JP2007138218A - 無電解めっき用触媒濃縮液とそれを用いためっき触媒付与方法 - Google Patents

無電解めっき用触媒濃縮液とそれを用いためっき触媒付与方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2007138218A
JP2007138218A JP2005331485A JP2005331485A JP2007138218A JP 2007138218 A JP2007138218 A JP 2007138218A JP 2005331485 A JP2005331485 A JP 2005331485A JP 2005331485 A JP2005331485 A JP 2005331485A JP 2007138218 A JP2007138218 A JP 2007138218A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electroless plating
catalyst
concentrate
plating
catalyst concentrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2005331485A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5327494B2 (ja
Inventor
Kenji Takai
健次 高井
Sumiko Nakajima
澄子 中島
Akiko Ito
明子 伊藤
Hiroshi Yamamoto
弘 山本
Satoshi Akazawa
諭 赤沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Showa Denko Materials Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Priority to JP2005331485A priority Critical patent/JP5327494B2/ja
Publication of JP2007138218A publication Critical patent/JP2007138218A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5327494B2 publication Critical patent/JP5327494B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Chemically Coating (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

【課題】保存性良好な無電解めっき用触媒濃縮液を提供すると共に、それを使用しためっき触媒付与方法を提供する。
【解決手段】2価のパラジウム化合物とアミン系錯化剤を含む無電解めっき用触媒濃縮液であって、pH10以上で無電解めっき用触媒濃縮液を作製した後、pHを4以上10未満の範囲に調整して保存する無電解めっき用触媒濃縮液。
【選択図】なし

