JPS623423A - Ａｌ製磁気記録材料の基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、Ａｌ又はＡ！金合金以下Ａ１と呼ぶ）製の磁
気記録材料に関するものであり、特にＡｌの陽極酸化皮
膜（以下アルマイト皮膜と呼ぶ）を用いた磁気記録材料
の基板の構造に関するものである。

〔従来の技術〕

磁気記録材料は、情報産業の中にあって重要な情報記録
媒体の一つである。現在、その記録特性や製造法等にお
いてより高記録密度を有し、信顛性があり、しかも耐久
性に優れた磁気記録材料を求めて、種々の構造、方式等
が提案されている。

中でもＡｌ製ハード磁気ディスク板は、上記の諸特性を
満足するものとして注目されている。以下、このＡｌ製
ハード磁気ディスク板（以下磁気ディスク板と呼ぶ）を
例にとって説明する。

従来より、種々提案されている磁気ディスク板の構成を
示すと、次のようなものが挙げられる。

一般的には、まずＡｌ板材を打抜き加工したブランク材
を、ダイヤモンビターニングマシーンやポリッシングマ
シーン等で精密研磨（以下１次研磨と呼ぶ）し、Ａ１表
面を求める表面精度に仕上げ（以下、ここまで加工した
基材をサブストレートと呼ぶ）たちのを基材として、次
のように処理された記録媒体としての磁気ディスク板が
ある。

ｌ）　クロメート処理されたサブストレート材を第一層
とし、第一層の上に第二層として、スピンコーティング
法等により均一に塗布された、主に酸化鉄を分散した当
該磁性体を含む樹脂層から成る磁気ディスク板（以下コ
ーティング型磁気ディスク板と呼ぶ）。

２）　サブストレート材を第一層とし、第一層上にジン
ケート処理によって得られたＺｎメッキ皮膜を第二層、
次に第二層上に、磁気記録媒体のアンダーコート皮膜と
しての無電解メッキ皮膜を第三層とし、第三層表面をポ
リッシングマシーン等により精密研磨（以下２次研磨と
呼ぶ）し、鏡面加工する。当該第三層表面上に、第四層
として磁気記録媒体の磁性体皮膜を形成させる。該磁性
体皮膜の材質や製造法により、さらに次のように区分け
することができる。

２−■　スピンコーティング法等により均一に塗布され
た、主に酸化鉄を分散させた当該磁性体を含む樹脂層か
ら成る磁気ディスク板（以下、メツキーコーティング型
磁気ディスク板と呼ぶ）。

２−■　磁気記録媒体層が、無電解メッキにより形成さ
れた磁性金属層からなる磁気ディスク板（以下、メツキ
ーメッキ型磁気ディスク板と呼ぶ）。

２−■　磁気記録媒体層が、スパッタリング等の真空メ
ッキ法により形成された磁性金属層から成る磁気ディス
ク板（以下、メツキースパッタ型磁気ディスク板と呼ぶ
）。

３）　サブストレート材を第一層とし、陽極酸化処理（
以下、アルマイト処理と呼ぶ）して、第一層上に生成さ
せたアンダーコート皮膜としてのアルマイト皮膜を第二
層とし、アルマイト皮膜を２次研磨し、第二層表面を鏡
面に仕上げたのち、第二層表面にスパッタリング等の真
空メッキ法により形成された、磁性金属層から成る磁気
ディスク板（以下、アルマイト−スパッタリング型磁気
ディスク板と呼ぶ）。

４）　サブストレート材を第一層とし、その表面に生成
させたアルマイト皮膜を第二層として、該アルマイト皮
膜の微細孔中に磁性金属を充填させ、しかるのち第二層
表面を２次研磨をして鏡面に仕上げて成る磁気ディスク
板（以下、磁性アルマイト型磁気ディスクと呼ぶ）。

以上、１）　、２）、３）　、４）の磁気記録媒体上に
、該磁気記録媒体の保護を目的として、テフロン、カー
ボン等の潤滑膜や、ＳｉＯ□、Ｒｈ等の耐摩耗性皮膜が
薄くコーティングされ、実用に供されている。

