TWI484308B - 微影系統、微影遮罩、及微影方法 - Google Patents

微影系統、微影遮罩、及微影方法 Download PDF

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Description

微影系統、微影遮罩、及微影方法
本揭露書是有關於微影製程，且特別是有關於微影遮罩、系統、及微影方法。
在半導體製程中，通常使用多重的微影步驟以形成半導體晶片。這些步驟一般包括在將要被形成為半導體晶片之基底上形成光阻，使光阻曝光於大致由遮罩所控制之光線圖案下，於光阻中顯影該圖案而露出下方之基底，以及於下方之基底中蝕刻該圖案。下方之基底中所蝕刻之圖案可為一些結構的形成基礎，例如為了摻雜例如源極及汲極區之離子佈植、類似閘極圖案之結構的形成、或例如是金屬化圖案中之導電材料的圖案。
半導體製程之進展已使半導體晶片之最小特徵尺寸(minimum feature size)得以持續縮小。然而，每一個尺寸上之縮小一般伴隨著各自的挑戰。隨著最小特徵尺寸的縮小，重疊問題(overlay concern)一般更為嚴重。最小特徵尺寸之縮減允許於給定之區域中形成更高密度之結構，其亦增加不適當重疊結構的可能性，可使晶片失效。
為了幫助避免結構之不適當重疊，結構之關鍵尺寸(critical dimensions)一般需準確。如果結構之尺寸僅稍微大 於對應的關鍵尺寸，該結構可與其他結構重疊。因此，形成具有與所設計之尺寸相同的準確尺寸之結構是有助益的。
如先前所提，微影步驟一般用以形成這些結構，而微影步驟之源頭為遮罩。如果遮罩無法於光阻中準確地形成圖案，後續所形成之結構可能無法符合關鍵尺寸需求(critical dimension requirement)。遮罩無法準確地形成圖案之一原因可能在於光線之源頭無法適當地朝向遮罩。這可於將圖案化之光阻上造成遮蔽效應(shadowing effect)。再者，與遮罩共同使用之投射透鏡可與多個遮罩使用多次。投射透鏡之大量使用可使投射透鏡經歷過量的熱。過量的熱可改變投射透鏡之物理性質，導致光阻中之不準確圖案。
本發明一實施例提供一種系統，包括：一第一輻射源；以及一第一微影遮罩，包括一第一非平面反射表面，該第一微影遮罩係配置以藉由該第一非平面反射表面將來自該第一輻射源之輻射反射成一第一輻射圖案至一基底。
本發明一實施例提供一種微影遮罩，包括：一透明基底，包括一彎曲表面；一反射材料，鄰接該透明基底之該彎曲表面，該反射材料與該透明基底之間的一界面為一反射表面；以及一光罩圖案，位於該透明基底之一第二表面上，該光罩圖案之反射率小於該反射材料之反射率。
本發明一實施例提供一種微影方法，包括：自一第一輻射源投射第一輻射；使用一第一微影遮罩將該第一輻射反射成一第一圖案，該第一微影遮罩包括一第一彎曲反射表 面，該第一彎曲反射表面具有一單一聚焦點且包括一第一光罩圖案；以及將該第一輻射之該第一圖案照射於一基底之一區域上。
10‧‧‧非平面遮罩
12‧‧‧反射基底
14‧‧‧光罩圖案
16‧‧‧光學輻射
18‧‧‧光學輻射圖案
20‧‧‧晶圓
22‧‧‧晶粒區
24‧‧‧步進機
30‧‧‧非平面遮罩
32‧‧‧反射基底
34‧‧‧光罩圖案
36‧‧‧非平面遮罩
38‧‧‧反射基底
40‧‧‧光罩圖案
42‧‧‧非平面遮罩
44‧‧‧反射基底
46‧‧‧光罩圖案
50、52、54‧‧‧光學輻射
56‧‧‧光學輻射圖案
60‧‧‧非平面遮罩
62‧‧‧反射基底
64‧‧‧光罩圖案
66‧‧‧非平面遮罩
68‧‧‧反射基底
70‧‧‧光罩圖案
72‧‧‧光學輻射
74‧‧‧光學輻射圖案
76‧‧‧光學輻射
78‧‧‧光學輻射圖案
80‧‧‧透明基底
82‧‧‧反射材料
84‧‧‧處理基底
86‧‧‧環氧樹脂
88‧‧‧處理基底
90‧‧‧環氧樹脂
92、94‧‧‧光阻
96‧‧‧光罩圖案
第1圖顯示根據一實施例之使用於微影製程的非平面遮罩及系統。
