JPS616892A - プリント回路の製造方法 - Google Patents
プリント回路の製造方法Info
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- JPS616892A JPS616892A JP12697584A JP12697584A JPS616892A JP S616892 A JPS616892 A JP S616892A JP 12697584 A JP12697584 A JP 12697584A JP 12697584 A JP12697584 A JP 12697584A JP S616892 A JPS616892 A JP S616892A
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
- H05K3/182—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method
- H05K3/185—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method by making a catalytic pattern by photo-imaging
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- Chemically Coating (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプリント回路の製造方法の製造方法、特には、
アブイブイブ法によるプリント回路板製造工程において
、しジストインク不要の製造方法に関するものである。
アブイブイブ法によるプリント回路板製造工程において
、しジストインク不要の製造方法に関するものである。
従来アディティブ法によるプリント回路のパターン形成
方法としては、絶縁基板の表面あるいは基板全体に化学
めっき反応用の触媒を付着あるいは少なくとも表面に含
有させ、この基板の導体回路形成以外の部分をレジスト
インク、又はドライフィルム等により、被覆し、被覆さ
れない部分にのみ化学めっきを施し、導体回路のパター
ンを形成させて℃・た。しかし、レジストインク、ドラ
イフィルムのいずれを使用する場合、被覆材の下には触
媒が存在するととから、回路形成以外の被覆材表面にも
金属が析出し、さらに表面抵抗の低下が生じるといった
欠点があった。またこの被覆材は化学めっき工程のレジ
ストとして使用されるが、通常、化学めっきは高温、高
アルカリのもとて無電解めっきを施すのが一般的であり
、被翼材は高温、高アルカリの液に長時間浸漬しても耐
性をもち、基板との間で剥離を生じさせないことが必要
である。この条件を満足させるためには被覆材の選定お
よび基板に被覆させる印刷技術において困難があり、工
数の多いことが欠点であった。
方法としては、絶縁基板の表面あるいは基板全体に化学
めっき反応用の触媒を付着あるいは少なくとも表面に含
有させ、この基板の導体回路形成以外の部分をレジスト
インク、又はドライフィルム等により、被覆し、被覆さ
れない部分にのみ化学めっきを施し、導体回路のパター
ンを形成させて℃・た。しかし、レジストインク、ドラ
イフィルムのいずれを使用する場合、被覆材の下には触
媒が存在するととから、回路形成以外の被覆材表面にも
金属が析出し、さらに表面抵抗の低下が生じるといった
欠点があった。またこの被覆材は化学めっき工程のレジ
ストとして使用されるが、通常、化学めっきは高温、高
アルカリのもとて無電解めっきを施すのが一般的であり
、被翼材は高温、高アルカリの液に長時間浸漬しても耐
性をもち、基板との間で剥離を生じさせないことが必要
である。この条件を満足させるためには被覆材の選定お
よび基板に被覆させる印刷技術において困難があり、工
数の多いことが欠点であった。
これら欠点を除去する方法として、たとえば基板の表面
あるいは内部に光感応基を有する絶縁基板を用いて光化
学反応により、基板上に導体回路パターンを形成させる
方法が提案されているが、これは光感応基を有する基板
を使用することが必要であり、通常のアディティブ用基
板を使用するものニ比ベコストアツブになるという欠点
を有している。
あるいは内部に光感応基を有する絶縁基板を用いて光化
学反応により、基板上に導体回路パターンを形成させる
方法が提案されているが、これは光感応基を有する基板
を使用することが必要であり、通常のアディティブ用基
板を使用するものニ比ベコストアツブになるという欠点
を有している。
而して本発明は、従来の方法の上記欠点の原因となって
いた被覆材を必要としないプリント回路の製造方法を提
供することを主たる目的とする。
いた被覆材を必要としないプリント回路の製造方法を提
供することを主たる目的とする。
本発明によるプリント回路の製造方法は、化学めっき反
応用触媒を表面に付着または少なくとも表面に含んでい
る基板表面に形成するプリント回路に対応するパターン
