JP2885113B2 - 印刷配線板およびその製造方法 - Google Patents
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- C23C18/28—Sensitising or activating
- C23C18/30—Activating or accelerating or sensitising with palladium or other noble metal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/54—Contact plating, i.e. electroless electrochemical plating
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、印刷配線板およびその
製造方法に関し、更に詳しくは絶縁基板を出発材料と
し、化学めっきのみで導体回路を形成するアディティブ
法による印刷配線板およびその製造方法の改良に関す
る。
製造方法に関し、更に詳しくは絶縁基板を出発材料と
し、化学めっきのみで導体回路を形成するアディティブ
法による印刷配線板およびその製造方法の改良に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】印刷配線板の製造方法は、大きく二つに
分けることができる。一つはサブトラクティブ法であ
り、銅箔の不要部分を化学処理で選択的に取り除くこと
により導体パターンと絶縁部とを作る方法である。もう
一つはアディティブ法であり、絶縁基板上に無電解めっ
き等によって導電性材料を選択的に析出させて導体パタ
ーンを形成する方法である。
分けることができる。一つはサブトラクティブ法であ
り、銅箔の不要部分を化学処理で選択的に取り除くこと
により導体パターンと絶縁部とを作る方法である。もう
一つはアディティブ法であり、絶縁基板上に無電解めっ
き等によって導電性材料を選択的に析出させて導体パタ
ーンを形成する方法である。
【０００３】近年、電子機器の高密度実装が進み、印刷
配線板に対する微細パターン化の要求が一段と高まって
いるが、この微細パターン形成において従来から広く適
用されているサブトラクティブ法では、その対応が難し
く、アディティブ法が注目されている。その中で特にフ
ルアディティブ法は、微細パターン形成と低コスト化と
が両立できるプロセスとして注目されている。
配線板に対する微細パターン化の要求が一段と高まって
いるが、この微細パターン形成において従来から広く適
用されているサブトラクティブ法では、その対応が難し
く、アディティブ法が注目されている。その中で特にフ
ルアディティブ法は、微細パターン形成と低コスト化と
が両立できるプロセスとして注目されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】現在実用化されている
プロセスの基本としては、ＣＣ−４法とＡＰ−ＩＩ法が
ある。前者は、絶縁基材に無電解めっきの触媒核が予め
含有されているので、触媒付与工程を必要とせずプロセ
ス的に簡単である。しかしながら、必要以上の触媒が含
有されているため、コスト高となる。一方後者は、触媒
が入っていない基材を用いるので、材料の選択の自由度
は増えるが、触媒付与工程において、触媒がＣＣ−４法
のようによく分散されないことと、めっきレジストの下
に残存することのため、表面抵抗が低下する。これを改
良するために、変法としてめっきレジストを形成した
後、基板に触媒を付与し、レジスト表面の余分な触媒を
除去する方法（例えば特開平４−１１８９９２号公
報）、あるいはレジストに撥水性樹脂を使用あるいは撥
水処理をすることにより、レジスト表面に触媒が吸着し
ないようにする方法（例えば特開平１−８７７８１号公
報）が提案されている。しかしながら、触媒の吸着選択
性が乏しいため、いずれも十分なものではない。
プロセスの基本としては、ＣＣ−４法とＡＰ−ＩＩ法が
ある。前者は、絶縁基材に無電解めっきの触媒核が予め
含有されているので、触媒付与工程を必要とせずプロセ
ス的に簡単である。しかしながら、必要以上の触媒が含
有されているため、コスト高となる。一方後者は、触媒
が入っていない基材を用いるので、材料の選択の自由度
は増えるが、触媒付与工程において、触媒がＣＣ−４法
のようによく分散されないことと、めっきレジストの下
に残存することのため、表面抵抗が低下する。これを改
良するために、変法としてめっきレジストを形成した
後、基板に触媒を付与し、レジスト表面の余分な触媒を
除去する方法（例えば特開平４−１１８９９２号公
報）、あるいはレジストに撥水性樹脂を使用あるいは撥
水処理をすることにより、レジスト表面に触媒が吸着し
ないようにする方法（例えば特開平１−８７７８１号公
報）が提案されている。しかしながら、触媒の吸着選択
性が乏しいため、いずれも十分なものではない。
【０００５】本発明の目的は以上の問題点に鑑み、めっ
きレジスト表面への触媒吸着に基づくめっき析出や表面
抵抗の低下を起こすことなく、しかも低コストで無電解
めっきにより微細な配線パターンを形成することができ
る印刷配線板およびその製造方法を提供することにあ
る。
きレジスト表面への触媒吸着に基づくめっき析出や表面
抵抗の低下を起こすことなく、しかも低コストで無電解
めっきにより微細な配線パターンを形成することができ
る印刷配線板およびその製造方法を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に鋭意検討した結果、次の如き発明に到った。すなわち
本発明に係る印刷配線板は、絶縁基板表面に還元により
金属となる絶縁性良好な金属化合物層を有する印刷配線
板であって、前記金属化合物層は、選択的に還元され形