第2圖顯示根據另一實施例之使用於微影製程的多重非平面遮罩及系統。
第3圖顯示根據又一實施例之使用於微影製程的具有多重光源之多重非平面遮罩及系統。
第4-9圖顯示根據一實施例之範例方法形成非平面遮罩。
以下將詳細說明本發明實施例之製作與使用方式。然應注意的是，本揭露書提供許多可供應用的發明概念，其可以多種特定型式實施。文中所舉例討論之特定實施例僅為製造與使用本發明之特定方式，非用以限制本發明之範圍。此外，本揭露書可能於許多實施例重複使用標號及/或文字。此重複僅為了簡化與清楚化，不代表所討論之不同實施例之間必然有關聯。再者，當述及一第一材料層位於一第二材料層上或之上時，包括第一材料層與第二材料層直接接觸或間隔有一或更多其他材料層之情形。為了簡單與清楚化，許多結構可能會繪成不同的尺寸。
實施例將以稱作非平面二元微影遮罩(non-planar binary masks for photolithography)為特定例子作說明。然而，其他實施例亦可應用其他遮罩，例如相位移遮罩(phase shift mask)或其相似物。再者，雖然實施例揭示特定的製程步驟順序，但所揭示之製程步驟可以任何符合邏輯之順序進行。
第1圖顯示根據一實施例之微影製程中的非平面遮罩(non-planar mask)10及系統。非平面遮罩10包括反射基底12(例如，包括反射表面之基底)及光罩圖案(reticle pattern)14。在此實施例中，反射基底12具有彎曲反射表面(curved reflective surface)，例如具有單一聚焦點(focal point)之凹面表面(concave surface)。光罩圖案14係位於反射基底12之凹面表面上，其可為或可不為彎曲反射表面。在其他實施例中，光罩圖案14可於反射基底12之平坦表面或其他表面之上。其他用於微影製程中及/或系統中之元件包括光學源(optical source，未特別標示)、晶圓20、及具有步進機(stepper)24之晶圓支撐(wafer holder)。晶圓20包括晶粒區(die areas)，且具有光阻形成於其上以使用非平面遮罩10而圖案化。
在一實施例中，光學源提供光學輻射16，用以將晶圓20上之光阻圖案化。非平面遮罩10係設置在由光學源所產生之光學輻射16的光學路徑中。光學輻射16在照射晶粒區22上之光阻之前，受到非平面遮罩10之反射基底12的反射。如所示，由於光學輻射16由反射基底12反射，其因而聚焦而產生縮小尺寸之光學輻射圖案18，其入射於具有步進機24之晶圓支撐上之晶圓20上的晶粒區22之上。
在此實施例中，非平面遮罩10為二元遮罩(binary mask)。一些光學輻射16入射於反射基底12之反射表面上。光學輻射16之其他部分入射於光罩圖案14上。光學輻射16之入射於光罩圖案14上的部分一般不被足夠地朝晶圓20反射而不足以曝光光阻，而入射於反射表面上之部分被朝晶圓20之晶粒區22反射而成為光學輻射圖案18。穿過光罩圖案14而反射之光學輻射圖案18定義光阻中將產生之圖案。
如第1圖所述，光學輻射圖案18係入射於晶粒區22之上。在實施例中，晶圓20係步進的，使得每一晶粒區在後續的相應步驟中，具有入射於相應晶粒區中之光阻上的光學圖案。具有步進機24之適當的晶圓支撐可用以於每一道曝光中步進晶圓20。
光學圖案通常對給定的晶粒區定義形成於光阻中之圖案。例如，如果光阻為正型光阻，光阻之受到光學輻射圖案18所入射之部分(例如，露出的部分)，一般會變成可溶的而通常會被移除。因此，在微影製程中，曝光製程一般定義光阻不存在之區域，以利後續蝕刻製程之進行。在另一例中，如果光阻為負型光阻，光阻之曝露於光學輻射圖案18的部分一般會變成不可溶的而通常不會在後續製程步驟中移除。因此，在微影製程中，曝光製程一般定義光阻存在之區域，以利後續蝕刻製程之進行。