状に高強度光を照射することによって該触媒の触媒作用
を低下または消失せしめた後、化学めっき処理をして高
強度光の非照射部に選択的にめっきすることを特徴とす
るものである。
応用触媒を表面に付着または少なくとも表面に含んでい
る基板表面に形成するプリント回路に対応するパターン
状に高強度光を照射することによって該触媒の触媒作用
を低下または消失せしめた後、化学めっき処理をして高
強度光の非照射部に選択的にめっきすることを特徴とす
るものである。
即ち、本発明は基板表面に強い光を照射することにより
部分めっきを施すことを可能とし、これにより光線特有
の精度の高いパターンを形成させ、信頼性が高(、シか
も工程が短かくしてプリント回路を製造できるものであ
る。
部分めっきを施すことを可能とし、これにより光線特有
の精度の高いパターンを形成させ、信頼性が高(、シか
も工程が短かくしてプリント回路を製造できるものであ
る。
次に本発明に使用される材料、溶液等について述べる。
まず使用される基板としては、紙・フェノール板、ガラ
ス・エポキシ板、紙・エポキシ板、等の絶縁基材単独又
は該基材上に接着層を形成させた材料ならびに鉄・アル
ミニウム、銅等の導体上に絶縁材である接着層を形成さ
せた材料も利用できる。使用される接着剤はアディティ
ブ用に使用されるもので、たとえば、合成ゴム−フェノ
ールm 脂系、合成ゴム−フェノール樹脂−エポキシ樹
脂などを主成分とするものが用いられる。ゴム成分はニ
トリルゴム、ブタジェンゴム、インプレンゴム等があり
、フェノール樹脂はレゾール型、ノボラック型などがあ
る。上記した材料にはあらかじめ導電層を形成する目的
で、基板全体又は表面にAu 、 Pi 、 Pd 、
Ag等の化学めっき反応の触媒となる物質を含有もし
くけ付着させたものも含まれる。
ス・エポキシ板、紙・エポキシ板、等の絶縁基材単独又
は該基材上に接着層を形成させた材料ならびに鉄・アル
ミニウム、銅等の導体上に絶縁材である接着層を形成さ
せた材料も利用できる。使用される接着剤はアディティ
ブ用に使用されるもので、たとえば、合成ゴム−フェノ
ールm 脂系、合成ゴム−フェノール樹脂−エポキシ樹
脂などを主成分とするものが用いられる。ゴム成分はニ
トリルゴム、ブタジェンゴム、インプレンゴム等があり
、フェノール樹脂はレゾール型、ノボラック型などがあ
る。上記した材料にはあらかじめ導電層を形成する目的
で、基板全体又は表面にAu 、 Pi 、 Pd 、
Ag等の化学めっき反応の触媒となる物質を含有もし
くけ付着させたものも含まれる。
次に、処理工程としてまず基板と化学めっきにおいて析
出された金属との密沼力を粗面とする方法が、その必要
に応じてとられる。この粗化方法としては、一般にクロ
ム酸−硫酸、クロム酸−はつふつ酸等の液に基板を浸漬
する方法と、ホーニング、プラスト処理等の様械的方法
とがある。
出された金属との密沼力を粗面とする方法が、その必要
に応じてとられる。この粗化方法としては、一般にクロ
ム酸−硫酸、クロム酸−はつふつ酸等の液に基板を浸漬
する方法と、ホーニング、プラスト処理等の様械的方法
とがある。
次に導電層形成の手段として基板に化学めらき反応の触
媒となる物質を含有しない基板においては、それら触媒
となる物質を溶解した液に浸漬し導電層を形成させる必
要があり、その処理液として、たとえば塩化パラジウム
と塩化第1スズとを塩酸溶液中に溶解されたものがあり
、このような処理液に相当するものとしては例えは、日
立化成社製1−I S 101 B (商品名)がある
。
媒となる物質を含有しない基板においては、それら触媒
となる物質を溶解した液に浸漬し導電層を形成させる必
要があり、その処理液として、たとえば塩化パラジウム
と塩化第1スズとを塩酸溶液中に溶解されたものがあり
、このような処理液に相当するものとしては例えは、日
立化成社製1−I S 101 B (商品名)がある
。
本発明は次に高強度光を照射することにより、触媒を不
活性化させる。照射する以1sすの段階で、照射する光
に感応するような処理は特別必要としない。ここで使用
される光は、基板にそり、曲り、割れ等の損傷を与えず
、目的とする部分にのみ照射され、照射された部分にお
いて、化学めっき反応の触媒機能を低下もしくは消失さ
せるよつな光であればどのような光であっても使用でき
るが、この照射する強い光としては好適なものはたとえ
ばレーザー光線があげられる。
活性化させる。照射する以1sすの段階で、照射する光
に感応するような処理は特別必要としない。ここで使用
される光は、基板にそり、曲り、割れ等の損傷を与えず
、目的とする部分にのみ照射され、照射された部分にお
いて、化学めっき反応の触媒機能を低下もしくは消失さ
せるよつな光であればどのような光であっても使用でき
るが、この照射する強い光としては好適なものはたとえ
ばレーザー光線があげられる。
ここで使用されるレーザーとしては、ルビー。
YAG、ガラス等の固体レーザー、He −Ne 、
Xe。
Xe。
Ar 、 COB等の気体レーザー、 GaAs 、
CdS 、 ZnO等の半導体レーザー、オキン塩化