Description

本発明は、無電解めっき用触媒濃縮液とそれを用いためっき触媒付与方法に関する。
近年、電子部品の小型化、高性能化、多機能化が進められており、これに使用される配線板においてもファインパターン化等の高密度化が進められている。近年はそれに伴ってセミアディティブ法による配線形成がファインパターン形成の主流になっている。一般的なセミアディティブ法は特開平3−217526に例示されるように、過マンガン酸等の酸化剤で絶縁層を粗面化し、パラジウム触媒を付与し、無電解銅めっきを行い、無電解銅めっき上にレジストパターンを形成し、パターン電気めっき後レジストを除去し、導体回路以外の無電解銅めっきをエッチング除去する手法である。パラジウム触媒としてはPd−Snコロイド系触媒を用いるのが一般的である。このPd−Snコロイド系触媒は過剰の塩化物イオンを含む酸性溶液中で多モルの塩化スズ(II)と塩化パラジウムを混合することによって生成される。コロイド径は500Å程度といわれており、比較的大きい為に密着性や絶縁性低下の弊害も示唆されている。
近年セミアディティブ法では、特開平1−279764や特開平1−195281に例示されるようなパラジウムイオンとアミン系錯化剤とからなる触媒を用いる例が増えてきている。特開平5−202483に例示されるように、パラジウムイオンとアミン系錯化剤とからなる触媒を用いると導体パターンの密着性及び絶縁性を維持しつつ触媒付与工程の時間短縮化を図ることができる。これらの触媒はアルカリ性で用いるのが一般的である。実操業において、上記パラジウムイオンとアミン系錯化剤からなる触媒は3〜40程度の濃縮液で保存し、使用時に希釈して使用する。それにより触媒の輸送コストを削減することができる。濃縮倍率が高いほど触媒の輸送コストを削減することができる。
特開平3−217526号公報 特開平1−279764号公報 特開平1−195281公報 特開平5−202483号公報
上記パラジウムイオンとアミン系錯化剤とからなる触媒は濃縮倍率が高く、pHが高いと安定性が極めて悪いことが分かってきた。更に発明者らは鋭意研究の末、以下のことを解明した。上記高濃度、高pHのパラジウムイオンとアミン系錯化剤からなる触媒は、保存しているうちに錯体構造が変化し、アクア配位子への置換反応が観察される。この置換反応は液中の水酸化物イオン濃度とパラジウムイオン濃度に依存する。従ってpHが高ければ高い程、触媒の劣化は起こりやすい。更に濃縮倍率が高いほど触媒の劣化は起こりやすい。従って、従来は錯形成をせずにpH4以下の酸性領域でパラジウム濃縮液を保管し、使用時に希釈及び錯形成を行うことで対策してきた。この方法は産業上、下記の問題を有している。
めっき薬品の専業メーカーが工場で作製した錯形成されていないパラジウム濃縮液を顧客に外販する。購入先の各メーカーがパラジウム濃縮液を(酸性)→(中性又はアルカリ性)にすることで錯形成を行う。この錯形成には高温で2時間程度の熟成が必要であり、失敗する可能性がある。つまり一番失敗する可能性の高い錯形成の工程を購入先の各メーカーが行う必要がある。本発明は、上記の不具合を改善し、保存性良好な無電解めっき用触媒濃縮液を提供すると共に、その最適使用方法(めっき触媒付与方法)を提供するものである。
本発明は以下の通りである。
1.2価のパラジウム化合物とアミン系錯化剤を含む無電解めっき用触媒濃縮液であって、pH10以上で無電解めっき用触媒濃縮液を作製した後、pHを4以上10未満の範囲に調整して保存することを特徴とする無電解めっき用触媒濃縮液。
2.無電解めっき用触媒濃縮液の使用時に、保存した時のpHよりアルカリ性(pH7以上)に調整することを特徴とする項1に記載の無電解めっき用触媒濃縮液。
3.pH10以上で無電解めっき用触媒濃縮液を作製した時に2価のパラジウム化合物とアミン系錯化剤が錯形成していることを特徴とする項1または2に記載の無電解めっき用触媒濃縮液。
4.濃縮倍率が、3〜40の範囲であることを特徴とする項1〜3いずれかに記載の無電解めっき用触媒濃縮液。
5.更にpH調整用の緩衝剤が、含まれていることを特徴とする項1〜4いずれかに記載の無電解めっき用触媒濃縮液。
6.緩衝剤が、ホウ酸であることを特徴とする項5に記載の無電解めっき用触媒濃縮液。
7.無電解めっき用触媒濃縮液の濃縮倍率がN倍であり、かつホウ酸濃度が、0.2N〜10N(g/L)の範囲であることを特徴とする項6に記載の無電解めっき用触媒濃縮液。
8.アミン系錯化剤が、2種類以上のアミン系錯化剤からなることを特徴とする項1〜7いずれかに記載の無電解めっき用触媒濃縮液。
9.pHが3以下の水溶液に被めっき物を浸漬する工程、その後、項1〜8いずれかに記載の無電解めっき用触媒濃縮液を所定の倍率で希釈してpH調整した無電解めっき用触媒液に被めっき物を浸漬する工程を有することを特徴とするめっき触媒付与方法。
10.pHが3以下の水溶液に被めっき物を浸漬する工程の前に、アミン系添加剤を含有する水溶液に被めっき物を浸漬する工程を有する項9に記載のめっき触媒付与方法。
11.所定の倍率が、3〜40倍である項9または10に記載のめっき触媒付与方法。
保存性良好な無電解めっき用触媒濃縮液を提供すると共に、それを使用しためっき触媒付与方法を提供することが可能となった。
本発明による無電解銅めっき濃縮液は2価のパラジウム化合物と、アミン系錯化剤とを含有する。濃縮液なので実際には希釈して使用する。N倍濃縮液であればN倍に希釈して用いる。以下このNは濃縮倍率(=希釈倍率)として定義する。濃縮倍率Nは3〜40の範囲であることが望ましい。濃縮倍率がこれより小さいと運搬コストが高くなり、濃縮倍率がこれより高いと安定性が不十分になる。
