KR100235930B1 - 인쇄 배선 보드와 그 형성 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 절연 기판을 갖는 새로운 인쇄 배선 보드를 제공한다. 인쇄 배선 보드는 또한 절연 기판상의 표면에 형성된 금속 화합물층을 가지며, 금속 화합물층은 충분한 절연성을 가지며, 금속 환원성을 나타내는 금속 화합물로 이루어진다. 금속 화합물층은 금속 화합물층의 상기 금속 화합물의 선택적인 환원에 의해 형성된 금속 배선 패턴을 갖는 표면을 가진다. 인쇄 배선 보드는 또한 금속 배선 패턴상에 형성된 팔라듐 치환 도금층을 가진다. 인쇄 배선 보드는 또한 비전기 도금층을 갖는다.

Description

인쇄 배선 보드와 그 형성 방법
본 발명은 개선된 인쇄 회로 보드와 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 절연 기판으로부터 인쇄 회로 보드를 제조하는 개선된 첨가 방법에 관한 것이다.
인쇄 배선 보드의 제조 방법은 다음의 두 가지 방법으로 분류된다. 첫번째 방법은 삭감 방법으로 , 구리 호일(foil)을 절연 기판상에 입힌후에 화학 처리로서 구리 호일을 선택적으로 제거하여 도전 패턴과 절연 영역을 형성하는 것이다. 두번째 방법은 첨가 방법으로, 비전기 도금법을 사용하여 절연 기판상에서 도전 재료를 추출하여 도전 패턴을 형성하는 것이다.
최근에는, 전자 장치의 고밀도 패킹징화가 진행되고 있으며, 이로 인하여 미세한 패턴을 갖는 인쇄 배선 보드에 대한 요구가 증대되고 있다. 삭감 방법이 광범위하게 사용되고 있지만, 미세한 패턴의 형성에는 부응하지 못하고 있다. 이러한 삭감 방법대신에, 미세 패턴 형성을 위하여 첨가 방법이 주목받고 있으며, 특히 완전한 첨가 방법은 필요한 미세 패턴을 형성할수 있다는 것과 낮은 가격으로 인하여 매우 주목 받고 있다.
현재 사용되고있는 기본 공정 방법은 CC-4 방법과 AP-Ⅱ 방법이다. 첫번째 방법은 절연 기판상에 촉매를 사용하지 않는 간단한 공정 방법으로, 절연 기판은 사전에 비전기 도금용 촉매 코아를 내포 하고 있다. 그러나, 이러한 기판은 여분의 촉매를 포함하고 있기 때문에 다소 비싸다.
이와는 반대로, 두 번째 방법은 촉매를 포함하지 않는 절연 기판을 사용한다. 이 방법은 재료를 자유로이 선택할 수 있다. 따라서, 절연 기판상에 촉매를 사용할 필요가 있다. 그러나, 이 방법은 다음과 같은 단점이 있다. 촉매를 적용하는 공정 방법에 있어서, 이 촉매는 첫 번째 방법, 예를들면 CC-4 방법과는 반대로 충분히 분산되지 않는다.
이 촉매는 도금 레지스트 아래에 남게 된다. 이러한 불충분한 분산과 찌꺼기는 표면 저항을 떨어뜨리게 된다. 이러한 단점을 제거하기 위하여, 도금 레지스트를 형성한후에, 절연 기판상에 촉매를 도포시키고, 그 다음에 상기 레지스트 표면상의 여분의 촉매를 제거하는 방법이 제시되었다. 이 방법은 일본 특개평 제 4-118992 호에 개시되었다. 또다른 방법으로서, 레지스트의 표면에 촉매가 접착되는 것을 방지하기 위하여, 방수 수지로 만들어진 레지스트를 사용하거나, 방수처리되는 레지스트를 사용하는 방법이 제안되었다. 이러한 방법은 일본 특개평 제1-87781호에 개시되었다. 이러한 방법에서는 소정의 제한된 촉매에 대해서만 적용 가능하다
이러한 상황하에서, 비싸지 않으며 비도금 추출로서 미세 패턴 형성이 가능하고, 도금 레지스트 표면상에 촉매가 접착되어 표면 저항이 감소되지않는 새로운 인쇄 배선 보드와 그 형성 방법에 관한 요구가 증대되어 왔다.
