JP2649749B2 - 銅系素材上への選択的無電解めっき方法 - Google Patents
銅系素材上への選択的無電解めっき方法Info
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、銅系素材上への選択的
無電解めっき方法に関する。
無電解めっき方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及びその課題】次亜リン酸化合物を還元剤
とするＮｉ、Ｐｄ、Ｐｄ−Ｎｉ等の無電解めっきを、銅
系素材上に施す場合には、通常めっき皮膜の還元折出用
の触媒として、Ｐｄ化合物を素材上に付与した後、無電
解めっきが行なわれる。かかる場合の触媒付与方法とし
ては、ＳｎＣｌ2溶液とＰｄＣｌ2溶液による２段処理、
ＰｄＣｌ2／ＳｎＣｌ2混合系の塩酸酸性水溶液による処
理等が行なわれている。しかしながら、これらの処理法
を、プリント基板、セラミック基板、チップ部品等の絶
縁体と導体とが一体となったものに対して適用する場合
には、絶縁部分及び導体部分の全てが触媒活性化され
て、無電解めっき工程で全面にめっきが行なわれ、導体
部分にのみめっき皮膜を形成することができない。ま
た、ＰｄＣｌ2の塩酸酸性水溶液を用いて銅系素材を触
媒活性化する方法も知られているが、この場合にも絶縁
体部分に触媒成分が一部吸着されて、めっき工程で絶縁
体部分に一部めっき皮膜が形成され、特に、導体間の間
隔が狭い場合には、導体と導体とが部分的に結合するブ
リッジ（メッキブリッジ）現象が生じるという問題点が
ある。
とするＮｉ、Ｐｄ、Ｐｄ−Ｎｉ等の無電解めっきを、銅
系素材上に施す場合には、通常めっき皮膜の還元折出用
の触媒として、Ｐｄ化合物を素材上に付与した後、無電
解めっきが行なわれる。かかる場合の触媒付与方法とし
ては、ＳｎＣｌ2溶液とＰｄＣｌ2溶液による２段処理、
ＰｄＣｌ2／ＳｎＣｌ2混合系の塩酸酸性水溶液による処
理等が行なわれている。しかしながら、これらの処理法
を、プリント基板、セラミック基板、チップ部品等の絶
縁体と導体とが一体となったものに対して適用する場合
には、絶縁部分及び導体部分の全てが触媒活性化され
て、無電解めっき工程で全面にめっきが行なわれ、導体
部分にのみめっき皮膜を形成することができない。ま
た、ＰｄＣｌ2の塩酸酸性水溶液を用いて銅系素材を触
媒活性化する方法も知られているが、この場合にも絶縁
体部分に触媒成分が一部吸着されて、めっき工程で絶縁
体部分に一部めっき皮膜が形成され、特に、導体間の間
隔が狭い場合には、導体と導体とが部分的に結合するブ
リッジ（メッキブリッジ）現象が生じるという問題点が
ある。
【０００３】この対策として、ｐＨを上げて触媒活性を
弱める工夫がなされているが、ｐＨを５程度に上げても
メッキブリッジを解消することはできず、一方ｐＨが６
以上となるとコロイド状の沈殿が生じるために、実際上
の取り扱いが困難である。
弱める工夫がなされているが、ｐＨを５程度に上げても
メッキブリッジを解消することはできず、一方ｐＨが６
以上となるとコロイド状の沈殿が生じるために、実際上
の取り扱いが困難である。
【０００４】また、ＰｄＣｌ2の濃度を減少させて、触
媒活性力を弱める工夫もなされているが、この場合、メ
ッキブリッジはなくなるが、反対に触媒活性が弱くなり
すぎて、一部めっきがつかない現象（スキップ現象）を
引きおこすという問題点がある。
媒活性力を弱める工夫もなされているが、この場合、メ
ッキブリッジはなくなるが、反対に触媒活性が弱くなり
すぎて、一部めっきがつかない現象（スキップ現象）を
引きおこすという問題点がある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記した如
き問題点を解決すべく、鋭意研究を重ねてきた。その結
果、ハロゲンを含有しないパラジウム化合物の水溶液を
無電解めっき用の触媒液とする場合に、銅系素材のみを
