JPS60120589A - プリント回路基板の製造方法 - Google Patents
プリント回路基板の製造方法Info
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- JPS60120589A JPS60120589A JP22816783A JP22816783A JPS60120589A JP S60120589 A JPS60120589 A JP S60120589A JP 22816783 A JP22816783 A JP 22816783A JP 22816783 A JP22816783 A JP 22816783A JP S60120589 A JPS60120589 A JP S60120589A
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- JP
- Japan
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- circuit board
- printed circuit
- plating
- salts
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- Chemically Coating (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は無電解メッキ法により導体パターンを形成する
アディティブプリント回路基板製造方法に関するもので
ある。
アディティブプリント回路基板製造方法に関するもので
ある。
電子機器商品の小型、薄型化等によりプリント基板の配
線密度は急激に増加している。アディティブ法はこのよ
うなプリント基板要求に答えられるものとして注目され
ている。中でもフルアディティブ法は高密度かつ低コス
ト金満足される製造方法として注目されている。メツキ
レジストラ用いたフルアディティブ法ではＣＧ−４（Ｉ
’ＧＫ社）ＩＡＰ−１１（日立製作所）等が実用化され
ているが、絶縁抵抗が同一基材で製造したサブトラクト
法によるものより落ちるとｂつだ欠点を有していた。つ
まｐＣＣ−４においては基材及び接着層全体にＰｄ等の
メッキ触媒が多量に添加さ九てｂるため絶縁抵抗の低下
をまねく、又’Ａ Ｐ −Ｉ［Ｋ ｉいては接着剤全面
にＰｄ触媒ｔ−塗布するために、導体以外のメツキレシ
ストの下にも不必要なＰｄが残存するためである。？：
、のためにサブトラクト法よシも１０ ”〜１（１４程
度絶縁抵抗が低下した。絶縁抵抗のこのような低下は増
々高密度化するプリント基板製造上の問題として残され
てｔｎｆＣ。
線密度は急激に増加している。アディティブ法はこのよ
うなプリント基板要求に答えられるものとして注目され
ている。中でもフルアディティブ法は高密度かつ低コス
ト金満足される製造方法として注目されている。メツキ
レジストラ用いたフルアディティブ法ではＣＧ−４（Ｉ
’ＧＫ社）ＩＡＰ−１１（日立製作所）等が実用化され
ているが、絶縁抵抗が同一基材で製造したサブトラクト
法によるものより落ちるとｂつだ欠点を有していた。つ
まｐＣＣ−４においては基材及び接着層全体にＰｄ等の
メッキ触媒が多量に添加さ九てｂるため絶縁抵抗の低下
をまねく、又’Ａ Ｐ −Ｉ［Ｋ ｉいては接着剤全面
にＰｄ触媒ｔ−塗布するために、導体以外のメツキレシ
ストの下にも不必要なＰｄが残存するためである。？：
、のためにサブトラクト法よシも１０ ”〜１（１４程
度絶縁抵抗が低下した。絶縁抵抗のこのような低下は増
々高密度化するプリント基板製造上の問題として残され
てｔｎｆＣ。
本発明はかかる欠点にがんがみ、絶縁抵抗をあげるため
