JP2006188761A - 伝導性金属めっきポリイミド基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】伝導性金属めっきポリイミド基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の伝導性金属めっきポリイミド基板の製造方法は、ポリイミド膜の表面をＫＯＨ、エチレングリコール及びＫＯＨの混合溶液、または無水クロム酸及び硫酸の混合溶液によりエッチングする段階と、前記エッチングされたポリイミド膜の表面をカップリング剤によりカップリングする段階と、前記ポリイミド膜に触媒を吸着させる段階と、前記触媒が吸着されたポリイミド膜に電流を付加することなく、第１の伝導性金属膜を形成する第１のめっき段階と、前記第１のめっきされたポリイミド膜に電流を付加して第２の伝導性金属膜を形成する第２のめっき段階と、を含む。

Description

本発明は、伝導性金属めっきポリイミド基板及びその製造方法に関する。

伝導性金属めっきポリイミド基板は、軟性印刷回路（Flexible printed circuit：以下、'ＦＰＣ'と称する。）の核心材料として用いられ、その具体例として、例えば、軟性銅箔積層フィルム（Flexible copper clad laminate：以下、'ＦＣＣＬ'と称する。）が挙げられる。

通常、ＦＰＣにおいて、絶縁フィルム層としては、ポリエステル、ポリイミド、液晶ポリマー、フッ素樹脂フィルムなどが用いられるが、耐熱性、寸法安定性及び半田付け性に優れたポリイミドフィルムが好適に用いられる。

一方、伝導性金属として用いられる金属材料としては、電気抵抗が低く、且つ、伝導度に優れた金、銅などが挙げられるが、コスト面において銅が主に用いられている。

一方、ＦＣＣＬは、ポリイミド膜及び銅薄膜よりなるが、ポリイミド膜と伝導性金属層のラミネイト方法によって、ポリイミド膜、接着層及び伝導性金属層よりなる３層ＦＣＣＬとポリイミド膜及び伝導性金属層よりなる２層ＦＣＣＬなどに大別できる。

しかしながら、物性面から、３層ＦＣＣＬは、回路の完成後の微細パターンの形成の困難さ、曲げ性が低いという不都合などを抱いており、しかも、用いられる接着剤の低い耐熱性が原因となって、半田付けなどの高温の工程には用いられないという不都合があり、２層ＦＣＣＬが好適に用いられている。

ＦＣＣＬの製造方法には、大きくラミネイト法、キャスティング法及びめっき法などが挙げられる。

ラミネイト方法として、ポリイミドフィルム上に接着剤を塗布し、オーブンにべークして接着層を固着し、次いで、ポリイミドフィルム上に銅薄膜を位置付けた後、プレス加工を行うことにより、積層されたＦＣＣＬを製造する方法が知られている。

また、キャスティング法として、銅薄膜上に液状ポリイミドを塗布し、キャスティング加工を行うことにより、積層されたＦＣＣＬを製造する方法が知られている。

さらに、めっき法として、ポリイミドフィルムをめっき環境下に置き、ポリイミドフィルム上に銅層を形成することにより、ＦＣＣＬを製造する方法が知られている。

これらのＦＣＣＬの製造方法において、ラミネイト法及びキャスティング法の場合、各方法に使用可能なポリイミドフィルムの種類に制限があり、しかも、用いられる接着剤による不具合が存在するのに対し、めっき法の場合には、商用レベルの銅薄膜が不要であり、めっき中に目的とする銅薄膜の膜厚が調節可能であるというメリットがある。

しかしながら、既存のめっき法により製造されたＦＣＣＬは、剥離強度を含む物性が、他の方法により製造されたＦＣＣＬに比べて劣っているという問題があった。この理由から、剥離強度など、その物性が改善された伝導性金属めっきポリイミド基板、特に、ＦＣＣＬの製造方法が望まれているのが現状である。

本発明の目的は、伝導性金属めっきポリイミド基板及びその製造方法を提供するところにある。

また、本発明は、めっき方法による２層構造のＦＣＣＬ及びその製造方法を提供するところにある。

上記の如き目的を達成するために、本発明のある特徴による伝導性金属めっきポリイミド基板は、表面のイミド環がエッチングされて開裂されているポリイミド膜と、前記ポリイミド膜に無電解めっきにより形成されている第１の伝導性金属薄膜と、前記第１の伝導性金属薄膜上に電解めっきにより形成されている第２の伝導性金属薄膜と、を含む伝導性金属薄膜を有する。