これら各種の磁気ディスク板のうち高信頼性、高耐久性
、高記録密度、低コスト等を達成できるものとして、メ
ツキーメッキ型磁気ディスク板、メツキースパッタ型磁
気ディスク板や、磁性アルマイト型磁気ディスク板が注
目されている。中でもメツキーメッキ型磁気ディスク板
や、メツキースパッタ型磁気ディスク板は、最も実現性
の高い磁気ディスク板であるとして近年盛んに検討され
、一部実用化されている。

このメツキーメッキ型磁気ディスク板と、メンキ−スパ
ッタ型磁気ディスク板は、共にアンダーコート皮膜とし
て無電解メッキ皮膜が利用されている。中でも磁気ディ
スクの緒特性を考慮して、無電解Ｎ１−Ｐ皮膜が一般的
に用いられている。この無電解メンキ皮膜に求められる
特性を列挙すると、次のようなことがいえる。

イ）　非磁性特性が優れていること。記録媒体となる磁
性皮膜以外は磁性がない方が良く、アンダーコート皮膜
に残留磁気があったとしても、その量は記録媒体となる
磁性皮膜の１〜２％以下である必要がある。仮に当該磁
気量以上の残留磁気がアンダーコート皮膜に存在すれば
、ノイズが発生したり、誤動作を生じたり、記録が消失
するといった致命的欠陥となる。

口）　機械加工性が優れていること。高記録密度を実現
するためには、磁気ヘッドの浮上量をできるだけ小さく
、少なくともサブミクロンオーダーで動作させる必要が
あり、アンダーコート皮膜の表面粗度は、ＲｍａｘＯ，
０２μ以下という非常に高精度の鏡面研磨面が求められ
ている。そこでアンダーコート皮膜は、研磨に必要な適
度の硬さが要求される。

ハ）　欠陥のない表面が得られ、しかも耐久性があるこ
と。即ち耐蝕性に優れ、ピンホール等の欠陥がほとんど
ないことが必要である。

上記理由から、通常はＮ１−Ｐメッキ皮膜が好適に利用
されているのである。ここでアンダーコート皮膜として
の無電解メッキに求められるその他の基本特性として、
メッキ皮膜の密着性が良好であることは必要不可欠の条
件である。このため、従来から無電解メッキの前処理法
としては、いわゆるジンケート処理法が専ら利用されて
いる。

次に、サブストレート材表面にアンダーコート皮膜を無
電解メッキする従来のプロセスを、処理工程順に概略の
べる。

ｌ　脱脂処理・・・サブストレート材表面の油脂、ゴミ
、その他の異物の除去を目的 として、非ｇ蝕性の浴を用いる。

２　エツチング処理・・・ジンケート処理が均一になさ
れるように、サブストレート 材表面の自然酸化皮膜を除去する。

３　活性化処理・・・エツチング工程で生じたスマット
を除去し、ジンケート処理時 の置換反応を均一化する目的で行 なう。

４　ジンケート処理・・・サブストレート材の表面を溶
出さ廿、Ｚｎをサブストレート 材表面に置換析出させる。

５　酸洗処理用４の工程で析出したＺｎ置換メッキ膜を
完全に溶解除去し、サブス トレート材の表面電位を責な方向 に下げ、次工程のジンケート処理 でＺｎの薄くて均一な置換皮膜が得 られるようにする。

６　ジンケート処理・・・再度サブストレート材表面を
溶出させ、Ｚｎを置換析出させ る。

７　無電解メッキ（Ｎｉ−Ｐ）・・・Ｚｎが一部メツキ
浴中に溶出すると同時にＮｉイオン が還元析出し、初期のＮ１−Ｐメッ キ層が形成される。析出したＮｉ　− Ｐが以後は自己触媒として作用し、 還元剤の次亜リン酸ソーダの働き で、次々にＮ１−Ｐを還元析出させ、 皮膜を生長させていく。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記したように、アンダーコート皮膜に無電解メッキ皮
膜を用いる場合には、ジンケート法によるＺｎ置換メッ
キ皮膜は必須の構成となるのであるが、このＺｎ置換皮
膜を用いた場合には、製造上の観点を含めて次のような
問題がある。

１、サブストレート材表面にジンケート処理し、Ｚｎを
置換析出させたのち、無電解メッキ（たとえばＮ１−Ｐ
メッキ）処理した被処理材の構造は、Ａ　ｌ　−Ｚｎ　
−（Ｎｉ　−Ｐ　）といった異種金属が三層構造を成し
て存在しているため、経時的にガルバニック腐蝕が進行
し易く、磁気記録媒体としての耐久信鯨性に問題を残し
ている。

