JP2005272932A - 基体およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 半田付けをする際に剥離が生じない金属膜を有した石英から成る基体と、基体上に無電解めっきにより金属膜を被着させる方法を提供すること。
【解決手段】 基体1は、表面に算術平均粗さRa1が0.01乃至0.2μmである粗面2が形成されているとともに、粗面2の表面が算術平均粗さRa2が10乃至900nmの微粗面3とされており、表面に金属膜6が被着されている石英から成る。
【選択図】 図1
【解決手段】 基体1は、表面に算術平均粗さRa1が0.01乃至0.2μmである粗面2が形成されているとともに、粗面2の表面が算術平均粗さRa2が10乃至900nmの微粗面3とされており、表面に金属膜6が被着されている石英から成る。
【選択図】 図1
Description
本発明は、石英の表面に金属膜を被着形成して成る基体およびその製造方法に関し、特に、半田付け等の大きな応力が金属膜に作用する場合でも、金属膜と石英との間に剥離が生じることのない信頼性に優れた基体およびその製造方法に関する。
近年、通信情報の大容量化、高速化に伴って、光を用いた通信手法が急速に普及している。同様にコンピュータなどの記録媒体も大容量化が進んでいることから、光を利用した記録形態へ移行しつつある。
このような近年の通信、情報等の状況においては、石英から成り、表面に金属膜が被着形成された基体が多用されるようになってきている。例えば、光ファイバを用いた通信においては、光ファイバを光半導体素子収納用パッケージ等に固定し、光ファイバを通って伝送された光信号をパッケージ内の光半導体素子で受光し、電気信号等に変換する。なお、光ファイバは、石英等の透光性の材料で形成される。
この場合、光ファイバの光半導体素子収納用パッケージに対する固定は、コネクタを介して行われる。上述の基体は、例えばコネクタや光ファイバ等に使用される。光ファイバ導入部を有したコネクタに光ファイバを半田等を用いて接合し、さらに、このコネクタを光半導体素子収納用パッケージ等に半田等を用いて接合する必要がある。また、コネクタの材料としては、光ファイバを保護する目的のため、光ファイバと熱膨張を合わせるものを用いる必要がある。そのため、コネクタの材質は光ファイバと同じ石英が最適である。
光ファイバとコネクタとを半田で接合する場合や、コネクタと光半導体素子収納用パッケージ等を半田で接合する場合、石英から成る光ファイバやコネクタは、直接半田に濡れないため、石英上に金属膜を形成する必要がある。
ガラスなどの非導電性の基体上に金属膜を形成する方法としては、安価な無電解めっき法が最適であるが、石英は化学的に安定で化学エッチングが困難な材料であるため、石英の表面に無電解めっきの触媒核となる触媒金属を吸着させるための微粗面を形成することができないことから、直接無電解めっきを施すことができなかった。
。そのため、従来から光ファイバ、光ディスク基板、光学レンズ等の石英から成る基体上に金属膜を形成するための方法として、ディッピング法や真空蒸着法、化学的気相成長法(CVD法)などが用いられてきた(特許文献1、2参照)。
特開平3−164450号公報
特開平6−212440号公報
しかしながら、溶融金属中に石英から成る基体(以下、石英基体ともいう)を浸漬させるディッピング法では、石英基体と金属皮膜との密着性が弱く、わずかな外力により金属膜が石英基体から剥離するという問題があった。そのため、半田付けの強度が不十分で、通信機器等の信頼性が低くなる。
一方、石英基体に真空蒸着法により所望の金属層を形成した後、めっき法により金属膜を形成する方法、または石英基体にCVD法によりアモルファス状カーボン薄膜層を形成した後、めっき法により金属膜を形成する方法では、石英基体に比較的密着性の良い金属膜を形成することができ、石英基体の耐熱性を確保することが可能である。