のメッキ触′／Ｓ、塗布技術についてのものである。
のメッキ触′／Ｓ、塗布技術についてのものである。
しかるに本発明の目的は、あらかじめメツキレシストが
塗布された基板の、導体部だけに選択的にメッキ触媒を
塗布し、しかる後に無電解メッキ法により該触媒上に導
体を形成することにあ多、プリント基板としては絶縁抵
抗を大１］ Ｋ ｕ ｐさせることにある。
塗布された基板の、導体部だけに選択的にメッキ触媒を
塗布し、しかる後に無電解メッキ法により該触媒上に導
体を形成することにあ多、プリント基板としては絶縁抵
抗を大１］ Ｋ ｕ ｐさせることにある。
本発明を工程を追ってよシ詳細に説明する。
本発明に用いられる絶縁基板としては、ガラスエポキシ
、紙エポキシ、紙フェノール等のりジット高分子基材、
ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルサルフォ
ン、ＢＴレジン、ポリエステル、エポキシポリブタジェ
ン等のフレキシブル基材、ポリエーテルサルフォン、ポ
リサルフォン。
、紙エポキシ、紙フェノール等のりジット高分子基材、
ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルサルフォ
ン、ＢＴレジン、ポリエステル、エポキシポリブタジェ
ン等のフレキシブル基材、ポリエーテルサルフォン、ポ
リサルフォン。
ポリエーテルイミド等の熱可塑性基材、スチール、黄銅
、アルミ等のメタル基材であり、これらをこのまま使用
するか、メッキの密着性をあげるためにゴム管を含んだ
接着剤を塗布した形で用いられる。代表的な接着剤とし
ては工Ｃエジャパン社製エバーグリップ７７７、特公昭
５８−８０７６０等である。
、アルミ等のメタル基材であり、これらをこのまま使用
するか、メッキの密着性をあげるためにゴム管を含んだ
接着剤を塗布した形で用いられる。代表的な接着剤とし
ては工Ｃエジャパン社製エバーグリップ７７７、特公昭
５８−８０７６０等である。
このような接着剤付き又は接着剤の付かないアンクラツ
ド材の表面を粗化する工程に入る。これはメッキの密着
性を上けるためであシ、この工程によシ基板表面は微少
な凸凹が生じ、水ぬれ性が向上する。粗化方法としては
よく知られたクロム酸・硫酸混液を中心とした液が用い
られる。これは基板材料、又は接着剤の種類によシ様々
である。
ド材の表面を粗化する工程に入る。これはメッキの密着
性を上けるためであシ、この工程によシ基板表面は微少
な凸凹が生じ、水ぬれ性が向上する。粗化方法としては
よく知られたクロム酸・硫酸混液を中心とした液が用い
られる。これは基板材料、又は接着剤の種類によシ様々
である。
しばしば接着剤の付かない基材を用いる場合には、ＤＭ
Ｆ 、ＤＭＥ Ｏ、ＩＭＦ等の溶剤に浸漬してから前記
混酸処理することもよく知られた方法である。混酸処理
した後は亜硫酸水素す） ＩＪウム等で中和されるのが
普通である。
Ｆ 、ＤＭＥ Ｏ、ＩＭＦ等の溶剤に浸漬してから前記
混酸処理することもよく知られた方法である。混酸処理
した後は亜硫酸水素す） ＩＪウム等で中和されるのが
普通である。
次にこのように粗面化された基板の非回路形成部分にメ
ツキレシスト皮膜で被覆する工程に入る。
ツキレシスト皮膜で被覆する工程に入る。
メツキレシストはピン間１木程度のものはスクリーン印
刷、オフセット印刷、タコ印刷法等の印刷法によシ形成
され、より高密度のものはドライフィルム、液体感光性
レジスト等を用いた写真法により形成される。前者に使
用される代表的なものとしては、太陽インク製５−２２
東京応化’ＪＪＯＢＺ−４０００等でアク、後者として
はデュポン社製ドライフイルムバクレル、％Ｊｍ昭５８
−２５６１８のような液体感光性レジストがある。ハン