２、表面を精度よく仕上げられたサブストレート材表面
が、メッキ前処理工程中で粗面となってしまい、そのた
め無電解メッキ後のメッキ表面も、粗面化した面しか得
られないという問題がある。

即ち、エツチング工程では不均一な自然酸化皮膜を除去
するのが目的であるが、この処理では自然酸化皮膜の除
去に止まらず、サブストレート材表面のＡ１素材が溶解
されるのは避けられないため、サブストレート材表面が
粗面化してしまう一つの原因となっている。

他のもう一つの原因は、ジンケート処理にある。

ジンケート処理は、Ａｌのサブストレート材表面にＺｎ
を置換析出させる、いわゆる置換メッキ法である。ジン
ケート処理浴中でＡ１表面を溶解させると、溶解したＡ
ｌに代わって電気化学的にＺｎが置換析出することを利
用しているため、Ａｌの溶解即ち、サブストレート材表
面がエツチングされることは避は得ないのである。しか
も１回のジンケート処理では、均一なＺｎ置換層が得ら
れないことや、無電解メッキの密着性を向上させるため
にも、２回以上繰り返してジンケート処理しなければな
らない。このとき、Ｚｎ置換層を熔解除去する酸洗工程
でも、Ｚｎの溶解のみに止まらず、サブストレート材表
面が溶解してしまう。サブストレート材表面は、これら
の前処理工程中で粗面化が進んでいくことになる。表面
粗度Ｒｍａｘ０．１μ以下に仕上げられたサブストレー
ト材で、上記のようにジンケート処理を２回繰り返して
行ない無電解メンキした表面は、Ｒｍａｘ２〜３μ以上
にもなる。

３、アンダーコート皮膜としてのメッキ皮膜にピンホー
ルやノジュール、ボイドといった致命的欠陥が出易い。

ＡＪは非常に活性な金属であり、純粋なＡ４表面は空気
中又は水中で、すぐに自然酸化皮膜を生成し安定化する
ことは、衆知の事実である。エツチング処理後から無電
解メッキが開始されるまでの各工程間では、被処理物の
空中移送時間や、各工程間の水洗時間、水質等を厳密に
管理しなければ、すぐにＡｌ、サブストレート表面に自
然酸化皮膜が生成する。この自然酸化皮膜が存在すると
、ジンケート処理が不均一となり、Ｚｎが置換析出しな
い箇所が発生し、無電解メッキ皮膜に欠陥が生じてしま
う。これらの管理は非常に難しく、歩留りを悪くしてい
る一因となっている。

又、各工程の水洗水の中に、Ｆｅイオンを始めとする金
属不純物イオンが存在すると、Ａｌサブストレート表面
に当該イオンが置換析出し、その後のＺｎの置換析出を
損害したり、無電解メッキの析出を不均一にするといっ
た好ましくない現象が出てくる。このため、イオン交換
水を使用することが必要になるのであるが、製造コスト
上大きな問題である。

以上、２）及び３）の製造上の理由からアンダーコート
皮膜としての無電解メッキ皮膜は、通常２５μ以上に厚
付けし、当該メッキ皮膜を次工程の２次研磨で１０μ以
上も研磨しないと、求める表面精度に仕上げることがで
きないという欠点があり、大きな労力を費している。

４、ジンケート処理したサブストレート材を無電解メッ
キ（たとえばＮ１−Ｐ）するに際して、次のような問題
がある。メッキ開始直後は、Ｚｎがメッキ浴中に？容出
すると同時に、Ｎｉイオンが還元析出し、初期のＮ１−
Ｐメッキ層が形成される。以後は析出したＮ１−Ｐメッ
キが自己触媒として作用し、還元剤である次亜リン酸ソ
ーダの働きで、次々にＮ＋イオンを還元析出させ、メッ
キ皮膜を生長させていく。初期段階ではＺｎがメッキ浴
中に溶出するということは避けられず、従ってメッキ処
理を重ねていくにつれてメッキ浴中にＺｎが徐々に蓄積
されていく。元来Ｚｎは、特にＮ１−Ｐ無電解メッキ浴
中では触媒毒として作用するため、Ｚｎの蓄積は好まし
くなく、浴寿命を縮めることになってしまうのである。

