KR101224206B1 - 고안정성 무전해 은 도금액, 이를 이용한 무전해 도금 공정 및 이에 의해 제조된 은 피막 - Google Patents

Abstract

본 발명은 질산은을 금속원으로 사용하고 차아인산암모늄을 환원제로 사용하며 착화제로 암모니아수 및 에틸렌디아민을 첨가함으로써, 1) 매우 안정적이며, 2) 도금시 피트나 크랙이 감소하고 치밀한 표면 조직을 가질뿐만 아니라 3) 반도체 배선용 피막의 비저항을 효과적으로 개선할 수 있는 고안정성 무전해 은 도금액, 이를 이용한 무전해 도금 공정 및 이에 의해 제조된 은 피막에 관한 것이다.

Description

고안정성 무전해 은 도금액, 이를 이용한 무전해 도금 공정 및 이에 의해 제조된 은 피막{Electroless silver plating solution with high stability, electroless plating method using the same and silver coating layer prepared by the same}

본 발명은 고안정성 무전해 은 도금액, 이를 이용한 무전해 도금 공정 및 이에 의해 제조된 은 피막에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 질산은을 금속원으로 사용하고 차아인산암모늄을 환원제로 사용하며 착화제로 암모니아수 및 에틸렌디아민을 첨가함으로써, 1) 매우 안정적이며, 2) 도금시 피트나 크랙이 감소하고 치밀한 표면 조직을 가질뿐만 아니라 3) 반도체 배선용 피막의 비저항을 효과적으로 개선할 수 있는 고안정성 무전해 은 도금액, 이를 이용한 무전해 도금 공정 및 이에 의해 제조된 은 피막에 관한 것이다.

반도체 칩의 신호 전달속도는 일반적으로 금속 배선에서 발생하는 저항-축전 용량 지연(RC delay)에 의하여 저하되는 것이 지배적이다. 즉, 배선의 저항과 층간 절연막의 축전용량에 의해 야기되는 저항-축전용량 지연은 소자의 속도 향상에 부정적인 영향을 미친다. 지난 30년간 배선 재료로써 알루미늄(Al)을 주로 사용하였다. 그러나, 최근들어 알루미늄보다 전기이동도(Electromigration)에 대한 저항이 크고, 비저항이 알루미늄의 1/2수준인 구리(Cu)의 사용으로 인하여 작은 폭의 미세배선에서도 신호전달 속도를 증가시킬 수 있게 되었다.

그럼에도 불구하고, 구리는 기존 배선 재료로 사용되던 알루미늄과 달리, 자체 표면 산화막에 의한 보호(passivation)효과가 크지 않아 표면이 산화되기 용이하고, 실리콘과의 반응성이 강하여 실리사이드(Silicide)를 형성하기 쉽다. 또한, 실리콘 또는 이산화규소 내에서의 구리의 확산계수가 일반 금속에 비하여 약 100배 정도 높기 때문에, 열처리에 의하여 반도체 소자의 파괴 가능성이 높다는 문제점이 있다. 또한, CPU 속도가 증가하고 패턴의 크기가 지속적으로 감소함에 따라 구리를 대체할 수 있는 차세대 금속 배선 물질에 대한 개발이 요구되는 실정이다.

최근의 연구결과는 차세대 금속 배선 물질로써 구리보다 비저항이 낮고 산화에 대한 저향력이 높으며, 실리사이드 형성에 대한 저항성이 우수한 은의 도입을 제시하고 있다. 그러나, 구리 배선 형성을 위한 전해 및 무전해 구리도금에 대해서 다양하고 끊임없는 연구가 진행되고 있는 반면, 반도체 배선용 은 도금에 대한 연구는 아직까지 활발하게 이루어지지 않고 있는 실정이다.

한편, 무전해 도금(Electroless plating)은 전기를 사용하지 않고 화학반응을 통해 피도금체를 도금하는 방식으로, 도금액에 포함된 환원제(Reducing agents)가 금속 표면에서 산화하면서 내어놓은 전자로 금속이온이 환원하여 금속 피막을 형성하는 자발적인 공정이다. 따라서, 무전해 도금에 있어서, 무전해 도금용액에 사용되는 환원제는 도금 속도 및 도금된 피막의 특성을 결정하는 중요한 요인이다.

최근 황산코발트 등의 코발트 이온을 무전해 은 도금액의 환원제로 사용하려는 연구가 이루어지고 있으나, 코발트 이온 환원액은 제조 후 수분 이내에 분해가 발생한다는 치명적인 문제가 있다. 그로 인해 환원제로서의 그 활용에 제한을 받고 있다.

이와 같은 배경 하에, 본 발명자들은 코발트 이온 환원 도금액을 대체할 수 있는 배선용 무전해 은 도금 기본조성(VMS: Virgin Makeup Solution)을 개발하기 위하여, 차아인산암모늄을 환원제로 이용하여 무전해 은 도금을 진행하였으며, 여기서 얻은 피막의 우수성을 확인하여 본 발명을 완성하였다.

이에 본 발명의 목적은, 비저항이 낮은 금속인 은을 사용함으로써, 반도체 배선용 피막의 비저항을 효과적으로 개선할 수 있는 고안정성 무전해 은 도금액을 제공하는 것이다.

또한 본 발명의 목적은, 기존의 코발트 이온 환원제를 사용하는 경우와는 달리 장기간 동안 매우 안정적으로 존재할 수 있는 고안정성 무전해 은 도금액을 제공하는 것이다.

또한 본 발명의 목적은, 도금층의 피트나 크랙 없이 매우 치밀한 표면조직을 가짐으로써, 피도금되는 은 피막의 낮은 비저항을 나타낼 수 있으며, 장기간 동안 분해 없이 매우 안정적인 고안정성 무전해 은 도금액을 제공하는 것이다.

또한 본 발명의 목적은, 낮은 온도 범위에서 도금 공정이 수행될 수 있어 보다 효율적인 무전해 도금 공정을 제공하는 것이다.

또한 본 발명의 목적은, 낮은 온도 범위 및 적절한 pH 범위에서 도금 공정이 수행됨으로써, 도금의 속도를 조절할 수 있으면서 도금이 효과적으로 잘 이루어지는 무전해 도금 공정을 제공하는 것이다.

또한 본 발명의 목적은, 형성된 도금 피막에 대하여 열처리를 수행함으로써 도금된 은 피막의 비저항을 현저하게 감소시킬 수 있는 도금 공정을 제공하는 것이다.

또한 본 발명의 목적은, 피트나 크랙이 감소되고 매우 치밀한 표면 조직을 가질 수 있어 피트나 크랙으로 인한 소재의 불량이 저하될 수 있는 은 피막을 제공하는 것이다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 하나의 양태로서 본 발명은 금속염으로서 질산은을 포함하고, 환원제로서 차아인산암모늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 무전해 은 도금액에 관한 것이다.

이러한 은은 비저항이 낮은 금속이라는 특성으로 인해 피도금되는 은 배선의 낮은 비저항을 제공하는 효과가 있으며, 차아인산암모늄을 사용함으로써 은이 보다 용이하게 석출될 수 있게 한다.

이때, 상기 질산은의 농도는 0.5 내지 5 g/ℓ이며, 상기 차아인산암모늄의 농도는 5 내지 30 g/ℓ인 것이 바람직하다.

이러한 이유는, 상기 질산은의 농도가 상기 범위 미만인 경우에는 도금 속도가 저하되고, 상기 범위를 초과하는 경우에는 도금 속도는 증가하지만 도금액의 분해가 일어나기 쉽기 때문이다. 이와 유사하게 차아인산암모늄의 농도가 5 g/ℓ 미만이면 도금속도가 저하되어 생산성이 감소하며, 30 g/ℓ를 초과하는 경우는 도금속도는 증가하지만 용액의 안정성이 저하되어 도금액의 분해가 일어나기 쉬운 단점이 있기 때문이다.

한편, 도금액 제조에 있어서 도금액의 안정화 및 분해 방지를 위해 금속원과 환원제를 각각 용해시켜 혼합하는 것이 바람직함을 유의한다.

상기 무전해 은 도금액은 착화제로서 암모니아수를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. 또한, 착화제로서 에틸렌디아민 및 에틸렌다이아민테트라아세트산(EDTA) 중 어느 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.

이러한 착화제는 도금속도를 조절하며, 도금이 자발적으로 분해되는 것을 방지하여 용액 안정성이 우수한 조성을 제공하는 것으로, 특히 알카리성에서 안정하고 은의 안정성과 착화성에 양호한 특성을 나타내는 암모니아수가 기본적인 착화제로서 제공되는 것이 바람직하며, 추가적인 착화제로서 에틸렌디아민 및 에틸렌다이아민테트라아세트산 중 어느 하나가 제공되는 것이 바람직하다. 상기 도금액 내에서 착화제로서의 성능을 유지하기 위해서는 암모니아수의 농도는 50 내지 400 ㎖/ℓ 이며, 에틸렌디아민 및 에틸렌다이아민테트라아세트산의 농도는 1.0 내지 10 g/ℓ인 것이 바람직하다.

상기 도금액의 pH는 수산화 나트륨에 의해 조절되며 약 9.0 내지 11.5인 것을 특징으로 한다. pH 범위가 9.0 내지 11.5인 경우, 도금의 속도가 빠르면서 도금이 효과적으로 잘 이루어질 수 있게 된다.

본 발명의 또 하나의 양태로서, 본 발명은 무전해 은 도금액을 사용하여 반도체 배선을 위한 도금층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 도금 공정에 관한 것이다.

이때, 상기 도금 공정은 20 내지 60℃의 온도 범위 및 9.0 내지 11.5의 pH 범위에서 수행되는 것이 바람직하다. 이러한 공정 조건은 도금층이 형성되는 금속 표면에 화학적 영향을 최소화하며, 보다 용이하게 도금층이 금속(예를 들어, 은) 표면상에 형성되도록 설정된 것이다.

특히 이러한 공정 온도 범위에 의하면, 낮은 온도에서 보다 치밀하고 미세한 도금층이 형성될 수 있게 된다. 이 경우 상술된 온도 범위보다 온도가 낮을 경우에는 낮은 도금 속도를 가지게 되며, 상술된 온도 범위보다 온도가 높을 경우에는 빠른 도금 속도를 가지게 된다.

또한 이러한 공정 pH 범위에 의하면 은이 보다 효과적으로 석출될 수 있게 되며, 상기 pH 구간 이외에서는 도금액이 불안정 하여 쉽게 분해되기 때문에 상기 공정 pH 범위에서 도금이 수행되는 것이 바람직함을 유의한다.

추가적으로, 본 발명은 상기 단계에서 형성된 도금층을 300 내지 500℃에서 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. 이러한 열처리 단계를 수행하는 이유는 도금된 피막의 비저항을 열처리에 의하여 보다 감소시키기 위한 것이다.

이때, 상기 열처리 단계는 진공 내지 질소 분위기 조건 하에서, 약 500℃로 약 10분 내지 60분 동안, 보다 바람직하게는, 20분 내지 40분 동안 수행되는 것이 바람직하다. 이러한 이유는 상기 조건 하에서 열처리가 수행된 은 피막이 보다 낮은 비저항값을 가지기 때문이다.

본 발명의 또 하나의 양태로서, 본 발명은 전술한 무전해 은 도금액에 의하여에 의하여 금속(예를 들면, 은) 표면 상에 도금된 은 피막에 관한 것이다. 이러한 은 피막은 비저항값이 매우 낮으며, 그로 인해 반도체칩의 효과적인 신호 전달 속도를 가질 수 있게 된다.

본 발명에 따르면, 비저항이 낮은 금속인 은을 사용함으로써, 보다 신뢰성 있고 비저항이 낮은 반도체 배선용 피막을 형성할 수 있는 고안정성 무전해 은 도금액을 제공할 수 있다.

또한 본 발명에 따르면, 기존의 코발트 이온 환원제를 사용하는 경우와는 달리 장기간 동안 매우 안정적으로 존재할 수 있는 고안정성 무전해 은 도금액을 제공할 수 있다.

또한 본 발명에 따르면, 도금층의 피트나 크랙 없이 매우 치밀한 표면 조직을 가짐으로써, 피도금되는 은 피막이 낮은 비저항을 가질 수 있게 된다.