따라서, 본 발명의 목적은 전술한 단점이 없으며, 미세 패턴 형성이 가능한 새로운 인쇄 회로 보드를 제공하는 것이다.
또다른 본 발명의 목적은 레지스트의 표면에 촉매가 접착되지않는 새로운 인쇄 회로 보드를 제공하는 것이다.
또다른 본 발명의 목적은 도금 추출이없는 새로운 인쇄 회로 보드를 제공하는 것이다.
또다른 본 발명의 목적은 표면 저항이 감소되지않는 새로운 인쇄 회로 보드를 제공하는 것이다.
또다른 본 발명의 목적은 값이 싼 새로운 인쇄 회로 보드를 제공하는 것이다.
본 발명의 이러한 목적과 특징 및 장점에 대하여 기술하겠다.
본 발명은 절연 기판을 갖는 새로운 인쇄 배선 보드를 제공한다. 인쇄 배선 보드는 절연 기판의 표면상에 형성되는 금속 화합물층을 가지며, 상기 금속 화합물층은 충분한 절연성을 가지며 금속환원성을 나타내는 금속 화합물로 만들어진다. 이 금속 화합물층의 표면상에는 상기 금속 화합물층의 선택적 환원성에 의해 금속 배선 패턴이 형성된다. 또한, 인쇄 배선 보드는 금속 배선 패턴상에 형성되는 팔라듐 치환 도금층을 가진다. 또한, 인쇄 배선 보드는 비전기 도금층을 가진다.
또한, 본 발명은 다음의 단계로 이루어지는 새로운 인쇄 배선 보드 형성 방법을 제공한다. 절연 기판의 표면상에 첨가물이 도포 된다. 다음에, 절연 기판은 산화제를 함유하는 용액내에 침강되어 첨가물로 도포된 표면을 거칠게 처리한다. 거칠어진 첨가물 표면상에 금속 화합물층이 형성되며, 이 금속 화합물층은 충분한 절연성을 가지며 금속 환원성을 나타내는 금속 화합물로 만들어진다. 금속 화합물층상에는 도금 레지스트 필름이 선택적으로 형성된다. 금속화합물층은 마스크로서의 도금 레지스트 필름을 사용함으로서 선택적으로 환원되어 선택적으로 금속 배선 패턴을 형성한다. 다음에, 금속 배선 패턴은 필라듐 치환 도금처리되어 금속 배선 패턴상에 필라듐 치환 도금층을 형성한다. 다음에, 팔라듐 치환 도금층내의 필라듐을 촉매 코아로 사용함으로서 팔라듐 치환 도금층을 비전기 도금처리하여 절연 기판상에 도전 회로를 형성한다.
또한, 본 발명은 다음의 단계로 이루어지는 새로운 인쇄 배선 보드 형성 방법을 더 제공한다. 금속 화합물 입자를 갖는 첨가물이 절연 기판의 표면에 도포되며, 이 금속 화합물층은 충분한 절연성을 가지며 금속 환원성을 나타내는 금속 화합물로 만들어진다. 다음에, 절연 기판은 산화제를 함유하는 용액내에 침강되어 첨가물이 도포된 표면을 거칠게 처리하고, 동시에 첨가물 표면상의 금속 화합물 입자를 노출시켜 거칠어진 표면을 갖는 금속 화합물층을 형성한다. 금속 화합물층상에는 도금 레지스트 필름이 선택적으로 형성한다. 금속 화합물층은 마스크로서의 도름레지스트 필름을 사용함으로서 선택적으로 환원되어 선택적으로 금속 배선 패턴을 형성한다. 다음에, 금속 배선 패턴은 팔라듐 치환 도금처리되어 금속 배선 패턴상에 팔라듐 치환 도금층을 형성한다. 다음에, 팔라듐 치환 도금층내의 팔라듐을 촉매 코아로 사용함으로서 팔라듐 치환 도금층을 비전기 도금 처리하여 절연 기판상에 도전 회로를 형성한다.
