JP2000163743A - 磁気ディスク用ガラス基板への無電解Ｎｉ−Ｐめっき層の形成方法 - Google Patents
磁気ディスク用ガラス基板への無電解Ｎｉ−Ｐめっき層の形成方法Info
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- JP2000163743A JP2000163743A JP10335229A JP33522998A JP2000163743A JP 2000163743 A JP2000163743 A JP 2000163743A JP 10335229 A JP10335229 A JP 10335229A JP 33522998 A JP33522998 A JP 33522998A JP 2000163743 A JP2000163743 A JP 2000163743A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】非磁性基板としてのガラス基板上に、良好な磁
気ディスクを得るに十分な密着性，均一性を有し、テク
スチャー加工前のポリッシング加工を省くことが可能な
ほどの十分な平滑性を有するＮｉ−Ｐ層を形成すること
ができる無電解Ｎｉ−Ｐめっき方法を提供する。 【解決手段】ガラス基板表面に、脱脂処理，エッチング
処理，温純水処理，シランカップリング処理，アクチベ
ーター処理，アクサレーター処理を順次施した後、無電
解Ｎｉ−Ｐめっきを行い、続いて、加熱処理を施してＮ
ｉ−Ｐ層を形成する。
気ディスクを得るに十分な密着性，均一性を有し、テク
スチャー加工前のポリッシング加工を省くことが可能な
ほどの十分な平滑性を有するＮｉ−Ｐ層を形成すること
ができる無電解Ｎｉ−Ｐめっき方法を提供する。 【解決手段】ガラス基板表面に、脱脂処理，エッチング
処理，温純水処理，シランカップリング処理，アクチベ
ーター処理，アクサレーター処理を順次施した後、無電
解Ｎｉ−Ｐめっきを行い、続いて、加熱処理を施してＮ
ｉ−Ｐ層を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、非磁性基板とし
てガラス基板を用いる磁気ディスクの製造において、ガ
ラス基板に無電解めっき法でＮｉ−Ｐ層を形成する方法
に関し、詳しくはそのめっきの前後処理法に関する。
てガラス基板を用いる磁気ディスクの製造において、ガ
ラス基板に無電解めっき法でＮｉ−Ｐ層を形成する方法
に関し、詳しくはそのめっきの前後処理法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、コンピュータなどの情報処理装置
の外部記憶装置として固定磁気ディスク装置が多く用い
られる。この固定磁気ディスク装置に搭載される磁気デ
ィスクは、一般に、ディスク状非磁性基板の表面に無電
解めっき法でＮｉ−Ｐ層を形成し、そのＮｉ−Ｐ層表面
に所要の平滑化処理，テクスチャリング処理などを施し
た後、その上に非磁性金属下地層，強磁性合金薄膜の磁
性層，保護層，液体潤滑剤層を順次形成することにより
作製される。
の外部記憶装置として固定磁気ディスク装置が多く用い
られる。この固定磁気ディスク装置に搭載される磁気デ
ィスクは、一般に、ディスク状非磁性基板の表面に無電
解めっき法でＮｉ−Ｐ層を形成し、そのＮｉ−Ｐ層表面
に所要の平滑化処理，テクスチャリング処理などを施し
た後、その上に非磁性金属下地層，強磁性合金薄膜の磁
性層，保護層，液体潤滑剤層を順次形成することにより
作製される。
【０００３】従来、非磁性基板材料としてはアルミニウ
ム系合金が用いられてきた。近年、固定磁気ディスク装
置の高容量化，小型化，軽量化が急速に進んでおり、そ
れに対応して磁気ディスクも従来よりも平坦度が高く、
小径，薄形のものが要求されてきている。このような市
場の要求に対して、従来のアルミニウム系合金からなる
