JPH05325185A - ハードディスクの製造方法 - Google Patents
ハードディスクの製造方法Info
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- JPH05325185A JPH05325185A JP15132392A JP15132392A JPH05325185A JP H05325185 A JPH05325185 A JP H05325185A JP 15132392 A JP15132392 A JP 15132392A JP 15132392 A JP15132392 A JP 15132392A JP H05325185 A JPH05325185 A JP H05325185A
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- JP
- Japan
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- substrate
- alloy
- hard disk
- electroless
- plating
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【構成】 Ａｌ又はＡｌ合金からなるハードディスク用
基板をめっき前処理し、その表面に非磁性の無電解Ｎｉ
合金めっき被膜を形成し、このめっき被膜表面を鏡面研
摩した後、磁性被膜を形成するようにしたハードディス
クの製造方法において、上記めっき前処理手段として、
基板を脱脂、酸洗した後、この基板表面に無電解Ｎｉ合
金めっき液に対して自己触媒性を有する金属又は金属イ
オンを吸着させる吸着処理を行ない、この吸着処理を施
した基板を無電解Ｎｉ合金めっき液に浸漬して該基板上
に非磁性の無電解Ｎｉ合金めっき被膜３を形成する。 【効果】 めっき皮膜の表面は凹凸が少なく、研摩シロ
が少なくなり、強い研摩が不要で、ポリッシュとテキス
チャーとを兼ねて行なうことができ、ピット、ピンホー
ルのようなボイド欠陥５によるエラーが少なくなるの
で、記憶容量向上の点からも好都合である。
基板をめっき前処理し、その表面に非磁性の無電解Ｎｉ
合金めっき被膜を形成し、このめっき被膜表面を鏡面研
摩した後、磁性被膜を形成するようにしたハードディス
クの製造方法において、上記めっき前処理手段として、
基板を脱脂、酸洗した後、この基板表面に無電解Ｎｉ合
金めっき液に対して自己触媒性を有する金属又は金属イ
オンを吸着させる吸着処理を行ない、この吸着処理を施
した基板を無電解Ｎｉ合金めっき液に浸漬して該基板上
に非磁性の無電解Ｎｉ合金めっき被膜３を形成する。 【効果】 めっき皮膜の表面は凹凸が少なく、研摩シロ
が少なくなり、強い研摩が不要で、ポリッシュとテキス
チャーとを兼ねて行なうことができ、ピット、ピンホー
ルのようなボイド欠陥５によるエラーが少なくなるの
で、記憶容量向上の点からも好都合である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ハードディスクの製造
方法に関し、更に詳述すれば、ハードディスクの製造工
程において、鏡面研摩処理の負担を軽減することができ
るハードディスクの製造方法に関する。
方法に関し、更に詳述すれば、ハードディスクの製造工
程において、鏡面研摩処理の負担を軽減することができ
るハードディスクの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
ハードディスクの製造工程は、アルミニウム又はアルミ
ニウム合金（以下、Ａｌ又はＡｌ合金という）圧延板を
打ち抜き、表面研摩して得られたハードディスク用基板