또한, 본 발명은 다음의 단계로 이루어지는 새로운 인쇄 배선 보드 형성 방법을 더 제공한다. 금속 화합물 입자를 함유하는 절연 기판이 준비되며, 금속 화합물층은 충분한 절연성을 가지며 금속 환원성을 나타내는 금속 화합물로 만들어진다. 다음에, 절연 기판은 산화제를 함유하는 용액내에 침강되어 첨가물이 도포된 표면을 거칠게하고, 동시에 첨가물 표면상의 금속 화합물 입자를 노출시켜 거칠어진 표면을 갖는 금속 화합물층을 형성한다. 금속 화합물층상에는 도금레지스트 필름이 선택적으로 형성된다. 금속 화합물층은 마스크로서의 도금 레지스트 필름을 사용함으로서 선택적으로 환원되어 선택적으로 금속 배선 패턴을 형성한다. 다음에, 금속 배선 패턴은 팔라듐 치환 도금처리되어 금속 배선 패턴상에 팔라듐 치환 도금층을 형성한다. 다음에, 팔라듐 치환 도금층내의 팔라듐을 촉매 코아로 사용함으로서 팔라듐 치환 도금층을 비전기 도금처리하여 절연 기판상에 도전 회로를 형성한다.
상기 본 발명 방법은 비싸지 않으며 도금 추출없이 미세 패턴 형성이 가능하고, 도금 레지스트 표면상에 촉매가 접착되어 표면 저항이 감소되지 않는다.
본 발명을 더욱 자세히 설명하겠다. 금속 화합물로는 금속 염과 금속 산화물등이 가능하다. 절연 기판상에 금속 화합물층을 형성하는 방법에는 두 가지 방법이 있다. 첫 번째 방법에 있어서는, 금속 염은 물 용매 또는 알콜 용매와 같은 용매로 용해된다. 상기 용매는 절연 기판 표면상에 도포된다. 두 번째 방법으로는, 절연 기판을 상기 용매속에 침강시키는 것이다. 그 다음에, 기판을 건조시키고, 가능하면 열처리를 시행한다. 일반적으로, 금속 염은 물 용매 또는 알콜 용매로 용해되며, 이 때문에 이러한 용액으로 기판의 표면을 처리하면 균일한 층을 형성할수 있다.
사용가능한 금속 염으로는 질산 아연, 질산 니켈, 질산 철, 질산 구리, 황산 아연, 황산 니켈, 황산 철, 황산 구리, 옥살산 아연, 옥산살 니켈, 옥살산 철, 옥살산 구리, 아세트산 아연, 아세트산 니켈, 아세트산 철, 아세트산 구리가 있다. 금속 염으로 된 층은 거칠어진 첨가물의 표면상에 형성된다.
첨가 수지로는, 페놀 수지, 에폭시 수지, 에폭시-아크릴레이트 수지, 멜라민 수지등의 상용되는 열경화성 수지가 사용된다. 상기 첨가 수지에 디엔(diene) 고무 또는 나이트릭(nitric) 고무를 첨가하는 것도 가능하다.
상기 첨가 수지는 아세톤 용매 MEK 용매와 같은 유기 용매로 용해되어 첨가 용액을 형성한다. 용해된 첨가 수지는 롤 코터(roll coater), 바 코터(bar coater), 커튼 플로우(curtain fiow) 코팅 방법 및 디핑(dipping) 방법으로 도포된다. 도포된 첨가 수지는 건조되어 15-50㎛ 두께의 첨가물층을 형성한다.
다음에, 상기 첨가물층을 산화제를 함유하는 용액속에 침강시켜 첨가물층의 표면을 거칠게 처리한다. 일반적으로, 첨가물은 거칠어진 첨가물층 표면을 얻기 위하여 칼슘 카보네이트 입자를 함유한다. 거칠어진 첨가물층의 표면은 앵커(anchor) 효과를 초래하여 도체와 기판간의 접착을 개선시킨다. 산화제로는, 과망간산염, 크롬산 무수몰, 크롬산염, 크롬산-황산, 크롬산-황산-인산 등을 사용하는 것이 바람직하다. 필요한 경우에 있어서는, 산화제를 함유하는 용액내에 첨가물층을 침강시키기전에, 첨가물층이 있는 기판을 디메틸포머마이드 등으로 처리하여, 첨가물층을 부풀린다. 이러한 처리는, 디엔 기재 고무가 없는 첨가물을 사용하는 경우에, 도금 필름과의 접착력을 개선시키는데 특히 효과적이다.
