JP4975344B2 - めっき方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の金めっき方法(金めっき体の製造方法)を示す工程図である。本発明では、バイオチップなどの電極をガラス基板上に形成するにあたって、ソーダガラスなどからなるガラス基板(絶縁基体)に対する酸・アルカリ洗浄工程ST1、マスキング工程ST2、触媒化処理工程ST3、マスク除去工程ST4、無電解ニッケルめっき工程(下地形成工程)ST5、金めっき工程ST6(めっき工程)をこの順に行う。なお、各工程の途中あるいは工程後には、洗浄工程を行うが、かかる洗浄工程については、図1への図示を省略してある。
このようなめっき方法を用いてガラス基板に金めっき層を形成しためっき体を製造するにあたって、本形態では、ニッケルめっき層として、EDS(エネルギー分散型X線分析装置)による分析結果でリン含有量が6〜10質量%のニッケルめっき層(中リンニッケルめっき層)を形成する。かかる中リンニッケルめっき層を用いた場合に、以下に説明するように、組織が基板面に対して垂直方向に成長した柱状析出タイプの層として形成される結果、ニッケルめっき層自身が下地との密着強度が高く、かつ、ニッケルめっき層の上層に形成した金めっき層の下地に対する密着強度が大きい。
以上説明したように、本発明では、ガラス基板などの絶縁基体の被めっき面に金めっき層を形成された金めっき体を製造するにあたって、金めっき層の下地層としてリン含有量が6〜10質量%の中リンニッケルめっき層を形成する。かかる中リンニッケルめっき層は、柱状析出タイプであるため、ニッケルめっき層自身の下地との密着強度が高く、その結果、ニッケルめっき層の上層に形成した金めっき層の密着強度が大きい。
なお、上記形態では、ソーダガラスからなるガラス基板(絶縁基体)にめっきを行う例であったが、その他のガラス基板、石英基板、セラミックス、樹脂材料などの絶縁基体に対してめっきを行う場合に本発明を適用してもよい。
ST2 マスキング工程
ST3 触媒化処理工程
ST4 マスク除去工程
ST5 無電解ニッケルめっき工程
ST6 金めっき工程
Claims (6)
- 絶縁基体の表面に対するめっき方法において、
前記絶縁基体の被めっき面に対して核を形成する触媒化処理工程と、前記被めっき面に対する無電解めっきによりニッケルめっき層からなる下地層を形成する下地層形成工程と、前記下地層の表面にめっき層を形成するめっき工程とを有し、
前記触媒化処理工程の後、前記下地層形成工程の前に行う洗浄工程では、水洗浄の後、水溶性有機極性溶剤を用いた溶剤洗浄を行い、
前記下地層形成工程では、前記下地層として、組織が基板面に対して垂直方向に成長した柱状析出タイプのニッケルめっき層を形成することを特徴とするめっき方法。 - 絶縁基体の表面に対するめっき方法において、
前記絶縁基板の被めっき面に対して核を形成する触媒化処理工程と、前記被めっき面に対する無電解めっきによりニッケルめっき層からなる下地層を形成する下地層形成工程と、前記下地層の表面にめっき層を形成するめっき工程とを有し、
前記触媒化処理工程の後、前記下地層形成工程の前に行う洗浄工程では、水洗浄の後、水溶性有機極性溶剤を用いた溶剤洗浄を行い、
前記下地層形成工程では、前記下地層として、リン含有量が6〜10質量%の中リンニッケルめっき層を形成することを特徴とするめっき方法。 - 請求項1または2において、前記触媒化処理工程を複数回、繰り返し行い、
複数回の当該触媒化処理工程を行った後の各々において前記洗浄工程を行うことを特徴とするめっき方法。 - 請求項1ないし3のいずれかにおいて、前記溶剤洗浄は、前記有機極性溶剤として、低級アルコールおよびアセトンのうちのいずれかを用いることを特徴とするめっき方法。
- 請求項1ないし4のいずれかにおいて、前記水洗浄では、超音波洗浄を行うことを特徴とするめっき方法。
- 請求項1ないし5のいずれかにおいて、前記めっき工程では、前記めっき層として金めっき層を無電解めっきにより形成することを特徴とするめっき方法。
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