に対しめっき前処理を施し、その表面に非磁性の無電解
ニッケル合金（以下、Ｎｉ合金という）めっき被膜を形
成し、その表面を鏡面にするべくポリッシュ処理を行な
った後、表面を適度な粗さにするテキスチャー処理を行
ない、次いで磁性膜を形成し、更に保護層、潤滑層を形
成するものであった。
ハードディスクの製造工程は、アルミニウム又はアルミ
ニウム合金（以下、Ａｌ又はＡｌ合金という）圧延板を
打ち抜き、表面研摩して得られたハードディスク用基板
に対しめっき前処理を施し、その表面に非磁性の無電解
ニッケル合金（以下、Ｎｉ合金という）めっき被膜を形
成し、その表面を鏡面にするべくポリッシュ処理を行な
った後、表面を適度な粗さにするテキスチャー処理を行
ない、次いで磁性膜を形成し、更に保護層、潤滑層を形
成するものであった。
【０００３】ここで、上記めっき前処理としては、基板
を脱脂した後、強酸性溶液で表面酸化膜除去処理を行な
い、硝酸処理した後、亜鉛置換処理を行なう方法が採用
されていた。この場合、亜鉛置換処理は密着性の点から
薄くて均一な亜鉛置換被膜を得るため、通常は２回行な
っており、従ってめっき前処理工程は下記のようにかな
りのステップを要するものであった。
を脱脂した後、強酸性溶液で表面酸化膜除去処理を行な
い、硝酸処理した後、亜鉛置換処理を行なう方法が採用
されていた。この場合、亜鉛置換処理は密着性の点から
薄くて均一な亜鉛置換被膜を得るため、通常は２回行な
っており、従ってめっき前処理工程は下記のようにかな
りのステップを要するものであった。
【０００４】１．脱脂 ２．水洗 ３．酸化膜除去 ４．水洗 ５．硝酸浸漬 ６．水洗 ７．亜鉛置換 ８．水洗 ９．硝酸浸漬 １０．水洗 １１．亜鉛置換 １２．水洗 １３．無電解Ｎｉ合金めっき この亜鉛置換法によるＡｌ又はＡｌ合金素材の前処理方
法は、Ａｌ又はＡｌ合金素材に無電解Ｎｉ合金めっき被
膜をむらなく均一に、しかも密着良く形成する方法とし
て最もポピュラーであり、上述したように多くのステッ
プを要するものの非常に有効な方法であるが、この亜鉛
置換法を採用してＡｌ又はＡｌ合金性の基板に無電解Ｎ
ｉ合金めっき被膜を形成し、ハードディスクを製造する
場合、特に下記のような問題が生じる。
法は、Ａｌ又はＡｌ合金素材に無電解Ｎｉ合金めっき被
膜をむらなく均一に、しかも密着良く形成する方法とし
て最もポピュラーであり、上述したように多くのステッ
プを要するものの非常に有効な方法であるが、この亜鉛
置換法を採用してＡｌ又はＡｌ合金性の基板に無電解Ｎ
ｉ合金めっき被膜を形成し、ハードディスクを製造する
場合、特に下記のような問題が生じる。
【０００５】即ち、上記亜鉛置換法は、Ａｌ又はＡｌ合
金素材表面に均一にＺｎを置換、析出させるため、その
表面を十分に活性化する必要があり、上述したように強
酸性溶液で酸化膜除去処理を行なうが、かかる酸化膜除
去処理はＡｌ又はＡｌ合金素材表面を荒らすことにな
る。また、亜鉛置換液は高アルカリでＡｌ又はＡｌ合金
素材表面を荒らす上、亜鉛置換は、本質的に２Ａｌ＋３
Ｚｎ2+→２Ａｌ3+＋３Ｚｎという反応に基づくものであ
り、Ａｌが溶解してＺｎが析出するものであるため、Ａ
ｌ又はＡｌ合金素材表面を本質的に荒らすものである。
従って、亜鉛置換処理を施したＡｌ又はＡｌ合金素材
は、図１に示すようにＡｌ又はＡｌ合金素材１の表面に
ピット状の凹欠陥２が生じ易い。このような欠陥を有す
るＡｌ又はＡｌ合金素材２上に無電解Ｎｉ合金めっき被
膜３を形成する場合、該めっき被膜３は上記凹欠陥２に
対応した表面凹凸の激しいものになる。
金素材表面に均一にＺｎを置換、析出させるため、その
表面を十分に活性化する必要があり、上述したように強
酸性溶液で酸化膜除去処理を行なうが、かかる酸化膜除
去処理はＡｌ又はＡｌ合金素材表面を荒らすことにな