５　ジンケート処理浴中のＺｎは、公害規制の対象金属
である。Ｚｎの沈澱分離は、他の金属よりやや高ＰＨ域
で処理する必要があり、処理施設を新規に設けねばなら
ないといった問題があると同時に、ジンケート処理浴の
安定性にも問題を残している。

以上、従来の問題点をまとめると、従来のＡｌ−Ｚｎ−
無電解メッキ層の三層構造から成る耐蝕性の問題や、製
造上の問題から、無電解メッキのピンホールやノジュー
ル、ボイドといった欠陥の発生や、求める表面粗度に仕
上げるための困難さや、無電解メッキ浴の寿命が短かく
なるという諸々の問題等により、磁気記録材料の信顛性
や、高記録密度化、耐久性に今一つ問題があった。

〔問題を解決するための手段〕

本発明者らは、上記種々の問題点につき鋭意検討した結
果、本発明を完成したものであり、無電解メッキ前処理
として、ジンケート法によるＺｎ皮膜の利用に代わって
、次のようなアルマイト皮膜を用いた構成とすることに
よって、従来の問題点を解決したものである。即ち、Ａ
βを第一層とし、アルマイト皮膜と該アルマイト皮膜微
細孔中に任意量充填された金属触媒核から成る第二層と
、該アルマイト皮膜微細孔中に積層された無電解メッキ
金属層、又は微細孔中および該アルマイト皮膜表面に積
層された無電解メッキ金属から成る第三層から構成され
たことを特徴とするものである。

次に、その内容について述べる。

まず第一層としてのＡ／材は、アルマイト処理に通した
材質であれば何でも良いが、欠陥のないアルマイト皮膜
を得るためには、特に高純度のへ１材が良い。機械的強
度を高めるためＭｇを添加した材質や、結晶粒を微細化
させたアルマイト磁気ディスク用Ａｌ材が好ましく使用
できる。

次に、アルマイト処理によって得られたアルマイト皮膜
および該アルマイト皮膜の微細孔中に任意量充填された
、金属触媒核から成る層を第二層とする。

アルマイト皮膜の膜厚は、おおむね０．１〜２０μの範
囲が好ましい。０．１μ以下では、無電解メッキ皮膜の
密着性や、均一性に問題があり、２０μ以上では本発明
の効果は維持できるものの、製造コストが必要以上に上
昇し、不利になるためである。より好ましくは、０．５
μ〜１５μの範囲がよい。

第二層には、アルマイト皮膜と同時にアルマイト皮膜の
微細孔中に、任意量の触媒核が充填されている。この触
媒核の存在により、無電解メッキした場合、微細孔孔底
より連なった連続金属層が微細孔人口に向かって生長し
てゆき、ついには微細孔全体を埋め尽すに至る。さらに
無電解メッキをつづけると、析出した無電解メッキ皮膜
は微細孔より溢れ出し、ついにはアルマイト皮膜表面全
体を覆ってしまう。無電解メッキ後は２次研磨をし、表
面粗度ＲｍａｘＯ，０２μ以下の鏡面に加工されたのち
当該表面に磁性体皮膜が生成される。

２次研磨後には、第一層Ａｌサブストレート材、第二層
アルマイト皮膜と触媒核、第三層無電解メッキの各層が
第１図、第２図、第３図に模式的に図示した構成のうち
いづれでもよい。従って、無電解メッキ層の厚さのコン
トロールは、第１〜第３図のいづれかになるよう適宜選
択して条件を設定すればよい。

第１図の基板１は、第一層としてのＡｌ材ＩＡおよび第
二層のアルマイト皮膜ｌＢと触媒核ＩＣ１第三層として
の無電解メッキ層ＩＤから構成されたものであり、微細
孔内を無電解メッキで埋め尽くすに至らず、微細孔開孔
部近傍付近に無電解メッキ層ＩＤが存在しない例を、模
式的に表わしたものである。第２図の基板２は、無電解
メッキがアルマイト皮膜２Ｂの触媒核２Ｃの表面より微
細孔内を埋め尽くし、該無電解メッキ層２Ｄの最外部が
アルマイト皮膜２Ｂの表面層と同一面に位置する状態を
、模式的に表わしたものである。第３図の基板３は、無
電解メッキ層３Ｄがアルマイト皮膜３Ｂの触媒核３Ｃの
表面より積層されて微細孔より溢れ出し、アルマイト皮
膜３Ｂの表面全体を覆っている状態を、模式的に表現し
たものである。磁性体皮膜は、これら当該表面上に無電
解メッキ法、真空メッキ法、塗布法等で生成される。

