JP2000297380A - ガラスセラミック基板への無電解めっき方法 - Google Patents
ガラスセラミック基板への無電解めっき方法Info
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- JP2000297380A JP2000297380A JP11106022A JP10602299A JP2000297380A JP 2000297380 A JP2000297380 A JP 2000297380A JP 11106022 A JP11106022 A JP 11106022A JP 10602299 A JP10602299 A JP 10602299A JP 2000297380 A JP2000297380 A JP 2000297380A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 導体パターンが形成されたガラスセラミック
基板に対してニッケル−金の無電解めっきを行ったとき
でも、基体であるガラスセラミック基板と導体パターン
との密着性が良好なガラスセラミック基板への無電解め
っき方法を提供すること。 【解決手段】 ガラスセラミック基板上の導体パターン
上に無電解めっきでニッケル層−金層を形成するにあた
って、酸性処理液を用いた脱脂洗浄工程、酸性のエッチ
ング液を用いたエッチング工程、酸性活性液を用いた酸
活性工程、酸性並びに中性処理液を用いたパラジウム処
理工程をこの順序で行った後、前記導体パターン表面に
対して、中性浴中での無電解ニッケルめっき工程と、酸
性浴あるいは中性浴中での無電解金めっき工程とをこの
順序で行う。
基板に対してニッケル−金の無電解めっきを行ったとき
でも、基体であるガラスセラミック基板と導体パターン
との密着性が良好なガラスセラミック基板への無電解め
っき方法を提供すること。 【解決手段】 ガラスセラミック基板上の導体パターン
上に無電解めっきでニッケル層−金層を形成するにあた
って、酸性処理液を用いた脱脂洗浄工程、酸性のエッチ
ング液を用いたエッチング工程、酸性活性液を用いた酸
活性工程、酸性並びに中性処理液を用いたパラジウム処
理工程をこの順序で行った後、前記導体パターン表面に
対して、中性浴中での無電解ニッケルめっき工程と、酸
性浴あるいは中性浴中での無電解金めっき工程とをこの
順序で行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガラスセラミック
基板に形成した導体パターンに対する無電解めっき方法
に関するものである。
基板に形成した導体パターンに対する無電解めっき方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】各種基体表面の金属表面上にニッケル−
金の無電解めっきを施す際には、酸あるいはアルカリの
洗浄液で脱脂などを行った後、金属表面を強制的に粗し
てから、酸あるいはアルカリの洗浄液で再度、洗浄す
る。次に、パラジウム処理を行って、金属表面にパラジ
ウム核を付与した後に、無電解ニッケルめっき工程およ
び無電解金めっき工程をこの順序で行う。
金の無電解めっきを施す際には、酸あるいはアルカリの
洗浄液で脱脂などを行った後、金属表面を強制的に粗し
てから、酸あるいはアルカリの洗浄液で再度、洗浄す
る。次に、パラジウム処理を行って、金属表面にパラジ
ウム核を付与した後に、無電解ニッケルめっき工程およ
び無電解金めっき工程をこの順序で行う。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、銀系ペ
ーストなどからなる導体パターンが形成されたガラスセ
ラミック基板に対してニッケル−金の無電解めっきを従
来の方法で行うと、基体であるガラスセラミック基板が
侵される。このため、無電解めっきを行った後には、導
体パターンとガラスセラミック基板との密着性が低下す
るという問題点がある。
ーストなどからなる導体パターンが形成されたガラスセ
ラミック基板に対してニッケル−金の無電解めっきを従
来の方法で行うと、基体であるガラスセラミック基板が
侵される。このため、無電解めっきを行った後には、導
体パターンとガラスセラミック基板との密着性が低下す
るという問題点がある。
【０００４】そこで、本発明の課題は、導体パターンが
形成されたガラスセラミック基板に対してニッケル−金
の無電解めっきを行ったときでも、基体であるガラスセ
ラミック基板と導体パターンとの密着性が良好なガラス