基板では対応が難しく、基板材料としてガラスが用いら
れるようになってきている。
ム系合金が用いられてきた。近年、固定磁気ディスク装
置の高容量化，小型化，軽量化が急速に進んでおり、そ
れに対応して磁気ディスクも従来よりも平坦度が高く、
小径，薄形のものが要求されてきている。このような市
場の要求に対して、従来のアルミニウム系合金からなる
基板では対応が難しく、基板材料としてガラスが用いら
れるようになってきている。
【０００４】ところで、ガラス基板に無電解めっき法で
Ｎｉ−Ｐ層を密着性良く均一，平滑に形成することは技
術的に難しい。良好な磁気ディスクを得るに十分な密着
性，均一性，平滑性を有するＮｉ−Ｐ層を形成するため
に、無電解めっきの前後処理として種々の方法が提案さ
れている。
Ｎｉ−Ｐ層を密着性良く均一，平滑に形成することは技
術的に難しい。良好な磁気ディスクを得るに十分な密着
性，均一性，平滑性を有するＮｉ−Ｐ層を形成するため
に、無電解めっきの前後処理として種々の方法が提案さ
れている。
【０００５】例えば、塩化パラジウムおよび塩化第一ス
ズを含む水溶液で処理し、次いで炭酸アルカリ水溶液，
炭酸水素アルカリ水溶液，または両者の混合水溶液で処
理した後、無電解めっきを行う方法（特開平１−１７６
０７９号公報）、クロム酸−硫酸混合溶液および硝酸溶
液で二段階エッチング処理し、次いで強アルカリ性溶液
でエッチングした後、希薄な塩化第一スズ溶液で増感処
理し、さらに銀塩溶液およびパラジウム塩溶液で活性化
処理した後無電解めっきを行う方法（特開昭５３−１９
９３２号公報）、硫酸と重クロム酸塩カリウムの温液で
清浄化した後、塩酸で酸性にした塩化第一スズで増感、
次いで塩化パラジウムの溶液で活性化した後、無電解め
っきを行う方法（特開昭４８−８５６１４号公報）、ア
ルカリ脱脂し、フッ化水素酸でエッチングした後、塩化
第一スズの溶液で増感、次いで塩化パラジウムの溶液で
活性化した後、無電解めっきを行う方法などが提案され
ている。
ズを含む水溶液で処理し、次いで炭酸アルカリ水溶液，
炭酸水素アルカリ水溶液，または両者の混合水溶液で処
理した後、無電解めっきを行う方法（特開平１−１７６
０７９号公報）、クロム酸−硫酸混合溶液および硝酸溶
液で二段階エッチング処理し、次いで強アルカリ性溶液
でエッチングした後、希薄な塩化第一スズ溶液で増感処
理し、さらに銀塩溶液およびパラジウム塩溶液で活性化
処理した後無電解めっきを行う方法（特開昭５３−１９
９３２号公報）、硫酸と重クロム酸塩カリウムの温液で
清浄化した後、塩酸で酸性にした塩化第一スズで増感、
次いで塩化パラジウムの溶液で活性化した後、無電解め
っきを行う方法（特開昭４８−８５６１４号公報）、ア
ルカリ脱脂し、フッ化水素酸でエッチングした後、塩化
第一スズの溶液で増感、次いで塩化パラジウムの溶液で
活性化した後、無電解めっきを行う方法などが提案され
ている。
【０００６】また、前処理として、ガラス基板をまず十
分に脱脂し、続いてエッチングを行って物理的アンカー
効果を高め、エッチング時に生じ基板表面に付着した異
物を除去し、表面調整工程を施して基板表面を化学的に
均一化し、続いて感受化処理，活性化処理を行った後、
無電解Ｎｉ−Ｐぬっきを行う方法が特開平７−３３４８
４１号公報で開示されている。エッチング液としてはフ
ッ化水素酸とフッ化水素カリウムを含む水溶液を用い、
表面異物除去には塩酸を用い、表面調整にはナトリウム
メトキシドを含む水溶液を用いると好適とされる。
分に脱脂し、続いてエッチングを行って物理的アンカー
効果を高め、エッチング時に生じ基板表面に付着した異
物を除去し、表面調整工程を施して基板表面を化学的に
均一化し、続いて感受化処理，活性化処理を行った後、
無電解Ｎｉ−Ｐぬっきを行う方法が特開平７−３３４８
４１号公報で開示されている。エッチング液としてはフ
