JPH11120554A - 磁気記録媒体用基板の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体用基板の製造方法Info
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- JPH11120554A JPH11120554A JP28026297A JP28026297A JPH11120554A JP H11120554 A JPH11120554 A JP H11120554A JP 28026297 A JP28026297 A JP 28026297A JP 28026297 A JP28026297 A JP 28026297A JP H11120554 A JPH11120554 A JP H11120554A
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ガラス基板と密着性の高いＮｉＰ無電解メッ
キ層を有する磁気記録媒体用基板を提供する。 【解決手段】 ガラス基板に、感受性化工程、活性化工
程、ＮｉＰ無電解メッキ工程を順次設けてなる磁気記録
媒体用基板の製造方法であって、ＮｉＰ無電解メッキ工
程においてガラス基板を６０〜７０℃の温度でメッキ処
理を施した後、８０〜９５℃でメッキ処理を行なうこと
を特徴とする磁気記録媒体用基板の製造方法
キ層を有する磁気記録媒体用基板を提供する。 【解決手段】 ガラス基板に、感受性化工程、活性化工
程、ＮｉＰ無電解メッキ工程を順次設けてなる磁気記録
媒体用基板の製造方法であって、ＮｉＰ無電解メッキ工
程においてガラス基板を６０〜７０℃の温度でメッキ処
理を施した後、８０〜９５℃でメッキ処理を行なうこと
を特徴とする磁気記録媒体用基板の製造方法
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体用基
板の製造方法に関するものである。具体的には、情報産
業等で利用される固定型の薄膜磁気記録ディスク等の高
記録密度磁気記録媒体における基板の製造方法に関す
る。特には、ガラス基板と密着性の高いＮｉＰ無電解メ
ッキ層を形成する方法に係わる。
板の製造方法に関するものである。具体的には、情報産
業等で利用される固定型の薄膜磁気記録ディスク等の高
記録密度磁気記録媒体における基板の製造方法に関す
る。特には、ガラス基板と密着性の高いＮｉＰ無電解メ
ッキ層を形成する方法に係わる。
【０００２】
【従来の技術】近年、コンピュータなどの情報処理装置
の外部記憶装置として固定磁気ディスク装置が多く用い
られている。この固定磁気ディスク装置に搭載される磁
気ディスクは、一般に、アルミニウム合金からなる非磁
性基板の表面に、ＮｉＰ無電解メッキ層を形成し、所要
の平滑化処理、テクスチャリング処理などを施した後、
その上に、非磁性金属下地層、磁性層、保護層、潤滑層
などを順次形成して作製されている。
の外部記憶装置として固定磁気ディスク装置が多く用い
られている。この固定磁気ディスク装置に搭載される磁
気ディスクは、一般に、アルミニウム合金からなる非磁
性基板の表面に、ＮｉＰ無電解メッキ層を形成し、所要
の平滑化処理、テクスチャリング処理などを施した後、
その上に、非磁性金属下地層、磁性層、保護層、潤滑層
などを順次形成して作製されている。
【０００３】磁気ディスク装置では、記録再生用ヘッド
が磁気記録媒体上を一定の浮上量で移動しているが、近
年、磁気記録媒体の面記録密度の急激な増加に伴って、
この浮上量が極めて小さくなっている。また、磁気ディ
スク装置の小型化、軽量化も急速に進んでおり、これら
に対応するためには、磁気記録媒体の表面の粗さをより
一層小さくすることが必要であり、既に媒体表面粗さは
Ｒａで数Å程度まで小さくなっている。さらに、可搬型
の固定磁気ディスク装置に対応するために磁気ディスク
に要求される耐衝撃性も４００Ｇ〜８００Ｇと高い値と
なってきているため、耐衝撃性に対して従来のアルミニ
ウム合金からなる基板では対応が難しくなっている。そ
こで、耐衝撃性、表面平滑性などの見地から、アルミニ
ウム合金基板に代わって、極めて小さな表面粗さを達成
することができ、かつ機械的強度にも優れているガラス
