JP2012127002A - めっき触媒及び方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】非導電性基板ゼロ価金属の金属化を行う触媒として有用な安定なゼロ価金属組成物並びにその組成物を作成する方法及び使用する方法を提供する。
【解決手段】0.5から100ppmのパラジウム、銀、コバルト、ニッケル、金、銅、及びルテニウムから選択されるゼロ価金属、安定剤及び水を含有する組成物であり、水、水可溶性金属塩及び特定の安定化剤を混合し、続いてゼロ価金属を形成するのに充分な量の還元剤を添加し作成する。該組成物は、特に電子部品の製造に用いられる非導電性基板の無電解金属めっきに有用である。
【選択図】なし

Description

本発明は概して無電解金属めっきの分野に関するものであり、より詳細には電子部品の製造に用いられる非導電性基板の無電解金属めっきに有用な触媒の分野に関する。
プリント回路基板は、回路基板の反対面又は基板の内層との間の導通を形成するために穴開けされ、めっきされたスルーホールを有する積層された非導電性の誘電基板を含む。無電解金属めっきは表面の金属被覆を作成するために公知である。誘電表面の無電解金属めっきは、事前に触媒を析出させることが必要である。通常、無電解めっきに先だって行われる積層された非導電性誘電基板の触媒化又は活性化方法は、基板を酸性塩化溶媒中の水溶性スズ-パラジウムコロイドで処理する方法である。該コロイドは、懸濁液中でコロイドの凝集を防止するための表面安定化基として作用する、SnCl のようなスズ(II)イオン錯体の安定化層で囲まれた金属パラジウムのコアを含有する。
活性化工程では、パラジウムを主成分とするコロイドはエポキシ又はポリイミドのような絶縁基板上に吸着され、無電解銅析出などの無電解金属析出を活性化する。理論に拘束されたくはないが、触媒粒子はめっき浴中で、還元剤から金属イオンへの電子移動の道筋におけるキャリヤーの役割を果たす。無電解めっきの性能は、めっき浴の組成やリガンドの選択等の多くの要因の影響を受けるが、活性化工程は無電解析出の速度とメカニズムを制御する重要な要因である。
コロイダルスズ/パラジウム触媒は無電解金属、特に無電解銅の活性化剤として長年商業的に使用されているが、その空気中での敏感さや高価であるなど多くの欠点がある。電子部品のサイズの縮小化や性能の向上に伴って、電子回路の記録密度は向上し、品質の工業的基準は増加している。信頼性の増大する要求と、特にパラジウムの高価かつ変動する価格により、代替触媒組成物またはより安価な金属を使用した組成物、又は貴金属使用量の減少若しくは不使用が望まれている。コロイダルスズ/パラジウム触媒の安定性もまた、問題である。上述のように、スズ/パラジウムコロイドはスズ(II)イオンの層によって安定化されている。対イオンはパラジウムの凝集を妨げるが、スズ(II)イオンはスズ(IV)に容易に酸化され、したがってコロイドはそのコロイド構造を維持できなくなる。この酸化は温度上昇と撹拌によって促進される。仮にスズ(II)の量がゼロ近くまで減少すると、パラジウム粒子の粒子サイズは成長し、凝集と沈殿が生じ、めっきが停止する。
新規かつ優れた無電解めっき触媒を探す継続的な努力がなされてきた。例えば、パラジウムの価格が高いために、非貴金属触媒の開発、特にコロイダル銅触媒の開発が目指されてきた。パラジウムの還元に用いられる塩化スズは高価であり、また酸化されたスズは活性化の別の工程が必要となることから、スズ非含有パラジウム触媒の開発も行われてきた。しかしながら、そのような触媒はスルーホールめっきのために十分な活性若しくは信頼性を示してこなかった。さらに、これらの触媒は十分に安定ではなく、典型的には時間の経過に伴い活性が徐々に減少し、活性の変化はこれらの触媒が商業的使用には信頼性がなく実用的ではないことを示している。
スズではないもう片方の、イオン化パラジウムの安定化も研究されている。例えば、米国特許4,248,632号はイオン化パラジウム(Pd2+)のようなイオン化金属触媒の安定剤として、ピリジンリガンドを開示している。イオン化金属は非導電性基板表面に吸着された後にのみ還元される。他の公知の安定剤はポリビニルピロリドン(PVP)及び他のポリマーである。PVPは保護剤かつ安定剤として作用する。パラジウム(II)触媒の基板に対する効果的なアンカーリングメカニズムに役立つ金属リガンドが報告されている。銀/パラジウム及び銅/パラジウムのような、イオン化パラジウムを用いる他の金属コロイドも報告されている。
米国特許第4,248,632号明細書
従来のスズ/パラジウム触媒に代替する触媒が開発されてきたが、これらは依然としてイオン化パラジウムを使用しており、これら代替物はいずれもプリント回路基板のような電子部品の製造に要求される、必要な安定性、活性、及び誘電表面に対する吸着性を提供していない。
本発明は0.5から100ppmのゼロ価金属、安定剤化合物及び水を含み、ゼロ価金属がパラジウム、銀、コバルト、ニッケル、金、銅及びルテニウムから選択され、安定剤化合物が下記式(I)及び(II)から選択される組成物を提供する。
Figure 2012127002