第３図の場合、アルマイト皮膜３Ｂと無電解メッキ層３
Ｄとの密着性は非常によい。１８０度折り曲げテスト、
エリクセンテスト、ヒートサイクルテスト、熱衝撃テス
トの結果、全く異常は認められなかった。恐らく、極め
てアンカー効果が強いためと推察される。

触媒核として利用できる金属は、以下に述べる触媒核生
成方法により、触媒核となり得る金属であれば何でもよ
いが、好ましくは非磁性金属が良い。すなわち、触媒核
の量が極く微量の場合は、磁性体層への影響が小さいた
め、どの金属を用いてもよいが、触媒核の量が多い場合
には、その影響が大きいため、金属として非磁性体が好
ましいのである。さらに触媒核金属として、第三層の無
電解メッキ金属の種類に応じて適宜選択する必要がある
。

次に触媒核の生成方法について述べる。

１、いわゆる不導体上への湿式メッキ方法を利用する。

即ち、アルマイト処理した被処理物を、塩化第−錫一塩
酸水溶液中に浸漬し、塩化第一錫をアルマイト皮膜微細
孔中に吸着させ、ついで被処理物を塩化パラジウム−塩
酸水溶液又は硝酸銀水溶液などの貴金属塩水溶液中に浸
漬し、これらの貴金属塩を塩化第一錫の還元作用により
、当該貴金属塩を金属にまで還元し、触媒核とする方法
。

２、硝酸パラジウム又は硝酸銀といった貴金属塩水溶液
中に、アルマイト処理した被処理物を浸漬し、貴金属塩
をアルマイト皮膜微細孔中に吸着させる。ついで加熱や
他の手段を用いてこれらの塩を分解させ、貴金属塩を金
属にまで還元し、触媒核とする方法。

３、いわゆるアルマイト皮膜微細孔中への２次電解法を
用いて、金属を析出させる方法を利用する。

即ちアルマイト皮膜生成後、電気化学的にアルマイト皮
膜微細孔に触媒核となり得る金属を電析させる方法。

以上いづれの方法を用いてもよいが、特に（３）の方法
によって得られる触媒核が好ましい。この理由は、電気
化学的に電析させることにより、微細孔孔底即ちバリア
一層の上から金属が析出し、触媒核が生成されるため、
第三層である無電解メッキ金属と触媒核金属とが微細孔
中で連続して存在し、微細孔中に密に充填されて存在す
る。このため、アルマイト皮膜と無電解メッキ皮膜との
密着性が極めて良くなる他、より均一な無電解メッキ皮
膜が生長していくのである。

次にアルマイト皮膜の微細孔中あるいは微細孔中から連
続したアルマイト皮膜表面の無電解メッキ皮膜を第三層
とする。

無電解メッキ皮膜は磁気ディスク用アンダーコート皮膜
として、非磁性特性が優れていることや、精密研磨に通
した適度の硬度があることの他、欠陥のないメッキ皮膜
が得易いことなどが求められている。これらの諸条件を
満足する無電解メッキ皮膜が得られればいかなるメッキ
皮膜でもよいのであるやたとえばＳｎｓ　Ｚｎ、Ｃ１１
％　Ａｇｓ　Ｗ％　Ｍｎｓ　Ｉｎ５Ａｕ、　Ｎｉ、、Ｐ
ｂ、　Ｒｈｓ　Ｃｒｓ　Ｍｏ、　Ｐｄｓ　Ｐ％　Ｂ等の
うち一種又は二種以上を含む無電解メ・７キ皮膜が挙げ
られる。中でもＮｉ　−Ｐ、　Ｃｕ−Ｎｉ　−Ｐメッキ
皮膜が現在主に使用されている。アルマイト皮膜を利用
する本発明では、無電解メッキ浴のＰＨは弱アルカリ−
酸性域の範囲内で使用できるのがより好ましいのである
が、上記のＮｉ　−Ｐ、　Ｃｕ−Ｎｉ　−Ｐはこの点か
らも本発明に好ましく通用できる。