基板が使用され始めている。
が磁気記録媒体上を一定の浮上量で移動しているが、近
年、磁気記録媒体の面記録密度の急激な増加に伴って、
この浮上量が極めて小さくなっている。また、磁気ディ
スク装置の小型化、軽量化も急速に進んでおり、これら
に対応するためには、磁気記録媒体の表面の粗さをより
一層小さくすることが必要であり、既に媒体表面粗さは
Ｒａで数Å程度まで小さくなっている。さらに、可搬型
の固定磁気ディスク装置に対応するために磁気ディスク
に要求される耐衝撃性も４００Ｇ〜８００Ｇと高い値と
なってきているため、耐衝撃性に対して従来のアルミニ
ウム合金からなる基板では対応が難しくなっている。そ
こで、耐衝撃性、表面平滑性などの見地から、アルミニ
ウム合金基板に代わって、極めて小さな表面粗さを達成
することができ、かつ機械的強度にも優れているガラス
基板が使用され始めている。
【０００４】ＮｉＰ無電解メッキを施したアルミニウム
合金基板においては、多くの場合、その表面に研磨によ
り基板円周方向に同心円状のテキスチャリングが施され
ている。これは、主に記録再生用のヘッドと磁気記録媒
体との間の摩擦特性を良好ならしめ、耐久性を確保する
ことを目的としている。また、近年では磁気ディスク装
置作動時のヘッドの浮上量が著しく小さくなっているこ
とに伴い、研磨によるテキスチャリングに代えて、ＣＳ
Ｓゾーンのみにレーザービームによるテキスチャリン
グ、すなわちレーザービームにより突起を形成すること
が試みられている。（特開平８−１２９７４９号公報
等）
合金基板においては、多くの場合、その表面に研磨によ
り基板円周方向に同心円状のテキスチャリングが施され
ている。これは、主に記録再生用のヘッドと磁気記録媒
体との間の摩擦特性を良好ならしめ、耐久性を確保する
ことを目的としている。また、近年では磁気ディスク装
置作動時のヘッドの浮上量が著しく小さくなっているこ
とに伴い、研磨によるテキスチャリングに代えて、ＣＳ
Ｓゾーンのみにレーザービームによるテキスチャリン
グ、すなわちレーザービームにより突起を形成すること
が試みられている。（特開平８−１２９７４９号公報
等）
【０００５】しかしながら、ＮｉＰ無電解メッキを施し
たアルミニウム合金基板とは異なり、ガラス板に直接レ
ーザービームを照射して突起を形成することは、突起形
状制御性が悪いため極めて困難である。そこで、レーザ
ーテキスチャー技術をガラス基板に適用するためには、
予め基板上にＮｉＰ無電解メッキ層を形成する必要があ
る。
たアルミニウム合金基板とは異なり、ガラス板に直接レ
ーザービームを照射して突起を形成することは、突起形
状制御性が悪いため極めて困難である。そこで、レーザ
ーテキスチャー技術をガラス基板に適用するためには、
予め基板上にＮｉＰ無電解メッキ層を形成する必要があ
る。
【０００６】特開昭６１−５４０１８号公報等には、ガ
ラス基板上にＮｉＰ無電解メッキ膜を形成する方法が提
案されている。ところが、ガラス基板へ無電解メッキ法
によりＮｉＰ層を密着性良く形成することは技術的に困
難である。そこで、ガラス基板とＮｉＰ無電解メッキ膜
の密着性を改善するために、メッキに用いるガラス基板
表面を機械的または化学的に粗面化する方法や、無電解
メッキの前処理を行う方法が提案されている。例えば、
機械的な粗面化方法としては、Ａｌ2 Ｏ3 等の研磨剤を
用いた砥石により表面粗さが中心線平均粗さＲａで１０
０Å以上研磨する方法が知られており、化学的な祖面化
方法としては、アルカリ脱脂した後、フッ化水素酸等で
エッチングする方法が知られている。
ラス基板上にＮｉＰ無電解メッキ膜を形成する方法が提
案されている。ところが、ガラス基板へ無電解メッキ法
によりＮｉＰ層を密着性良く形成することは技術的に困
難である。そこで、ガラス基板とＮｉＰ無電解メッキ膜
の密着性を改善するために、メッキに用いるガラス基板
表面を機械的または化学的に粗面化する方法や、無電解
メッキの前処理を行う方法が提案されている。例えば、
機械的な粗面化方法としては、Ａｌ2 Ｏ3 等の研磨剤を
用いた砥石により表面粗さが中心線平均粗さＲａで１０
０Å以上研磨する方法が知られており、化学的な祖面化
方法としては、アルカリ脱脂した後、フッ化水素酸等で
