３６Ｌの純水にＫＯＨを２７００ｇ加えた水溶液を５０℃に加熱したものを用意し、ガラス基板を３分（ｍｉｎ）浸漬させた。浸漬の際には、ガラス基板表面が均一に処理されるようにガラス基板を２０ｒｐｍで回転させながら浸漬させた。上記処理を終えたガラス基板は、純水にて十分濯ぎ、乾燥させず、次の処理を行った。
（２）エッチング工程２（表面酸化処理）
次に、硫酸水溶液中にガラス基板を浸漬させる。処理液として、３６Ｌの純水に硫酸を３６ｍＬ加えた水溶液を用意し、ガラス基板を３ｍｉｎ浸漬させた。浸漬の際には、ガラス基板表面が均一に処理されるようにガラス基板を２０ｒｐｍで回転させながら浸漬させた。上記処理を終えたガラス基板は、純水にて十分濯ぎ、乾燥させず、次の処理を行った。
（３）エッチング工程３（アンカー効果および活性化処理）
次に、フッ酸水溶液中にガラス基板を浸漬させる。処理液として、３６Ｌの純水にフッ酸を９ｍＬ加えた水溶液を用意し、ガラス基板を３ｍｉｎ浸漬させた。浸漬の際には、ガラス基板表面が均一に処理されるようにガラス基板を２０ｒｐｍで回転させながら浸漬させた。上記処理を終えたガラス基板は、純水にて十分濯ぎ、乾燥させず、次の処理を行った。
（密着層形成処理工程Ｓ２）
次に、シランカップリング剤水溶液中にガラス基板を浸漬させる。処理液として、３６Ｌの純水に、ＫＢＥ６０３（信越化学工業製）を７２０ｍＬ加えた水溶液を用意し、ガラス基板を１０ｍｉｎ浸漬させた。浸漬の際には、ガラス基板表面が均一に処理されるようにガラス基板を２０ｒｐｍで回転させながら浸漬させた。上記処理を終えたガラス基板は、純水にて十分濯ぎ、乾燥させず、次の処理を行った。
（触媒層形成処理工程Ｓ３）
次に、塩化パラジウム水溶液中にガラス基板を浸漬させる。処理液として、３６Ｌの純水に、アクチベーター７３３１（メルテック製）を１０８０ｍＬと濃度が０．１ｍｏｌ／ＬのＫＯＨを５４ｍＬ加えた水溶液を用意し、ガラス基板を１０ｍｉｎ浸漬させた。浸漬の際には、ガラス基板表面が均一に処理されるようにガラス基板を２０ｒｐｍで回転させながら浸漬させた。上記処理を終えたガラス基板は、純水にて十分濯ぎ、乾燥させず、次の処理を行った。
（触媒活性化処理工程Ｓ４）
次に、次亜リン酸水溶液中にガラス基板を浸漬させる。処理液として、３６Ｌの純水に、ＰＡ７３４０（メルテック製）を３６０ｍＬ加えた水溶液を用意し、ガラス基板を２ｍｉｎ浸漬させた。浸漬の際には、浸漬の際には、ガラス基板表面が均一に処理されるようにガラス基板を２０ｒｐｍで回転させながら浸漬させた。上記処理を終えたガラス基板は、純水にて十分濯ぎ、乾燥させず、次の処理を行った。
（乾燥処理工程Ｓ７）
次に、上記処理を施した基板に０時間（ｈｒ）の自然乾燥処理を行って（すなわち、乾燥処理は行わずに）、次の処理を行った。
（無電解めっき工程Ｓ８）
次に、上記処理を施した基板に無電解めっき法によりＣｏＮｉＰ膜を２μｍ成膜した。めっき液の組成は、硫酸コバルト７水和物を５ｇ／Ｌ、硫酸ニッケル６水和物を５ｇ／Ｌ、次亜リン酸Ｎａを２０ｇ／Ｌ、クエン酸Ｎａを６０ｇ／Ｌ、ホウ酸を３０ｇ／Ｌ、１０００ｐｐｍ硝酸鉛を１ｐｐｍであり、７５Ｌ建浴。めっき温度は８５℃で、ｐＨ８になるよう水酸化ナトリウムで調整。均一なめっき膜になるよう、２０ｒｐｍで回転させながら浸漬させた。
〔条件２〕
この条件２では、乾燥処理工程Ｓ７での乾燥処理を０．５ｈｒの自然乾燥処理としたこと以外は条件１と同じ条件で実施した。