不同結構之反射基底12可於不同的實施例中採用。例如，在一實施例中，反射基底12可包括透明基底，其具有反射材料塗佈於表面。反射基底可為彎月形(meniscus type)透鏡，例如具有均勻厚度之透鏡。反射材料可塗佈於透明基底 之凸面表面上，使得反射材料與透明基底之間的界面為反射凹面表面。光罩圖案14可於透明基底之凹面表面上。在另一實施例中，反射基底12可包括任何具有凹面表面之基底，且基底之凹面表面上塗佈有反射材料。光罩圖案14可於反射材料上，使得反射材料係設置於光罩圖案14與基底之間。在另一實施例中，反射基底12實質上包括具有凹面表面之反射材料，其上形成有光罩圖案14。在實施例中，使用了透明基底，光學輻射(例如，光學輻射16)可穿透透明基底，透明基底可為任何形式之透鏡，且可使光學輻射(例如，光學輻射16及/或光學輻射圖案18)產生某程度之折射。
本領域具有通常知識者當可明瞭，可對第1圖所述之元件進行變化，其係在各種實施例的涵蓋範圍之內。投射透鏡可在或可不在系統中，例如設置於非平面遮罩10與光學源之間的的光學輻射16路徑上，及/或設置於非平面遮罩10與晶圓20之間的光學輻射圖案18的路徑上。例如，若光學輻射圖案18之尺寸在無投射透鏡之情形下是足夠，可省去投射透鏡。在其他實施例中，可使用各種曲率半徑(radii of curvatures)之反射表面，且可於元件之間採用不同的間距與排列方式。不同的半徑、距離、及排列可影響光學圖案之聚焦程度及尺寸縮小程度。再者，可使用不同的材料。對於特定應用而言，本領域具有通常知識者可在不過度實驗的情形下，界定出適合的曲率半徑、排列方式、元件間之距離、及材料。
第2圖顯示根據另一實施例之用於微影製程中的多重非平面遮罩30、36、及42及系統。每一非平面遮罩30、36、 及42包括各自的反射基底32、38、及44及各自的光罩圖案34、40、及46。如第2圖所示，反射基底32、38、及44各自具有彎曲反射表面(curved reflective surface)，例如具有單一聚焦點(single focus point)之凹面表面。光罩圖案34、40、及46分別位於反射基底32、38、及44之凹面表面上，其可為或可不為彎曲反射表面。在其他實施例中，光罩圖案34、40、及46可分別位於反射基底32、38、及44之平坦或其他表面上。其他用於微影製程中及/或系統中之元件包括光學源(未特別標示)、晶圓20、及具有步進機24之晶圓支撐(wafer holder)。晶圓20包括晶粒區(die areas)，且具有光阻形成於其上以使用非平面遮罩30而圖案化。
多重非平面遮罩30、36、及42係配置以將光學輻射導向晶粒區22。來自光學源之光學輻射50被導向第一非平面遮罩30，其反射並聚焦出光學輻射52。光學輻射52被導向第二非平面遮罩36，其反射並聚焦出光學輻射54。光學輻射54被導向第三非平面遮罩42，其反射並聚焦出光學輻射圖案56。光學輻射圖案56入射於晶圓20上之晶粒區22的光阻上。
在此實施例中，非平面遮罩30、36、及42分別為二元遮罩(binary mask)。光罩圖案34、40、及46彼此對應以產生光學輻射圖案56。每一光罩圖案34、40、及46可具有相似的圖案，可能考慮於遮罩之間可能發生的光學訊號反轉。在其他實施例中，光罩圖案34、40、及46可不需彼此對應，且每一光罩圖案34、40、及46可提供其他光罩圖案34、40、或46所沒有提供之附加圖案。在其他實施例中，反射表面可位於無光罩圖 案的光學路徑中。
在第2圖之實施例中，一些光學輻射50入射於反射基底32之反射表面上。光學輻射50之其他部分入射於光罩圖案34之上。光學輻射50之入射於光罩圖案34上的部分一般不朝第二非平面遮罩36反射，而入射於反射表面之部分係以聚焦光學輻射52的形式朝第二非平面遮罩36反射。相似地，一些光學輻射52入射於反射基底38之反射表面上。光學輻射52之其他部分可入射於光罩圖案40之上。光學輻射52之可能入射於光罩圖案40上的部分一般不朝第三非平面遮罩42反射，而入射於反射表面之部分係以聚焦光學輻射54的形式朝第三非平面遮罩42反射。進一步地，一些光學輻射54入射於反射基底44之反射表面上。光學輻射54之其他部分可入射於光罩圖案46之上。光學輻射54之可能入射於光罩圖案46上的部分一般不充分地朝晶圓20反射而不足以曝光光阻，而入射於反射表面之部分係以光學輻射圖案56的形式朝晶圓20之晶粒區22反射。光學輻射圖案56定義出將於光阻中產生之圖案。