또한, 첨가물층의 표면을 거칠게 처리하여 입자 표면이 노출되기전에, 절연 기판의 표면에 도포되는 첨가물에 금속 화합물 입자를 혼합하여 균일하게 분산시킬수 있다. 금속 산화물 입자로는, 아연 산화 물 입자, 니켈 산화물 입자, 아이언 산화물 입자, 구리 산화물 입자, 마그네슘 산화물 입자등이 사용된다. 이러한 입자들은 칼슘 카보네이트 입자를 대신하여 상기의 앵커 효과를 초래한다. 이 입자의 직경은 0.1-10㎛ 정도이며, 특히 1-5㎛ 정도가 바람직하다. 입자의 직경이 0.1㎛ 이하로 되면, 첨가물층과 도금 금속간의 결합력이 저하된다. 입자의 직경이 10㎛ 이상이되면, 미세 배선 패턴의 정확도가 저하된다. 첨가물내의 입자 함량은 단위 체적당 10-80％ 정도가 바람직하다. 특히, 첨가물내의 입자 함량이 단위 체적당 30-60％ 정도가 되면 더 바람직하다. 첨가물내의 입자 함량이 단위 체적당 10％ 이하로 되면, 첨가물내의 입자의 표면적은 충분히 노출되게 된다.
첨가물내의 입자 함량이 단위 체적당 80％ 이상이되면, 첨가물층은 부서지기쉽다.
첨가 수지로는, 페놀 수지, 에폭시 수지, 에폭시-아크릴레이트 수지, 멜라민 수지등의 상용되는 열경화성 수지가 사용된다. 상기 첨가 수지에 디엔 고무 또는 나이트릭 고무를 첨가하는 것도 가능하다.
상기 첨가 수지는 아세톤 용매 MEK 용매와 같은 유기 용매로 용해되어 첨가 용액을 형성한다. 용해된 첨가 수지는 롤 코터, 바 코터, 커튼 플로우 코팅 방법 및 디핑 방법으로 도포된다. 도포된 첨가 수지는 건조되어 15-50㎛ 두께의 첨가물층을 형성한다.
다음에, 상기 첨가물층은 금속 산화물 입자를 함유하는 용액속으로 침강되며, 금속 산화물 입자는 용매내에 균일하게 혼합되고 분산되어, 첨가물층의 표면을 거칠게 만들고 입자 표면을 노출시킨다.
도금 레지스트 필름은 배선 패턴이 형성될 영역을 제외한 금속 화합물층상에 형성되어, 다음에 행해지는 비전기 도금 공정시에 도금이 증착되는 것을 방지한다. 만약 배선 패턴의 패치가 상대적으로 크게되면, 스크린 프린팅 방법 또는 오프셋 프린팅 방법을 사용하여 도금 레지스트를 형성할수 있다. 미세한 배선 패턴이 필요한 경우에는, 액상형 광감제와 드라이 필름을 사용하는 포토형성에 의하여 도금 레지스트를 형성할수 있다. 드라이 필름으로서는, Taiyo ink 사와 Tokyo Chemical Industries 사의 S-22와 OBZ-4000 가 있다. 액상형 광감제로는 Hitachi Kasei 사의 SR-3000가 있다.
금속 화합물을 환원시키는 환원제로는, H2, HI, CO, 수소화붕소나트륨, 수소화붕소칼륨, 디메틸 아미노보란, 및 보란 암모늄과같은 붕소 화합물이 있다. 다양한 환원 반응을 이용하는 다양한 환원 방법은 환원제와의 조화가 가능하다. H2가스가 사용되면, 환원 반응이 초래되어 H2가스 분위기에서 기판의 온도는 약 200℃ 까지 가열된다. 용액내에 약 1g/l의 소듐 보론 하이드라이드가 내포되면, 수 분동안 용액내에 기판을 디핑하여 환원 반응을 초래할수 있다.
