DE68909438T2 - Katalysator für stromlose Plattierung. - Google Patents
Katalysator für stromlose Plattierung.Info
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- DE68909438T2 DE68909438T2 DE89300598T DE68909438T DE68909438T2 DE 68909438 T2 DE68909438 T2 DE 68909438T2 DE 89300598 T DE89300598 T DE 89300598T DE 68909438 T DE68909438 T DE 68909438T DE 68909438 T2 DE68909438 T2 DE 68909438T2
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- 239000003054 catalyst Substances 0.000 title claims description 35
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 title claims description 23
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 36
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 31
- ICSNLGPSRYBMBD-UHFFFAOYSA-N 2-aminopyridine Chemical compound NC1=CC=CC=N1 ICSNLGPSRYBMBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 150000002941 palladium compounds Chemical class 0.000 claims description 12
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 11
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 11
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 claims description 7
- 150000003927 aminopyridines Chemical class 0.000 claims description 7
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- CUYKNJBYIJFRCU-UHFFFAOYSA-N 3-aminopyridine Chemical compound NC1=CC=CN=C1 CUYKNJBYIJFRCU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N dibutylamine Chemical compound CCCCNCCCC JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 3
- NUKYPUAOHBNCPY-UHFFFAOYSA-N 4-aminopyridine Chemical compound NC1=CC=NC=C1 NUKYPUAOHBNCPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 2
- HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N butan-1-amine Chemical compound CCCCN HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N dipropylamine Chemical compound CCCNCCC WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229960004979 fampridine Drugs 0.000 claims description 2
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BHZSLLSDZFAPFH-UHFFFAOYSA-L palladium(2+);difluoride Chemical compound F[Pd]F BHZSLLSDZFAPFH-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- INIOZDBICVTGEO-UHFFFAOYSA-L palladium(ii) bromide Chemical compound Br[Pd]Br INIOZDBICVTGEO-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- GPNDARIEYHPYAY-UHFFFAOYSA-N palladium(ii) nitrate Chemical compound [Pd+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O GPNDARIEYHPYAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 2
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NRUVOKMCGYWODZ-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenepalladium Chemical compound [Pd]=S NRUVOKMCGYWODZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N tributylamine Chemical compound CCCCN(CCCC)CCCC IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YFTHZRPMJXBUME-UHFFFAOYSA-N tripropylamine Chemical compound CCCN(CCC)CCC YFTHZRPMJXBUME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KPZGRMZPZLOPBS-UHFFFAOYSA-N 1,3-dichloro-2,2-bis(chloromethyl)propane Chemical compound ClCC(CCl)(CCl)CCl KPZGRMZPZLOPBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000000022 2-aminoethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])N([H])[H] 0.000 claims 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 16
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 7
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- LVNLBBGBASVLLI-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropylurea Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCNC(N)=O LVNLBBGBASVLLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 3
- 229910021626 Tin(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- RJTANRZEWTUVMA-UHFFFAOYSA-N boron;n-methylmethanamine Chemical compound [B].CNC RJTANRZEWTUVMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(I) oxide Inorganic materials [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N cuprous oxide Chemical compound [O-2].[Cu+].[Cu+] KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229940112669 cuprous oxide Drugs 0.000 description 3
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 3
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 3
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 3
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 3
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 3
- 235000011150 stannous chloride Nutrition 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- TXUICONDJPYNPY-UHFFFAOYSA-N (1,10,13-trimethyl-3-oxo-4,5,6,7,8,9,11,12,14,15,16,17-dodecahydrocyclopenta[a]phenanthren-17-yl) heptanoate Chemical compound C1CC2CC(=O)C=C(C)C2(C)C2C1C1CCC(OC(=O)CCCCCC)C1(C)CC2 TXUICONDJPYNPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 2
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 2
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 2
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 2
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 2
- 239000012279 sodium borohydride Substances 0.000 description 2
- 229910000033 sodium borohydride Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 239000001119 stannous chloride Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- RILZRCJGXSFXNE-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(trifluoromethoxy)phenyl]ethanol Chemical compound OCCC1=CC=C(OC(F)(F)F)C=C1 RILZRCJGXSFXNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012448 Lithium borohydride Substances 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 229910002666 PdCl2 Inorganic materials 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000536 complexating effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000366 copper(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 239000012280 lithium aluminium hydride Substances 0.000 description 1
- -1 lithium aluminum hydride Chemical compound 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N methanone Chemical compound O=[14CH2] WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002940 palladium Chemical class 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- LJCNRYVRMXRIQR-OLXYHTOASA-L potassium sodium L-tartrate Chemical compound [Na+].[K+].[O-]C(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O LJCNRYVRMXRIQR-OLXYHTOASA-L 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007363 ring formation reaction Methods 0.000 description 1
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011006 sodium potassium tartrate Nutrition 0.000 description 1
- AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L sodium thiosulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=S AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000019345 sodium thiosulphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 239000001117 sulphuric acid Substances 0.000 description 1
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- AXZWODMDQAVCJE-UHFFFAOYSA-L tin(II) chloride (anhydrous) Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Sn+2] AXZWODMDQAVCJE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002087 whitening effect Effects 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
- C23C18/28—Sensitising or activating
- C23C18/30—Activating or accelerating or sensitising with palladium or other noble metal
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
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Description
- Die Erfindung betrifft einen Katalysator für das stromlose Plattieren und ein Verfahren zum stromlosen Plattieren unter Verwendung des genannten Katalysators.
