JPH11124680A - 無電解めっき用触媒液 - Google Patents
無電解めっき用触媒液Info
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- JPH11124680A JPH11124680A JP30502697A JP30502697A JPH11124680A JP H11124680 A JPH11124680 A JP H11124680A JP 30502697 A JP30502697 A JP 30502697A JP 30502697 A JP30502697 A JP 30502697A JP H11124680 A JPH11124680 A JP H11124680A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 塩酸等の無機酸を使用することなく、しかも
従来のものに比べスキップや回路間のブリッジ等の生じ
にくく、管理の容易な無電解めっき用触媒液およびこれ
を用いた無電解めっき方法の提供。 【解決手段】 水溶性パラジウム塩、アンモニウム化合
物並びにリンゴ酸、シュウ酸、クエン酸および酒石酸か
ら選ばれる有機酸の一種またはそれ以上を必須成分とし
て含有する無電解めっき用触媒液並びに金属により導体
パターンを形成した合成樹脂基板を、当該無電解めっき
用触媒液に浸漬し、次いで無電解めっきを施すことを特
徴とする選択的無電解めっき方法。
従来のものに比べスキップや回路間のブリッジ等の生じ
にくく、管理の容易な無電解めっき用触媒液およびこれ
を用いた無電解めっき方法の提供。 【解決手段】 水溶性パラジウム塩、アンモニウム化合
物並びにリンゴ酸、シュウ酸、クエン酸および酒石酸か
ら選ばれる有機酸の一種またはそれ以上を必須成分とし
て含有する無電解めっき用触媒液並びに金属により導体
パターンを形成した合成樹脂基板を、当該無電解めっき
用触媒液に浸漬し、次いで無電解めっきを施すことを特
徴とする選択的無電解めっき方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品等の基板
上の金属の導体パターン上のみに選択的無電解めっきを
施すための無電解めっき用触媒液に関し、更に詳細には
次工程の無電解めっきにおいて、スキップ（未着）や回
路間のブリッジ等のない無電解めっき用触媒液およびこ
れを利用した選択的無電解めっき方法に関する。
上の金属の導体パターン上のみに選択的無電解めっきを
施すための無電解めっき用触媒液に関し、更に詳細には
次工程の無電解めっきにおいて、スキップ（未着）や回
路間のブリッジ等のない無電解めっき用触媒液およびこ
れを利用した選択的無電解めっき方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ガラスエポキシ樹脂、紙フェノール樹
脂、ポリイミド樹脂等の合成樹脂基板上に銅による導体
回路パターンを形成し、このパターン上にニッケル（Ｎ
ｉ）や金（Ａｕ）等の無電解めっきを施し、回路パター
ン上に選択的に金属析出せしめる場合がある。
脂、ポリイミド樹脂等の合成樹脂基板上に銅による導体
回路パターンを形成し、このパターン上にニッケル（Ｎ
ｉ）や金（Ａｕ）等の無電解めっきを施し、回路パター
ン上に選択的に金属析出せしめる場合がある。
【０００３】一般に無電解めっきを行う場合、析出の核
となるものとしてパラジウム（Ｐｄ）を用いることが多
く、上記のように選択的に金属回路パターン上に無電解
めっきを析出させる場合には、Ｐｄを金属上にのみ存在
させる必要がある。
となるものとしてパラジウム（Ｐｄ）を用いることが多
く、上記のように選択的に金属回路パターン上に無電解
めっきを析出させる場合には、Ｐｄを金属上にのみ存在
させる必要がある。
【０００４】Ｐｄを選択的に金属回路パターン上にのみ
存在せしめる方法は種々知られているが、近年注目され
ている方法は、Ｐｄを含む触媒液を用いる方法である。
この方法において用いられる触媒液の役割は、Ｐｄが導
体パターンの金属と置換し、この置換した金属Ｐｄを核
として無電解めっき被膜を析出させることである。