〔条件３〕
この条件３では、乾燥処理工程Ｓ７での乾燥処理を１ｈｒの自然乾燥処理としたこと以外は条件１と同じ条件で実施した。
〔条件４〕
この条件４では、乾燥処理工程Ｓ７での乾燥処理を６ｈｒの自然乾燥処理としたこと以外は条件１と同じ条件で実施した。
〔条件５〕
この条件５では、乾燥処理工程Ｓ７での乾燥処理を１２ｈｒの自然乾燥処理としたこと以外は条件１と同じ条件で実施した。
〔条件１〕
（ガラス活性化処理工程Ｓ１）
（１）エッチング工程１（アルカリ脱脂処理）
水酸化カリウム水溶液中にガラス基板を浸漬させる。処理液として、３６Ｌの純水にＫＯＨを２７００ｇ加えた水溶液を５０℃に加熱したものを用意し、ガラス基板を３分（ｍｉｎ）浸漬させた。浸漬の際には、ガラス基板表面が均一に処理されるようにガラス基板を２０ｒｐｍで回転させながら浸漬させた。上記処理を終えたガラス基板は、純水にて十分濯ぎ、乾燥させず、次の処理を行った。
（２）エッチング工程２（表面酸化処理）
次に、硫酸水溶液中にガラス基板を浸漬させる。処理液として、３６Ｌの純水に硫酸を３６ｍＬ加えた水溶液を用意し、ガラス基板を３ｍｉｎ浸漬させた。浸漬の際には、ガラス基板表面が均一に処理されるようにガラス基板を２０ｒｐｍで回転させながら浸漬させた。上記処理を終えたガラス基板は、純水にて十分濯ぎ、乾燥させず、次の処理を行った。
（３）エッチング工程３（アンカー効果および活性化処理）
次に、フッ酸水溶液中にガラス基板を浸漬させる。処理液として、３６Ｌの純水にフッ酸を９ｍＬ加えた水溶液を用意し、ガラス基板を３ｍｉｎ浸漬させた。浸漬の際には、ガラス基板表面が均一に処理されるようにガラス基板を２０ｒｐｍで回転させながら浸漬させた。上記処理を終えたガラス基板は、純水にて十分濯ぎ、乾燥させず、次の処理を行った。
（密着層形成処理工程Ｓ２）
次に、シランカップリング剤水溶液中にガラス基板を浸漬させる。処理液として、３６Ｌの純水に、ＫＢＥ６０３（信越化学工業製）を７２０ｍＬ加えた水溶液を用意し、ガラス基板を１０ｍｉｎ浸漬させた。浸漬の際には、ガラス基板表面が均一に処理されるようにガラス基板を２０ｒｐｍで回転させながら浸漬させた。上記処理を終えたガラス基板は、純水にて十分濯ぎ、乾燥させず、次の処理を行った。
（触媒層形成処理工程Ｓ３）
次に、塩化パラジウム水溶液中にガラス基板を浸漬させる。処理液として、３６Ｌの純水に、アクチベーター７３３１（メルテック製）を１０８０ｍＬと濃度が０．１ｍｏｌ／ＬのＫＯＨを５４ｍＬ加えた水溶液を用意し、ガラス基板を１０ｍｉｎ浸漬させた。浸漬の際には、ガラス基板表面が均一に処理されるようにガラス基板を２０ｒｐｍで回転させながら浸漬させた。上記処理を終えたガラス基板は、純水にて十分濯ぎ、乾燥させず、次の処理を行った。
（触媒活性化処理工程Ｓ４）
次に、次亜リン酸水溶液中にガラス基板を浸漬させる。処理液として、３６Ｌの純水に、ＰＡ７３４０（メルテック製）を３６０ｍＬ加えた水溶液を用意し、ガラス基板を２ｍｉｎ浸漬させた。浸漬の際には、浸漬の際には、ガラス基板表面が均一に処理されるようにガラス基板を２０ｒｐｍで回転させながら浸漬させた。上記処理を終えたガラス基板は、純水にて十分濯ぎ、乾燥させず、次の処理を行った。
（乾燥処理工程Ｓ７）
次に、上記処理を施した基板に０時間（ｈｒ）の自然乾燥処理を行って（すなわち、乾燥処理は行わずに）、次の処理を行った。
（無電解めっき工程Ｓ８）