る。また、亜鉛置換液は高アルカリでＡｌ又はＡｌ合金
素材表面を荒らす上、亜鉛置換は、本質的に２Ａｌ＋３
Ｚｎ2+→２Ａｌ3+＋３Ｚｎという反応に基づくものであ
り、Ａｌが溶解してＺｎが析出するものであるため、Ａ
ｌ又はＡｌ合金素材表面を本質的に荒らすものである。
従って、亜鉛置換処理を施したＡｌ又はＡｌ合金素材
は、図１に示すようにＡｌ又はＡｌ合金素材１の表面に
ピット状の凹欠陥２が生じ易い。このような欠陥を有す
るＡｌ又はＡｌ合金素材２上に無電解Ｎｉ合金めっき被
膜３を形成する場合、該めっき被膜３は上記凹欠陥２に
対応した表面凹凸の激しいものになる。
【０００６】このため、かかる表面凹凸の激しい無電解
Ｎｉ合金めっき被膜３を鏡面研摩する場合、研摩シロが
少ないと図２に示すように鏡面研摩面４にピット状表面
欠陥５が残る。従って、これを避けるため研摩シロを多
く取らなければならず、鏡面を得るために行なうポリッ
シュの負担が多くなるという問題が生じる。また、この
ように研摩シロを多くとらなければならないので、形成
する無電解Ｎｉ合金めっき被膜の膜厚を厚くする必要が
生じ、この点からもコスト上昇を招くという問題があ
る。
Ｎｉ合金めっき被膜３を鏡面研摩する場合、研摩シロが
少ないと図２に示すように鏡面研摩面４にピット状表面
欠陥５が残る。従って、これを避けるため研摩シロを多
く取らなければならず、鏡面を得るために行なうポリッ
シュの負担が多くなるという問題が生じる。また、この
ように研摩シロを多くとらなければならないので、形成
する無電解Ｎｉ合金めっき被膜の膜厚を厚くする必要が
生じ、この点からもコスト上昇を招くという問題があ
る。
【０００７】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
Ａｌ又はＡｌ合金よりなるハードディスク用基板を荒ら
すことなく前処理することができ、比較的表面欠陥のな
い平滑な無電解Ｎｉ合金めっき被膜を形成できて、鏡面
研摩の負担が軽減し、かつ無電解Ｎｉ合金めっき被膜の
膜厚を薄くすることもできるので、経済的で工業的に有
利なハードディスクの製造方法を提供することを目的と
する。
Ａｌ又はＡｌ合金よりなるハードディスク用基板を荒ら
すことなく前処理することができ、比較的表面欠陥のな
い平滑な無電解Ｎｉ合金めっき被膜を形成できて、鏡面
研摩の負担が軽減し、かつ無電解Ｎｉ合金めっき被膜の
膜厚を薄くすることもできるので、経済的で工業的に有
利なハードディスクの製造方法を提供することを目的と
する。
【０００８】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明は、上記
目的を達成するため、Ａｌ又はＡｌ合金からなるハード
ディスク用基板をめっき前処理し、その表面に非磁性の
無電解Ｎｉ合金めっき被膜を形成し、このめっき被膜表
面を鏡面研摩した後、磁性被膜を形成するようにしたハ
ードディスクの製造方法において、上記めっき前処理手
段として、上記基板を脱脂、酸洗した後、この基板表面
に無電解Ｎｉ合金めっき液に対して自己触媒性を有する
金属又は金属イオンを吸着させる吸着処理を行ない、こ
の吸着処理を施した基板を非磁性の無電解Ｎｉ合金めっ
き液に浸漬して該基板上に無電解Ｎｉ合金めっき被膜を
形成するようにしたものである。
目的を達成するため、Ａｌ又はＡｌ合金からなるハード
ディスク用基板をめっき前処理し、その表面に非磁性の
無電解Ｎｉ合金めっき被膜を形成し、このめっき被膜表
面を鏡面研摩した後、磁性被膜を形成するようにしたハ
ードディスクの製造方法において、上記めっき前処理手
段として、上記基板を脱脂、酸洗した後、この基板表面
に無電解Ｎｉ合金めっき液に対して自己触媒性を有する
金属又は金属イオンを吸着させる吸着処理を行ない、こ