成された金属配線パターン上にパラジウム置換めっき
層，無電解めっき層が順次施されたものである。
に鋭意検討した結果、次の如き発明に到った。すなわち
本発明に係る印刷配線板は、絶縁基板表面に還元により
金属となる絶縁性良好な金属化合物層を有する印刷配線
板であって、前記金属化合物層は、選択的に還元され形
成された金属配線パターン上にパラジウム置換めっき
層，無電解めっき層が順次施されたものである。
【０００７】また、本発明に係る印刷配線板の製造方法
は、表面粗化工程と、金属化合物層形成工程と、メッキ
レジスト膜形成工程と、導体回路形成工程とを有する印
刷配線板の製造方法であって、表面粗化工程は、絶縁基
板の表面に接着剤を付与し、該絶縁基板を酸化剤を含有
する溶液に浸漬して前記接着剤の表面を粗化するもので
あり、金属化合物層形成工程は、前記粗化された接着剤
の表面に還元処理により金属となる絶縁性良好な金属化
合物層を形成するものであり、メッキレジスト膜形成工
程は、前記金属化合物層上にメッキレジスト膜を選択的
に形成するものであり、導体回路形成工程は、前記メッ
キレジスト膜が選択的に形成されることにより露出され
た金属化合物層の表面を還元処理し、還元により金属化
した金属表面をパラジウム置換めっきしてパラジウム置
換めっき層を形成し、さらに置換されたパラジウムを触
媒核として無電解めっきを行い、導体回路を形成するも
のである。
は、表面粗化工程と、金属化合物層形成工程と、メッキ
レジスト膜形成工程と、導体回路形成工程とを有する印
刷配線板の製造方法であって、表面粗化工程は、絶縁基
板の表面に接着剤を付与し、該絶縁基板を酸化剤を含有
する溶液に浸漬して前記接着剤の表面を粗化するもので
あり、金属化合物層形成工程は、前記粗化された接着剤
の表面に還元処理により金属となる絶縁性良好な金属化
合物層を形成するものであり、メッキレジスト膜形成工
程は、前記金属化合物層上にメッキレジスト膜を選択的
に形成するものであり、導体回路形成工程は、前記メッ
キレジスト膜が選択的に形成されることにより露出され
た金属化合物層の表面を還元処理し、還元により金属化
した金属表面をパラジウム置換めっきしてパラジウム置
換めっき層を形成し、さらに置換されたパラジウムを触
媒核として無電解めっきを行い、導体回路を形成するも
のである。
【０００８】また、本発明に係る印刷配線板の製造方法
は、金属化合物層形成工程と、メッキレジスト膜形成工
程と、導体回路形成工程とを有する印刷配線板の製造方
法であって、金属化合物層形成工程は、絶縁基板の表面
に還元により金属となる絶縁性良好な金属化合物粒子を
含有する接着剤層を付与した後、該接着剤層を粗化する
と同時に金属化合物粒子を露出させるものであり、メッ
キレジスト膜形成工程は、前記金属化合物粒子の露出さ
れた接着剤層上にメッキレジスト膜を選択的に形成する
ものであり、導体回路形成工程は、前記メッキレジスト
膜が選択的に形成されることにより露出された金属化合
物粒子表面を還元処理し、還元により金属化した金属表
面をパラジウム置換めっきしてパラジウム置換めっき層
を形成し、さらに置換されたパラジウムを触媒核として
無電解めっきを行い、導体回路を形成するものである。
は、金属化合物層形成工程と、メッキレジスト膜形成工
程と、導体回路形成工程とを有する印刷配線板の製造方
法であって、金属化合物層形成工程は、絶縁基板の表面
に還元により金属となる絶縁性良好な金属化合物粒子を
含有する接着剤層を付与した後、該接着剤層を粗化する
と同時に金属化合物粒子を露出させるものであり、メッ
キレジスト膜形成工程は、前記金属化合物粒子の露出さ
れた接着剤層上にメッキレジスト膜を選択的に形成する
ものであり、導体回路形成工程は、前記メッキレジスト
膜が選択的に形成されることにより露出された金属化合
物粒子表面を還元処理し、還元により金属化した金属表
面をパラジウム置換めっきしてパラジウム置換めっき層
を形成し、さらに置換されたパラジウムを触媒核として
無電解めっきを行い、導体回路を形成するものである。
【０００９】以上のように本発明に係る印刷配線板の製
造方法は、絶縁基板表面に還元により金属となる絶縁性
良好な金属化合物層を形成し、該金属化合物層を選択的
に還元して形成された金属配線パターン上にパラジウム
置換めっき層，無電解めっき層を順次施して印刷配線板
を製造するものであり、絶縁基板表面に接着剤層を付与
し、該接着剤層を粗化した後、接着剤層上に還元により
金属となる絶縁性良好な金属化合物層を形成する、ある
いは絶縁基板表面に還元により金属となる絶縁性良好な
金属化合物粒子を含有する接着剤層を付与した後、該接
着剤層を粗化すると同時に粒子表面を露出させることに
より、絶縁基板表面に金属化合物層を形成し、該層を選
択的に還元して形成された金属配線パターン上にパラジ
ウム置換めっき層，無電解めっき層を順次施した印刷配
線板を製造するものである。この方法により、高密度配
線板を製造する際に問題となる従来のフルアディティブ
法の有するめっきレジスト表面への触媒吸着に基づくめ
っき析出や表面抵抗の低下を起こすことなく、しかも低
コストで無電解めっきにより微細な配線パターンを形成
することができる。
造方法は、絶縁基板表面に還元により金属となる絶縁性
良好な金属化合物層を形成し、該金属化合物層を選択的
に還元して形成された金属配線パターン上にパラジウム
置換めっき層，無電解めっき層を順次施して印刷配線板
を製造するものであり、絶縁基板表面に接着剤層を付与
し、該接着剤層を粗化した後、接着剤層上に還元により
金属となる絶縁性良好な金属化合物層を形成する、ある
いは絶縁基板表面に還元により金属となる絶縁性良好な
金属化合物粒子を含有する接着剤層を付与した後、該接
着剤層を粗化すると同時に粒子表面を露出させることに
より、絶縁基板表面に金属化合物層を形成し、該層を選