ダ耐熱性を有し、６０〜７０℃、ＰＨＩＩ〜１３のアル
カリに用Ｈγ以上劇えうるものが必須条件でちる。
刷、オフセット印刷、タコ印刷法等の印刷法によシ形成
され、より高密度のものはドライフィルム、液体感光性
レジスト等を用いた写真法により形成される。前者に使
用される代表的なものとしては、太陽インク製５−２２
東京応化’ＪＪＯＢＺ−４０００等でアク、後者として
はデュポン社製ドライフイルムバクレル、％Ｊｍ昭５８
−２５６１８のような液体感光性レジストがある。ハン
ダ耐熱性を有し、６０〜７０℃、ＰＨＩＩ〜１３のアル
カリに用Ｈγ以上劇えうるものが必須条件でちる。
次にＰＨ川用上のアルカリに超音波照射下浸漬する工程
であるが、この工程はメツキレシスト面と接着剤露出面
（回路部）のぬれ性のコントラストラよｐ顕著に付与す
るための工程である。微細パターン（ライン巾２５０μ
以下）になるとこの工程を入れた方がより選択性がたか
ぐなる。ＰＨ１Ｏ以下では効果が小さい、ＮαＯＨ，Ｋ
ＯＨ，ＣＧＣＯＨ）２等のアルカリ及びアルカリ土類金
属を主体としたもので界面活性剤を混入し、ても良い。
であるが、この工程はメツキレシスト面と接着剤露出面
（回路部）のぬれ性のコントラストラよｐ顕著に付与す
るための工程である。微細パターン（ライン巾２５０μ
以下）になるとこの工程を入れた方がより選択性がたか
ぐなる。ＰＨ１Ｏ以下では効果が小さい、ＮαＯＨ，Ｋ
ＯＨ，ＣＧＣＯＨ）２等のアルカリ及びアルカリ土類金
属を主体としたもので界面活性剤を混入し、ても良い。
４０℃以上の処理の方が効果がたかく、短時間ですむ。
市販のこのような処理に概当するものとしては、ディプ
ソール社製ディプンール→０があげられる。
ソール社製ディプンール→０があげられる。
又、通常このようなアルカリ処理工程の後にはＨ２Ｓ
Ｏ，（５〜ＩＩＪチ）等による中和を行なう、この工程
によ多レジスト上の水の接触角は２θで６００以上、接
着材面は３０’以下がファインパターンの場合でも得ら
れる。
Ｏ，（５〜ＩＩＪチ）等による中和を行なう、この工程
によ多レジスト上の水の接触角は２θで６００以上、接
着材面は３０’以下がファインパターンの場合でも得ら
れる。
次にこのようにアルカリでコンディショニングされ水ぬ
れ性忙十分なコントラストが付与された基板の接着剤面
〔回路部〕にのみ選択的にメッキする工程に入る。通常
無電解メッキに先立っての触媒処理はｓ、、Ｃｉ、が用
いられるが、Ｓ％Ｃ，６゜を用いると接着剤上のみにメ
ッキを析出することは不可能である。すなわちＥｎＣＩ
／、のローンベアが、この程度の水ぬれ性のコントラス
ト差だけではレジスト及び接着剤に強く吸着し、Ｐｄ等
の次に続く触媒を基板全面に析出させ目的とする選択性
を得ることができない。本発明者らは１３％（Ｊ。
れ性忙十分なコントラストが付与された基板の接着剤面
〔回路部〕にのみ選択的にメッキする工程に入る。通常
無電解メッキに先立っての触媒処理はｓ、、Ｃｉ、が用
いられるが、Ｓ％Ｃ，６゜を用いると接着剤上のみにメ
ッキを析出することは不可能である。すなわちＥｎＣＩ
／、のローンベアが、この程度の水ぬれ性のコントラス
ト差だけではレジスト及び接着剤に強く吸着し、Ｐｄ等
の次に続く触媒を基板全面に析出させ目的とする選択性
を得ることができない。本発明者らは１３％（Ｊ。
を全く使わない前処理工程を開発することによル、露出
した接着剤面のみにＰｄ等の触媒を選択的に析出させる
方法を見出した。
した接着剤面のみにＰｄ等の触媒を選択的に析出させる
方法を見出した。
それは、Ｐｄ、Ｐｉ等の白金属ｙ Ａｕ ｒ Ａ（Ｉ
ｅ Ｃｕ、Ｈ６，Ｆｅ、ｃｏから選ばれた１種以上を含
む金属塩からなる水溶液に浸漬し、次に還元剤でこれら
の金属を析出させる方法によル達成した。