の吸着処理を施した基板を非磁性の無電解Ｎｉ合金めっ
き液に浸漬して該基板上に無電解Ｎｉ合金めっき被膜を
形成するようにしたものである。
【０００９】本発明によれば、めっき前処理として、従
来の亜鉛置換処理に代えて、パラジウム等の無電解Ｎｉ
合金めっき液に対して自己触媒性を有する金属又は金属
イオンを吸着させる吸着処理を行なうもので、この吸着
処理は、Ａｌを溶解してＺｎを析出させる亜鉛置換処理
とは異なり、物理的に上記金属又は金属イオンを吸着さ
せるので、Ａｌ又はＡｌ合金素材表面を侵すことがな
い。このため、無電解Ｎｉ合金めっきが施される基板表
面は欠陥が非常に少なく、実質的に平滑である。従っ
て、形成される無電解Ｎｉ合金めっき被膜もその表面の
欠陥が少なく、比較的平滑である。本発明の吸着処理法
によれば、高アルカリ溶液である亜鉛置換処理を必要と
しないため、この点でも基板表面を荒らすことがないも
のである。また、この前処理法は従来の亜鉛置換法と比
べてステップ数が少ないものである。
来の亜鉛置換処理に代えて、パラジウム等の無電解Ｎｉ
合金めっき液に対して自己触媒性を有する金属又は金属
イオンを吸着させる吸着処理を行なうもので、この吸着
処理は、Ａｌを溶解してＺｎを析出させる亜鉛置換処理
とは異なり、物理的に上記金属又は金属イオンを吸着さ
せるので、Ａｌ又はＡｌ合金素材表面を侵すことがな
い。このため、無電解Ｎｉ合金めっきが施される基板表
面は欠陥が非常に少なく、実質的に平滑である。従っ
て、形成される無電解Ｎｉ合金めっき被膜もその表面の
欠陥が少なく、比較的平滑である。本発明の吸着処理法
によれば、高アルカリ溶液である亜鉛置換処理を必要と
しないため、この点でも基板表面を荒らすことがないも
のである。また、この前処理法は従来の亜鉛置換法と比
べてステップ数が少ないものである。
【００１０】そして、このように無電解Ｎｉ合金めっき
被膜の表面が平滑となるため、後処理の鏡面研摩に際し
研摩シロが少なくなり、鏡面研摩の負担が著しく軽減
し、ポリッシュとテキスチャーとを兼ねて行なうことも
でき、場合によってはポリッシュを省略し、テキスチャ
ーのみとすることもできる。また、このように研摩シロ
が少なくなるので、無電解Ｎｉ合金めっき被膜の膜厚を
薄くすることができる。
被膜の表面が平滑となるため、後処理の鏡面研摩に際し
研摩シロが少なくなり、鏡面研摩の負担が著しく軽減
し、ポリッシュとテキスチャーとを兼ねて行なうことも
でき、場合によってはポリッシュを省略し、テキスチャ
ーのみとすることもできる。また、このように研摩シロ
が少なくなるので、無電解Ｎｉ合金めっき被膜の膜厚を
薄くすることができる。
【００１１】従って、本発明によれば、無電解Ｎｉ合金
めっきの前処理が簡略化されると共に、後処理も簡略化
され、磁性被膜形成工程以後の工程にスムーズに移行し
て、ハードディスクを能率的に製造し得るものである。
めっきの前処理が簡略化されると共に、後処理も簡略化
され、磁性被膜形成工程以後の工程にスムーズに移行し
て、ハードディスクを能率的に製造し得るものである。
【００１２】以下、本発明につき更に詳述すると、本発
明のハードディスクの製造方法は、まずＡｌ又はＡｌ合
金よりなり、表面研摩が施されたハードディスク用基板
をめっき前処理した後、非磁性の無電解Ｎｉ合金めっき
被膜を形成するもので、典型的には下記ステップで行な
うことができる。 １．脱脂 ２．水洗 ３．酸洗 ４．水洗 ５．吸着処理 ６．水洗 ７．無電解Ｎｉ合金めっき ここで、脱脂工程において使用される脱脂液は公知のＡ
ｌ用脱脂剤でよく、脱脂条件も通常の条件を採用し得
る。また、酸洗も、例えば１〜２０％濃度の硫酸等を使
用することができ、常温〜８０℃で１０秒〜５分程度の
処理条件を採用し得る。
