JP2001015406A - 半導体装置製造用露光方法及び露光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＥＵＶリソグラフィにおいて、Ｘｅを用いた
ＬＰＳの高効率な利用や高解像化を目的として、露光波
長を既存の１３．５ｎｍ付近から１１．５ｎｍ付近に短
波長化する検討が始められている。ＥＵＶの反射を目的
として光学系やマスクにコーティングされる多層膜は、
１１．５ｎｍの波長に対してはＭｏ／Ｓｉでは反射率が
約４０％と低く、その代わりとしてＭｏ／Ｂｅ等、Ｂｅ
を含んだ多層膜が提案されている。しかし、Ｂｅは毒性
の高い物質である。 【解決手段】 本願発明の代表例は、光学系の反射ミラ
ーを一枚ないし複数枚、ないし全てにＢｅを含み高い反
射率を有する多層膜をコーティングすると共に、マスク
基板にはＢｅを含まずに安全性が高くさらに多層膜の周
期や材料の屈折率、露光光の入射角によって一義的に規
定される反射率のピーク波長が光学系の反射ミラーと等
しくなる多層膜をコーティングすることを特徴とする露
光方法である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本願発明はマスク上のパター
ンをウェハ上に転写するリソグラフィ技術に関するもの
である。本願発明は、特に波長が１０ｎｍから１５ｎｍ
付近の極端紫外線（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏ
ｌｅｔ、以下、ＥＵＶと略記する）を光源として、マス
クパターンをウェハ上に縮小投影して転写するＥＵＶリ
ソグラフィに用いられるマスクや光学系、これらを用い
た露光方法、本露光方法を実施する露光装置、本露光方
法によって製造した半導体素子に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子の高集積化につれて、０．１
μｍ以下の極微細加工を可能にする新たなプロセス技術
の確立が急務になっている。リソグラフィでも露光光の
短波長化によって光学的な解像力の向上を図るため、従
来の水銀ランプやエキシマレーザによる紫外線と比べ
て、波長が１０ｎｍから１５ｎｍ程度と一桁以上も短い
ＥＵＶを露光光に用いて高解像化を可能とするＥＵＶリ
ソグラフィの開発が精力的に行われている。

【０００３】ＥＵＶは物質に対する吸収が非常に著し
く、ＥＵＶに対する物質の屈折率もほとんど真空の値に
等しい。したがって、ＥＵＶリソグラフィの光学系には
ミラーを組み合わせた反射光学系が用いられる。こうし
た技術に関しては、例えば精密工学会誌、第６４巻、第
２号、２８２頁から２８６頁（１９９８年）に見られ
る。また、マスクも光レチクルのような透過型では吸収
による露光光の強度低下が著しいことから反射型マスク
が必要になる。この反射型マスクの例は図１に例示され
る。この例は基板１上に反射型になす為に反射用の多層
膜２がコーティングされている。そして、この多層膜２
上にマスクパターン３が形成されている。

【０００４】なお、前記反射用の多層膜２は、次のよう
な構成を有する。即ち、各反射ミラーとマスク基板の表
面には直入射に近いＥＵＶに対して高い反射率を得るた
めに、式１で与えられる複素屈折率ｎの実部δが露光波
長でのＥＵＶにおいて大きく異なった２種類の材料層対
を３０−４０層対程度成膜した多層膜がコーティングさ
れる。

【０００５】 ｎ ＝ １ ＋ δ − ｉβ … … … 式１ ＥＵＶリソグラフィの露光波長は、露光光の波長（λ）
や入射角（θ）、多層膜の材料や周期長（ｄ）によって
決定される。これらの関係は近似的に式２で与えられ
る。

【０００６】 ２ｄ×ｃｏｓθ ＝ λ … … … 式２ 現在、ＥＵＶの光源用に、ノズルから真空中に噴出させ
て生成したキセノン（Ｘｅ）ガスのクラスターにパルス
レーザーを照射して高温プラズマ化し、プラズマの熱輻
射によってＥＵＶを発生させるレーザープラズマ光源
（ＬＰＳ）が精力的に開発されている。また、露光装置
はＬＰＳから発生した波長が１３．５ｎｍ付近のＥＵＶ
を露光光に用い、式２を満たす条件でモリブデン（Ｍ
ｏ）／ケイ素（Ｓｉ）多層膜をコーティングした反射ミ
ラーならびにマスク基板を用いる方式が主流となりつつ
ある。