ｅ Ｃｕ、Ｈ６，Ｆｅ、ｃｏから選ばれた１種以上を含
む金属塩からなる水溶液に浸漬し、次に還元剤でこれら
の金属を析出させる方法によル達成した。
上記金属の中で特に有用なのは、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃ
ｕである。又塩としては、ＰｄＣｉ２ 、塩化金酸＋Ａ
１７！”Ｓｒ’πｓｏ４等の無機塩、クエン酸、酒石酸
、ＥＤＴＡ 、グリシン等の錯塩が用いられる。特に代
表的なＰｄＣｉ１２について述べるなら、１θ危のＰ
ｄ ＣＡ、を含む０．１チＨＣＩｋ水溶液に５分開環度
浸漬し、水洗することにより、レジスト上のＰｄＣ，ｌ
）、は洗い落とされる（レジスト上はＰｄＣ，ｌ、液に
ぬれない。）１方接着剤表面はよ（ＰｄＣｉ、液にぬれ
粗面化工程で形成された凸凹が存在するためにＰｄＣ１
，はこの凸凹の中に留まり１簡単な水洗程度では脱離し
ない。
ｕである。又塩としては、ＰｄＣｉ２ 、塩化金酸＋Ａ
１７！”Ｓｒ’πｓｏ４等の無機塩、クエン酸、酒石酸
、ＥＤＴＡ 、グリシン等の錯塩が用いられる。特に代
表的なＰｄＣｉ１２について述べるなら、１θ危のＰ
ｄ ＣＡ、を含む０．１チＨＣＩｋ水溶液に５分開環度
浸漬し、水洗することにより、レジスト上のＰｄＣ，ｌ
）、は洗い落とされる（レジスト上はＰｄＣ，ｌ、液に
ぬれない。）１方接着剤表面はよ（ＰｄＣｉ、液にぬれ
粗面化工程で形成された凸凹が存在するためにＰｄＣ１
，はこの凸凹の中に留まり１簡単な水洗程度では脱離し
ない。
つまｐ表面のぬれ性と、形状により選択的に接着剤表面
のみにＰｄＣ１，、が塗布されたことになる。
のみにＰｄＣ１，、が塗布されたことになる。
次にこれらの金属塩から金属に還元するに足る能力をも
った還元剤液に浸漬する。ホルマリン。
った還元剤液に浸漬する。ホルマリン。
次亜リン酸又は塩、アミンボラン類又はその塩。
水素化ホウ素塩から選ばれた１種以上を含む水溶液がこ
のような能力を有する。どれ全選択するか及びどのよう
な条件（温度、時間等）下で行なうかは前工程で使われ
た金属塩の種類、ＰＨ等にょル異なる。ＰｄＣ，ｌ、、
を用いたならば次亜リン酸ナトリウムｌυ２μ、常温で
１０分間開環の浸漬、ＥＤＴＡＣｕｉ用いるならばＰ
Ｈ１２，５，６０℃でポルマリン２０ｑ！である。この
工程にょシ、接着剤表面のみに存在した金属塩は金属に
還元され、次に続くメッキの触媒となる。このような還
元剤に浸漬後簡単な（接着剤面にキズを伺けない程度の
）ブラッシング等もレジスト上にわずかに、Ｐｄ等が残
っていたならば有効であるが、通常は必要としない。
のような能力を有する。どれ全選択するか及びどのよう
な条件（温度、時間等）下で行なうかは前工程で使われ
た金属塩の種類、ＰＨ等にょル異なる。ＰｄＣ，ｌ、、
を用いたならば次亜リン酸ナトリウムｌυ２μ、常温で
１０分間開環の浸漬、ＥＤＴＡＣｕｉ用いるならばＰ
Ｈ１２，５，６０℃でポルマリン２０ｑ！である。この
工程にょシ、接着剤表面のみに存在した金属塩は金属に
還元され、次に続くメッキの触媒となる。このような還
元剤に浸漬後簡単な（接着剤面にキズを伺けない程度の
）ブラッシング等もレジスト上にわずかに、Ｐｄ等が残
っていたならば有効であるが、通常は必要としない。
次に無電解メッキ工程によシ導体回路を形成する。プリ
ント基板には通常ｃｚ、Ｎ＜の無電解メッキが用いられ
る。
ント基板には通常ｃｚ、Ｎ＜の無電解メッキが用いられ
る。
本発明のプロセスによシ完全に選択的に接着剤面のみに
触媒が塗布され、しかるに選択的に無電解メッキが可能
となる。このプロセスによりメツキレシストの下の接着
剤面にはメッキ触媒が塗布されていないために絶縁抵抗
の大巾ｕｐｆもたらす。又従′来のアディティブ法では
必ず触媒処理後ニ熱処理（触媒の焼付け、メツキレジス