択的に還元して形成された金属配線パターン上にパラジ
ウム置換めっき層，無電解めっき層を順次施した印刷配
線板を製造するものである。この方法により、高密度配
線板を製造する際に問題となる従来のフルアディティブ
法の有するめっきレジスト表面への触媒吸着に基づくめ
っき析出や表面抵抗の低下を起こすことなく、しかも低
コストで無電解めっきにより微細な配線パターンを形成
することができる。
【００１０】次に本発明を更に詳しく説明する。本発明
に用いられる還元により金属となる絶縁性良好な金属化
合物としては、金属塩，金属酸化物が挙げられる。これ
らの化合物層を絶縁基板上に形成する方法としては二つ
に大別される。一つは金属塩を水，アルコール等の溶媒
に溶解させ、この溶液を基板表面に塗布あるいは溶液中
に基板を浸漬した後、乾燥し、必要に応じて熱処理する
方法である。一般的に金属塩は水，アルコール等の溶媒
に溶解するため、これらの溶液で表面処理することによ
り、均一な処理層が得られる。
に用いられる還元により金属となる絶縁性良好な金属化
合物としては、金属塩，金属酸化物が挙げられる。これ
らの化合物層を絶縁基板上に形成する方法としては二つ
に大別される。一つは金属塩を水，アルコール等の溶媒
に溶解させ、この溶液を基板表面に塗布あるいは溶液中
に基板を浸漬した後、乾燥し、必要に応じて熱処理する
方法である。一般的に金属塩は水，アルコール等の溶媒
に溶解するため、これらの溶液で表面処理することによ
り、均一な処理層が得られる。
【００１１】使用される金属塩としては、亜鉛，ニッケ
ル，鉄，銅の硝酸塩，硫酸塩，蓚酸塩または酢酸塩の少
なくとも一種が挙げられる。なおこれらの処理は、基板
表面に予め接着剤を塗布し、粗化した後に実施する。
ル，鉄，銅の硝酸塩，硫酸塩，蓚酸塩または酢酸塩の少
なくとも一種が挙げられる。なおこれらの処理は、基板
表面に予め接着剤を塗布し、粗化した後に実施する。
【００１２】接着剤樹脂としては、一般的に使用されて
いるフェノール樹脂，エポキシ樹脂，エポキシ−アクリ
レート樹脂，メラミン樹脂等の硬化性樹脂が使用でき、
必要に応じてジエン系ゴム，ニトリルゴム等を含有して
もよい。
いるフェノール樹脂，エポキシ樹脂，エポキシ−アクリ
レート樹脂，メラミン樹脂等の硬化性樹脂が使用でき、
必要に応じてジエン系ゴム，ニトリルゴム等を含有して
もよい。
【００１３】これらの接着剤樹脂は、アセトン，ＭＥＫ
等の有機溶剤に溶解することにより接着剤溶液を作り、
ロールコーター，バーコーター，カーテンフローコート
法，浸漬法等により塗布し、これを乾燥する。接着剤層
の厚さは１５〜５０μｍ程度が好ましい。
等の有機溶剤に溶解することにより接着剤溶液を作り、
ロールコーター，バーコーター，カーテンフローコート
法，浸漬法等により塗布し、これを乾燥する。接着剤層
の厚さは１５〜５０μｍ程度が好ましい。
【００１４】接着剤層は、酸化剤を含有する水溶液に浸
漬して接着剤表面を粗化する。一般的に接着剤には表面
を粗化することによってアンカー効果を引き出し、導体
と基板の密着性を向上するために、炭酸カルシウム等の
粒子が含有されている。使用される酸化剤としては、例
えば過マンガン酸塩，無水クロム酸，クロム酸塩，クロ
ム酸−硫酸，クロム酸−硫酸−リン酸等が好適である。
なお必要に応じて酸化剤溶液への浸漬に先立ち、接着剤
付き基板をジメチルホルムアミド等で処理し、接着剤層
を膨潤させてもよい。この処理は特にジエン系ゴムを含
まない接着剤を使用した場合にめっき膜に対する密着力
向上に有効である。
漬して接着剤表面を粗化する。一般的に接着剤には表面
を粗化することによってアンカー効果を引き出し、導体
と基板の密着性を向上するために、炭酸カルシウム等の
粒子が含有されている。使用される酸化剤としては、例
えば過マンガン酸塩，無水クロム酸，クロム酸塩，クロ
ム酸−硫酸，クロム酸−硫酸−リン酸等が好適である。
なお必要に応じて酸化剤溶液への浸漬に先立ち、接着剤
付き基板をジメチルホルムアミド等で処理し、接着剤層
を膨潤させてもよい。この処理は特にジエン系ゴムを含
まない接着剤を使用した場合にめっき膜に対する密着力
向上に有効である。
【００１５】もう一つは金属酸化物粒子を絶縁基板表面
に付与する接着剤に均一混合分散させ、該接着剤を基板
表面に付与した後、接着剤層を粗化して粒子表面を露出
させる方法である。使用される金属酸化物粒子として
は、亜鉛，ニツケル，鉄，銅，マグネシウムの酸化物の
少なくとも一種が挙げられる。これらの粒子は上述した
アンカー効果を引き出すための炭酸カルシウム等の粒子
の代わりにも作用する。粒子の粒径は０．１〜１０μ
ｍ、好ましくは１〜５μｍがよい。粒径０．１μｍ以下
の場合、接着剤層とめっき金属の密着力が低下し、１０
μｍ以上の場合、回路のライン精度が低下する。また接
着剤固形物中１０〜８０容量％、好ましくは３０〜６０
容量％含有することが好ましい。含有量が１０容量％以
下の場合、接着剤表面への露出面積が不足する。一方８
０容量％以上の場合、接着剤層が脆くなる。
に付与する接着剤に均一混合分散させ、該接着剤を基板
表面に付与した後、接着剤層を粗化して粒子表面を露出
させる方法である。使用される金属酸化物粒子として
は、亜鉛，ニツケル，鉄，銅，マグネシウムの酸化物の
少なくとも一種が挙げられる。これらの粒子は上述した
アンカー効果を引き出すための炭酸カルシウム等の粒子
の代わりにも作用する。粒子の粒径は０．１〜１０μ
ｍ、好ましくは１〜５μｍがよい。粒径０．１μｍ以下
の場合、接着剤層とめっき金属の密着力が低下し、１０
μｍ以上の場合、回路のライン精度が低下する。また接
着剤固形物中１０〜８０容量％、好ましくは３０〜６０
容量％含有することが好ましい。含有量が１０容量％以
下の場合、接着剤表面への露出面積が不足する。一方８
０容量％以上の場合、接着剤層が脆くなる。