選択的に触媒活性化でき、かつスキップ現象、ブリッジ
現象等を防止できることを見出した。
き問題点を解決すべく、鋭意研究を重ねてきた。その結
果、ハロゲンを含有しないパラジウム化合物の水溶液を
無電解めっき用の触媒液とする場合に、銅系素材のみを
選択的に触媒活性化でき、かつスキップ現象、ブリッジ
現象等を防止できることを見出した。
【０００６】即ち、本発明は、ハロゲンを含有しないパ
ラジウム化合物０．０００１〜０．５モル／ｌを必須成
分として含み、ハロゲン含有化合物及び周期律IV族に属
する金属塩を含まない水溶液からなる触媒液に、銅系素
材と絶縁体とから構成される被めっき物を浸漬した後、
無電解めっきを行なうことを特徴とする銅系素材上への
選択的無電解めっき方法に係る。
ラジウム化合物０．０００１〜０．５モル／ｌを必須成
分として含み、ハロゲン含有化合物及び周期律IV族に属
する金属塩を含まない水溶液からなる触媒液に、銅系素
材と絶縁体とから構成される被めっき物を浸漬した後、
無電解めっきを行なうことを特徴とする銅系素材上への
選択的無電解めっき方法に係る。
【０００７】以下に、本発明の無電解めっき方法で用い
る触媒液について説明する。本発明で用いる触媒液で
は、パラジウム化合物として、ハロゲンを含有しないも
のを用いることが必要である。この様なパラジウム化合
物としては、［Ｐｄ（ＮＯ2）2（ＮＨ3）2］、Ｋ2［Ｐ
ｄ（ＮＯ2）4］、Ｎａ2［Ｐｄ（ＮＯ2）4］、Ｐｄ（Ｎ
Ｏ3）2・２Ｈ2Ｏ、ＰｄＯ、ＰｄＳＯ4、ＰｄＳ、［Ｐｄ
（ＮＨ3）4］（ＮＯ3）2、Ｐｄ（Ｃ2Ｈ3Ｏ2）2、Ｐｄ
（ＮＯ3）2、 ［Ｐｄ（ＮＨ3）4］（ＯＨ）2などを例
示できる。パラジウム化合物の添加量は、０．０００１
〜０．５モル／ｌ程度、好ましくは０．０００５〜０．
１モル／ｌ程度とすればよく、０．０００１モル／ｌを
下回るとスキップ現象が生じ易くなり、一方、０．５モ
ル／ｌを上回ると不経済となるので好ましくない。
る触媒液について説明する。本発明で用いる触媒液で
は、パラジウム化合物として、ハロゲンを含有しないも
のを用いることが必要である。この様なパラジウム化合
物としては、［Ｐｄ（ＮＯ2）2（ＮＨ3）2］、Ｋ2［Ｐ
ｄ（ＮＯ2）4］、Ｎａ2［Ｐｄ（ＮＯ2）4］、Ｐｄ（Ｎ
Ｏ3）2・２Ｈ2Ｏ、ＰｄＯ、ＰｄＳＯ4、ＰｄＳ、［Ｐｄ
（ＮＨ3）4］（ＮＯ3）2、Ｐｄ（Ｃ2Ｈ3Ｏ2）2、Ｐｄ
（ＮＯ3）2、 ［Ｐｄ（ＮＨ3）4］（ＯＨ）2などを例
示できる。パラジウム化合物の添加量は、０．０００１
〜０．５モル／ｌ程度、好ましくは０．０００５〜０．
１モル／ｌ程度とすればよく、０．０００１モル／ｌを
下回るとスキップ現象が生じ易くなり、一方、０．５モ
ル／ｌを上回ると不経済となるので好ましくない。
【０００８】本発明で用いる触媒液の調製法は、特に限
定的ではないが、液中にハロゲンが含まれないように注
意する必要があり、例えば、パラジウム化合物を、硫
酸、硝酸、リン酸、酢酸、メタンスルホン酸、プロパン
スルホン酸、２−ヒドロキシプロパン−１−スルホン
酸、２−ヒドロキシペンタン−１−スルホン酸、ベンゼ
ンスルホン酸、ｐーフェノールスルホン酸等のハロゲン
を含有しない酸に溶解した後、所定の濃度の水溶液とす
ればよい。
定的ではないが、液中にハロゲンが含まれないように注
意する必要があり、例えば、パラジウム化合物を、硫
酸、硝酸、リン酸、酢酸、メタンスルホン酸、プロパン
スルホン酸、２−ヒドロキシプロパン−１−スルホン
酸、２−ヒドロキシペンタン−１−スルホン酸、ベンゼ
ンスルホン酸、ｐーフェノールスルホン酸等のハロゲン
を含有しない酸に溶解した後、所定の濃度の水溶液とす
ればよい。
【０００９】上記触媒液のｐＨは特に限定的ではない
が、７以下とすることが好ましい。ｐＨが７を上回ると
コロイド状の沈殿が生じ易くなる。ｐＨ調整は、Ｈ2Ｓ
Ｏ4、ＨＮＯ3、ＣＨ3ＣＯＯＨ等の酸やＮａＯＨ、ＫＯ
Ｈ等のアルカリ化合物を用いて行なえばよい。
