JPH01195281A - 無電解めつき用触媒 - Google Patents

無電解めつき用触媒

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JPH01195281A
JPH01195281A JP63018132A JP1813288A JPH01195281A JP H01195281 A JPH01195281 A JP H01195281A JP 63018132 A JP63018132 A JP 63018132A JP 1813288 A JP1813288 A JP 1813288A JP H01195281 A JPH01195281 A JP H01195281A
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JP
Japan
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electroless plating
plating
catalyst
substrate
aminopyridine
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JP63018132A
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English (en)
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Hiroshi Yamamoto
弘 山本
Takeshi Shimazaki
嶋崎 威
Kazuichi Kuramochi
倉持 和市
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Resonac Corp
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Hitachi Chemical Co Ltd
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/28Sensitising or activating
    • C23C18/30Activating or accelerating or sensitising with palladium or other noble metal
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/42Plated through-holes or plated via connections
    • H05K3/422Plated through-holes or plated via connections characterised by electroless plating method; pretreatment therefor

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、無電解めっき用触媒に関する。
〔従来の技術〕
無電解銅めっきは、プリント回路板の分野で回路を形成
するために広く用いられているが、近年高密度多層化さ
れるに伴なって無電解銅めっき技術は益々重要視される
にいたった。
一般にプリント回路板特に高密度多層プリント回路板は
次のようにして作る。
先ず、基材として銅張積層板を用い、エツチングレジス
トのラミネートを行った後、露光、現像。
エツチングレジスト剥離の順に処理してパターンを形成
する。次いで表面の銅に対しては多層後の内層の密着力
を向上させるために接着前処理を行う、接着前処理には
通常2方法があり、一つは黒化処理と呼ばれ銅を酸化銅
とし、他はブラウン処理と呼ばれて銅を酸化銅と亜酸化
銅とする。接着前処理を済ませた基板とプリプレグとを
積み重ねて両面を銅箔で挟む。この積層物を加温加圧し
て多層板とする。
次にこの多層板に穴をあけた後、硫酸、クロム酸または
過マンガン酸によって穴中にある内層銅箔上の溶融樹脂
を除く0次いで、砥粒を含んだ液を吹きつけるホーニン
グ工程の後、高圧洗浄を行う。
以上の処理をした多層板は、穴内壁を電導性とするため
にめっき処理するが、その方法には通常2通りある。一
つは無電解銅めっきによって0.3μm程度のめつき層
としさらに電気めっきによって30〜40μmとする方
法で、他は無電解銅めっきのみで30〜40μmの厚付
けめっきを行う方法である。
〔発明が解決しようとする課題〕
以上の無電解めっきに用いる触媒は10%程度の塩酸を
含むため、接着前処理面の酸化銅層に塩酸が浸み込み、
内層回路表面に酸化銅の腐食現象が発生する。一般にこ
れをハローイングと呼ぶ。
この現象は、黒化処理面では顕著に現われ、ブラウン処
理面でも皆無ではない。
また、従来の塩化パラジウムと塩化第一錫系の触媒では
、めっき後の穴を垂直に切断しめつき内壁面の下方から
光をあてて光の透過の有無を調べるバックライト試験に
よって評価すると、若干の光の透過が見られるなどの欠
点が呪われて完全な銅つきまわり性を得ることは困難で
ある。
さらに、触媒中の塩酸のため設備を損傷するという問題
もある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明者は、以上の問題点にかんがみ、ハローイング現
象がなく、銅のつきまわり性に優れ、設備の損傷が少な
い無電解めっき用触媒を開発した。
本発明は、2価のパラジウム化合物と低級アルキルアミ
ン及びアミノピリジンとをパラソウ11化合物と低級ア
ルキルアミンとのモル比が1:1〜1:20、パラジウ
ム化合物とアミノピリジンとのモル比が1:0.5〜1
:10となるようにアルカリ水溶液中で混合して得る無
電解めっき用触媒である。
2価のパラジウム化合物としては、塩化パラジウム、フ
ッ化パラジウム、臭化パラジウム、ヨウ化パラジウム、
硝酸パラジウム、硫酸パラジウム。
硫化パラジウム及びこれらの混合物を使用する。
ハロゲン化合物は特に塩化パラジウムが好ましい。
低級アルキルアミンとしては、モノメチルアミン、ジメ
チルアミン、1−リメチルアミン、モノエチルアミン、
ジエチルアミン、トリエチルアミン。
モノプロピルアミン、ジプロピルアミン、トリプロピル
アミン、モノブチルアミン、ジブチルアミン、トリブチ
ルアミン及びこれらの混合物を使用する。
アミノピリジンとしては、2−アミノピリジン。
3−アミノピリジン、4−アミノピリジンを使用する。
アルカリ水溶液のp−1−I調整には、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、炭酸すトリウムを使用する。
本発明の無電解めっき用触媒は、例えば次のようにして
製造することができる。
先ず0.05〜5.00%の水酸化ナトリウム水′溶液
に0.01〜2.00%のモノメチルアミンを溶解し、
さらにこの溶液に0.01〜5.00%の2−アミノピ
リジンを溶解する。モノメチルアミンと2−アミノピリ
ジンが完全に溶解した後、0.5〜2.0%の塩化パラ
ジウt1を溶解する。この溶液を水で希釈し、パラジウ
ム濃度0.01〜1.00%、PH7〜14好ましくは
9.0〜11.5として無電解めっき用触媒とする。
以上の方法で得た触媒にフェノール、ポリエステル、エ
ポキシ樹脂Mffl板及びセラミックス等の絶縁基板、
プラスチック成形品、プラスチックフィルム等の被めっ
き物を浸漬した後、さらに還元剤水溶液に浸漬すると被
めっき物表面にパラジウム金属の粒子が析出する。
このようにしてパラジウム金属粒子が表面に析出した被
めっき物を銅、ニッケル等の通常の無電解めっき液に浸
漬すると無電解めっきが行われる。
還元剤水溶液としては、ポル11アルデヒ1−b化第−
錫2次亜硫酸ナトリウム、ジメチルアミンボラン、水素
化アルミニウムリチウム、水素化ホウ素リチウム、水素
化ホウ素ナトリウム等の還元性物質の水溶液を使用する
。還元性物質濃度はその還元力によって異なるが、0.
01〜10%好ましくは0.1〜2.0%とし、pHは
7〜14が好ましい。これらの還元性物質は、単独また
は併用も可能であり、あるいは安定剤など適宜添加して
もよい。
実施例1 銅張りガラスエポキシ4層板(厚さ1 、6 +nn)
にφ0.3 の穴あけを行い洗浄した後、塩化パラジウ
ム0.05%(重量%以下同じ)、モノメチルアミン0
.05%、2−アミノピリジン0.15%。
水酸化す1−リウム0.10% を含む30℃の水溶液
に揺動しながら5分間浸漬し、液切りを行ったあと、ジ
メチルアミンボラン0.10%、水酸化すトリウム0.
50%を含む30℃の水溶液に揺動しながら5分間浸漬
した。次に無電解銅めっき液CUST−201(日立化
成製)で20分間処理した後水洗乾燥した。
この方法によると、銅めっきは銅張りガラスエポキシ4
層板の穴内壁に均一に析出し、バックライト試験による
光の透過は認められなかった。また、内層回路の侵食(
ハローイング)現象も認められなかった。
実施例2 銅張りガラスエポキシ4層板(厚さ1.6nw)にφ0
,3 の穴あけを行い洗浄後、塩化パラジウム0.10
%、ジメチルアミン0.07%、2−アミノピリジン0
.20%、水酸化ナトリウム0.15%を含む30℃の
水溶液に揺動しながら5分間浸漬して液切りを行った後
、水素化ホウ素すトリウム0.20%、水酸化ナトリウ
ム0.50%を含む30℃の水溶液に揺動しながら5分
間浸漬した。
次に無電解銅めっき液CUST−201(日立化成製)
で20分間処理した後水洗乾燥した。
この方法によると、銅めっきは銅張りガラスエポキシ4
層板の穴内壁に均一に析出し、バックライト試験による
光の透過は認められなかった。また、内層回路の侵食(
ハローイング)現象もみられなかった。
比較例 銅張りガラスエポキシ4層板(厚さ1.6no)にφ0
.3 の穴あけを行い洗浄後、増感剤H8−101B 
(日立化成製)に揺動しながら常温で10分間浸漬した
。さらに、水洗後、密着促進剤ADP−201(日立化
成製)に揺動しながら常温で5分間浸漬した。次に無電
解めっき液CUST −201(日立化成製)で20分
間処理した後水洗乾燥した。
この従来行われている方法によると、バックライト試験
によると、無電解銅めっきされた面のうちガラス部に一
部光の透過が認められた。また。
内層回路の黒化処理面に30μm程の侵食(ハローイン
グ)現象を認めた。
〔発明の効果〕

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、2価のパラジウム化合物と低級アルキルアミン及び
    アミノピリジンとを、パラジウム化合物と低級アルキル
    アミンのモル比が1:1〜1:20、パラジウム化合物
    とアミノピリジンのモル比が1:0.5〜1:10とな
    るようにアルカリ水溶液中で混合して得ることを特徴と
    する無電解めっき用触媒。
JP63018132A 1988-01-28 1988-01-28 無電解めつき用触媒 Pending JPH01195281A (ja)

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JP63018132A JPH01195281A (ja) 1988-01-28 1988-01-28 無電解めつき用触媒
US07/298,967 US4986848A (en) 1988-01-28 1989-01-19 Catalyst for electroless plating
EP89300598A EP0328263B1 (en) 1988-01-28 1989-01-23 Catalyst for electroless plating
DE89300598T DE68909438T2 (de) 1988-01-28 1989-01-23 Katalysator für stromlose Plattierung.
KR1019890000767A KR910006214B1 (ko) 1988-01-28 1989-01-25 무전해 도금용 촉매
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SG156694A SG156694G (en) 1988-01-28 1994-10-24 Catalyst for electroless plating

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