【００１６】接着剤樹脂，塗布方法および粗化方法は、
接着剤溶液に金属酸化物粒子が均一に混合分散され、粗
化により粒子表面を露出させる以外は前述したのと全く
同様である。
接着剤溶液に金属酸化物粒子が均一に混合分散され、粗
化により粒子表面を露出させる以外は前述したのと全く
同様である。
【００１７】絶縁基板表面に形成された金属化合物層上
には、導体回路を形成すべき部分以外にめっきレジスト
膜を形成する。これは後述の無電解めっきの工程でめっ
きが析出するのを防止するための処理を施す工程であ
る。めっきレジストは配線ピッチの大きいものはスクリ
ーン印刷，オフセット印刷等の印刷法により形成され、
より高密度のものはドライフィルム，液状感光性レジス
ト等を用いた写真法により形成される。前者の例として
は、太陽インキ製Ｓ−２２，東京応化工業製ＯＢＺ−４
０００等があり、後者の例としては、日立化成工業製ド
ライフィルムフォテックＳＲ−３０００等がある。
には、導体回路を形成すべき部分以外にめっきレジスト
膜を形成する。これは後述の無電解めっきの工程でめっ
きが析出するのを防止するための処理を施す工程であ
る。めっきレジストは配線ピッチの大きいものはスクリ
ーン印刷，オフセット印刷等の印刷法により形成され、
より高密度のものはドライフィルム，液状感光性レジス
ト等を用いた写真法により形成される。前者の例として
は、太陽インキ製Ｓ−２２，東京応化工業製ＯＢＺ−４
０００等があり、後者の例としては、日立化成工業製ド
ライフィルムフォテックＳＲ−３０００等がある。
【００１８】金属化合物を還元する還元剤としては、Ｈ
2，ＨＩ，ＣＯ，水素化ホウ素ナトリウム，水素化ホウ
素カリウム，ジメチルアミノボラン，アンモニアボラン
等のホウ素化合物等還元性を有するものであれば、あら
ゆるものが使用できる。還元方法も使用される還元剤に
応じたあらゆる還元反応を利用することが可能である。
例えば、還元剤としてＨ2ガスを使用する場合には、Ｈ2
ガス雰囲気中で基板を２００℃程度に加熱することによ
り還元される。また水素化ホウ素ナトリウムを使用する
場合には、１ｇ／１程度の水溶液を調製し、溶液中に数
分間浸漬することにより還元できる。
2，ＨＩ，ＣＯ，水素化ホウ素ナトリウム，水素化ホウ
素カリウム，ジメチルアミノボラン，アンモニアボラン
等のホウ素化合物等還元性を有するものであれば、あら
ゆるものが使用できる。還元方法も使用される還元剤に
応じたあらゆる還元反応を利用することが可能である。
例えば、還元剤としてＨ2ガスを使用する場合には、Ｈ2
ガス雰囲気中で基板を２００℃程度に加熱することによ
り還元される。また水素化ホウ素ナトリウムを使用する
場合には、１ｇ／１程度の水溶液を調製し、溶液中に数
分間浸漬することにより還元できる。
【００１９】還元された金属化層の表面は、パラジウム
置換めっきにより無電解めっきの触媒核となるパラジウ
ムを析出させる。この際還元処理の済んだ基板に直ちに
めっき処理を行ってもよいが、還元処理後の基板表面を
一旦酸等により洗浄しておくことにより、めっきの析出
性やめっき層と基板の密着性を向上させることができ
る。パラジウム置換めっきの方法は特に限定されない
が、塩化パラジウム０．０００５〜０．００５Ｍ／１程
度の塩酸酸性水溶液（ｐＨ：１〜３程度）中に数分間浸
漬すればよい。
置換めっきにより無電解めっきの触媒核となるパラジウ
ムを析出させる。この際還元処理の済んだ基板に直ちに
めっき処理を行ってもよいが、還元処理後の基板表面を
一旦酸等により洗浄しておくことにより、めっきの析出
性やめっき層と基板の密着性を向上させることができ
る。パラジウム置換めっきの方法は特に限定されない
が、塩化パラジウム０．０００５〜０．００５Ｍ／１程
度の塩酸酸性水溶液（ｐＨ：１〜３程度）中に数分間浸
漬すればよい。
【００２０】続いて無電解めっきを行う。めっきの材質
は特に限定されないが、通常配線基板に使用されている
Ｃｕ，Ｎｉ等を使用することが、コストの点からも好ま
しい。めっきの方法は、これらの金属をめっきする場合
に一般的に用いられている方法を使用することができ
る。例えば、Ｃｕをめっきする場合には、硫酸銅めっき
浴，ピロリン酸銅メッキ浴，シアン化銅めっき浴を、ま
たＮｉをめっきする場合には、次亜リン酸ナトリウムや
水素化ホウ素ナトリウムを還元剤とした硫酸ニッケルめ
っき浴あるいは塩化ニッケルめっき浴を使用することが
できる。
は特に限定されないが、通常配線基板に使用されている
Ｃｕ，Ｎｉ等を使用することが、コストの点からも好ま
しい。めっきの方法は、これらの金属をめっきする場合
に一般的に用いられている方法を使用することができ
る。例えば、Ｃｕをめっきする場合には、硫酸銅めっき
浴，ピロリン酸銅メッキ浴，シアン化銅めっき浴を、ま
たＮｉをめっきする場合には、次亜リン酸ナトリウムや
水素化ホウ素ナトリウムを還元剤とした硫酸ニッケルめ
っき浴あるいは塩化ニッケルめっき浴を使用することが
できる。
【００２１】上述の印刷配線基板には層間接続用のスル
ーホールを形成することもできる。金属化合物層形成方
法は、特に限定されないが、例えば金属塩溶液を用いる
場合は予め接着剤を付与，硬化した絶縁基板の所望の部
分にスルーホール用貫通孔を設けた基板に金属塩溶液を
塗布あるいは金属塩溶液中に浸漬後乾燥、必要に応じて
熱処理すればよい。一方金属酸化物粒子を用いる場合
は、絶縁基板の所望部分に一回り大きいスルーホール用
貫通孔を設けた後、金属酸化物粒子含有接着剤を基板表
面およびスルーホール用貫通孔内に付与，充填，硬化
し、再び所定の径のスルーホール用貫通孔を設ければよ
い。この場合、基板表面層のみに金属酸化物層を形成す
る代わりに、基板自体の構成樹脂中に金属酸化物粒子を
含有させることもでき、この方法では上記スルーホール
用貫通孔形成の手間を省くことができる。この際接着剤