환원 반응은 금속 화합물층의 표면상에서 초래된다. 환원된 금속 화합물층 표면은 필라듐-치환 도금 처리되어 촉매 코아로서 작용하는 팔라듐이 증착되게된다. 환원 공정후에 도금 공정을 수행함에 있어서, 도금층과 기판사이의 접착력과 도금 증착을 향상시키기 위하여 환원된 기판의 표면을 산으로 세척하는 것이 바람직하다. 팔라듐-치환 도금 방법은 제한되지 않기에, pH 가 1-3이며 0.0005-0.005 Mol/l의 팔라듐 클로라이드를 함유하는 하이드로클로라이드 산성 용액에 기판을 수 분 동안 디핑하는 것이 가능하다.
다음에, 비전기 도금 공정이 수행된다. 도금 재료는 제한되지 않으며, 비용관점하에서 배선용으로 일반적으로 사용되고있는 Cu 와 Ni을 사용하는 것이 바람직하다. 일반적인 도금 방법이 가능하다. Cu가 도금되면, 황산염 도금조, 구리 피로황산염 도금조 및 시안화 구리조를 사용할 수 있다. Ni이 도금되면, 차인산나트륨 및 수소화붕소 나트륨을 환원제로 사용할 수 있으며, 황산니켈조와 염화니켈조도 사용할 수 있다.
인쇄 배선 보드에 있어서, 배선을 연결하는 콘택 홀을 통하는 관통 홀을 형성할 수 있다. 금속 화합물층을 형성하는 방법은 제한되지 않는다. 금속염 용액이 사용되면, 사전에 기판상에 첨가물을 도포시켜 경화시킨다. 관통 홀은 기판내에 형성된다. 금속 염 용액을 기판상에 도포할 수 있다. 또한, 기판을 금속 염 용액속에 침강시킬수도 있다. 다음에, 기판을 건조시키고 경우에 따라서는 가열시킨다.
반면에 산화금속 입자가 사용되면 관통홀은 금속 염 용액이 사용될 때 형성된 것보다 크다. 산화금속 입자를 포함하는 첨가물은 기판의 표면상에 도포하고 관통홀내에 충전된다. 첨가물은 경화된다. 관통홀은 다시 소정의 직경으로 형성된다. 기판 표면상에 산화금속층만을 형성하는 대신에 산화금속 입자를 포함하는 기판 수지를 사용할 수도 있다. 이 경우, 기판에 관통홀을 형성하는 공정을 필요로 하지 않는다.
상술한 바와 같이, 첨가물을 절연 기판의 표면상의 도포하고, 도포한 첨가물의 표면을 거칠게 한다. 충분한 절연성과 금속 환원성을 나타내는 포텐셜을 갖는 금속 화합물층은 첨가물의 거친 표면상에 형성 된다. 다른 방법으로, 첨가물층은 절연기판상에 형성되며, 충분한 절연성과 금속 환원성을 갖는 포텐셜을 갖는 금속 화합물 입자를 함유한다. 그런 후에, 첨가물층의 표면은 거칠어지고 동시에 입자의 표면이 노출되어 기판상의 첨가물층의 표면상에 금속 화합물층을 형성한다. 금속 화합물층은 선택적으로 환원되어 금속 배선 패턴을 형성한다. 팔라듐 치환 도금층은 금속 배선 패턴상에 형성된다. 그리고 비전기 도금층은 팔라듐 치환 도금층산에 형성된다. 상술한 방법은 도금 레지스트의 표면상에 촉매의 접착에 의한 표면 저항의 감소와 도금 증착 악화의 문제점이 발생하지 않는다. 상술한 방법은 저가격으로 비전기 도금에 의해 미세한 배선 패턴을 형성할 수 있다.