如第2圖所述，光學輻射圖案56係入射於晶粒區22之上。在實施例中，晶圓20係步進的，使得每一晶粒區在後續的相應步驟中，具有入射於相應晶粒區中之光阻上的光學圖案。具有步進機24之適當的晶圓支撐可用以於每一道曝光中步進晶圓20。
本技術領域具通常知識者當可明瞭，可在不同實施例中對第2圖之系統進行修飾。先前在第1圖中所討論對反射基底12進行之修飾範例亦可套用於第2圖中之反射基底32、 38、及44。在系統中可有或可沒有投射透鏡，其例如設置於光學輻射之任一路徑中。可使用附加的或更少的反射基底。再者，可於元件之間採用不同的距離及排列方式。不同的半徑、間距、及排列方式可影響光學圖案之聚焦程度。對於特定應用而言，本領域具有通常知識者可在不過度實驗的情形下，界定出適合的曲率半徑、排列方式、元件間之距離、及材料。
第3圖顯示根據又一實施例之用於微影製程中的具有多重光學源(未特別繪示)的多重非平面遮罩60及66及系統。每一非平面遮罩60及66包括各自的反射基底62及68與各自的光罩圖案64及70。如第3圖所示，反射基底62及68皆各自具有彎曲反射表面，例如具有單一聚焦點之凹面表面。光罩圖案64及70分別位於各自的反射基底62及68之凹面表面上，其可為或可不為彎曲反射表面。在其他實施例中，光罩圖案64及70可位於反射基底62及68之平坦或其他表面上。其他用於微影製程中及/或系統中之元件包括第一及第二光學源(未特別標示)、晶圓20、及具有步進機24之晶圓支撐(wafer holder)。晶圓20包括晶粒區(die areas)，且具有光阻形成於其上以使用非平面遮罩60及66而圖案化。
每一多重非平面遮罩60及66係經配置以將不同的光學輻射導向晶粒區22。來自第一光學源之光學輻射72被朝第一非平面遮罩60導引，其反射並聚焦成尺寸縮小之光學輻射圖案74。來自第二光學源之光學輻射76被朝第二非平面遮罩66導引，其反射並聚焦成尺寸縮小之光學輻射圖案78。光學輻射圖案74及78入射於晶圓20上之晶粒區的光阻上。
在此實施例中，非平面遮罩60及66皆為二元遮罩。每一光罩圖案64及70可具有相同或相似的圖案。在其他實施例中，光罩圖案64及70可不需彼此對應，但每一光罩圖案64或70可提供其他光罩圖案64或70所沒有提供之附加圖案。
在第3圖之實施例中，來自第一光學源之一些光學輻射72入射於反射基底62之反射表面上。光學輻射72之其他部分入射於光罩圖案64之上。光學輻射72之入射於光罩圖案64上的部分一般不被充分地朝晶圓20反射而不足以曝光光阻，而入射於反射表面之部分係以縮小尺寸之光學輻射圖案74的形式朝晶圓20上之晶粒區22反射。相似地，來自第二光學源之一些光學輻射76入射於反射基底68之反射表面上。光學輻射76之其他部分入射於光罩圖案70之上。光學輻射76之入射於光罩圖案70上的部分一般不被充分地朝晶圓20反射而不足以曝光光阻，而入射於反射表面之部分係以縮小尺寸之光學輻射圖案78的形式朝晶圓20上之晶粒區22反射。光學輻射圖案74及78定義出將於光阻中所產生之圖案。使多重光學輻射圖案入射於光阻上可減輕遮蔽效應(shadowing effect)，其中遮蔽效應可能會於單一光學輻射圖案入射光阻時存在。
如第3圖所述，光學輻射圖案74及78係入射於晶粒區22之上。在實施例中，晶圓20係步進的，使得每一晶粒區在後續的相應步驟中，具有入射於相應晶粒區中之光阻上的光學圖案。具有步進機24之適當的晶圓支撐可用以於每一道曝光中步進晶圓20。