次に、上記処理を施した基板に無電解めっき法によりＣｏＮｉＰ膜を２μｍ成膜した。めっき液の組成は、硫酸コバルト７水和物を５ｇ／Ｌ、硫酸ニッケル６水和物を５ｇ／Ｌ、次亜リン酸Ｎａを２０ｇ／Ｌ、クエン酸Ｎａを６０ｇ／Ｌ、ホウ酸を３０ｇ／Ｌ、１０００ｐｐｍ硝酸鉛を１ｐｐｍであり、７５Ｌ建浴。めっき温度は８５℃で、ｐＨ８になるよう水酸化ナトリウムで調整。均一なめっき膜になるよう、２０ｒｐｍで回転させながら浸漬させた。
〔条件２〕
この条件２では、乾燥処理工程Ｓ７での乾燥処理を０．５ｈｒの自然乾燥処理としたこと以外は条件１と同じ条件で実施した。
〔条件３〕
この条件３では、乾燥処理工程Ｓ７での乾燥処理を１ｈｒの自然乾燥処理としたこと以外は条件１と同じ条件で実施した。
〔条件４〕
この条件４では、乾燥処理工程Ｓ７での乾燥処理を６ｈｒの自然乾燥処理としたこと以外は条件１と同じ条件で実施した。
〔条件５〕
この条件５では、乾燥処理工程Ｓ７での乾燥処理を１２ｈｒの自然乾燥処理としたこと以外は条件１と同じ条件で実施した。
この実施例２は、上述の実施形態２を表１の条件６から条件１１の処理条件で次のとおり実施した。
〔条件６〕
この条件６では、乾燥処理工程Ｓ７での乾燥処理を６０℃、５ｍｉｎの加熱乾燥処理としたこと以外は条件１と同じ条件で実施した。
〔条件７〕
この条件７では、乾燥処理工程Ｓ７の加熱乾燥処理時間を１０ｍｉｎにしたこと以外は条件６と同じ条件で実施した。
〔条件８〕
この条件８では、乾燥処理工程Ｓ７の加熱乾燥処理温度を８０℃にしたこと以外は条件６と同じ条件で実施した。
〔条件９〕
この条件９では、乾燥処理工程Ｓ７の加熱乾燥処理温度を１００℃にしたこと以外は条件６と同じ条件で実施した。
〔条件１０〕
この条件１０では、乾燥処理工程Ｓ７の加熱乾燥処理温度を１５０℃にしたこと以外は条件６と同じ条件で実施した。
〔条件１１〕
この条件１１では、乾燥処理工程Ｓ７の加熱乾燥処理温度を２００℃にしたこと以外は条件６と同じ条件で実施した。
〔条件６〕
この条件６では、乾燥処理工程Ｓ７での乾燥処理を６０℃、５ｍｉｎの加熱乾燥処理としたこと以外は条件１と同じ条件で実施した。
〔条件７〕
この条件７では、乾燥処理工程Ｓ７の加熱乾燥処理時間を１０ｍｉｎにしたこと以外は条件６と同じ条件で実施した。
〔条件８〕
この条件８では、乾燥処理工程Ｓ７の加熱乾燥処理温度を８０℃にしたこと以外は条件６と同じ条件で実施した。
〔条件９〕
この条件９では、乾燥処理工程Ｓ７の加熱乾燥処理温度を１００℃にしたこと以外は条件６と同じ条件で実施した。
〔条件１０〕
この条件１０では、乾燥処理工程Ｓ７の加熱乾燥処理温度を１５０℃にしたこと以外は条件６と同じ条件で実施した。
〔条件１１〕
この条件１１では、乾燥処理工程Ｓ７の加熱乾燥処理温度を２００℃にしたこと以外は条件６と同じ条件で実施した。
この実施例３は、上述の実施形態３を表１の条件１２から条件１５の処理条件で次のとおり実施した。
〔条件１２〕
この条件１２では、乾燥処理工程Ｓ５で１２ｈｒの自然乾燥を行い、その後、酸洗浄処理工程Ｓ６で、０．０２５％フッ酸水溶液に３ｍｉｎ浸漬させ、均一に処理されるようにガラス基板を２０ｒｐｍで回転させながら浸漬させた。上記処理を終えたガラス基板は、純水にて十分濯ぎ、乾燥処理工程Ｓ７で１２ｈｒ自然乾燥させた後、無電解めっき工程Ｓ８で無電解めっきを行った。それ以外は条件５と同じ条件で実施した。
〔条件１３〕