また、本発明の他の特徴による伝導性金属めっきポリイミド基板の製造方法は、ａ）ポリイミド膜の表面をＫＯＨ、エチレングリコール及びＫＯＨの混合溶液、または無水クロム酸及び硫酸の混合溶液によりエッチングする段階と、ｂ）前記エッチングされたポリイミド膜の表面をカップリング剤によりカップリングする段階と、ｃ）前記ポリイミド膜に触媒を吸着させる段階と、ｄ）前記触媒が吸着されたポリイミド膜に電流を付加することなく、第１の伝導性金属膜を形成する第１のめっき段階と、ｅ）前記第１のめっきされたポリイミド膜に電流を付加して第２の伝導性金属膜を形成する第２のめっき段階と、を含む。

本発明の実施例に係る伝導性金属めっきポリイミド基板は、ポリイミド膜上に伝導性金属がめっきされて得られる。このため、本発明の伝導性金属めっきポリイミド基板は、伝導性金属膜及びポリイミド膜を含む。

本発明において用いられるポリイミド膜としては、伝導性金属のめっき工程に使用可能なものであれば特に制限がなく、多層ポリイミド膜であっても、単層ポリイミド膜であっても良い。

本発明の実施例においては、説明の便宜のために、伝導性金属として銅薄膜を用いるＦＣＣＬを伝導性金属めっきポリイミド基板の一例として説明を加えるが、本発明の保護範囲がこれに限定されるものではない。

本発明の実施例に係るＦＣＣＬは、ポリイミドフィルム及び銅めっき層を含む２層ＦＣＣＬであり、接着層を有さない。

本発明の実施例に係るＦＣＣＬの製造方法は、脱脂工程、エッチング工程、中和工程、カップリング工程、触媒付加工程、反応促進工程、下地めっき工程及びめっき工程のうち一部以上の工程を含むことができる。

本発明によれば、接着層の使用が不要になり、伝導性めっき膜の形成膜厚が調節可能であるほか、密着強度及び耐曲げ性に優れた伝導性金属めっきポリイミド基板を得ることができる。

また、本発明の伝導性金属めっきポリイミド基板は、接着層を用いないことから、耐熱性、耐薬品性、マイクレーション特性及び曲げ性に優れている。

以下、各工程を通じて本発明の実施例に係るＦＣＣＬの製造方法を詳述する。また、後述する各工程においては、超音波を加えて連続した工程を誘発することができる。ポリイミドは、柔軟性に優れた材料であるため、超音波による連続した反応が可能になる。

１．脱脂工程
脱脂工程は、ポリイミドの製造または取り扱い中に生成された表面の不純物（汚れ、油脂分、人間の指紋など）を除去するための工程である。

前記不純物の除去しなかった場合、ＦＣＣＬの剥離強度（Peel Strength；密着強度）が劣化することがある。

脱脂工程に用いられる脱脂液成分としては、本発明の実施例においては特に制限されず、通常のアルカリリンスであっても、シャンプーであっても良い。

本発明の実施例において、脱脂工程の温度範囲は、約２０〜２８℃とし、脱脂工程の保持時間は、約５分間とする。

脱脂工程の温度範囲が２０℃以下である場合、脱脂液の活性が低いために所望の脱脂効果を得ることができず、一方、脱脂工程の温度範囲が２８℃以上である場合、工程処理時間の適切な調節が困難になる。

２．エッチング工程
脱脂工程により得られたポリイミドをエッチング溶液によりエッチングすることで、ポリイミド表面の改質処理を施す。

この工程において使用可能なエッチング溶液としては、ＫＯＨ、エチレングリコール及びＫＯＨの混合溶液、または無水クロム酸及び硫酸の混合溶液が好適に挙げられる。

エッチング工程は、約４５〜５０℃下で、約５〜７分間ポリイミド膜をエッチング溶液に浸漬することにより行われる。

このエッチング工程により改質されたポリイミド膜の表面は、今後のめっき工程に際し、めっき層とポリイミド層との密着を最大化させ、その結果、剥離強度が高められる。このようなエッチング工程によりポリイミドのイミド環が開裂され、イミド環がアミド基（−ＣＯＮＨ）またはカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）に置換されるので、結果として、反応性が上がる。