存在せしめる方法は種々知られているが、近年注目され
ている方法は、Ｐｄを含む触媒液を用いる方法である。
この方法において用いられる触媒液の役割は、Ｐｄが導
体パターンの金属と置換し、この置換した金属Ｐｄを核
として無電解めっき被膜を析出させることである。
【０００５】この触媒液の例としては、水溶性Ｐｄ塩に
無機酸を添加したＰｄ活性液（特開平２−２４０２７１
号）、水溶性Ｐｄ塩、アンモニウム化合物、無機酸およ
びｐＨ調製剤を含む触媒液（特開平５−３０６４７０
号）等が知られている。
無機酸を添加したＰｄ活性液（特開平２−２４０２７１
号）、水溶性Ｐｄ塩、アンモニウム化合物、無機酸およ
びｐＨ調製剤を含む触媒液（特開平５−３０６４７０
号）等が知られている。
【０００６】これらの現在知られている触媒液では無機
酸として塩酸が用いられることが多いが、この場合、水
洗が不十分であったりすると塩素イオンが次工程の無電
解めっき液に汲み込まれることになり、金属の析出等に
悪影響を及ぼすことがあった。
酸として塩酸が用いられることが多いが、この場合、水
洗が不十分であったりすると塩素イオンが次工程の無電
解めっき液に汲み込まれることになり、金属の析出等に
悪影響を及ぼすことがあった。
【０００７】また、上記触媒液は、いまだ性能的に十分
満足ゆくものとはいえず、更に優れた性能の触媒液の開
発が求められていた。
満足ゆくものとはいえず、更に優れた性能の触媒液の開
発が求められていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従って、塩酸等の無機
酸を使用することなく、しかも従来の触媒液に比べスキ
ップや回路間のブリッジ等の生じにくく、管理の容易な
無電解めっき用触媒液の提供が求められていた。
酸を使用することなく、しかも従来の触媒液に比べスキ
ップや回路間のブリッジ等の生じにくく、管理の容易な
無電解めっき用触媒液の提供が求められていた。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、無電解め
っき用触媒液に関し鋭意研究を行っていたところ、特定
の有機酸を利用することにより無機酸を用いなくても無
電解めっき工程でのスキップやブリッジが生じない無電
解めっき用触媒液が得られることを見出し、本発明を完
成した。
っき用触媒液に関し鋭意研究を行っていたところ、特定
の有機酸を利用することにより無機酸を用いなくても無
電解めっき工程でのスキップやブリッジが生じない無電
解めっき用触媒液が得られることを見出し、本発明を完
成した。
【００１０】すなわち本発明は、水溶性パラジウム塩、
アンモニウム化合物並びにリンゴ酸、シュウ酸、クエン
酸および酒石酸から選ばれる有機酸の一種またはそれ以
上を必須成分として含有する無電解めっき用触媒液を提
供するものである。また本発明は、金属により導体パタ
ーンを形成した合成樹脂基板を、上記の無電解めっき用
触媒液に浸漬し、次いで無電解めっきを施す選択的無電
解めっき方法を提供するものである。
アンモニウム化合物並びにリンゴ酸、シュウ酸、クエン
酸および酒石酸から選ばれる有機酸の一種またはそれ以
上を必須成分として含有する無電解めっき用触媒液を提
供するものである。また本発明は、金属により導体パタ
ーンを形成した合成樹脂基板を、上記の無電解めっき用
触媒液に浸漬し、次いで無電解めっきを施す選択的無電
解めっき方法を提供するものである。
【００１１】
【発明の好ましい実施形態】本発明の無電解めっき用触
媒液（以下、「触媒液」という）は、水溶性パラジウム
塩、アンモニウム化合物並びにリンゴ酸、シュウ酸、ク
エン酸および酒石酸から選ばれる有機酸の一種またはそ
れ以上を常法により混合することにより得られる。
媒液（以下、「触媒液」という）は、水溶性パラジウム
塩、アンモニウム化合物並びにリンゴ酸、シュウ酸、ク
エン酸および酒石酸から選ばれる有機酸の一種またはそ
れ以上を常法により混合することにより得られる。
【００１２】このうち、水溶性パラジウム塩としては、
水溶液中で容易に解離し、パラジウムイオンを放出しう
るものが好ましく、例えば、塩化パラジウム（ＰｄＣｌ
2）、硫酸パラジウム（ＰｄＳＯ4）等が挙げられる。