式中、R及びRは独立して水素、(C−C)アルキル、(CRZ及び(CH=CH)Zから選択され、R及びRは独立して水素、(CRZ、HO(C−C)アルキル、RN(C−C)アルキル及び(CH=CH)Zから選択され、Rは水素、(C―C)アルキル又はNRであり、各Rは独立して水素及びNRから選択され、各Rは独立して水素及び(C−C)アルキルから選択され、各Rは水素、(C−C)アルキル及びNHRから選択され、各Rは水素及びCOから選択され、ZはCO、C(O)NR又はNHRであり、aは0−6であり、(i)R及びRの少なくとも一つは(CRZであるか、(ii)RはNRであり、少なくとも一つのRはNHRである。
本発明はさらに、安定剤化合物、水及び水可溶性金属塩を混合し、続いてゼロ価金属を形成するために充分な量の還元剤を添加することを含む、上記組成物を作成する方法を提供する。
本発明によって、さらに、(a)複数のスルーホールを有する基板を提供し、(b)上記組成物をスルーホール表面に適用し、続いて(c)スルーホール表面に無電解的に金属を析出させることを含む方法が提供される。
本明細書を通して、文脈から明らかな指示がない限り、下記省略形は次の意味で用いられる。ca.=約;℃=摂氏度;g=グラム;mg=ミリグラム;L=リットル;mL=ミリリットル;ppm=パーツ・パー・ミリオン(百万あたりの部);μm=ミクロン=マイクロメーター;nm=ナノメートル;mm=ミリメートル;DI=脱イオンされた;Tg=ガラス転移温度;R.T.=室温;及びrpm=毎分あたりの回転数。特段の記載がない限り、すべての量は重量パーセント(wt%)であり、すべての比率はモル比である。すべての数値範囲は境界値を含み、数値範囲が合計して100%になるように制約されることが明らかな場合を除き、すべての順番で組み合わせることができる。
用語「スルーホール」はブラインドビアを含む。本明細書を通して、用語「めっき」は文脈が明らかに他を示さない限り、無電解金属めっきに関する。「析出」及び「めっき」は本明細書を通して交換可能に用いられる。用語「アルキル」は直鎖、分岐鎖及び環状アルキルを含む。同様に、用語「アルケニル」は直鎖、分岐及び環状アルケニルを含む。「ハライド」はフルオライド、クロライド、ブロマイド及びアイオダイドを含む。用語「プリント回路基板」及び「プリント配線基板」は本明細書を通して交換可能に用いられる。
本組成物はゼロ価金属、安定剤化合物及び水を含有する。好ましくは、ゼロ価金属及び安定剤化合物は安定したナノ粒子として組成物中に存在する。より好ましくは、本組成物はゼロ価金属及び安定剤組成物を含有する安定したナノ粒子を含む溶液である。
本組成物に用いられる水は、水道水又は脱イオン水などのいかなる種類のものであってもよい。ふさわしいゼロ価金属は無電解金属めっきの触媒として有用なものであり、パラジウム、銀、コバルト、ニッケル、金、銅及びルテニウムなどであるがこれらに限定されない。好ましくは、ゼロ価金属はパラジウム、銀、コバルト、ニッケル、銅及びルテニウムから選択され、より好ましくはパラジウム、銀、銅、コバルト及びニッケルから選択される。パラジウム及び銀が最も好ましい。パラジウムと銀の混合物、又はパラジウムと銅の混合物など、ゼロ価金属の混合物も用いることができる。ゼロ価金属は組成物中に、組成物重量をベースとして0.5から100ppmの量で存在する。好ましくは、ゼロ価金属は1から100ppm、より好ましくは1から75ppm、さらにより好ましくは5から75ppm、さらにより好ましくは5から50ppm、最も好ましくは5から35ppmで組成物中に存在する。
ゼロ価金属に適した安定剤化合物は下記式(I)及び式(II)の化合物から選択される。
Figure 2012127002
式中、R及びRは独立して水素、(C−C)アルキル、(CRZ及び(CH=CH)Zから選択され、R及びRは独立して水素、(CRZ、HO(C−C)アルキル、RN(C−C)アルキル及び(CH=CH)Zから選択され、Rは水素、(C―C)アルキル又はNRであり、各Rは独立して水素、(C−C)アルキル及びNRから選択され、各Rは独立して水素及び(C−C)アルキルから選択され、各Rは水素、(C−C)アルキル及びNHRから選択され、各Rは水素及びCOから選択され、ZはCO、C(O)NR又はNHRであり、aは0−6であり、(i)R及びRの少なくとも一つは(CRZであるか、(ii)RはNRであり、少なくとも一つのRはNHRである。好ましくは、R及びRは独立して水素、(C−C)アルキル、NHR、COH、C(O)NR、(CH=CH)COH及び(CH=CH)C(O)NHから選択され、さらに好ましくはR及びRは独立して水素、CH、NH、NHCH、COH、C(O)NH、C(O)N(CH、CHCOH、CHCONH、(CH=CH)COH及び(CH=CH)C(O)NHから選択される。R及びRは好ましくは独立して水素、CO、C(O)NH、C(O)N(CH及び(CH=CH)Zから選択される。Rは好ましくは水素、(C―C)アルキル又はNRであり、より好ましくは水素、CH、NHNHCH又はN(CHである。好ましくは、各Rは水素、(C−C)アルキル及びN(ジ(C−C)アルキル)から選択され、より好ましくは水素、CH、NH及びN(CHから選択される。各Rは好ましくは独立して水素及び(C−C)アルキルから選択され、より好ましくは水素及びCHから選択される。各Rは好ましくは水素、(C−C)アルキル及びNHRから選択され、より好ましくは水素、CH、NHNHCH又はN(CHである。安定剤化合物はシグマ−アルドリッチ(セントルイス、ミズーリ州)などから通常商業的に入手可能であり、又は公知技術によって作成することもできる。これらの化合物は、そのまま用いることもできるし、さらに精製して用いることもできる。