）Ｖ）ｍＮけ等）工程が入るために触媒の活性時間の接
続が問題となるが本法により解決される。又スルホール
基板を用いる場合、スルホール穴明は後、メツキレシス
トバターニングまでに熱処理（触媒の焼付け）工程が入
るため基板の収縮がおこフ、穴位置ずれを起こしやすか
ったが本法によｐこれも解決される。
触媒が塗布され、しかるに選択的に無電解メッキが可能
となる。このプロセスによりメツキレシストの下の接着
剤面にはメッキ触媒が塗布されていないために絶縁抵抗
の大巾ｕｐｆもたらす。又従′来のアディティブ法では
必ず触媒処理後ニ熱処理（触媒の焼付け、メツキレジス
）Ｖ）ｍＮけ等）工程が入るために触媒の活性時間の接
続が問題となるが本法により解決される。又スルホール
基板を用いる場合、スルホール穴明は後、メツキレシス
トバターニングまでに熱処理（触媒の焼付け）工程が入
るため基板の収縮がおこフ、穴位置ずれを起こしやすか
ったが本法によｐこれも解決される。
以下実施例により本発明を説明する。
実施例１
住友ベークライト社製接着剤付きコンポジット基板Ｆｆ
Ｌ−８９７０にＩＣドリリングマシンを用いネルホール
穴明けを行なった。次に８００２μクロム酸、２００％
／Ａ硫酸から成る混酸にω℃。
Ｌ−８９７０にＩＣドリリングマシンを用いネルホール
穴明けを行なった。次に８００２μクロム酸、２００％
／Ａ硫酸から成る混酸にω℃。
１５ｍ１ｎ間浸漬して接着剤表面の粗化を行なった。
次に水洗し１００℃で乾燥後、太陽インキ社製メツキレ
ジス）Ｓ−２２に両面スクリーン印刷し、１２０℃で１
時間加熱硬化させた。
ジス）Ｓ−２２に両面スクリーン印刷し、１２０℃で１
時間加熱硬化させた。
次にディプソール社製ディプソール＋ ０ （ＰＨ１２
゜５）を１ｆμ含む水溶液に５０℃で５分間超音波照射
下浸漬した。水洗後５％Ｈｚａ０４で１分間中和し水洗
した。乾燥後接触角を測定したところレジスト面上は２
θで６５°、接着剤面上は２０°であった。
゜５）を１ｆμ含む水溶液に５０℃で５分間超音波照射
下浸漬した。水洗後５％Ｈｚａ０４で１分間中和し水洗
した。乾燥後接触角を測定したところレジスト面上は２
θで６５°、接着剤面上は２０°であった。
次にＰｄＣＡ、に含む市販液であるレッドシュマー（日
本カニゼン）の８倍希釈液に超音波照射下５分間浸漬し
た。次に水洗後、３０ ｙｙ＊の次亜リン１さｌナトリ
ウムを含む５０℃の液に１０分間浸漬しＰｄＣＥ２ｋＰ
ｄに還元した０次に水洗後無電５Ｃ１Ｌメッキ液である
室町化学９ＭＫ−４８０で加分ＣＵメッキした。次に水
洗後厚付は無電解Ｃｕメッキ液であるシンプレイ社製Ｑ
、−５２５を用いω℃で２０Ｈｒメツキし３５μ厚のＣ
Ｕメッキ導体を得たＪＩＥＩ法により基板品質をチェッ
クしたところ全てクリアーした。特に絶縁抵抗値は用１
５Ω以上でありサブトラクト法で得た以上の値を示した
（サブトラクト法の場合エツチングされずに表面には原
子レベルのＣｌが残存しているために基材の抵抗よりや
や劣る）又従来のアディティブプロセスの場合ＯＥＭ−
３基材では用１０〜１０’冨であシ約１（）３以上の絶
縁抵抗のｕｐがもたらされた。
本カニゼン）の８倍希釈液に超音波照射下５分間浸漬し
た。次に水洗後、３０ ｙｙ＊の次亜リン１さｌナトリ
ウムを含む５０℃の液に１０分間浸漬しＰｄＣＥ２ｋＰ
ｄに還元した０次に水洗後無電５Ｃ１Ｌメッキ液である
室町化学９ＭＫ−４８０で加分ＣＵメッキした。次に水
洗後厚付は無電解Ｃｕメッキ液であるシンプレイ社製Ｑ
、−５２５を用いω℃で２０Ｈｒメツキし３５μ厚のＣ
Ｕメッキ導体を得たＪＩＥＩ法により基板品質をチェッ
クしたところ全てクリアーした。特に絶縁抵抗値は用１
５Ω以上でありサブトラクト法で得た以上の値を示した