エッチングする方法が知られている。
【０００７】また、無電解メッキの前処理を行う方法と
しては特開平７−２７２２６３号公報、特開平６−２１
２４４０号公報等には、強化ガラス基板等を塩化第一ス
ズの溶液で増感した後、塩化パラジウム溶液で活性化処
理を行い、次いで、該ガラス基板を７０℃以上あるいは
８０℃以上の高温下でＮｉＰ無電解メッキを行う方法が
提案されている。
しては特開平７−２７２２６３号公報、特開平６−２１
２４４０号公報等には、強化ガラス基板等を塩化第一ス
ズの溶液で増感した後、塩化パラジウム溶液で活性化処
理を行い、次いで、該ガラス基板を７０℃以上あるいは
８０℃以上の高温下でＮｉＰ無電解メッキを行う方法が
提案されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の方法では、ガラス基板上に良好な磁気ディスクを得る
に充分な密着性と平滑性を有するＮｉＰ層を無電解メッ
キ法で形成することができなかった。本発明は、上述の
点に鑑みなされたものであり、その目的は、ガラス基板
とＮｉＰ無電解メッキ層との密着性に優れ、高い耐衝撃
性、表面平滑性を有し、しかも、ヘッドの低浮上高さが
安定して得られる磁気記録媒体用基板の製造方法を提供
することにある。
の方法では、ガラス基板上に良好な磁気ディスクを得る
に充分な密着性と平滑性を有するＮｉＰ層を無電解メッ
キ法で形成することができなかった。本発明は、上述の
点に鑑みなされたものであり、その目的は、ガラス基板
とＮｉＰ無電解メッキ層との密着性に優れ、高い耐衝撃
性、表面平滑性を有し、しかも、ヘッドの低浮上高さが
安定して得られる磁気記録媒体用基板の製造方法を提供
することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記実情
に鑑み鋭意検討した結果、ＮｉＰ無電解メッキ工程にお
けるＮｉＰメッキ浴の温度を制御することにより、上記
の諸要件を満たす優れたＮｉＰ層が基板上に形成される
ことを見出し、本発明に達したものである。すなわち、
本発明の要旨は、ガラス基板に、感受性化工程、活性化
工程、ＮｉＰ無電解メッキ工程を順次設けてなる磁気記
録媒体用基板の製造方法であって、ＮｉＰ無電解メッキ
工程においてガラス基板を６０〜７０℃の温度でメッキ
処理を施した後、８０〜９５℃でメッキ処理を行なうこ
とを特徴とする磁気記録媒体用基板の製造方法に存す
る。
に鑑み鋭意検討した結果、ＮｉＰ無電解メッキ工程にお
けるＮｉＰメッキ浴の温度を制御することにより、上記
の諸要件を満たす優れたＮｉＰ層が基板上に形成される
ことを見出し、本発明に達したものである。すなわち、
本発明の要旨は、ガラス基板に、感受性化工程、活性化
工程、ＮｉＰ無電解メッキ工程を順次設けてなる磁気記
録媒体用基板の製造方法であって、ＮｉＰ無電解メッキ
工程においてガラス基板を６０〜７０℃の温度でメッキ
処理を施した後、８０〜９５℃でメッキ処理を行なうこ
とを特徴とする磁気記録媒体用基板の製造方法に存す
る。
【００１０】以下、本発明を詳細に説明する。本発明の
ガラス基板としては、特に限定されないが、例えば、結
晶化ガラスやアルミノシリケートガラスなどが好ましく
使用される。中でも結晶化ガラスが好ましく、特には、
ＳｉＯ2 −Ｌｉ2 Ｏ系結晶化ガラスが好適である。ガラ
ス基板は、ＮｉＰ無電解メッキ層との密着性を確保する
ため、基板表面に微細な凹部を有するガラス基板を用い
ることが好適である。より具体的には、凹部の最大幅
が、２０μｍ以下、更に好ましくは１０μｍ以下、特に
好ましくは５μ以下の微細な凹部が好適に使用される。
これは、板表面に微細な凹部を有する場合には、この微
細な穴の中にＮｉＰ膜が形成されるため、物理的アンカ
ー効果を高め、これによりガラス基板とＮｉＰメッキ層
との密着を強固にするものと思われる。
ガラス基板としては、特に限定されないが、例えば、結
晶化ガラスやアルミノシリケートガラスなどが好ましく
使用される。中でも結晶化ガラスが好ましく、特には、
ＳｉＯ2 −Ｌｉ2 Ｏ系結晶化ガラスが好適である。ガラ
ス基板は、ＮｉＰ無電解メッキ層との密着性を確保する
ため、基板表面に微細な凹部を有するガラス基板を用い