特に好適な安定剤化合物は、4−ジメチルアミノピリジン、4−アミノピリジン、2−アミノピリジン、4−(メチルアミノ)ピリジン、2−(メチルアミノ)ピリジン、2−アミノ−4,6−ジメチルピリジン、2−ジメチルアミノ−4,6−ジメチルピリジン、4−ジエチルアミノピリジン、4−アミノニコチン酸、2−アミノニコチン酸、ニコチンアミド、2−アミノニコチンアミド、ピコリンアミド、ピコリン酸、4−アミノピコリン酸、4−ジメチルアミノピコリン酸、3−ピリジル酢酸(2−(pyridine−3−yl)−acetic acid)、2−アミノ−3−(ピリジン−3−イル)プロピオン酸(2−amino−3−(pyridin−3−yl)−propionic acid)、2−アミノ−3−(ピリジン−2−イル)プロピオン酸(2−amino−3−(pyridin−2−yl)−propionic acid)、3−(ピリジン−3−イル)アクリル酸(3−(pyridin−3−yl)−acrylic acid)、3−(4―メチルピリジン−2−イル)−アクリル酸(3−(4−methylpyridin−2−yl)−acrylic acid)、3−(ピリジン−3−イル)アクリルアミド(3−(pyridin−3−yl)−acrylamide)、3−アミノピラジン−2−カルボン酸を含むがこれらに限定されない。好ましい安定剤は、4−ジメチルアミノピリジン、4−アミノピリジン、2−アミノピリジン、2−アミノ−4,6−ジメチルピリジン、4−アミノニコチン酸、2−アミノニコチン酸、3−(ピリジン−3−イル)アクリル酸、3−(4―メチルピリジン−2−イル)−アクリル酸、及び3−アミノピラジン−2−カルボン酸を含む。
本組成物はゼロ価金属及び安定剤化合物をモル比で1:1から1:20含有する。好ましくは、ゼロ価金属と安定剤化合物のモル比は1:5から1:20であり、さらに好ましくは1:10から1:20である。
場合によっては、本組成物は界面活性剤、緩衝剤、pH調整剤、有機溶剤のような溶解補助剤などの無電解めっき触媒組成物に通常使用される1種以上の様々な添加剤を含有することができる。pH調整剤と緩衝剤のように、様々な添加剤の混合物も用いることができる。アニオン性、ノニオン性、カチオン性及び両性界面活性剤を含むいかなる好適な界面活性剤をも用いることができる。これらの界面活性剤は組成物重量をベースとして0から25ppmの量で存在することができる。存在する際は、界面活性剤の量は0.5から25ppmが好ましく、より好ましくは1から10ppmである。使用することのできる緩衝剤は、クエン酸、酒石酸、コハク酸、リンゴ酸、マロン酸、マレイン酸、乳酸、酢酸などのカルボン酸及びこれらの塩、アミン及びその塩、アミノ酸及びその塩、ホウ酸などの無機酸及びその塩と、重炭酸ナトリウムなどの無機塩基を含有するが、これらに限定されない。pHを調整するために含まれ得る化合物は、ナトリウム及びカリウムの水酸化物などのアルカリ金属水酸化物、鉱酸などの酸が含まれるが、これらに限定されない。使われる際には、任意の緩衝剤及びpH調節剤はpHを望ましい範囲に調節するために十分な量で用いられる。
典型的には、本組成物はpHが6−14である。好ましくは、本組成物はpHが7より大きく14までのアルカリ性であり、より好ましくはpHが7.5から14であり、さらにより好ましくは7.5から10であり、さらにより好ましくは8−10である。
本組成物は電子部品の製造における無電解金属析出の触媒として有用なナノ粒子の安定な水溶液である。「安定な」は20℃で3ヵ月保存した際に肉眼で観察される沈殿の生成がないことを意味する。本組成物は好ましくは6ヵ月後、より好ましくは1年間20℃で保存しても沈殿を生成しない。これらのナノ粒子は種々の粒子径を有することができる。もし粒子径が大きくなりすぎたら、沈殿が生じるため組成物は安定ではないであろう。好適な平均粒子径は1nmから1μmであり、好ましくは1nmから500nmであり、より好ましくは1nmから100nmである。粒子径は光散乱又は走査電子顕微鏡のような公知の方法によって測定できる。
本組成物は安定剤化合物、水、水可溶性金属塩及び還元剤を組み合わせることによって作成することができる。好ましくは、安定剤化合物、水、及び水可溶性金属塩を組み合わせ、その後還元剤が加えられる。還元剤の量は望まれるゼロ価金属を形成するのに十分な量であればいかなる量を用いることができる。安定剤化合物、水及び水可溶性金属塩はどのような順序で加えてもよい。典型的には、水可溶性塩は特定量の水に溶解される。この塩溶液は続いて安定剤水溶液に加えられる。混合物は続いて典型的には室温(約20℃)にて撹拌され、必要に応じてpHが調整される。典型的には、撹拌棒による撹拌が200mLまでなどの少量の場合に用いられる。ホモジナイザーが大容量に用いられる。典型的な撹拌速度は3000から25000rpmである。フィッシャーサイエンスのパワーゲム(商標)(POWER GENTM)700ホモジナイザーが使用され得る機械の例である。次に、還元剤が混合物中に添加され、撹拌が継続される。ゼロ価金属としてパラジウムが用いられる場合は、還元後の触媒溶液は典型的には茶色から黒色である。還元に続いて、安定剤及びゼロ価金属を含む安定したナノ粒子が形成されると考えられる。