しかしながら、これらの方法では金属膜の密着性は比較的良いものの、石英基体を半田付けする際、非常に大きな応力が金属膜に作用するので、石英基体と金属膜との界面で剥離が生じるという問題や、石英基体の表面積がある程度大きな場合に金属膜自体の残留応力で石英基体と金属膜との界面に亀裂が生じるといった問題点があった。
また、磁気ディスク等に用いられるガラス基板等では、ガラス基板の表面を化学的にエッチングし、センシタイジング処理、アクチベーティング処理を順次施した後、めっき法により金属膜を形成する方法等が提案されている。しかしながら、複数の結晶層が組み合わさった結晶化ガラスなどは、化学的にエッチングすることである程度の表面粗さを確保することが可能であるが、石英のような単結晶のものの場合、化学エッチングのみでは表面を粗くすることができない。
もし、石英基体の表面を適切に粗くすることができれば、金属膜と石英基体との間で効果的にアンカー効果を生じさせることができ、また、金属膜を無電解めっき法で形成する場合、金属膜の被着形成に対する触媒作用を有する触媒層をより広い面積で被着させることができる。これにより、金属膜を石英基体に強固に被着形成することができる。
本発明は、上記問題点を解決するために完成されたものであり、その目的は、半田付けをする際に剥離が生じることのない金属膜が形成された石英から成る基体およびその製造方法を提供することにある。
本発明の基体は、表面に算術平均粗さRa1が0.01乃至0.2μmである粗面が形成されているとともに、該粗面の表面が算術平均粗さRa2が10乃至900nmの微粗面とされており、表面に金属膜が被着されている石英から成ることを特徴とするものである。
また、本発明の基体の製造方法は、前記基体の表面に機械的な粗面化処理により前記粗面を形成した後、前記粗面の表面にエッチング処理を施して前記微粗面を形成し、しかる後、表面に無電解めっき法により金属膜を被着させることを特徴とするものである。
本発明の基体は、表面に算術平均粗さRa1が0.01乃至0.2μmである粗面が形成されているとともに、粗面の表面が算術平均粗さRa2が10乃至900nmの微粗面とされており、表面に金属膜が被着されている石英から成ることから、Ra1が0.01乃至0.2μmである粗面が、Ra2が10乃至900nmの微粗面を形成するための下地となり、Ra1が0.01乃至0.2μmである粗面とRa2が10乃至900nmの微粗面が組み合わさることにより、基体の表面を複雑に入り組んだ形状とすることができる。また、基体の合計の表面積を大きくすることができる。
これにより、金属膜と基体との間に大きなアンカー効果を有効に生じさせることができるとともに接合面積を大きく確保することができ、金属膜を基体に強固に被着形成させることができる。その結果、半田付けによる熱応力や金属膜の応力が負荷されても基体と金属膜との間が剥離せず、強固に接合できるため、信頼性の高い基体を得ることができる。
また、本発明の基体の製造方法によれば、機械的な粗面化処理とエッチング処理とを順次施すようにしたことから、Ra1が0.01乃至0.2μmである粗面上に、Ra2が10乃至900nmの微粗面を形成することができ、微粗面の凹凸を極めて微細で数が多い、すなわち全体の表面積が大きいものとすることができるので、その微粗面に無電解めっき法で被着する金属膜に対する触媒作用を有する触媒金属等を有効に被着させておくことができ、石英基体表面に直接無電解めっき法で金属膜を被着形成することができる。この場合、無電解めっき法により被着させた金属膜と石英基体の表面とのアンカー効果が極めて大きくなるため、無電解めっき法により被着させた金属膜と石英基体との密着性を高くすることができる。
従って、Ra2が10乃至900nmの微粗面は、無電解めっき法の触媒化工程における触媒金属の吸着をより確実なものとし、また、Ra1が0.01乃至0.2μmである粗面とRa2が10乃至900nmの微粗面との組み合わせにより、無電解めっき法で形成された金属膜を石英基体に強固に被着させることができる。
本発明の基体およびその製造方法ついて以下に詳細に説明する。