【０００７】Ｍｏ／Ｓｉ多層膜に含まれるＳｉは、露光
光がＳｉのＬ吸収端である１２．４ｎｍより僅かに長波
長の領域では極めて透明になるため、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜
は波長が１３．５ｎｍ付近のＥＵＶに対して反射率が約
７０％と、極めて良好な値が得られる。

【０００８】さらに、高スループット化や高解像化を目
的として、露光波長が１１．５ｎｍ付近のＥＵＶを用い
る検討も始まりつつある。これは、主にＸｅを用いたレ
ーザープラズマ光源が、１３．５ｎｍ付近と比べて１
１．５ｎｍ付近で数倍以上大きい強度を有し、高スルー
プット化が可能なためである。また、露光光の短波長化
による高解像化も併せて可能になる。

【０００９】一方、 Ｍｏ／Ｓｉ多層膜は、ＳｉのＬ吸
収端である１２．４ｎｍより短い波長領域では反射率が
約４０％と著しく低下する。この対策として、Ｋ吸収端
が１1．１ｎｍとＳｉより短波長側にあるベリリウム
（Ｂｅ）を用いたＭｏ／Ｂｅ多層膜を反射ミラー上やマ
スク基板上にコーティングする提案がある。こうするこ
とによって、当該反射特性として、波長が１１．５ｎｍ
付近のＥＵＶに対して７０％近い反射率が得られる。こ
の結果、前述のようにＥＵＶリソグラフィの高スループ
ット化、高解像化が可能となる。こうした技術は例えば
オーエスエー・プロシーディング・オン・エクストリー
ム・ウルトラヴァイオレット・リソグラフィ、２３巻、
５２頁から５５頁（１９９５年）に見られる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ＥＵＶリソグラフィに
おいては、Ｘｅを用いたＬＰＳを光源とし、Ｍｏ／Ｓｉ
多層膜の代わりに、Ｍｏ／Ｂｅ多層膜をコーティングし
た反射ミラーやマスク基板を用いた露光方法を取り入れ
ることによって、高スループット化、高解像化が可能と
なる。しかし、工業技術的にはＢｅは毒性の高い物質で
あり、取り扱いには難点が大きい。

【００１１】多層膜のコーティングには、一般にマグネ
トロンやイオンビームによるスパッタリングが用いられ
る。光学系の反射ミラーは多層膜を一旦コーティングす
れば、露光装置に組み込んで永続的な使用が可能であ
る。

【００１２】一方、マスクでは各デバイスや各レイヤー
毎に異なった品種が作成されるため、マスク基板上に多
層膜を頻繁にコーティングする必要がある。また、光学
系の物点にあるマスクはキラー欠陥の個数を１０００平
方センチあたり１個以下に低減する必要があるが、発塵
による多層膜への欠陥導入を防ぐためにスパッタリング
用真空チャンバの頻繁なクリーニングが必要となる。

【００１３】しかし、Ｂｅはその高い毒性から、スパッ
タリング工程の完全隔離やチャンバ内の付着物除去、廃
棄物の処理等に大きなコストが掛かる。したがって、純
技術的にはともかく、大量生産の工業的な見地からは、
マスク基板上にＢｅを含んだ多層膜をコーティングする
ことは極めて困難であった。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本願発明ではＸｅを用いたＬＰＳを光源とし、１
１．５ｎｍ付近のＥＵＶを露光光に用いるＥＵＶリソグ
ラフィにおいて、光学系の反射ミラーの一枚ないし複
数、ないし全てにＢｅを含み、高い反射率を有する多層
膜をコーティングするとともに、マスク基板にはＢｅを
含まずに安全性が高く、さらに、多層膜の周期や材料の
屈折率、露光光の入射角によって一義的に規定される反
射率のピーク波長が、光学系の反射ミラーと等しくなる
多層膜をコーティングすることを特徴とする。Ｂｅを用
いる反射ミラーでは、一旦コーティングすれば、露光装
置に組み込んで実用的には永続的な使用が可能である。
この為、前述の毒性の問題は十分現実的に対応が可能で
ある。