充分に水可溶性である種々の金属塩が用いられる。好適な金属塩は、ハロゲン化金属塩、金属硝酸塩、金属亜硝酸塩、金属酸化物、金属酢酸塩、金属グルコン酸塩、金属フルオロホウ酸塩、金属アルキル硫酸塩、金属硫酸塩、金属亜硫酸塩、金属チオ硫酸塩、金属チオシアン酸塩、及び金属シアン酸塩が含まれる。典型的な金属塩は、塩化パラジウム、塩化パラジウムナトリウム(palladium sodium chloride)、塩化パラジウムカリウム(palladium potassium chloride)、塩化パラジウムアンモニウム、硫酸パラジウム、硝酸パラジウム、酢酸パラジウム、パラジウム酸化物、硝酸銀、酸化銀、酢酸コバルト、塩化コバルト、硝酸コバルト、硫酸コバルト、硫酸ニッケル、メタンスルホン酸ニッケル、酢酸ニッケル、フルオロホウ酸ニッケル、塩化金、シアン化金ナトリウム、硫酸金、チオ硫酸金、チオシアン酸金、硫酸銅、グルコン酸銅、酢酸銅、硝酸銅、塩化ルテニウム、ルテニウムポルフィリン及びルテニウム酸化物が含まれるが、これらに限定されない。金属塩の使用量は金属塩粒子の水への溶解性に応じて変化する。例えば、パラジウム塩は5mg/Lから10g/Lの量で、好ましくは100mg/Lから5g/Lの量で用いられる。
種々の還元剤が本組成物を形成するために用いられる。好適な還元剤は水酸化ホウ素化合物、ジメチルアミンボラン(DMAB)、トリメチルアミンボラン、イソプロピルアミンボラン及びモルフォリンボランのようなアミンボラン、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カリウム、次亜リン酸、及びこのアンモニウム、リチウム、ナトリウム、カリウム及びカルシウム塩、ホルムアルデヒド、次亜リン酸ナトリウムのような次亜リン酸、ヒドラジン無水物、蟻酸及びアスコルビン酸のようなカルボン酸、及びブドウ糖、ガラクトース、麦芽糖、乳糖、木糖及び果糖のような還元糖が含まれるが、これらに限定されない。還元剤の使用量は組成物の金属塩の量に依存する。典型的には、還元剤は5mg/Lから500mg/L、好ましくは20mg/Lから200mg/Lの量で用いられる。
触媒組成物はPdのようなゼロ価金属を含有するため、これらの組成物を用いるプロセスは無電解金属めっきに先立ち還元工程を必要としない。加えて、本組成物は基板に対する金属の高い密着性を可能にする。本組成物はスズを含有せず、このためスズ(II)イオンの容易なスズ(IV)への酸化、及び触媒の分解に関する問題を避けることができる。イオン化パラジウム粒子の粒子サイズが成長し凝集し沈殿する問題は、格段に減少し好ましくは完全に避けうる。本組成物はスズを含有せず、高価な塩化スズが必要とされないため触媒組成物の価格は低下する。さらに、基板の金属化準備において、スズを用いる場合に必要とされる活性化工程を行う必要がなく、そのため非導電性基板の金属化の準備での従来の工程を除くことができる。
本発明の組成物は、ガラス、セラミックス、磁器、樹脂、紙、布地、及びこれらの複合体等の無機及び有機材料を含む基板の無電解金属めっきの触媒として用いることができる。基板はプリント回路基板のような金属被覆及び被覆されていない材料を含む。これらプリント回路基板は熱硬化樹脂、熱可塑樹脂及びこれらの複合体の金属被覆及び被覆されていない基板を含み、さらにグラスファイバーなどの繊維及び前記のまざった複合体を含む。基板の金属化工程における温度及び時間は、当該技術分野で周知である。
熱可塑樹脂は、アセタール樹脂、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクルリル酸エチル、アクリル酸ブチル及び前述の化合物を含む共重合体のようなアクリル樹脂、セルロースプロピオネート、セルロースアセテートブチレート及びセルスニトレートのようなセルロース樹脂、ポリエーテル、ナイロン、ポリエチレン、ポリスチレン、アクリロニトリルスチレンのようなスチレン混合物や共重合物、アクリロニトリル−ブタジエンスチレン共重合体、ポリカーボネート、ポリクロロトリフルオロエチレン及び、酢酸ビニル、ビニルアルコール、ビニルブチラール、塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニリデン及びビニルホルマールのようなビニルポリマー及び共重合物及びを含むがこれらに限定されない。
熱硬化樹脂はアリルフタレート、フラン、メラミン−ホルムアルデヒド、フェノール−ホルムアルデヒド及びフェノール−フルフラール共重合、ブタジエンアクリロニトリル共重合又はアクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合の単独又は化合物、ポリアクリル酸エステル、シリコーン、尿素ホルムアルデヒド、エポキシ樹脂、アリル樹脂、グリセリルフタレート及びポリエステルを含むがこれらに限定されない。
本組成物は低Tg及び高Tg樹脂の双方を触媒化するのに用いられる。低Tg樹脂は160℃未満のTgを有し、高Tg樹脂は160℃以上のTgを有する。典型的には、高Tg樹脂は160℃から280℃までのTg、または例えば170℃から240℃の範囲のTgを有する。高Tg樹脂はポリテトラフルオロエチレン(PTFE)及びPTFEブレンドを含むがこれらに限定されない。模範的なブレンドはPTFEとポリフェニレンオキシド及びシアナートエステルとの混合物を含む。高Tg樹脂を含むポリマー樹脂の他の種類は、二官能性若しくは多官能性エポキシ樹脂のようなエポキシ樹脂、ビマレイミド/トリアジン及びエポキシ樹脂(BTエポキシ)、エポキシ/ポリフェニレンオキシド樹脂、アクリロニトリルブタジエンスチレン、ポリカーボネート(PC)、ポリフェニレンオキシド(PPO)、ポリフェニレンエーテル(PPE)、ポリフェニレンスルフィド(PPS)、ポリスルホネート(PS)、ポリアミド、ポリエチレンテレフタレート(PET)及びポリブチレンテレフタレート(PBT)のようなポリエステル、ポリエーテルケトン(PEEK)、液晶ポリマー、ポリウレタン、ポリエーテルイミド、エポキシ樹脂及びこれらの複合材を含む。