2価のパラジウム化合物としては塩化パラジウム、フッ化パラジウム、臭化パラジウム、ヨウ化パラジウム、硝酸パラジウム、硫酸パラジウム、酸化パラジウム、硫化パラジウム等が例示される。中でも塩化パラジウムが望ましい。パラジウム濃度として0.005N〜2.0Ng/Lの範囲であることが望ましい。
アミン系錯化剤とはアンモニアの水素原子の1個またはそれ以上が炭化水素残基Rで置換された化合物であり、Pdイオンに対する錯形成剤である。ここではアンモニアも含むものとする。アミンはN原子上に非共有電子対を保持しており、パラジウムイオンと錯形成しやすい。アミンとしては、アンモニア、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、プロピルアミン、ジプロピルアミン、トリプロピルアミン、ブチルアミン、ジブチルアミン、トリブチルアミン、ピリジン、2−アミノピリジン、3−アミノピリジン、4−アミノピリジン、エチレンジアミン、エタノールアミン、トリエタノールアミン、エチレンジアミンテトラ酢酸等の直鎖アミン化合物、環状アミン化合物が挙げられ、このうち一種或いは二種類以上を用いる。アミン系錯化剤の疎水性が強すぎるとパラジウム錯体の溶解性が低下し、アミン系錯化剤の親水性が強すぎると樹脂に対する吸着性が低下するので、二種類以上を用いる場合はバランスを考慮する必要がある。パラジウムイオンとアミン系錯化剤のモル比は1:1〜1:20の範囲であることが望ましい。
通常パラジウムイオンとアミンはpH10以上で錯形成が容易に進む。しかしながらpH10以上で作製した無電解めっき用触媒濃縮液をそのまま保存すると不具合が生じる。発明者らは鋭意研究の末、パラジウムイオンとアミンから成る無電解めっき用触媒濃縮液は、パラジウム濃度が高く水酸化物イオン濃度が高いほど錯構造の変化が起こり、吸収スペクトルが変化することが分かってきた。そしてその反応速度は下記(1)式で表せることが分かってきた。
Figure 2007138218
つまりパラジウムイオンとアミンから成る無電解めっき用触媒は、錯形成した状態においては、濃縮液での保存が難しくなることを示唆する。そこで、本発明においてはpH10以上で無電解めっき用触媒濃縮液を作製し、pHを4以上10未満の範囲に調整して保存することを特徴とする。望ましくは、pH10以上で無電解めっき用触媒濃縮液を作製し、pHを6〜9の範囲に調整して保存する。アミンの種類にもよるが、pH10以上だと錯構造の変化が起こりやすい。またpHが酸性になると逆に錯構造が変化しやすくなる。本発明の骨子は、強アルカリ条件(pH10以上)で作製した無電解めっき用触媒濃縮液をアルカリ〜弱酸(pH4以上10未満)で保存することであり、望ましくは、アルカリ〜弱酸で保存した無電解めっき用触媒濃縮液を保存条件よりアルカリ性(pH7以上)で使用することである。
上記濃縮液は、pH調整用の緩衝液が含まれていることが望ましい。緩衝液にはシュウ酸、酒石酸、酢酸、クエン酸、フタル酸、2−(N−モルホリノ)エタンスルホン酸、クエン酸、コリジン、イミダゾール、りん酸、ホウ酸などが挙げられるが、中でもホウ酸が好ましい。ホウ酸を添加することで、強アルカリで作製した無電解めっき用触媒濃縮液をpH4〜10の範囲にすることが可能になる。この緩衝液は保存液中でも緩衝能力があり、実際に無電解めっき用触媒として使用する際も緩衝能力がある。ホウ酸濃度は0.2N〜10N(g/L)の範囲であることが好ましい。例えば、濃縮倍率(=希釈倍率)Nが5倍であれば、ホウ酸濃度は1〜50g/Lの範囲であることが好ましい。ホウ酸濃度がこれより低い場合は緩衝能力が不十分であり、ホウ酸濃度がこれより高い場合はPd吸着量が低下する等の不具合がある。
例えば上記無電解めっき用触媒10倍濃縮液(1L)は、次の様にして製造される。まず純水に塩化ナトリウムを0.5〜5g/L添加する。次に塩化パラジウムを0.1〜20g/L添加する。引き続き、1規定の水酸化ナトリウムを1〜20mlと、パラジウムの1〜20倍モル濃度のアミン系錯化剤を添加し、pH10以上にする。その後、2〜100(g/L)のホウ酸を添加し、pHを4以上10未満の範囲にする。
上記無電解めっき用触媒濃縮液は、N倍に希釈して使用する。液の安定性や特性の観点から、pHをアルカリ性(pH7以上)に調整して使用することが好ましい。使用時のpHは7〜12がより好ましく、8〜11の範囲が特に好ましい。
以下、上記無電解めっき用触媒濃縮液の希釈液(N倍に希釈)の使用方法の一例を説明する。まず、樹脂等の被メッキ物を、アミン系添加剤を含有する水溶液に浸漬する。水溶液のpHはアルカリ性が好ましい。アミン系添加剤としてはアミノアルコール類やアミノシラン類が好ましい。これらアミン系添加剤に含まれるアミノ基はプラスに帯電しやすいのでマイナスに帯電したパラジウム錯体を吸着させやすくなる。このような水溶液の一例としてCLC201(日立化成工業株式会社製・商品名)が挙げられる。引き続き水洗を行い、余分なアミン系添加剤を除去する。
以下、必要に応じてエッチング工程等を経由し、pH3以下の水溶液に被めっき物を浸漬する。これにより被めっき物表面に吸着したアミノ基をプラスに帯電させることが出来るのでパラジウム吸着量が向上する。pH3以下の水溶液に被めっき物を浸漬した後、上記Pd触媒希釈液(無電解めっき用触媒濃縮液の希釈液)に被めっき物浸漬する。浸漬時間は1〜10分、浸漬温度は10〜50℃が好適である。