セラミック基板への無電解めっき方法を提供することに
ある。
形成されたガラスセラミック基板に対してニッケル−金
の無電解めっきを行ったときでも、基体であるガラスセ
ラミック基板と導体パターンとの密着性が良好なガラス
セラミック基板への無電解めっき方法を提供することに
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係るガラスセラミック基板への無電解めっ
き方法では、銀系ペーストなどを用いた導体パターンが
形成されたガラスセラミック基板に対して、酸性処理液
を用いた脱脂洗浄工程、酸性のエッチング液を用いたエ
ッチング工程、酸性活性液を用いた酸活性工程、中性処
理液を用いたパラジウム処理工程をこの順序で行った
後、前記導体パターン表面に対して、中性浴中での無電
解ニッケルめっき工程と、酸性浴あるいは中性浴中での
無電解金めっき工程とをこの順序で行うことを特徴とす
る。
め、本発明に係るガラスセラミック基板への無電解めっ
き方法では、銀系ペーストなどを用いた導体パターンが
形成されたガラスセラミック基板に対して、酸性処理液
を用いた脱脂洗浄工程、酸性のエッチング液を用いたエ
ッチング工程、酸性活性液を用いた酸活性工程、中性処
理液を用いたパラジウム処理工程をこの順序で行った
後、前記導体パターン表面に対して、中性浴中での無電
解ニッケルめっき工程と、酸性浴あるいは中性浴中での
無電解金めっき工程とをこの順序で行うことを特徴とす
る。
【０００６】本発明では、無電解めっきに対する各種前
処理をいずれも酸性処理液あるいは中性処理で行う。こ
のため、ガラスセラミック基板に対してニッケル−金の
無電解めっきを行ったときでも、基体であるガラスセラ
ミック基板が侵されることが少ない。それ故、無電解め
っきを行った後でも、導体パターンとガラスセラミック
基板とは高い密着性を有する。
処理をいずれも酸性処理液あるいは中性処理で行う。こ
のため、ガラスセラミック基板に対してニッケル−金の
無電解めっきを行ったときでも、基体であるガラスセラ
ミック基板が侵されることが少ない。それ故、無電解め
っきを行った後でも、導体パターンとガラスセラミック
基板とは高い密着性を有する。
【０００７】本発明において、前記中性処理液を用いた
パラジウム処理工程の前に、酸性処理液を用いたパラジ
ウム処理工程を行うことが好ましい。このように酸性処
理液と中性処理液とを併用すると、導体パターンに含ま
れる銀成分の活性化をスムーズに行うことができ、パラ
ジウム核を短時間のうちに、安定かつ均一に付与するこ
とができる。
パラジウム処理工程の前に、酸性処理液を用いたパラジ
ウム処理工程を行うことが好ましい。このように酸性処
理液と中性処理液とを併用すると、導体パターンに含ま
れる銀成分の活性化をスムーズに行うことができ、パラ
ジウム核を短時間のうちに、安定かつ均一に付与するこ
とができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の無電解めっき方法の対象
となるのは、銀系ペーストからなる導体パターンが形成
されたガラスセラミック基板である。ここで、銀ペース
トから形成された導体パターンは、銀、銀−パラジウム
系合金、あるいは銀−白金系合金などからなる。本発明
では、このガラスセラミック基板の導体パターンに対し
てニッケル−金めっきを施すにあたって、以下の工程を
行う。
となるのは、銀系ペーストからなる導体パターンが形成
されたガラスセラミック基板である。ここで、銀ペース
トから形成された導体パターンは、銀、銀−パラジウム
系合金、あるいは銀−白金系合金などからなる。本発明
では、このガラスセラミック基板の導体パターンに対し
てニッケル−金めっきを施すにあたって、以下の工程を
行う。
【０００９】まず、銀系ペーストからなる導体パターン
が形成されたガラスセラミック基板に対して酸性脱脂洗
浄工程を行う。この工程では、無機酸と有機酸とを組み
合わせた比較的穏やかな酸性処理液を用いて、脱脂処理
および脱スケール処理を行うとともに、導体パターン表
面を薄くエッチングして活性化し、以降の工程で使用す
る処理液と導体パターン表面との濡れ性を向上する。
が形成されたガラスセラミック基板に対して酸性脱脂洗
浄工程を行う。この工程では、無機酸と有機酸とを組み
合わせた比較的穏やかな酸性処理液を用いて、脱脂処理
および脱スケール処理を行うとともに、導体パターン表
面を薄くエッチングして活性化し、以降の工程で使用す
る処理液と導体パターン表面との濡れ性を向上する。
【００１０】次に、酸性のエッチングを用いて導体パタ