本技術領域具通常知識者當可明瞭，可在不同實 施例中對第3圖之系統進行修飾。先前在第1圖中所討論對反射基底12進行之修飾範例亦可套用於第3圖中之反射基底62及68。在系統中可有或可沒有投射透鏡，其例如設置於光學輻射之任一路徑中。可使用附加的或更少的反射基底。再者，可於元件之間採用不同的距離及排列方式。不同的半徑、間距、及排列方式可影響光學圖案之聚焦程度。對於特定應用而言，本領域具有通常知識者可在不過度實驗的情形下，界定出適合的曲率半徑、排列方式、元件間之距離、及材料。
第4-9圖顯示根據一實施例之一範例方法以形成非平面遮罩。在第4圖中，提供非平面透明基底80。在此範例方法中以彎月形之基底(meniscus type substrate)作敘述，雖然亦可使用其他透明形式基底。在此例中，透明基底80為玻璃，而在其他實施例中，透明基底80可為石英、矽硼玻璃(borosilicate)、密拉(mylar，聚酯薄膜，商標名)、鈉鈣玻璃(soda-lime glass)、或其相似物。
可使用例如環氧樹脂86將透明基底80黏著至第一處理基底(handle substrate)84以容易化透明基底80之處理。透明基底80之凹面表面係黏著至環氧樹脂86，而使透明基底80之凸面表面露出。於透明基底80之凸面表面上塗佈反射材料82。反射材料82可例如藉由於透明基底80上塗佈二氯化錫(tin(II)chloride)、銀或鋁、化學活化劑(chemical activator)、銅、及塗料(paint)而形成。亦可使用其他的反射材料。反射材料82使用可接受的塗佈技術而形成。反射材料82於反射材料82與透明基底80之間的界面處具有彎曲的反射表面(例如凹面反射表面)。
在第5圖中，使用例如環氧樹脂90而將透明基底80及反射材料82黏著至第二處理基底88以簡化透明基底80之處理。反射材料82之凸面表面黏著至環氧樹脂90。透明基底80之凸面表面係鄰近環氧樹脂90而設置，而透明基底80之凹面表面係遠離環氧樹脂90，且於移除第一處理基底84及環氧樹脂86後露出。
在第6圖中，於透明基底80之凹面表面上形成光阻92。光阻92係使用例如旋轉塗佈製程而塗佈。光阻92可為任何可接受之光阻材料。在第7圖中，將光阻92圖案化以形成圖案化光阻94。光阻92係使用雷射曝光而圖案化。其他實施例採用其他可接受的曝光技術，例如電子束曝光(e-beam exposure)。光阻92經烘烤與顯影而形成圖案化光阻94。後續將可明白圖案化光阻94為所完成之光罩圖案的反相圖案(inverse pattern)。
在第8圖中，在圖案化光阻94之開口中之透明基底80的凹面表面上形成光罩圖案96。光罩圖案96為具有反射率(reflectivity)低於反射材料82之反射率的材料。在此實施例中，光罩圖案96包括銀乳膠(silver emulsion)、鉻(chromium)、氧化鐵、鋁、其相似物、或前述之組合。光罩圖案96例如係使用熱蒸鍍(thermal evaporation)而沉積。亦可使用其他沉積製程。在第9圖中，例如藉由可接受的灰化製程(ashing process)移除圖案化光阻94。可接著將所形成之非平面遮罩自第二處理基底88及環氧樹脂90移下，並可用於例如是第1-3圖所示的微影系統之中。
實施例可實現許多優點。在微影製程中使用非平 面遮罩可縮小晶圓表面上之光阻的圖案尺寸。藉著採用彎曲反射表面，可更容易地控制光學圖案之聚焦。再者，非平面遮罩可排除投射透鏡之需求。在已知的製程中，投射透鏡可能會在不同的光阻圖案化步驟期間而持續使用並過度加熱。在一實施例中，特定遮罩可僅用於一個圖案化步驟，其可允許遮罩不會過度加熱，並可於其他圖案化步驟期間冷卻。如此可避免圖案化製程中的一些不規則，其可隨著投射透鏡之熱膨脹發生而影響光線之折射與聚焦。
一第一實施例為一種系統，包括：一第一輻射源；以及一第一微影遮罩。該第一微影遮罩包括一第一非平面反射表面。該第一微影遮罩係配置以藉由該第一非平面反射表面將來自該第一輻射源之輻射反射成一第一輻射圖案至一基底。
另一實施例為一種微影遮罩，包括：一透明基底、一反射材料、及一光罩圖案。該透明基底包括一彎曲表面。該反射材料鄰接該透明基底之該彎曲表面，且該反射材料與該透明基底之間的一界面為一反射表面。該光罩圖案，位於該透明基底之一第二表面上。該光罩圖案之反射率小於該反射材料之反射率。