明のハードディスクの製造方法は、まずＡｌ又はＡｌ合
金よりなり、表面研摩が施されたハードディスク用基板
をめっき前処理した後、非磁性の無電解Ｎｉ合金めっき
被膜を形成するもので、典型的には下記ステップで行な
うことができる。 １．脱脂 ２．水洗 ３．酸洗 ４．水洗 ５．吸着処理 ６．水洗 ７．無電解Ｎｉ合金めっき ここで、脱脂工程において使用される脱脂液は公知のＡ
ｌ用脱脂剤でよく、脱脂条件も通常の条件を採用し得
る。また、酸洗も、例えば１〜２０％濃度の硫酸等を使
用することができ、常温〜８０℃で１０秒〜５分程度の
処理条件を採用し得る。
【００１３】上記吸着工程は、めっき触媒付与のために
行なうもので、この処理は、基板表面に無電解Ｎｉ合金
めっき液に対して自己触媒作用を有する金属、例えばＰ
ｄ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ等又は
それらのイオンを付着させるものである。この場合、上
記自己触媒作用を有するものとしては、Ｐｄ又はＰｄイ
オンが最も好ましい。
行なうもので、この処理は、基板表面に無電解Ｎｉ合金
めっき液に対して自己触媒作用を有する金属、例えばＰ
ｄ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ等又は
それらのイオンを付着させるものである。この場合、上
記自己触媒作用を有するものとしては、Ｐｄ又はＰｄイ
オンが最も好ましい。
【００１４】Ｐｄ又はＰｄイオンを基板上に吸着させる
方法としては、まずＳｎＣｌ2等の水溶性第１錫塩を５
〜２０ｇ／ｌ程度含むｐＨ０．５〜４の酸性溶液（例え
ば濃塩酸を５〜２０ｍｌ／ｌ程度含む溶液）に基板を浸
漬した後、ＰｄＣｌ2等の水溶性パラジウム塩を０．０
１〜５ｇ／ｌ程度含むｐＨ０．５〜６の酸性溶液（例え
ば濃塩酸を０〜５ｍｌ／ｌ含む溶液）に浸漬する方法、
上記のような水溶性第１錫塩の酸性溶液に浸漬せず、直
接濃度０．０１〜５ｇ／ｌの水溶性パラジウム塩の酸性
溶液に浸漬する方法（この場合、この溶液のｐＨは０．
５〜６とすることができ、酸として塩酸，硫酸，フッ酸
等を用いることができ、例えば濃硫酸１〜２０ｇ／ｌ或
いは４５％ふっ化水素酸０．５〜５ｍｌ／ｌを含む溶液
とすることができる。）、或いは、例えばＰｄＣｌ2を
０．１〜１ｇ／ｌ、ＳｎＣｌ2・２Ｈ2Ｏを１〜２０ｇ／
ｌ、ＨＣｌ（３６％）を５０〜５００ｍｌ／ｌ含む組成
液などのＳｎ−Ｐｄコロイド溶液に浸漬した後、例えば
Ｈ2ＳＯ4（９８％）５０〜２００ｍｌ／ｌの組成などの
酸溶液に浸漬する方法を採用することができる。なお、
上記各液に対する浸漬条件は、いずれも常温〜６０℃で
１〜５分程度とすることができる。
方法としては、まずＳｎＣｌ2等の水溶性第１錫塩を５
〜２０ｇ／ｌ程度含むｐＨ０．５〜４の酸性溶液（例え
ば濃塩酸を５〜２０ｍｌ／ｌ程度含む溶液）に基板を浸
漬した後、ＰｄＣｌ2等の水溶性パラジウム塩を０．０
１〜５ｇ／ｌ程度含むｐＨ０．５〜６の酸性溶液（例え
ば濃塩酸を０〜５ｍｌ／ｌ含む溶液）に浸漬する方法、
上記のような水溶性第１錫塩の酸性溶液に浸漬せず、直
接濃度０．０１〜５ｇ／ｌの水溶性パラジウム塩の酸性
溶液に浸漬する方法（この場合、この溶液のｐＨは０．
５〜６とすることができ、酸として塩酸，硫酸，フッ酸
等を用いることができ、例えば濃硫酸１〜２０ｇ／ｌ或
いは４５％ふっ化水素酸０．５〜５ｍｌ／ｌを含む溶液
とすることができる。）、或いは、例えばＰｄＣｌ2を
０．１〜１ｇ／ｌ、ＳｎＣｌ2・２Ｈ2Ｏを１〜２０ｇ／
ｌ、ＨＣｌ（３６％）を５０〜５００ｍｌ／ｌ含む組成
液などのＳｎ−Ｐｄコロイド溶液に浸漬した後、例えば
Ｈ2ＳＯ4（９８％）５０〜２００ｍｌ／ｌの組成などの
酸溶液に浸漬する方法を採用することができる。なお、