と基板自体の構成樹脂は、同じでも異なってもよい。
ーホールを形成することもできる。金属化合物層形成方
法は、特に限定されないが、例えば金属塩溶液を用いる
場合は予め接着剤を付与，硬化した絶縁基板の所望の部
分にスルーホール用貫通孔を設けた基板に金属塩溶液を
塗布あるいは金属塩溶液中に浸漬後乾燥、必要に応じて
熱処理すればよい。一方金属酸化物粒子を用いる場合
は、絶縁基板の所望部分に一回り大きいスルーホール用
貫通孔を設けた後、金属酸化物粒子含有接着剤を基板表
面およびスルーホール用貫通孔内に付与，充填，硬化
し、再び所定の径のスルーホール用貫通孔を設ければよ
い。この場合、基板表面層のみに金属酸化物層を形成す
る代わりに、基板自体の構成樹脂中に金属酸化物粒子を
含有させることもでき、この方法では上記スルーホール
用貫通孔形成の手間を省くことができる。この際接着剤
と基板自体の構成樹脂は、同じでも異なってもよい。
【００２２】
【作用】以上のように、絶縁基板表面に接着剤層を付与
し、該接着剤層を粗化した後、接着剤層上に還元により
金属となる絶縁性良好な金属化合物層を形成する、ある
いは絶縁基板表面に還元により金属となる絶縁性良好な
金属化合物粒子を含有する接着剤層を付与した後、該接
着剤層を粗化すると同時に粒子表面を露出させることに
より、絶縁基板表面に金属化合物層を形成し、該層を選
択的に還元して形成された金属配線パターン上にパラジ
ウム置換めっき層，無電解めっき層を順次施した印刷配
線板を製造する。この方法により、高密度配線板を製造
する際に問題となる従来のフルアディティブ法の有する
めっきレジスト表面への触媒吸着に基づくめっき析出や
表面抵抗の低下を起こすことなく、しかも低コストで無
電解めっきにより微細な配線パターンを形成することが
できる。
し、該接着剤層を粗化した後、接着剤層上に還元により
金属となる絶縁性良好な金属化合物層を形成する、ある
いは絶縁基板表面に還元により金属となる絶縁性良好な
金属化合物粒子を含有する接着剤層を付与した後、該接
着剤層を粗化すると同時に粒子表面を露出させることに
より、絶縁基板表面に金属化合物層を形成し、該層を選
択的に還元して形成された金属配線パターン上にパラジ
ウム置換めっき層，無電解めっき層を順次施した印刷配
線板を製造する。この方法により、高密度配線板を製造
する際に問題となる従来のフルアディティブ法の有する
めっきレジスト表面への触媒吸着に基づくめっき析出や
表面抵抗の低下を起こすことなく、しかも低コストで無
電解めっきにより微細な配線パターンを形成することが
できる。
【００２３】
【実施例】以下本発明を実施例によって具体的に説明す
る。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。
る。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。
【００２４】（実施例１）住友ベークライト社製両面接
着剤付きガラス布エポキシ基板ＥＬ−８７６２ＡＤに、
ドリリングにてスルーホール用貫通孔を形成した。次に
３００ｇ／１クロム酸，２００ｃｃ／１硫酸からなる混
酸に６０℃，１０分間浸漬して接着剤表面を粗化した。
次に水洗して１００℃で乾燥後、硝酸亜鉛の０．０２Ｍ
水溶液中に該基板を３分間浸漬，１００℃で乾燥後、１
５０℃，３０分間熱処理した。この基板表面に日立化成
工業社製ドライフィルムＳＲ−３０００を用いて配線パ
ターンを形成した。続いて該基板を水素化ホウ素ナトリ
ウム０．０３Ｍ水溶液中に常温で５分間浸漬し、亜鉛化
合物を還元させた。さらに水洗後塩化パラジウム０．０
０１Ｍの塩酸酸性溶液（ｐＨ：２）中に基板を１分間浸
漬し、亜鉛にパラジウム置換めっきをした。水洗後最後
にジャパンエナジー社製無電解銅めっき浴ＫＣ−５００
にて無電解銅めっきを７２℃で約６時間行い３５μｍ厚
の銅めっきを析出させた。
着剤付きガラス布エポキシ基板ＥＬ−８７６２ＡＤに、
ドリリングにてスルーホール用貫通孔を形成した。次に
３００ｇ／１クロム酸，２００ｃｃ／１硫酸からなる混
酸に６０℃，１０分間浸漬して接着剤表面を粗化した。
次に水洗して１００℃で乾燥後、硝酸亜鉛の０．０２Ｍ
水溶液中に該基板を３分間浸漬，１００℃で乾燥後、１
５０℃，３０分間熱処理した。この基板表面に日立化成
工業社製ドライフィルムＳＲ−３０００を用いて配線パ
ターンを形成した。続いて該基板を水素化ホウ素ナトリ
ウム０．０３Ｍ水溶液中に常温で５分間浸漬し、亜鉛化
合物を還元させた。さらに水洗後塩化パラジウム０．０
０１Ｍの塩酸酸性溶液（ｐＨ：２）中に基板を１分間浸
漬し、亜鉛にパラジウム置換めっきをした。水洗後最後
にジャパンエナジー社製無電解銅めっき浴ＫＣ−５００
にて無電解銅めっきを７２℃で約６時間行い３５μｍ厚
の銅めっきを析出させた。
【００２５】得られた基板のめっきレシジスト表面への
銅めっき析出は認められず、所定の配線パターンが形成
され、表面抵抗値も１０14Ωと良好であった。
銅めっき析出は認められず、所定の配線パターンが形成
され、表面抵抗値も１０14Ωと良好であった。
【００２６】（実施例２）エポキシ樹脂（ＦＲ−４）ワ
ニスと平均粒径１．５μｍ（粒径１０μｍ以上除去）の
酸化ニッケル粒子を重量比で３：７になるよう均一に混
合し、これをガラスクロスに含浸させて約１００μｍ厚
のプリプレグを作製し、これを１６枚重ね加圧加熱処理
して積層板を作製した。該積層板に、上述の酸化ニッケ
ル粒子を７０重量％含有させたニトリルゴムを配合した
エポキシ系接着剤のＭＥＫ溶液を塗布，硬化させた後、
スルーホール用貫通孔を形成した。該基板をシプレー社
製コンディショナー，プロモーター，ニュートライザー
を用いて粗化処理するとともに酸化ニッケル粒子表面を
露出させた。この絶縁基板を水洗し、１００℃で乾燥
後、東京応化工業社製感光性接着剤を片面ずつ両面に塗