ッ化水素酸とフッ化水素カリウムを含む水溶液を用い、
表面異物除去には塩酸を用い、表面調整にはナトリウム
メトキシドを含む水溶液を用いると好適とされる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような既知の方法でガラス基板上に形成されたＮｉ−Ｐ
層では、良好な磁気ディスクを得るに必要な密着性，均
一性，平滑性を十分に満足することはできなかった。磁
気ディスク用基板として十分な平滑性を有するガラス基
板を用いても、形成されたＮｉ−Ｐ層が十分平滑でない
ために、従来と同様に、Ｎｉ−Ｐ層表面のテクスチャー
加工前にポリッシング加工を施すことが必要であった。
ような既知の方法でガラス基板上に形成されたＮｉ−Ｐ
層では、良好な磁気ディスクを得るに必要な密着性，均
一性，平滑性を十分に満足することはできなかった。磁
気ディスク用基板として十分な平滑性を有するガラス基
板を用いても、形成されたＮｉ−Ｐ層が十分平滑でない
ために、従来と同様に、Ｎｉ−Ｐ層表面のテクスチャー
加工前にポリッシング加工を施すことが必要であった。
【０００８】この発明は、上述の点に鑑みてなされたも
のであって、非磁性基板としてのガラス基板上に、良好
な磁気ディスクを得るに十分な密着性，均一性を有し、
テクスチャー加工前のポリッシング加工を省くことが可
能なほどの十分な平滑性を有するＮｉ−Ｐ層を形成する
ことができる無電解Ｎｉ−Ｐめっき方法を提供すること
を目的とする。
のであって、非磁性基板としてのガラス基板上に、良好
な磁気ディスクを得るに十分な密着性，均一性を有し、
テクスチャー加工前のポリッシング加工を省くことが可
能なほどの十分な平滑性を有するＮｉ−Ｐ層を形成する
ことができる無電解Ｎｉ−Ｐめっき方法を提供すること
を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、この発明
によれば、ガラス基板表面に脱脂処理，エッチング処
理，温純水処理，シランカップリング剤処理，アクチベ
ーター処理，アクサレーター処理を順次施した後、無電
解Ｎｉ−Ｐめっきを行い、続いて、加熱処理を施す方法
を採ることによって解決される。
によれば、ガラス基板表面に脱脂処理，エッチング処
理，温純水処理，シランカップリング剤処理，アクチベ
ーター処理，アクサレーター処理を順次施した後、無電
解Ｎｉ−Ｐめっきを行い、続いて、加熱処理を施す方法
を採ることによって解決される。
【００１０】ガラス基板表面を脱脂して清浄にし、エッ
チングにより既存の酸化膜（Ｏ2 膜）を除去したのち、
温純水処理することにより表面に均一に新しい酸化膜
（Ｏ膜）が形成される。このようにして表面が酸化膜
（Ｏ膜）に覆われたガラス基板表面をガラスとＮｉおよ
びＰを強固に結合するように作用するシランカップリン
グ剤で処理し、続いて、アクチベーター処理，アクサレ
ーター処理を施した後、無電解Ｎｉ−Ｐめっきを行い、
続いて、加熱処理を施すことにより密着性に優れた無電
解Ｎｉ−Ｐめっき層を均一，かつ平滑に形成することが
できる。
チングにより既存の酸化膜（Ｏ2 膜）を除去したのち、
温純水処理することにより表面に均一に新しい酸化膜
（Ｏ膜）が形成される。このようにして表面が酸化膜
（Ｏ膜）に覆われたガラス基板表面をガラスとＮｉおよ
びＰを強固に結合するように作用するシランカップリン
グ剤で処理し、続いて、アクチベーター処理，アクサレ
ーター処理を施した後、無電解Ｎｉ−Ｐめっきを行い、
続いて、加熱処理を施すことにより密着性に優れた無電
解Ｎｉ−Ｐめっき層を均一，かつ平滑に形成することが
できる。
【００１１】シランカップリング剤処理以降の反応例を
以下に示す。例えば、下記構造式に示すような
以下に示す。例えば、下記構造式に示すような
【００１２】
【化１】 アミノ系シランカップリング剤をガラス基板表面に接触