上記各液に対する浸漬条件は、いずれも常温〜６０℃で
１〜５分程度とすることができる。
【００１５】また、他の金属又は金属イオンを吸着させ
る場合は、これら金属塩の酸性溶液に浸漬する等の方法
を採用することができる。
る場合は、これら金属塩の酸性溶液に浸漬する等の方法
を採用することができる。
【００１６】以上のようにして金属又は金属イオン触媒
が吸着された基板は、これを無電解Ｎｉ合金めっき液に
浸漬することにより、該触媒が核となって無電解Ｎｉ合
金めっきが開始し、Ｎｉ合金皮膜が析出するものであ
る。
が吸着された基板は、これを無電解Ｎｉ合金めっき液に
浸漬することにより、該触媒が核となって無電解Ｎｉ合
金めっきが開始し、Ｎｉ合金皮膜が析出するものであ
る。
【００１７】ここで、無電解Ｎｉ合金めっき液は、非磁
性のＮｉ合金めっき皮膜を形成するものが使用され、特
に次亜リン酸塩を還元剤とするＮｉ−Ｐめっき液、Ｎｉ
−Ｃｕ−Ｐめっき液などが用いられる。なお、これらの
めっき液は公知の組成とすることができ、またそのめっ
き条件も通常の条件を採用することができる。
性のＮｉ合金めっき皮膜を形成するものが使用され、特
に次亜リン酸塩を還元剤とするＮｉ−Ｐめっき液、Ｎｉ
−Ｃｕ−Ｐめっき液などが用いられる。なお、これらの
めっき液は公知の組成とすることができ、またそのめっ
き条件も通常の条件を採用することができる。
【００１８】この場合、無電解Ｎｉ合金めっき皮膜の膜
厚は８〜２０μｍ、特に１０〜１４μｍとすることがで
き、本発明によれば基板を荒らすことがないので平滑な
めっき皮膜が得られ、鏡面研摩時の研摩シロを少なくし
得るため、１２μｍ以下の膜厚でも十分である。
厚は８〜２０μｍ、特に１０〜１４μｍとすることがで
き、本発明によれば基板を荒らすことがないので平滑な
めっき皮膜が得られ、鏡面研摩時の研摩シロを少なくし
得るため、１２μｍ以下の膜厚でも十分である。
【００１９】このようにして無電解Ｎｉ合金めっき皮膜
を形成した後、その表面を鏡面研摩する。この鏡面研摩
はポリッシングマシンを用い、通常の方法で行なうこと
ができる。また、ポリッシング後、通常のテキスチャー
マチンでテキスチャー処理を行なうことができるが、本
発明の方法によれば、基板を荒らすことがなく、平滑な
めっき皮膜が得られるため、ポリッシングの負担が軽減
し、場合によってはポリッシングを省略してテキスチャ
ー処理を行なうだけとすることもできる。
を形成した後、その表面を鏡面研摩する。この鏡面研摩
はポリッシングマシンを用い、通常の方法で行なうこと
ができる。また、ポリッシング後、通常のテキスチャー
マチンでテキスチャー処理を行なうことができるが、本
発明の方法によれば、基板を荒らすことがなく、平滑な
めっき皮膜が得られるため、ポリッシングの負担が軽減
し、場合によってはポリッシングを省略してテキスチャ
ー処理を行なうだけとすることもできる。
【００２０】上記鏡面研摩、テキスチャー処理を行なっ
た後は、常法に従って磁性膜を形成し、更に必要により
保護層、潤滑層を形成することができる。
た後は、常法に従って磁性膜を形成し、更に必要により
保護層、潤滑層を形成することができる。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、Ａｌ又はＡｌ合金より
なるハードディスク用基板の表面を荒らすことなく前処
理して無電解Ｎｉ合金めっき皮膜を形成し得るので、該
めっき皮膜の表面は凹凸が少なく、このため鏡面研摩に
際し、研摩シロが少なくなり、強い研摩が不要で、ポリ
ッシュとテキスチャーとを兼ねて行なうことができ、場
合によってはポリッシュを省略し、テキスチャーのみと
することもできて、鏡面研摩の負担が著しく軽減する。
また、ピット、ピンホールのようなボイド欠陥によるエ