布，ホットプレートにて９０℃，５分プリベーク，露光
１５０ｍｊ，有機アルカリ水溶液にて現像後光硬化（２
ｊ）させた。続いて該基板を水素化ホウ素カリウム０．
０３Ｍ水溶液中に常温で５分間浸漬し、酸化ニッケル粒
子表面を還元させた。その後実施例１同様に、水洗後塩
化パラジウム０．００１Ｍの塩酸酸性溶液（ｐＨ：２）
中に基板を１分間浸漬して、ニッケルにパラジウム置換
めっき、更に水洗後ジャパンエナジー社製無電解銅めっ
き浴ＫＣ−５００にて、無電解銅めっきを７２℃で約６
時間行い、３５μｍ厚の銅めっきを析出させた。
ニスと平均粒径１．５μｍ（粒径１０μｍ以上除去）の
酸化ニッケル粒子を重量比で３：７になるよう均一に混
合し、これをガラスクロスに含浸させて約１００μｍ厚
のプリプレグを作製し、これを１６枚重ね加圧加熱処理
して積層板を作製した。該積層板に、上述の酸化ニッケ
ル粒子を７０重量％含有させたニトリルゴムを配合した
エポキシ系接着剤のＭＥＫ溶液を塗布，硬化させた後、
スルーホール用貫通孔を形成した。該基板をシプレー社
製コンディショナー，プロモーター，ニュートライザー
を用いて粗化処理するとともに酸化ニッケル粒子表面を
露出させた。この絶縁基板を水洗し、１００℃で乾燥
後、東京応化工業社製感光性接着剤を片面ずつ両面に塗
布，ホットプレートにて９０℃，５分プリベーク，露光
１５０ｍｊ，有機アルカリ水溶液にて現像後光硬化（２
ｊ）させた。続いて該基板を水素化ホウ素カリウム０．
０３Ｍ水溶液中に常温で５分間浸漬し、酸化ニッケル粒
子表面を還元させた。その後実施例１同様に、水洗後塩
化パラジウム０．００１Ｍの塩酸酸性溶液（ｐＨ：２）
中に基板を１分間浸漬して、ニッケルにパラジウム置換
めっき、更に水洗後ジャパンエナジー社製無電解銅めっ
き浴ＫＣ−５００にて、無電解銅めっきを７２℃で約６
時間行い、３５μｍ厚の銅めっきを析出させた。
【００２７】得られた基板のめっきレジスト表面への銅
めっき析出は認められず、スルーホールを含めて所定の
導体パターンが形成され、また表面抵抗値も５×１０14
Ωと良好であった。
めっき析出は認められず、スルーホールを含めて所定の
導体パターンが形成され、また表面抵抗値も５×１０14
Ωと良好であった。
【００２８】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、絶縁基板
表面に接着剤層を付与し、該接着剤層を粗化した後、接
着剤層上に還元により金属となる絶縁性良好な金属化合
物層を形成する、あるいは絶縁基板表面に還元により金
属となる絶縁性良好な金属化合物粒子を含有する接着剤
層を付与した後、該接着剤層を粗化すると同時に粒子表
面を露出させることにより、絶縁基板表面に金属化合物
層を形成し、該層を選択的に還元して形成された金属配
線パターン上にパラジウム置換めっき層，無電解めっき
層を順次施した印刷配線板を製造する。この方法によ
り、高密度配線板を製造する際に問題となる従来のフル
アディティブ法の有するめっきレジスト表面への触媒吸
着に基づくめっき析出や表面抵抗の低下を起こすことな
く、しかも低コストで無電解めっきにより微細な配線パ
ターンを形成することができる。
表面に接着剤層を付与し、該接着剤層を粗化した後、接
着剤層上に還元により金属となる絶縁性良好な金属化合
物層を形成する、あるいは絶縁基板表面に還元により金
属となる絶縁性良好な金属化合物粒子を含有する接着剤
層を付与した後、該接着剤層を粗化すると同時に粒子表
面を露出させることにより、絶縁基板表面に金属化合物
層を形成し、該層を選択的に還元して形成された金属配
線パターン上にパラジウム置換めっき層，無電解めっき
層を順次施した印刷配線板を製造する。この方法によ
り、高密度配線板を製造する際に問題となる従来のフル
アディティブ法の有するめっきレジスト表面への触媒吸
着に基づくめっき析出や表面抵抗の低下を起こすことな
く、しかも低コストで無電解めっきにより微細な配線パ
ターンを形成することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H05K 1/09 H05K 3/18 H05K 3/24
Claims (8)
- 【請求項１】 絶縁基板表面に還元により金属となる絶
縁性良好な金属化合物層を有する印刷配線板であって、 前記金属化合物層は、選択的に還元され形成された金属
配線パターン上にパラジウム置換めっき層，無電解めっ
き層が順次施されたものであることを特徴とする印刷配
線板。 - 【請求項２】 表面粗化工程と、金属化合物層形成工程
と、メッキレジスト膜形成工程と、導体回路形成工程と
を有する印刷配線板の製造方法であって、 表面粗化工程は、絶縁基板の表面に接着剤を付与し、該
絶縁基板を酸化剤を含有する溶液に浸漬して前記接着剤
の表面を粗化するものであり、 金属化合物層形成工程は、前記粗化された接着剤の表面
に還元処理により金属となる絶縁性良好な金属化合物層
を形成するものであり、 メッキレジスト膜形成工程は、前記金属化合物層上にメ
ッキレジスト膜を選択的に形成するものであり、 導体回路形成工程は、前記メッキレジスト膜が選択的に
形成されることにより露出された金属化合物層の表面を
還元処理し、還元により金属化した金属表面をパラジウ
ム置換めっきしてパラジウム置換めっき層を形成し、さ
らに置換されたパラジウムを触媒核として無電解めっき
を行い導体回路を形成するものであることを特徴とする
印刷配線板の製造方法。 - 【請求項３】 前記金属化合物層形成工程の還元処理
は、金属塩の溶液を前記粗化された接着剤の表面に塗布
し、あるいは前記基板を金属塩の溶液中に浸漬した後に
乾燥し、金属化合物層を形成するものであることを特徴
とする請求項２に記載の印刷配線板の製造方法。 - 【請求項４】 金属化合物層形成工程と、メッキレジス
ト膜形成工程と、導体回路形成工程とを有する印刷配線