[실시예]
[실시예 1]
Sumitomo Bakelite Co., Ltd.로부터 상업적으로 이용할 수 있는 이중축 첨가물을 갖는 글래스 포 에폭시 수지 기판 EL-8762AD을 뚫어 관통홀을 형성한다. 기판은 300ｇ/1의 크롬산과 200cc/1의 황산으로 구성된 혼합산을 함유하는 용액에 60℃의 온도에서 10분간 침지하여 첨가물의 표면을 거칠게 한다. 그 기관을 물로 세정하고 100℃에서 건조한 후에, 기판을 0.02M질산아연을 함유하는 용액에 3분간 함침한다. 그리고 기판을 100℃의 온도에서 건조한다. 기판을 150℃의 온도에서 30분간 가열한다. HItachi Kasei Kogyo Ltd.로부터 상업적으로 이용할 수 있는 건조 필름 SR-3000을 이용하여 배선 패턴을 기판상에 형성한다. 기판을 0.03M의 수소화붕소나트륨을 포함하는 용액에 표준온도에서 5분간 함침하여 아연화합물을 감소시킨다. 기판을 물로 세정한 후에, 기판을 pH가 2 이고 0.001M염화팔라듐을 함유하는 염산에 1분간 침지하여 아연을 팔라듐으로 치환함으로써 팔라듐 치환 도금을 수행한다. 기판을 물로 세정한 후에, 기판을 Japan Energy Co., Ltd.로부터 상업적으로 사용할 수 있는 비전기 구리 도금욕 KC-500을 사용한 비전기 도금을 72℃의 온도에서 6시간 실시하여 35마이크로미터의 두께를 갖는 구리 도금을 형성한다.
레지스트 표면상에 구리 도금 증착이 관찰되지 않는다. 소정의 미세한 배선 패턴이 관찰된다. 측정된 표면의 저항은 1×1014Ω이다.
[실시예 2]
에폭시 수지 (FR-4) 와니스는 평균 입경이 1.5마이크로미터인 산화니켈의 입자와 균일하게 혼합되어 10 마이크로미터이상의 직경을 갖는 큰입자가 차단된다. 에폭시 수지(FR-4)와 산화니켈 입자의 중량비는 3 : 7이다. 이 혼합물을 글래스포에 함유시켜 대략 10 마이크로미터의 두께를 갖는 프리프레그(prepreg)를 형성 한다. 상기 혼합물을 함유하는 글래스 포의 16개의 시트를 적층하고 압열처리하여 적층보드를 형성한다. 에폭시 염기 첨가물로서, 산화니켈 입자를 70중량 ％ 함유하는 고무 질소와 혼합한 MEK 용액을 준비한다. MEK 용액을 적층 보드에 도포하여 경화한다. 그런 후에, 관통홀이 기판상에 형성된다. 연화제, 촉진제, 중화제를 이용하여 기판의 표면을 거칠게 하여, 산화니켈 입자의 표면을 노출시킨다. 기판을 물로 세정하고 100℃의 온도에서 건조한다. Tokyo Applied Chemicals Co., Ltd.로부터 상업적으로 사용할 수 있는 감광 첨가물을 기판의 양측에 도포한다. 기판은 90℃의 온도에서 5분간 열판에 의해 미리 베이킹 된다. 150 mj에서 노출이 수행되고, 유기 알킬 용액을 이용하여 현상된다. 그런 후에, 사진 식자가 수행된다. 기판을 0.003 M의 수소화붕소칼륨을 함유하는 용액에 표준온도에서 5분간 함침하여 산화니켈 입자의 표면을 환원한다. 기판을 물로 세정한 후에, pH가 2이고 0.001M 염화팔라듐을 함유하는 염산에 1분간 침지하여 니켈을 팔라듐으로 치환함으로써 팔라듐 치환도금을 수행한다. 기판을 물로 세정한 후에, 기판을 Japan Energy Co., Ltd.로부터 상업적으로 사용할 수 있는 비전기 구리 도금욕 KC-500을 사용한 비전기 도금을 72℃의 온도에서 6시간 실시하여 35마이크로미터의 두께를 갖는 구리 도금을 형성한다.
레지스트 표면상에 구리 도금 증착이 관찰되지 않는다. 소정의 미세한 배선 패턴이 관찰된다. 측정된 표면의 저항은 5×1014Ω이다.
본 발명은 본 기술에 통상의 지식을 가진 자가 변경할 수 있지만, 앞에서 서술한 실시예로 한정되는 것은 아니다. 따라서, 본 발명을 벗어나지 않는 한도내에서 다양한 수정이 가능하다.