この条件１３では、密着層形成処理工程Ｓ２から酸洗浄処理工程Ｓ６までを繰り返して２回行ったこと以外は条件１２と同じ条件で実施した。
〔条件１４〕
この条件１４では、密着層形成処理工程Ｓ２から酸洗浄処理工程Ｓ６までを繰り返して３回行ったこと以外は条件１２と同じ条件で実施した。
〔条件１５〕
この条件１５では、密着層形成処理工程Ｓ２から酸洗浄処理工程Ｓ６までを繰り返して４回行ったこと以外は条件１２と同じ条件で実施した。
〔条件１２〕
この条件１２では、乾燥処理工程Ｓ５で１２ｈｒの自然乾燥を行い、その後、酸洗浄処理工程Ｓ６で、０．０２５％フッ酸水溶液に３ｍｉｎ浸漬させ、均一に処理されるようにガラス基板を２０ｒｐｍで回転させながら浸漬させた。上記処理を終えたガラス基板は、純水にて十分濯ぎ、乾燥処理工程Ｓ７で１２ｈｒ自然乾燥させた後、無電解めっき工程Ｓ８で無電解めっきを行った。それ以外は条件５と同じ条件で実施した。
〔条件１３〕
この条件１３では、密着層形成処理工程Ｓ２から酸洗浄処理工程Ｓ６までを繰り返して２回行ったこと以外は条件１２と同じ条件で実施した。
〔条件１４〕
この条件１４では、密着層形成処理工程Ｓ２から酸洗浄処理工程Ｓ６までを繰り返して３回行ったこと以外は条件１２と同じ条件で実施した。
〔条件１５〕
この条件１５では、密着層形成処理工程Ｓ２から酸洗浄処理工程Ｓ６までを繰り返して４回行ったこと以外は条件１２と同じ条件で実施した。
この実施例４は、上述の実施形態４を表１の条件１６から条件２２の処理条件で次のとおり実施した。
〔条件１６〕
この条件１６では、乾燥処理工程Ｓ５での乾燥処理を８０℃、５ｍｉｎの加熱乾燥処理としたこと以外は条件１２と同じ条件で実施した。
〔条件１７〕
この条件１７では、酸洗浄処理工程Ｓ６のフッ酸水溶液の濃度を０．０５％にしたこと以外は条件１６と同じ条件で実施した。
〔条件１８〕
この条件１８では、酸洗浄処理工程Ｓ６のフッ酸水溶液の濃度を０．１％にしたこと以外は条件１６と同じ条件で実施した。
〔条件１９〕
この条件１９では、酸洗浄処理工程Ｓ６のフッ酸水溶液の濃度を１％にしたこと以外は条件１６と同じ条件で実施した。
〔条件２０〕
この条件２０では、酸洗浄処理工程Ｓ６に０．０２５％フッ酸＋１％硫酸水溶液を使用したこと以外は条件１６と同じ条件で実施した。
〔条件２１〕
この条件２１では、酸洗浄処理工程Ｓ６の硫酸の濃度を５％にしたこと以外は条件２０と同じ条件で実施した。
〔条件２２〕
この条件２２では、酸洗浄処理工程Ｓ６の硫酸の濃度を１０％にしたこと以外は条件２０と同じ条件で実施した。
〔条件１６〕
この条件１６では、乾燥処理工程Ｓ５での乾燥処理を８０℃、５ｍｉｎの加熱乾燥処理としたこと以外は条件１２と同じ条件で実施した。
〔条件１７〕
この条件１７では、酸洗浄処理工程Ｓ６のフッ酸水溶液の濃度を０．０５％にしたこと以外は条件１６と同じ条件で実施した。
〔条件１８〕
この条件１８では、酸洗浄処理工程Ｓ６のフッ酸水溶液の濃度を０．１％にしたこと以外は条件１６と同じ条件で実施した。
〔条件１９〕
この条件１９では、酸洗浄処理工程Ｓ６のフッ酸水溶液の濃度を１％にしたこと以外は条件１６と同じ条件で実施した。
〔条件２０〕
この条件２０では、酸洗浄処理工程Ｓ６に０．０２５％フッ酸＋１％硫酸水溶液を使用したこと以外は条件１６と同じ条件で実施した。
〔条件２１〕
この条件２１では、酸洗浄処理工程Ｓ６の硫酸の濃度を５％にしたこと以外は条件２０と同じ条件で実施した。
〔条件２２〕