させると、ガラス基板表面と反応（３Ｈ2 Ｏ加水分解）
して、
させると、ガラス基板表面と反応（３Ｈ2 Ｏ加水分解）
して、
【００１３】
【化２】 続いて、アクチベターとして、例えばＰｄＣｌ2 を用い
て、ＰｄＣｌ2 水溶液でアクチベター処理を行うと、
て、ＰｄＣｌ2 水溶液でアクチベター処理を行うと、
【００１４】
【化３】 続いて、アクサレーターとして、例えば次亜リン酸ナト
リウムを用いて、次亜リン酸ナトリウム水溶液でアクサ
レーター処理を行うと、
リウムを用いて、次亜リン酸ナトリウム水溶液でアクサ
レーター処理を行うと、
【００１５】
【化４】 続いて、無電解Ｎｉ−Ｐめっきを行うと、Ｎｉは
【００１６】
【化５】 のように反応付着し、続いて加熱処理を行うと
【００１７】
【化６】 のように反応してＮｉがガラス表面に強固に付着する。
Ｐについても、前記二式においてＮｉがＰに替わるだけ
で同様にガラス表面に強固に付着する。
Ｐについても、前記二式においてＮｉがＰに替わるだけ
で同様にガラス表面に強固に付着する。
【００１８】上記のような反応作用によりガラス基板表
面に密着性良く，均一，平滑なＮｉ−Ｐ層が形成され
る。温純水処理は温度約９０℃以上の温純水により約１
分間以上行うことが望ましい。
面に密着性良く，均一，平滑なＮｉ−Ｐ層が形成され
る。温純水処理は温度約９０℃以上の温純水により約１
分間以上行うことが望ましい。
【００１９】シランカップリング剤としてはアミノ系シ
ランカップリング剤が好ましい。また、アクチベーター
としては塩化パラジウム、アクサレーターとしては次亜
リン酸ナトリウムが好適に用いられる。また、加熱処理
は２００℃以上２９０℃以下の温度で約１５分以上行う
ことが望ましい。
ランカップリング剤が好ましい。また、アクチベーター
としては塩化パラジウム、アクサレーターとしては次亜
リン酸ナトリウムが好適に用いられる。また、加熱処理
は２００℃以上２９０℃以下の温度で約１５分以上行う
ことが望ましい。
【００２０】
【発明の実施の形態】ガラス基板表面を、例えばＫＯＨ
によりアルカリ脱脂して表面に付着している油脂その他
の汚染物を除去し、続いて、例えばＨＦにより酸エッチ
ングを行って既存の酸化膜（Ｏ2 膜）を除去する。この
ようにして清浄化されたガラス基板表面を約９０℃以上
の温純水により約１分間以上処理して酸化膜（Ｏ膜）を
新たに形成したのち、例えばアミノ系シランカップリン
グ剤で処理する。続いて、表面を例えば塩化パラジウム
水溶液で活性化処理（アクチベーター処理）し、さら
に、例えば次亜リン酸ナトリウム水溶液で反応促進化処
理（アクサレーター処理）した後、無電解Ｎｉ−Ｐめっ
き処理を行ってＮｉ−Ｐめっき層を成膜し、続いて２０
０℃以上２９０℃以下の温度で約１５分以上の加熱処理
を施す。このようにして、ガラス基板上に良好な磁気デ
ィスクを得るに必要な密着性，均一性，平滑性を十分に
有するＮｉ−Ｐ層を形成することができる。
によりアルカリ脱脂して表面に付着している油脂その他
の汚染物を除去し、続いて、例えばＨＦにより酸エッチ
ングを行って既存の酸化膜（Ｏ2 膜）を除去する。この
ようにして清浄化されたガラス基板表面を約９０℃以上
の温純水により約１分間以上処理して酸化膜（Ｏ膜）を
新たに形成したのち、例えばアミノ系シランカップリン
グ剤で処理する。続いて、表面を例えば塩化パラジウム
水溶液で活性化処理（アクチベーター処理）し、さら
に、例えば次亜リン酸ナトリウム水溶液で反応促進化処
理（アクサレーター処理）した後、無電解Ｎｉ−Ｐめっ
き処理を行ってＮｉ−Ｐめっき層を成膜し、続いて２０
０℃以上２９０℃以下の温度で約１５分以上の加熱処理
を施す。このようにして、ガラス基板上に良好な磁気デ
ィスクを得るに必要な密着性，均一性，平滑性を十分に
有するＮｉ−Ｐ層を形成することができる。
【００２１】
【実施例】以下、この発明の具体的な実施例について説