セレン、キレート、色素等の液体レーザーがあげられる
が、比較的広範囲の出力を有する、固体レーザー、気体
レーザーを使用する方が有利である。
CdS 、 ZnO等の半導体レーザー、オキン塩化
セレン、キレート、色素等の液体レーザーがあげられる
が、比較的広範囲の出力を有する、固体レーザー、気体
レーザーを使用する方が有利である。
固体レーザーで代表的なものはYAGレーザーであり、
気体レーザーでけCO2レーザーよりも原理的にはレー
ザーのビーム径を小さくすることかできるため、微小部
分の照射には有利といえるが、本発明におけるパターン
の形成方法に利用する場合にはC02レーザーでも可能
である。照射エネルギーはYAC↑レーザー、Co2レ
ーザーとも可変できるか、被照射面の材質、強度等を考
えたうぇで照射エネルギーを決める必要がある。以上の
ような強い光を照射する処理を施した後、化学めっきに
より導体回路を形成する。化学めつぎには、Cu。
気体レーザーでけCO2レーザーよりも原理的にはレー
ザーのビーム径を小さくすることかできるため、微小部
分の照射には有利といえるが、本発明におけるパターン
の形成方法に利用する場合にはC02レーザーでも可能
である。照射エネルギーはYAC↑レーザー、Co2レ
ーザーとも可変できるか、被照射面の材質、強度等を考
えたうぇで照射エネルギーを決める必要がある。以上の
ような強い光を照射する処理を施した後、化学めっきに
より導体回路を形成する。化学めつぎには、Cu。
Au 、 Ag 、 Cu 、 Niなど多数あるが、
アディティブ基板における化学めっきは無電解銅めっき
が最も一般的である。本発明における化学めっきは、め
っきされる回路形成部分を損傷するような強い光を照射
する必要がないため、表面の変質もな(、スルホールめ
っきも可能である。したがって従来の技術がそのまま適
用できる。また必要に応じて無電解めっきを電気めっき
との併用もてきる。
アディティブ基板における化学めっきは無電解銅めっき
が最も一般的である。本発明における化学めっきは、め
っきされる回路形成部分を損傷するような強い光を照射
する必要がないため、表面の変質もな(、スルホールめ
っきも可能である。したがって従来の技術がそのまま適
用できる。また必要に応じて無電解めっきを電気めっき
との併用もてきる。
以下本発明の具体的実施例について示す。
実施例1
紙フエノール絶縁基板(商品名:LP−4<SIF。
日立化成工業社製)に接着剤として、フェノール変性ニ
トリルゴム接着剤を塗布し、160℃、30分間硬化さ
せた。次いでこの基板に穴明けを行なった後、りoA酸
−硫酸溶液(、Crys 100 g/l 。
トリルゴム接着剤を塗布し、160℃、30分間硬化さ
せた。次いでこの基板に穴明けを行なった後、りoA酸
−硫酸溶液(、Crys 100 g/l 。
H2SO4300ml/l)に浸漬し、55℃、10分
で表面を粗化次いで塩酸溶液(HCI 100m//l
)に室温で5分洗浄し、残留するクロムを除去した。つ
づいて、水洗の後、塩酸溶液(HCJ 500 ml/
l )に室温で5分処理した。さらに塩化第一錫、塩化
ノくラジウムが含まれる液(商品名: HS 101
B、日立化成工業社製)に室温で5分間浸漬し次℃・で
塩酸、!: シュ5 酸ノ溶液(HCI! 100 m
l/l 、 HzC20+ 1[1gA)に室温で5分
間浸漬し、水洗した後、60℃で30分乾燥した0 この基板を、co、 v−ザー(Photon 5ou
rces社製)により、出力25W、スポット径5mm
ψ。
で表面を粗化次いで塩酸溶液(HCI 100m//l
)に室温で5分洗浄し、残留するクロムを除去した。つ
づいて、水洗の後、塩酸溶液(HCJ 500 ml/
l )に室温で5分処理した。さらに塩化第一錫、塩化
ノくラジウムが含まれる液(商品名: HS 101
B、日立化成工業社製)に室温で5分間浸漬し次℃・で
塩酸、!: シュ5 酸ノ溶液(HCI! 100 m
l/l 、 HzC20+ 1[1gA)に室温で5分
間浸漬し、水洗した後、60℃で30分乾燥した0 この基板を、co、 v−ザー(Photon 5ou
rces社製)により、出力25W、スポット径5mm
ψ。
走査速度3m/min にて、非回路形成部分にレー
ザー光を照射した。
ザー光を照射した。
次に下記に示す無電解銅めっき液に浸漬し、空気攪拌を
行いながら温度69〜72℃でめっきを行い、プリント
回路を形成い両面スルホール回路板を作成することがで
きた。
行いながら温度69〜72℃でめっきを行い、プリント
回路を形成い両面スルホール回路板を作成することがで
きた。
無電解銅めっき液組成
硫酸銅 10gエチレンジアミ
ン四酢酸 30g67チホルマリン
4mA’水酸化ナトリウム pH12,5にな
る量2−21ジピリジル 40mg水
全体が11となる量実施例−2 ガラスエポキシ絶縁基板(■・4品名:L);−61N
。
ン四酢酸 30g67チホルマリン
4mA’水酸化ナトリウム pH12,5にな
る量2−21ジピリジル 40mg水