この条件２２では、酸洗浄処理工程Ｓ６の硫酸の濃度を１０％にしたこと以外は条件２０と同じ条件で実施した。
この実施例５は、上述の実施形態５を表１の条件２３から条件２８の処理条件で次のとおり実施した。
〔条件２３〕
この条件２３では、乾燥処理工程Ｓ５での乾燥処理を行わずに、酸洗浄処理工程Ｓ６の酸洗浄処理を行った。酸洗浄処理工程Ｓ６では、０．０２５％フッ酸水溶液に３ｍｉｎ浸漬させ、均一に処理されるようにガラス基板を２０ｒｐｍで回転させながら浸漬させた。上記処理を終えたガラス基板は、純水にて十分濯ぎ、乾燥処理工程Ｓ７で１２ｈｒ自然乾燥させた後、無電解めっき工程Ｓ８で無電解めっきを行った。上記以外は条件１と同じ条件で実施した。
〔条件２４〕
この条件２４では、密着層形成処理工程Ｓ２から酸洗浄処理工程Ｓ６までを繰り返して３回行った。３回目の酸洗浄処理後に乾燥処理工程Ｓ７で１２ｈｒの自然乾燥を行い、それ以外の酸洗浄処理後は乾燥させずに密着層形成処理に移行した。それ以外は条件２３と同じ条件で実施した。
〔条件２５〕
この条件２５では、密着層形成処理工程Ｓ２から酸洗浄処理工程Ｓ６までを繰り返して４回行ったこと以外は条件２４と同じ条件で実施した。
〔条件２６〕
この条件２６では、密着層形成処理工程Ｓ２から酸洗浄処理工程Ｓ６までを繰り返して５回行ったこと以外は条件２４と同じ条件で実施した。
〔条件２７〕
この条件２７では、密着層形成処理工程Ｓ２から酸洗浄処理工程Ｓ６までを繰り返して６回行ったこと以外は条件２４と同じ条件で実施した。
〔条件２８〕
この条件２８では、密着層形成処理工程Ｓ２から酸洗浄処理工程Ｓ６までを繰り返して７回行ったこと以外は条件２４と同じ条件で実施した。
（評価）
以上の実施例によりガラス基板上に形成した無電解めっき膜の外観および膜膨れの有無の確認を行った。その評価結果を表１に示す。
〔条件２３〕
この条件２３では、乾燥処理工程Ｓ５での乾燥処理を行わずに、酸洗浄処理工程Ｓ６の酸洗浄処理を行った。酸洗浄処理工程Ｓ６では、０．０２５％フッ酸水溶液に３ｍｉｎ浸漬させ、均一に処理されるようにガラス基板を２０ｒｐｍで回転させながら浸漬させた。上記処理を終えたガラス基板は、純水にて十分濯ぎ、乾燥処理工程Ｓ７で１２ｈｒ自然乾燥させた後、無電解めっき工程Ｓ８で無電解めっきを行った。上記以外は条件１と同じ条件で実施した。
〔条件２４〕
この条件２４では、密着層形成処理工程Ｓ２から酸洗浄処理工程Ｓ６までを繰り返して３回行った。３回目の酸洗浄処理後に乾燥処理工程Ｓ７で１２ｈｒの自然乾燥を行い、それ以外の酸洗浄処理後は乾燥させずに密着層形成処理に移行した。それ以外は条件２３と同じ条件で実施した。
〔条件２５〕
この条件２５では、密着層形成処理工程Ｓ２から酸洗浄処理工程Ｓ６までを繰り返して４回行ったこと以外は条件２４と同じ条件で実施した。
〔条件２６〕
この条件２６では、密着層形成処理工程Ｓ２から酸洗浄処理工程Ｓ６までを繰り返して５回行ったこと以外は条件２４と同じ条件で実施した。
〔条件２７〕
この条件２７では、密着層形成処理工程Ｓ２から酸洗浄処理工程Ｓ６までを繰り返して６回行ったこと以外は条件２４と同じ条件で実施した。
〔条件２８〕
この条件２８では、密着層形成処理工程Ｓ２から酸洗浄処理工程Ｓ６までを繰り返して７回行ったこと以外は条件２４と同じ条件で実施した。
（評価）
以上の実施例によりガラス基板上に形成した無電解めっき膜の外観および膜膨れの有無の確認を行った。その評価結果を表１に示す。