明する。 実施例１ ガラス基板として結晶化ガラス板を用い、その表面に下
記表１に示す工程および条件で無電解めっき法でＮｉ−
Ｐ層を成膜する。
明する。 実施例１ ガラス基板として結晶化ガラス板を用い、その表面に下
記表１に示す工程および条件で無電解めっき法でＮｉ−
Ｐ層を成膜する。
【００２２】
【表１】 続いて、下記表２に示す条件で加熱処理を行った。
【００２３】
【表２】 上述のようにしてＮｉ−Ｐ層を無電解めっきされ加熱処
理を施された各ガラス基板について、Ｎｉ−Ｐ層の密着
性を碁盤目試験（ＪＩＳ Ｋ ５４００ ６．１５によ
る）により評価した。その結果を表３に示す。
理を施された各ガラス基板について、Ｎｉ−Ｐ層の密着
性を碁盤目試験（ＪＩＳ Ｋ ５４００ ６．１５によ
る）により評価した。その結果を表３に示す。
【００２４】
【表３】 表３に見られるように、表１の工程，条件で無電解めっ
きし、温度２００℃以上で１５分間以上加熱処理するこ
とにより、ガラス基板上に無電解めっきで密着性の優れ
たＮｉ−Ｐ層が形成されることが判る。
きし、温度２００℃以上で１５分間以上加熱処理するこ
とにより、ガラス基板上に無電解めっきで密着性の優れ
たＮｉ−Ｐ層が形成されることが判る。
【００２５】また、表面粗さ計でガラス基板のめっき前
表面粗さとめっき後の表面粗さとしてそれぞれ中心線平
均粗さＲa および最大高さＲmax を評価し、さらに、め
っき後の表面状態を調べたところ、表４に示す結果が得
られた。
表面粗さとめっき後の表面粗さとしてそれぞれ中心線平
均粗さＲa および最大高さＲmax を評価し、さらに、め
っき後の表面状態を調べたところ、表４に示す結果が得
られた。
【００２６】
【表４】 表４に見られるように、めっき後においても表面粗さは
ほとんど変化せず、また表面欠陥の発生も認められなか
った。
ほとんど変化せず、また表面欠陥の発生も認められなか
った。
【００２７】実施例２ ガラス基板として強化ガラスを用い、実施例１と同様
に、表１に示した工程，条件でＮｉ−Ｐ層を無電解めっ
きし、続いて温度２８０℃で１時間熱処理を行って、ガ
ラス基板上にＮｉ−Ｐ層を形成した。
に、表１に示した工程，条件でＮｉ−Ｐ層を無電解めっ
きし、続いて温度２８０℃で１時間熱処理を行って、ガ
ラス基板上にＮｉ−Ｐ層を形成した。
【００２８】このようにして無電解めっきでＮｉ−Ｐ層
の形成されたガラス基板について、実施例１に準じて密
着性を評価したところ実施例１と同様に良好であった。
また、ガラス基板のめっき前の表面粗さとめっき後の表
面粗さも実施例１と同様ほとんど変わらなかった。さら
に、めっき後の表面状態を評価したところ、表５に示す
結果が得られた。
の形成されたガラス基板について、実施例１に準じて密
着性を評価したところ実施例１と同様に良好であった。
また、ガラス基板のめっき前の表面粗さとめっき後の表
面粗さも実施例１と同様ほとんど変わらなかった。さら
に、めっき後の表面状態を評価したところ、表５に示す
結果が得られた。
【００２９】
【表５】 表５に見られるように、強化ガラス基板においても無電
解めっきで密着性，表面状態ともに良好なＮｉ−Ｐ層が
形成できることが判る。
解めっきで密着性，表面状態ともに良好なＮｉ−Ｐ層が
形成できることが判る。
【００３０】
【発明の効果】この発明によれば、ガラス基板表面に脱
脂処理，エッチング処理，温純水処理，シランカップリ
ング剤処理，アクチベーター処理，アクサレーター処理
を順次施した後、無電解Ｎｉ−Ｐめっきを行い、続い
て、加熱処理を施すことにより、ガラス基板上に、良好
な磁気ディスクを得るに十分な密着性，均一性を有し、
テクスチャー加工前のポリッシング加工を省くことが可
能なほどの十分な平滑性を有するＮｉ−Ｐ層を形成する
ことが可能となる。
脂処理，エッチング処理，温純水処理，シランカップリ