無電解メッキ皮膜の膜厚は、メッキ金属種や処理条件に
よって違ってはく゛るが、第３図に模式的に表現した２
次研磨後の状態に仕上げるために、無電解メッキ皮膜の
厚さはアルマイト皮膜表面から概ね５〜２０μ位でよい
。ジンケート法に比べて本発明による方法では、サブス
トレート材表面を傷めることが非常に少なく、無電解メ
ッキ仕上がりでも表面粗度に優れた状態が維持できるた
め、次工程での精密研磨に要する研磨化は、０．５〜１
０μが適当である。そのため、無電解メッキ厚さをアル
マイト皮膜表面から２０μ以上も厚くする必要はないの
である。

次に、この発明の磁気記録材料の基板表面に、従来技術
の項で述べたように磁性体層を載置させ、さらにその表
面には必要に応じて潤滑層や耐摩耗性層を！！置させて
、磁気記録材料とするものである。

次に、本発明の製造法について簡単に述べる。

まず、Ａｌ板材を打抜き加工してブランク材を作成し、
次にダイヤモンドターニングマシーンやポリッシングマ
シーン等で精密研磨し、サブストレート材を得る。

次に、サブストレート材を必要に応じて溶剤脱脂や非腐
蝕性浴中で脱脂を行ない、Ａｌ表面の油分や、ゴミ等の
付着物を除去する。その後、ＨＮＯ３水溶液中に浸漬し
、水洗後アルマイト処理を行なう。

アルマイト処理は、従来の方法を用いることができる。

アルマイト処理浴としては、硫酸に代表される無機酸浴
、シュウ酸に代表される有機酸浴、及びこれらの混酸浴
の他、アルカリ浴、リン酸塩を主成分とする処理浴や、
これら各種の処理浴に種々の添加剤を加えた浴等いづれ
も用いることができる。特に、磁性体皮膜生成にスパッ
タリング等の真空メッキ法を利用する場合には、クロム
酸浴から得られるクロム酸アルマイト皮膜が耐熱性に優
れており、好ましく利用できる。

アルマイト処理に於ける電解条件としては、各浴組成に
適合した条件を用いる必要があるが、従来の直流法、交
流法、交直重畳法、電流反転法、回復効果を利用した方
法等が利用でき、浴温、電流密度、浴電圧、攪拌状態等
は通常一般に行なわれているものでよい。

アルマイト皮膜の多孔率を上げることは、有効な手段で
あり、アルマイト皮膜生成後に、化学的に皮膜及び微細
孔内壁を溶解する方法や、アルマイト皮膜生成後にリン
酸の如き微細孔径を大きくする浴中で、さらに電解処理
する方法等で、微細孔径の拡大処理を行なってもよい。

この時、アルマイト皮膜微細孔中に触媒核を生成させる
方法として、電析法を利用する場合には、微細孔中に均
一に触媒核を電析させる目的で、触媒核の電析に先立ち
、微細孔孔底のバリア一層を均一化させる、いわゆる中
間処理を行なった方がよい。

次に、アルマイト皮膜微細孔中に無電解メッキの触媒核
を生成させる。生成させる方法は、既述した如く３つの
方法が挙げられ、特に（３）の電析による方法が好まし
いのである。

次に無電解メッキ法によりＮｒ　　Ｐｓ又はＣｕ−Ｎ１
−Ｐ等の皮膜を、アルマイト皮膜の微細孔中、あるいは
微細孔中とアルマイト皮膜の表面に被覆させて、２次研
磨を行い、磁気記録材料の基板とする。

〔作用〕

以上のように、本発明はＡｌ又はＡ１合金のサブストレ
ート材を第一層とし、アルマイト皮膜およびアルマイト
皮膜微細孔中に充填された触媒核を第二層、ついで無電
解メッキ皮膜を第三層とすることにより、従来のジンケ
ート法に比べ、著しく表面粗度の優れた無電解メッキ面
となると同時に、非常に密着性のよい、ピンホールやノ
ジュール、ボイドといった欠陥のない、信頼性の高いＡ
ｌ磁気ディスク用アンダーコート皮膜となるのである。