本発明の基体は、光ファイバ、光ファイバ用コネクタ、光ディスク基板、光学レンズ、光学レンズ保持基板等として用いられる石英から成る基体である。
図1は、本発明の基体の実施の形態の一例を示す断面図である。図1において、1は基体、2は粗面、3は微粗面、4はNi−P層、5はAu層、6は金属膜である。
基体1は、表面に算術平均粗さRa1が0.01乃至0.2μmである粗面2が形成されているとともに、粗面2の表面が算術平均粗さRa2が10乃至900nmの微粗面3とされている。そして、基体1の表面には、例えばNi−P層4とAu層5とを順次被着させた金属膜6が形成されている。
基体1は、例えば光ファイバ用コネクタとして使われる場合、軸方向に貫通穴を設けた円柱状の石英の側面に、金属膜6を全周にわたって被着形成した構成である。基体1の金属膜6が、光半導体素子を収納した光半導体素子収納用パッケージ(図示せず)に半田を介して接合され、その後、基体1の貫通穴内に光ファイバが挿入され、コネクタにガラス封止材を介して接合される。そして、光ファイバを通って伝送されてきた光信号が、光半導体素子収納用パッケージ内部に入り、光半導体素子で受光される
次に、本発明の基体の製造方法について説明する。本発明の基体の製造方法は、機械的な粗面化工程、エッチング工程、センシタイジング工程、アクチベーティング工程、次いで無電解めっき工程の順に行われる。また、各工程間には洗浄工程が設けられている。
次に、本発明の基体の製造方法について説明する。本発明の基体の製造方法は、機械的な粗面化工程、エッチング工程、センシタイジング工程、アクチベーティング工程、次いで無電解めっき工程の順に行われる。また、各工程間には洗浄工程が設けられている。
機械的な粗面化工程は、基体1上に粗面2を形成するための工程である。機械的な粗面化工程は、ウエットブラスト装置、ドライブラスト装置、砥石(研磨テープ、砥粒等でも良い)等を用いることによって実施できる。
次に、エッチング工程は、粗面2の表面を微粗面3とするための工程である。エッチング処理液としては、フッ酸(フッ化水素アンモニウム、水酸化ナトリウム等でも良い)等を用いることができる。
ここで、本発明の基体の製造方法おいては、基体1の表面に、機械的な粗面化処理により算術平均粗さRa1が0.01乃至0.2μmである粗面2を形成した後、この粗面2が形成された基体1にエッチング処理を施して、粗面2の表面に算術平均粗さRa2が10乃至900nmの微粗面3を形成する。このとき、エッチング処理を施さず、機械的な粗面化処理だけであると、粗面2の凹凸が単純な形状となり、無電解めっき法により被着させた金属膜6と基体1表面とのアンカー効果が弱くなり、基体1表面に密着性良く金属膜6を被着させることができなくなる。その結果、半田付けする際に金属膜6が基体1から剥離したり、半田濡れ不良が発生するといった不具合が発生する。
一方、機械的な粗面化処理を行わずエッチング処理だけであると、基体1の表面に凹凸が形成されず、基体1の表面が均一にエッチングされてしまい、粗面を形成できない。その結果、無電解めっき法の触媒化工程における触媒金属の吸着がなくなる、もしくは少なくなることにより、無電解めっきの反応が起こらないといった不具合が発生する。
また、機械的な粗面化処理により形成した粗面2のRa1が0.01μm未満であると、エッチング処理を施して形成する微粗面3の形成が不十分となり、基体1の表面に十分な微粗面が形成できなくなる。その結果、無電解めっき法により被着させた金属膜6と基体1表面とのアンカー効果が弱くなり、基体1表面に密着性良く金属膜6を被着させることができなくなる。一方、粗面2のRa1が0.2μmを超えると、基体1の表面に無電解めっき法により金属膜6を被着させたときに、金属膜6の表面が粗くなりすぎてしまい、外観的な不具合を生じたり、半田が流れすぎるといった不具合を生じる。