- Das stromlose Plattieren mit Kupfer wird in weitem Ausmaß dazu verwendet, auf dem Gebiet von gedruckten Leiterplatten Schaltkreise zu bilden. In neuerer Zeit wird bei dem Bedarf, die Dichte und die Anzahl der laminierten Schichten zu erhöhen, die stromlose Kupferplattierungstechnik immer wichtiger.
- Gedruckte Leiterplatten, insbesondere gedruckte Leiterplatten mit mehreren Schichten und hoher Dichte werden im allgemeinen wie folgt hergestellt. Ein Ätzresist wird auf ein als Substrat verwendetes kupferplattiertes Laminat auflaminiert. Danach wird belichtet, entwickelt, und der Ätzresist wird abgezogen, um ein Muster bzw. eine Schablone zu bilden. Sodann wird das Oberflächenkupfer einer Haftungsvorbehandlung unterworfen, um die Haftungsfestigkeit der Innenschichten nach der Mehrschichtbildung zu verbessern. Die Haftungsvorbehandlung wird gewöhnlicherweise entweder durch eine Schwärzungsbehandlung oder eine Bräunungsbehandlung durchgeführt. Die Schwärzungsbehandlung bildet Kupfer/Kupfer(II)-oxid, während die Bräunungsbehandlung Kupfer/Kupfer(II)-oxid und Kupfer(I)-oxid bildet. Das haftungsvorbehandelte Substrat und ein Prepreg werden laminiert und beide Oberflächen werden durch Kupferfolien sandwichartig aufeinandergelegt. Eine Vielzahl von auf diese Weise hergestellten Laminaten wird erhitzt und verpreßt, wodurch eine Mehrschichtplatte erhalten wird. Durchgangslöcher werden in die Mehrschichtplatte eingebohrt oder eingestanzt, und es wird mit Schwefelsäure, Chromsäure oder einem Permanganat gereinigt, um das geschmolzene Harz auf den inneren Kupferfolien zu entfernen. Nach einer Wetzstufe, bei der eine Schleifteilchen enthaltende Flüssigkeit aufgesprüht wird, wird eine Hochdruckreinigung durchgeführt.
- Die so behandelte Mehrschichtplatte wird einer Plattierungsbehandlung unterworfen, um die Wände der Durchgangslöcher elektrisch leitend zu machen. Die Plattierungsbehandlung kann entweder durch Bildung einer Plattierungsschicht mit etwa 0,3 um durch stromloses Plattieren und anschließendes Verdicken der Plattierungsschicht auf 30 bis 40 um durch Elektroplattieren oder durch Bildung einer Plattierungsschicht teilt einer Dicke von 30 bis 40 um lediglich durch stromloses Plattieren durchgeführt werden.
- Im Falle des stromlosen Plattierens dringt, da der üblicherweise zur Sensibilisierung oder zur Keimbildung verwendete Katalysator etwa 10 Gew.-% Salzsäure enthält, die Salzsäure in die durch die Haftungsvorbehandlung erhaltenen Kupfer(II)-oxid-Schichten ein, wodurch auf den Oberflächen der Schaltkreise der Innenschicht ein Kupfer(I)- oxid-Korrosionsphänomen erzeugt wird. Dies wird gewöhnlich als "Hollowing" (Bildung eines rosa Rings) bezeichnet. Dieses Phänomen tritt auf von der Schwarzfärbung behandelten Oberflächen besonders stark auf und tritt auf durch Braunfärbung behandelten Oberflächen geringfügig auf.