〔実施例〕

実施例　１ 純度９９．９９％以上のＡＡ板材から作られた５　’／
、　〃磁気ディスク用サブストレート材を使い、溶剤脱
脂をしたのち非腐蝕性脱脂浴中で表面の油分、ゴミ等の
除去を行ない前処理としたのち、下記条件で、３μ厚の
アルマイト皮膜を生成させた。

浴組成口硫酸　１５０ｇ／／ 二金属Ａ１分として　１ｇ／ｌ 常法により、アルマイト皮膜微細孔径の拡大処理を行な
い、引き続きバリア一層を均一化させるための中間処理
を行なった。次に、下記条件にてアルマイト皮膜微細孔
中に非磁性金属であるＡｇを電析させ、無電解メッキの
触媒核を生成させた。

１分電解 ついで、下記条件でＮ１−Ｐ無電解メッキを行なったと
ころ、アルマイト皮膜微細孔よりメッキ金属が溢れ出し
、メッキ皮膜はアルマイト表面上１０μの厚さに達した
。

１５０ｃｃ／ｊ！（奥野製薬工業製） 次に、スピードファム■製両面ポリッシングマシーンを
使い、Ｎ１−Ｐ無電解メッキ皮膜をアルマイト皮膜表面
から５μ残して２次研磨処理し、精密洗浄したところ、
Ａｌサブストレート材を第一層とし、３μ厚のアルマイ
ト皮膜とアルマイト皮膜微細孔中に電析して生成した触
媒核のＡｇ層とから成る第二層と、アルマイト皮膜微細
孔中の触媒核Ａｇ上からアルマイト皮膜表面上に、５μ
厚の無電解Ｎ１−Ｐメッキ層の第三層とから構成された
磁気記録材料の基板が得られた。

実施例　２ 実施例１と同村のサブストレート材を使い、同様の前処
理をしたのち次の条件で８μ厚のアルマイト皮膜を生成
させた。

ついでバリア一層を均一化させるための中間処理を施し
た。次に、下記条件でアルマイト皮膜微細孔中に非磁性
金属であるＰｄを電析させ、無電解メッキの触媒核を生
成させた。

１２Ｖ　１分 次に、下記条件にてＮ１−Ｐ無電解メッキを行なったと
ころ、アルマイト皮膜微細孔より溢れ出たメッキ金属は
、アルマイト皮膜表面上およそ１μの厚さに達した。

２００ｃｃｌｌ■ジヤパンメタルフイニシング製 次に、スピードファム■製両面ポリッシングマシーンを
使い、アルマイト皮膜表面上の１μ厚の無電解メッキ皮
膜を研磨除去し、アルマイト皮膜厚みが６μになるまで
さらに２次研磨を続行した。

その後精密洗浄したところ、Ａβサブストレートを第一
層とし、６μ厚のアルマイト皮膜とアルマイト皮膜微細
孔中に電析して生成した触媒核のＰｄ層とから成る第二
層と、アルマイト皮膜微細孔中の触媒核Ｐｄ上から、ア
ルマイト皮膜表面に達する無電解Ｎ１−Ｐメッキ層の第
三層とから構成された、磁気記録材料の基板が得られた
。

実施例　３ 実施例１と同材のサブストレート材を使い、同様の前処
理をしたのち、次の条件で１０μ厚のアルマイト皮膜を
生成させた。

ついで常法により、アルマイト皮膜微細孔径の拡大処理
を行なった後、バリア一層を均一化させるための中間処
理を施した。次に、下記条件で微細孔中に非磁性金属で
あるＡｇ−Ｃｕ合金を電析させ、無電解メッキの触媒核
を生成させた。

電解時間　４分 次に、下記条件にてＮ１−Ｐメッキを行なったところ、
アルマイト皮膜微細孔よりメッキ金属が溢れ出すまでに
は至らなかった。

１５０ｃｃ／ｊ２（奥野製薬工業製） 次に、スピードファム■製両面ポリッシングマシーンを
使い、アルマイト皮膜が８μになるまで２次研磨を行な
った。その後精密洗浄したところ、へ２サブストレート
を第一層とし、８μ厚のアルマイト皮膜と、アルマイト
皮膜微細孔中に電析Ｌ７て生成した触媒核のＣｕ　−Ａ
ｇ層とから成る第二層と、アルマイト皮膜微細孔中の触
媒核Ｃｕ−Ａｇ上から、アルマイト皮膜表面近傍にまで
達する無電解Ｎｉ　−Ｐメッキ層とから構成された磁気
記録材料の基板が得られた。