ラーが少なくなるので、記憶容量向上の点からも好都合
である。更に、無電解Ｎｉ合金めっき皮膜の膜厚を薄く
することもでき、従って本発明の方法は、操作が簡略化
され、コストの低減を計ることができる。
なるハードディスク用基板の表面を荒らすことなく前処
理して無電解Ｎｉ合金めっき皮膜を形成し得るので、該
めっき皮膜の表面は凹凸が少なく、このため鏡面研摩に
際し、研摩シロが少なくなり、強い研摩が不要で、ポリ
ッシュとテキスチャーとを兼ねて行なうことができ、場
合によってはポリッシュを省略し、テキスチャーのみと
することもできて、鏡面研摩の負担が著しく軽減する。
また、ピット、ピンホールのようなボイド欠陥によるエ
ラーが少なくなるので、記憶容量向上の点からも好都合
である。更に、無電解Ｎｉ合金めっき皮膜の膜厚を薄く
することもでき、従って本発明の方法は、操作が簡略化
され、コストの低減を計ることができる。
【００２２】
【実施例】以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
【００２３】［実施例］神戸製鋼社製アルミサブストレ
ートＣＤ−１（直径３．５インチ）のハードディスク用
基板に対し、下記工程で無電解Ｎｉ−Ｐめっき皮膜を形
成した。
ートＣＤ−１（直径３．５インチ）のハードディスク用
基板に対し、下記工程で無電解Ｎｉ−Ｐめっき皮膜を形
成した。
【００２４】 脱脂： ノニオン活性剤２％水溶液，６０℃，５分浸漬 水洗 酸洗： 濃硫酸１００ｍｌ／ｌ水溶液，７０℃，２分浸漬 水洗 吸着処理： ＰｄＣｌ2 ０．１ ｇ／ｌ ４５％ＨＦ １．０ ｍｌ／ｌ ２５℃，１分浸漬 水洗 無電解Ｎｉ−Ｐめっき： 上村工業社製ＨＸＤ使用，９０℃，１．５時間めっき めっき皮膜：Ｎｉ８８％，Ｐ１２％，膜厚１２μｍ
【００２５】［比較例］実施例と同じハードディスク用
基板を用い、下記工程で無電解Ｎｉ−Ｐめっき皮膜を形
成した。
基板を用い、下記工程で無電解Ｎｉ−Ｐめっき皮膜を形
成した。
【００２６】 脱脂： 実施例と同じ 水洗 酸洗： 実施例と同じ 水洗 硝酸浸漬： ６１％ＨＮＯ3５００ｍｌ／ｌ溶液，２０℃，３０秒浸漬 水洗 亜鉛置換： ＺｎＯ ２０ ｇ／ｌ ＮａＯＨ １２０ ｇ／Ｌ ロッセル塩 ５０ ｇ／Ｌ 塩化第２鉄 ２ Ｇ・Ｌ 硝酸ナトリウム １ ｇ／Ｌ ２５℃，６０秒浸漬 水洗 硝酸浸漬： 上記と同じ 水洗 亜鉛置換： 上記と同じ、但し浸漬時間は２０秒 水洗 無電解Ｎｉ−Ｐめっき： 実施例と同じ
【００２７】次に、前処理前の基板、実施例及び比較例
における無電解Ｎｉ−Ｐめっき直前の基板及び無電解Ｎ
ｉ−Ｐめっき皮膜の表面粗さを東京計器サーフコムで測
定した（結果は平均粗さＲａ及び最大高さＲｍａｘで示
す）。また、めっき直後の、マイクロピット数を５０倍
の実体顕微鏡視野内の個数をカウントすることにより計
測した。結果を表１に示す。
における無電解Ｎｉ−Ｐめっき直前の基板及び無電解Ｎ
ｉ−Ｐめっき皮膜の表面粗さを東京計器サーフコムで測
定した（結果は平均粗さＲａ及び最大高さＲｍａｘで示
す）。また、めっき直後の、マイクロピット数を５０倍
の実体顕微鏡視野内の個数をカウントすることにより計
測した。結果を表１に示す。
【００２８】
【表１】
【図１】従来のハードディスク用基板に非磁性皮膜を形
成した状態を示す断面図である。
成した状態を示す断面図である。
【図２】同非磁性皮膜を研摩した状態を示す断面図であ
る。
る。
【符号の説明】 １ Ａｌ又はＡｌ合金素材 ２ 凹欠陥 ３ 無電解Ｎｉ合金めっき皮膜 ４ 鏡面研摩面 ５ 表面欠陥