ング剤処理，アクチベーター処理，アクサレーター処理
を順次施した後、無電解Ｎｉ−Ｐめっきを行い、続い
て、加熱処理を施すことにより、ガラス基板上に、良好
な磁気ディスクを得るに十分な密着性，均一性を有し、
テクスチャー加工前のポリッシング加工を省くことが可
能なほどの十分な平滑性を有するＮｉ−Ｐ層を形成する
ことが可能となる。
Claims (6)
- 【請求項１】ガラス基板表面に脱脂処理，エッチング処
理，温純水処理，シランカップリング剤処理，アクチベ
ーター処理，アクサレーター処理を順次施した後、無電
解Ｎｉ−Ｐめっきを行い、続いて、加熱処理を施すこと
を特徴とする磁気ディスク用ガラス基板への無電解Ｎｉ
−Ｐめっき層の形成方法。 - 【請求項２】温純水処理が温度約９０℃以上の温純水に
よる約１分間以上の処理であることを特徴とする請求項
１記載の磁気ディスク用ガラス基板への無電解Ｎｉ−Ｐ
めっき層の形成方法。 - 【請求項３】シランカップリング剤がアミノ系シランカ
ップリング剤であることを特徴とする請求項１または２
記載の磁気ディスク用ガラス基板への無電解Ｎｉ−Ｐめ
っき層形成方法。 - 【請求項４】アクチベーターが塩化パラジウムであるこ
とを特徴とする請求項１，２，３のいずれかに記載の磁
気ディスク用ガラス基板への無電解Ｎｉ−Ｐめっき層形
成方法。 - 【請求項５】アクサレーターが次亜リン酸ナトリウムで
あることを特徴とする請求項１，２，３，４のいずれか
に記載の磁気ディスク用ガラス基板への無電解Ｎｉ−Ｐ
めっき層形成方法。 - 【請求項６】加熱処理が温度２００℃以上で１５分間以
上の処理であることを特徴とする請求項１，２，３，
４，５のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板へ
の無電解Ｎｉ−Ｐめっき層の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33522998A JP3601325B2 (ja) | 1998-11-26 | 1998-11-26 | 磁気ディスク用ガラス基板への無電解Ｎｉ−Ｐめっき層の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33522998A JP3601325B2 (ja) | 1998-11-26 | 1998-11-26 | 磁気ディスク用ガラス基板への無電解Ｎｉ−Ｐめっき層の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000163743A true JP2000163743A (ja) | 2000-06-16 |
| JP3601325B2 JP3601325B2 (ja) | 2004-12-15 |
Family
ID=18286196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33522998A Expired - Fee Related JP3601325B2 (ja) | 1998-11-26 | 1998-11-26 | 磁気ディスク用ガラス基板への無電解Ｎｉ−Ｐめっき層の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3601325B2 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2006291269A (ja) * | 2005-04-08 | 2006-10-26 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | ガラス基体へのめっき方法及びそれを用いた磁気記録媒体の製造方法 |
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