또한 본 발명에 따르면, 무전해 도금 공정이 낮은 온도 범위에서 수행될 수 있기 때문에 보다 효율적으로 도금을 수행할 수 있게 된다.

또한 본 발명에 따르면, 은 피막이 피트나 크랙이 없이 치밀하게 성장되어 반도체 및 패키지와 인쇄회로기판에서의 미세회로의 신뢰성과 저저항을 확보할 수 있다는 효과가 있다.

또한 본 발명에 따르면, 형성된 도금 피막에 대하여 열처리를 수행함으로써 도금된 은 피막의 비저항을 보다 감소시킬 수 있다는 효과가 발생한다.

도 1은 제조예 1에 의해 제조된 도금액에 의해 형성된 은 피막의 표면을 주사 전자 현미경(SEM: Scanning Electron Microscope)를 이용하여 찍은 사진이며,
도 2는 비교 제조예 1에 의해 제조된 도금액에 의해 형성된 은 피막의 표면을 주사 전자 현미경을 이용하여 찍은 사진이며,
도 3은 제조예 1의 무전해 은 도금액을 이용하여 형성된 도금 피막의 표면을 X-선 광전자분광법(XPS: X-ray Photoelectron Spectroscopy)을 이용하여 얻은 분석결과이며,
도 4는 비교 제조예 1의 무전해 은 도금액을 이용하여 형성된 도금 피막의 표면을 X-선 광전자분광법을 이용하여 얻은 분석결과이며,
도 5는 제조예 1 및 비교 제조예 1의 무전해 은 도금액을 이용하여 형성된 도금 피막의 열처리 온도(이때, 시간은 30분으로 고정)에 따른 비저항 값의 변화를 나타내는 그래프이며,
도 6는 제조예 1 및 비교 제조예 1의 무전해 은 도금액을 이용하여 형성된 도금 피막의 열처리 시간(이때, 온도는 500℃로 고정)에 따른 비저항 값의 변화를 나타내는 그래프이다.

이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시한다. 그러나 하기의 실시예는 본 발명을 보다 쉽게 이해하기 위하여 제공되는 것일 뿐, 실시예에 의하여 본 발명의 내용이 한정되는 것은 아니다.

제조예 1

은 염으로서 질산은을 용해시켜 질산은의 농도가 2.0 g/ℓ 인 은염용액을 제조하였다. 그리고, 은염용액에 착화제로 암모니아수와 에틸렌디아민을 각각 120 ㎖/ℓ 와 5.2 g/ℓ 첨가하였다.

환원제인 차아인산암모늄을 용해시켜 농도가 15 g/ℓ인 환원제용액을 제조하였다. 그리고, 환원제용액에 pH 조절을 위한 수산화 나트륨 용액을 용해시켜 도금액이 혼합시 자기 분해되지 않고 안정화하도록 하였다.

상기 제조된 은염용액 및 환원제용액을 혼합하여 도금액을 제조하였다. 이때 도금액의 안정화를 위해 은염용액과 환원제용액을 각각 용해시켜 혼합하였음을 유의한다.

이때, 도금액의 pH는 수산화 나트륨에 의해 pH 10.5로 일정하게 유지시켰으며, 도금액의 온도는 상온으로 조절하였다.

비교 제조예 1

은 염으로서 질산은을 용해시켜 질산은의 농도가 2.0 g/ℓ인 은염용액을 제조하였다. 그리고, 은염용액에 착화제로 암모니아수와 에틸렌디아민을 각각 120 ㎖/ℓ와 5.2 g/ℓ 첨가하였으며, pH 안정화를 위해 황산암모늄을 59.5 g/ℓ 첨가하였다.

환원제인 황산코발트의 농도가 50 g/ℓ인 환원제용액을 제조하였다. 그리고, 환원제용액에 pH 조절을 위한 수산화 나트륨 용액을 용해시켜 도금액이 혼합시 자기 분해되지 않고 안정화하도록 하였다.

상기 제조된 은염용액 및 환원제용액을 혼합하여 도금액을 제조하였다. 이때 도금액의 안정화를 위해 은염용액과 환원제용액을 각각 용해시켜 혼합하였음을 유의한다.