このエッチング工程の工程温度が４０℃以下である場合には、エッチング溶液の活性が低下して所望のエッチング効果を奏することができず、長期間の反応によりポリイミド膜上に部分的なダメージをまねく虞がある。その一方、エッチング工程の工程温度が４５℃以上である場合、エッチング工程が急速に進んでしまい、ポリイミドの表面上の全体的な均一性及び連続性の調節が困難になる。

３．中和工程
エッチング工程により得られた、表面改質の行われたポリイミド膜の表面を、前記エッチング溶液がアルカリ性であった場合には酸性の中和溶液を、前記エッチング溶液が酸性であった場合にはアルカリ性の中和溶液を用いて中和処理する。

この工程は、前記エッチング工程により得られたポリイミド表面のアミド基またはカルボキシル基と相互作用しながら残存することが想定されているＫ^＋イオンまたはＣｒ^３＋イオンを酸性溶液のＨ^＋に置換して除去する。

このＫ^＋イオンまたはＣｒ^３＋イオンが残存する場合、後続するカップリング工程において、Ｋ^＋イオンまたはＣｒ^３＋イオンはポリイミド膜に極性を与えるためのカップリングイオンと競争し、カップリングイオンとアミド基またはカルボキシル基との反応を妨げる。

中和工程の温度が１０℃以下である場合には、反応液の活性が低下して所望の中和効果を奏することができず、しかも、ポリイミド膜の部分的なダメージが著しい。また、中和工程の温度が３０℃以上である場合、急速な反応により全体的な均一性及び連続性の調節が困難になる。

４．カップリング工程（極性の付与工程）
中和工程において改質されたポリイミド膜を、カップリング剤溶液を用いてカップリング反応させる。

カップリング反応は、エッチング工程によりポリイミド表面のイミド環が開裂されている個所にカップリングイオンを結合してポリイミド膜上に極性を与えることにより、今後のめっき工程の進行を円滑にし、且つ、ターゲット製品の剥離強度を高める。

この工程において使用可能なカップリング剤溶液は、シラン系のカップリング剤であっても、アミン系のカップリング剤であっても良い。

シラン系のカップリング剤としては、信越化学、ジャパンエネルギーまたはダウコーニング社製のカップリング剤など、各種の市販製品を用いることができる。

アミン系のカップリング剤としては、水酸化ナトリウム及びモノメチルアミンを混合して得られるアルカリ系のカップリング剤またはエチレンジアミン及び塩酸を混合して得られる酸系のカップリング剤を用いることができる。

このカップリング工程は、用いられるカップリング剤の特性に応じてその反応条件が異なるが、シラン系のカップリング剤の場合には、約２５〜３０℃下で、約５〜７分間浸漬して反応を行う。

５．酸洗い工程
前記カップリング工程により得られるカップリングされたポリイミド膜を、常温下、酸性溶液に浸漬することにより、ポリイミド膜の表面の開裂個所に結合できずに残留しているカップリングイオンを除去する。この酸洗い工程が長い場合、あるいは、用いられる酸性溶液の酸度が高過ぎる場合には、結合中のカップリングイオンも除去することがあるため、反応条件を適宜に調節する。

６．触媒付加工程
前記カップリングされたポリイミド膜を触媒溶液に浸漬し、ポリイミド膜の表面に触媒としてパラジウムを吸着させる。

触媒溶液は、塩化パラジウム（ＰｄＣｌ_２）及び塩化第１錫（ＳｎＣｌ_２）を塩酸に１：１の体積比にて希釈することにより得られる。

この工程の反応時間が短過ぎると、ポリイミドの表面に触媒としてのパラジウム及び錫の吸着率が低くて所望の触媒効果を奏することができず、反応時間が長過ぎると、この工程液中の塩酸によりポリイミドの表面が腐食するなど、逆効果が発生することがあるため、反応条件を適宜に調節する。

７．下地めっき工程
前記触媒入りポリイミド膜を下地めっき溶液に浸漬することにより、ポリイミド膜に下地めっきを施す。

下地めっき溶液として、ＥＤＴＡ水溶液、水酸化ナトリウム水溶液、ホルマリン水溶液及び硫酸銅水溶液を混合して得られた硫酸銅下地めっき溶液、または次亜リン酸ナトリウム、クエン酸ナトリウム、アンモニア及び硫酸ニッケル六水和物溶液を混合して得られた硫酸ニッケル下地めっき溶液を用いることができる。