ーン表面にエッチング工程を行う。この工程によって、
導体パターン中の金属成分を強制的に溶解し、表面を粗
す。その結果、導体パターン表面と、後工程で形成する
めっき層との密着性が向上する。
ーン表面にエッチング工程を行う。この工程によって、
導体パターン中の金属成分を強制的に溶解し、表面を粗
す。その結果、導体パターン表面と、後工程で形成する
めっき層との密着性が向上する。
【００１１】次に、酸活性工程を行う。この酸活性工程
によって、エッチング工程で導体パターン表面に形成さ
れたスマットを除去することができ、導体パターン表面
と、後工程で形成するめっき層との密着性が向上する。
によって、エッチング工程で導体パターン表面に形成さ
れたスマットを除去することができ、導体パターン表面
と、後工程で形成するめっき層との密着性が向上する。
【００１２】次に、塩化パラジウム、無機酸、有機酸な
どを組み合わせた酸性浴中でパラジウム処理を行う。塩
化パラジウムの代わりに、硫酸パラジウム、テトラアン
ミンパラジウム塩化物、エチレンジアミンパラジウム塩
化物等を用いてもよい。この工程によって、導体パター
ンの表面に微量のパラジウム核を付与することができ
る。このパラジウム核は触媒活性を有するので、無電解
めっきが可能となる。ここで用いたのは、浴温度を１５
℃〜４０℃に設定した酸性浴であるため、導体パターン
の表面をより活性化できる。従って、導体パターンの表
面に対するパラジウム核の初期の析出を短時間、たとえ
ば５秒間から６０秒間のうちに行うことができる。
どを組み合わせた酸性浴中でパラジウム処理を行う。塩
化パラジウムの代わりに、硫酸パラジウム、テトラアン
ミンパラジウム塩化物、エチレンジアミンパラジウム塩
化物等を用いてもよい。この工程によって、導体パター
ンの表面に微量のパラジウム核を付与することができ
る。このパラジウム核は触媒活性を有するので、無電解
めっきが可能となる。ここで用いたのは、浴温度を１５
℃〜４０℃に設定した酸性浴であるため、導体パターン
の表面をより活性化できる。従って、導体パターンの表
面に対するパラジウム核の初期の析出を短時間、たとえ
ば５秒間から６０秒間のうちに行うことができる。
【００１３】次に、塩化パラジウム、硫酸パラジウム、
テトラアンミンパラジウム塩化物、エチレンジアミンパ
ラジウム塩化物等と、無機酸、有機酸、アルカリなどを
組み合わせた中性浴中でパラジウム処理を行う。この工
程によっても、導体パターンの表面に微量のパラジウム
核を付与することができ、このパラジウム核の付与によ
って、無電解めっきが可能となる。ここで用いたのは、
浴温度を４０℃〜７０℃に設定した中性浴であるため、
基体であるガラスセラミック基板を傷めることが少な
い。また、酸性浴中で析出させたパラジウム核の安定化
を図ることができる。さらに、本形態では、酸性浴と中
性浴とを併用しているので、導体パターンに含まれる銀
成分の活性化をスムーズに行うことができ、パラジウム
核を短時間、たとえば５秒間〜１０分間のうちに行うこ
とができる。しかも、パラジウム核を安定した状態に、
かつ、均一に付与することができる。
テトラアンミンパラジウム塩化物、エチレンジアミンパ
ラジウム塩化物等と、無機酸、有機酸、アルカリなどを
組み合わせた中性浴中でパラジウム処理を行う。この工
程によっても、導体パターンの表面に微量のパラジウム
核を付与することができ、このパラジウム核の付与によ
って、無電解めっきが可能となる。ここで用いたのは、
浴温度を４０℃〜７０℃に設定した中性浴であるため、
基体であるガラスセラミック基板を傷めることが少な
い。また、酸性浴中で析出させたパラジウム核の安定化
を図ることができる。さらに、本形態では、酸性浴と中
性浴とを併用しているので、導体パターンに含まれる銀
成分の活性化をスムーズに行うことができ、パラジウム
核を短時間、たとえば５秒間〜１０分間のうちに行うこ
とができる。しかも、パラジウム核を安定した状態に、
かつ、均一に付与することができる。
【００１４】次に、無電解ニッケルめっき工程を行う。
ここで用いた無電解めっき浴は、次亜リン酸を添加した
中性浴であり、基体であるガラスセラミック基板を傷め
ることがない。ここで用いためっき浴は、ニッケル濃度
が４ｇ／Ｌ〜７ｇ／Ｌ、還元剤の濃度が１６ｇ／Ｌ〜５
６ｇ／Ｌ、ｐＨが６〜８であり、浴温が６０℃〜９０℃
である。また、ここで用いためっき浴は、生成したニッ
ケル皮膜中に２％〜８％程度の低濃度のリンを含有させ
るめっき浴である。このようなニッケル皮膜であれば、