ることが好適である。より具体的には、凹部の最大幅
が、２０μｍ以下、更に好ましくは１０μｍ以下、特に
好ましくは５μ以下の微細な凹部が好適に使用される。
これは、板表面に微細な凹部を有する場合には、この微
細な穴の中にＮｉＰ膜が形成されるため、物理的アンカ
ー効果を高め、これによりガラス基板とＮｉＰメッキ層
との密着を強固にするものと思われる。
【００１１】ガラス基板の表面の微細な凹部は、例え
ば、結晶化ガラス基板においては、フッ酸、フッ化カリ
ウム、フッ化アンモニウム等のフッ酸系のエッチング剤
を使用して、化学エッチング処理を行うことにより、形
成することができる。これは、結晶化ガラスを用いる
と、化学エッチングを基板表面のアモルファス領域を選
択的にエッチングできるため、表面の平滑性をある程度
損なうことなく、適切に凹部を形成できるため好適であ
る。凹部の大きさは、エッチング液の濃度、処理温度、
処理時間などを適宜選択することにより制御することが
可能である。また、高硬度アルミノシリケート基板にお
いては、遊離砥粒や研削処理により加工することによ
り、凹部を形成することができる。
ば、結晶化ガラス基板においては、フッ酸、フッ化カリ
ウム、フッ化アンモニウム等のフッ酸系のエッチング剤
を使用して、化学エッチング処理を行うことにより、形
成することができる。これは、結晶化ガラスを用いる
と、化学エッチングを基板表面のアモルファス領域を選
択的にエッチングできるため、表面の平滑性をある程度
損なうことなく、適切に凹部を形成できるため好適であ
る。凹部の大きさは、エッチング液の濃度、処理温度、
処理時間などを適宜選択することにより制御することが
可能である。また、高硬度アルミノシリケート基板にお
いては、遊離砥粒や研削処理により加工することによ
り、凹部を形成することができる。
【００１２】本発明によれば、ガラス基板に、感受性化
工程、活性化工程を行い、続いて特定の条件下でＮｉＰ
無電解メッキを行うことによって、ガラス基板とＮｉＰ
無電解メッキ層との密着性に優れた磁気記録媒体用基板
を得ることができる。そして、通常は、感受性化工程の
前には、脱脂工程が設けられる。また、各工程間には水
洗工程が設けられ、洗浄水としては、イオン交換水また
は超純水が適宜使用される。
工程、活性化工程を行い、続いて特定の条件下でＮｉＰ
無電解メッキを行うことによって、ガラス基板とＮｉＰ
無電解メッキ層との密着性に優れた磁気記録媒体用基板
を得ることができる。そして、通常は、感受性化工程の
前には、脱脂工程が設けられる。また、各工程間には水
洗工程が設けられ、洗浄水としては、イオン交換水また
は超純水が適宜使用される。
【００１３】脱脂工程は、ガラス基板の表面を洗浄する
工程であり、例えば、超純水、アルカリ洗浄剤、酸洗浄
剤、界面活性剤などを使用する方法が挙げられる。感受
性化工程および活性化工程は、ガラス基板にＮｉＰ無電
解メッキを開始させるために必要な触媒活性を与える工
程である。すなわち、ガラス表面は触媒活性がないた
め、無電解メッキを開始するためには、ガラスの表面に
Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ等の貴金属の触媒核を形成する
ことが必要である。
工程であり、例えば、超純水、アルカリ洗浄剤、酸洗浄
剤、界面活性剤などを使用する方法が挙げられる。感受
性化工程および活性化工程は、ガラス基板にＮｉＰ無電
解メッキを開始させるために必要な触媒活性を与える工
程である。すなわち、ガラス表面は触媒活性がないた
め、無電解メッキを開始するためには、ガラスの表面に
Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ等の貴金属の触媒核を形成する
ことが必要である。
【００１４】上記の各工程は、公知の方法により、次の
ように実施される。（表面技術Ｖｏｌ．４４ Ｎｏ．１
０、１９９３「ガラスと無電解ニッケルめっきの密着
性」、堀田慎一他参照。） 感受性化工程において、まず、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｈｇ
等からなる２価の金属イオンを吸着させる。通常、０．