さらに、エッチング処理により形成した微粗面3のRa2が10nm未満であると、無電解めっきの触媒化工程における触媒金属の吸着量が少なくなり、無電解めっきの反応性が損なわれる他、機械的な粗面化処理により形成した粗面2の凹凸が単純な形状となり、無電解めっき法により被着させた金属膜6と基体1表面とのアンカー効果が弱くなり、基体1表面に密着性良く金属膜6を被着させることができなくなる。一方、微粗面3のRa2が900nmを超えると、機械的な粗面化処理により形成した粗面2が過剰にエッチングされ、凹凸がなめらかになってしまう。その結果、基体1の表面に密着性良く金属膜6を被着させることができなくなる。
次に、センシタイジング処理およびアクチベーティング処理は、基体1上に無電解めっき反応を開始させるために必要な触媒活性を与える工程である。つまり、センシタイジング処理は、基体1をセンシタイザー(感応性付与剤)溶液に浸漬することにより、基体1上に金属イオンを吸着させる工程であり、センシタイザー溶液としては、塩化第一錫または硫酸第一錫を主体とした溶液を用いることができる。また、アクチベーティング処理は、センシタイジング処理を施した基体1をアクチベーティング溶液に浸漬し、センシタイジング処理により基体1上に吸着した金属イオンの還元作用によって、触媒活性の強い金属微粒子を基体1上に一様に分布形成する工程であり、アクチベーティング溶液としては、塩化パラジウムを含有した溶液を用いることができる。
さらに、無電解めっきは、基体1を無電解めっき液に浸漬することにより、基体1上に金属膜を形成する工程である。無電解ニッケルめっきを行う場合、めっき液として、水溶性ニッケル塩、有機酸塩(錯化剤)及び次亜リン酸または次亜リン酸塩(次亜リン酸ナトリウム等)等の還元剤を含有しためっき液を用いることができる。また、無電解金めっきを行う場合、めっき液として、シアン化金カリウム、有機酸塩(錯化剤)及びジメチルアミンボランや水素化ホウ素ナトリウム等の還元剤を含有した溶液を用いることができる。
本発明の実施例について以下に詳細に説明する。
長さ5mm、直径2mmの円柱状の石英基体1を治具に固定し、ウエットブラスト処理を施し、表1に示すように、石英基体1表面に粗面2として、算術平均粗さRa1がRa1=0.01μmの粗面2を形成したもの(実施例1)、Ra1=0.1μmである粗面2を形成したもの(実施例2)、Ra1=0.2μmの粗面2を形成したもの(実施例3)、Ra1=0.005μmの粗面2を形成したもの(比較例1)、およびRa1=0.25μmの粗面2を形成したもの(比較例2)を準備した。
次に、これらの石英基体1を10g/L(グラム/リットル)のフッ化水素アンモニウム溶液に5分間浸漬してエッチング処理し、流水洗浄した。このとき、石英基体1表面に形成した微粗面3の算術平均粗さRa2を原子間力顕微鏡を用いて測定した結果、Ra2=500nmであった。
次に、5g/Lの塩化スズ溶液に3分間浸漬してセンシタイジング処理し、流水洗浄した。次に、石英基体1を0.5g/Lの塩化パラジウム溶液に5分間浸漬してアクチベーティング処理し、流水洗浄した。
その後、石英基体1について、無電解Ni−Pめっき液(奥野製薬工業(株)製「ICPニコロンGIB」を用いて、浴温85℃の条件で15分間めっきを行った。次に、石英基体1をシアン化金カリウム、有機酸塩(錯化剤)及びジメチルアミンボランから成る無電解Auめっき液を用いて、浴温85℃の条件で5分間めっきを行った。
得られた金属膜6の外観を観察したところ、比較例2は金属膜6の表面が粗く、くすんだ色調であったが、実施例1〜3および比較例1の外観は良好であった。また、これらの石英基体1を錫−鉛共晶半田でディッピングした結果、比較例1は石英基体1と金属膜6の間で剥離が生じたが、実施例1〜3および比較例2は濡れ性、密着性ともに良好であった。