水溶液中で容易に解離し、パラジウムイオンを放出しう
るものが好ましく、例えば、塩化パラジウム（ＰｄＣｌ
2）、硫酸パラジウム（ＰｄＳＯ4）等が挙げられる。
【００１３】またアンモニウム塩としては、塩化アンモ
ニウム（ＮＨ4Ｃｌ）、硫酸アンモニウム（（ＮＨ4）2
ＳＯ4）等を用いることができる。
ニウム（ＮＨ4Ｃｌ）、硫酸アンモニウム（（ＮＨ4）2
ＳＯ4）等を用いることができる。
【００１４】更に、有機酸として使用されるリンゴ酸、
シュウ酸、クエン酸および酒石酸は、これらのフリーの
酸であっても、また、それらの塩であっても良い。 な
お、本発明において用いられる有機酸のうち、特に好ま
しいものとしては、リンゴ酸が挙げられる。
シュウ酸、クエン酸および酒石酸は、これらのフリーの
酸であっても、また、それらの塩であっても良い。 な
お、本発明において用いられる有機酸のうち、特に好ま
しいものとしては、リンゴ酸が挙げられる。
【００１５】本発明の触媒液の使用時の好ましい濃度
は、金属Ｐｄの量として６０〜１００ｐｐｍ程度になる
量の水溶性Ｐｄ塩、４０〜６０ｇ／ｌのアンモニウム
塩、５〜１５ｇ／ｌの有機酸である。 これら成分のう
ち、アンモニウム塩が３０ｇ／ｌ以下の場合や有機酸が
２０ｇ／ｌ以上の場合はブリッジ現象が生じるため好ま
しくない。
は、金属Ｐｄの量として６０〜１００ｐｐｍ程度になる
量の水溶性Ｐｄ塩、４０〜６０ｇ／ｌのアンモニウム
塩、５〜１５ｇ／ｌの有機酸である。 これら成分のう
ち、アンモニウム塩が３０ｇ／ｌ以下の場合や有機酸が
２０ｇ／ｌ以上の場合はブリッジ現象が生じるため好ま
しくない。
【００１６】なお、本発明触媒液は、用時に希釈する濃
縮タイプのものとすることもでき、その場合の各成分の
配合割合は、希釈した場合に上記濃度となるようにする
ことが好ましい。また、通常の配合の触媒液の他、使用
時において減少が著しい成分を中心に配合する補充用液
の組み合わせとすることもできる。
縮タイプのものとすることもでき、その場合の各成分の
配合割合は、希釈した場合に上記濃度となるようにする
ことが好ましい。また、通常の配合の触媒液の他、使用
時において減少が著しい成分を中心に配合する補充用液
の組み合わせとすることもできる。
【００１７】本発明の触媒液を用いて選択的無電解めっ
きを行うには、金属により導体パターンを形成した合成
樹脂基板を、一般的な前処理法で処理した後、２０〜３
０℃程度の浴温の触媒液に、３〜１０分程度浸漬し、次
いで無電解めっきを施せば良い。本発明の触媒液の浴温
が１５℃以下であったり、浸漬時間が２分以下の場合
は、スキップが生じるおそれがあり好ましくない。
きを行うには、金属により導体パターンを形成した合成
樹脂基板を、一般的な前処理法で処理した後、２０〜３
０℃程度の浴温の触媒液に、３〜１０分程度浸漬し、次
いで無電解めっきを施せば良い。本発明の触媒液の浴温
が１５℃以下であったり、浸漬時間が２分以下の場合
は、スキップが生じるおそれがあり好ましくない。
【００１８】本発明の触媒液を使用した選択的無電解め
っきにおける標準的な工程は、アルカリ脱脂（５０〜７
０℃；２〜１０分）、ソフトエッチング（２０〜３０
℃；１〜５分）、スマット除去（２０〜３０℃；１〜５
分）であり、これに使用される前処理液も公知のもので
良い。また、無電解めっき工程も一般的な方法、条件で
実施でき、目的に応じて無電解銅めっき、無電解ニッケ
ルめっき、無電解金めっき等を採用することができる。
っきにおける標準的な工程は、アルカリ脱脂（５０〜７
０℃；２〜１０分）、ソフトエッチング（２０〜３０
℃；１〜５分）、スマット除去（２０〜３０℃；１〜５
分）であり、これに使用される前処理液も公知のもので
良い。また、無電解めっき工程も一般的な方法、条件で
実施でき、目的に応じて無電解銅めっき、無電解ニッケ
ルめっき、無電解金めっき等を採用することができる。
【００１９】以上の本発明選択的無電解めっき方法によ
る場合は、次のような利点がある。 （１）無電解めっき後も、回路間にブリッジ現象がな
い。 （２）無電解めっきにおいて、スキップ（未着）が発生
しない。 （３）水洗、処理時間などの影響が少なく、作業性がよ