一例として、本組成物はスルーホール壁面上へのゼロ価金属の析出に用いられる。これらの組成物はプリント回路基板製造における水平又は垂直プロセスのいずれにも用いることができる。
スルーホールは通常、プリント回路基板へのドリリング、パンチング、又は当該技術分野で知られている他の方法によって形成される。スルーホール形成後、基板は場合によっては水でリンスされ、従来の有機溶媒が基板の清浄化及びグリース除去に用いられ、続いてスルーホール壁面のデスミアが行われる。デスミアは当該技術分野で周知であり、スルーホールの典型的なデスミアは膨潤溶媒の接触で始まる。
膨潤溶媒は当該技術分野で周知であり、従来の膨潤溶媒がスルーホールのデスミアに用いられる。このような膨潤溶媒は、典型的にはグリコールエーテル及びこれらの関連する酢酸エーテルが含まれるがこれらに限定されない。グリコールエーテル及びこれらの関連する酢酸エーテルの量は従来の量が用いられる。商業的に用いられうる膨潤溶媒は、サーキュポジット(商標)(CIRCUPOSITTM)コンディショナー3302、サーキュポジット(商標)(CIRCUPOSITTM)ホールプレップ3303及びサーキュポジット(商標)(CIRCUPOSITTM)ホールプレップ4120であり、いずれもマサチューセッツ州マルボロのダウ電子材料(Dow electronic Materials)から入手することができる。
場合によっては、スルーホールは次に水でリンスされる。典型的には次に酸化剤がスルーホールに適用される。好適な酸化剤は、硫酸、クロム酸、アルカリ過マンガン酸塩又はプラズマエッチングによる酸化を含むが、これらに限定されない。典型的にはアルカリ過マンガン酸塩が酸化剤として用いられる。商業的に可能な酸化剤は、サーキュポジット(商標)(CIRCUPOSITTM)プロモーター4130でありダウ電子材料から入手することができる。
場合によっては、スルーホールは再び水でリンスされる。酸化剤によって残された、スルーホール中の酸性残渣又は塩基性残渣を中性化するために典型的には中和剤が適用される。従来の中和剤が用いられ得る。典型的には、中和剤は1以上のアミン類を含有するアルカリ水溶液、又は3重量%の過酸化物及び3重量%の硫酸溶液である。場合によっては、スルーホールは水でリンスされプリント回路基板は乾燥される。
中和工程の後、基板(スルーホールを有するプリント回路基板など)は場合によってはアルカリコンディショナーを基板に適用することによってコンディショニングされてもよい。このようなアルカリコンディショナーは1以上の四級アミン及びポリアミン及び1以上の界面活性剤を含有する水溶性アルカリ性界面活性剤溶液を含むが、これらに限定されない。用いられる界面活性剤は従来からのカチオン性界面活性剤や、アニオン性、ノニオン性及び両性などの他の界面活性剤であり、界面活性剤の混合物も同様に用いられる。加えて、pH調整剤又は緩衝剤もコンディショナー中に含有することができる。典型的には、カチオン性界面活性剤はノニオン性界面活性剤と組み合わせられる。界面活性剤はコンディショナー中に、0.05から5重量%、好ましくは0.25から1重量%で存在する。好適な商業的に入手可能なアルカリコンディショナーは、いずれもダウ電子材料から入手することのできる、サーキュポジット(商標)(CIRCUPOSITTM)コンディショナー231、813及び860を含むが、これらに限定されない。場合によっては、スルーホールはコンディショニングの後に水でリンスされる。
カチオン界面活性剤は、テトラアルキルアンモニウムハライド、アルキルトリメチルアンモニウムハライド、ヒドロキシエチルアルキルイミダゾリン、アルキルベンザルコニウムハライド、アルキルアミン酢酸塩、アルキルアミンオレイン酸塩及びアルキルアミノエチルグリシンを含むが、これらに限定されない。
ノニオン性界面活性剤は、アルコールアルコキシラートのような脂肪族アルコールを含むがこれらに限定されない。これらの脂肪族アルコールは分子内にポリオキシエチレン又はポリオシシプロピレン鎖を有する化合物、言い換えれば、(−O−CH−CH−)の繰り返し基から構成される鎖、又は(−O−CH−CH−CH)の繰り返し基から構成される鎖、又はその組み合わせによって形成された、エチレンオキサイド、プロピレンオキサイド、又はこれらの組み合わせを有する。典型的には、これらのアルコールアルコキシラートは、線状又は分岐の7から15の炭素からなる炭素鎖を有するアルコールエトキシラートであり、4から20モルのエトキシラート、典型的には5から40モルのエトキシラート、さらに典型的には5から15モルのエトキシラレートである。これらのアルコールアルコキシラートの多くは商業的に入手可能である。商業的に入手可能なアルコールアルコキシラートは、ネオドール(NEODOL)91−6、ネオドール91−8、ネオドール91−9(直鎖アルコールエトキシラートのモル当り平均して6から9モルのエチレンオキシドを有するC9−C11アルコール)のような直鎖第一アルコールエトキシラート、及びネオドール1−73B(直鎖第一アルコールエトキシラートのモル当り平均して7モルのエチレンオキシドの混合物を有するC11アルコール)である。これらはすべてシェルケミカルから商業的に入手可能である。