〔発明の効果〕 以上のような構成で得られたＡｌ製磁気記録材料の基板
は、従来のジンケート法で得られるＡｌ−Ｚｎ−無電解
メッキ（Ｎｉ−Ｐ）の三層構造を成して構成されたもの
に比較し、製造上の観点を含めて次のような作用効果が
あり、工業上非常に有益である。

■）ジンケート法で得られる、Ａｌ−７，ｎ−無電解メ
ツキＮ１−Ｐの異種金属が直接接し、三層構造を成して
構成されたものに比べ、本発明で構成されたものはガル
バニック腐蝕を起し難く、磁気記録材料の基板としての
信頼性に優れている。即ち、本発明で構成された第一層
のＡｌと、第二層の触媒核−第三層無電解メッキ金属は
、アルマイト皮膜のバリア一層を介して存在しており、
又触媒核と無電解メッキ金属は、アルマイト皮膜微細孔
中で接していることになり、ガルバニック腐蝕は起り難
いのである。

２）サブストレート表面の粗度を著しく悪化させること
がないため、無電解メッキ後のメッキ皮膜や、アルマイ
ト皮膜表面の表面粗度が優れたものとなる。

３）ピンホールやボイド、ノジュールといった欠陥が出
難いため、磁気記録材料の基板として信頼性の優れたも
のが得られる。アルマイト処理では、ＡＮ表面に自然酸
化皮膜が存在しても、そこが欠陥になることはなく、又
水洗工程を含む各処理浴中に、Ｆｅを始めとする不純物
が多少存在したとしても、これらが置換析出することも
ない。このため製造時の取扱いも楽となり、使用する水
質も上水で充分である。このため従来法に比べ、著しく
信頼性が向上できる。

４）第３図に模式的に表現したように、アルマイト皮膜
表面上を無電解メッキ皮膜で覆ったときのメッキ皮膜と
、アルマイト皮膜との密着は強固であり、バラつきのな
い生産ができる。

５）無電解メッキ浴中に異種金属、特に触媒毒となるよ
うなＺｎ等の金属が溶出することがなく、メッキ浴の管
理が容易となり、信頼性が向上すると同時にメッキ浴の
長寿命化が実現できる。

６）上記２．３．４．５の理由から、次のようなことが
いえる。

６−１　無電解メッキ後の表面粗度がよいため、２次研
磨代を減少させることができる。

６−２　無電解メッキ皮膜を薄くすることができる。

６−３　総合歩留りが大幅に向上し、コストダウンが実
現できる。

６−４　品質上の信頼性が著しく向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の基板の構造を示す縦断面図であり、
微細孔内に無電解メッキ皮膜が充填された構造を示す。 第２図は、微細孔内に充填された無電解メッキ皮膜の上
面が、アルマイト皮膜の表面と同一面である基板の縦断
面図。 第３図は、アルマイト皮膜表面を無電解メッキ皮膜が被
覆した構造を有する、基板の縦断面図。 ■・２・３・・・基板 ＩＡ・・・Ａｌ材 １Ｂ、２Ｂ、３Ｂ・・・アルマイト皮膜ＩＣ１２Ｃ１３
Ｃ・・・触媒核 ■Ｄ、２Ｄ、３Ｄ・・・無電解メッキ層特許出願人　　
パイロン］・プレシジョン株式会社株式会社メタレック
ス

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　Ａｌ又はＡｌ合金を第一層とし、このＡｌ又はＡｌ
   合金を陽極酸化処理して得られた陽極酸化皮膜および該
   陽極酸化皮膜の微細孔中に、任意量充填された金属触媒
   核から成る第二層と、該陽極酸化皮膜の微細孔中に積層
   された無電解メッキ金属層、又は微細孔中および陽極酸
   化皮膜表面に積層された無電解メッキ金属層から成る第
   三層とで構成されたＡｌ製磁気記録材料の基板。 ２　陽極酸化皮膜の膜厚が０．１〜２０μの範囲である
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のＡｌ製磁
   気記録材料の基板。 ３　金属触媒核が非磁性金属であることを特徴とする特
   許請求の範囲第１項記載のＡｌ製磁気記録材料の基板。