【００１５】この結果、本願発明によれば、露光光にＸ
ｅを用いたＬＰＳから発生した波長が１１．５ｎｍ付近
のＥＵＶを用いて高スループットと高解像度を達成し、
かつ、露光に必要なマスクを低コストかつ安全に提供す
る露光方法を実現できる。

【００１６】以上説明した本願発明の代表例を要約すれ
ば、次のように言うことが出来る。即ち、本願発明の代
表例は、光学系の反射ミラーを一枚ないし複数枚、ない
し全てにＢｅを含み高い反射率を有する多層膜をコーテ
ィングすると共に、マスク基板にはＢｅを含まずに安全
性が高くさらに多層膜の周期や材料の屈折率、露光光の
入射角によって一義的に規定される反射率のピーク波長
が光学系の反射ミラーと等しくなる多層膜をコーティン
グすることを特徴とする露光方法である。

【００１７】以下、本願発明の主な諸形態を列挙する。

【００１８】本願発明の第１の形態は、波長が１０ｎｍ
から１５ｎｍ付近の極端紫外線（ＥＵＶ）を光源として
マスク基板上を照明し、マスク反射光を複数の反射ミラ
ーからなる光学系を介してウェハ上に縮小投影露光させ
るＥＵＶリソグラフィにおいて、ＥＵＶに対して屈折率
の異なる層を交互に積層させた周期構造からなり、反射
率向上を目的としてマスク基板上ならびに反射ミラー上
にコーティングさせる多層膜の構成材料が、マスク基板
上と反射ミラー上で異なっていることを特徴とする露光
方法である。

【００１９】本願発明の第２の形態は、一枚ないし複
数、あるいは全ての反射ミラー上にコーティングされた
多層膜の周期構造を構成する少なくとも一層がベリリウ
ム（Ｂｅ）、ないしはＢｅの合金や化合物を含んでいる
ことを特徴とする前記第１の発明形態として記載の露光
方法である。

【００２０】本願発明の第３の形態は、一枚ないし複
数、あるいは全ての反射ミラー上にコーティングされた
多層膜の周期構造を構成する少なくとも一層がモリブデ
ン（Ｍｏ）、ないしはＭｏの合金や化合物を含んでいる
ことを特徴とする前記第１または第２の発明形態として
記載の露光方法である。

【００２１】本願発明の第４の形態は、マスク基板上に
コーティングされた多層膜の周期構造を構成する少なく
とも一層がボロン（Ｂ）、ケイ素（Ｓｉ）、スカンジウ
ム（Ｓｃ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ないしはこれらの
合金や化合物を含んでいることを特徴とする前記第１か
ら第３の発明形態のいずれかとして記載の露光方法であ
る。

【００２２】本願発明の第５の形態は、マスク基板上に
コーティングされた多層膜の周期構造を構成する少なく
とも一層がＢの化合物を含んでいる場合、該化合物が炭
化物、ないしは窒化物であることを特徴とする前記第４
の発明形態として記載の露光方法である。

【００２３】本願発明の第６の形態は、マスク基板上に
コーティングされた多層膜の周期構造を構成する少なく
とも一層が、化学的に安定でかつ毒性の低いリチウム
（Ｌｉ）、ないしはカルシウム（Ｃａ）の化合物を含ん
でいることを特徴とする前記第１から第４の発明形態の
いずれかとして記載の露光方法である。

【００２４】本願発明の第７の形態は、マスク基板上に
コーティングされた多層膜の周期構造を構成する少なく
とも一層がルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、な
いしはこれらの合金や化合物を含んでいることを特徴と
する前記第１から第６の発明形態のいずれかとして記載
の露光方法である。

【００２５】本願発明の第８の形態は、前記第１から第
７の発明形態のいずれかとして記載の露光方法によって
作成したマスク基板、反射ミラー、マスク基板ならびに
反射ミラーを用いて作成した露光装置である。