アニオン性界面活性剤は、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキル又はアルコキシナフタレンスルホン酸塩、アルキルジフェニルエーテルスルホン酸塩、アルキルエーテルスルホン酸塩、アルキル硫酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルフェノールエーテル硫酸エステル、高アルコールリン酸モノエステル、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルリン酸(フォスフェート)及びスルホコハク酸アルキル塩を含むがこれらに限定されない。
両性界面活性剤は、2−アルキル−N−カルボキシメチル又はエチル−N−ヒドロキシエチル又はメチルイミダゾリニウムベタイン、2−アルキル−N−カルボキシメチル又はエチル−N−カルボキシメチルオキシエチルイミダゾリウムベタイン、ジメチルアルキルベタイン、N−アルキル−β−アミノプロピオン酸またはその塩及び脂肪酸アミドプロピルジメチルアミノ酢酸ベタインを含むがこれらに限定されない。
本組成物は、基板の表面、特にプリント回路基板のスルーホールの表面に、あらかじめコンディショニング工程をすることなしにゼロ価金属を含有する組成物を析出させるために用いることができる点で有利である。これは非導電性基板へのメタライゼーション作成における従来の工程を除くことができる。
任意のコンディショニング工程に続き、スルーホールのマイクロエッチが行われる。従来のマイクロエッチング組成物が使用されうる。マイクロエッチングは、後の無電解及び電気めっき析出金属の密着性を高めるために、露出した銅(例えば内層)上にマイクロ粗化銅表面を提供する。マイクロエッチは、60g/Lから120g/Lの過硫酸ナトリウム、またはオキシモノ過硫酸ナトリウムもしくはカリウム、並びに硫酸(2%)混合物、又は硫酸/過酸化水素混合物を含むがこれに限定されない。商業的に入手可能なマイクロエッチ組成物の例はサーキュポジット(商標)(CIRCUPOSITTM)マイクロエッチ3330でダウ電子材料から入手可能である。場合によっては、スルーホールは水でリンスされる。
場合によっては、マイクロエッチされたスルーホールにプレディップが続いて適用される。プレディップの例として、2%から5%の塩酸又は25g/Lから75g/L塩化ナトリウムの酸性溶液が含まれる。場合によっては、スルーホールは冷水でリンスされる。
無電解金属析出のための触媒の機能を果たすために、本発明の組成物が続いてスルーホールに適用される。水性組成物は室温(約20℃)から50℃の温度で、典型的には室温から40℃でスルーホールに適用される。触媒の適用後、スルーホールは場合によっては水でリンスされてもよい。
スルーホールの壁面は続いて無電解金属めっき浴を用いて銅等の金属でめっきされる。浸漬浴も含めた従来の無電解浴が使用され得る。これらの浴は当該技術分野で周知である。典型的には、スルーホールの壁面に析出する所望の金属の金属イオンを含有する無電解または浸漬金属めっき浴中にプリント配線基板が置かれる。スルーホールの壁面上に析出され得る金属としては、銅、ニッケル、金、銀及び銅/ニッケル合金が挙げられるがこれらに限定されない。浸漬金又は銀を用いた金又は銀仕上げの層が、スルーホール壁面の銅、銅/ニッケル又はニッケル析出物の上に析出してもよい。好ましくは、銅、金又は銀がスルーホール壁面上に析出し、さらに好ましくは銅がスルーホール壁面上に析出する。
スルーホール壁面上に金属が析出した後、スルーホールは場合によっては水でリンスされる。場合によっては、スルーホール壁面上の析出金属にさび止め組成物が適用される。従来のさび止め組成物用いられ得る。さび止め組成物の例は、ダウ電子材料から商業的に入手可能なアンチターニッシュ(商標)(ANTITARNISHTM)7130である。スルーホールは場合によっては温水リンスによってリンスされ、続いて基板は乾燥させられ得る。
スルーホールが無電解又は浸漬金属浴によって金属めっきされた後、基板はさらなる工程に進み得る。さらなる工程は、フォトイメージング及び電気金属めっきのような基板上へのさらなる金属析出による従来の工程が挙げられ、電気金属めっきの例としては、銅、銅合金、スズ及びスズ合金が挙げられる。従来の電気めっき浴が用いられ得る。これらの浴は当該技術分野で周知である。
本組成物は安定なゼロ価金属ナノ粒子の水溶液を形成し、この水溶液は非導電性基板、特に電子部品の製造に用いられる基板への無電解金属析出を触媒するために用いられ得る。加えて、本組成物は金属と基板との良好な密着性を可能にする。本組成物はスズを含有せず、スズ(II)イオンが容易にスズ(IV)に酸化され、触媒が分解することに関連する問題を回避し得る。ゼロ価金属粒子のサイズが成長し凝集し沈殿する問題も格段に減少し、好ましくは消失する。スズが本組成物から除かれているため、高価な塩化スズが必要でなくなるために触媒の価格は低下する。さらに、本組成物は基板の金属化の準備においてあらかじめコンディショニング工程を行う必要がなく基板に適用でき、またスズを用いた場合に必要となる活性化工程も避けられるため、基板の金属化の準備における二つの従来の工程を省略することができる。
例1