が、７以下とすることが好ましい。ｐＨが７を上回ると
コロイド状の沈殿が生じ易くなる。ｐＨ調整は、Ｈ2Ｓ
Ｏ4、ＨＮＯ3、ＣＨ3ＣＯＯＨ等の酸やＮａＯＨ、ＫＯ
Ｈ等のアルカリ化合物を用いて行なえばよい。
【００１０】また、該触媒液中には、非イオン性、カチ
オン性、アニオン性、両性等の界面活性剤を添加するこ
ともでき、これにより、触媒液の表面張力を下げ、銅系
素材表面の触媒活性力を均一にすることができる。更
に、チオ尿素類の添加により、銅系素材の析出電位を下
げ、パラジウムとの置換を促進させることもできる。チ
オ尿素類としては、チオ尿素、ジメチルチオ尿素、トリ
メチルチオ尿素、アリルチオ尿素、アセチルチオ尿素、
エチレンチオ尿素、フェニルチオ尿素等を例示できる。
また、ｐＨ緩衝剤として、フタル酸水素カリウム−水酸
化ナトリウム、リン酸二水素カリウム−水酸化ナトリウ
ム、ホウ酸−水酸化ナトリウム、炭酸水素ナトリウム−
水酸化ナトリウム、リン酸水素ニナトリウム−水酸化ナ
トリウム、酢酸ナトリウム−酢酸等を添加することもで
きる。界面活性剤、チオ尿素類及びｐＨ緩衝剤は、必要
に応じて単独又は適宜混合して用いることができるが、
いずれもハロゲンを含有しない化合物を用いる必要があ
る。また、該触媒液は、周期律IV族に属する金属塩を含
有するものではない。
オン性、アニオン性、両性等の界面活性剤を添加するこ
ともでき、これにより、触媒液の表面張力を下げ、銅系
素材表面の触媒活性力を均一にすることができる。更
に、チオ尿素類の添加により、銅系素材の析出電位を下
げ、パラジウムとの置換を促進させることもできる。チ
オ尿素類としては、チオ尿素、ジメチルチオ尿素、トリ
メチルチオ尿素、アリルチオ尿素、アセチルチオ尿素、
エチレンチオ尿素、フェニルチオ尿素等を例示できる。
また、ｐＨ緩衝剤として、フタル酸水素カリウム−水酸
化ナトリウム、リン酸二水素カリウム−水酸化ナトリウ
ム、ホウ酸−水酸化ナトリウム、炭酸水素ナトリウム−
水酸化ナトリウム、リン酸水素ニナトリウム−水酸化ナ
トリウム、酢酸ナトリウム−酢酸等を添加することもで
きる。界面活性剤、チオ尿素類及びｐＨ緩衝剤は、必要
に応じて単独又は適宜混合して用いることができるが、
いずれもハロゲンを含有しない化合物を用いる必要があ
る。また、該触媒液は、周期律IV族に属する金属塩を含
有するものではない。
【００１１】上記触媒液は、銅系素材を選択的に触媒活
性化するものである。よって、本発明のめっき方法で
は、被めっき物としては、プリント基板、セラミック基
板、チップ部品等の銅系素材と絶縁体とから構成される
材料を用いることができ、この様な被めっき物に対して
も、銅系素材のみを選択的に触媒活性化して、銅系素材
部分にのみ無電解めっきを行なうことが可能となる。
性化するものである。よって、本発明のめっき方法で
は、被めっき物としては、プリント基板、セラミック基
板、チップ部品等の銅系素材と絶縁体とから構成される
材料を用いることができ、この様な被めっき物に対して
も、銅系素材のみを選択的に触媒活性化して、銅系素材
部分にのみ無電解めっきを行なうことが可能となる。
【００１２】適用対象となる銅系素材としては、銅、黄
銅、リン青銅、洋白等を挙げることができ、これら素材
自体、又は各種素地の上に、めっき、蒸着、ペースト等
によってこれらの銅系素材の皮膜を形成したものに適用
できる。
銅、リン青銅、洋白等を挙げることができ、これら素材
自体、又は各種素地の上に、めっき、蒸着、ペースト等
によってこれらの銅系素材の皮膜を形成したものに適用
できる。
【００１３】上記触媒液による処理法は、通常の触媒液
による処理と同様でよく、液温１０〜９０℃程度、好ま
しくは２５〜７０℃程度の触媒液中に、被処理物を１０
秒〜１０分程度浸漬すればよい。液温が低すぎる場合に
は、スキップ現象が生じ易く、一方液温が高すぎるとブ
リッジ現象が生じ易くなるので注意が必要である。