０５ｇ／ｌ程度の塩化スズ水溶液が好適に使用され、常
温で塩化スズ水溶液中に１〜３分程度浸漬される。次
に、活性化工程として、前記の触媒核となる貴金属を含
む含む活性化処理溶液に上記のガラス基板を浸漬し、吸
着した２価の金属イオンの還元作用により、ガラス基板
の表面に触媒核を形成させる。通常、０．０５ｇ／ｌ程
度の塩化パラジウム水溶液が好適に使用され、常温で塩
化パラジウム水溶液中に１〜３分程度浸漬させる。
ように実施される。（表面技術Ｖｏｌ．４４ Ｎｏ．１
０、１９９３「ガラスと無電解ニッケルめっきの密着
性」、堀田慎一他参照。） 感受性化工程において、まず、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｈｇ
等からなる２価の金属イオンを吸着させる。通常、０．
０５ｇ／ｌ程度の塩化スズ水溶液が好適に使用され、常
温で塩化スズ水溶液中に１〜３分程度浸漬される。次
に、活性化工程として、前記の触媒核となる貴金属を含
む含む活性化処理溶液に上記のガラス基板を浸漬し、吸
着した２価の金属イオンの還元作用により、ガラス基板
の表面に触媒核を形成させる。通常、０．０５ｇ／ｌ程
度の塩化パラジウム水溶液が好適に使用され、常温で塩
化パラジウム水溶液中に１〜３分程度浸漬させる。
【００１５】活性化工程で処理されたガラス基板は、６
０〜７０℃の温度でメッキ処理を施した後、８０〜９５
℃でメッキ処理を行なうことによってＮｉＰ無電解メッ
キされる。具体的な方法としては、ガラス基板を６０〜
７０℃のＮｉＰメッキ浴に浸漬した後、８０〜９５℃の
ＮｉＰメッキ浴に浸漬する方法、あるいは、ガラス基板
を６０〜７０℃のＮｉＰメッキ浴に浸漬し、メッキ浴を
８０〜９５℃まで昇温させながらメッキを施す方法など
が挙げられる。最初のＮｉＰメッキ浴の温度が、６０℃
未満であるとメッキの製膜速度が遅く、また７０℃を越
える高温であると感受性化処理時にガラス基板表面に吸
着したＰｄが、メッキ浴に浸積した際にメッキ液と反応
し、激しく水素が発生する。そのためこの水素が、ガラ
ス基板とメッキ膜の間に入り込み、ＮｉＰメッキ膜の密
着性を低下させる。
０〜７０℃の温度でメッキ処理を施した後、８０〜９５
℃でメッキ処理を行なうことによってＮｉＰ無電解メッ
キされる。具体的な方法としては、ガラス基板を６０〜
７０℃のＮｉＰメッキ浴に浸漬した後、８０〜９５℃の
ＮｉＰメッキ浴に浸漬する方法、あるいは、ガラス基板
を６０〜７０℃のＮｉＰメッキ浴に浸漬し、メッキ浴を
８０〜９５℃まで昇温させながらメッキを施す方法など
が挙げられる。最初のＮｉＰメッキ浴の温度が、６０℃
未満であるとメッキの製膜速度が遅く、また７０℃を越
える高温であると感受性化処理時にガラス基板表面に吸
着したＰｄが、メッキ浴に浸積した際にメッキ液と反応
し、激しく水素が発生する。そのためこの水素が、ガラ
ス基板とメッキ膜の間に入り込み、ＮｉＰメッキ膜の密
着性を低下させる。
【００１６】すなわち、本発明者らの知見によれば、メ
ッキ浴の温度と製膜速度には相関があり、低温で行う方
が製膜速度が遅く、より強固な密着性を有するＮｉＰ膜
ができる。しかし、製膜速度が遅いことにより、良好な
磁気記録媒体に必要な膜厚までメッキを施すには、１０
数時間から２０数時間と時間をかけなければならず、工
業的生産するには問題である。そのため、７０℃以下の
低温にて膜厚０．５〜２μｍまでＮｉＰ膜の製膜を行
い、密着性良好の膜を形成した後、良好な磁気記録媒体
に必要な膜厚まで、８０〜９５℃の高温で製膜を行うこ
とが重要である。
ッキ浴の温度と製膜速度には相関があり、低温で行う方
が製膜速度が遅く、より強固な密着性を有するＮｉＰ膜
ができる。しかし、製膜速度が遅いことにより、良好な
磁気記録媒体に必要な膜厚までメッキを施すには、１０
数時間から２０数時間と時間をかけなければならず、工
業的生産するには問題である。そのため、７０℃以下の
低温にて膜厚０．５〜２μｍまでＮｉＰ膜の製膜を行
い、密着性良好の膜を形成した後、良好な磁気記録媒体
に必要な膜厚まで、８０〜９５℃の高温で製膜を行うこ
とが重要である。
【００１７】ＮｉＰ無電解メッキ浴は、通常、市販のも
のが使用される。ＮｉＰ無電解メッキ層の厚さは任意に