次に被めっき物を還元剤水溶液に浸漬することで金属Pdが被めっき物表面に形成される。還元剤水溶液としては、ホルムアルデヒド、塩化第一錫、次亜硫酸ナトリウム、ジメチルアミンボラン、水素化アルミニウムリチウム、水素化ホウ素ナトリウム等の還元性物質の水溶液が使用される。還元性物質の濃度はその還元力により異なるが、好ましくは0.01〜10重量%、より好ましくは0.1〜2重量%で、pH=7〜14が好ましい。
以上のようにして金属粒子が形成された被めっき物を電解銅めっき等の無電解めっき液に浸漬することでめっきが行われる。無電解銅めっき液としてはCUST−201(日立化成工業株式会社製・商品名)やCUST−4600(日立化成工業株式会社製・商品名)等がある。
実施例1
水200mlに対し、塩化ナトリウム2.6gと塩化パラジウム4g/Lを溶解させ、10重量%イソブチルアミン70mlと4重量%モノメチルアミン22mlを添加し、1規定のNaOHを6.2ml加えて攪拌し、pH10以上にした。その後、水及びホウ酸を1g/L加えて攪拌し、pHを調整し、2Lの無電解めっき用触媒5倍濃縮液を作製した。調整したpHを表1に示した。
実施例2
ホウ酸を2g/L加えた以外は実施例1と同様にして2Lの無電解めっき用触媒5倍濃縮液を作製した。調整したpHを表1に示した。
実施例3
ホウ酸を3g/L加えた以外は実施例1と同様にして2Lの無電解めっき用触媒5倍濃縮液を作製した。調整したpHを表1に示した。
実施例4
ホウ酸を5g/L加えた以外は実施例1と同様にして2Lの無電解めっき用触媒5倍濃縮液を作製した。調整したpHを表1に示した。
実施例5
ホウ酸を7.5g/L加えた以外は実施例1と同様にして2Lの無電解めっき用触媒5倍濃縮液を作製した。調整したpHを表1に示した。
実施例6
ホウ酸を10g/L加えた以外は実施例1と同様にして2Lの無電解めっき用触媒5倍濃縮液を作製した。調整したpHを表2に示した。
実施例7
ホウ酸を17.5g/L加えた以外は実施例1と同様にして2Lの無電解めっき用触媒5倍濃縮液を作製した。調整したpHを表2に示した。
比較例1
ホウ酸を加えなかったこと以外は実施例1と同様に無電解めっき用触媒5倍濃縮液を作製した。調整したpHを表2に示した。
比較例2
ホウ酸を水200mlに予め加えたこと以外は実施例1と同様に無電解めっき用触媒5倍濃縮液を作製した。この時のpHは10未満であった。建浴初期から濁っており、錯体形成が容易に行われないことが分かった。
比較例3
ホウ酸を0.5g/L加えた以外は実施例1と同様にして2Lの無電解めっき用触媒5倍濃縮液を作製した。調整したpHを表2に示した。
吸収スペクトル試験
上記実施例1〜7、比較例1、比較例3の条件で作製した無電解めっき用触媒5倍濃縮液を0日、30日(一ヶ月)、60日(二ヶ月)保存し、保存した後5倍希釈し、ホウ酸を3.5g/Lとなるように加え、1規定水酸化ナトリウム水溶液によりpH9.8となるように調整した。次にダブルビーム分光光度計U−2001(日立製作所製・商品名)にて吸収スペクトルを測定し、320nmの吸光度(ABS)を測定した。
Pd吸着量確認試験
0.6mm厚の銅張積層板MCL−E679Fをエッチング液にて全面エッチングした。つぎにアミノシランを含む無電解銅めっき触媒前処理液CLC−201(日立化成工業株式会社製・商品名)に、50℃5分の条件で基板を浸漬した。次に室温(25℃)3分の条件で水洗を行った。引き続き10体積%硫酸に室温(25℃)1分の条件で基板を浸漬した。次に実施例1〜7、比較例1、比較例3の条件で作製した無電解めっき用触媒5倍濃縮液を0日、30日(一ヶ月)、60日(二ヶ月)保存し、保存した後5倍希釈し、ホウ酸を3.5g/Lとなるように加え、1規定水酸化ナトリウム水溶液によりpH9.8となるように調整して作製した各種無電解めっき用触媒で基板の処理を行った。次に室温(25℃)1分の条件で水洗を行った。引き続き、水素化ホウ素ナトリウム0.15重量%、水酸化ナトリウム0.5重量%を含む水溶液で室温(25℃)5分の処理を行った。次に室温(25℃)1分の条件で水洗を行った。次に王水に基板を浸漬し、パラジウムを溶解させた後、溶解液のパラジウムを原子吸光法で測定し、基板に吸着したパラジウム量の測定を行った。パラジウムの測定にはPolarized Zeeman Atomic Absorption Spectrometer Z−5310(株式会社日立製作所製・商品名)を用いた。
表1及び表2に吸収スペクトル試験及びPd吸着量確認試験の結果を示す。
Figure 2007138218
Figure 2007138218
表1に示す様に実施例1〜7で作製しためっき触媒濃縮液は、調整したpHが10未満であった。触媒の色の変化や吸光度変化、Pd吸着量変化が殆どなく保存安定性良好であることが分かった。一方、比較例2で作製しためっき触媒濃縮液は、作製した時のpHが10未満では、錯形成が上手く進まず、液全体が濁ってしまうことが分かった。錯形成はpH10以上で行ったほうが良いことが示された。一方比較例1、比較例3で作製しためっき触媒濃縮液は、調整後のpHが10以上あるために錯構造の変化が進んでいると考えられる。触媒の色、吸光度、Pd吸着量が何れも変化することが分かった。
以上詳述したように、本発明によれば触媒の色の変化や吸光度変化、Pd吸着量変化が殆どなく保存安定性良好な無電解めっき用触媒濃縮液を作製できる。