による処理と同様でよく、液温１０〜９０℃程度、好ま
しくは２５〜７０℃程度の触媒液中に、被処理物を１０
秒〜１０分程度浸漬すればよい。液温が低すぎる場合に
は、スキップ現象が生じ易く、一方液温が高すぎるとブ
リッジ現象が生じ易くなるので注意が必要である。
【００１４】触媒液によって活性化した後、無電解めっ
きを行なうことによって、銅系素材上に選択的にめっき
皮膜を形成できる。本発明触媒液では、使用できる無電
解めっき液としては、特に限定はないが、次亜リン酸化
合物を還元剤とするＮｉ、Ｐｄ、Ｐｄ−Ｎｉ等の無電解
めっき液を用いる場合に特に有効である。
きを行なうことによって、銅系素材上に選択的にめっき
皮膜を形成できる。本発明触媒液では、使用できる無電
解めっき液としては、特に限定はないが、次亜リン酸化
合物を還元剤とするＮｉ、Ｐｄ、Ｐｄ−Ｎｉ等の無電解
めっき液を用いる場合に特に有効である。
【００１５】上記触媒液を用いる場合には、脱脂、酸洗
等の前処理は、常法に従えばよく、また無電解めっき条
件も通常通りでよい。
等の前処理は、常法に従えばよく、また無電解めっき条
件も通常通りでよい。
【００１６】
【発明の効果】本発明のめっき方法によれば、上記した
特定の触媒液を用い、被めっき物を該触媒液に浸漬した
後、無電解めっきを行なうことによって、銅系素材上に
のみ選択的に無電解めっき皮膜を形成することができ、
プリント基板、セラミック基板、チップ部品等の絶縁体
と銅系素材の導体とからなる材料に対しても、スキップ
現象、ブリッジ現象等を生じることなく、導体部分にの
み良好なめっき皮膜を形成することが可能となる。
特定の触媒液を用い、被めっき物を該触媒液に浸漬した
後、無電解めっきを行なうことによって、銅系素材上に
のみ選択的に無電解めっき皮膜を形成することができ、
プリント基板、セラミック基板、チップ部品等の絶縁体
と銅系素材の導体とからなる材料に対しても、スキップ
現象、ブリッジ現象等を生じることなく、導体部分にの
み良好なめっき皮膜を形成することが可能となる。
【００１７】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を更に詳細に説
明する。
明する。
【００１８】
【実施例１】ガラスエポキシ銅張積層板に穴あけをし、
無電解銅めっき、電気銅めっきを行なった後、エッチン
グレジスト層を形成し、次いで、エッチング、エッチン
グレジスト層剥離、ソルダーレジスト印刷、文字印刷、
外形加工の工程を経て得られた両面表面実装部品と片面
挿入型部品の混在実装用の１００×１７０×１６ｍｍの
銅めっきスルーホールプリント配線板について、以下の
処理を行なった。
無電解銅めっき、電気銅めっきを行なった後、エッチン
グレジスト層を形成し、次いで、エッチング、エッチン
グレジスト層剥離、ソルダーレジスト印刷、文字印刷、
外形加工の工程を経て得られた両面表面実装部品と片面
挿入型部品の混在実装用の１００×１７０×１６ｍｍの
銅めっきスルーホールプリント配線板について、以下の
処理を行なった。
【００１９】プリント配線板を浸漬脱脂、酸洗した後、
過硫酸アンモニウム１５０ｇ／ｌ水溶液に３０℃で６０
秒間浸漬してソフトエッチングを行ない、次いで酸洗
後、表１に示した触媒液組成及び条件で触媒を付与し
た。次いで、下記組成のＮｉ、Ｐｄ、Ｐｄ−Ｎｉの各々
の無電解めっきを行ない、スキップ現象及びブリッジ現
象の発生の有無を調べた。スキップ現象の評価の場合に
は、めっき時間を３０秒とし、ブリッジ現象の評価の場
合にはめっき時間を３０分とした。スキップ現象につい
ては、被めっき物の表面を顕微鏡を用いて倍率５０倍で
目視観察し、被めっき物であるプリント配線板の銅回路
が一か所でも露出している場合をスキップ有とし、銅回
路が全く露出していない場合をスキップ無として評価し
た。また、ブリッジ現象については、同様にして、被め
っき物の表面を顕微鏡を用いて倍率５０倍で目視で観察