選択されるが、良好な磁気記録媒体のためには、１〜１
０μｍの範囲が良い。ガラス基板は６０〜７０℃の低温
メッキ浴中で１０〜１２０分処理し、メッキを膜を０．
１〜２μｍ製膜し、さらに８０〜９５℃の高温メッキ浴
中で６０〜１５０分処理し、メッキ膜を８〜９．９μｍ
製膜することが好適である。
のが使用される。ＮｉＰ無電解メッキ層の厚さは任意に
選択されるが、良好な磁気記録媒体のためには、１〜１
０μｍの範囲が良い。ガラス基板は６０〜７０℃の低温
メッキ浴中で１０〜１２０分処理し、メッキを膜を０．
１〜２μｍ製膜し、さらに８０〜９５℃の高温メッキ浴
中で６０〜１５０分処理し、メッキ膜を８〜９．９μｍ
製膜することが好適である。
【００１８】ＮｉＰ無電解メッキを施したガラス基板
は、必要に応じて研磨処理を行ったり、レーザービーム
によるテキスチャリング、機械テキスチャリング等のテ
キスチャー処理を適宜行うことができ、更には、常法に
従って下地層、磁性層、保護層及び潤滑層等が積層され
る。本発明によれば、上記のようなガラス基板にＮｉＰ
無電解メツキを行うことにより、ガラス基板とＮｉＰ無
電解メツキ膜との剥離等を引き起こさない充分な強さの
密着性を有し、耐衝撃性に優れた磁気記録媒体を得るこ
とが可能となる。
は、必要に応じて研磨処理を行ったり、レーザービーム
によるテキスチャリング、機械テキスチャリング等のテ
キスチャー処理を適宜行うことができ、更には、常法に
従って下地層、磁性層、保護層及び潤滑層等が積層され
る。本発明によれば、上記のようなガラス基板にＮｉＰ
無電解メツキを行うことにより、ガラス基板とＮｉＰ無
電解メツキ膜との剥離等を引き起こさない充分な強さの
密着性を有し、耐衝撃性に優れた磁気記録媒体を得るこ
とが可能となる。
【００１９】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳細に説明
するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実施
例に限定されるものではない。
するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実施
例に限定されるものではない。
【００２０】実施例１ 市販のＳｉＯ2 −Ｌｉ2 Ｏ系の結晶化ガラスを使用し、
固定砥粒による研削（グライディング）処理を行った
後、研削剤（フジミインコーポレーティッド社製、商品
名「人造研削剤Ｆ０（複合人造エメリー）」：比重３．
９０以上：Ａｌ2０3 ４５重量％以上、ＴｉＯ２．０重
量％以下、ＺｒＳｉＯ４９重量％以下：粒度区分＃１０
００（最大粒子径２７μｍ以下））によりラッピング処
理を行った。
固定砥粒による研削（グライディング）処理を行った
後、研削剤（フジミインコーポレーティッド社製、商品
名「人造研削剤Ｆ０（複合人造エメリー）」：比重３．
９０以上：Ａｌ2０3 ４５重量％以上、ＴｉＯ２．０重
量％以下、ＺｒＳｉＯ４９重量％以下：粒度区分＃１０
００（最大粒子径２７μｍ以下））によりラッピング処
理を行った。
【００２１】その後、ガラス用アルカリ洗剤（株式会社
パーカーコーポレーション社製、商品名「ＰＫ−ＬＣＧ
２２」）により浴温５０℃で１０分間、洗浄処理し、次
いで水洗後、酸性フッ化アンモニウム（関東化学株式会
社製、ＮＨ4 Ｆ・ＨＦ、ＪＩＳ番号 Ｋ８８１７）５０
ｇ／ｌ中に、室温で２分間、上記結晶化ガラスを浸漬し
てエッチング処理を行い、水洗を行った。得られたガラ
ス基板表面の微細凹部の最大長は、３．９μｍであっ
た。
パーカーコーポレーション社製、商品名「ＰＫ−ＬＣＧ
２２」）により浴温５０℃で１０分間、洗浄処理し、次
いで水洗後、酸性フッ化アンモニウム（関東化学株式会
社製、ＮＨ4 Ｆ・ＨＦ、ＪＩＳ番号 Ｋ８８１７）５０
ｇ／ｌ中に、室温で２分間、上記結晶化ガラスを浸漬し
てエッチング処理を行い、水洗を行った。得られたガラ
ス基板表面の微細凹部の最大長は、３．９μｍであっ
た。
【００２２】次に、このガラス基板を、市販の０．０５
ｇ／ｌのＳｎＣｌ2 水溶液に室温で２分間浸漬し、水洗
を行い、感受性化処理を行った。その後、市販の０．０
５ｇ／ｌのＰｄＣｌ2 水溶液に室温で２分間浸漬し、水