Claims (11)

  1. 2価のパラジウム化合物とアミン系錯化剤を含む無電解めっき用触媒濃縮液であって、pH10以上で無電解めっき用触媒濃縮液を作製した後、pHを4以上10未満の範囲に調整して保存することを特徴とする無電解めっき用触媒濃縮液。
  2. 無電解めっき用触媒濃縮液の使用時に、保存した時のpHよりアルカリ性(pH7以上)に調整することを特徴とする請求項1に記載の無電解めっき用触媒濃縮液。
  3. pH10以上で無電解めっき用触媒濃縮液を作製した時に2価のパラジウム化合物とアミン系錯化剤が錯形成していることを特徴とする請求項1または2に記載の無電解めっき用触媒濃縮液。
  4. 濃縮倍率が、3〜40の範囲であることを特徴とする請求項1〜3いずれかに記載の無電解めっき用触媒濃縮液。
  5. 更にpH調整用の緩衝剤が、含まれていることを特徴とする請求項1〜4いずれかに記載の無電解めっき用触媒濃縮液。
  6. 緩衝剤が、ホウ酸であることを特徴とする請求項5に記載の無電解めっき用触媒濃縮液。
  7. 無電解めっき用触媒濃縮液の濃縮倍率がN倍であり、かつホウ酸濃度が、0.2N〜10N(g/L)の範囲であることを特徴とする請求項6に記載の無電解めっき用触媒濃縮液。
  8. アミン系錯化剤が、2種類以上のアミン系錯化剤からなることを特徴とする請求項1〜7いずれかに記載の無電解めっき用触媒濃縮液。
  9. pHが3以下の水溶液に被めっき物を浸漬する工程、その後、請求項1〜8いずれかに記載の無電解めっき用触媒濃縮液を所定の倍率で希釈してpH調整した無電解めっき用触媒液に被めっき物を浸漬する工程を有することを特徴とするめっき触媒付与方法。
  10. pHが3以下の水溶液に被めっき物を浸漬する工程の前に、アミン系添加剤を含有する水溶液に被めっき物を浸漬する工程を有する請求項9に記載のめっき触媒付与方法。
  11. 所定の倍率が、3〜40倍である請求項9または10に記載のめっき触媒付与方法。