し、銅回路の短絡が一か所でも認められる場合をブリッ
ジ有とし、銅回路の短絡が全く認められない場合をブリ
ッジ無として評価した。
過硫酸アンモニウム１５０ｇ／ｌ水溶液に３０℃で６０
秒間浸漬してソフトエッチングを行ない、次いで酸洗
後、表１に示した触媒液組成及び条件で触媒を付与し
た。次いで、下記組成のＮｉ、Ｐｄ、Ｐｄ−Ｎｉの各々
の無電解めっきを行ない、スキップ現象及びブリッジ現
象の発生の有無を調べた。スキップ現象の評価の場合に
は、めっき時間を３０秒とし、ブリッジ現象の評価の場
合にはめっき時間を３０分とした。スキップ現象につい
ては、被めっき物の表面を顕微鏡を用いて倍率５０倍で
目視観察し、被めっき物であるプリント配線板の銅回路
が一か所でも露出している場合をスキップ有とし、銅回
路が全く露出していない場合をスキップ無として評価し
た。また、ブリッジ現象については、同様にして、被め
っき物の表面を顕微鏡を用いて倍率５０倍で目視で観察
し、銅回路の短絡が一か所でも認められる場合をブリッ
ジ有とし、銅回路の短絡が全く認められない場合をブリ
ッジ無として評価した。
【００２０】 無電解Ｎｉメッキ液 硫酸ニッケル（６水塩） ２０ｇ／ｌ りんご酸 ２０ｇ／ｌ 次亜リン酸ナトリウム（１水塩） ３０ｇ／ｌ 酢酸鉛（３水塩） １ｍｇ／ｌ ｐＨ（アンモニア水で調整） ６ 浴温 ８５℃ 析出速度 約８μｍ／ｈ 無電解Ｐｄメッキ液 塩化パラジウム ０．０１モル／ｌ エチレンジアミン ０．０８モル／ｌ チオジグリコール酸 ２０ｍｇ／ｌ 次亜リン酸ソーダ ０．０６モル／ｌ ｐＨ ８ 浴温 ５０℃ 析出速度 約１μｍ／ｈ 無電解Ｐｄ−Ｎｉメッキ液 塩化パラジウム ０．０１モル／ｌ 塩化ニッケル ０．１モル／ｌ エチレンジアミン ０．０８モル／ｌ チオジグリコール酸 ２０ｍｇ／ｌ 次亜リン酸ソーダ ０．０６モル／ｌ ｐＨ ８ 浴温 ５０℃ 析出速度 約２μｍ／ｈ
【００２１】
【表１】
【００２２】以上の試験の結果、液中にハロゲンの存在
するＮｏ．１〜１６の触媒液を用いた場合には、Ｎｉ、
Ｐｄ、Ｐｄ−Ｎｉの各めっき皮膜について、全ての試料
でスッキップ現象は認められなかったが、全ての試料に
おいて、ブリッジ現象が認められた。一方、本発明で用
いる触媒液であるＮｏ．１７〜４０の触媒液により触媒
を付与した場合には、スキップ現象及びブリッジ現象は
全く認められなかった。
するＮｏ．１〜１６の触媒液を用いた場合には、Ｎｉ、
Ｐｄ、Ｐｄ−Ｎｉの各めっき皮膜について、全ての試料
でスッキップ現象は認められなかったが、全ての試料に
おいて、ブリッジ現象が認められた。一方、本発明で用
いる触媒液であるＮｏ．１７〜４０の触媒液により触媒
を付与した場合には、スキップ現象及びブリッジ現象は
全く認められなかった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 内田 宏子 兵庫県明石市太寺３丁目５の50 (56)参考文献 特開 昭55−18595（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−139494（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−172796（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−58890（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−185794（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】ハロゲンを含有しないパラジウム化合物
０．０００１〜０．５モル／ｌを必須成分として含み、
ハロゲン含有化合物及び周期律IV族に属する金属塩を含
まない水溶液からなる触媒液に、銅系素材と絶縁体とか
ら構成される被めっき物を浸漬した後、無電解めっきを