또한 제조예 1과 마찬가지로, 도금액의 pH는 수산화 나트륨에 의해 pH 10.5로 일정하게 유지시켰으며, 도금액의 온도는 상온으로 조절하였다.

실험예 1

본 발명에 따른 고안정성 무전해 은 도금액의 안정성을 평가하기 위해, 제조예 1 및 비교 제조예 1에서 제조된 도금액을 장시간 동안(약 하루 이상) 상온에서 방치하며 각각의 도금액의 분해 정도를 관찰하였다.

관찰 결과, 비교 제조예 1에 따른 도금액은 제조 후 수분 이내에 완전히 분해되었으나, 제조예 1에 따른 도금액은 장시간 후에도 매우 안정적으로 존재함을 확인할 수 있었다.

실험예 2

본 발명에 따른 고안정성 무전해 은 도금액의 성능을 비교하기 위해, 제조예 1 및 비교 제조예 1에서 제조된 도금액을 사용하여 하기와 같은 도금 공정을 실시하였다.

1) 20nm 두께의 구리 씨앗층(Seed layer)이 형성된 웨이퍼 소재를 25~30℃의 온도 범위에서 구리의 산화막을 제거하기 위해 약 30초간 10%의 황산 용액을 이용하여 산세 처리;

2) 상기 웨이퍼 소재를 비이온수로 세척;

3) 밀착력 향상을 위해 20~30℃온도 범위에서 30초간 소프트 에칭 처리 및 수세 처리;

4) 도금공정(제조예 1 및 비교 제조예 1; pH 10.5 유지, 상온 유지)

이때, 상기 각 공정 사이에 순수로 두 번의 세정 공정을 거쳐 전 단계에서 표면에 묻은 불순물을 제거하였다.

이러한 공정을 통해 얻은 은 피막 표면의 모습을 도 1 내지 도 2를 통하여 비교하였다.

도 1은 제조예 1의 도금액에 의해 형성된 은 피막의 표면을 주사 전자 현미경을 이용하여 찍은 사진이다. 도 2는 비교 제조예 1의 도금액에 의해 형성된 은 피막의 표면을 주사 전자 현미경을 이용하여 찍은 사진이다.

도 1 및 도 2를 참조하면, 두 피막 모두 피트나 크랙없이 치밀한 조직을 갖고 있으나, 제조예 1의 도금액에 의해 형성된 피막이 비교제조예 1의 도금액에 의해 형성된 피막에 비하여 보다 균일하고 매우 고른 표면조직을 가지고 있음을 알 수 있다.

실험예 3

제조예 1 및 비교 제조예 1에서 제조된 은 도금액을 이용하여 실험예 2와 동일한 방식으로 도금을 수행하였다. 그리고 각각의 도금액에서 얻어진 피막의 표면을 X-선 광전자분광법을 이용하여 표면분석을 진행하였다.

15 keV의 Al Mono Gun Source를 사용하여 분석한 결과, 도 3 및 도 4와 같이 제조예 1과 비교 제조예 1에서 모두 은 피막이 형성되었음을 알 수 있다.

실험예 4

제조예 1 및 비교 제조예 1에서 제조된 은 도금액을 이용하여 실험예 2와 동일한 방식으로 도금을 수행하였다. 그리고 나서, 형성된 도금 피막에 대하여 진공 내지 질소 분위기 조건에서 300℃, 400℃ 및 500℃에서 약 30분간 열처리를 수행하여 각각의 온도에서의 도금 피막의 비저항값을 측정하였다. 이러한 결과를 도 5에 도시하였다.

도 5는 제조예 1 및 비교 제조예 1에서 제조된 무전해 은 도금액을 이용하여 얻은 도금 피막의 열처리 온도에 따른 비저항값을 나타내는 그래프이다.

도 5를 참조하면, 두 도금액에서 얻은 피막 모두 열처리 온도가 증가할 수록 비저항이 감소하였으며, 약 400℃ 온도 이전까지는 제조예 1에서 제조된 도금액을 이용하여 얻은 은 피막이 비교 제조예 1에서 제조된 도금액을 이용하여 얻은 은 피막보다 비저항값이 낮음을 알 수 있다. 또한, 500℃ 열처리 온도에서는 제조예 1과 비교 제조예 1에서 제조된 도금액을 이용하여 얻은 은 피막이 각각 2.442μΩ㎝와 2.435μΩ㎝의 비슷한 최저 비저항 값을 나타내고 있음을 알 수 있다.