い。 （４）回路を構成する金属と、無電解めっきによる金属
層の間の密着性が良い。 これらの特徴は、従来の無機酸を利用する触媒液に比べ
いずれも優れたものであった。
る場合は、次のような利点がある。 （１）無電解めっき後も、回路間にブリッジ現象がな
い。 （２）無電解めっきにおいて、スキップ（未着）が発生
しない。 （３）水洗、処理時間などの影響が少なく、作業性がよ
い。 （４）回路を構成する金属と、無電解めっきによる金属
層の間の密着性が良い。 これらの特徴は、従来の無機酸を利用する触媒液に比べ
いずれも優れたものであった。
【００２０】
【実施例】次に実施例を挙げ、本発明を更に詳しく説明
するが、本発明はこれら実施例等になんら制約されるも
のではない。
するが、本発明はこれら実施例等になんら制約されるも
のではない。
【００２１】実 施 例 １ 板厚１.６ｍｍのガラスエポキシ上に、表面銅回路を形
成した回路基板（最小パターン巾 １００μｍ、最小パ
ターン間巾 １００μｍ）を試料とし、表１の工程で前
処理した後、表２に示す組成の触媒液を用いて触媒付与
した。 この触媒液での触媒付与は、浴温２５℃、浸漬
時間５分の条件でおこなった。 処理後の回路基板につ
いて、更に無電解ニッケルめっきを施した後、ブリッジ
やスキップの有無を調べた。 この結果も表２中に示
す。
成した回路基板（最小パターン巾 １００μｍ、最小パ
ターン間巾 １００μｍ）を試料とし、表１の工程で前
処理した後、表２に示す組成の触媒液を用いて触媒付与
した。 この触媒液での触媒付与は、浴温２５℃、浸漬
時間５分の条件でおこなった。 処理後の回路基板につ
いて、更に無電解ニッケルめっきを施した後、ブリッジ
やスキップの有無を調べた。 この結果も表２中に示
す。
【００２２】前処理工程：
【表１】
【００２３】無電解ニッケルめっき： （ 使 用 浴 ） エンパック ＲＥ−ＭＵ（Ｎ） ２００ｍｌ／ｌ （荏原ユージライト（株）製）
【００２４】（ 作 業 条 件 ） ｐＨ ５.０ 温度 ８０℃ 浸漬時間 ３０分
【００２５】結果：
【表２】 * 結果の評価基準： 評 価 評 価 内 容 Ａ 全くブリッジ、スキップが発生しない。 Ｂ わずかにブリッジが発生する。 Ｃ かなりブリッジが発生する。 Ｄ 著しくブリッジが発生する。 Ｘ スキップが発生する。
【００２６】上記の結果より明らかなように、本発明の
触媒液を利用することにより、無機酸を利用した従来の
触媒液を利用した場合に比べ、ブリッジの発生を抑制す
ることができた。 特に、リンゴ酸を用いた場合は優れ
た効果が得られた。 以 上
触媒液を利用することにより、無機酸を利用した従来の
触媒液を利用した場合に比べ、ブリッジの発生を抑制す
ることができた。 特に、リンゴ酸を用いた場合は優れ
た効果が得られた。 以 上
Claims (3)
- 【請求項１】 水溶性パラジウム塩、アンモニウム化
合物並びにリンゴ酸、シュウ酸、クエン酸および酒石酸
から選ばれる有機酸の一種またはそれ以上を必須成分と
して含有する無電解めっき用触媒液。 - 【請求項２】 有機酸がリンゴ酸である請求項第１項記
載の無電解めっき用触媒液。 - 【請求項３】 金属により導体パターンを形成した合成
樹脂基板を、水溶性パラジウム塩、アンモニウム化合物
並びにリンゴ酸、シュウ酸、クエン酸および酒石酸から
選ばれる有機酸の一種またはそれ以上を必須成分として
含有する無電解めっき用触媒液に浸漬し、次いで無電解
めっきを施すことを特徴とする選択的無電解めっき方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30502697A JPH11124680A (ja) | 1997-10-21 | 1997-10-21 | 無電解めっき用触媒液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30502697A JPH11124680A (ja) | 1997-10-21 | 1997-10-21 | 無電解めっき用触媒液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11124680A true JPH11124680A (ja) | 1999-05-11 |