ここで、下地めっき溶液は、さらに、金属物性を極大化させるために、つや出し剤成分及び安定剤成分などを少量含むことができる。このつや出し剤及び安定剤は、下地めっき溶液のリサイクル及び長期間の保存を可能にする。

硫酸銅下地めっき溶液を用いる場合、下地めっき工程は、触媒入りポリイミド膜を電流を付加することなく、約３８〜４２℃の温度下で、約２５〜３０分間浸漬することにより行われる。このように、電流の付加無しにめっき膜を形成する方法を無電解めっき方式と言う。

このとき、下地めっき工程により得られる下地めっきの膜厚は、めっき時間に応じて適宜に調節することができる。

一方、下地めっき工程の反応温度が約３８℃以下である場合、めっき溶液の活性が低くて未めっきが起きたり、部分的なめっきが行われて下地めっき層を形成することができず、下地めっき工程の温度が約４２℃以上である場合には、急激なめっきの進行により下地めっき膜上に全体的な均一性及び密着性が不足する結果となる。

硫酸ニッケル下地めっき溶液を用いる場合、下地めっき工程は、触媒入りポリイミド膜を約３５〜４０℃の温度下で、約２分間浸漬することにより行われる。

この工程は、以降のめっき工程のための下地めっき工程であり、約０．１μm〜０．２μmのめっき膜厚に行うことができるが、未めっき部分が無くなるほどに行うことが好ましい。

８．めっき工程
下地めっき済みポリイミド膜をめっき溶液に浸漬し、電流を付加してめっき工程を行う。

具体的に、下地めっき済みポリイミド膜をめっき溶液に浸漬し、約４０〜４５℃下で、約３０分間２Ａ／ｄｍ^２の電流を加えてめっきを行い、銅めっき膜が形成されているポリイミド、すなわち、２層構造のＦＣＣＬを製造する。めっき反応の過程中に、めっき溶液を円滑に攪拌して、めっき溶液の濃度の不均一を最小化する。このとき、めっきの条件は、得ようとする銅めっき膜の膜厚によって適宜に調節可能である。このように、電流を付加してめっきを行なう方式を、上述した無電解めっき方式と区別して電解めっき方式と言う。

この実施例において使用可能なめっき溶液として、市販中のめっき溶液（Enthone ＯＭＩ、ヒソン金属、ＮＭＰなど）を用いることができる。しかしながら、市販中のめっき溶液の使用条件よりも柔らかな条件下で長時間をかけて徐々に膜へのめっき工程を行う。

長時間をかけてめっきを行う場合、めっき膜の内部応力が極力抑えられて硬度を下げることができ、且つ、強度及び軟性に優れためっき膜を得ることができる。

市販中のめっき溶液の他に、硫酸銅水溶液（ＣｕＳＯ_４−Ｈ_２Ｏ）、硫酸（Ｈ_２ＳＯ_４）及び塩酸（ＨＣｌ）の混合溶液を水（イオン交換水）により希釈して得られためっき溶液を用いることができる。このめっき溶液は、つや出し剤及び添加剤を少量含むことができる。

９．ＦＣＣＬの物性検査
本発明の実施例に従い得られたＦＣＣＬめっきの連続性を目視で観察し、ＦＣＣＬのめっきの度合いを評価する。◎は、サンプルの表面が全体的に均一でかつきれいにめっきされた場合であり、○は、サンプルの表面が均一にめっきされた場合、△は、部分的に未めっきの個所が存在する場合、そして×は、未めっきの部分が多い場合を示す。

ＪＩＳ−６４７１規格に準拠し、密着強度（剥離強度；サンプルの平均値）及び耐曲げ性テスト（Ｒ＝０．３８ｍｍ，５００ｇ，サンプル平均値）を評価する。

以下、本発明を実施例を通じて本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者が容易に実施可能に詳述する。しかし、本発明は各種の相異なる形態で実現可能であり、後述する実施例に本発明が限定されることはない。

本発明の実施例に用いられるポリイミドとして、幅が４０ｍｍ、長さが２００ｍｍ及び膜厚が２５μmのポリイミドサンプル（Ａｕｒｕｍ，三菱化学製）を用意し、ＦＣＣＬの製作のための前処理として、１５０℃下で、約１０分間乾燥させ、ポリイミドの内部に含まれている水分を除去した。下記の実施例は、前記ポリイミドサンプルに好適な工程であって、前記工程は、ポリイミドサンプル及び条件によって当業者による適宜な変更が可能であるということはいうまでもない。