30mLの脱イオン水を含むビーカーに、室温(約20℃)において122mgの4−アミノピリジンが安定化溶液を作成するために加えられた。4−アミノピリジンを完全に溶解させるためにこのビーカーは50℃の水浴に置かれた。別のビーカーで、38.2mgのNaPdCl(Pd+2)が10mLの脱イオン水に室温で溶解された。安定剤溶液にこのパラジウム塩溶液が激しい撹拌下で滴下された。安定剤溶液の添加終了後さらに15−20分撹拌が続けられ、その後2mLの脱イオン水に溶解した12mgのNaBHが非常に強い撹拌下で混合物に加えられた。溶液は素早く暗茶色に変化し、Pd+2からPdへの還元が示唆された。得られた4−アミノピリジン/パラジウムナノ粒子溶液はさらに30分激しく撹拌された。
加速安定性試験:安定性のさらなる試験のために、触媒溶液は50℃の水浴に少なくとも12時間置かれ、その後に触媒組成物は沈殿又は濁りが観察されなかった。
実際の触媒溶液は25ppm濃度に触媒を脱イオン水で希釈し、HCl/NaOHでpHを9.6に調整し、緩衝液として3g/Lの重炭酸ナトリウムを添加することによって調製された。触媒溶液のpHはフィッシャーサイエンスのアキュメット(商標)(AccumetTM)AB15pHメーターを用いて測定された。
例2
4−アミノピリジン安定剤が4−ジメチルアミノピリジンに置き換えられた以外は例1の手順が繰り返された。得られた組成物中の成分の濃度は、4−ジメチルアミンピリジンが4.29g/L、NaPdClが0.96g/L、NaBHが0.3g/L、重炭酸ナトリウムが3g/Lであった。得られた4−ジメチルアミノピリジン/パラジウムナノ粒子触媒組成物は例1の加速安定性試験に供され、沈殿又は濁りは観察されなかった。
例3
4−アミノピリジン安定剤が2−アミノピリジンに置き換えられた以外は例1の手順が繰り返された。得られた組成物中の成分の濃度は、2−アミノピリジンが1.5g/L、NaPdClが0.96g/L、NaBHが0.3g/L、重炭酸ナトリウムが3g/Lであった。得られた2−アミノピリジン/パラジウムナノ粒子触媒組成物は例1の加速安定性試験に供され、沈殿又は濁りは観察されなかった。
例4
4−アミノピリジン安定剤が2−アミノ−4,6−ジメチルピリジンに置き換えられた以外は例1の手順が繰り返された。得られた組成物中の成分の濃度は、2−アミノ−4,6−ジメチルピリジンが1.75g/L、NaPdClが0.325g/L、NaBHが0.6g/L、重炭酸ナトリウムが3g/Lであった。得られた2−アミノ−4,6−ジメチルピリジン/パラジウムナノ粒子触媒組成物は例1の加速安定性試験に供され、沈殿又は濁りは観察されなかった。
例5
4−アミノピリジン安定剤が2−アミノニコチン酸に置き換えられた以外は例1の手順が繰り返された。得られた組成物中の成分の濃度は、2−アミノニコチン酸が1g/L、NaPdClが0.96g/L、NaBHが0.4g/L、重炭酸ナトリウムが3g/Lであった。得られた2−アミノニコチン酸/パラジウムナノ粒子触媒組成物は例1の加速安定性試験に供され、沈殿又は濁りは観察されなかった。
例6
4−アミノピリジン安定剤が3−アミノピラジン−2−カルボン酸に置き換えられた以外は例1の手順が繰り返された。得られた組成物中の成分の濃度は、3−アミノピラジン−2−カルボン酸が4.5g/L、NaPdClが0.96g/L、NaBHが0.4g/L、重炭酸ナトリウムが3g/Lであった。得られた3−アミノピラジン−2−カルボン酸/パラジウムナノ粒子触媒組成物は例1の加速安定性試験に供され、沈殿又は濁りは観察されなかった。
例7
次の化合物が用いられた以外は、例1の手順が繰り返された。次の表の中で、「DMAB」はジメチルアミンボランを表わす。
Figure 2012127002
例9
2種金属塩溶液が、23.5mgのNaPdClを20mLの脱イオン水に溶解し、続いて20mgの硫酸銅5水和物及び47mgのクエン酸ナトリウムを加えることにより作成された。混合塩溶液の色は緑に変わった。別のビーカーで、88.3mgの4−アミノニコチン酸安定剤が20mLの水に溶解され、0.1NのNaOHが溶液のpHを9.5に調整するために用いられた。安定剤溶液が混合パラジウム/銅溶液に撹拌下で加えられた。添加終了後、0.1NのHCl/NaOHが再び用いられpHが9.2に調整された。次に、約2mLの脱イオン水中の23.7mgのNaBHが非常に強い撹拌下に加えられた。溶液はすばやく暗茶色に変化した。得られた触媒溶液はさらに30分撹拌された。触媒溶液は続いてさらなる安定性試験のために50℃の水浴に12時間置かれた。実際の溶液は、触媒濃度を25ppmまで希釈し、HCl/NaOHでpHを9.6に調整し、1.85g/Lのホウ酸を緩衝剤として加えて調整された。
例10−比較例
次の化合物が安定剤として用いられた以外は、例1の手順が繰り返された。2−ヒドラジンピリジン;2−ジメチルアミノピリジン;3−アミノピリジン;メチルピラジン−2−カルボキシレート;4−アミノ−2,5−ジクロロピリジン、及び2−(メンジルアミノ)ピリジン。これらの化合物を用いて作成されたいずれの触媒組成物も、沈殿形成若しくは濁りのいずれかが生じて例1の加速安定性試験をパスしなかった。
例11
種々のプリント回路基板(ネルコ−6エポキシ/ガラス、NP−175エポキシ/ガラス、370T,FR−406,TU−752エポキシ/ガラス、SY−1141,及びSY−1000−2エポキシ/ガラス)が次の一般的な手順に従って無電解銅めっき浴を用いてめっきされた。
複数のスルーホールが各基板にドリルで穴開けされた。スルーホールの平均的な直径は1mmであった。各基板のスルーホールは続いてデスミアされ、無電解銅めっきの準備がされ、次の垂直プロセスで無電解銅めっきされた。