- Im Falle eines weit verwendeten Katalysatorsystems, das Palladiumchlorid und Zinn(I)-chlorid enthält, tritt der Defekt auf, daß eine geringfügige Lichtdurchlässigkeit zugelassen wird, wenn das Testen mit dem sogenannten Rücklichttest erfolgt, bei dem nach dem Plattieren ein Loch vertikal eingeschnitten wird und die Lichtdurchlässigkeit durch Belichten von unterhalb der inneren Wandseite des Lochs gemessen wird. Es ist somit schwierig, eine vollständige Streukraft des Kupfers zu erhalten. Weiterhin tritt ein weiteres Problem dahingehend auf, daß die Vorrichtung durch die Salzsäure in dem Katalysatorsystem beschädigt wird.
- Andererseits wird in der japanischen ungeprüften Patentanmeldung Nr. 60-224292 die Verwendung einer alkalischen wäßrigen Lösung, eines Palladiumsalzes und von 2-Aminopyridin als Katalysator für die Sensibilisierung beschrieben. Dieser Katalysator ist aber immer noch nicht zufriedenstellend, um das "Hollowing"-Phänomen zu beseitigen und die Streukraft des Kupfers zu verbessern. Dazu kommt noch, daß die Stabilität der Katalysatorlösung nicht ausreichend ist.
- Es ist eine Aufgabe der Erfindung, ein Katalysatorsystem für die Keimbildung oder Sensibilisierung beim stromlosen Plattieren mit ausgezeichneter Streukraft von Kupfer und geringer Beschädigung der Vorrichtung bereitzustellen, ohne daß das "Hollowing"-Phänomen ausgelöst wird.
- Es ist eine weitere Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zum stromlosen Plattieren bereitzustellen, bei dem das genannte Katalysatorsystem verwendet wird.
- Gegenstand der Erfindung ist eine wäßrige Katalysatorlösung zum stromlosen Plattieren, die dadurch gekennzeichnet ist, daß sie 1 mol von mindestens einer speziellen zweiwertigen Palladiumverbindung, 1 bis 20 mol eines Alkylamins mit 1 bis 12 Kohlenstoffatomen und 0,5 bis 10 mol Aminopyridin enthält, wobei die wäßrige Lösung einen pH von 7 bis 14 hat.
- Ein weiterer Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zum stromlosen Plattieren, das dadurch gekennzeichnet ist, daß man das zu plattierende Material alkalisch entfettet, anschließend mit Wasser wäscht, das so behandelte Material mit einer wäßrigen Katalysatorlösung, die 1 mol von mindestens einer speziellen zweiwertigen Palladiumverbindung, 1 bis 20 mol eines Alkylamins mit 1 bis 12 Kohlenstoffatomen und 0,5 bis 10 mol Aminopyridin enthält, kontaktiert, wobei die wäßrige Lösung einen pH von 7 bis 14 hat, anschließend mit Wasser wäscht, das so behandelte Material mit einem Reduktionsmittel kontaktiert, um Plattierungskerne zu bilden, das so behandelte Material mit Wasser wäscht, um überschüssigen Katalysator für die stromlose Plattierung zu entfernen und das so behandelte Material in ein stromloses Plattierungsbad eintaucht, um die Oberflächen des Materials zu metallisieren.
- Als zweiwertige Palladiumverbindung können Palladiumchlorid, Palladiumfluorid, Palladiumbromid, Palladiumiodid, Palladiumnitrat, Palladiumsulfat und Palladiumsulfid allein oder als Gemisch verwendet werden.
- Bevorzugte C1-12-Alkylamine sind Monomethylamin, Dimethylamin, Trimethylamin, Monoethylamin, Diethylamin, Triethylamin, Monopropylamin, Dipropylamin, Tripropylamin, Monobutylamin, Dibutylamin und Tributylamin allein oder als Gemisch.