洗を行い活性化処理を行った。次いで、１次メッキとし
てメッキ浴温７０℃のＮｉＰメッキ浴に１２０分浸漬し
ＮｉＰ無電解メッキを施し、膜厚２μｍのＮｉＰ層を成
膜した。さらに、２次メッキとしてメッキ浴温８５℃の
ＮｉＰメッキ浴に１５０分浸漬しＮｉＰ無電解メッキに
より膜厚１３μｍのＮｉＰ層を成膜した。更にメッキ後
に密着性を向上させるため、１５０℃で１時間のベーキ
ング処理を行った。
ｇ／ｌのＳｎＣｌ2 水溶液に室温で２分間浸漬し、水洗
を行い、感受性化処理を行った。その後、市販の０．０
５ｇ／ｌのＰｄＣｌ2 水溶液に室温で２分間浸漬し、水
洗を行い活性化処理を行った。次いで、１次メッキとし
てメッキ浴温７０℃のＮｉＰメッキ浴に１２０分浸漬し
ＮｉＰ無電解メッキを施し、膜厚２μｍのＮｉＰ層を成
膜した。さらに、２次メッキとしてメッキ浴温８５℃の
ＮｉＰメッキ浴に１５０分浸漬しＮｉＰ無電解メッキに
より膜厚１３μｍのＮｉＰ層を成膜した。更にメッキ後
に密着性を向上させるため、１５０℃で１時間のベーキ
ング処理を行った。
【００２３】このようにして得られたＮｉＰ層とガラス
基板の密着性を評価した結果、評価点数が１０であり、
良好な密着性を有することが確認された。なお、ガラス
基板とＮｉＰ無電解メッキ層との密着性は、ＪＩＳＫ５
４００８．１５の碁盤目試験により密着性を評価した。
評価点数１０は良好な密着性を有することを示す。
基板の密着性を評価した結果、評価点数が１０であり、
良好な密着性を有することが確認された。なお、ガラス
基板とＮｉＰ無電解メッキ層との密着性は、ＪＩＳＫ５
４００８．１５の碁盤目試験により密着性を評価した。
評価点数１０は良好な密着性を有することを示す。
【００２４】実施例２〜４ ＮｉＰ無電解メッキのメッキ浴温を表１に示した条件と
した以外は実施例１と同様の方法で、ガラス基板にＮｉ
Ｐ無電解メッキ層を形成した。ガラス基板とＮｉＰ無電
解メッキ層との密着性の評価点数はいずれも１０であ
り、良好な密着性を有する。
した以外は実施例１と同様の方法で、ガラス基板にＮｉ
Ｐ無電解メッキ層を形成した。ガラス基板とＮｉＰ無電
解メッキ層との密着性の評価点数はいずれも１０であ
り、良好な密着性を有する。
【００２５】比較例１ ＮｉＰ無電解メッキのメッキ浴温を９０℃とした以外は
実施例１と同様の方法で、ガラス基板にＮｉＰ無電解メ
ッキ層を形成した。密着性の評価点数は５であり、充分
な密着性を得ることができなかった。
実施例１と同様の方法で、ガラス基板にＮｉＰ無電解メ
ッキ層を形成した。密着性の評価点数は５であり、充分
な密着性を得ることができなかった。
【００２６】
【表１】 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− １次メッキ浴温度 ２次メッキ浴温度 密着性 （℃） （℃） （評価点数） −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 実施例１ ７０ ８５ １０ 実施例２ ６５ ９０ １０ 実施例３ ６０ ９０ １０ 比較例１ ９０ ── ５ −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
Claims (4)
- 【請求項１】 ガラス基板に、感受性化工程、活性化工
程、ＮｉＰ無電解メッキ工程を順次設けてなる磁気記録
媒体用基板の製造方法であって、ＮｉＰ無電解メッキ工
程においてガラス基板を６０〜７０℃の温度でメッキ処
理を施した後、８０〜９５℃でメッキ処理を行なうこと
を特徴とする磁気記録媒体用基板の製造方法 - 【請求項２】 ＮｉＰ無電解メッキ工程において、ガラ
ス基板を６０〜７０℃のＮｉＰメッキ浴に浸漬した後、
８０〜９５℃のＮｉＰメッキ浴に浸漬することを特徴と
する請求項１記載の磁気記録媒体用基板の製造方法 - 【請求項３】 ＮｉＰ無電解メッキ工程において、ガラ
ス基板を６０〜７０℃のＮｉＰメッキ浴に浸漬した後、
８０〜９５℃まで昇温させながらメッキを施すことを特
徴とする磁気記録媒体用基板の製造方法 - 【請求項４】 ガラス基板が、ＳｉＯ2 −Ｌｉ2 Ｏ系結
晶化ガラスからなることを特徴とする請求項１または２
記載の磁気記録媒体用基板