1. 各基板は240リットルの膨潤溶媒で7分間80℃で処理された。膨潤溶媒は10%のジエチレングリコールモノブチルエーテル及び35g/Lの水酸化ナトリウムを含有する水溶液である。
2. 基板は続いて冷たい水道水で4分間室温でリンスされる。
3. 各基板のスルーホールは続いてpH12の50−60g/Lの水性過マンガンアルカリのアルカリ性酸化剤550リットルで10分間80℃で処理される。
4. 基板は冷たい水道水で4分間室温でリンスされる。
5. 基板のスル−ホールは続いて3重量%の過酸化水素水及び3重量%の硫酸を含有する水性中和剤180リットルで50℃で5分処理される。
6. 基板は冷たい水道水で4分間室温でリンスされる。
7. 任意に、基板は続いてカチオン性界面活性剤及びpHを11付近に維持する緩衝系を含有する、コンディショナー(商標)(CONDITIONERTM)860アルカリコンディショナーで処理される。このアルカリコンディショナーはダウ電子材料から商業的に入手することができる。コンディショナーが必要かどうかは特有の安定なゼロ価金属ナノ粒子触媒が使用されるかどうかに依存する。
8. 工程7でコンディショニングされた基板は続いて冷たい水道水で4分間室温でリンスされる。
9. 各基板のスルーホールは続いて20g/Lの過硫酸アンモニウムの水性アルカリ溶液100リットルで2分間室温でマイクロエッチされる。
10. 基板は続いて冷たい水道水で4分間室温でリンスされる。
11. 5%濃度塩酸のプレディップが続いてスルーホールに1分間室温で適用される。
12. 基板は続いて冷たい水道水で1分間室温でリンスされる。
13. スルーホールを有するいくつかの基板が、2リットルの本発明の組成物に5分間40℃で無電解めっきの用意をされる。ゼロ価金属ナノ粒子の濃度は25ppmである。触媒のpHは通常9から10であった。他の基板は2リットルのパラジウム粒子濃度が25ppmの従来のスズ/パラジウム触媒で5分間40℃で対照として用意される。従来の触媒は次の組成を有する:1gの塩化パラジウム;300mLの濃HCl;1.5gのナトリウムスズ塩;40gの塩化スズ及び1リットルになるまでの水。
14. 基板は続いて冷たい水道水で2.5分室温でリンスされる。
15. 基板のスルーホール壁面は続いて無電解銅めっきで15分間36℃でめっきされる。無電解銅めっき浴は次の組成を有する。
Figure 2012127002
16. 無電解銅めっき析出の後、基板は冷たい水道水で4分間室温でリンスされる。
例1−4に従って作成された触媒溶液はコンディショニング工程を必要としなかった。例5−7に従って作成された触媒溶液はコンディショニング工程を必要とした。
各基板は銅めっきされたスルーホールの壁面が見えるように横に切断される。複数の1mm厚さの横方向切断片が横切断された各スルーホール壁面からとられ、スルーホール壁面の被覆がヨーロッパバックライトスケールを用いて評価される。各基板からの切断片(1mm)は50倍の倍率のオリンパスGX光学顕微鏡の下に置かれた。銅析出の品質は顕微鏡の下で観察される光の量によって決定された。バックライト結果は、本発明の触媒組成物は従来のイオン性スズ/パラジウム(Sn/Pd)触媒と同等であることを示した。

Claims (10)

  1. 0.5から100ppmのゼロ価金属、安定剤化合物及び水を含有する組成物であって、ゼロ価金属はパラジウム、銀、コバルト、ニッケル、金、銅及びルテニウムから選択され、安定剤化合物は次の式(I)及び式(II)から選択される組成物。
    Figure 2012127002
    (式中、R及びRは独立して水素、(C−C)アルキル、(CRZ及び(CH=CH)Zから選択され、R及びRは独立して水素、(CRZ、HO(C−C)アルキル、RN(C−C)アルキル及び(CH=CH)Zから選択され、Rは水素、(C―C)アルキル又はNRであり、各Rは独立して水素及びNRから選択され、各Rは独立して水素及び(C−C)アルキルから選択され、各Rは水素、(C−C)アルキル及びNHRから選択され、各Rは水素及びCOから選択され、ZはCO、C(O)NR又はNHRであり、aは0−6であり、(i)R及びRの少なくとも一つは(CRZであるか、(ii)RはNRであり、少なくとも一つのRはNHRである。)
  2. pHが6−14である請求項1に記載の組成物。
  3. pHが7.5から14である請求項2に記載の組成物。
  4. 組成物が20℃で3カ月保管しても沈殿を生成しないことを特徴とする請求項1に記載の組成物。
  5. ゼロ価金属及び安定剤化合物がモル比で1:1から1:20であることを特徴とする請求項1に記載の組成物。
  6. (a)複数のスルーホールを有する基板を提供し、(b)請求項1の組成物をスルーホール表面に適用し、続いて(c)スルーホール表面に金属の無電解析出を行う、ことを含む方法。
  7. 工程(c)の無電解析出金属の上に第二の金属を電気的に析出する工程をさらに有する、請求項6に記載の方法。
  8. 工程(b)の前にスルーホールの表面を酸化剤と接触させる工程をさらに含む、請求項6に記載の方法。
  9. 工程(b)の前にスルーホールの表面を界面活性剤と接触させる工程をさらに含む、請求項6に記載の方法。
  10. 請求項1に記載の組成物を準備する方法であって、安定剤化合物、水及び水可溶性金属塩を混合し、続いてゼロ価金属を形成するのに充分な量の還元剤を添加する、方法。
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