- Das Alkylamin wird in einer Menge von 1 bis 20 mol pro mol zweiwertiger Palladiumverbindung verwendet. Bei Mengen von weniger als 1 mol wird die Stabilität der Katalysatorlösung in unerwünschter Weise erniedrigt, während umgekehrt bei Mengen von mehr als 20 mol das Palladium, das ein katalytisches Metall ist, kaum reduziert wird, was auf eine zu großes Komplexierungsvermögen zurückzuführen ist.
- Als Aminopyridin können 2-Aminopyridin, 3-Aminopyridin und 4-Aminopyridin allein oder als Gemisch verwendet werden.
- Das Aminopyridin wird in einer Menge von 0,5 bis 10 mol pro mol zweiwertige Palladiumverbindung verwendet. Bei Mengen von weniger als 0,5 mol wird die Adsorptionskraft des Katalysators auf dem Material, das stromlos plattiert werden soll, wie z.B. einem isolierenden Substrat für gedruckte Leiterplatten, erniedrigt. Andererseits wird bei Mengen von mehr als 10 mol so stark ein Komplex aus Aminopyridin und Palladium gebildet, daß die Bildung eines unlöslichen Komplexes zunimmt, was zu einer Erniedrigung der Stabilität der Katalysatorlösung führt.
- Der pH der wäßrigen Katalysatorlösung kann unter Verwendung von Natriumhydroxid, Kaliumhydroxid und Natriumcarbonat im Bereich von 7 bis 14 eingestellt werden.
- Die erfindungsgemäße wäßrige Katalysatorlösung kann weiterhin ein Silankupplungsmittel in einer Menge von 0,001 mol oder mehr pro mol zweiwertige Palladiumverbindung enthalten. Durch Zugabe des Silankupplungsmittels können Chemiefasern, wie Polyesterfasern und Nylonfasern, stromlos plattiert werden. Es erübrigt sich, darauf hinzuweisen, daß Materialien, die herkömmlicherweise als Substrate für gedruckte Leiterplatten verwendet werden, wie z.B. Substrate aus Phenolharzen, Epoxyharzen, Papier-Phenolharzen, Papier-Epoxyharzen, Glastuch-Epoxyharzen, Glasfaser-Epoxyharzen, Polyimidharzen auch stromlos plattiert werden können. Stromlos plattiertes Polyestertuch und Nylontuch können als Abschirmungsmaterial zum Abschirmen von elektromagnetischen Wellen von der Außenseite verwendet werden, wenn sie auf die Innenwände oder Fenster eines abgeschirmten Raums aufgebracht werden.
- Als Silankupplungsmittel können Aminosilankupplungsmittel, wie γ-Aminopropyltriethoxysilan, γ-Ureidopropyltriethoxysilan und γ-β(Aminoethyl)γ-aminopropyltrimethoxysilan oder Epoxysilankupplungsmittel, wie γ-Glycidoxypropyltrimethoxysilan verwendet werden.
- Das Silankupplungsmittel kann in einer Menge von 0,001 mol oder mehr pro mol zweiwertiger Palladiumverbindung eingesetzt werden. Bei Mengen von weniger als 0,001 mol wird die Adsorptionskraft auf Chemiefasern, wie Polyester- und Nylonfasern, erniedrigt. Andererseits bestehen bei zu großen Mengen fast keinerlei Probleme, ausgenommen einer Veränderung des Oberflächenaussehens (Weißtrübung) des plattierten Überzugs und wirtschaftlicher Probleme. Unter Berücksichtigung dieser Umstände wird es bevorzugt, das Silankupplungsmittel in einer Menge von 1 mol oder weniger pro mol zweiwertige Palladiumverbindung einzusetzen.
- Die erfindungsgemäße wäßrige Katalysatorlösung zum stromlosen Plattieren kann beispielsweise wie folgt hergestellt werden.
- Zuerst werden in einer wäßrigen Lösung von 0,05 bis 5,00 Gew.-% (0,028 bis 0,113 mol/l) Natriumhydroxid, 0,86 bis 4,34 Gew.-% (0,113 bis 0,56 mol/l) Monomethylamin aufgelöst. Danach werden 0,53 bis 2,63 Gew.-% (0,0565 bis 0,28 mol/l) 2-Aminopyridin aufgelöst. Nach vollständiger Auflösung des Monomethylamins und des 2-Aminopyridins werden 0,5 bis 2,0 Gew.-% Palladiumchlorid aufgelöst. Die resultierende Lösung wird mit Wasser verdünnt, um einen Katalysator für die stromlose Plattierung zu ergeben, der eine Palladiumkonzentration von 0,01 bis 1,00 Gew.-% (0,00094 bis 0,094 mol/l) und einen pH von 7 bis 14, vorzugsweise 9,0 bis 11,5, hat. Erforderlichenfalls werden 0,001 bis 0,1 Gew.-% γ-Ureidopropyltriethoxysilan in der alkalischen Katalysatorlösung nach vollständiger Auflösung des Palladiumchlorids aufgelöst.