（サブトラクト法の場合エツチングされずに表面には原
子レベルのＣｌが残存しているために基材の抵抗よりや
や劣る）又従来のアディティブプロセスの場合ＯＥＭ−
３基材では用１０〜１０’冨であシ約１（）３以上の絶
縁抵抗のｕｐがもたらされた。
実施例２
基板として紙フェノールである住友ベークライト社４ｐ
ｂ−９８０５に用い、ノくンチング法でスルホールを形
成した。次に実施例と同様の面粗化を行なった後１２０
℃、３０分乾燥した。次に特願昭５ ｇ −２５６１８
Ｋ従ってウレタンアクリレート変性ポリブタジェン樹脂
を両面３０μ厚にカーテンコートした。写真法を用い露
光、現像を行ない、１６０℃で加分間レジスト焼成を行
なってメツキレシストを形成した。
ｂ−９８０５に用い、ノくンチング法でスルホールを形
成した。次に実施例と同様の面粗化を行なった後１２０
℃、３０分乾燥した。次に特願昭５ ｇ −２５６１８
Ｋ従ってウレタンアクリレート変性ポリブタジェン樹脂
を両面３０μ厚にカーテンコートした。写真法を用い露
光、現像を行ない、１６０℃で加分間レジスト焼成を行
なってメツキレシストを形成した。
次にＫＯＨ５％水溶液に６０℃で５分間超音波照射下浸
漬した。水洗後５％Ｈ２・Ｓ Ｏ４で１分間中和し水洗
した。乾燥後接触角を測定したところレジスト面上は２
θで６８°、接着剤面上は２３°であった。
漬した。水洗後５％Ｈ２・Ｓ Ｏ４で１分間中和し水洗
した。乾燥後接触角を測定したところレジスト面上は２
θで６８°、接着剤面上は２３°であった。
次に塩化金酸１危を含むｌ ％ １−ＩＪ水溶液に１０
分間浸漬した後、水洗しなりでジメチルアミンボランの
１（）ｖβ液に（資）℃で１５分間浸漬した。水洗後、
実施例と同様の無電解ＣＵメッキ液によりアディティブ
回路基板を製造した。絶縁抵抗は１１１１！Ωであり、
従来のアディティブ法で紙フエノール基材で得られる値
１０’〜１ｇ１ｌよシも１（）２〜Ｉ（戸程度ｕｐがは
かられた。これも又サブトラクト法で得た基板以上でお
った。
分間浸漬した後、水洗しなりでジメチルアミンボランの
１（）ｖβ液に（資）℃で１５分間浸漬した。水洗後、
実施例と同様の無電解ＣＵメッキ液によりアディティブ
回路基板を製造した。絶縁抵抗は１１１１！Ωであり、
従来のアディティブ法で紙フエノール基材で得られる値
１０’〜１ｇ１ｌよシも１（）２〜Ｉ（戸程度ｕｐがは
かられた。これも又サブトラクト法で得た基板以上でお
った。
以上本発明を実施例をあげて説明したが、本発明によシ
アデイテイププリント回路基板の絶縁抵抗。大巾な、が
はかられ、今後増々高密度ブ１ノント基板が望まれるこ
とカムら工業的価イ直はた〃・いり又前述の寸法精度対
応力、触媒の活性時間等の問題も本法により同時に解決
されるのでその工業的価値はたがいものであるＯ 本発明により得られ九アデイテイ７°回路基板は一コン
ピューター、プリンター、時Ｈ士、ＴＶ等産業用から民
生用まで巾広く用いられるり 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎
アデイテイププリント回路基板の絶縁抵抗。大巾な、が
はかられ、今後増々高密度ブ１ノント基板が望まれるこ
とカムら工業的価イ直はた〃・いり又前述の寸法精度対
応力、触媒の活性時間等の問題も本法により同時に解決
されるのでその工業的価値はたがいものであるＯ 本発明により得られ九アデイテイ７°回路基板は一コン
ピューター、プリンター、時Ｈ士、ＴＶ等産業用から民
生用まで巾広く用いられるり 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 アディティブ法による回路基板の製造方法において、 （α１ 絶縁基板表面を粗面化する工程１ｂ１ 絶縁基