実施例１
ポリイミドサンプルを約４５〜５０℃の温度下で、５ＭのＫＯＨ中に約５〜７分間浸漬することにより、エッチングした。

エッチングされたポリイミドサンプルを１００ｍｌ／ＬのＨＣｌを用い、常温下、約５〜７分間浸漬することにより、表面を中和処理した。

その後、アミノプロピルトリエトキシシランを含むシラン系のカップリング剤を１．０〜１．５％／Ｌで希釈し、約２５〜３０℃の温度下で５〜７分間浸漬し、約１１０℃下で約５分間乾燥させた。

次いで、塩酸水溶液による洗浄を行った。

その後、塩化パラジウム（ＰｄＣｌ_２，０．５／Ｌ）及び塩化第１錫（ＳｎＣｌ_２，２ｇ／Ｌ）よりなる溶液を塩酸に１：１の体積比で希釈して得られた触媒溶液にカップリング処理の施されたポリイミドサンプルを室温下で約５分間浸漬した。

続けて、ＥＤＴＡ水溶液（４．２ｇ／Ｌ）、水酸化ナトリウム水溶液（１３．７ｇ／Ｌ）、ホルマリン水溶液（９．５ｇ／Ｌ）よりなる水溶液に硫酸銅水溶液（１５．８ｇ／Ｌ）を混合して得られた硫酸銅下地めっき溶液に触媒処理されたポリイミドサンプルを電流を付加することなく、約４０℃の温度下で、約２５分間浸漬して下地めっきを行った。

その後、下地めっきされたポリイミドサンプルを約１１０℃下で、約１０分間乾燥させた。

次いで、硫酸銅水溶液（ＣｕＳＯ_４−Ｈ_２Ｏ）、硫酸（Ｈ_２ＳＯ_４）、塩酸（ＨＣＬ）をイオン交換水により希釈して得られためっき溶液に前記下地めっきされたポリイミドサンプルを約４０℃の温度下で、約５０分間浸漬し、２Ａ／ｄｍ^２の電流を付加してＦＣＣＬサンプルを得た。

実施例２
前記実施例１において、エッチング溶液として、エチレングリコール（２０ｇ／Ｌ）を５ＭのＫＯＨ溶液に混合して得られたエッチング溶液を用いた以外は、前記実施例１の方法と同様にしてＦＣＣＬサンプルを得た。

実施例３
前記実施例１において、エッチング溶液として、無水クロム酸及び硫酸の混合溶液を用いた以外は、前記実施例１の方法と同様にしてＦＣＣＬサンプルを得た。

本発明の実施例１〜３に従い得られたＦＣＣＬに対して物性テストを行い、下記表１に示す。

実施例４〜６
前記実施例１〜３において、硫酸銅下地めっき溶液を用いて銅により下地めっきを行う代わりに、硫酸ニッケル下地めっき溶液を用いてニッケルにより下地めっきを行った以外は、前記実施例１〜３の方法と同様にしてＦＣＣＬサンプルを得た。

硫酸ニッケル下地めっき溶液は、次亜リン酸ナトリウム（４０〜５０ｇ／Ｌ）、クエン酸ナトリウム（９０〜１６０ｇ／Ｌ）、アンモニア（７０〜１１０ｍｌ／Ｌ）、硫酸ニッケル六水和物溶液（３０〜５０ｍｌ／Ｌ）を混合して得られた。また、下地めっき工程は、触媒処理されたポリイミドサンプルを硫酸ニッケル下地めっき溶液に約３５〜４０℃下で、約２分間浸漬することにより行われた。

すなわち、実施例４においては、エッチング溶液として５ＭのＫＯＨ水溶液を用い、下地めっき工程としてニッケルめっきを行った。また、実施例５においては、エッチング溶液としてエチレングリコール及び５ＭのＫＯＨの混合溶液を用い、下地めっき工程としてニッケルめっきを行った。さらに、実施例６においては、エッチング溶液として無水クロム酸及び硫酸の混合水溶液を用い、下地めっき工程としてニッケルめっきを行った。

本発明の実施例４〜６に従い得られたＦＣＣＬに対して物性テストを行い、その結果を下記表２に示す。

比較例１
前記実施例１において、エッチング溶液として水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ，２００ｇ／Ｌ）水溶液を用いた以外は、前記実施例１の方法と同様にしてＦＣＣＬサンプルを得た。