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28026297A JPH11120554A (ja) | 1997-10-14 | 1997-10-14 | 磁気記録媒体用基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28026297A JPH11120554A (ja) | 1997-10-14 | 1997-10-14 | 磁気記録媒体用基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11120554A true JPH11120554A (ja) | 1999-04-30 |
Family
ID=17622551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28026297A Pending JPH11120554A (ja) | 1997-10-14 | 1997-10-14 | 磁気記録媒体用基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11120554A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006045634A (ja) * | 2004-08-06 | 2006-02-16 | Nishiyama Stainless Chem Kk | 無電解ニッケルメッキ方法、無電解ニッケルメッキ用洗浄液、無電解ニッケルメッキ用テクスチャー処理液、無電解ニッケルメッキ用センシタイジング処理液、無電解ニッケルメッキ用表面調整処理液、液晶ディスプレイ用ガラス基板、及び、液晶ディスプレイ |
| JP2007217204A (ja) * | 2006-02-14 | 2007-08-30 | Konica Minolta Opto Inc | 磁気記録媒体用ガラス基板及びその製造方法 |
| JP2015082598A (ja) * | 2013-10-23 | 2015-04-27 | 富士電機株式会社 | 半導体基板、及び、半導体基板の製造方法 |
| JP2016501810A (ja) * | 2012-11-02 | 2016-01-21 | コーニング インコーポレイテッド | 不透明材料、着色材料および半透明材料をテクスチャー処理する方法 |
-
1997
- 1997-10-14 JP JP28026297A patent/JPH11120554A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006045634A (ja) * | 2004-08-06 | 2006-02-16 | Nishiyama Stainless Chem Kk | 無電解ニッケルメッキ方法、無電解ニッケルメッキ用洗浄液、無電解ニッケルメッキ用テクスチャー処理液、無電解ニッケルメッキ用センシタイジング処理液、無電解ニッケルメッキ用表面調整処理液、液晶ディスプレイ用ガラス基板、及び、液晶ディスプレイ |
| JP2007217204A (ja) * | 2006-02-14 | 2007-08-30 | Konica Minolta Opto Inc | 磁気記録媒体用ガラス基板及びその製造方法 |
| JP2016501810A (ja) * | 2012-11-02 | 2016-01-21 | コーニング インコーポレイテッド | 不透明材料、着色材料および半透明材料をテクスチャー処理する方法 |
| US10040718B2 (en) | 2012-11-02 | 2018-08-07 | Corning Incorporated | Methods to texture opaque, colored and translucent materials |
| JP2015082598A (ja) * | 2013-10-23 | 2015-04-27 | 富士電機株式会社 | 半導体基板、及び、半導体基板の製造方法 |
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