JP2005331485A 2005-11-16 2005-11-16 無電解めっき用触媒濃縮液の製造方法とそれを用いためっき触媒付与方法 Expired - Fee Related JP5327494B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005331485A JP5327494B2 (ja) 2005-11-16 2005-11-16 無電解めっき用触媒濃縮液の製造方法とそれを用いためっき触媒付与方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005331485A JP5327494B2 (ja) 2005-11-16 2005-11-16 無電解めっき用触媒濃縮液の製造方法とそれを用いためっき触媒付与方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007138218A true JP2007138218A (ja) 2007-06-07
JP5327494B2 JP5327494B2 (ja) 2013-10-30

Family

ID=38201457

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005331485A Expired - Fee Related JP5327494B2 (ja) 2005-11-16 2005-11-16 無電解めっき用触媒濃縮液の製造方法とそれを用いためっき触媒付与方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5327494B2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010251593A (ja) * 2009-04-17 2010-11-04 Konica Minolta Ij Technologies Inc 金属パターン形成方法および金属パターン
JP2010251594A (ja) * 2009-04-17 2010-11-04 Konica Minolta Ij Technologies Inc インクジェットインク、その製造方法および金属パターン形成方法
JP2015048529A (ja) * 2013-09-04 2015-03-16 ローム・アンド・ハース電子材料株式会社 無電解めっき用触媒液
EP2868771A1 (en) 2013-10-30 2015-05-06 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Catalyst solution for electroless plating and method for electroless plating
CN113046734A (zh) * 2021-03-12 2021-06-29 上海天承化学有限公司 一种二价钯络合物溶液及其制备方法和应用

Citations (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5393129A (en) * 1977-01-28 1978-08-15 Hitachi Ltd Nonnelectrolytic palladium activated liquid
JPS58185794A (ja) * 1982-04-21 1983-10-29 Hitachi Ltd パラジウム活性化液
JPS6024380A (ja) * 1983-07-20 1985-02-07 Hitachi Ltd パラジウム活性化液
JPS61186480A (ja) * 1985-02-14 1986-08-20 インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション パラジウム・スズ・コロイド触媒の濃縮物の製造方法
JPS61194183A (ja) * 1985-02-21 1986-08-28 Hitachi Chem Co Ltd 無電解めつき法
JPS64275A (en) * 1987-03-19 1989-01-05 Hitachi Chem Co Ltd Catalyst for electroless plating and method using said catalyst
JPH01149971A (ja) * 1987-10-27 1989-06-13 Omi Internatl Corp 無電解めっき処理用触媒
JPH01195281A (ja) * 1988-01-28 1989-08-07 Hitachi Chem Co Ltd 無電解めつき用触媒
JPH01279764A (ja) * 1988-05-06 1989-11-10 Hitachi Chem Co Ltd 無電解めっき用触媒溶液
JPH03134178A (ja) * 1989-10-11 1991-06-07 Office Natl Etud Rech Aerospat <Onera> 白金及び/又はパラジウムの化学析出のためのヒドラジン浴、及び該浴の製造方法
JPH0426774A (ja) * 1990-05-22 1992-01-29 Hitachi Chem Co Ltd 無電解めっき用触媒および無電解めっき方法
JPH04365877A (ja) * 1991-06-13 1992-12-17 Ishihara Chem Co Ltd 銅系素材上への選択的無電解めっき方法
JPH0598454A (ja) * 1991-10-08 1993-04-20 Okuno Seiyaku Kogyo Kk 亜鉛−アルミニウム合金への無電解ニツケルめつき方法、触媒化処理用組成物、活性化処理用組成物及び無電解ニツケルストライクめつき用組成物
JPH11124680A (ja) * 1997-10-21 1999-05-11 Ebara Udylite Kk 無電解めっき用触媒液
JPH11207184A (ja) * 1998-01-27 1999-08-03 Hideo Honma パラジウム混合触媒およびこれを利用するパラジウム触媒付与方法
JP2000096252A (ja) * 1998-09-18 2000-04-04 C Uyemura & Co Ltd ハードディスク基板へのめっき方法
JP2000512690A (ja) * 1996-05-30 2000-09-26 イー・アイ・デユポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 熱に安定な金属でコートされた、ポリマーのモノフィラメント又は糸の製法
JP2003313671A (ja) * 2002-04-23 2003-11-06 Japan Pure Chemical Co Ltd 無電解Niメッキ用触媒液
JP2004315895A (ja) * 2003-04-16 2004-11-11 Hitachi Chem Co Ltd 無電解めっき用前処理液及びこれを用いた無電解めっき方法
JP2004332036A (ja) * 2003-05-06 2004-11-25 Hitachi Chem Co Ltd 無電解めっき方法