全体が11となる量実施例−2 ガラスエポキシ絶縁基板(■・4品名:L);−61N
。
日立化成工業社製)に、フェノール・ブタジェンゴム接
着剤を塗布した基板を[史用し、先約照射前までの工程
を、実施例−1と同様に行なった。
着剤を塗布した基板を[史用し、先約照射前までの工程
を、実施例−1と同様に行なった。
との基板をYAGレーザ−(日本電気製)を用いて出力
2W、スポット径l mmψ、走査速度5m/m i
nで非回路形成部分にレーザ光を照射した。
2W、スポット径l mmψ、走査速度5m/m i
nで非回路形成部分にレーザ光を照射した。
次に実施例−1と同様のブ′(1電解銅めっき液に浸漬
し、同様の条件でめっきを行ないプリント回路パターン
を形成することができた。
し、同様の条件でめっきを行ないプリント回路パターン
を形成することができた。
以上の実施例すべてにおいて、レーザー光を照射した部
分には、銅めっきの析出はなく、ML導体回路形成でき
た。
分には、銅めっきの析出はなく、ML導体回路形成でき
た。
以上説明したよ5に、プリント基板の非回路形成部分に
、たとえばレーザー光のような強い光を照射することに
より、照射した部分の化学めっき反応を防止することが
でき、被υ材を被覆することなく、部分めっきを行ない
、導体回路を形成することかできるものであるO
、たとえばレーザー光のような強い光を照射することに
より、照射した部分の化学めっき反応を防止することが
でき、被υ材を被覆することなく、部分めっきを行ない
、導体回路を形成することかできるものであるO
Claims (2)
- (1)化学めつき反応用触媒を表面に付着または少なく
とも表面に含んでいる基板表面に形成するプリント回路
に対応するパターン状に高強度光を照射することによつ
て該触媒作用を低下または消失せしめた後、化学めつき
処理をして高強度光の非照射部に選択的にめつきするこ
とを特徴とするプリント回路の製造方法。 - (2)高強度光がレーザー光線である特許請求の範囲第
1項記載のプリント回路の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12697584A JPS616892A (ja) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | プリント回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12697584A JPS616892A (ja) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | プリント回路の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS616892A true JPS616892A (ja) | 1986-01-13 |
Family
ID=14948528
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12697584A Pending JPS616892A (ja) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | プリント回路の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS616892A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0290679A (ja) * | 1988-09-28 | 1990-03-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 金属超薄膜およびその製造法 |
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JP2006229033A (ja) * | 2005-02-18 | 2006-08-31 | Hitachi Aic Inc | 側面電極用配線板の製造方法 |
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JP2011042818A (ja) * | 2009-08-19 | 2011-03-03 | Sankyo Kasei Co Ltd | 三次元成形回路部品の製造方法 |
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JP2018103559A (ja) * | 2016-12-28 | 2018-07-05 | エスアイアイ・プリンテック株式会社 | 溝構造のめっき方法 |
-
1984
- 1984-06-20 JP JP12697584A patent/JPS616892A/ja active Pending
Cited By (11)
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