実施例２（条件６〜１１）より、６０℃以上の加熱乾燥を行うことで、膨れの発生を防ぐことができることが分かる。但し、白シミの発生を防ぐには６０℃の加熱乾燥は１０ｍｉｎ以上必要であり、また、２００℃の加熱を行うと無めっきが発生してしまった。２００℃加熱での無めっきは、触媒層または密着層の劣化が原因と考えられる。
実施例３（条件１２〜１５）より、１２ｈｒ自然乾燥処理後に酸洗浄処理を行うと、無めっきが発生してしまうが、繰り返して３回以上行うことで、膜膨れなく、外観も良好なめっき膜を得られることが分かる。
実施例４（条件１６〜１９）より、加熱乾燥後の酸洗浄処理であれば、繰り返し処理を行わなくても良好なめっき膜を得られることが分かる。さらに、実施例４（条件２０〜２２）より、ｐＨが２以下ではめっきされないことが確認された。強酸により密着層が除去されてしまったことが原因と考えられる。
実施例５（条件２３〜２８）より、乾燥させずに酸洗浄処理を行った場合、密着層形成処理から酸洗浄処理までを繰り返して６回以上行うことが必要であることが分かる。
次に、上述の外観および膜膨れの評価が良好であった実施例１条件５、実施例２条件８、実施例３条件１４、実施例４条件１６、実施例４条件２０、実施例５条件２６のＣｏＮｉＰ膜をガラス基板上に無電解めっきしためっき基板について、ＶＳＭにより磁気特性を測定した。これらのめっき基板のＣｏＮｉＰ膜は、いずれも垂直磁気記録媒体に用いるために必要な良好な等方性の軟磁気特性を示していた。代表的なＶＳＭループを図２に示す。
＜磁気記録媒体の製造方法の実施例＞
本発明の実施例の磁気記録媒体の製造方法においては、上述の外観および軟磁気特性が良好な実施例１条件５、実施例２条件８、実施例３条件１４、実施例４条件１６、実施例４条件２０、実施例５条件２６のめっき基板について、研磨による表面平坦化を行い、中性洗剤とＰＶＡスポンジを用いたスクラブ洗浄、アルカリ洗剤洗浄（２％セミクリ−ンｐＨ＝１２、横浜油脂製）、１８ＭΩ以上の超純水を用いて十分に濯ぎ、イソプロピルアルコール蒸気乾燥を行った後、スパッタ法を用いて、Ｃｒ下地層、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ―ＳｉＯ２系磁気記録層、Ｃ保護層を順次形成し、垂直磁気記録媒体とした。
実施例４（条件１６〜１９）より、加熱乾燥後の酸洗浄処理であれば、繰り返し処理を行わなくても良好なめっき膜を得られることが分かる。さらに、実施例４（条件２０〜２２）より、ｐＨが２以下ではめっきされないことが確認された。強酸により密着層が除去されてしまったことが原因と考えられる。
実施例５（条件２３〜２８）より、乾燥させずに酸洗浄処理を行った場合、密着層形成処理から酸洗浄処理までを繰り返して６回以上行うことが必要であることが分かる。
次に、上述の外観および膜膨れの評価が良好であった実施例１条件５、実施例２条件８、実施例３条件１４、実施例４条件１６、実施例４条件２０、実施例５条件２６のＣｏＮｉＰ膜をガラス基板上に無電解めっきしためっき基板について、ＶＳＭにより磁気特性を測定した。これらのめっき基板のＣｏＮｉＰ膜は、いずれも垂直磁気記録媒体に用いるために必要な良好な等方性の軟磁気特性を示していた。代表的なＶＳＭループを図２に示す。
＜磁気記録媒体の製造方法の実施例＞