Patent Citations (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5393129A (en) * 1977-01-28 1978-08-15 Hitachi Ltd Nonnelectrolytic palladium activated liquid
JPS58185794A (ja) * 1982-04-21 1983-10-29 Hitachi Ltd パラジウム活性化液
JPS6024380A (ja) * 1983-07-20 1985-02-07 Hitachi Ltd パラジウム活性化液
JPS61186480A (ja) * 1985-02-14 1986-08-20 インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション パラジウム・スズ・コロイド触媒の濃縮物の製造方法
JPS61194183A (ja) * 1985-02-21 1986-08-28 Hitachi Chem Co Ltd 無電解めつき法
JPS64275A (en) * 1987-03-19 1989-01-05 Hitachi Chem Co Ltd Catalyst for electroless plating and method using said catalyst
JPH01149971A (ja) * 1987-10-27 1989-06-13 Omi Internatl Corp 無電解めっき処理用触媒
JPH01195281A (ja) * 1988-01-28 1989-08-07 Hitachi Chem Co Ltd 無電解めつき用触媒
JPH01279764A (ja) * 1988-05-06 1989-11-10 Hitachi Chem Co Ltd 無電解めっき用触媒溶液
JPH03134178A (ja) * 1989-10-11 1991-06-07 Office Natl Etud Rech Aerospat <Onera> 白金及び/又はパラジウムの化学析出のためのヒドラジン浴、及び該浴の製造方法
JPH0426774A (ja) * 1990-05-22 1992-01-29 Hitachi Chem Co Ltd 無電解めっき用触媒および無電解めっき方法
JPH04365877A (ja) * 1991-06-13 1992-12-17 Ishihara Chem Co Ltd 銅系素材上への選択的無電解めっき方法
JPH0598454A (ja) * 1991-10-08 1993-04-20 Okuno Seiyaku Kogyo Kk 亜鉛−アルミニウム合金への無電解ニツケルめつき方法、触媒化処理用組成物、活性化処理用組成物及び無電解ニツケルストライクめつき用組成物
JP2000512690A (ja) * 1996-05-30 2000-09-26 イー・アイ・デユポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 熱に安定な金属でコートされた、ポリマーのモノフィラメント又は糸の製法
JPH11124680A (ja) * 1997-10-21 1999-05-11 Ebara Udylite Kk 無電解めっき用触媒液
JPH11207184A (ja) * 1998-01-27 1999-08-03 Hideo Honma パラジウム混合触媒およびこれを利用するパラジウム触媒付与方法
JP2000096252A (ja) * 1998-09-18 2000-04-04 C Uyemura & Co Ltd ハードディスク基板へのめっき方法
JP2003313671A (ja) * 2002-04-23 2003-11-06 Japan Pure Chemical Co Ltd 無電解Niメッキ用触媒液
JP2004315895A (ja) * 2003-04-16 2004-11-11 Hitachi Chem Co Ltd 無電解めっき用前処理液及びこれを用いた無電解めっき方法
JP2004332036A (ja) * 2003-05-06 2004-11-25 Hitachi Chem Co Ltd 無電解めっき方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010251593A (ja) * 2009-04-17 2010-11-04 Konica Minolta Ij Technologies Inc 金属パターン形成方法および金属パターン
JP2010251594A (ja) * 2009-04-17 2010-11-04 Konica Minolta Ij Technologies Inc インクジェットインク、その製造方法および金属パターン形成方法
JP2015048529A (ja) * 2013-09-04 2015-03-16 ローム・アンド・ハース電子材料株式会社 無電解めっき用触媒液
EP2868771A1 (en) 2013-10-30 2015-05-06 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Catalyst solution for electroless plating and method for electroless plating
JP2015086429A (ja) * 2013-10-30 2015-05-07 ローム・アンド・ハース電子材料株式会社 無電解めっき用触媒液
CN104651811A (zh) * 2013-10-30 2015-05-27 罗门哈斯电子材料有限公司 用于化学镀的催化剂溶液
TWI554643B (zh) * 2013-10-30 2016-10-21 羅門哈斯電子材料有限公司 無電鍍覆用催化劑溶液
CN110230045A (zh) * 2013-10-30 2019-09-13 罗门哈斯电子材料有限公司 用于化学镀的催化剂溶液
US10543482B2 (en) 2013-10-30 2020-01-28 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Catalyst solution for electroless plating
CN113046734A (zh) * 2021-03-12 2021-06-29 上海天承化学有限公司 一种二价钯络合物溶液及其制备方法和应用
CN113046734B (zh) * 2021-03-12 2022-04-01 上海天承化学有限公司 一种二价钯络合物溶液及其制备方法和应用