前記比較例１に従い得られたＦＣＣＬに対して物性テストを行い、その結果を下記表３に示す。

比較例２
前記実施例３において、エッチング溶液としてフッ酸（ＨＦ；１２ｍｌ／Ｌ）及び硝酸（ＨＮＯ_３；３３５ｍｌ／Ｌ）を混合して得られた溶液を用いた以外は、前記実施例３の方法と同様にしてＦＣＣＬサンプルを得た。

前記比較例２に従い得られたＦＣＣＬに対して物性テストを行い、その結果を下記表４に示す。

このように、比較例１においては、本発明の実施例１における水酸化カリウム（ＫＯＨ）に代えて、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）を用いているが、前記表３から明らかなように、めっきの状態が不良であり、実施例１のＦＣＣＬに比べて品質の劣化が著しい。

このように、比較例２においては、本発明の第３の実施例における無水クロム酸及び硫酸の混合溶液に代えて、フッ酸及び硝酸の混合溶液を用いているが、前記表４から明らかなように、めっきの状態が不良であり、実施例３のＦＣＣＬに比べて品質の劣化が著しい。

上記の比較例１及び２の結果から、ＦＣＣＬの製造に当たり、ポリイミド膜の表面を改質処理するエッチング工程に供されるエッチング溶液の種類に応じて、得られるＦＣＣＬの品質が異なるということが分かる。

本発明の実施例よる伝導性めっきポリイミド基板は、表面のイミド環がエッチングされて開裂されているポリイミド膜と、ポリイミド膜に無電解めっきにより形成されている第１の伝導性金属薄膜、及び第１の伝導性金属薄膜上に電解めっきにより形成されている第２の伝導性金属薄膜を含む伝導性金属薄膜を有する。

エッチングされたポリイミド膜は、ポリイミド膜をＫＯＨ、エチレングリコール及びＫＯＨの混合溶液、または無水クロム酸及び硫酸の混合溶液によりエッチングすることにより形成される。

第１の伝導性金属薄膜は金、ニッケルまたは銅を含み、ポリイミド膜の全体に亘って未めっき部位がないように形成され、その形成されるめっき膜の膜厚は、約０．２μm以下である。

第２の伝導性金属薄膜は金または銅を含み、その形成されるめっき膜の膜厚は、必要に応じて条件を変えることにより、適宜に設定可能である。第２の伝導性金属薄膜の膜厚は、好ましくは、約０．５〜３０μmであり、一層好ましくは、約１５〜２０μmである。

具体的に、本発明の実施例１〜３に従い得られたＦＣＣＬは、エッチングされた表面を有するポリイミド膜、前記ポリイミド膜に無電解めっきにより形成されている約０．１〜０．２μmの膜厚の第１の銅薄膜及び前記銅薄膜上にめっきにより形成されている第２の銅薄膜を含む。このとき、前記第１の銅薄膜及び第２の銅薄膜を含む銅薄膜の膜厚は、約１７〜１９μmとして計測された。

また、本発明の実施例４〜６に従い得られたＦＣＣＬは、エッチングされた表面を有するポリイミド膜、前記ポリイミド膜に無電解めっきにより形成されている約０．１〜０．２μmの膜厚のニッケル薄膜及び前記ニッケル薄膜上に電解めっきにより形成されている銅薄膜を含む。このとき、前記ニッケル薄膜及び銅薄膜を含む伝導性金属膜の膜厚は、約１７〜１９μmとして計測された。

以上、本発明の好適な実施例について詳述したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、特許請求の範囲と発明の詳細な説明の範囲内で各種の変形実施が可能であり、また、これらが本発明の範囲に属するということは言うまでもない。

Claims (19)

1. 伝導性金属めっきポリイミド基板において、
   表面のイミド環がエッチングされて開裂されているポリイミド膜と、
   前記ポリイミド膜に無電解めっきにより形成されている第１の伝導性金属薄膜と、
   前記第１の伝導性金属薄膜上に電解めっきにより形成されている第２の伝導性金属薄膜とを含む伝導性金属薄膜を有する、前記伝導性金属めっきポリイミド基板。
2. ポリイミド膜が、ＫＯＨ、エチレングリコール及びＫＯＨの混合溶液、または無水クロム酸及び硫酸の混合溶液によりエッチングされている請求項１記載の伝導性金属めっきポリイミド基板。
3. 第１の伝導性金属薄膜は、金、ニッケル及び銅のうちいずれか一種以上を含む請求項１記載の伝導性金属めっきポリイミド基板。
4. 第２の伝導性金属薄膜は、金及び銅のうちいずれか一種以上を含む請求項１記載の伝導性金属めっきポリイミド基板。
5. 第１の伝導性金属薄膜がポリイミド膜上に全体に均一に形成され、その膜厚が０．２μm以下である請求項１または３記載の伝導性金属めっきポリイミド基板。
6. 伝導性金属薄膜の膜厚が、０．５〜３０μmである請求項１〜４のいずれかに記載の伝導性金属めっきポリイミド基板。
7. 伝導性金属薄膜の膜厚が、約１５〜２０μmである請求項６記載の伝導性金属めっきポリイミド基板。
8. 伝導性金属めっきポリイミド基板の製造方法において、
   ａ）前記ポリイミド膜の表面をＫＯＨ、エチレングリコール及びＫＯＨの混合溶液、または無水クロム酸及び硫酸の混合溶液によりエッチングする段階と、
   ｂ）前記エッチングされたポリイミド膜の表面をカップリング剤によりカップリングする段階と、
   ｃ）前記ポリイミド膜に触媒を吸着させる段階と、
   ｄ）前記触媒が吸着されたポリイミド膜に電流を付加することなく、第１の伝導性金属膜を形成する第１のめっき段階と、
   ｅ）前記第１のめっきされたポリイミド膜に電流を付加して第２の伝導性金属膜を形成する第２のめっき段階とを含む、伝導性金属めっきポリイミド基板の製造方法。
9. 各段階のいずれかの段階において、ポリイミド膜の全体に超音波を用いて連続した反応を誘導する、請求項８記載の伝導性金属めっきポリイミド基板の製造方法。
10. ａ）段階において、
    ポリイミド膜を、ＫＯＨ、エチレングリコール及びＫＯＨの混合溶液、または無水クロム酸及び硫酸の混合溶液に、４５〜５０℃下で、５〜７分間浸漬する、請求項８記載の伝導性金属めっきポリイミド基板の製造方法。
11. ａ）段階において、
    ポリイミド膜の表面のイミド基が表面改質によりアミド基またはカルボキシル基に変換されている、請求項８記載の伝導性金属めっきポリイミド基板の製造方法。
12. ｄ）段階において、
    用いられるめっき溶液が、ＥＤＴＡ水溶液、水酸化ナトリウム水溶液、ホルマリン水溶液及び硫酸銅水溶液を混合して得られた硫酸銅めっき溶液、または次亜リン酸ナトリウム、クエン酸ナトリウム、アンモニア及び硫酸ニッケル六水和物溶液を混合して得られた硫酸ニッケルめっき溶液である、請求項８記載の伝導性金属めっきポリイミド基板の製造方法。
13. 硫酸銅めっき溶液を用いる場合、触媒入りポリイミド膜を硫酸銅めっき溶液に３８〜４２℃の温度下で、２５〜３０分間浸漬する、請求項１２記載の伝導性金属めっきポリイミド基板の製造方法。
14. 硫酸ニッケルめっき溶液を用いる場合、触媒入りポリイミド膜を硫酸ニッケルめっき溶液に３５〜４０℃の温度下で、２分間浸漬する、請求項１２記載の伝導性金属めっきポリイミド基板の製造方法。
15. 第１の伝導性金属薄膜が、金、ニッケルまたは銅により形成される、請求項８記載の伝導性金属めっきポリイミド基板の製造方法。
16. 第２の伝導性金属薄膜が、金または銅により形成される、請求項８記載の伝導性金属めっきポリイミド基板の製造方法。
17. 第１の伝導性金属薄膜が前記ポリイミド膜上に全体に均一に形成され、その形成膜厚が０．２μm以下である、請求項８〜１６のいずれかに記載の伝導性金属めっきポリイミド基板の製造方法。
18. 伝導性金属薄膜の形成膜厚が、０．５〜３０μmである、請求項８〜１６のいずれかに記載の伝導性金属めっきポリイミド基板の製造方法。
19. 伝導性金属薄膜の形成膜厚が、約１５〜２０μmである、請求項１８記載の伝導性金属めっきポリイミド基板の製造方法。