Claims (4)

  1. 하기로 구성된 인쇄 배선 보드 :
    ·절연기판;
    ·상기 절연기판상에 형성되며 절연성의 금속 화합물층, 이때 금속 화합물은 금속염 또는 금속산화물로부터 선택됨;
    ·상기 금속 화합물층 상에 선택적으로 형성되는 금속 배선패턴, 이때 금속 배선패턴은 상기 금속 화합물 층상에 도금 레지스트 필름의 선택적 형성 및 상기 도금 레지스트 필름으로 덮이지 않은 금속 화합물 층의 선택적 환원에 의해 형성됨;
    ·상기 금속 배선 패턴 상에 형성된 팔라듐-치환 도금층; 및
    ·상기 팔라듐-치환 도금층 상에 형성된 무전해 금속 도금층.
  2. 절연기판의 표면상에 첨가물을 도포하는 단계와, 상기 절연기판을 산화제를 함유하는 용액 내에 침강시켜 상기 첨가물의 표면을 거칠게 처리하는 단계와, 상기 첨가물의 거친 표면상에 금속 환원성 및 절연성을 나타내는 금속화합물로 만들어지는 금속 화합물층을 형성하는 단계와, 상기 금속 화합물층상에 도금 레지스트 필름을 선택적으로 형성하는 단계와, 상기 금속 화합물층상에 금속 배선패턴을 선택적으로 형성하기 위하여, 상기 도금 레지스트 필름을 마스크로 사용하여 상기 금속 화합물층을 선택적으로 환원시키는 단계와, 상기 금속 배선패턴을 팔라듐-치환 도금 처리하여 상기 금속 배선패턴 상에 팔라듐-치환 도금층을 형성하는 단계와, 상기 팔라듐-치환 도금층의 팔라듐을 촉매 코아로 사용하여, 상기 팔라듐-치환 도금층을 무전해 도금 처리하여 상기 절연기판상에 도전 회로를 형성하는 단계로 이루어지는 인쇄배선보드 형성 방법.
  3. 절연기판의 표면상에 충분한 절연성과 금속 환원성을 갖는 금속 화합물 입자로 이루어지는 첨가물을 도포하는 단계와, 상기 절연기판을 산화제를 함유하는 용액 내에 침강시켜 상기 첨가물의 표면을 거칠게 처리하고, 동시에 상기 첨가물 표면상에 상기 입자의 표면을 노출시켜 상기 금속 화합물층상에 거친 표면을 형성하는 단계와, 상기 금속 화합물층상에 도금 레지스트 필름을 선택적으로 형성하는 단계와, 금속 배선 패턴을 선택적으로 형성하기 위하여, 상기 도금 레지스트 필름을 마스크로 사용하여 상기 금속 화합물층을 선택적으로 환원시키는 단계와, 상기 금속 배선 패턴을 팔라듐-치환 도금 처리하여 상기 금속 배선패턴 상에 팔라듐-치환 도금층을 형성하는 단계와, 상기 필라듐-치환 도금층의 필라듐을 촉매 코아로 사용하여, 상기 팔라듐-치환 도금층을 무전해 도금 처리하여 상기 절연기판상에 도전회로를 형성하는 단계로 이루어지는 인쇄배선보드 형성 방법.
  4. 충분한 절연성과 금속 환원성을 갖는 금속 화합물 입자를 함유하는 절연기판을 준비하는 단계와, 상기 절연기판을 산화제를 함유하는 용액 내에 침강시켜 상기 첨가물의 표면을 거칠게 처리하고, 동시에 상기 첨가물 표면상에 상기 입자의 표면을 노출시켜 상기 금속 화합물층 상에 거친 표면을 형성하는 단계와, 상기 금속 화합물층 상에 도금 레지스트 필름을 선택적으로 형성하는 단계와, 금속 배선패턴을 선택적으로 형성하기 위하여, 상기 도금 레지스트 필름을 마스크로 사용하여 상기 금속 화합물층을 선택적으로 환원시키는 단계와, 상기 금속 배선패턴을 팔라듐-치환 도금 처리하여 상기 금속배선패턴 상에 팔라듐-치환 도금층을 형성하는 단계와, 상기 팔라듐-치환 도금층의 팔라듐을 촉매 코아로 사용하여, 상기 팔라듐-치환 도금층을 무전해 도금 처리하여 상기 절연기판상에 도전 회로를 형성하는 단계로 이루어지는 인쇄배선보드 형성 방법.
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