ニッケルの析出性に優れ、かつ、半田との濡れ性が高
い。
ここで用いた無電解めっき浴は、次亜リン酸を添加した
中性浴であり、基体であるガラスセラミック基板を傷め
ることがない。ここで用いためっき浴は、ニッケル濃度
が４ｇ／Ｌ〜７ｇ／Ｌ、還元剤の濃度が１６ｇ／Ｌ〜５
６ｇ／Ｌ、ｐＨが６〜８であり、浴温が６０℃〜９０℃
である。また、ここで用いためっき浴は、生成したニッ
ケル皮膜中に２％〜８％程度の低濃度のリンを含有させ
るめっき浴である。このようなニッケル皮膜であれば、
ニッケルの析出性に優れ、かつ、半田との濡れ性が高
い。
【００１５】次に、無電解金めっき工程を行う。この工
程では、ニッケルめっき層が酸化して半田との濡れ性が
低下するのを防止することを目的に酸性あるいは中性の
置換型金めっき浴を用いる。本形態で用いためっき浴
は、金濃度が０．４ｇ／Ｌ〜４．０ｇ／Ｌ、ｐＨが５．
０〜７．０であり、浴温は７５℃〜９５℃である。この
工程では、めっき浴のｐＨ管理によってニッケルめっき
層の黒化を防止する。
程では、ニッケルめっき層が酸化して半田との濡れ性が
低下するのを防止することを目的に酸性あるいは中性の
置換型金めっき浴を用いる。本形態で用いためっき浴
は、金濃度が０．４ｇ／Ｌ〜４．０ｇ／Ｌ、ｐＨが５．
０〜７．０であり、浴温は７５℃〜９５℃である。この
工程では、めっき浴のｐＨ管理によってニッケルめっき
層の黒化を防止する。
【００１６】次に、無電解厚付け金めっき工程を行う。
この工程では、還元型金めっき浴を用い、ワイヤーボン
ディング実装に対応できる膜厚の金めっき層を形成す
る。ここで用いた還元型金めっき浴は、金濃度が１．０
ｇ／Ｌ〜５．０ｇ／Ｌ、ｐＨが６．０〜８．０である。
このめっき浴は、中性浴であるため、基体であるガラス
セラミック基板を傷めることが少ない。また、このめっ
き浴は、浴温を５５℃〜７５℃に設定できるなど、低温
でのめっきが可能であるので、この点からいっても、基
体であるガラスセラミック基板を傷めることが少ない。
この工程では、還元型金めっき浴を用い、ワイヤーボン
ディング実装に対応できる膜厚の金めっき層を形成す
る。ここで用いた還元型金めっき浴は、金濃度が１．０
ｇ／Ｌ〜５．０ｇ／Ｌ、ｐＨが６．０〜８．０である。
このめっき浴は、中性浴であるため、基体であるガラス
セラミック基板を傷めることが少ない。また、このめっ
き浴は、浴温を５５℃〜７５℃に設定できるなど、低温
でのめっきが可能であるので、この点からいっても、基
体であるガラスセラミック基板を傷めることが少ない。
【００１７】しかる後に、純湯洗浄工程を行い、残留す
る処理液を除去するとともに、半田の濡れ性を向上させ
る。
る処理液を除去するとともに、半田の濡れ性を向上させ
る。
【００１８】このように、本形態に係るニッケル−金め
っき方法では、使用する処理液が酸性あるいは中性であ
るため、基体であるガラスセラミック基板を傷めること
が少ない。また、パラジウム処理の際には酸性浴と中性
浴とを併用するので、導体パターンに含まれる銀成分の
活性化をスムーズに行うことができ、パラジウム核を短
時間のうちに、安定かつ均一に付与することができる。
っき方法では、使用する処理液が酸性あるいは中性であ
るため、基体であるガラスセラミック基板を傷めること
が少ない。また、パラジウム処理の際には酸性浴と中性
浴とを併用するので、導体パターンに含まれる銀成分の
活性化をスムーズに行うことができ、パラジウム核を短
時間のうちに、安定かつ均一に付与することができる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るガラ
スセラミック基板への無電解めっき方法では、無電解め
っきに対する各種前処理をいずれも酸性処理液あるいは
中性処理で行う。このため、ガラスセラミック基板に対
してニッケル−金の無電解めっきを行ったときでも、基
体であるガラスセラミック基板が侵されることが少な
い。それ故、無電解めっき工程の後も、導体パターンと
ガラスセラミック基板との密着性が良好である。
スセラミック基板への無電解めっき方法では、無電解め
っきに対する各種前処理をいずれも酸性処理液あるいは
中性処理で行う。このため、ガラスセラミック基板に対
してニッケル−金の無電解めっきを行ったときでも、基
体であるガラスセラミック基板が侵されることが少な
い。それ故、無電解めっき工程の後も、導体パターンと
ガラスセラミック基板との密着性が良好である。
Claims (3)
- 【請求項１】 銀を含む導体パターンが形成されたガラ
スセラミック基板に対して、酸性処理液を用いた脱脂洗
浄工程、酸性のエッチング液を用いたエッチング工程、
酸性活性液を用いた酸活性工程、中性処理液を用いたパ
ラジウム処理工程をこの順序で行った後、前記導体パタ
ーン表面に対して、中性浴中での無電解ニッケルめっき
工程と、酸性浴あるいは中性浴中での無電解金めっき工
程とをこの順序で行うことを特徴とするガラスセラミッ
ク基板への無電解めっき方法。 - 【請求項２】 請求項１において、前記中性処理液を用
いたパラジウム処理工程の前に、酸性処理液を用いたパ
ラジウム処理工程を行うことを特徴とするガラスセラミ
ック基板への無電解めっき方法。 - 【請求項３】 請求項１または２において、前記導体パ
ターンは銀系ペーストによって形成された膜であること
を特徴とするガラスセラミック基板への無電解めっき方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11106022A JP2000297380A (ja) | 1999-04-14 | 1999-04-14 | ガラスセラミック基板への無電解めっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11106022A JP2000297380A (ja) | 1999-04-14 | 1999-04-14 | ガラスセラミック基板への無電解めっき方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000297380A true JP2000297380A (ja) | 2000-10-24 |
Family
ID=14423031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11106022A Pending JP2000297380A (ja) | 1999-04-14 | 1999-04-14 | ガラスセラミック基板への無電解めっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000297380A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002343531A (ja) * | 2001-05-18 | 2002-11-29 | Denso Corp | ターミナル成形部品及びその製造方法 |
| JP2007246963A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Yamato Denki Kogyo Kk | めっき体およびめっき方法 |
| JP2009272598A (ja) * | 2008-05-06 | 2009-11-19 | Samsung Electro Mech Co Ltd | タンタルコンデンサの外部電極形成方法 |
| US20130082026A1 (en) * | 2010-06-01 | 2013-04-04 | Qingyuan Cai | Method for chemically plating metal on surface of capacitive touch panel |
-
1999
- 1999-04-14 JP JP11106022A patent/JP2000297380A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002343531A (ja) * | 2001-05-18 | 2002-11-29 | Denso Corp | ターミナル成形部品及びその製造方法 |
| JP2007246963A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Yamato Denki Kogyo Kk | めっき体およびめっき方法 |
| JP2009272598A (ja) * | 2008-05-06 | 2009-11-19 | Samsung Electro Mech Co Ltd | タンタルコンデンサの外部電極形成方法 |
| US20130082026A1 (en) * | 2010-06-01 | 2013-04-04 | Qingyuan Cai | Method for chemically plating metal on surface of capacitive touch panel |
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