Also Published As

Publication number Publication date
JP5327494B2 (ja) 2013-10-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3351657B1 (en) Electroless copper plating compositions
EP2581470B1 (en) Electroless palladium plating bath composition
WO1992013981A2 (en) Selective process for printed circuit board manufacturing
JP5327494B2 (ja) 無電解めっき用触媒濃縮液の製造方法とそれを用いためっき触媒付与方法
JP2004510885A (ja) 金属表面上へ銀を無電解めっきするための浴と方法
WO2011030638A1 (ja) 触媒付与溶液並びにこれを用いた無電解めっき方法及びダイレクトプレーティング方法
US9914115B2 (en) Catalysts for electroless metallization containing five-membered heterocyclic nitrogen compounds
JP2018080369A (ja) プリント配線基板の製造方法
JP6099678B2 (ja) コバルト合金無電解めっき用アルカリ性めっき浴
JP2020084301A (ja) 無電解めっき浴
JP2009117637A (ja) 接続端子とその接続端子を用いた半導体チップ搭載用基板及び半導体チップ搭載用基板の製造方法並びに無電解めっきの前処理方法、無電解めっき方法
JP2009114508A (ja) 接続端子の製造方法とその接続端子を用いた半導体チップ搭載用基板の製造方法
WO2010023895A1 (ja) 無電解めっき用センシタイジング液および無電解めっき方法
US9227182B2 (en) Plating catalyst and method
TWI804539B (zh) 無電鍍金鍍浴
JP6562597B2 (ja) イミノ二酢酸および誘導体を含む無電解金属化のための触媒
EP3339472A2 (en) Electroless plating method
KR100973007B1 (ko) 금속제품의 무전해 주석 환원 도금용 도금액 및 이를이용한 금속제품의 무전해 주석 환원 도금방법
JPS6123764A (ja) 無電解めつき用銅コロイド触媒液およびその製造方法
JP4059133B2 (ja) 無電解ニッケル−金めっき方法
JPWO2020079977A1 (ja) 表面処理液及びニッケル含有材料の表面処理方法
KR20240097762A (ko) 무전해 도금용 촉매 부여 욕, 촉매핵을 포함하는 무전해 도금 대상 재료를 제조하는 방법, 무전해 도금 피막을 포함하는 재료를 제조하는 방법, 무전해 도금 피막을 포함하는 재료
KR20230173025A (ko) 에칭 처리액, 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 표면 처리 방법
KR101224206B1 (ko) 고안정성 무전해 은 도금액, 이를 이용한 무전해 도금 공정 및 이에 의해 제조된 은 피막
JPH0216385B2 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080911

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110830

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110908

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111024

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120405

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120514

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130221

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130416

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130627

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130710

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5327494

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees