JPH01149971A - 無電解めっき処理用触媒 - Google Patents
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
- C23C18/28—Sensitising or activating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、例えば無電解めっき処理工程において、基板
上にある金属溶液からのその金属の析出を触媒するのに
好適なパラジウム錯体と、該基板に触媒活性を付与する
ための組成物および工程に関する。本発明は、無電解も
しくは電気めっき処理によるさらに多量の銅の析出に先
立って、薄層として伝導性基板(例えば回路基板)上の
少なくとも一部に銅が析出する場合に特に用いられるが
、しかしながら本発明はこの用途に限定されない。
上にある金属溶液からのその金属の析出を触媒するのに
好適なパラジウム錯体と、該基板に触媒活性を付与する
ための組成物および工程に関する。本発明は、無電解も
しくは電気めっき処理によるさらに多量の銅の析出に先
立って、薄層として伝導性基板(例えば回路基板)上の
少なくとも一部に銅が析出する場合に特に用いられるが
、しかしながら本発明はこの用途に限定されない。
無電解めっき溶液中での非伝導性基板のめっきを始める
に先立って、基板表面は触媒活性を付与されるかもしく
は「触媒化される」必要がある。
に先立って、基板表面は触媒活性を付与されるかもしく
は「触媒化される」必要がある。
すなわち、無電解めっき溶液と接触させられると無電解
析出を開始する金属の薄層で被覆される。
析出を開始する金属の薄層で被覆される。
本目的のために用いる触媒金属としてはパラジウムが最
も普通である。
も普通である。
米国出願第3011920号と米国出願第367292
3号において、酸性塩化物媒質中でのパラジウムとスズ
塩との反応により生じる水性パラジウム触媒が記載され
ている。この種の触媒は元素パラジウムを含有すること
ができるし、パラジウムの薄層触媒析出物を、触媒中で
の基板の単一段階の液浸によりその基板上に生じる可能
性がある。それゆえ、この種の触媒は「ワンステップJ
触媒と呼ばれる。
3号において、酸性塩化物媒質中でのパラジウムとスズ
塩との反応により生じる水性パラジウム触媒が記載され
ている。この種の触媒は元素パラジウムを含有すること
ができるし、パラジウムの薄層触媒析出物を、触媒中で
の基板の単一段階の液浸によりその基板上に生じる可能
性がある。それゆえ、この種の触媒は「ワンステップJ
触媒と呼ばれる。
「ワンステップ」触媒で処理された基板をめっきするに
先立って、最低レベルでスズ塩は溶解するがパラジウム
は溶解しないとみなされる可能性のある溶液中での処理
によりスズ残漬を除去するのは好ましいが、しかし必須
ではない。
先立って、最低レベルでスズ塩は溶解するがパラジウム
は溶解しないとみなされる可能性のある溶液中での処理
によりスズ残漬を除去するのは好ましいが、しかし必須
ではない。
スズ−パラジウム触媒は広範に用いられるが、しかし以
下の不利益をこうむる: 1、触媒における塩化物レベルを維持するための塩化物
ベース前浸液の必要。
下の不利益をこうむる: 1、触媒における塩化物レベルを維持するための塩化物
ベース前浸液の必要。
2、触媒における処理後の濯ぎ水中の水酸化スズ析出。
3、サブトラクティブ法によりスループレートされるプ
リント回路基板の製造にあたっては、減法によりスルー
プレートされる触媒の攻撃的性質ゆえに、工程を短縮さ
せる銅でその触媒が汚染されるようになる。
リント回路基板の製造にあたっては、減法によりスルー
プレートされる触媒の攻撃的性質ゆえに、工程を短縮さ
せる銅でその触媒が汚染されるようになる。
4、該触媒は「オーバーアクティブ」となる可能性があ
り、その結果、基板上のその後の無電解析出物の付着減
少が引き起こされる。
り、その結果、基板上のその後の無電解析出物の付着減
少が引き起こされる。
5、多層回路基板製造に用いられる場合は、酵素の攻撃
的性質のために、回路内層の金属面上に存在する酸化物
被覆を溶解する可能性があり、したがって、スループレ
ートホール周囲の桃色(または赤色)環効果として公知
の歓迎し難い現象を起こし得る。
的性質のために、回路内層の金属面上に存在する酸化物
被覆を溶解する可能性があり、したがって、スループレ
ートホール周囲の桃色(または赤色)環効果として公知
の歓迎し難い現象を起こし得る。
スズーパラジウムrワンスナツプ」工程に加えて、種々
の「二段階」工程が知られている。二段階工程では、触
媒さるべき基板を、その元素状態では認められないパラ
ジウムを含有する溶液中と、次いで、酵素パラジウム金
属に対する面上に残存するパラジウム種を還元可能な還
元剤の溶液中に浸漬する。
の「二段階」工程が知られている。二段階工程では、触
媒さるべき基板を、その元素状態では認められないパラ
ジウムを含有する溶液中と、次いで、酵素パラジウム金
属に対する面上に残存するパラジウム種を還元可能な還
元剤の溶液中に浸漬する。
この二段階工程では、パラジウム含有溶液は「感作物質
Jとして言及され、一方還元剤を含有する溶液は「還元
剤Jとして言及される可能性がある。工程段階順は、感
作物質が先でその後に還元剤(これが最も一般的である
)か、あるいはその逆であることもある。
Jとして言及され、一方還元剤を含有する溶液は「還元
剤Jとして言及される可能性がある。工程段階順は、感
作物質が先でその後に還元剤(これが最も一般的である
)か、あるいはその逆であることもある。
D[出願第1621207号には、このような二段階工
程が記載されている。感作物質は、有機三価窒素化合物
と化合した二価のパラジウムを含有する。
程が記載されている。感作物質は、有機三価窒素化合物
と化合した二価のパラジウムを含有する。
パラジウムに比して、窒素化合物のかなりのモル過剰が
認められる。
認められる。
EP出願第0167326には、感作物質が、アミド中
に、共架的には1%または2%溶液として、溶解される
パラジウム化合物を含有する二段階触媒系が記載されて
いる。このような溶液では、アミドは必然的に高度のモ
ル過剰状態にある。例えばホルムアミドを用いる場合、
塩化パラジウムの2%溶液には、250モルの過剰ホル
ムアミドが認められる。
に、共架的には1%または2%溶液として、溶解される
パラジウム化合物を含有する二段階触媒系が記載されて
いる。このような溶液では、アミドは必然的に高度のモ
ル過剰状態にある。例えばホルムアミドを用いる場合、
塩化パラジウムの2%溶液には、250モルの過剰ホル
ムアミドが認められる。
二段階感作物質および還元剤は一段階工程のいくつかの
不利益を蒙らないがしかし、濯ぎが2つの段階の間にな
される場合、その後、結果として生じる無電解プレート
沈着の適用範囲が不十分になりがちである、という大き
な不利益を蒙っている。これは、感作物質または還元剤
の何れかが基質から濯ぎ出されるためである。感作物質
中のパラジウム濃度が大であればこの影響を克服する可
能性があるが、しかし工程経費が非常に増大するという
ペナルティを伴なう。二段階間に)8ぎを用いなければ
、その後の適用範囲は十分となり得る。しかしながら、
濯ぎが、別のものによるある溶液の汚染を意味すること
は全くなく、第二の溶液中に望ましくない金属パラジウ
ム沈澱を生じる。
不利益を蒙らないがしかし、濯ぎが2つの段階の間にな
される場合、その後、結果として生じる無電解プレート
沈着の適用範囲が不十分になりがちである、という大き
な不利益を蒙っている。これは、感作物質または還元剤
の何れかが基質から濯ぎ出されるためである。感作物質
中のパラジウム濃度が大であればこの影響を克服する可
能性があるが、しかし工程経費が非常に増大するという
ペナルティを伴なう。二段階間に)8ぎを用いなければ
、その後の適用範囲は十分となり得る。しかしながら、
濯ぎが、別のものによるある溶液の汚染を意味すること
は全くなく、第二の溶液中に望ましくない金属パラジウ
ム沈澱を生じる。
OE出願第1621207号とEP出願第016732
6に記載の二段階工程は、この不利益を蒙る。
6に記載の二段階工程は、この不利益を蒙る。
英国出願第1394164号と英国出願第139416
5号には、以下の公式で示される錯体を含有する溶液を
用いて化学的金属化のために非導電体の表面を活性化す
る工程を開示している: M−(L)X−A ここで、Mはパラジウムが該当し得るし、Lは窒素含有
基、Aは無機または有機酸基である。Xは、少くとも1
、好ましくは2.3または4の整数である。範例となる
パラジウム複合体としては、ジクロロ−2,2°−ジピ
リジルパラジウム(II)とジクロロビス(2−アミノ
ピリジン)パラジウム(II)が挙げられる。これらの
複合体を、該金属塩を大過剰窒素含有化合物(窒素含有
化合物:過剰パラジウムのモル比=4.2:1)と低p
Hで反応させて調製し、配位子:金属比を少くとも1:
1とする。
5号には、以下の公式で示される錯体を含有する溶液を
用いて化学的金属化のために非導電体の表面を活性化す
る工程を開示している: M−(L)X−A ここで、Mはパラジウムが該当し得るし、Lは窒素含有
基、Aは無機または有機酸基である。Xは、少くとも1
、好ましくは2.3または4の整数である。範例となる
パラジウム複合体としては、ジクロロ−2,2°−ジピ
リジルパラジウム(II)とジクロロビス(2−アミノ
ピリジン)パラジウム(II)が挙げられる。これらの
複合体を、該金属塩を大過剰窒素含有化合物(窒素含有
化合物:過剰パラジウムのモル比=4.2:1)と低p
Hで反応させて調製し、配位子:金属比を少くとも1:
1とする。
該溶液は、pH7.0である可能性があり、あるいはそ
のように調整可能である。より少量の窒素含有化合物に
よる高pH(aでは、パラジウムはPdo。
のように調整可能である。より少量の窒素含有化合物に
よる高pH(aでは、パラジウムはPdo。
nH2Oとして沈澱すると予測される(「高等無機化学
j、コツトンとウィルキンソン共著、第4版、905頁
参照)。
j、コツトンとウィルキンソン共著、第4版、905頁
参照)。
本発明の発明者は、アルカリ状態下で水溶性であり、安
定した且つ非常に活性の高い金属(例えばパラジウム)
感作物質としていくつかの錯体が使用可能であるという
こと、また有用な錯体がパラジウムに対して低モル比で
窒素化合物または配位子を含有することを了解した。
定した且つ非常に活性の高い金属(例えばパラジウム)
感作物質としていくつかの錯体が使用可能であるという
こと、また有用な錯体がパラジウムに対して低モル比で
窒素化合物または配位子を含有することを了解した。
したがって、本発明の第一の態様によれば、2個のパラ
ジウム原子とY個の窒素含有配位子(ここでX/Y>=
1)より成る錯体が提供され、この錯体は、pH6以上
で、Aモルの窒素含有配位子形成種をBモルのパラジウ
ム化合物(ここでA/B<−4)と反応させて形成され
る。しかしながら、pHが7.9の場合、あるいは12
以上の場合でさえ、それは有益である。
ジウム原子とY個の窒素含有配位子(ここでX/Y>=
1)より成る錯体が提供され、この錯体は、pH6以上
で、Aモルの窒素含有配位子形成種をBモルのパラジウ
ム化合物(ここでA/B<−4)と反応させて形成され
る。しかしながら、pHが7.9の場合、あるいは12
以上の場合でさえ、それは有益である。
X/Y比は1から20までの範囲であると思われるが、
しかし1−5の範囲のX/Yが好ましく、X/Y比1−
2で最もよい結果が得られることが分かつている。
しかし1−5の範囲のX/Yが好ましく、X/Y比1−
2で最もよい結果が得られることが分かつている。
パラジウムは、普通、+2価酸化状態にあるものと思わ
れる。
れる。
好ましい窒素含有配位子は、尿素、1−12−13−ま
たは4−C1−C6アルキルト置換尿素、C−C7アシ
ルアミド、C1−C6アルキル(1−または2−)置換
C2−07アシルアミド、C1−C6アルキルシアニド
、1つ以上のアミノ基で随意に置換される芳香族(ピリ
ジンやキノリンのような)環の一部分を窒素原子が形成
する化合物、C−C6アルキル、とドロキシまたは他の
置換基、ア/L<ファ アミノ酸のようなアミノ酸、ス
ルファミン酸、あるいは亜硝酸またはシアン酸イオン等
である。
たは4−C1−C6アルキルト置換尿素、C−C7アシ
ルアミド、C1−C6アルキル(1−または2−)置換
C2−07アシルアミド、C1−C6アルキルシアニド
、1つ以上のアミノ基で随意に置換される芳香族(ピリ
ジンやキノリンのような)環の一部分を窒素原子が形成
する化合物、C−C6アルキル、とドロキシまたは他の
置換基、ア/L<ファ アミノ酸のようなアミノ酸、ス
ルファミン酸、あるいは亜硝酸またはシアン酸イオン等
である。
パラジウム化合物は好ましくは塩である。その塩は、塩
化物、臭化物、ヨウ化物といったハロゲン化物か、ある
いは硝酸塩のようなその他の好適な塩でもよい。
化物、臭化物、ヨウ化物といったハロゲン化物か、ある
いは硝酸塩のようなその他の好適な塩でもよい。
アルファ アミノ酸の例としては、以下のものが包含さ
れる:アラニン、バリン、ロイシン、イソロイシン、プ
ロリン、フェニルアラニン、トリプトファン、メチオニ
ン、グリシン、セリン、スレオニン、システィン、チロ
シン、アスパラギン、グルタミン、アスパラギン酸、グ
ルタミン酸、リシン、アルギニン、ヒスチジン等である
。アミノ酸のような弱酸は塩として存在する可能性があ
ると理解さるべきである。この種に認められる厳密な性
質は、DHに依るものと思われる。
れる:アラニン、バリン、ロイシン、イソロイシン、プ
ロリン、フェニルアラニン、トリプトファン、メチオニ
ン、グリシン、セリン、スレオニン、システィン、チロ
シン、アスパラギン、グルタミン、アスパラギン酸、グ
ルタミン酸、リシン、アルギニン、ヒスチジン等である
。アミノ酸のような弱酸は塩として存在する可能性があ
ると理解さるべきである。この種に認められる厳密な性
質は、DHに依るものと思われる。
他に適した窒素含有配位子としては、ポリビニルピロリ
ジノン(pvp)、ポリアクリルアミド、および尿素の
エビクロロヒドリンとの重合体く以前と同様随意に置換
)等を含有する重合窒素含有化合物が挙げられる。「重
合体」という詔は、同種重合体と共重合体を包含する。
ジノン(pvp)、ポリアクリルアミド、および尿素の
エビクロロヒドリンとの重合体く以前と同様随意に置換
)等を含有する重合窒素含有化合物が挙げられる。「重
合体」という詔は、同種重合体と共重合体を包含する。
尿素(随意に置換される)とエビクロロヒドリンの重合
体は、アルカリ状態下で尿素とエビクロロヒドリンを一
緒に(例えば等モル比で、あるいは過剰モルのエビクロ
ロヒドリンを用いて)反応させることにより調製される
可能性がある。他の適当な重合窒素含有化合物には、エ
ビクロロヒドリンの反応産物や、イミダゾールのような
その他のアミンモノマーが包含される。
体は、アルカリ状態下で尿素とエビクロロヒドリンを一
緒に(例えば等モル比で、あるいは過剰モルのエビクロ
ロヒドリンを用いて)反応させることにより調製される
可能性がある。他の適当な重合窒素含有化合物には、エ
ビクロロヒドリンの反応産物や、イミダゾールのような
その他のアミンモノマーが包含される。
さらに好ましいのは、窒素含有配位子がグリシン、ジメ
チルアミン、アセトアミド、ホルムアミド、N、N−ジ
メチルホルムアミド、アセトニトリル、2−ヒドロキシ
ピリジン、2−アミノピリジン、2−メテルピリジン、
ピリジンあるいは亜硝酸塩であることである。最も好ま
しい窒素含有配位子は、尿素と1−12−13−および
4−N−(c1−04)アルキル直換尿素である。
チルアミン、アセトアミド、ホルムアミド、N、N−ジ
メチルホルムアミド、アセトニトリル、2−ヒドロキシ
ピリジン、2−アミノピリジン、2−メテルピリジン、
ピリジンあるいは亜硝酸塩であることである。最も好ま
しい窒素含有配位子は、尿素と1−12−13−および
4−N−(c1−04)アルキル直換尿素である。
該反応においては、A/B<= 1.5であるのが好ま
しいが、しかしく−0,5である可能性も、あるいは<
=0.2ということさえある。
しいが、しかしく−0,5である可能性も、あるいは<
=0.2ということさえある。
パラジウム錯体調製の出発点としては、塩酸に溶解され
た塩化パラジウムを使用するのが酋通である。このよう
な溶液は、矩形平面的イオンPdC1(四塩化パラジウ
ム塩)の形でパラジウムを含有する。四塩化パラジウム
塩の溶液がアルカリ性の場合、パラジウムは含水酸化物
PdO・n1120として沈澱する。その手順を過剰ア
ミンの存在下で反復すると、錯体Pd(アミン)2C1
2が形成される(高等黒磯化学、cottonと一11
kinson著、第4版、p、 905と911参照)
。尿素を、これも過剰に用いた場合は、黄色錯体Pd(
N112CON■2)2C1□が沈澱する。窒素原子を
通じて結合する尿素を有し[プラチナとパラジウムの化
学、F、 R,Hartlcy著、p、 183参照1
、重量で36%のパラジウムを含有すると考えられるこ
の錯体は、パラジウム電気めっき溶液の基礎として用い
られてきた[米国出願用3637474 ]。
た塩化パラジウムを使用するのが酋通である。このよう
な溶液は、矩形平面的イオンPdC1(四塩化パラジウ
ム塩)の形でパラジウムを含有する。四塩化パラジウム
塩の溶液がアルカリ性の場合、パラジウムは含水酸化物
PdO・n1120として沈澱する。その手順を過剰ア
ミンの存在下で反復すると、錯体Pd(アミン)2C1
2が形成される(高等黒磯化学、cottonと一11
kinson著、第4版、p、 905と911参照)
。尿素を、これも過剰に用いた場合は、黄色錯体Pd(
N112CON■2)2C1□が沈澱する。窒素原子を
通じて結合する尿素を有し[プラチナとパラジウムの化
学、F、 R,Hartlcy著、p、 183参照1
、重量で36%のパラジウムを含有すると考えられるこ
の錯体は、パラジウム電気めっき溶液の基礎として用い
られてきた[米国出願用3637474 ]。
この手順を、存在する尿素の極く少量のみを用いて反復
すると、異なる結果が得られる。
すると、異なる結果が得られる。
尿素:パラジウムのモル比が1=1で、黄色のPd (
NH2CONH2) 2C12が形成されない場合、予
測通り、過剰パラジウムがPdo・n1120として沈
澱することもない。その代わり、I)Hが4.5以上に
なると濃赤色となり、pH値が10以上では最終的に赤
橙色溶液となる。この溶液中では、尿素各分子は、パラ
ジウム1原子のみを結合するものと思われる。
NH2CONH2) 2C12が形成されない場合、予
測通り、過剰パラジウムがPdo・n1120として沈
澱することもない。その代わり、I)Hが4.5以上に
なると濃赤色となり、pH値が10以上では最終的に赤
橙色溶液となる。この溶液中では、尿素各分子は、パラ
ジウム1原子のみを結合するものと思われる。
該手順を、2.4あるいは8の因数で希釈した尿素濃度
を用いて反復しても、結果は同じである。
を用いて反復しても、結果は同じである。
パラジウムはすべて、赤橙色となった溶液中に残存する
。
。
尿素に対して同様に娠舞う窒素配位子には、C1−06
アルキルN−置換尿素、C2−C7アシルアミド、C1
−C6アルキル(1−または2−)置換C2−07アシ
ルアミド、C1−C6アルキルシアン化物、窒素が1つ
以上のアミノ基で随意に置換される芳香族(たとえばC
またはC1゜)環の一部を成す化合物、C1−C6アル
キル ヒドロキシまたはその他の置換体、グリシンのよ
うなアミノ酸、スルファミン酸、亜硝酸塩などが包含さ
れる。最も有効なく普通3価の)窒素配位子の間に存在
すると思われる共通論題は以下の通りである: 1、窒素原子は該配位子に隣接するかあるいはその一部
を形成するが、これはπ結合である。
アルキルN−置換尿素、C2−C7アシルアミド、C1
−C6アルキル(1−または2−)置換C2−07アシ
ルアミド、C1−C6アルキルシアン化物、窒素が1つ
以上のアミノ基で随意に置換される芳香族(たとえばC
またはC1゜)環の一部を成す化合物、C1−C6アル
キル ヒドロキシまたはその他の置換体、グリシンのよ
うなアミノ酸、スルファミン酸、亜硝酸塩などが包含さ
れる。最も有効なく普通3価の)窒素配位子の間に存在
すると思われる共通論題は以下の通りである: 1、窒素原子は該配位子に隣接するかあるいはその一部
を形成するが、これはπ結合である。
2、窒素含有配位子形成様は、十分に可溶性であるゆえ
に有効となる低モル比錯体を生じる。
に有効となる低モル比錯体を生じる。
3、窒素含有配位子は、パラジウムイオンを元素パラジ
ウムに還元しないにちがいない。
ウムに還元しないにちがいない。
π結合窒素含有配位子は、π反結合が生じ、したがって
それがパラジウム錯体を安定化することができるように
する可能性がある。
それがパラジウム錯体を安定化することができるように
する可能性がある。
本発明が、これらの理論、あるいは恐らく観察された結
果に関する説明にも、限定されるものではないことに留
意すべきである。
果に関する説明にも、限定されるものではないことに留
意すべきである。
低モル比窒素含有配位子パラジウム錯体は明らかに全く
安定していて、PdL2X2 (L=窒素配位子;X
=ハロゲン)のような種類より触媒的に活性が高いと思
われる。余りに多くこのような種類のものが存在すると
、その溶液の触媒的作用が失われがちになると考えられ
る。
安定していて、PdL2X2 (L=窒素配位子;X
=ハロゲン)のような種類より触媒的に活性が高いと思
われる。余りに多くこのような種類のものが存在すると
、その溶液の触媒的作用が失われがちになると考えられ
る。
したがって、第一の態様によれば、錯体は概して、パラ
ジウム原子対窒素含有配位子の比がX/Y<1であるよ
うな錯体、および(または)パラジウム原子を1個だけ
含有する錯体を実質的に含まない。「実質的に含まない
」ということは、中量で50%、40%、30%、20
%、10%あるいは5%以下でさえある単一パラジウム
原子含有錯体と関連していることを意味する。
ジウム原子対窒素含有配位子の比がX/Y<1であるよ
うな錯体、および(または)パラジウム原子を1個だけ
含有する錯体を実質的に含まない。「実質的に含まない
」ということは、中量で50%、40%、30%、20
%、10%あるいは5%以下でさえある単一パラジウム
原子含有錯体と関連していることを意味する。
本発明の第一の態様によれば、錯体は、Aモルの窒素含
有配位子形成様をBモルのパラジウム化合物と反応させ
て調製される可能性がある。ここで、0116以上で、
A/B<=4である。この工程は、本発明の第二の態様
を形成する。
有配位子形成様をBモルのパラジウム化合物と反応させ
て調製される可能性がある。ここで、0116以上で、
A/B<=4である。この工程は、本発明の第二の態様
を形成する。
ハロゲン化パラジウムや窒素含有配位子形成様のような
パラジウム化合物は、商業的に得られるかあるいは好適
に合成される可能性もある。
パラジウム化合物は、商業的に得られるかあるいは好適
に合成される可能性もある。
該錯体調製工程は、少くとも数例の実施例においては本
質的に簡単である。パラジウム源としては、例えば塩化
パラジウムまたは硝酸パラジウムといったパラジウム塩
が考えられる。パラジウム塩を少量の塩酸、臭化水素酸
またはヨウ化水素酸に溶解し、次いで水で希釈する。5
グラム/リツトルまでのパラジウムを含有する可能性の
あるこの希釈液に、パラジウムのモル最の4倍までの量
の窒素含有配位子形成様が添加された。二者択一的に、
該パラジウム塩はハロゲン化物を含有しない溶液中に存
在できる。
質的に簡単である。パラジウム源としては、例えば塩化
パラジウムまたは硝酸パラジウムといったパラジウム塩
が考えられる。パラジウム塩を少量の塩酸、臭化水素酸
またはヨウ化水素酸に溶解し、次いで水で希釈する。5
グラム/リツトルまでのパラジウムを含有する可能性の
あるこの希釈液に、パラジウムのモル最の4倍までの量
の窒素含有配位子形成様が添加された。二者択一的に、
該パラジウム塩はハロゲン化物を含有しない溶液中に存
在できる。
該窒素含有配位子形成様を溶解するとすぐに該溶液を撹
拌し、例えば水酸化ナトリウムや水酸化カリウムのよう
なアルキル金属の水酸化物か、もしくは四級アンモニウ
ム水酸化物N+R1R2RR(ここで、R−Rは、たと
えばC1−06アルキルまたはアリル基のように、全て
アルキルである)を添加することにより、漸次アルカリ
性とした。該混合液のpHが約4.5に達するとすぐに
、該溶液は、通常暗赤色に色が変わるが、これは錯体の
形成を示している。水酸化物添加は、好ましくは6以上
である望ましい最終値まで持続される。
拌し、例えば水酸化ナトリウムや水酸化カリウムのよう
なアルキル金属の水酸化物か、もしくは四級アンモニウ
ム水酸化物N+R1R2RR(ここで、R−Rは、たと
えばC1−06アルキルまたはアリル基のように、全て
アルキルである)を添加することにより、漸次アルカリ
性とした。該混合液のpHが約4.5に達するとすぐに
、該溶液は、通常暗赤色に色が変わるが、これは錯体の
形成を示している。水酸化物添加は、好ましくは6以上
である望ましい最終値まで持続される。
パラジウム錯体産生の二者択−的且つ好ましい方法は、
一般に酸性状態下でパラジウム源を前溶解し、これに窒
素含有配位子形成様を添加し、次いてこの混合液を、撹
拌しながら希釈水酸化アルキル溶液に添加することであ
る。この手順により、一 一般的に、パラダイト(PdO)アニオンを含有すると
確信される黄色溶液が生じる。この溶液を、例えば60
℃−80℃で1−3時間加熱すると赤橙色を発し、溶液
中に錯体を生じる。(これが真の溶液であるのか、微細
なコロイドであるかは分からない。)窒素含有配位子形
成様が、加熱の初期段階に先立つ、あるいはそれほど好
ましくはないが初期段階中の、いかなる時機にも添加可
能である、ということは留意する必要がある。
一般に酸性状態下でパラジウム源を前溶解し、これに窒
素含有配位子形成様を添加し、次いてこの混合液を、撹
拌しながら希釈水酸化アルキル溶液に添加することであ
る。この手順により、一 一般的に、パラダイト(PdO)アニオンを含有すると
確信される黄色溶液が生じる。この溶液を、例えば60
℃−80℃で1−3時間加熱すると赤橙色を発し、溶液
中に錯体を生じる。(これが真の溶液であるのか、微細
なコロイドであるかは分からない。)窒素含有配位子形
成様が、加熱の初期段階に先立つ、あるいはそれほど好
ましくはないが初期段階中の、いかなる時機にも添加可
能である、ということは留意する必要がある。
本発明の第三の態様によれば、組成物は、通常水性であ
り、第一の態様による錯体もしくはこのような錯体の水
溶液を、水性アルカリのような水性1)H調節溶液と混
ぜ合わせることにより調製できる。
り、第一の態様による錯体もしくはこのような錯体の水
溶液を、水性アルカリのような水性1)H調節溶液と混
ぜ合わせることにより調製できる。
該組成物は非常に低濃度のパラジウム、窒素含有配位子
、水酸化物等を含有することがあるため、緩衝液を混合
することは有益であるかもしれない。
、水酸化物等を含有することがあるため、緩衝液を混合
することは有益であるかもしれない。
その緩衝液を、濃縮、作用溶液か、あるいはその両方に
、使用時のpH安定化のために混合することがある。適
当緩衝液は、望ましいpHに依り選択されるが、しかし
炭酸、リン酸、ホウ酸およびフタール酸イオンを包含す
る可能性がある。
、使用時のpH安定化のために混合することがある。適
当緩衝液は、望ましいpHに依り選択されるが、しかし
炭酸、リン酸、ホウ酸およびフタール酸イオンを包含す
る可能性がある。
該11衝液は、0.19/Jlから飽和までの濃度であ
る可能性がある。好ましくは、該緩衝液は1.0−50
(j/jの濃度で、さらに好ましくは5−10g/lの
濃度で供給する。
る可能性がある。好ましくは、該緩衝液は1.0−50
(j/jの濃度で、さらに好ましくは5−10g/lの
濃度で供給する。
錯体は、大多数の事例において、アルカリ状態下で感作
物質として用いられると思われるので、キレ−1〜化剤
を混合することは有益である。これは、カルシウム、マ
グネシウム、マンガンあるいは銅といった金属で感作物
質を汚染するようになるにちがいない不溶性金属の水酸
化物の沈澱を防止する可能性がある。適当なキレート化
剤には、EDTA、グルコン酸塩、グレコヘブトン酸塩
ならびにその同類物が包含される。該キレート化剤は、
好ましくは0.1から5097fJ、ざらに好ましくは
約59/ρの濃度で供給される。
物質として用いられると思われるので、キレ−1〜化剤
を混合することは有益である。これは、カルシウム、マ
グネシウム、マンガンあるいは銅といった金属で感作物
質を汚染するようになるにちがいない不溶性金属の水酸
化物の沈澱を防止する可能性がある。適当なキレート化
剤には、EDTA、グルコン酸塩、グレコヘブトン酸塩
ならびにその同類物が包含される。該キレート化剤は、
好ましくは0.1から5097fJ、ざらに好ましくは
約59/ρの濃度で供給される。
該組成物のpHは、通常、アルカリ性つまり7以上であ
る。9−14、殊に12−13のpHが好ましい。
る。9−14、殊に12−13のpHが好ましい。
銅被覆プリント回路基板を上記の通り水性組成物により
処理する場合には、最終pHは、銅表面に生じる液浸パ
ラジウム沈着を防止するため10以上である必要がある
。該手順中に沈澱物、殊に暗赤色または橙色沈澱物が形
成された場合、これは、パラジウム濃度を低下させるか
あるいは窒素含有化合物対パラジウムのモル比を低減す
ることにより、該水酸化物添加と同時に窒素含有化合物
を添加することにより、初期水酸化物濃度を低減するこ
とにより、あるいは該成分混合中により迅速に撹拌する
ことによって、避けることができる。
処理する場合には、最終pHは、銅表面に生じる液浸パ
ラジウム沈着を防止するため10以上である必要がある
。該手順中に沈澱物、殊に暗赤色または橙色沈澱物が形
成された場合、これは、パラジウム濃度を低下させるか
あるいは窒素含有化合物対パラジウムのモル比を低減す
ることにより、該水酸化物添加と同時に窒素含有化合物
を添加することにより、初期水酸化物濃度を低減するこ
とにより、あるいは該成分混合中により迅速に撹拌する
ことによって、避けることができる。
上記手順は、0.1−0.001シ/fJの範囲の濃度
でのパラジウム錯体の作用溶液を調製するために、ある
いは使用に先立って希釈され可能性のあるさらに濃縮さ
れた溶液を調製するために、用いられる。
でのパラジウム錯体の作用溶液を調製するために、ある
いは使用に先立って希釈され可能性のあるさらに濃縮さ
れた溶液を調製するために、用いられる。
該作用組成物中のパラジウム濃度は、0.02’j/f
J −0,3g/J 1さらに好ましくは0.05 g
/fJ −0,15g/fJであることが好ましい。
J −0,3g/J 1さらに好ましくは0.05 g
/fJ −0,15g/fJであることが好ましい。
本発明の第四の態様によれば、ある金属の無電解析出に
対する触媒活性を該基板に付与する方法を提供し、該方
法は、基板の少くとも一部表面を、本発明の第一または
第三の態様による錯体または組成物と接触させる工程か
ら成る。
対する触媒活性を該基板に付与する方法を提供し、該方
法は、基板の少くとも一部表面を、本発明の第一または
第三の態様による錯体または組成物と接触させる工程か
ら成る。
該表面を予めコンディショニングしておくのが好ましく
、すなわち、四級アンモニウム湿潤剤のような陽イオン
湿潤剤と接触させるのが好ましい。
、すなわち、四級アンモニウム湿潤剤のような陽イオン
湿潤剤と接触させるのが好ましい。
該四級湿潤剤の目的は、積層板表面、触媒に対して受は
入れ易くするためのものであり、銅の析出に対する触媒
活性を表面に付与させるのが目的である。この四級湿潤
剤は、次の一般式(I)にて表わされる四級アンモニウ
ム湿潤剤であることができる: “42“n− R−N”−Ro X (I) 式中、R、R、RおよびR4のそれぞれは独立にC−C
2o好ましくはC1−8アルキル基、CもしくはC1o
アリール基またはC7−03oアリールアルキルもしく
はアルキルアリール基を示し、それぞれ任意に一つのl
−0R1−NHRR(こしでRおよびR6のそれぞれは
独立に水素原子またはC−C好ましくはC1−87ルキ
ル基を示す)により置換されてもよい。さらにxo−は
酸性度n(nは一般的に1−4の整数。
入れ易くするためのものであり、銅の析出に対する触媒
活性を表面に付与させるのが目的である。この四級湿潤
剤は、次の一般式(I)にて表わされる四級アンモニウ
ム湿潤剤であることができる: “42“n− R−N”−Ro X (I) 式中、R、R、RおよびR4のそれぞれは独立にC−C
2o好ましくはC1−8アルキル基、CもしくはC1o
アリール基またはC7−03oアリールアルキルもしく
はアルキルアリール基を示し、それぞれ任意に一つのl
−0R1−NHRR(こしでRおよびR6のそれぞれは
独立に水素原子またはC−C好ましくはC1−87ルキ
ル基を示す)により置換されてもよい。さらにxo−は
酸性度n(nは一般的に1−4の整数。
好ましくは1である)の相容性アニオンを示す。
一般に、四級アンモニウムカチオン上への置換基は、こ
のカチオンがこの溶液中に十分に可溶性であるか、さも
なければ相容性になるように選択する。R、R、R3お
よびR4の少なくとも2つは、C−C4アルキル基また
は置換アルキル基、特にメチル、エチルまたはプロピル
基を表りすのが好ましい。しかしまた、R、R、Rおよ
びR4の少なくとも1つは上記のように置換されたもの
で、且つR5とR6の少なくとも1つはステアリルのよ
うなC−C2oのアルキル基を表わすのが好ましい。
のカチオンがこの溶液中に十分に可溶性であるか、さも
なければ相容性になるように選択する。R、R、R3お
よびR4の少なくとも2つは、C−C4アルキル基また
は置換アルキル基、特にメチル、エチルまたはプロピル
基を表りすのが好ましい。しかしまた、R、R、Rおよ
びR4の少なくとも1つは上記のように置換されたもの
で、且つR5とR6の少なくとも1つはステアリルのよ
うなC−C2oのアルキル基を表わすのが好ましい。
好ましいカチオンには、ステアリルアミドプロピルジメ
チル−2−ヒドロキシエチルアンモニウムおよびオキシ
エチルアルキルアンモニウムが包含される。ステアリル
アミドプロピルジメチル−2−ヒドロキシエチルアンモ
ニウム燐酸塩は、チバーカイギ−(ciba−Geig
V)社から商品名[CYASTAT−3P]として市販
されている。
チル−2−ヒドロキシエチルアンモニウムおよびオキシ
エチルアルキルアンモニウムが包含される。ステアリル
アミドプロピルジメチル−2−ヒドロキシエチルアンモ
ニウム燐酸塩は、チバーカイギ−(ciba−Geig
V)社から商品名[CYASTAT−3P]として市販
されている。
カチオンはセチルピリジニウムのようなC1−〇2oア
ルキルピリジニウム基であってもよい。このカチオンは
、イミダゾリニウム カチオンもしくはイミダゾリニウ
ムポリマ一種のようなポリマーの反復部分であってもよ
い。
ルキルピリジニウム基であってもよい。このカチオンは
、イミダゾリニウム カチオンもしくはイミダゾリニウ
ムポリマ一種のようなポリマーの反復部分であってもよ
い。
アニオンは一般に、この溶液中に十分可溶性であるか、
さもなければ相容性であるように選択する。このものは
塩素イオン、臭素イオンのようなハロゲンイオン、また
は硝酸イオン、リン酸イオン、硫酸イオン、酸性リン酸
イオン、または二煎性リン酸イオンである可能性がある
。好ましいアニオンは硝酸イオンおよび二煎性リン酸イ
オンである。
さもなければ相容性であるように選択する。このものは
塩素イオン、臭素イオンのようなハロゲンイオン、また
は硝酸イオン、リン酸イオン、硫酸イオン、酸性リン酸
イオン、または二煎性リン酸イオンである可能性がある
。好ましいアニオンは硝酸イオンおよび二煎性リン酸イ
オンである。
湿潤剤の■は0.1−10g/fJ 、典型的には0.
5−5g/ρ、例えば1−3g/41である。
5−5g/ρ、例えば1−3g/41である。
このコンディショニング水溶液はまた錯化剤を含有する
のが好ましく、このものの機能は酸化物を除去して表面
を清浄にすることにある。錯化剤は一般にはアミンまた
はアミン誘導体である。好適な錯化剤には可溶性アミン
、アルカノールアミン(特にモノエタノールアミン、ジ
ェタノールアミン、トリエタノールアミンのようなC−
C6ア ルカノールアミン ロキシカルボン酸およびアミン燐酸等が包含される。か
かる錯化剤の使用により改良された結果が得られるが、
中でも可溶性アミンカルボン酸が好ましい。テトラエチ
レンペンタミンもまた使用できる。もし錯化剤を含む組
成物が室温以上で使用される際には錯化剤は非揮発性の
ものでなければならない、ということに、概して、留意
すべきである。
のが好ましく、このものの機能は酸化物を除去して表面
を清浄にすることにある。錯化剤は一般にはアミンまた
はアミン誘導体である。好適な錯化剤には可溶性アミン
、アルカノールアミン(特にモノエタノールアミン、ジ
ェタノールアミン、トリエタノールアミンのようなC−
C6ア ルカノールアミン ロキシカルボン酸およびアミン燐酸等が包含される。か
かる錯化剤の使用により改良された結果が得られるが、
中でも可溶性アミンカルボン酸が好ましい。テトラエチ
レンペンタミンもまた使用できる。もし錯化剤を含む組
成物が室温以上で使用される際には錯化剤は非揮発性の
ものでなければならない、ということに、概して、留意
すべきである。
錯化剤の使用mは1−50g/fJ、典型的には5−3
0g/ρ、例えば10−207/Jlである。
0g/ρ、例えば10−207/Jlである。
このコンディショニング溶液の好ましい他の成分は非イ
オン性界面活性剤である。相容性且つ好適非イオン性界
面活性剤の例としては、例えば約12モルのエチレンオ
キシドを含有するエトキシル化ノニルフェノールのよう
なエトキシル化直鎖アルキルエーテルがある。
オン性界面活性剤である。相容性且つ好適非イオン性界
面活性剤の例としては、例えば約12モルのエチレンオ
キシドを含有するエトキシル化ノニルフェノールのよう
なエトキシル化直鎖アルキルエーテルがある。
非イオン性界面活性剤は一般に湿潤剤として作用し、水
ブレーク自由表面を提供する。
ブレーク自由表面を提供する。
非イオン性界面活性剤の使用量は、0.1−20g/J
、典型的には0.5− 5グ/g1例えば1−39/f
Jである。
、典型的には0.5− 5グ/g1例えば1−39/f
Jである。
コンディショニング溶液のpHは必ずしも限定的ではな
いが、1−14の範囲、好ましくは7以下の酸性条件下
で好ましい結果を与える。
いが、1−14の範囲、好ましくは7以下の酸性条件下
で好ましい結果を与える。
本発明の第五の態様によれば、基板(このものは一般に
少なくとも一部非伝導性である)上に金属を析出する方
法が提供され、該方法は、第四の態様による方法により
金属の無電解析出に対する触媒活性を基板(またはその
一部)に付与させ、次に無電解析出工程によりそのよう
に触媒された基板上に金属を析出することから成ってい
る。
少なくとも一部非伝導性である)上に金属を析出する方
法が提供され、該方法は、第四の態様による方法により
金属の無電解析出に対する触媒活性を基板(またはその
一部)に付与させ、次に無電解析出工程によりそのよう
に触媒された基板上に金属を析出することから成ってい
る。
第四および第五の態様による方法は、電子産業型プリン
ト回路基板の製造において特に応用されている。
ト回路基板の製造において特に応用されている。
したがって、本発明の第四および第五の態様は、プリン
ト回路基板の製造において基板を処理するというような
、基板上への金属(銅、ニッケルまたは金のような)の
無電解析出に関する工程で使用され、該工程は以下の段
階から成る:(a ) ’S板を清浄および(または)
コンディショニングし、その後水で濯ぐ。
ト回路基板の製造において基板を処理するというような
、基板上への金属(銅、ニッケルまたは金のような)の
無電解析出に関する工程で使用され、該工程は以下の段
階から成る:(a ) ’S板を清浄および(または)
コンディショニングし、その後水で濯ぐ。
(b)W板上に随意に銅をエツチングし、その後水で濯
ぐ。
ぐ。
(c)該基板を本発明の第一の態様の錯体と、もしくは
本発明の第三の態様の錯体と接触させる。
本発明の第三の態様の錯体と接触させる。
(d)随意に水で濯ぐ。
(e)該基板を還元剤組成物と接触させ、随意に水で濯
ぐ。
ぐ。
(f)該基板を無電解めっきする。
じみや汚れ、望ましくない銅酸化物析出物等を除去する
ための該基板の清浄は、EDTA、酒石酸塩、クエン酸
塩、ニトリロ三酢酸、グルコン酸塩、N−エタノールア
ミン、HEDTA等のような同コンブレクソールを用い
て行なうことができる。段階(a)が清浄のみから成る
場合、コンディショニングは段階(b)の後および段階
(c)の前まで持ち越される。任意の変量「前浸液」が
、感作物質を防止するために段階(c)の直前に包含さ
れる場合、例えば硬水塩で過度に汚染されるようになる
。酸性もしくはアルカリ性である前浸液は、金属イオン
錯体を含有することもあり、または単に蒸着水である可
能性もある。
ための該基板の清浄は、EDTA、酒石酸塩、クエン酸
塩、ニトリロ三酢酸、グルコン酸塩、N−エタノールア
ミン、HEDTA等のような同コンブレクソールを用い
て行なうことができる。段階(a)が清浄のみから成る
場合、コンディショニングは段階(b)の後および段階
(c)の前まで持ち越される。任意の変量「前浸液」が
、感作物質を防止するために段階(c)の直前に包含さ
れる場合、例えば硬水塩で過度に汚染されるようになる
。酸性もしくはアルカリ性である前浸液は、金属イオン
錯体を含有することもあり、または単に蒸着水である可
能性もある。
その還元溶液は、該基板の表面に残存する触媒金属錯体
を元素金属に還元可能な化合物を少なくとも1つは含有
する。該還元剤は、好ましくはジメチルアミン−ボラン
錯体、アルカリ金属ボロヒドライド(例えば水素化ホウ
素ナトリウム)またはヒドラジン等であり、この還元剤
の使用量は0.1−100g/ρであるのが好ましく、
さらに好ましくは、約10g、lである。その還元剤組
成物は水性且つアルカリ性であり、そのものは、例えば
約10g/ρの量で水酸化ナトリウムを含有することが
できる。
を元素金属に還元可能な化合物を少なくとも1つは含有
する。該還元剤は、好ましくはジメチルアミン−ボラン
錯体、アルカリ金属ボロヒドライド(例えば水素化ホウ
素ナトリウム)またはヒドラジン等であり、この還元剤
の使用量は0.1−100g/ρであるのが好ましく、
さらに好ましくは、約10g、lである。その還元剤組
成物は水性且つアルカリ性であり、そのものは、例えば
約10g/ρの量で水酸化ナトリウムを含有することが
できる。
全体的に非伝導性の基板(これは、プレート析出物をし
つかり付着させるために予めエツチングを要する)かも
しくは穿孔銅被覆プリント回路基板(これは多層プリン
ト回路基板であるか、また(または)グラスエツチング
してもしくはせずに孔樹脂処理またはエッチバック工程
において前処理された)のような混合基板の無電解めっ
きに関する典型的処理順序は以下の通りである:機能
時間 例1、 清浄/コンデ
イション 3−5分 CIRCLJITPREP
1017濯ぎ(水) 1分
−2、銅エツチング 1.3分 100
9/、11過liI!1酸ナトリウム+(銅被覆基板に
対してのみ) 20d/jM濯ぎ(水)
1分 −3、パラジウム感作物
質 2−6分 実施例参照濯ぎ(水)
1分 −4、還元剤
2−6分 アルカリ性水素化ホウ素ナトリウム濯ぎ
(水) 1分 −5、無電解め
っき 必要に CIRCUITPREP
5540応じ1 無電解銅 「cIRcUITPREP J ハ商品名である。
つかり付着させるために予めエツチングを要する)かも
しくは穿孔銅被覆プリント回路基板(これは多層プリン
ト回路基板であるか、また(または)グラスエツチング
してもしくはせずに孔樹脂処理またはエッチバック工程
において前処理された)のような混合基板の無電解めっ
きに関する典型的処理順序は以下の通りである:機能
時間 例1、 清浄/コンデ
イション 3−5分 CIRCLJITPREP
1017濯ぎ(水) 1分
−2、銅エツチング 1.3分 100
9/、11過liI!1酸ナトリウム+(銅被覆基板に
対してのみ) 20d/jM濯ぎ(水)
1分 −3、パラジウム感作物
質 2−6分 実施例参照濯ぎ(水)
1分 −4、還元剤
2−6分 アルカリ性水素化ホウ素ナトリウム濯ぎ
(水) 1分 −5、無電解め
っき 必要に CIRCUITPREP
5540応じ1 無電解銅 「cIRcUITPREP J ハ商品名である。
パラジウム感作物質を含む処理段階すべてにおける該基
板撹乱抑止が容易であるのは有益で、溶液運動(例えば
空気撹乱によるかもしくはポンプを用いて)によるかま
たは基板運動によるか、あるいは好適である場合は両方
によりve¥!を及ぼすことができる。
板撹乱抑止が容易であるのは有益で、溶液運動(例えば
空気撹乱によるかもしくはポンプを用いて)によるかま
たは基板運動によるか、あるいは好適である場合は両方
によりve¥!を及ぼすことができる。
感作物質の作用は、無電解析出物の適用範囲を可視的に
観察することにより確かめられる。大半の基板上では、
ミスブレーティングの全領域を容易に観察できる。
観察することにより確かめられる。大半の基板上では、
ミスブレーティングの全領域を容易に観察できる。
しかしながら、プリント回路基板のすべての穿孔のめつ
きに際しては、そのものは、例えば本来重要なものであ
る銅に関する孔壁の適用範囲である。この場合、達成さ
れる適用範囲の程度を確かめるためにrバックライト検
査」を用いる。めっき後、選択された2−3個の孔を縦
方向に切断して、約50%の孔壁を残す。次いでこの標
本を顕微鏡上に並べ、上方右アングルから観察するが、
強力な光を標本に直接当てておく。通常、回路基板を製
造する非伝導性基板は、一般に非常に良好な光伝達体で
ある。穿孔壁土の銅析出物におけるいかなる非連続性も
、光伝達を妨げず、明域として目立つ。この方法で、小
ピンホールから大空隙までのミスブレーティング域を観
察できる。
きに際しては、そのものは、例えば本来重要なものであ
る銅に関する孔壁の適用範囲である。この場合、達成さ
れる適用範囲の程度を確かめるためにrバックライト検
査」を用いる。めっき後、選択された2−3個の孔を縦
方向に切断して、約50%の孔壁を残す。次いでこの標
本を顕微鏡上に並べ、上方右アングルから観察するが、
強力な光を標本に直接当てておく。通常、回路基板を製
造する非伝導性基板は、一般に非常に良好な光伝達体で
ある。穿孔壁土の銅析出物におけるいかなる非連続性も
、光伝達を妨げず、明域として目立つ。この方法で、小
ピンホールから大空隙までのミスブレーティング域を観
察できる。
無電解析出物は、一般に、触媒金属が以前析出された場
所に形成されるのみであるので、他のパラメータが依然
として変化しなければ、バックライト検査の結果は接触
処理の作用を反映していることになる。バックライト検
査の結果は、以下のように等級分けできる: A÷ 完全 A 3ピンホ一ル未満 優良B 6ビンホ
一ル未満 可 C空隙5%未満 不可 D 空隙15%未満 不可E 空隙1
5%以下 不可全体の比率、すなわちA+
またはA/B等を求めるために、少なくとも5個の孔の
結果を平均した。
所に形成されるのみであるので、他のパラメータが依然
として変化しなければ、バックライト検査の結果は接触
処理の作用を反映していることになる。バックライト検
査の結果は、以下のように等級分けできる: A÷ 完全 A 3ピンホ一ル未満 優良B 6ビンホ
一ル未満 可 C空隙5%未満 不可 D 空隙15%未満 不可E 空隙1
5%以下 不可全体の比率、すなわちA+
またはA/B等を求めるために、少なくとも5個の孔の
結果を平均した。
プリント回路基板の全孔のブレーティングにおいて、本
発明による感作物質組成物は、20fr#9/ 、Qと
いう低パラジウム濃度で、等級A+を示すことが分かっ
ている。これは、100−300Itg/Nという非常
に高い範囲内のパラジウム1m度で働くスス−パラジウ
ム系の作用に比して顕著である。この2つの系の差異は
、無電解銅処理において空隙を完全に無くすようブレー
ティングするのは非常に離しいため、汚れを除去したま
たはエッヂバック処理した回路基板を処理する場合にさ
らに明白である。
発明による感作物質組成物は、20fr#9/ 、Qと
いう低パラジウム濃度で、等級A+を示すことが分かっ
ている。これは、100−300Itg/Nという非常
に高い範囲内のパラジウム1m度で働くスス−パラジウ
ム系の作用に比して顕著である。この2つの系の差異は
、無電解銅処理において空隙を完全に無くすようブレー
ティングするのは非常に離しいため、汚れを除去したま
たはエッヂバック処理した回路基板を処理する場合にさ
らに明白である。
感作物質段階と還元剤段階の間に濯ぎが行われる場合で
さえ、これらの感作物質組成物が低パラジウム濃度で特
に有効である理由は、明らかではないが、以下の事項に
よるのではないかと考えられる: 1、この種のものは、錯化剤として尿素を用いる場合、
44%以上の高パーセンテージのパラジウムを含有する
。
さえ、これらの感作物質組成物が低パラジウム濃度で特
に有効である理由は、明らかではないが、以下の事項に
よるのではないかと考えられる: 1、この種のものは、錯化剤として尿素を用いる場合、
44%以上の高パーセンテージのパラジウムを含有する
。
2、濯ぎ段階において、この種のものは加水分解されて
不溶性となり、したがって該基板表面に残存する可能性
がある。(これは、スズ−1塩化物が加水分解され、し
たがって不溶性スズ水酸化物に陥入した表面にパラジウ
ムを保持するスズ−パラジウム触媒の事例で生じる)。
不溶性となり、したがって該基板表面に残存する可能性
がある。(これは、スズ−1塩化物が加水分解され、し
たがって不溶性スズ水酸化物に陥入した表面にパラジウ
ムを保持するスズ−パラジウム触媒の事例で生じる)。
3、加水分解されようとされまいと、この種のものは容
易にパラジウム元素に還元される。
易にパラジウム元素に還元される。
しかしながら、本発明が考えられるこれらの説明に限定
されるものではない、ということは了解すべきである。
されるものではない、ということは了解すべきである。
本発明は、ここでは実施例を通して述べるに留める。
実施例1
塩化パラジウム1.67 g(0,0095モル)を6
dの濃塩酸を含有する水30m12に溶解し、50℃に
加熱し、撹拌して、透明黄褐色液を得た。この溶液を1
リツトルに希釈し、次いで尿素0,6g< o、oi
モル)を添加、溶解した。該溶液を、固定水酸化ナトリ
ウムを漸次添加してアルカリ性とした。pHが4.5以
上になると、その溶液は暗赤色に変わった。l)Hが1
2になった時に水酸化ナトリウム添加を中止したが、こ
の時点での溶液は、透明なままではあったが橙赤色に変
化した。1g/ρのパラジウムを含有する該溶液50d
を蒸着水で500Idに希釈した結果、10100rI
/Jのパラジウムが含有されることとなった。次いでこ
れは10℃に加熱され、該溶液は濃暗赤色となった。錯
体中のパラジウム対尿素のモル比は1:1であった。こ
の溶液は、直径1#ll1Iの孔を予め穿孔した0、5
6mピースの2面銅被覆エポキシガラス積層板を無電解
銅析出物でめっきするため、その後の処理における感作
物質として用いられた。
dの濃塩酸を含有する水30m12に溶解し、50℃に
加熱し、撹拌して、透明黄褐色液を得た。この溶液を1
リツトルに希釈し、次いで尿素0,6g< o、oi
モル)を添加、溶解した。該溶液を、固定水酸化ナトリ
ウムを漸次添加してアルカリ性とした。pHが4.5以
上になると、その溶液は暗赤色に変わった。l)Hが1
2になった時に水酸化ナトリウム添加を中止したが、こ
の時点での溶液は、透明なままではあったが橙赤色に変
化した。1g/ρのパラジウムを含有する該溶液50d
を蒸着水で500Idに希釈した結果、10100rI
/Jのパラジウムが含有されることとなった。次いでこ
れは10℃に加熱され、該溶液は濃暗赤色となった。錯
体中のパラジウム対尿素のモル比は1:1であった。こ
の溶液は、直径1#ll1Iの孔を予め穿孔した0、5
6mピースの2面銅被覆エポキシガラス積層板を無電解
銅析出物でめっきするため、その後の処理における感作
物質として用いられた。
段階 処理 時間 T’CI
CIRCUITPItEP 1017クリーナー/コ
ンデイシヨナー 5分 60℃2 濯ぎ(水) 100g/41過硫酸ナトリウム 1分 室温3 2
0d/ρ硫酸 2分4 濯ぎ(
水) 1分5 感作物質(100
■/J)Pd) 5分6 濯ぎ(水) 10!l?/N水酸化ホウ素ナトリウム1分 室温7
10g/j水酸化ナトリウム 4分8 濯ぎ(水
) CIRCUITPREP 5540 1
分9 無電解銅 30分 40℃
(2−2,5ミクロン析出) (cIRCUITPREPは商品名である)バックライ
ト検定では、孔中の銅適用範囲は等級A+であった。
CIRCUITPItEP 1017クリーナー/コ
ンデイシヨナー 5分 60℃2 濯ぎ(水) 100g/41過硫酸ナトリウム 1分 室温3 2
0d/ρ硫酸 2分4 濯ぎ(
水) 1分5 感作物質(100
■/J)Pd) 5分6 濯ぎ(水) 10!l?/N水酸化ホウ素ナトリウム1分 室温7
10g/j水酸化ナトリウム 4分8 濯ぎ(水
) CIRCUITPREP 5540 1
分9 無電解銅 30分 40℃
(2−2,5ミクロン析出) (cIRCUITPREPは商品名である)バックライ
ト検定では、孔中の銅適用範囲は等級A+であった。
実施例2(A比較例)
尿素の添加以外は、実施例1の手順に従った。
pHl1が上がると、パラジウムは明褐色固体として沈
澱した。上澄液の酵素活性は調査しなかった。
澱した。上澄液の酵素活性は調査しなかった。
実施例3
塩化パラジウム0.835g(0,0047モ/lz>
ヲ、2dの濃塩酸を含有する水10d中に溶解して5
0℃に加熱した。この溶液を500mに希釈し、尿素0
.15 g (0,0025モル)を添加、溶解した。
ヲ、2dの濃塩酸を含有する水10d中に溶解して5
0℃に加熱した。この溶液を500mに希釈し、尿素0
.15 g (0,0025モル)を添加、溶解した。
めっき試験のためのpH調節、希釈、およびめっき試験
手順は実施例1と同様であった。バックライト検定では
、該孔中の銅適用範囲は等級△+/Aであった。
手順は実施例1と同様であった。バックライト検定では
、該孔中の銅適用範囲は等級△+/Aであった。
実施例4
塩化パラジウム0.1674? (0,00095モル
)を2dのn塩酸を含有する水107中に溶解した。こ
の溶液を1リツトルとし、0.0457のジメチルアミ
ン(0,00098モル)を添加した。pHは、固体水
酸化ナトリウムを順次添加して11.5まで上げた。
)を2dのn塩酸を含有する水107中に溶解した。こ
の溶液を1リツトルとし、0.0457のジメチルアミ
ン(0,00098モル)を添加した。pHは、固体水
酸化ナトリウムを順次添加して11.5まで上げた。
1100Irt/ρのパラジウムを含むこの溶液は、実
施例1で示された手順を用いて、感作物質として検査さ
れた。バックライト検定では、孔中調速用範囲は等級A
+であった。
施例1で示された手順を用いて、感作物質として検査さ
れた。バックライト検定では、孔中調速用範囲は等級A
+であった。
実施例5
尿素の代わりにアセトアミド0.39 (0,005モ
ル)を用いた以外は、実施例3の手順に従った。
ル)を用いた以外は、実施例3の手順に従った。
バックライト検定において、孔中調速用範囲は等級A+
であった。
であった。
実施例6
塩化パラジウム109 (0,057モル)を25ae
の濃縮塩酸に溶解し、蒸留水で100−に希釈した。上
記溶液4.17 d (0,0024モル)を、250
mに希釈し、1g/fJパラジウム溶液とした。グリシ
ン0.188g(0,0025モル)を、撹拌しながら
添加した。固体水酸化ナトリウムを漸次添加して、pH
を12に上げた。生じた該溶液は暗橙色であった。
の濃縮塩酸に溶解し、蒸留水で100−に希釈した。上
記溶液4.17 d (0,0024モル)を、250
mに希釈し、1g/fJパラジウム溶液とした。グリシ
ン0.188g(0,0025モル)を、撹拌しながら
添加した。固体水酸化ナトリウムを漸次添加して、pH
を12に上げた。生じた該溶液は暗橙色であった。
この溶液の希釈およびめっき手順は、実施例1に上記の
通りであった。バックライト検定において、該孔中調速
用範囲は等級Δ+であった。
通りであった。バックライト検定において、該孔中調速
用範囲は等級Δ+であった。
実施例7
グリシンの代わりにアセトニトリル0.102g(0,
0025モル)を用いた以外は、実施例6の手順に従っ
た。バックライト検定では、孔中調速用範囲は等級A/
8であった。
0025モル)を用いた以外は、実施例6の手順に従っ
た。バックライト検定では、孔中調速用範囲は等級A/
8であった。
実施例8
臭化パラジウム0.625!J (0,0024モル)
を、40%塩酸1.51dを含有する水10mに溶解し
た。その溶液を、臭化パラジウムがすべて溶解するまで
、60℃に加熱した。次いでこの溶液を希釈して250
dとした。尿素0.15 (j (0,0025モル)
を添加し、撹拌しながら溶解した。固体水酸化ナトリウ
ムは、I)Hが12に達するまでゆっくり添加された。
を、40%塩酸1.51dを含有する水10mに溶解し
た。その溶液を、臭化パラジウムがすべて溶解するまで
、60℃に加熱した。次いでこの溶液を希釈して250
dとした。尿素0.15 (j (0,0025モル)
を添加し、撹拌しながら溶解した。固体水酸化ナトリウ
ムは、I)Hが12に達するまでゆっくり添加された。
該溶液は橙/赤色であった。1g/lパラジウムを含有
するその溶液を希釈し、実施例1と同様に検査した。バ
ックライト検定では、該穿孔中の銅適用範囲は等級Aで
あった。
するその溶液を希釈し、実施例1と同様に検査した。バ
ックライト検定では、該穿孔中の銅適用範囲は等級Aで
あった。
実施例9
塩化パラジウム0.417!7(0□0024モル)を
2IIIiの濃縮塩酸を含有する水30m1に溶解し、
50℃に加熱した。この溶液を希釈して250weとし
、スルファミン酸25alliF (0,00026モ
ル)を添加、溶解した。したがって、塩化パラジウム対
スルファミン酸のモル比は、9.2:1であった。pH
が12に達するまで、固体水酸化ナトリウムを漸次添加
し、溶解した。生じた溶液は暗赤/橙色であった。
2IIIiの濃縮塩酸を含有する水30m1に溶解し、
50℃に加熱した。この溶液を希釈して250weとし
、スルファミン酸25alliF (0,00026モ
ル)を添加、溶解した。したがって、塩化パラジウム対
スルファミン酸のモル比は、9.2:1であった。pH
が12に達するまで、固体水酸化ナトリウムを漸次添加
し、溶解した。生じた溶液は暗赤/橙色であった。
1g/!Jパラジウムを含有するこの溶液を、実施例1
の通りに希釈し、検査した。バックライト検査でG事、
穿孔中胴適用範囲は等級A+であった。
の通りに希釈し、検査した。バックライト検査でG事、
穿孔中胴適用範囲は等級A+であった。
実施例10
尿素の代わりにスルファミン1112.5q(0,00
013モル)を用いる以外は、実施例8の手順に従った
。臭化パラジウム対スルファミン酸のモル比は、したが
って18.5:lであった。バックライト検査では、穿
孔中胴適用範囲は等級A+/Aであった。
013モル)を用いる以外は、実施例8の手順に従った
。臭化パラジウム対スルファミン酸のモル比は、したが
って18.5:lであった。バックライト検査では、穿
孔中胴適用範囲は等級A+/Aであった。
実施例11および12
塩化パラジウム0.8359 (0,0047モル)を
、2dの濃縮塩酸を含有する水10m1に溶解 し 、
希釈して250威とした。この溶液に、尿素0.3g(
0,0050モル)を添加、溶解した。次いで固体水酸
化ナトリウムを漸次添加し、溶解して、この溶液のpH
を6.0−6.5とした。溌暗赤色になったその溶液を
、撹拌しながら、100g/ρホウ酸と100g/J水
酸化ナトリウムを含有する溶液250戴中に滴下添加し
た。そして、1g/、Qパラジウムを含有し、最終音f
fl 500dの赤/橙色溶液を得た。この溶液を希釈
して100m9/Aパラジウムとしく実施例11)、ま
た20η/1パラジウム(実施例12)として、これら
の希釈溶液を、実施例1の手順に従って、感作物質とし
て検査した。
、2dの濃縮塩酸を含有する水10m1に溶解 し 、
希釈して250威とした。この溶液に、尿素0.3g(
0,0050モル)を添加、溶解した。次いで固体水酸
化ナトリウムを漸次添加し、溶解して、この溶液のpH
を6.0−6.5とした。溌暗赤色になったその溶液を
、撹拌しながら、100g/ρホウ酸と100g/J水
酸化ナトリウムを含有する溶液250戴中に滴下添加し
た。そして、1g/、Qパラジウムを含有し、最終音f
fl 500dの赤/橙色溶液を得た。この溶液を希釈
して100m9/Aパラジウムとしく実施例11)、ま
た20η/1パラジウム(実施例12)として、これら
の希釈溶液を、実施例1の手順に従って、感作物質とし
て検査した。
バックライト検査における穿孔中調速用節囲は、以下の
通りの等級であった。
通りの等級であった。
実施例11 : 1(10my/IパラジウムでA0
実施例12: 20my/IIパラジウムでΔ/B。
実施例12: 20my/IIパラジウムでΔ/B。
実施例13
塩化パラジウム0.835g(0,0047モル)を、
2dのWJ塩酸含有の水10dに溶解し、希釈して25
0dとした。この溶液に尿素0−3 ’;J (0,0
050モル)を添加、溶解し、該溶液を、100g/、
11ホウ酸と100g/’1水酸化ナトリウムを含有す
る溶液250m1に滴下添加した。そして、最終容量5
00dの明黄色溶液を得た。この溶液の標本を希釈し、
パラジウム濃度を100d / Nとした。1日放置後
、明黄色溶液は赤橙色に変色し始めた。この工程は、3
時間、60℃に加熱することにより促進されたが、この
時点までに、該溶液の色は実施例11および12のもの
と同様となった。標本を再び希釈して1100rrt/
Nパラジウムとし、実施例1の手順で、感作剤として使
用した。穿孔中胴適用範囲は等級A十/Aであった。
2dのWJ塩酸含有の水10dに溶解し、希釈して25
0dとした。この溶液に尿素0−3 ’;J (0,0
050モル)を添加、溶解し、該溶液を、100g/、
11ホウ酸と100g/’1水酸化ナトリウムを含有す
る溶液250m1に滴下添加した。そして、最終容量5
00dの明黄色溶液を得た。この溶液の標本を希釈し、
パラジウム濃度を100d / Nとした。1日放置後
、明黄色溶液は赤橙色に変色し始めた。この工程は、3
時間、60℃に加熱することにより促進されたが、この
時点までに、該溶液の色は実施例11および12のもの
と同様となった。標本を再び希釈して1100rrt/
Nパラジウムとし、実施例1の手順で、感作剤として使
用した。穿孔中胴適用範囲は等級A十/Aであった。
実施例14
実施例11および12において生じた濃縮溶液の標本2
50dを採取し、50s/41テ1へラソジウムEDT
^を添加、溶解した。この溶液の色は変化せず、沈澱も
形成されなかった。11001rt/fJのパラジウム
濃度に希釈後、実施例1で示された手順に従って、感作
剤として、その溶液を検査した。穿孔中胴適用範囲は等
級Aであった。
50dを採取し、50s/41テ1へラソジウムEDT
^を添加、溶解した。この溶液の色は変化せず、沈澱も
形成されなかった。11001rt/fJのパラジウム
濃度に希釈後、実施例1で示された手順に従って、感作
剤として、その溶液を検査した。穿孔中胴適用範囲は等
級Aであった。
実施例15
実施例3で生じた溶液の標本を採取し、希釈して、パラ
ジウム濃度を11001ft/ fIとした。以下に関
するもの以外は、実施例1の手順を用いて、この溶液を
感作剤として検査した: 1、検査片は、銅被覆を伴なわない0.56mのエポキ
シグラス積層板巻であった。
ジウム濃度を11001ft/ fIとした。以下に関
するもの以外は、実施例1の手順を用いて、この溶液を
感作剤として検査した: 1、検査片は、銅被覆を伴なわない0.56mのエポキ
シグラス積層板巻であった。
2、アルカリ性無電解ニッケルめっき溶液(UDIQU
E 891)を、無電解銅溶液の代わりに用いた。(「
tlDIQUEJは商品名である〉。
E 891)を、無電解銅溶液の代わりに用いた。(「
tlDIQUEJは商品名である〉。
ニッケルは、浸漬30秒以内に、銅表面全体に析出した
。10分間めっき後、ニッケルの厚さは細片と計量によ
り測定した結果、1.2ミクロンであった。該基板への
この析出物の付着は優れていた。
。10分間めっき後、ニッケルの厚さは細片と計量によ
り測定した結果、1.2ミクロンであった。該基板への
この析出物の付着は優れていた。
実施例16
塩化パラジウム0.4179 (0,0024モル)を
、2dの濃縮塩酸を含有する水10城に溶解し、希釈し
て250dとした。この溶液のI)11は、固体水酸化
ナトリウムを添加して2.5に調節した。亜硝酸ナトリ
ウム0.1g(0,00126モル)を添加、溶解し、
次いで、該溶液11Hを固体水酸化ナトリウムで12に
増大した。この溶液は暗赤/橙色となった。
、2dの濃縮塩酸を含有する水10城に溶解し、希釈し
て250dとした。この溶液のI)11は、固体水酸化
ナトリウムを添加して2.5に調節した。亜硝酸ナトリ
ウム0.1g(0,00126モル)を添加、溶解し、
次いで、該溶液11Hを固体水酸化ナトリウムで12に
増大した。この溶液は暗赤/橙色となった。
1g/ρパラジウムを含有するこの溶液の標本を希釈し
て 100m!! / jパラジウムとし、実施例1の
手順に従って感作剤として検査した。バックライト検査
において、穿孔中胴適用範囲は等級A+であった。
て 100m!! / jパラジウムとし、実施例1の
手順に従って感作剤として検査した。バックライト検査
において、穿孔中胴適用範囲は等級A+であった。
実施例17
0.50gパラジウム(0,0047モル)を含有する
硝酸パラジウム溶液6.44 d(Johnson H
attheyCh(!ll1iCa1社より)を希釈し
てi oomlとした。この希釈液を、水酸化ナトリウ
ム6gを含有する水400rdの溶液に滴下添加した。
硝酸パラジウム溶液6.44 d(Johnson H
attheyCh(!ll1iCa1社より)を希釈し
てi oomlとした。この希釈液を、水酸化ナトリウ
ム6gを含有する水400rdの溶液に滴下添加した。
添加完了後、わずかに濁った黄色溶液を得た。この溶液
を、以下に示する3部分に分けた: パートA : (250mg > 、これに尿素0.1
57(0,0025モル)を添加し、該溶液を90℃に
加熱した。この溶液は濃暗褐/赤色となったが、依然と
して透明であった。
を、以下に示する3部分に分けた: パートA : (250mg > 、これに尿素0.1
57(0,0025モル)を添加し、該溶液を90℃に
加熱した。この溶液は濃暗褐/赤色となったが、依然と
して透明であった。
パートB : (isoi >。この溶液を90℃に加
熱した。その結果、暗褐色沈澱を得た。
熱した。その結果、暗褐色沈澱を得た。
パートC: (100m )。この溶液はそのままで使
用した。
用した。
バー1〜Aから得た溶液(1g/41パラジウム含有)
を水で希釈してパラジウム濃度を1100rn/l!と
し、使用された基板が被覆されないエポキシガラスであ
った(銅被覆除去後)ことと、CIRCUITPREP
5540組成物の代わりに以下の組成物を用いた(4
0℃)以外は、実施例1の手順で感作剤として用いた:
それらの組成物とは、129/NCu5O−51120
,10g/fJ NaOH120g/J!エチレンジア
ミン テトラ−2−ヒドロキシプロピル、3y/jホル
ムアルデヒド、5〜/fJ 2.2’−ビピリジルで
あった。
を水で希釈してパラジウム濃度を1100rn/l!と
し、使用された基板が被覆されないエポキシガラスであ
った(銅被覆除去後)ことと、CIRCUITPREP
5540組成物の代わりに以下の組成物を用いた(4
0℃)以外は、実施例1の手順で感作剤として用いた:
それらの組成物とは、129/NCu5O−51120
,10g/fJ NaOH120g/J!エチレンジア
ミン テトラ−2−ヒドロキシプロピル、3y/jホル
ムアルデヒド、5〜/fJ 2.2’−ビピリジルで
あった。
10分間めっき後、基板は銅で完全に被覆された。
実施例18
(A)塩化パラジウム0.8359 (0,0047モ
ル)を、2dの濃塩酸を含有する水10戒に溶解し、希
釈して 125dとした。
ル)を、2dの濃塩酸を含有する水10戒に溶解し、希
釈して 125dとした。
(B ) 125mの水に、水酸化ナトリウム(53
)と尿素(0,3g、0.005モル)を溶解した。
)と尿素(0,3g、0.005モル)を溶解した。
(c)次いで、溶液(A)を、撹拌しながら溶液(B)
に滴下添加した。次いでこの溶液を70℃に加熱した結
果、該溶液は濃暗赤色となった。
に滴下添加した。次いでこの溶液を70℃に加熱した結
果、該溶液は濃暗赤色となった。
(D)次いで、(c)で得た溶液を希釈して、10M、
l Pd感作溶液を得た。
l Pd感作溶液を得た。
以下の2つは例外として、実施例1の通りの無電解めっ
き処理工程を次に準備した: (i ) CIRCUIPREP 1017を、以下に
述べるクリーナー/コンディショナーと置換した:20
g/ j IIEDT^−3−ナトリウム塩、20d/
ρステアラミドプロピルジメチル−2−ヒドロキシエチ
ル−アンモニウム硝酸塩(50%溶液)、5Lη工トキ
シル化直鎖二次アルコール(c11−C15)。
き処理工程を次に準備した: (i ) CIRCUIPREP 1017を、以下に
述べるクリーナー/コンディショナーと置換した:20
g/ j IIEDT^−3−ナトリウム塩、20d/
ρステアラミドプロピルジメチル−2−ヒドロキシエチ
ル−アンモニウム硝酸塩(50%溶液)、5Lη工トキ
シル化直鎖二次アルコール(c11−C15)。
(ii)感作剤液は、(D)に述べられたものであった
。
。
次いで、穿孔銅被覆積層板を、無電解めっき処理工程に
より処理した。その板は最初にコンディショニングされ
た。バックライト検査における穿孔中胴適用範囲は、等
級Aであった。
より処理した。その板は最初にコンディショニングされ
た。バックライト検査における穿孔中胴適用範囲は、等
級Aであった。
実施例19
塩化パラジウム1.2525 g(0,0o71モル)
を、5d濃塩酸および5蛇水中に溶解した。この溶液を
水で希釈して250dとした。次いで、尿素0.42
g(0,007モル)を添加、溶解した。次いで固体水
酸化ナトリウム4gを添加し、水酸化ナトリウムがすべ
て溶解するまで、その溶液を迅速に撹拌した。次いで、
得られた透明暗赤褐色溶液を60℃に1時間加熱し、室
温に冷却して、濾過した。
を、5d濃塩酸および5蛇水中に溶解した。この溶液を
水で希釈して250dとした。次いで、尿素0.42
g(0,007モル)を添加、溶解した。次いで固体水
酸化ナトリウム4gを添加し、水酸化ナトリウムがすべ
て溶解するまで、その溶液を迅速に撹拌した。次いで、
得られた透明暗赤褐色溶液を60℃に1時間加熱し、室
温に冷却して、濾過した。
(沈澱は全く認められなかった)。次に、蒸発により最
初の250dまで容句を低減して、3g/llPdを含
有する溶液を得た。この溶液の一部を水で希釈してパラ
ジウム濃度をioorrtg/J)とし、実施例1の手
順に従って感作剤として検査した。バックライト検査で
は、穿孔中胴適用範囲は等級へ+であった。
初の250dまで容句を低減して、3g/llPdを含
有する溶液を得た。この溶液の一部を水で希釈してパラ
ジウム濃度をioorrtg/J)とし、実施例1の手
順に従って感作剤として検査した。バックライト検査で
は、穿孔中胴適用範囲は等級へ+であった。
0「−一
ばか1名
手わtネ111正書(方式)
昭和63年11月24日
Claims (10)
- (1)X個のパラジウム原子とY個の窒素含有配位子(
X/Y>=1)とから成る錯体であって、該錯体は、A
モルの窒素含有配位子形成種をBモルのパラジウム化合
物(ここで、A/B<=4、pHは6以上)と反応させ
ることにより形成可能である錯体。 - (2)窒素含有配位子が尿素、1−、2−、3−または
4−C_1−C_6アルキルN−置換尿素、C_2−C
_7アシルアミド、C_1−C_6アルキル(1−また
は2−)置換C_2−C_7アシルアミド、C_1−C
_6アルキルシアニド、窒素原子が芳香族環の一部を形
成する化合物(随意に1つ以上のアミノ基で置換される
)、C_1−C_6アルキル、ヒドロキシもしくは他の
置換基、アミノ酸、スルファミン酸、あるいは亜硝酸ま
たはシアン酸イオン等である、特許請求範囲第1項記載
の化合物。 - (3)窒素含有配位子がグリシン、ジメチルアミン、ア
セトアミド、ホルムアミド、N,N−ジメチルホルムア
ミド、アセトニトリル、2−ヒドロキシピリジン、2−
アミノピリジン、2−メテルピリジン、ピリジンもしく
は亜硝酸塩である、特許請求範囲第1項または第2項記
載の化合物。 - (4)A/B<=1.5である、特許請求範囲第1項か
ら第3項までの何れかに記載の化合物。 - (5)特許請求範囲第1項から第4項までのすべてに記
載の化合物の溶液より成り、無電解めっき処理工程に使
用のための組成物。 - (6)金属の無電解析出に対する触媒活性を基板に付与
する方法であって、基板表面の少なくとも一部を、特許
請求範囲第1項から第4項までのいずれか一つに記載の
化合物および(または)特許請求範囲第5項に記載の組
成物と接触させることから成る方法。 - (7)基板上に金属を析出させる方法であって、特許請
求範囲第6項記載の方法により金属の無電解析出に対す
る触媒活性を基板(またはその一部)に付与し、次いで
無電解析出処理工程によりそのように触媒化された基板
上に金属を析出することから成る方法。 - (8)以下の段階により成っていて、基板上への金属の
無電解析出に関する工程; (a)該基板を清浄/コンディショニングし、その後水
で濯ぎ、 (b)銅で随意にエッチングし、その後水で濯ぎ、 (c)該基板を、特許請求範囲第1項から第4項までの
いずれかに記載の化合物および(または)特許請求範囲
第5項記載の組成物と接触させ、 (d)随意に水で濯ぎ、 (e)該基板を還元剤組成物と接触させて、随意に水で
濯ぎ、 (f)該基板を無電解めっきする工程。 - (9)還元剤がジメチルアミン−ボラン錯体、アルカリ
金属ボロヒドライドまたはヒドラジンであって、特許請
求範囲第8項記載の工程。 - (10)パラジウムおよび窒素含有化合物より成る錯体
を調製する工程であって、Aモルの窒素含有配位子形成
種をBモルのパラジウム化合物(ここではA/B<=4
、pHは6以上)と反応させることより成る工程。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB8725148 | 1987-10-27 | ||
GB878725148A GB8725148D0 (en) | 1987-10-27 | 1987-10-27 | Catalyst |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01149971A true JPH01149971A (ja) | 1989-06-13 |
Family
ID=10625970
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27191988A Pending JPH01149971A (ja) | 1987-10-27 | 1988-10-27 | 無電解めっき処理用触媒 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0317092A1 (ja) |
JP (1) | JPH01149971A (ja) |
GB (1) | GB8725148D0 (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04365877A (ja) * | 1991-06-13 | 1992-12-17 | Ishihara Chem Co Ltd | 銅系素材上への選択的無電解めっき方法 |
JP2003082468A (ja) * | 2001-09-12 | 2003-03-19 | Okuno Chem Ind Co Ltd | 無電解めっき用触媒液 |
JP2006249520A (ja) * | 2005-03-11 | 2006-09-21 | Hitachi Chem Co Ltd | 無電解めっき用前処理液、およびこれを用いた無電解めっき方法 |
JP2006291244A (ja) * | 2005-04-06 | 2006-10-26 | Hitachi Chem Co Ltd | 無電解めっき用前処理液、およびこれを用いた無電解めっき方法 |
JP2007138218A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Hitachi Chem Co Ltd | 無電解めっき用触媒濃縮液とそれを用いためっき触媒付与方法 |
JP2011198890A (ja) * | 2010-03-18 | 2011-10-06 | Konica Minolta Ij Technologies Inc | 金属パターン形成方法及びそれを用いて形成された金属パターン |
JP2011222798A (ja) * | 2010-04-12 | 2011-11-04 | Konica Minolta Ij Technologies Inc | 金属パターン製造方法及び金属パターン |
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