실험예 5

제조예 1 및 비교 제조예 1에서 제조된 은 도금액을 이용하여 실험예 2와 동일한 방식으로 도금을 수행하였다. 그리고 나서, 형성된 도금 피막에 대하여 진공 내지 질소 분위기 조건에서 약 500℃에서 10분, 20분, 30분, 40분, 50분, 60분 동안 열처리를 수행하여 각각의 열처리 시간에서 도금 피막의 비저항값을 측정하였다. 이러한 결과를 도 6에 도시하였다.

도 6은 제조예 1 및 비교 제조예 1에서 제조된 무전해 은도금액을 이용하여 얻은 도금 피막의 열처리 시간에 따른 비저항값을 나타내는 그래프이다.

도 6을 참조하면, 열처리 초기에는 두 도금액에서 얻은 피막 모두 열처리 시간이 증가할수록 비저항이 감소하다가 약 30분이 지난 이후 다시 비저항이 증가함을 알 수 있다. 이때, 30분간 열처리한 경우, 제조예 1과 비교 제조예 1에서 얻은 피막이 각각 2.442μΩ㎝와 2.435μΩ㎝의 최저 비저항 값을 나타냄을 알 수 있다.즉, 형성된 도금 피막에 대하여 약 500℃로 약 10분 내지 60분 동안, 보다 바람직하게는, 20분 내지 40분 동안 열처리를 수행하는 경우에 은 피막의 비저항값이 낮아지게 됨을 알 수 있다.

이러한 결과를 토대로 살펴보면, 본 발명에 따른 고안정성 무전해 은 도금액을 사용하여 도금된 은 도금 피막은 불안정안 코발트 이온 환원제의 사용 없이, 매우 안정적으로 존재하며, 기존 피막과 동등하거나 개선된 피막 특성을 나타내었으며 따라서 반도체 배선으로 사용하기에 매우 우수한 특성을 가지고 있다는 점을 알 수 있다.

이상, 여기에서는 본 발명을 특정 실시예에 관련하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명이 그에 한정되는 것은 아니며, 이하의 특허청구의 범위는 본 발명의 정신과 분야를 이탈하지 않는 한도 내에서 본 발명이 다양하게 개조 및 변형될 수 있다는 것을 당업계에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 알 수 있다.

Claims (10)

1. 금속염으로서 질산은을 포함하고, 환원제로서 차아인산암모늄을 포함하고, 착화제로서 암모니아수를 포함하고, 추가로 에틸렌디아민 및 에틸렌다이아민테트라아세트산(EDTA) 중 어느 하나를 더 포함하며,
   상기 암모니아수의 농도는 50 내지 400 ㎖/ℓ이며,
   상기 에틸렌디아민 및 상기 에틸렌다이아민테트라아세트산 중 어느 하나의 농도는 1.0 내지 10 g/ℓ인 것을 특징으로 하는,
   무전해 은 도금액.
   
2. 삭제
3. 삭제
4. 제1항에 있어서,
   상기 질산은의 농도는 0.5 내지 5 g/ℓ이며, 상기 차아인산암모늄의 농도는 5 내지 30 g/ℓ인 것을 특징으로 하는,
   무전해 은 도금액.
   
5. 삭제
6. 제1항 및 제4항 중 어느 한 항에 기재된 무전해 은 도금액을 사용하여 반도체 배선을 위한 도금층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는,
   도금 공정.
   
7. 제6항에 있어서,
   상기 무전해 도금 공정은 20 내지 60℃의 온도 범위 및 9.0 내지 11.5의 pH 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는,
   도금 공정.
   
8. 제6항에 있어서,
   상기 형성된 도금층을 300 내지 500℃에서 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는,
   도금 공정.
   
9. 제8항에 있어서,
   상기 열처리하는 단계는 10분 내지 60분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는,
   도금 공정.
   
10. 제1항 및 제 4항 중 어느 한 항에 기재된 무전해 은 도금액에 의하여 금속 표면상에 도금되는 것을 특징으로 하는,
    은 피막.
    

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