又一實施例為一種微影方法。方法包括：自一第一輻射源投射第一輻射；使用一第一微影遮罩將該第一輻射反射成一第一圖案，該第一微影遮罩包括一第一彎曲反射表面，該第一彎曲反射表面具有一單一聚焦點且包括一第一光罩圖案；以及將該第一輻射之該第一圖案照射於一基底之一區域上。
又另一實施例為一種微影遮罩的形成方法。方法包括提供具有一彎曲表面的一透明基底；鄰接該透明基底之該彎曲表面形成一反射材料；以及於該透明基底之一表面上形成一光罩圖案，該光罩圖案包括一材料，該材料之反射率小於該反射材料之反射率。
雖然本發明已以數個較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作任意之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10‧‧‧非平面遮罩
12‧‧‧反射基底
14‧‧‧光罩圖案
16‧‧‧光學輻射
18‧‧‧光學輻射圖案
20‧‧‧晶圓
22‧‧‧晶粒區
24‧‧‧步進機

Claims (8)

  1. 一種微影系統，包括：一第一輻射源；以及一第一微影遮罩，包括一第一非平面反射表面，該第一微影遮罩係配置以藉由該第一非平面反射表面將來自該第一輻射源之輻射反射成一第一輻射圖案至一基底，其中該第一非平面反射表面具有一單一聚焦點，及其中該第一微影遮罩包括一光罩圖案，對應於該第一輻射圖案。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之微影系統，其中該第一微影遮罩包括：一透明基底，具有一凸面表面；一反射材料，位於該透明基底之該凸面表面上，該透明基底之該凸面表面與該反射材料之間的一界面為該第一非平面反射表面；以及一光罩圖案，位於該透明基底之一第二表面上。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之微影系統，更包括一第二微影遮罩，包括一第二非平面反射表面，該第二微影遮罩係配置以將來自該第一輻射源之輻射反射至該第一微影遮罩，而該第一微影遮罩係配置以將該輻射反射成該第一輻射圖案至該基底。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之微影系統，更包括：一第二輻射源；以及一第二微影遮罩，包括一第二非平面反射表面，該第二微影遮罩配置以將來自該第二輻射源之輻射反射成一第二 輻射圖案至該基底。
  5. 一種微影遮罩，包括：一透明基底，包括一彎曲表面；一反射材料，鄰接該透明基底之該彎曲表面，該反射材料與該透明基底之間的一界面為一反射表面；以及一光罩圖案，位於該透明基底之一第二表面上，該光罩圖案之反射率小於該反射材料之反射率，及其中該透明基底之第二表面為該反射表面之相反面。
  6. 一種微影方法，包括：自一第一輻射源投射第一輻射；使用一第一微影遮罩將該第一輻射反射成一第一圖案，該第一微影遮罩包括一第一彎曲反射表面，該第一彎曲反射表面具有一單一聚焦點且包括一第一光罩圖案；以及將該第一輻射之該第一圖案照射於一基底之一區域上。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之微影方法，更包括：自一第二輻射源投射第二輻射；使用一第二微影遮罩將該第二輻射反射成一第二圖案，該第二微影遮罩包括一第二彎曲反射表面，該第二彎曲反射表面具有一單一聚焦點且包括一第二光罩圖案；以及以一不同於該第一輻射之該第一圖案的一入射角度之一角度將該第二輻射之該第二圖案照射於該基底之該區域上。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之微影方法，更包括步進該基底而使得該第一輻射之該第一圖案照射於該基底之一不同 區域上。
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