本発明の実施例の磁気記録媒体の製造方法においては、上述の外観および軟磁気特性が良好な実施例１条件５、実施例２条件８、実施例３条件１４、実施例４条件１６、実施例４条件２０、実施例５条件２６のめっき基板について、研磨による表面平坦化を行い、中性洗剤とＰＶＡスポンジを用いたスクラブ洗浄、アルカリ洗剤洗浄（２％セミクリ−ンｐＨ＝１２、横浜油脂製）、１８ＭΩ以上の超純水を用いて十分に濯ぎ、イソプロピルアルコール蒸気乾燥を行った後、スパッタ法を用いて、Ｃｒ下地層、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ―ＳｉＯ２系磁気記録層、Ｃ保護層を順次形成し、垂直磁気記録媒体とした。
これらの垂直磁気記録媒体について、外観および密着性の評価を行った。密着性はＪＩＳ Ｋ５６００−３−４に規定された碁盤目試験（クロスカット試験）により評価し、その判定基準を表２に、評価結果を表３に示す。
Ｓ１ ガラス活性化処理工程
Ｓ２ 密着層形成処理工程
Ｓ３ 触媒層形成処理工程
Ｓ４ 触媒活性化処理工程
Ｓ５ 乾燥処理工程
Ｓ６ 酸洗浄処理工程
Ｓ７ 乾燥処理工程
Ｓ８ 無電解めっき工程
Ｓ２ 密着層形成処理工程
Ｓ３ 触媒層形成処理工程
Ｓ４ 触媒活性化処理工程
Ｓ５ 乾燥処理工程
Ｓ６ 酸洗浄処理工程
Ｓ７ 乾燥処理工程
Ｓ８ 無電解めっき工程
Claims (8)
- ガラス基板表面に、少なくとも、シランカップリング剤溶液を用いて密着層を形成する密着層形成処理、触媒層形成処理、触媒活性化処理、酸洗浄処理、及び前記密着層のシランカップリング剤をガラス基板表面に化学結合させる乾燥処理を順次施した後に、無電解めっきを施すことを特徴とするガラス基板へのめっき方法。
- 前記触媒層形成処理にパラジウム触媒を用いることを特徴とする請求項１に記載のガラス基板へのめっき方法。
- 前記触媒活性化処理に次亜リン酸を用いることを特徴とする請求項２に記載のガラス基板へのめっき方法。
- 前記触媒活性化理と乾燥処理との間に、乾燥処理及び酸洗浄処理を順次施すことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のガラス基板へのめっき方法。
- 前記密着層形成処理から酸洗浄処理までの処理を繰り返えして複数回施すことを特徴とする請求項４に記載のガラス基板へのめっき方法。
- 前記酸洗浄処理に少なくともフッ酸を含むｐＨ２以上の酸溶液を用いることを特徴とする請求項４又は５に記載のガラス基板へのめっき方法。
- 前記乾燥処理が６０℃以上２００℃未満の温度での加熱乾燥処理であることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載のガラス基板へのめっき方法。
- 請求項１から７のいずれかに記載のガラス基板へのめっき方法を用いてガラス基板に無電解めっきを施し、その無電解めっき膜上に少なくとも磁気記録層を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
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| JP2004361115A JP4479493B2 (ja) | 2004-12-14 | 2004-12-14 | ガラス基板へのめっき方法及びそれを用いた磁気記録媒体の製造方法 |
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