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 誠 大阪府枚方市出口１丁目５番１号 上村工 業株式会社中央研究所内 (72)発明者 中山 郁雄 大阪府枚方市出口１丁目５番１号 上村工 業株式会社中央研究所内 (72)発明者 高見 秀幸 大阪府枚方市出口１丁目５番１号 上村工 業株式会社中央研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】 アルミニウム又はアルミニウム合金から
なるハードディスク用基板をめっき前処理し、その表面
に非磁性の無電解ニッケル合金めっき被膜を形成し、こ
のめっき被膜表面を鏡面研摩した後、磁性被膜を形成す
るようにしたハードディスクの製造方法において、上記
めっき前処理手段として、上記基板を脱脂、酸洗した
後、この基板表面に無電解ニッケル合金めっき液に対し
て自己触媒性を有する金属又は金属イオンを吸着させる
吸着処理を行ない、この吸着処理を施した基板を無電解
ニッケル合金めっき液に浸漬して該基板上に非磁性の無
電解ニッケル合金めっき被膜を形成することを特徴とす
るハードディスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15132392A JPH05325185A (ja) | 1992-05-19 | 1992-05-19 | ハードディスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15132392A JPH05325185A (ja) | 1992-05-19 | 1992-05-19 | ハードディスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05325185A true JPH05325185A (ja) | 1993-12-10 |
Family
ID=15516111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15132392A Pending JPH05325185A (ja) | 1992-05-19 | 1992-05-19 | ハードディスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05325185A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1426464A1 (en) * | 2002-12-04 | 2004-06-09 | Dowa Mining Co., Ltd. | Method for producing metal/ceramic bonding substrate |
| US7993706B2 (en) * | 2004-06-08 | 2011-08-09 | Riken | Method of forming a nano-structure and the nano-structure |
-
1992
- 1992-05-19 JP JP15132392A patent/JPH05325185A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1426464A1 (en) * | 2002-12-04 | 2004-06-09 | Dowa Mining Co., Ltd. | Method for producing metal/ceramic bonding substrate |
| US7993706B2 (en) * | 2004-06-08 | 2011-08-09 | Riken | Method of forming a nano-structure and the nano-structure |
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