【００２６】本願発明の第９の形態は、前記第１から第
７の発明形態のいずれかとして記載の露光方法によって
作成したマスク基板、反射ミラー、マスク基板ならびに
反射ミラーを用いて作成した露光装置を用いて作成した
半導体素子である。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下，本発明の一実施例を図1、
図２、表１、表２を用いて説明する。

【００２８】図１は反射型マスクの断面構造の概念図で
ある。図１において、１はＳｉ、石英ガラス、低熱膨張
ガラス等からなるマスク基板、２はマスク基板上にコー
ティングした多層膜、３は多層膜上に形成したマスクパ
ターンである。このマスクパターンにはＥＵＶの吸収能
の大きな金属が有用である。具体的には、このマスクパ
ターンは、例えばタンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、
あるいはタングステン（Ｗ）等の材料を用いて構成され
る。図２は本願発明の係わるＥＵＶリソグラフィの露光
方法を示す概念図である。図２の露光方法は前述のよう
に露光の光学系と反射型マスクとで、反射の為の異なっ
た材質の多層膜を用いて構成された光学的構成を用いて
行われるものである。露光の光学系とは、一旦コーティ
ングすれば、露光装置に組み込んで実用的には永続的な
使用が可能な光学部材を有する光学系部分である。これ
は、より具体的には、例えば凸面鏡と凹面鏡の反射ミラ
ーからなる光学系である。図２において、１はＳｉ、石
英ガラス、低熱膨張ガラス等からなるマスク基板、２は
マスク基板上にコーティングした多層膜、３は多層膜上
に形成したマスクパターン、４は凹面のミラー基板、５
はミラー基板４上にコーティングした多層膜、６は凸面
のミラー基板、７はミラー基板６上にコーティングした
多層膜、８は凹面のミラー基板、９はミラー基板８上に
コーティングした多層膜、１０はウェハ、１１はＸｅを
用いたＬＰＳから発生したＥＵＶを、照明光学系を介し
て１１．５ｎｍに分光した露光光、１２はマスクならび
にミラー反射光である。この光学系で、露光光１１は反
射型マスク（例えば符号１、２、３の部材で構成され
る）、凹面ミラー（例えば符号４、５の部材で構成され
る）、凸面ミラー（例えば符号６、７の部材で構成され
る）および凹面ミラー（例えば符号８、９の部材で構成
される）にて順次反射され、加工用部材の基板１０を露
光する。

【００２９】ここで本願発明において重要な点は、前述
した通り、露光の光学系、凹面ミラー（例えば符号４、
５の部材で構成される）、凸面ミラー（例えば符号６、
７の部材で構成される）および凹面ミラー（例えば符号
８、９の部材で構成される）と、反射型マスク（例えば
符号１、２、３の部材で構成される）とで、反射の為の
異なった材質の多層膜を用いて構成することである。

【００３０】表１は露光波長が１１．５ｎｍのＥＵＶに
対するＢｅ、ホウ素（Ｂ）、Ｂの化合物、スカンジウム
（Ｓｃ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、リチウム（Ｌｉ）、
Ｌｉの化合物、カルシウム（Ｃａ）、Ｃａの化合物、Ｍ
ｏ、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）の複素屈折
率のδ、βをアトミック・データー・アンド・ニューク
リアー・データー・テーブルズ、５４巻、２１５頁から
２１９頁、２２１頁、２３２頁から２３３頁、２５２
頁、２５４頁、２５６頁から２５７頁（１９９３年）に
記載された原子散乱因子の値を用いて求めたものであ
る。

【００３１】表１の軽元素を含有する層と重元素を含有
する層を交互に積層して多層膜を構成する。本願明細書
において、例えば、Ｒｕ／Ｂ₄Ｃと表記したものはＲｕ
膜とＢ₄Ｃ膜の多層膜を示している。尚、本願発明に係
わる多層膜の膜厚や周期などの設定は、要求される特性
に応じて、従前の技術に準じ設定して十分である。

【００３２】

【表１】

【００３３】露光波長が１１．５ｎｍのＥＵＶに対して
高反射率な多層膜を得るためには、表１の軽元素の項と
重元素の項から複素屈折率の実部δの差が大きく、屈折
率の虚部βの絶対値が小さい材料の組み合わせを選択す
る必要がある。このことから、図２の光学系の各反射ミ
ラーにはＭｏ／Ｂｅをコーティングした。