板の粗化面の非回路形成部分をメツキレシスト皮膜で被
覆する工程 （ｃｌ Ｐ Ｈ１０以上のアルカリに超音波照射下浸漬
する工程 （ｄｉ 該基板をＰｄ、Ｐｔ等の白金属ｅ ＡｌＬｔ
Ａｇ、Ｃ１ｔ、Ｎｉ、ＦＢ、ＣＱから選ばれた一種以上
を含む金属塩から成る水溶液に浸漬する工程 Ｉｇｌ ホルマリン、次亜リン酸文はその塩、アミンボ
ラン類又はその塩、水素化ホウ素塩から選ばれた１種以
上金倉む水溶液に浸漬する工程（ハ 無電解メッキにょ
シ導体回路を形成する工程ｋＪ１次含むことを特徴とす
るプリント回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22816783A JPS60120589A (ja) | 1983-12-02 | 1983-12-02 | プリント回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22816783A JPS60120589A (ja) | 1983-12-02 | 1983-12-02 | プリント回路基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60120589A true JPS60120589A (ja) | 1985-06-28 |
Family
ID=16872275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22816783A Pending JPS60120589A (ja) | 1983-12-02 | 1983-12-02 | プリント回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60120589A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01500472A (ja) * | 1986-08-06 | 1989-02-16 | マクダーミッド，インコーポレーテッド | 印刷回路板の製造方法 |
| JPH08199367A (ja) * | 1995-01-20 | 1996-08-06 | Kenseidou Kagaku Kogyo Kk | 樹脂成形品の任意の表面部分に密着金属層を形成する方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5163464A (en) * | 1974-10-04 | 1976-06-01 | Surface Technology Corp | Judenseikizainokairyoseizohoho koreoseizosurutamenokairyosaretabutsushitsukei narabini koreomochiirukairyoerekutororesupureeteinguho |
| JPS5227618A (en) * | 1975-07-15 | 1977-03-02 | Rca Corp | Device for positioning original disk for energy beam recorder |
| JPS5722432A (en) * | 1980-06-02 | 1982-02-05 | Mitsubishi Electric Corp | Flywheel |
-
1983
- 1983-12-02 JP JP22816783A patent/JPS60120589A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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