Family
ID=17940207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30502697A Pending JPH11124680A (ja) | 1997-10-21 | 1997-10-21 | 無電解めっき用触媒液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11124680A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003073841A (ja) * | 2001-08-28 | 2003-03-12 | Kyocera Corp | 配線基板およびその製造方法 |
| WO2005071138A1 (ja) * | 2004-01-23 | 2005-08-04 | Ebara Corporation | 基板処理方法及び触媒処理液及び基板処理装置 |
| JP2007138218A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Hitachi Chem Co Ltd | 無電解めっき用触媒濃縮液とそれを用いためっき触媒付与方法 |
| US8997341B2 (en) | 2009-09-07 | 2015-04-07 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Substrate for mounting semiconductor chip and method for producing same |
| CN112609172A (zh) * | 2020-11-30 | 2021-04-06 | 江苏矽智半导体科技有限公司 | 用于晶圆封装领域的化学镀钯溶液及其制备方法 |
| WO2023218728A1 (ja) * | 2022-05-10 | 2023-11-16 | 奥野製薬工業株式会社 | パラジウム触媒液 |
-
1997
- 1997-10-21 JP JP30502697A patent/JPH11124680A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003073841A (ja) * | 2001-08-28 | 2003-03-12 | Kyocera Corp | 配線基板およびその製造方法 |
| WO2005071138A1 (ja) * | 2004-01-23 | 2005-08-04 | Ebara Corporation | 基板処理方法及び触媒処理液及び基板処理装置 |
| US7285492B2 (en) | 2004-01-23 | 2007-10-23 | Ebara Corporation | Method for processing substrate |
| JP2007138218A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Hitachi Chem Co Ltd | 無電解めっき用触媒濃縮液とそれを用いためっき触媒付与方法 |
| US8997341B2 (en) | 2009-09-07 | 2015-04-07 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Substrate for mounting semiconductor chip and method for producing same |
| CN112609172A (zh) * | 2020-11-30 | 2021-04-06 | 江苏矽智半导体科技有限公司 | 用于晶圆封装领域的化学镀钯溶液及其制备方法 |
| WO2023218728A1 (ja) * | 2022-05-10 | 2023-11-16 | 奥野製薬工業株式会社 | パラジウム触媒液 |
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