次に、長さ5mm、直径2mmの円柱状の石英基体1を治具に固定し、ウエットブラスト処理を施し、石英基体1表面の粗面2のRa1がRa1=0.1μmであるものを準備した。この石英基体1を10g/Lのフッ化水素アンモニウム溶液でエッチングし、表2に示すように、粗面2の表面に微粗面3として、Ra2=10nmの微粗面を形成したもの(実施例4)、Ra2=100nmの微粗面を形成したもの(実施例5)、Ra2=500nmの微粗面を形成したもの(実施例6)、Ra2=900nmの微粗面を形成したもの(実施例7)、Ra2=5nmの微粗面を形成したもの(比較例3)、Ra2=5nmの微粗面を形成したもの(比較例4)を作製した。
これらの石英基体1に、実施例1〜3および比較例1,2と同様の処理を施し金属膜6を形成した。
そして、実施例4〜7、比較例3,4の金属膜6の外観を観察したところ、すべて良好であった。また、これらの石英基体1を錫−鉛共晶半田でディッピングした結果、比較例3,4は石英基体1と金属膜6との間で剥離が生じた。実施例4〜7は濡れ性、密着性ともに良好であった。
次に、長さ5mm、直径2mmの円柱状の石英基体1を治具に固定し、ウエットブラスト処理を施し、石英基体1表面に粗面2のRa1がRa1=0.1μmであるものを準備した。表3に示すように、この石英基体1にエッチング処理を施さない他は、実施例1〜3、比較例1,2と同様の処理を施し金属膜6を形成したもの(比較例5)を得た。
また、長さ5mm、直径2mmの円柱状の石英基体1にウエットブラスト処理を施さない他は、実施例1〜3、比較例1,2と同様の処理を施したもの(比較例6)を作製したが、めっき反応が起こらず、金属膜6が形成できなかった。なお、比較例6のエッチング処理後の微粗面3のRa2はRa2=0.002μmであった。
以上より、本発明によれば、半田付けをする際に剥離が生じることのない金属膜6を有した基体1、およびその製造方法を提供することができた。
なお、本発明は上述の実施の形態の例に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更は可能である。
1:基体
2:粗面
3:微粗面
4:Ni−P層
5:Au層
6:金属膜
2:粗面
3:微粗面
4:Ni−P層
5:Au層
6:金属膜
Claims (2)
- 表面に算術平均粗さRa1が0.01乃至0.2μmである粗面が形成されているとともに、該粗面の表面が算術平均粗さRa2が10乃至900nmの微粗面とされており、表面に金属膜が被着されている石英から成ることを特徴とする基体。
- 請求項1記載の基体の製造方法であって、表面に機械的な粗面化処理により前記粗面を形成した後、前記粗面の表面にエッチング処理を施して前記微粗面を形成し、しかる後、表面に無電解めっき法により金属膜を被着させることを特徴とする基体の製造方法。
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JP2004087698A JP2005272932A (ja) | 2004-03-24 | 2004-03-24 | 基体およびその製造方法 |
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009064514A (ja) * | 2007-09-06 | 2009-03-26 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | ガラス基板およびその製造方法、ならびに当該ガラス基板を用いた磁気ディスク |
JP2013040091A (ja) * | 2011-07-15 | 2013-02-28 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 光散乱機能および反射抑制機能を有する光入射面を備えたガラス板 |
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-
2004
- 2004-03-24 JP JP2004087698A patent/JP2005272932A/ja active Pending
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