行なうことを特徴とする銅系素材上への選択的無電解め
っき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3141687A JP2649749B2 (ja) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | 銅系素材上への選択的無電解めっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3141687A JP2649749B2 (ja) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | 銅系素材上への選択的無電解めっき方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04365876A JPH04365876A (ja) | 1992-12-17 |
| JP2649749B2 true JP2649749B2 (ja) | 1997-09-03 |
Family
ID=15297887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3141687A Expired - Lifetime JP2649749B2 (ja) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | 銅系素材上への選択的無電解めっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2649749B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3377650B2 (ja) * | 1995-05-10 | 2003-02-17 | 住友金属鉱山株式会社 | 金属被覆希土類元素含有粉体の製造方法 |
| JP2008255460A (ja) * | 2007-04-09 | 2008-10-23 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | ポリイミド樹脂の無電解めっき処理方法 |
| JP2010031312A (ja) * | 2008-07-28 | 2010-02-12 | Ne Chemcat Corp | パターンめっき皮膜、及びその形成方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IT1107840B (it) * | 1978-07-25 | 1985-12-02 | Alfachimici Spa | Soluzione catalitica per la deposizione anelettrica di metalli |
| JPS58139494A (ja) * | 1982-01-12 | 1983-08-18 | セイコーエプソン株式会社 | プリント配線板の製造方法 |
| JPS58185794A (ja) * | 1982-04-21 | 1983-10-29 | Hitachi Ltd | パラジウム活性化液 |
| JPS59172796A (ja) * | 1983-03-22 | 1984-09-29 | イビデン株式会社 | プリント回路板の製造方法 |
| JPS6358890A (ja) * | 1986-08-29 | 1988-03-14 | 日本電気株式会社 | 印刷配線板の製造方法 |
-
1991
- 1991-06-13 JP JP3141687A patent/JP2649749B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04365876A (ja) | 1992-12-17 |
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