- In die so hergestellte Katalysatorlösung wird ein zu plattierendes Material, z.B. ein Substrat wie ein Phenolharzlaminat, Polyesterharzlaminat, Epoxyharzlaminat und ein isolierendes Substrat, beispielsweise eine Keramik, ein Kunststofformkörper oder ein Kunststoffilm nach dem Entfetten eingetaucht. Danach wird mit Wasser gewaschen. Es wird in eine wäßrige Lösung eines Reduktionsmittels eingetaucht, um metallische Palladiumteilchen auf der Oberfläche des zu plattierenden Materials zur Abscheidung zu bringen. Nach dem Waschen mit Wasser zur Entfernung von überschüssigem Katalysator wird das resultierende Material, auf dessen Oberfläche metallische Palladiumteilchen abgeschieden worden sind in eine herkömmliche stromlose Plattierungslösung von beispielsweise Kupfer oder Nickel eingetaucht, um das stromlose Plattieren durchzuführen.
- Als wäßrige Lösung des Reduktionsmittels kann eine wäßrige Lösung einer reduzierenden Substanz, wie Formaldehyd, Zinn(I)-chlorid, Natriumhyposulfit, Dimethylaminboran, Lithiumaluminiumhydrid oder Lithiumborhydrid allein oder als Gemisch verwendet werden. Die Konzentration der reduzierenden Substanz variiert in Abhängigkeit von der Reduktionskraft der verwendeten reduzierenden Substanz und beträgt vorzugsweise 0,01 bis 10 Gew.-%, mehr bevorzugt 0,1 bis 2,0 Gew.-%. Der bevorzugte pH der wäßrigen Lösung des Reduktionsmittels ist 7 bis 14. Die wäßrige Lösung des Reduktionsmittels kann weiterhin ein Stabilisierungsmittel, beispielsweise eine Verbindung, die einen wasserlöslichen Komplex mit Cu oder Pd bilden kann, z.B. Ethylendiamintetraessigsäure (EDTA) oder Ethylendiamin enthalten.
- Die Erfindung wird anhand der folgenden Beispiele erläutert. Darin sind, wenn nichts anderes angegeben ist, alle Prozentangaben auf das Gewicht bezogen.
- In eine kupferplattierte 4-schichtige Glas-Epoxyplatte (Dicke 1,6 mm) wurden Durchgangslöcher mit einem Durchmesser von 0,3 mm eingebohrt. Danach wurde gereinigt. Sodann wurde die Platte 5 Minuten lang bei 30ºC unter Bewegen in eine wäßrige Lösung eingetaucht, die folgendes enthielt:
- Palladiumchlorid 0,05% (1 mol)
- Monomethylamin 0,05% (2,3 mol)
- 2-Aminopyridin 0,15% (5,7 mol)
- Natriumhydroxid 0,10% (8,9 mol)
- Nach Entfernen der Flüssigkeit durch Waschen mit Wasser wurde die Platte bei 30ºC 5 Minuten lang unter Bewegen in eine wäßrige Lösung eingetaucht, die 0,10% (1 mol) Dimethylaminboran und 0,50% (7,4 mol) Natriumhydroxid enthielt. Nach dem Waschen wurde die Platte 20 Minuten lang in einer Lösung zur stromlosen Abscheidung von Kupfer, die folgendes enthielt:
- CuSO&sub4; 14,5 g/l
- Rochelle-Salz 20 g/l
- Formalin 7,8 g/l
- NaOH 10,08 g/l
- behandelt, und danach wurde mit Wasser gewaschen und getrocknet.
- Als Ergebnis war auf den Innenwänden der in der 4-schichtigen kupferplattierten Glas-Epoxyplatte geformten Durchgangslöcher Kupfer gleichförmig abgeschieden worden. Keine Lichtdurchlässigkeit wurde durch den Rücklichttest zugelassen. Weiterhin war kein "Hollowing"-Phänomen (Korrosion der Innenschichtschaltkreise) zugelassen.
- In eine 4-schichtige kupferplattierte Glas-Epoxyplatte (Dicke 1,6 mm) wurden Durchgangslöcher mit einem Durchmesser von 0,3 mm eingebohrt. Danach wurde gereinigt. Dann wurde die Platte 5 Minuten lang bei 30ºC unter Bewegen in eine wäßrige Lösung eingetaucht, die folgendes enthielt:
- Palladiumchlorid 0,10% (1 mol)
- Monomethylamin 0,07% (1,6 mol)
- 2-Aminopyridin 0,20% (3,8 mol)
- Natriumhydroxid 0,15% (6,7 mol)
- Nach Entfernung der Flüssigkeit durch Waschen mit Wasser wurde die Platte 5 Minuten lang unter Bewegen in eine wäßrige Lösung von 30ºC, die 0,20% (1 mol) Natriumborhydrid und 0,50% (2,4 mol) Natriumhydroxid enthielt, eingetaucht. Nach dem Waschen wurde die Platte in der gleichen Weise wie in Beispiel 1 beschrieben stromlos plattiert.
- Als Ergebnis war auf den Innenwänden der in der 4-schichtigen kupferplattierten Glas-Epoxyplatte geformten Durchgangslöcher Kupfer gleichförmig abgeschieden worden. Keine Lichtdurchlässigkeit wurde durch den Rücklichttest zugelassen. Weiterhin war kein "Hollowing"-Phänomen zugelassen.
- Die Verfahrensweise des Beispiels 1 wurde mit der Ausnahme wiederholt, daß die wäßrige Katalysatorlösung und die wäßrige Lösung des Reduktionsmittels, wie folgt,verwendet wurden:
- Palladiumchlorid 0,05% (1 mol)
- Monomethylamin (40% wäßrige Lösung) 0,05% (2,3 mol)
- 2-Aminopyridin 0,15% (5,7 mol)
- Natriumhydroxid 0,10% (8,9 mol)
- γ-Ureidopropyltriethoxysilan 0,01% (0,026 mol).
- Dimethylaminboran 0,1% (1 mol)
- Natriumhydroxid 0,5% (7,4 mol)
- Als Ergebnis war auf den Innenwänden der in der 4-schichtigen kupferplattierten Glas-Epoxyplatte geformten Durchgangslöcher Kupfer gleichförmig abgeschieden worden. Keine Lichtdurchlässigkeit wurde durch den Rücklichttest zugelassen. Weiterhin war kein "Hollowing"-Phänomen zugelassen.
- Das Verfahren des Beispiels 2 wurde mit der Ausnahme wiederholt, daß die wäßrige Katalysatorlösung und die wäßrige Lösung des Reduktionsmittels, wie folgt, verwendet wurden:
- Palladiumchlorid 0,1% (1 mol)
- Dimethylamin (50%ige wäßrige Lösung) 0,07% (1,6 mol)
- 2-Aminopyridin 0,2% (3,8 mol)
- Natriumhydroxid 0,15% (6,7 mol)
- γ-Aminopropyltriethoxysilan 0,05% (0,04 mol)
- Natriumborhydrid 0,15% (1 mol)
- Natriumhydroxid 0,5% (2,4 mol)
- Als Ergebnis war auf den Innenwänden der in der 4-schichtigen kupferplattierten Glas-Epoxyplatte geformten Durchgangslöcher Kupfer gleichförmig abgeschieden worden. Keine Lichtdurchlässigkeit wurde durch den Rücklichttest zugelassen. Weiterhin war kein "Hollowing"-Phänomen zugelassen.
- In eine kupferplattierte 4-schichtige Glas-Epoxyplatte (Dicke 1,6 mm) wurden Durchgangslöcher mit einem Durchmesser von 0,3 mm eingebohrt. Danach wurde gereinigt. Sodann wurde die Platte 10 Minuten lang bei Raumtemperatur unter Bewegen in eine wäßrige Lösung eingetaucht, die folgendes enthielt:
- PdCl&sub2; 0,30 g/l
- SnCl&sub2; 18 g/l
- HCl 22,2 g/l
- Nach dem Waschen mit Wasser wurde die Platte 5 Minuten lang bei Raumtemperatur unter Bewegen in eine Lösung eingetaucht, die folgendes enthielt:
- Fluorborsäure 10%
- HCl 25%
- Danach wurde das stromlose Plattieren auf die gleiche Weise, wie in Beispiel 1 beschrieben, durchgeführt.
- Als Ergebnis ließ der Glasteil der mit Kupfer beschichteten Wandoberfläche Licht geringfügig hindurch. Weiterhin waren die durch eine Schwärzung behandelten Innenschaltkreise in einer Dicke von etwa 30 um korrodiert.
- Wie oben zum Ausdruck gebracht, können erfindungsgemäß Vorteile dahingehend, daß die Innenschichtschaltkreise von mehrschichtigen gedruckten Leiterplatten mit hoher Dichte nicht korrodiert sind, daß eine gleichförmige Abscheidung und eine hohe Streukraft des Kupfers auf den Innenwänden der Durchgangslöcher in mehrschichtigen gedruckten Leiterplatten mit hoher Dichte erhalten werden können und daß die Beschädigung der Vorrichtung erheblich vermindert werden kann, erhalten werden. Dies ist auf die Verwendung der erfindungsgemäßen wäßrigen Katalysatorlösung mit einem pH von 7 bis 14 zurückzuführen.
Claims (9)
1. Wäßrige Katalysatorlösung für das stromlose
Plattieren, dadurch gekennzeichnet, daß sie
einen pH von 7 bis 14 hat und mindestens eine zweiwertige
Palladiumverbindung, ausgewählt aus Palladiumtetrachlorid,
Palladiumfluorid, Palladiumbromid, Palladiumiodid,
Palladiumnitrat, Palladiumsulfat und Palladiumsulfid, 1 bis 20 mol
pro mol der zweiwertigen Palladiumverbindung eines
Alkylamins mit 1 bis 12 Kohlenstoffatomen und 0,5 bis 10 mol
Aminopyridin pro mol der zweiwertigen Palladiumverbindung,
enthält.
2. Lösung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß sie weiterhin ein
Silankupplungsmittel in einer Menge von 0,001 mol oder mehr pro mol der
zweiwertigen Palladiumverbindung enthält.
3. Lösung nach Anspruch 2, dadurch
gekennzeichnet, daß sie mindestens ein
Silankupplungsmittel, ausgewählt aus λ-Aminopropyltriethoxysilan,
λ-Ureidopropyltriethoxysilan,
λ-β(Aminoethyl)-λ-aminopropyltrimethoxysilan und λ-Glycidoxypropyltrimethoxysilan,
enthält.
4. Lösung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß sie mindestens ein
Alkylamin, ausgewählt aus Monomethylamin, Dimethylamin,
Trimethylamin,
Monoethylamin, Diethylamin, Triethylamin,
Monopropylamin, Dipropylamin, Tripropylamin,
Monobutylamin, Dibutylamin und Tributylamin, enthält.
5. Lösung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß sie mindestens ein
Aminopyridin, ausgewählt aus 2-Aminopyridin,
3-Aminopyridin und 4-Aminopyridin, enthält.
6. Wäßrige Lösung zur Herstellung einer
Katalysatorlösung für das stromlose Plattieren, dadurch
gekennzeichnet, daß sie 0,05 bis 5%
Natriumhydroxid, 0,86 bis 4,34% Monomethylamin, 0,53 bis 2,63% 2-
Aminopyridin und 0,5 bis 2,0% Palladiumchlorid enthält,
wobei alle Prozentmengen auf das Gewicht bezogen sind.
7. Wäßrige Katalysatorlösung für das stromlose
Plattieren, dadurch gekennzeichnet, daß sie
eine Lösung nach Anspruch 6 umfaßt, welche zu einer
Palladiumchloridkonzentration von 0,01 bis 1,00 Gew.-% und mit
einem pH von 7 bis 14 verdünnt worden ist.
8. Wäßrige Katalysatorlösung nach Anspruch 6 oder
Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß sie
0,001 bis 0,1 Gew.-% λ-Ureidopropyltriethoxysilan enthält.
9. Verfahren zum stromlosen Plattieren, dadurch
gekennzeichnet, daß man ein zu plattierendes
Material alkalisch entfettet, anschließend mit Wasser
wäscht, das so behandelte Material mit einer wäßrigen
Katalysatorlösung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, 7 und 8
kontaktiert, anschließend mit Wasser wäscht, das so
behandelte Material mit einem Reduktionsmittel kontaktiert, um
Plattierungskeime zu bilden, das so behandelte Material
mit Wasser wäscht, um überschüssigen Katalysator für die
stromlose Plattierung zu entfernen und daß man das so
behandelte Material in ein Bad zur stromlosen Plattierung
eintaucht, um die Oberflächen des Materials zu
metallisieren.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63018132A JPH01195281A (ja) | 1988-01-28 | 1988-01-28 | 無電解めつき用触媒 |
| JP63110862A JP2513270B2 (ja) | 1988-05-06 | 1988-05-06 | 無電解めっき用触媒溶液 |
| SG156694A SG156694G (en) | 1988-01-28 | 1994-10-24 | Catalyst for electroless plating |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE68909438D1 DE68909438D1 (de) | 1993-11-04 |
| DE68909438T2 true DE68909438T2 (de) | 1994-02-10 |
Family
ID=27282095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE89300598T Expired - Fee Related DE68909438T2 (de) | 1988-01-28 | 1989-01-23 | Katalysator für stromlose Plattierung. |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4986848A (de) |
| EP (1) | EP0328263B1 (de) |
| DE (1) | DE68909438T2 (de) |
| SG (1) | SG156694G (de) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5405656A (en) * | 1990-04-02 | 1995-04-11 | Nippondenso Co., Ltd. | Solution for catalytic treatment, method of applying catalyst to substrate and method of forming electrical conductor |
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| EP0592862B1 (de) * | 1992-10-15 | 1997-03-12 | Tamglass Engineering Oy | Verfahren und Ofen zum Biegen von Glastafeln |
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| JP5041214B2 (ja) | 2007-06-15 | 2012-10-03 | ソニー株式会社 | 金属薄膜の形成方法および電子デバイスの製造方法 |
| CN101838802B (zh) * | 2009-03-20 | 2012-06-06 | 比亚迪股份有限公司 | 一种用于化学镀的活化液及非金属表面活化方法 |
| US8814997B2 (en) * | 2010-03-23 | 2014-08-26 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Electroless plating pretreatment agent, electroless plating method using same, and electroless plated object |
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| US8895441B2 (en) * | 2012-02-24 | 2014-11-25 | Lam Research Corporation | Methods and materials for anchoring gapfill metals |
| JP6272673B2 (ja) * | 2013-10-30 | 2018-01-31 | ローム・アンド・ハース電子材料株式会社 | 無電解めっき用触媒液 |
| JP7228468B2 (ja) | 2019-05-28 | 2023-02-24 | 上村工業株式会社 | プリント配線基板の製造方法 |
| CN111763930B (zh) * | 2020-07-14 | 2022-04-19 | 赤壁市聚茂新材料科技有限公司 | 一种非钯活化镀铜工艺及其敏化剂、活化剂 |
| JP2022030643A (ja) * | 2020-08-07 | 2022-02-18 | イビデン株式会社 | プリント配線板の製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE2116389C3 (de) * | 1971-03-30 | 1980-04-03 | Schering Ag, 1000 Berlin Und 4619 Bergkamen | Lösung zur Aktivierung von Oberflächen für die Metallisierung |
| US3962494A (en) * | 1971-07-29 | 1976-06-08 | Photocircuits Division Of Kollmorgan Corporation | Sensitized substrates for chemical metallization |
| US3960573A (en) * | 1972-08-07 | 1976-06-01 | Photocircuits Division Of Kollmorgan Corporation | Novel precious metal sensitizing solutions |
| US3978252A (en) * | 1973-03-23 | 1976-08-31 | Macdermid Incorporated | Method of improving the adhesion between a molded resin substrate and a metal film deposited thereon |
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-
1989
- 1989-01-19 US US07/298,967 patent/US4986848A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-01-23 EP EP89300598A patent/EP0328263B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-01-23 DE DE89300598T patent/DE68909438T2/de not_active Expired - Fee Related
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1994
- 1994-10-24 SG SG156694A patent/SG156694G/en unknown
Also Published As
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|---|---|
| DE68909438D1 (de) | 1993-11-04 |
| US4986848A (en) | 1991-01-22 |
| SG156694G (en) | 1995-03-17 |
| EP0328263A3 (en) | 1990-05-02 |
| EP0328263A2 (de) | 1989-08-16 |
| EP0328263B1 (de) | 1993-09-29 |
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