板の製造方法であって、 金属化合物層形成工程は、絶縁基板の表面に還元により
金属となる絶縁性良好な金属化合物粒子を含有する接着
剤層を付与した後、該接着剤層を粗化すると同時に金属
化合物粒子を露出させるものであり、 メッキレジスト膜形成工程は、前記金属化合物粒子の露
出された接着剤層上にメッキレジスト膜を選択的に形成
するものであり、 導体回路形成工程は、前記メッキレジスト膜が選択的に
形成されることにより露出された金属化合物粒子表面を
還元処理し、還元により金属化した金属表面をパラジウ
ム置換めっきしてパラジウム置換めっき層を形成し、さ
らに置換されたパラジウムを触媒核として無電解めっき
を行い、導体回路を形成するものであることを特徴とす
る印刷配線板の製造方法。 - 【請求項５】 前記金属化合物粒子が金属酸化物粒子で
あり、これを配合した接着剤を基板表面に付与する代わ
りに基板を構成する樹脂自体に該金属酸化物粒子を含有
させるものであることを特徴とする請求項４に記載の印
刷配線板の製造方法。 - 【請求項６】 前記金属塩は、亜鉛，ニッケル，鉄，銅
の硝酸塩，硫酸塩，蓚酸塩または酢酸塩の少なくとも一
種以上であることを特徴とする請求項３に記載の印刷配
線板の製造方法。 - 【請求項７】 前記金属化合物粒子が亜鉛，ニッケル，
鉄，銅マグネシウムの少なくとも一種以上の酸化物であ
ることを特徴とする請求項４に記載の印刷配線板の製造
方法。 - 【請求項８】 絶縁基板に一つ以上のスルーホールが設
けられており、該スルーホール孔内をも含む表面上に前
記還元により金属となる絶縁性良好な金属化合物層を有
するものであることを特徴とする請求項１に記載の印刷
配線板及び請求項２，３，４，５，６又は７に記載の印
刷配線板の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7012532A JP2885113B2 (ja) | 1995-01-30 | 1995-01-30 | 印刷配線板およびその製造方法 |
| KR1019960002121A KR100235930B1 (ko) | 1995-01-30 | 1996-01-30 | 인쇄 배선 보드와 그 형성 방법 |
| US08/594,297 US5681648A (en) | 1995-01-30 | 1996-01-30 | Printed wiring board and method for preparing the same |
| EP96101261A EP0726697A3 (en) | 1995-01-30 | 1996-01-30 | Improved printed wiring board and method for preparing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7012532A JP2885113B2 (ja) | 1995-01-30 | 1995-01-30 | 印刷配線板およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08204303A JPH08204303A (ja) | 1996-08-09 |
| JP2885113B2 true JP2885113B2 (ja) | 1999-04-19 |
Family
ID=11807946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7012532A Expired - Lifetime JP2885113B2 (ja) | 1995-01-30 | 1995-01-30 | 印刷配線板およびその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5681648A (ja) |
| EP (1) | EP0726697A3 (ja) |
| JP (1) | JP2885113B2 (ja) |
| KR (1) | KR100235930B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US12064794B2 (en) | 2018-07-09 | 2024-08-20 | Positec Power Tools (Suzhou) Co., Ltd. | Handheld high-pressure cleaning machine |
Families Citing this family (6)
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|---|---|---|---|---|
| US20040253386A1 (en) * | 2003-06-13 | 2004-12-16 | Sarojini Deevi | Preparation of intermetallics by metallo-organic decomposition |
| JP3960320B2 (ja) * | 2004-04-19 | 2007-08-15 | 松下電器産業株式会社 | 配線基板とそれを用いたバランと配線基板の製造方法 |
| US7588835B2 (en) | 2005-03-11 | 2009-09-15 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Method of treating the surface of copper and copper |
| KR100834515B1 (ko) * | 2007-03-07 | 2008-06-02 | 삼성전기주식회사 | 금속 나노입자 에어로졸을 이용한 포토레지스트 적층기판의형성방법, 절연기판의 도금방법, 회로기판의 금속층의표면처리방법 및 적층 세라믹 콘덴서의 제조방법 |
| CN102605359A (zh) * | 2011-01-25 | 2012-07-25 | 台湾上村股份有限公司 | 化学钯金镀膜结构及其制作方法、铜线或钯铜线接合的钯金镀膜封装结构及其封装工艺 |
| KR101942187B1 (ko) * | 2017-06-19 | 2019-01-25 | 전남대학교산학협력단 | 가요성 전극 및 이의 제조방법 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3335050A (en) * | 1967-08-08 | Plastic bonded copper foil and process of producing same | ||
| US2939804A (en) * | 1958-01-23 | 1960-06-07 | Uarco Inc | Resin particle coated with metal |
| US4681630A (en) * | 1982-09-27 | 1987-07-21 | Learonal, Inc. | Method of making copper colloid for activating insulating surfaces |
| US4535029A (en) * | 1983-09-15 | 1985-08-13 | Advanced Technology, Inc. | Method of catalyzing metal depositions on ceramic substrates |
| US4772080A (en) * | 1985-07-01 | 1988-09-20 | Raytheon Company | Optical elements having buried layers and method of manufacture |
| US4761303A (en) * | 1986-11-10 | 1988-08-02 | Macdermid, Incorporated | Process for preparing multilayer printed circuit boards |
| US5110633A (en) * | 1989-09-01 | 1992-05-05 | Ciba-Geigy Corporation | Process for coating plastics articles |
| US5318803A (en) * | 1990-11-13 | 1994-06-07 | International Business Machines Corporation | Conditioning of a substrate for electroless plating thereon |
| US5162144A (en) * | 1991-08-01 | 1992-11-10 | Motorola, Inc. | Process for metallizing substrates using starved-reaction metal-oxide reduction |
| EP0530144A3 (en) * | 1991-08-23 | 1994-08-24 | Ciba Geigy Ag | Process for metallising plastic articles |
| JPH0787270B2 (ja) * | 1992-02-19 | 1995-09-20 | 日鉱グールド・フォイル株式会社 | 印刷回路用銅箔及びその製造方法 |
| FR2726205B1 (fr) * | 1994-10-28 | 1997-09-26 | Motorola Inc | Procede destine a reduire le temps de demarrage dans un bain autocatalytique |
-
1995
- 1995-01-30 JP JP7012532A patent/JP2885113B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-01-30 EP EP96101261A patent/EP0726697A3/en not_active Withdrawn
- 1996-01-30 US US08/594,297 patent/US5681648A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-01-30 KR KR1019960002121A patent/KR100235930B1/ko not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| US12064794B2 (en) | 2018-07-09 | 2024-08-20 | Positec Power Tools (Suzhou) Co., Ltd. | Handheld high-pressure cleaning machine |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100235930B1 (ko) | 1999-12-15 |
| EP0726697A3 (en) | 1998-01-07 |
| US5681648A (en) | 1997-10-28 |
| KR960030756A (ko) | 1996-08-17 |
| JPH08204303A (ja) | 1996-08-09 |
| EP0726697A2 (en) | 1996-08-14 |
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