【００３４】表２は波長が１１．５ｎｍ、入射角が３度
のＥＵＶに対するＭｏ／Ｂｅ、Ｍｏ／Ｓｉ、Ｍｏ／炭化
四ホウ素（Ｂ₄Ｃ）、Ｒｕ／Ｂ₄Ｃ、Ｒｈ／Ｂ₄Ｃ多層膜
の理論反射率を表１のδ、βを用いて求めたものであ
る。表２の相対反射強度では、Ｍｏ／Ｂｅが最も大き
く、従って、露光の光学系、例えば凹面ミラーや凸面ミ
ラー用の多層膜（５、７、９）に用いるに最も適したも
のであることが理解される。Ｍｏ／ＳｉおよびＭｏ／Ｂ
₄Ｃは相対反射強度が小さく反射面の構成としては十分
でない。一方、Ｒｕ／Ｂ₄ＣおよびＲｈ／Ｂ₄Ｃは、Ｍｏ
／Ｂｅには劣るものの十分実用的に各種反射面として極
めて有用なものである。そして、これらの例はＢｅのよ
うに毒性の問題は無い。これらの諸例以外に表１の諸特
性を勘案してその他の多層膜を構成することが出来る。

【００３５】

【表２】

【００３６】以上の結果から、光学系の複数の反射ミラ
ー用としてその基板（４、６、８）にはＭｏ／Ｂｅの多
層膜（５、７、９）をコーティングした。こうすること
によって、複数回の反射による露光強度のロスを最小限
にするとともに、マスク基板１にはＲｕ／Ｂ₄Ｃ、ある
いはＲｈ／Ｂ₄Ｃを用いることによって、波長が１１．
５ｎｍ付近のＥＵＶを用いて、高スループットと高解像
度を達成し、かつ、露光に必要なマスクを低コストかつ
安全に提供する露光方法を実現できた。

【００３７】尚、上記の露光方法は、マスク基板用の多
層膜の軽元素としてＢ₄Ｃの他に、表１に示すように窒
化ホウ素（ＢＮ）等、Ｂの他の化合物、Ｓｃ、Ｚｒなら
びにそれらの合金や化合物、Ｌｉ、Ｃａの安定な化合
物、また、重元素としてＲｕ、Ｒｈないしはこれらの合
金や化合物を用いることによっても、同様に実現でき
た。

【００３８】以上、詳細に説明したように、本願発明の
実施の諸形態によれば，ＥＵＶリソグラフィにおいて光
学系の反射ミラーにはＢｅを含み、高い反射率を有する
多層膜をコーティングするとともに、マスクにはＢｅを
全く含まずに安全性が高い多層膜をコーティングするこ
とによって、露光光にＸｅを用いたＬＰＳから発生した
波長が１１．５ｎｍ付近のＥＵＶを用いて高スループッ
トと高解像度を達成し、かつ、露光に必要なマスクを低
コストかつ安全に提供する露光方法を実現できる。

【００３９】

【発明の効果】本願発明の第１の観点によれば、量産上
の難点を回避しつつ、即ち毒性の無い物質を反射型マス
クに用いつつ、ＥＵＶを用いた露光を高スループットと
高解像度になし得る。

【００４０】本願発明の第２の観点によれば、量産上の
難点を回避しつつ、即ち毒性の無い物質を反射型マスク
に用いつつ、ＥＵＶを用いた露光を、低コストかつ安全
に提供する事ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１はＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクの断
面構造の概念図である。

【図２】図２はＥＵＶリソグラフィの縮小投影光学系の
概念図である。

【符号の説明】

１：マスク基板、２：マスク基板上にコーティングした
多層膜、３：多層膜上に形成したマスクパターン、４：
凹面の反射ミラー、５：反射ミラー４上にコーティング
した多層膜、６：凸面の反射ミラー、７：反射ミラー６
上にコーティングした多層膜、８：凹面の反射ミラー、
９：反射ミラー８上にコーティングした多層膜、１０：
ウェハ、１１：Ｘｅを用いたＬＰＳから発生したＥＵＶ
を、照明光学系を介して１１．５ｎｍに分光した露光
光、１２：マスクならびにミラー反射光である。

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【手続補正書】

【提出日】平成１２年５月２６日（２０００．５．２
６）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】特許請求の範囲

【補正方法】変更

【補正内容】

【特許請求の範囲】

【請求項７】波長が１２．４ｎｍより短い 極端紫外線に
よって、所定基板上に転写する為の所望パターンを有す
る反射型マスク基板上を照明し、当該反射型マスク基板
からの反射光を複数の反射ミラーからなる光学系を介し
て、前記反射型マスク基板上に有する所望パターンを、
前記所定基板上に縮小投影露光させる極端紫外線リソグ
ラフィであって、上記請求項１から請求項６のいずれか
に記載の露光方法によって作成された、反射型マスク基
板、反射ミラー、あるいは反射型マスク基板ならびに反
射ミラーの双方のいずれかを用いて構成された露光方
法。 ─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１２年１０月１０日（２０００．１０．
１０）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】発明の名称

【補正方法】変更

【補正内容】

【発明の名称】 半導体装置製造用露光方法及び露光装
置

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】特許請求の範囲

【補正方法】変更

【補正内容】

【特許請求の範囲】

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 極端紫外線を光源としてマスク基板上を
   照明し、マスク反射光を複数の反射ミラーからなる光学
   系を介して所定基体上に縮小投影露光させる極端紫外線
   リソグラフィであって、前記極端紫外線に対して屈折率
   の異なる層を交互に積層させた周期構造からなり、反射
   率向上を目的として前記マスク基板上ならびに前記反射
   ミラー上にコーティングさせる多層膜の構成材料が、前
   記マスク基板上と前記反射ミラー上で異なっていること
   を特徴とする露光方法。
2. 【請求項２】 一枚ないし複数、あるいは全ての反射ミ
   ラー上にコーティングされた多層膜の周期構造を構成す
   る少なくとも一層がベリリウム（Ｂｅ）ないしは、Ｂｅ
   の合金や化合物を含んでいることを特徴とする請求項１
   に記載の露光方法。
3. 【請求項３】 一枚ないし複数、あるいは全ての反射ミ
   ラー上にコーティングされた多層膜の周期構造を構成す
   る少なくとも一層がモリブデン（Ｍｏ）、ないしはＭｏ
   の合金や化合物を含んでいることを特徴とする請求項１
   または請求項２のいずれかに記載の露光方法。
4. 【請求項４】 マスク基板上にコーティングされた多層
   膜の周期構造を構成する少なくとも一層がボロン
   （Ｂ）、ケイ素（Ｓｉ）、スカンジウム（Ｓｃ）、ジル
   コニウム（Ｚｒ）、ないしはこれらの合金や化合物を含
   んでいることを特徴とする請求項１から請求項３のいず
   れかに記載の露光方法。
5. 【請求項５】 マスク基板上にコーティングされた多層
   膜の周期構造を構成する少なくとも一層がＢの化合物を
   含んでいる場合、該化合物が炭化物、ないしは窒化物で
   あることを特徴とする請求項４に記載の露光方法。
6. 【請求項６】 マスク基板上にコーティングされた多層
   膜の周期構造を構成する少なくとも一層が、化学的に安
   定でかつ毒性の低いリチウム（Ｌｉ）、ないしはカルシ
   ウム（Ｃａ）の化合物を含んでいることを特徴とする請
   求項１より請求項４のいずれかに記載の露光方法。
7. 【請求項７】 マスク基板上にコーティングされた多層
   膜の周期構造を構成する少なくとも一層がルテニウム
   （Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、ないしはこれらの合金や
   化合物を含んでいることを特徴とする請求項１より請求
   項６のいずれかに記載の露光方法。
8. 【請求項８】 上記請求項１から請求項８のいずれかに
   記載の露光方法によって作成したマスク基板、反射ミラ
   ー、マスク基板ならびに反射ミラーを用いて作成した露
   光装置。
9. 【請求項９】 上記請求項１から請求項８のいずれかに
   記載の露光方法によって作成したマスク基板、反射ミラ
   ー、マスク基板ならびに反射ミラーを用いて作成した露
   光装置を用いて製造された半導体素子。